JPWO2017216839A1 - 高周波整流器 - Google Patents

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Abstract

被整流波である高周波RFの電力を分配する電力分配器(2)と、電力分配器(2)と第1の整流器(10)との間に流れる直流を遮断するキャパシタ(3)と、電力分配器(2)と第2の整流器(20)との間に流れる直流を遮断するキャパシタ(4)とを備え、第1の整流器(10)が、電力分配器(2)から出力された高周波RFを整流して直流電圧DCを生成し、その直流電圧DCを負荷(7)の一端に出力し、第2の整流器(20)が、電力分配器(2)から出力された高周波RFを整流して、その直流電圧DCと極性が異なる直流電圧DCを生成し、その直流電圧DCを負荷(7)の他端に出力するように構成する。

Description

この発明は、高周波を直流に変換する高周波整流器に関するものである。
高周波整流器として、シングルシャント型整流器が知られている。
シングルシャント型整流器は、例えば、アノード端子が接地又は基準電位に接続されている整流素子であるショットキーダイオードと、そのショットキーダイオードのカソード端子と信号源又は受信アンテナとの間に接続されている入力フィルタと、そのショットキーダイオードのカソード端子と負荷抵抗との間に接続されている出力フィルタとで構成されている。
信号源又は受信アンテナからシングルシャント型整流器に出力された被整流波である高周波は、入力フィルタを介して、ショットキーダイオードに入力される。
高周波がショットキーダイオードに入力されると、ショットキーダイオードの非線形性によって、ショットキーダイオードで高調波が生成される。
ショットキーダイオードで生成された高調波のうち、偶数次の高調波が、出力フィルタ内のキャパシタによって平滑化されることで、直流に変換される。
ここで、高周波を高効率に直流に変換するためには、入力される所望の被整流波の電力が反射することなく、ショットキーダイオードに伝達され、ショットキーダイオードで生じる高調波が再放射されないように閉じ込められている必要がある。このため、ショットキーダイオードのカソード端子から見た入力フィルタのインピーダンスと、ショットキーダイオードのカソード端子から見た出力フィルタのインピーダンスとが一定の条件を満足している必要がある。
例えば、以下の特許文献1に開示されている高周波整流器は、整流素子であるダイオードの入力側に、インピーダンス整合回路と高調波フィルタを備えるとともに、ダイオードの出力側に、出力フィルタを備えている。
この出力フィルタは、負荷と並列に接続されているキャパシタと、そのキャパシタとダイオードとを接続している伝送線路とを備えており、この伝送線路は、被整流波における基本波の周波数で4分の1波長の長さを有している。
この出力フィルタの入力インピーダンスは、基本波を含む奇数次の高調波で開放となり、偶数次の高調波で短絡となる。このため、ダイオードに印加される高周波の電圧は矩形波に近づき、理論上、全波整流波形になるので、高周波から直流への変換効率であるRF−DC変換効率は100%になる。
特開2014−23069号公報
従来の高周波整流器は以上のように構成されているので、高効率なRF−DC変換が得られるが、高周波の入力電力が高くなり、整流素子であるダイオードに印加される電圧がブレークダウン電圧に到達してしまうと、逆方向に電流が流れてしまうため、RF−DC変換効率が低下し、最悪の場合には、ダイオードに故障が生じてしまうことがあるという課題があった。
なお、複数のダイオードを同じ向きに直列に接続するようにすれば、ダイオードに印加される電圧がブレークダウン電圧に到達し難くなるが、複数のダイオード間に生じるインダクタンスなどの寄生成分による影響で、複数のダイオードに印加される電圧にアンバランスが生じることがある。その結果、複数のダイオードにおける電圧電流特性に異常が生じてRF−DC変換効率が低下し、最悪の場合には、ダイオードに故障が生じてしまうことがあるという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、被整流波の入力電力が高くても、高効率なRF−DC変換を実現することができる高周波整流器を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波整流器は、被整流波の電力を分配し、電力分配後の被整流波として第1の被整流波と第2の被整流波を出力する電力分配器と、電力分配器から出力された第1の被整流波を整流して第1の直流電圧を生成し、第1の直流電圧を負荷の一端に出力する第1の整流器と、電力分配器から出力された第2の被整流波を整流して、第1の直流電圧と極性が異なる第2の直流電圧を生成し、第2の直流電圧を負荷の他端に出力する第2の整流器と、電力分配器と第1の整流器との間に流れる直流を遮断する第1の直流遮断器と、電力分配器と第2の整流器との間に流れる直流を遮断する第2の直流遮断器とを備えるようにしたものである。
この発明によれば、被整流波の電力を分配する電力分配器と、電力分配器と第1の整流器との間に流れる直流を遮断する第1の直流遮断器と、電力分配器と第2の整流器との間に流れる直流を遮断する第2の直流遮断器とを備え、第1の整流器が、電力分配器から出力された第1の被整流波を整流して第1の直流電圧を生成し、第1の直流電圧を負荷の一端に出力し、第2の整流器が、電力分配器から出力された第2の被整流波を整流して、第1の直流電圧と極性が異なる第2の直流電圧を生成し、第2の直流電圧を負荷の他端に出力するように構成したので、被整流波の入力電力が高くても、高効率なRF−DC変換を実現することができる効果がある。
この発明の実施の形態1による高周波整流器を示す構成図である。 第1及び第2の整流器10,20に含まれている入力フィルタ11,21を示す構成図である。 第1及び第2の整流器10,20に含まれている出力フィルタ13,23を示す構成図である。 この発明の実施の形態1による高周波整流器の電力分配器2を示す構成図である。 この発明の実施の形態2による高周波整流器を示す構成図である。 この発明の実施の形態3による高周波整流器を示す構成図である。 この発明の実施の形態3による高周波整流器の電力分配器8を示す構成図である。 この発明の実施の形態3による高周波整流器の他の電力分配器8を示す構成図である。 この発明の実施の形態4による高周波整流器を示す構成図である。 この発明の実施の形態4による高周波整流器の電力分配器9を示す構成図である。 この発明の実施の形態4による高周波整流器の他の電力分配器9を示す構成図である。 この発明の実施の形態4による高周波整流器の他の電力分配器9を示す構成図である。
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面にしたがって説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による高周波整流器を示す構成図である。
図1において、入力端子1は被整流波である高周波RFが入力される端子である。
電力分配器2は入力端子1から入力された高周波RFの電力を分配し、電力分配後の高周波RFとして、高周波RF(第1の被整流波)と高周波RF(第2の被整流波)を出力する。
この実施の形態1では、電力分配器2が、入力端子1から入力された高周波RFの電力を2等分することを想定しているが、電力分配器2における電力の分配比は任意である。
また、この実施の形態1では、電力分配器2として、同相分配器が用いられており、電力分配器2から出力される高周波RFと高周波RFの位相が同相であるものを想定している。
キャパシタ3は電力分配器2と第1の整流器10との間に流れる直流を遮断する第1の直流遮断器である。
キャパシタ4は電力分配器2と第2の整流器20との間に流れる直流を遮断する第2の直流遮断器である。
ここでは、第1及び第2の直流遮断器が、キャパシタ3,4である例を示しているが、電力分配器2と第1及び第2の整流器10,20との間に流れる直流を遮断することができればよく、第1及び第2の直流遮断器として、例えば、高周波RFの通過を許可して、直流の通過を阻止する結合線路などを用いることができる。
第1の整流器10は入力フィルタ11、整流部12及び出力フィルタ13を備えており、電力分配器2から出力された高周波RFを整流して直流電圧DC(第1の直流電圧)を生成し、その直流電圧DCを出力端子5に出力する。
第2の整流器20は入力フィルタ21、整流部22及び出力フィルタ23を備えており、電力分配器2から出力された高周波RFを整流して、直流電圧DCと極性が異なる直流電圧DC(第2の直流電圧)を生成し、その直流電圧DCを出力端子6に出力する。
出力端子5は第1の整流器10から出力された直流電圧DCを負荷7の一端に出力するための端子である。
出力端子6は第2の整流器20から出力された直流電圧DCを負荷7の他端に出力するための端子である。
入力フィルタ11はキャパシタ3と整流部12との間のインピーダンス整合を図るとともに、キャパシタ3に対して整流部12で生じた高調波の伝搬を遮断するためのフィルタである。
整流部12はダイオード12aを有しており、入力フィルタ11を通過してきた高周波RFを整流して直流電圧DCを生成し、その直流電圧DCを出力フィルタ13に出力する。
ダイオード12aはアノード端子(陽極)が接地され、カソード端子(陰極)が入力フィルタ11の出力側と出力フィルタ13の入力側とに接続されている第1の整流素子である。したがって、ダイオード12aのカソード端子は、入力フィルタ11を介してキャパシタ3と接続され、また、出力フィルタ13を介して負荷7の一端と接続されている。
出力フィルタ13は負荷7に対して、入力端子1から入力された高周波RF及び整流部12で生じた高調波の伝搬を遮断するためのフィルタである。
ここでは、整流部12がダイオード12aを有している例を示しているが、高周波RFを整流して直流電圧DCを生成することができればよく、整流部12が、ダイオード12aの代わりに、例えば、サイリスタ、トランジスタなどを有しているものであってもよい。
入力フィルタ21はキャパシタ4と整流部22との間のインピーダンス整合を図るとともに、キャパシタ4に対して整流部22で生じた高調波の伝搬を遮断するためのフィルタである。
整流部22はダイオード22aを有しており、入力フィルタ21を通過してきた高周波RFを整流して、直流電圧DCと極性が異なる直流電圧DCを生成し、その直流電圧DCを出力フィルタ23に出力する。
ダイオード22aはカソード端子(陰極)が接地され、アノード端子(陽極)が入力フィルタ21の出力側と出力フィルタ23の入力側とに接続されている第2の整流素子である。したがって、ダイオード22aのアノード端子は、入力フィルタ21を介してキャパシタ4と接続され、また、出力フィルタ23を介して負荷7の他端と接続されている。
出力フィルタ23は負荷7に対して、入力端子1から入力された高周波RF及び整流部22で生じた高調波の伝搬を遮断するためのフィルタである。
ここでは、整流部22がダイオード22aを有している例を示しているが、高周波RFを整流して直流電圧DCを生成することができればよく、整流部22が、ダイオード22aの代わりに、例えば、サイリスタ、トランジスタなどを有しているものであってもよい。
図2は第1及び第2の整流器10,20に含まれている入力フィルタ11,21を示す構成図である。
図2において、整合回路31はキャパシタ3(または4)と整流部12(または22)との間のインピーダンス整合を図る回路であり、伝送線路32と開放スタブ33を備えている。
伝送線路32は一端がキャパシタ3と接続されている線路である。
開放スタブ33は一端がキャパシタ3と接続されているスタブである。
高調波処理回路34はキャパシタ3(または4)に対して整流部12(または22)で生じた高調波の伝搬を遮断する回路である。
伝送線路35は一端が伝送線路32の他端と接続され、他端が整流部12(または22)と接続されており、入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有している線路である。図2では、基本波の周波数fで4分の1波長の長さを「λ/4@f」で表記している。
開放スタブ36は一端が伝送線路32の他端と接続され、入力端子1から入力された高周波RFに含まれている2次高調波の周波数fで4分の1波長の長さを有しているスタブである。図2では、2次高調波の周波数fで4分の1波長の長さを「λ/4@f」で表記している。
図3は第1及び第2の整流器10,20に含まれている出力フィルタ13,23を示す構成図である。
図3において、伝送線路41は一端が整流部12(または22)と接続され、他端が出力端子5(または6)と接続されており、入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有している線路である。図3では、基本波の周波数fで4分の1波長の長さを「λ/4@f」で表記している。
キャパシタ42は一端が伝送線路41の他端と接続され、他端が接地されており、入力端子1から入力された高周波RF及び整流部12(または22)で生じた高調波を短絡する。
図4はこの発明の実施の形態1による高周波整流器の電力分配器2を示す構成図である。
図4において、伝送線路2aは一端が入力端子1と接続され、他端がキャパシタ3と接続されている線路であり、伝送線路2aは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、√2×Zのインピーダンスを有している。図4では、基本波の周波数fで4分の1波長の長さを「λ/4@f」で表記している。
伝送線路2bは一端が入力端子1と接続され、他端がキャパシタ4と接続されている線路であり、伝送線路2bは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、√2×Zのインピーダンスを有している。
抵抗2cは一端が伝送線路2aの他端と接続され、他端が伝送線路2bの他端と接続されている。
次に動作について説明する。
電力分配器2は、入力端子1から入力された高周波RFの電力を2等分し、電力分配後の高周波RFとして、高周波RFと高周波RFを出力する。
電力分配器2から出力された高周波RFは、キャパシタ3を介して、第1の整流器10に入力され、電力分配器2から出力された高周波RFは、キャパシタ4を介して、第2の整流器20に入力される。
第1及び第2の整流器10,20に入力される高周波RF,高周波RFの電力は、電力分配器2によって、入力端子1から入力された高周波RFの電力が2等分された電力であるため、高周波RFの電力の2分の1に低減されている。このため、ダイオード12a,22aに印加される電圧は、入力端子1から入力された高周波RFが直接与えられる場合よりも、ブレークダウン電圧に到達し難くなっている。
第1の整流器10に入力された高周波RFは、入力フィルタ11を介して、整流部12まで伝搬される。
整流部12が有するダイオード12aは、入力された高周波RFによってアノード端子とカソード端子間の導通状態が切り替えられる。
即ち、ダイオード12aは、交流である高周波RFの極性が負の期間中、高周波RFの電圧がダイオード12aの閾値電圧を超えた場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオンの状態となり、高周波RFの電圧がダイオード12aの閾値電圧を超えない場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
また、ダイオード12aは、高周波RFの極性が正の期間中、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
ダイオード12aの導通状態がオンの状態である場合、即ち、アノード端子とカソード端子間が導通している状態の場合、ダイオード12aには順方向の電流が流れて、アノード端子とカソード端子間の電圧が小さくなる。
ダイオード12aの導通状態がオフの状態である場合、即ち、アノード端子とカソード端子間が導通していない状態の場合、ダイオード12aには逆方向の電流が流れず、アノード端子とカソード端子間の電圧が大きくなる。
したがって、ダイオード12aにおけるアノード端子とカソード端子間の電圧は、時間平均すると、逆方向の端子間電圧にオフセットされており、出力フィルタ13で平滑化されることで整流される。
これにより、出力フィルタ13から出力される直流電圧DCは、出力端子5を介して、負荷7の一端に出力される。
ダイオード12aは、アノード端子が接地されており、入力フィルタ11を通過してきた高周波RFがカソード端子に与えられるため、逆方向の端子間電圧は正電位となる。したがって、出力端子5から出力される直流電圧DCは、正電位+Voutである。
第2の整流器20に入力された高周波RFは、入力フィルタ21を介して、整流部22まで伝搬される。
整流部22が有するダイオード22aは、入力された高周波RFによってアノード端子とカソード端子間の導通状態が切り替えられる。
即ち、ダイオード22aは、高周波RFの極性が正の期間中、高周波RFの電圧がダイオード22aの閾値電圧を超えた場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオンの状態となり、高周波RFの電圧がダイオード22aの閾値電圧を超えない場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
また、ダイオード22aは、高周波RFの極性が負の期間中、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
ダイオード22aの導通状態がオンの状態である場合、即ち、アノード端子とカソード端子間が導通している状態の場合、ダイオード22aには順方向の電流が流れて、アノード端子とカソード端子間の電圧が小さくなる。
ダイオード22aの導通状態がオフの状態である場合、即ち、アノード端子とカソード端子間が導通していない状態の場合、ダイオード22aには逆方向の電流が流れず、アノード端子とカソード端子間の電圧が大きくなる。
したがって、ダイオード22aにおけるアノード端子とカソード端子間の電圧は、時間平均すると、逆方向の端子間電圧にオフセットされており、出力フィルタ23で平滑化されることで整流される。
これにより、出力フィルタ23から出力される直流電圧DCは、出力端子6を介して、負荷7の他端に出力される。
ダイオード22aは、カソード端子が接地され、入力フィルタ21を通過してきた高周波RFがアノード端子に与えられるため、逆方向の端子間電圧は負電位になる。したがって、出力端子6から出力される直流電圧DCは、負電位−Voutである。
このとき、第1の整流器10の入力側にはキャパシタ3が接続されているため、第1の整流器10によって生成された直流電圧DCは、キャパシタ3によって遮断されて、電力分配器2側には流れない。
また、第2の整流器20の入力側にはキャパシタ4が接続されているため、第2の整流器20によって生成された直流電圧DCは、キャパシタ4によって遮断されて、電力分配器2側には流れない。
したがって、互いに逆極性である直流電圧DCと直流電圧DCはショートされず、出力端子5から出力される正電位+Voutの直流電圧DCが負荷7の一端に出力され、出力端子6から出力される負電位−Voutの直流電圧DCが負荷7の他端に出力される。
電力分配器2により高周波RFの電力が等分配され、ダイオード12aとダイオード22aの極性を除いて、第1の整流器10と第2の整流器20が同じ構成であるとすれば、整流器の数が1つである場合と比べて、2倍の直流電圧が負荷7に供給される。
即ち、負荷7には、下記の式(1)に示すように、直流電圧DCと直流電圧DCの電位差ΔVである高い電圧が供給される。
ΔV=DC−DC
=+Vout−(−Vout)
=2×Vout (1)
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、被整流波である高周波RFの電力を分配し、電力分配後の高周波RFとして、高周波RFと高周波RFを出力する電力分配器2と、電力分配器2と第1の整流器10との間に流れる直流を遮断するキャパシタ3と、電力分配器2と第2の整流器20との間に流れる直流を遮断するキャパシタ4とを備え、第1の整流器10が、電力分配器2から出力された高周波RFを整流して直流電圧DCを生成し、その直流電圧DCを負荷7の一端に出力し、第2の整流器20が、電力分配器2から出力された高周波RFを整流して、直流電圧DCと極性が異なる直流電圧DCを生成し、その直流電圧DCを負荷7の他端に出力するように構成したので、被整流波である高周波RFの入力電力が高くても、高効率なRF−DC変換を実現することができる効果を奏する。また、負荷7に出力する直流電圧を高めることができる。
また、この実施の形態1によれば、ダイオード12aとダイオード22aの間に寄生のインダクタンス成分が生じていても、ダイオード12a,22aが独立に接地されているため、ダイオード12a,22aの電圧電流特性に異常が生じることがなく、ダイオード12a,22aに故障が生じることもない。
実施の形態2.
上記実施の形態1では、第1の整流器10の整流部12がダイオード12aを有し、第2の整流器20の整流部22がダイオード22aを有している例を示したが、この実施の形態2では、第1の整流器10の整流部14が2つのダイオード14a,14bを有し、第2の整流器20の整流部24が2つのダイオード24a,24bを有している例を説明する。
図5はこの発明の実施の形態2による高周波整流器を示す構成図であり、図5において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
整流部14はダイオード14a,14bを有しており、入力フィルタ11を通過してきた高周波RFを整流して直流電圧DCを生成し、その直流電圧DCを出力フィルタ13に出力する。
ダイオード14aはアノード端子(陽極)が接地され、カソード端子(陰極)が入力フィルタ11の出力側と接続されている第1の整流素子である。
ダイオード14bはアノード端子(陽極)が入力フィルタ11の出力側と接続され、カソード端子(陰極)が出力フィルタ13の入力側に接続されている第2の整流素子である。したがって、ダイオード14aのカソード端子及びダイオード14bのアノード端子は、入力フィルタ11を介してキャパシタ3と接続され、ダイオード14bのカソード端子は、出力フィルタ13を介して負荷7の一端と接続されている。
ここでは、整流部14がダイオード14a,14bを有している例を示しているが、高周波RFを整流して直流電圧DCを生成することができればよく、整流部14が、ダイオード14a,14bの代わりに、例えば、サイリスタ、トランジスタなどを有しているものであってもよい。
整流部24はダイオード24a,24bを有しており、入力フィルタ21を通過してきた高周波RFを整流して、直流電圧DCと極性が異なる直流電圧DCを生成し、その直流電圧DCを出力フィルタ23に出力する。
ダイオード24aはカソード端子(陰極)が接地され、アノード端子(陽極)が入力フィルタ21の出力側と接続されている第3の整流素子である。
ダイオード24bはカソード端子(陰極)が入力フィルタ21の出力側と接続され、アノード端子(陽極)が出力フィルタ23の入力側に接続されている第4の整流素子である。したがって、ダイオード24aのアノード端子及びダイオード24bのカソード端子は、入力フィルタ21を介してキャパシタ4と接続され、ダイオード24bのアノード端子は、出力フィルタ23を介して負荷7の他端と接続されている。
ここでは、整流部24がダイオード24a,24bを有している例を示しているが、高周波RFを整流して直流電圧DCを生成することができればよく、整流部24が、ダイオード24a,24bの代わりに、例えば、サイリスタ、トランジスタなどを有しているものであってもよい。
この実施の形態2では、出力フィルタ13,23における図3の伝送線路41が実装されない。
次に動作について説明する。
整流部14,24以外は、上記実施の形態1と同様であるため、ここでは、整流部14,24の動作だけを説明する。
整流部14,24は、倍電圧整流動作を行うことで、直流電圧2×DC,2×DCを出力端子5,6に出力する。
第1の整流器10に入力された高周波RFは、入力フィルタ11を介して、整流部14まで伝搬される。
整流部14が有するダイオード14a,14bは、導通状態が交互にオンの状態になる倍電圧整流動作を行う。
即ち、ダイオード14aは、交流である高周波RFの極性が負の期間中、高周波RFの電圧がダイオード14aの閾値電圧を超えた場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオンの状態となり、高周波RFの電圧がダイオード14aの閾値電圧を超えない場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
また、ダイオード14aは、高周波RFの極性が正の期間中、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
一方、ダイオード14bは、交流である高周波RFの極性が正の期間中、高周波RFの電圧がダイオード14bの閾値電圧を超えた場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオンの状態となり、高周波RFの電圧がダイオード14bの閾値電圧を超えない場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
また、ダイオード14bは、高周波RFの極性が負の期間中、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
ダイオード14a,14bの導通状態がオンの状態である場合、即ち、アノード端子とカソード端子間が導通している状態の場合、ダイオード14a,14bには順方向の電流が流れて、アノード端子とカソード端子間の電圧が小さくなる。
ダイオード14a,14bの導通状態がオフの状態である場合、即ち、アノード端子とカソード端子間が導通していない状態の場合、ダイオード14a,14bには逆方向の電流が流れず、アノード端子とカソード端子間の電圧が大きくなる。
したがって、ダイオード14a,14bにおけるアノード端子とカソード端子間の電圧は、時間平均すると、逆方向の端子間電圧にオフセットされるが、どの時間においても、ダイオード14a,14bのうち、いずれかの一方のダイオードにおけるアノード端子とカソード端子間の電圧が大きくなるため、オフセットされる電圧が、上記実施の形態1における整流部12の2倍になる。
整流部14の出力電圧は、出力フィルタ13で平滑化されることで整流され、出力フィルタ13から出力される直流電圧2×DCは、出力端子5を介して、負荷7の一端に出力される。
ダイオード14aのアノード端子が接地されており、入力フィルタ11を通過してきた高周波RFがダイオード14aのカソード端子及びダイオード14bのアノード端子に与えられるため、逆方向の端子間電圧は正電位となる。したがって、出力端子5から出力される直流電圧2×DCは、正電位+Voutになる。
第2の整流器20に入力された高周波RFは、入力フィルタ21を介して、整流部24まで伝搬される。
整流部24が有するダイオード24a,24bは、導通状態が交互にオンの状態になる倍電圧整流動作を行う。
即ち、ダイオード24aは、交流である高周波RFの極性が正の期間中、高周波RFの電圧がダイオード24aの閾値電圧を超えた場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオンの状態となり、高周波RFの電圧がダイオード24aの閾値電圧を超えない場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
また、ダイオード24aは、高周波RFの極性が負の期間中、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
一方、ダイオード24bは、交流である高周波RFの極性が負の期間中、高周波RFの電圧がダイオード24bの閾値電圧を超えた場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオンの状態となり、高周波RFの電圧がダイオード24bの閾値電圧を超えない場合、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
また、ダイオード24bは、高周波RFの極性が正の期間中、アノード端子とカソード端子間の導通状態がオフの状態となる。
ダイオード24a,24bの導通状態がオンの状態である場合、即ち、アノード端子とカソード端子間が導通している状態の場合、ダイオード24a,24bには順方向の電流が流れて、アノード端子とカソード端子間の電圧が小さくなる。
ダイオード24a,24bの導通状態がオフの状態である場合、即ち、アノード端子とカソード端子間が導通していない状態の場合、ダイオード24a,24bには逆方向の電流が流れず、アノード端子とカソード端子間の電圧が大きくなる。
したがって、ダイオード24a,24bにおけるアノード端子とカソード端子間の電圧は、時間平均すると、逆方向の端子間電圧にオフセットされるが、どの時間においても、ダイオード24a,24bのうち、いずれかの一方のダイオードにおけるアノード端子とカソード端子間の電圧が大きくなるため、オフセットされる電圧が、上記実施の形態1における整流部22の2倍になる。
整流部24の出力電圧は、出力フィルタ23で平滑化されることで整流され、出力フィルタ23から出力される直流電圧2×DCは、出力端子6を介して、負荷7の他端に出力される。
ダイオード24aのカソード端子が接地されており、入力フィルタ21を通過してきた高周波RFがダイオード24aのアノード端子及びダイオード24bのカソード端子に与えられるため、逆方向の端子間電圧は負電位となる。したがって、出力端子6から出力される直流電圧2×DCは、負電位−Voutになる。
以上で明らかなように、この実施の形態2によれば、整流部14が、アノード端子が接地され、カソード端子が入力フィルタ11の出力側と接続されているダイオード14aと、アノード端子が入力フィルタ11の出力側と接続され、カソード端子が出力フィルタ13の入力側に接続されているダイオード14bとを有し、整流部24が、カソード端子が接地され、アノード端子が入力フィルタ21の出力側と接続されているダイオード24aと、カソード端子が入力フィルタ21の出力側と接続され、アノード端子が出力フィルタ23の入力側に接続されているダイオード24bとを有するように構成したので、上記実施の形態1と同様に、被整流波である高周波RFの入力電力が高くても、高効率なRF−DC変換を実現することができるほか、上記実施の形態1よりも更に、負荷7に出力する直流電圧を高めることができる効果を奏する。
実施の形態3.
上記実施の形態1,2では、電力分配器2として、同相分配器が用いられている例を示したが、電力分配器として、90度分配器が用いられているものであってもよい。
図6はこの発明の実施の形態3による高周波整流器を示す構成図であり、図6において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
電力分配器8は入力端子1から入力された高周波RFの電力を分配し、電力分配後の高周波RFとして、高周波RF(第1の被整流波)と高周波RF(第2の被整流波)を出力する。
この実施の形態3では、電力分配器8が、入力端子1から入力された高周波RFの電力を2等分することを想定しているが、電力分配器8における電力の分配比は任意である。
また、この実施の形態3では、電力分配器8として、90度分配器が用いられており、電力分配器8から出力される高周波RFと高周波RFの位相差が90度であるものを想定している。
図6の高周波整流器は、図1の高周波整流器における電力分配器2の代わりに、電力分配器8が設けられている例を示しているが、図5の高周波整流器における電力分配器2の代わりに、電力分配器8が設けられているものであってもよい。
図7はこの発明の実施の形態3による高周波整流器の電力分配器8を示す構成図である。
図7において、伝送線路8aは一端が入力端子1と接続され、他端がキャパシタ3と接続されている線路であり、伝送線路8aは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、√2×Zのインピーダンスを有している。図7では、基本波の周波数fで4分の1波長の長さを「λ/4@f」で表記している。
伝送線路8bは一端が入力端子1と接続されている線路であり、伝送線路8bは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、√2×Zのインピーダンスを有している。
抵抗8cは一端が伝送線路8aの他端と接続され、他端が伝送線路8bの他端と接続されている。
伝送線路8dは一端が伝送線路8bの他端と接続され、他端がキャパシタ4と接続されている線路であり、伝送線路8dは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有している。
この実施の形態3では、電力分配器8として、90度分配器が用いられているため、電力分配器8から出力される高周波RFと高周波RFの位相差が90度であり、電力分配器8の出力が直交出力となっている。
このように、電力分配器8として、90度分配器を用いることで、入力端子1から電力分配器8に入力される高周波RFの反射が抑圧され、図示せぬ他のデバイスへの影響を低減することができる。
この実施の形態3では、電力分配器8として、図7に示す90度分配器が用いられている例を示しているが、90度分配器は図7の構成に限るものではなく、図8に示すような90°ハイブリッドであってもよい。
図8はこの発明の実施の形態3による高周波整流器の他の電力分配器8を示す構成図である。
図8において、伝送線路8eは一端が入力端子1と接続され、他端がキャパシタ3と接続されている線路であり、伝送線路8eは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、Z/√2のインピーダンスを有している。図8では、基本波の周波数fで4分の1波長の長さを「λ/4@f」で表記している。
伝送線路8fは一端が抵抗8hを介して接地され、他端がキャパシタ4と接続されている線路であり、伝送線路8fは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、Z/√2のインピーダンスを有している。
伝送線路8gは一端が入力端子1と接続され、他端が抵抗8hを介して接地されている線路であり、伝送線路8gは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、Zのインピーダンスを有している。
抵抗8hは一端が伝送線路8fの一端及び伝送線路8gの他端と接続され、他端が接地されている。
伝送線路8iは一端が伝送線路8eの他端と接続され、他端が伝送線路8fの他端と接続されている線路であり、伝送線路8gは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、Zのインピーダンスを有している。
実施の形態4.
上記実施の形態1,2では、電力分配器2として、同相分配器が用いられている例を示したが、電力分配器として、180度分配器が用いられているものであってもよい。
図9はこの発明の実施の形態4による高周波整流器を示す構成図であり、図9において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
電力分配器9は入力端子1から入力された高周波RFの電力を分配し、電力分配後の高周波RFとして、高周波RF(第1の被整流波)と高周波RF(第2の被整流波)を出力する。
この実施の形態4では、電力分配器9が、入力端子1から入力された高周波RFの電力を2等分することを想定しているが、電力分配器9における電力の分配比は任意である。
また、この実施の形態4では、電力分配器9として、180度分配器が用いられており、電力分配器9から出力される高周波RFと高周波RFの位相差が180度であるものを想定している。
図9の高周波整流器は、図1の高周波整流器における電力分配器2の代わりに、電力分配器9が設けられている例を示しているが、図5の高周波整流器における電力分配器2の代わりに、電力分配器9が設けられているものであってもよい。
図10はこの発明の実施の形態4による高周波整流器の電力分配器9を示す構成図である。
図10において、伝送線路9aは一端が入力端子1と接続され、他端がキャパシタ3と接続されている線路であり、伝送線路9aは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、√2×Zのインピーダンスを有している。図10では、基本波の周波数fで4分の1波長の長さを「λ/4@f」で表記している。
伝送線路9bは一端が入力端子1と接続されている線路であり、伝送線路9bは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで4分の1波長の長さを有し、√2×Zのインピーダンスを有している。
抵抗9cは一端が伝送線路9aの他端と接続され、他端が伝送線路9bの他端と接続されている。
伝送線路9dは一端が伝送線路9bの他端と接続され、他端がキャパシタ4と接続されている線路であり、伝送線路9dは入力端子1から入力された高周波RFに含まれている基本波の周波数fで2分の1波長の長さを有している。図10では、基本波の周波数fで2分の1波長の長さを「λ/2@f」で表記している。
この実施の形態4では、電力分配器9として、180度分配器が用いられているため、電力分配器9から出力される高周波RFと高周波RFの位相差が180度であり、電力分配器9の出力が差動出力となっている。
このように、電力分配器9として、180度分配器を用いることで、負荷7に出力する直流電圧DC,DCのリップルが、出力端子5と出力端子6で逆相になって、直流電圧DC,DCのリップルが相殺されるため、安定した直流電圧DC,DCを負荷7に供給することができる。
この実施の形態4では、電力分配器9として、図10に示す180度分配器が用いられている例を示しているが、180度分配器は図10の構成に限るものではなく、図11や図12に示すような構成であってもよい。
図11はこの発明の実施の形態4による高周波整流器の他の電力分配器9を示す構成図である。図11において、図10と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
ハイパスフィルタ9eは例えばキャパシタ及びインダクタから構成されているT型フィルタであり、一端が伝送線路9aの他端と接続され、他端がキャパシタ3と接続されている。
ローパスフィルタ9fは例えばインダクタ及びキャパシタから構成されているT型フィルタであり、一端が伝送線路9bの他端と接続され、他端がキャパシタ4と接続されている。
図12はこの発明の実施の形態4による高周波整流器の他の電力分配器9を示す構成図である。
図12の例では、電力分配器9として、180°ハイブリッドが用いられており、1周が基本波の周波数fで4分の6波長の長さであるリング状線路9gを有している。
リング状線路9gにおいて、入力端子1との接続点9gから、基本波の周波数fで4分の1波長の位置にキャパシタ3との接続点9gが設けられ、キャパシタ3との接続点9gから、基本波の周波数fで4分の1波長の位置に抵抗9hとの接続点9gが設けられている。
また、抵抗9hとの接続点9gから、基本波の周波数fで4分の1波長の位置にキャパシタ4との接続点9gが設けられている。
図12では、基本波の周波数fで4分の1波長の長さを「λ/4@f」で表記し、基本波の周波数fで4分の3波長の長さを「3λ/4@f」で表記している。
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
この発明は、被整流波を直流に変換する高周波整流器に適している。
1 入力端子、2 電力分配器、2a,2b 伝送線路、2c 抵抗、3 キャパシタ(第1の直流遮断器)、4 キャパシタ(第2の直流遮断器)、5,6 出力端子、7 負荷、8 電力分配器、8a,8b,8d,8e,8f,8g,8i 伝送線路、8c,8h 抵抗、9 電力分配器、9a,9b,9d 伝送線路、9c 抵抗、9e ハイパスフィルタ、9f ローパスフィルタ、9g リング状線路、9g〜9g 接続点、9h 抵抗、10 第1の整流器、11 入力フィルタ、12 整流部、12a ダイオード(第1の整流素子)、13 出力フィルタ、14a ダイオード(第1の整流素子)、14b ダイオード(第2の整流素子)、20 第2の整流器、21 入力フィルタ、22 整流部、22a ダイオード(第2の整流素子)、23 出力フィルタ、24a ダイオード(第3の整流素子)、24b ダイオード(第4の整流素子)、31 整合回路、32 伝送線路、33 開放スタブ、34 高調波処理回路、35 伝送線路、36 開放スタブ、41 伝送線路、42 キャパシタ。
この発明に係る高周波整流器は、被整流波の電力を分配し、電力分配後の被整流波として第1の被整流波と第2の被整流波を出力する電力分配器と、電力分配器から出力された第1の被整流波を整流して第1の直流電圧を生成し、第1の直流電圧を負荷の一端に出力する第1の整流器と、電力分配器から出力された第2の被整流波を整流して、第1の直流電圧と極性が異なる第2の直流電圧を生成し、第2の直流電圧を負荷の他端に出力する第2の整流器と、電力分配器と第1の整流器との間に流れる直流を遮断する第1の直流遮断器と、電力分配器と第2の整流器との間に流れる直流を遮断する第2の直流遮断器とを備えるようにしたものである。
また、第1の整流器が、陽極が接地され、陰極が第1の直流遮断器及び負荷の一端と接続されている第1の整流素子を有し、第2の整流器が、陰極が接地され、陽極が第2の直流遮断器及び負荷の他端と接続されている第2の整流素子を有しているようにしたものである。

Claims (6)

  1. 被整流波の電力を分配し、電力分配後の被整流波として第1の被整流波と第2の被整流波を出力する電力分配器と、
    前記電力分配器から出力された第1の被整流波を整流して第1の直流電圧を生成し、前記第1の直流電圧を負荷の一端に出力する第1の整流器と、
    前記電力分配器から出力された第2の被整流波を整流して、前記第1の直流電圧と極性が異なる第2の直流電圧を生成し、前記第2の直流電圧を前記負荷の他端に出力する第2の整流器と、
    前記電力分配器と前記第1の整流器との間に流れる直流を遮断する第1の直流遮断器と、
    前記電力分配器と前記第2の整流器との間に流れる直流を遮断する第2の直流遮断器と
    を備えた高周波整流器。
  2. 前記第1の整流器は、陽極が接地され、陰極が前記第1の直流遮断器及び前記負荷の一端と接続されている第1の整流素子を有し、
    前記第2の整流器は、陰極が接地され、陽極が前記第2の直流遮断器及び前記負荷の他端と接続されている第2の整流素子を有していることを特徴とする請求項1記載の高周波整流器。
  3. 前記第1の整流器は、陽極が接地され、陰極が前記第1の直流遮断器と接続されている第1の整流素子と、陽極が前記第1の直流遮断器と接続され、陰極が前記負荷の一端と接続されている第2の整流素子とを有し、
    前記第2の整流器は、陰極が接地され、陽極が前記第2の直流遮断器と接続されている第3の整流素子と、陰極が前記第2の直流遮断器と接続され、陽極が前記負荷の他端と接続されている第4の整流素子とを有していることを特徴とする請求項1記載の高周波整流器。
  4. 前記電力分配器として、同相分配器が用いられ、前記電力分配器から出力される前記第1の被整流波と前記第2の被整流波の位相が同相であることを特徴とする請求項1記載の高周波整流器。
  5. 前記電力分配器として、90度分配器が用いられ、前記電力分配器から出力される前記第1の被整流波と前記第2の被整流波の位相差が90度であることを特徴とする請求項1記載の高周波整流器。
  6. 前記電力分配器として、180度分配器が用いられ、前記電力分配器から出力される前記第1の被整流波と前記第2の被整流波の位相差が180度であることを特徴とする請求項1記載の高周波整流器。
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