JPWO2017209043A1 - 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
マレイミド化合物(A)及び第2級モノアミノ化合物(B)を含有し、該第2級モノアミノ化合物(B)の沸点が120℃以上である、アンダーフィル材用の樹脂組成物。
前記マレイミド化合物(A)が、2,2−ビス{4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル}プロパン、1,2−ビス(マレイミド)エタン、1,4−ビス(マレイミド)ブタン、1,6−ビス(マレイミド)ヘキサン、N,N'−1,3−フェニレンジマレイミド、N,N'−1,4−フェニレンジマレイミド、N−フェニルマレイミド、下記式(1)で表されるマレイミド化合物、下記式(2)で表されるマレイミド化合物及び下記式(3)で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有する、[1]に記載の樹脂組成物。
前記マレイミド化合物(A)が、2,2−ビス{4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル}プロパン、前記式(1)で表されるマレイミド化合物、前記式(2)で表されるマレイミド化合物及び前記式(3)で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有する、[1]又は[2]に記載の樹脂組成物。
前記第2級モノアミノ化合物(B)が、ビス(2−メトキシエチル)アミン、ビス(2−エトキシエチル)アミン、ビス(4−ビフェニリル)アミン、ビス(3−ビフェニリル)アミン、ビンドシェドラーズグリーンロイコ塩基、2−アセトアミドエタノール、アセトアミドメタノール、1−アセトアミドナフタレン、ビス(4−tert−ブチルフェニル)アミン及び下記式(4)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有する、[1]〜[3]のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
前記化合物(B)が、前記式(4)で表される化合物を含有する、[4]に記載の樹脂組成物。
前記化合物(B)が、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シラン及び/又は[3−(シクロヘキシルアミノ)プロピル]トリメトキシシランである、[5]に記載の樹脂組成物。
前記樹脂組成物において、前記化合物(B)の含有量が、前記マレイミド化合物(A)の合計配合量に対し、0.5〜30質量%である、[1]〜[6]のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
さらに、酸性部位を有する有機化合物(C)を含有する、[1]〜[7]のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
前記化合物(C)が、アビエチン酸、ネオアビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、ピマール酸、イソピマール酸、パラストリン酸、ジフェノール酸、ジヒドロアビエチン酸、テトラヒドロアビエチン酸及びロジン酸変性樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含有する、[8]に記載の樹脂組成物。
さらに、無機充填材(D)を含有する、[1]〜[9]のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
前記無機充填材(D)が、シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、ベーマイト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム及び水酸化マグネシウムからなる群より選択される少なくとも一種を含有する、[10]に記載の樹脂組成物。
前記無機充填材(D)が、シリカを含有する、[11]に記載の樹脂組成物。
さらに、可撓性付与成分(E)を含有する、[1]〜[12]のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
前記可撓性付与成分(E)が、アクリルオリゴマー及び/又はアクリルポリマーを含有する、[13]に記載の樹脂組成物。
プリアプライドアンダーフィル材用である、[1]〜[14]のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
支持基材と、該支持基材上に積層された[1]〜[15]のいずれか一項に記載の樹脂組成物からなる層と、を備える積層体。
半導体ウェハと、該半導体ウェハに積層された[16]に記載の積層体における樹脂組成物からなる層と、を備える樹脂組成物層付き半導体ウェハ。
半導体搭載用基板と、該半導体搭載用基板に積層された[16]に記載の積層体における樹脂組成物からなる層と、を備える樹脂組成物層付き半導体搭載用基板。
[17]に記載の樹脂組成物層付き半導体ウェハ、及び/又は[18]に記載の樹脂組成物層付き半導体搭載用基板を備える、半導体装置。
本実施形態の樹脂組成物は、好適にはチップのフリップチップ実装に使用されるアンダーフィル材として用いられる樹脂組成物であって、マレイミド化合物(A)及び第2級モノアミノ化合物(B)を含有し、該第2級モノアミノ化合物(B)の沸点が120℃以上である。さらに、本実施形態の樹脂組成物は、酸性部位を有する有機化合物(C)、無機充填材(D)及び可撓性付与成分(E)の少なくともいずれか一つを含んでいてもよい。
本実施形態の樹脂組成物におけるマレイミド化合物(A)は、分子中に1個以上のマレイミド基を有する化合物であれば、特に限定されるものではない。その具体例としては、N−フェニルマレイミド、N−ヒドロキシフェニルマレイミド、ビス(4−マレイミドフェニル)メタン、4,4−ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス(3,5−ジメチル−4−マレイミドフェニル)メタン、ビス(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、ビス(3,5−ジエチル−4−マレイミドフェニル)メタン、フェニルメタンマレイミド、o−フェニレンビスマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、p−フェニレンビスマレイミド、o−フェニレンビスシトラコンイミド、m−フェニレンビスシトラコンイミド、p−フェニレンビスシトラコンイミド、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)−フェニル)プロパン、3,3−ジメチル−5,5−ジエチル−4,4−ジフェニルメタンビスマレイミド、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、1,6−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサン、4,4−ジフェニルエーテルビスマレイミド、4,4−ジフェニルスルフォンビスマレイミド、1,3−ビス(3−マレイミドフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−マレイミドフェノキシ)ベンゼン、4,4−ジフェニルメタンビスシトラコンイミド、2,2−ビス[4−(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス(3,5−ジメチル−4−シトラコンイミドフェニル)メタン、ビス(3−エチル−5−メチル−4−シトラコンイミドフェニル)メタン、ビス(3,5−ジエチル−4−シトラコンイミドフェニル)メタン、ポリフェニルメタンマレイミド、ノボラック型マレイミド化合物、ビフェニルアラルキル型マレイミド化合物、2,2−ビス{4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル}プロパン、1,2−ビス(マレイミド)エタン、1,4−ビス(マレイミド)ブタン、1,6−ビス(マレイミド)ヘキサン、N,N'−1,3−フェニレンジマレイミド、N,N'−1,4−フェニレンジマレイミド、N−フェニルマレイミド、下記式(1)で表されるマレイミド化合物、下記式(2)で表されるマレイミド化合物及び下記式(3)で表されるマレイミド化合物が挙げられる。
前記式(1)中、n1は1以上の整数を示し、n1の上限値は、通常は10であり、有機溶剤への溶解性の観点から、好ましくは7である。
前記式(3)中、R3は各々独立に、水素原子又はメチル基を示す。
マレイミド化合物(A)は、1種を単独で又は2種以上を適宜混合して使用することも可能である。
本実施形態の樹脂組成物における化合物(B)は、分子中にマレイミド化合物(A)と反応する官能基として第2級アミノ基を一つのみ有し、沸点が120℃以上である化合物であれば、特に限定されるものではない。
これらの化合物(B)は、1種もしくは2種以上を適宜混合して使用することが可能である。
シキロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。好ましくは、シクロヘキシル基である。
式(4)中、R6は、各々独立に、アルキル基を示し、炭素原子数1〜10のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素原子数1〜5のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基、エチル基である。
式(4)中、n3は1〜3の整数を示す。
本実施形態の樹脂組成物は、フリップチップ実装中においてフラックス活性を発現させるため、化合物(C)を含有することが好ましい。化合物(C)は、分子中に1個以上の酸性部位を有する有機化合物であれば、特に限定されるものではない。酸性部位としては、リン酸基、カルボキシル基及びスルホン酸基等が好ましく、本実施形態の樹脂組成物をアンダーフィル材、好ましくはプリアプライドアンダーフィル材として用いた半導体装置において、接合部を構成するはんだや銅等の金属のマイグレーション及び腐食をより有効に防止する観点から、カルボキシル基がより好ましい。
本実施形態の樹脂組成物は、耐燃性の向上、熱伝導率の向上及び熱膨張率の低減のため、無機充填材(D)を含有することができる。無機充填材を使用することにより、樹脂組成物等の耐燃性及び熱伝導率を向上させ、熱膨張率を低減することができる。
無機充填材(D)は、シランカップリング剤で表面処理されたものを用いても良い。
本実施形態の樹脂組成物における可撓性付与成分(E)は、樹脂組成物からなる層に対して可撓性を付与できるような成分であれば、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスチレン、ポリオレフィン、スチレン−ブタジエンゴム(SBR)、イソプレンゴム(IR)、ブタジエンゴム(BR)、アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)、ポリウレタン、ポリプロピレン、アクリルオリゴマー、アクリルポリマー及びシリコーン樹脂等の熱可塑性の高分子化合物が挙げられる。
これらの可撓性付与成分(E)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても良い。
本実施形態の樹脂組成物は、マレイミド化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)、無機充填材(D)及び可撓性付与成分(E)の他に、その他の成分を一種又は2種以上含んでいてもよい。
なお、2種以上の湿潤分散剤を併用する場合には、これらの合計量が上記比率を満たすことが好ましい。
本実施形態の樹脂組成物において、その他の添加剤の含有量は、特に限定されないが、通常、マレイミド化合物(A)の合計配合量に対し、それぞれ0.1〜10質量%である。
本実施形態の積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板などの樹脂組成物層付き基板及び半導体装置は、いずれも上述した本発明の樹脂組成物を用いて形成される。
本実施形態の積層体は、支持基材と、該支持基材上に積層された本実施形態の樹脂組成物からなる層とを備えるものである。このような積層体は、上述した本実施形態の樹脂組成物が、支持基材に添着されたものである。支持基材としては、特に限定されないが、高分子フィルムを使用することができる。高分子フィルムの材質の具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリウレタン、エチレン‐酸化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート及びポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン‐プロピレン共重合体、ポリメチルペンテン、ポリイミド及びポリアミドからなる群より選ばれる少なくとも1種以上の樹脂を含有するフィルム、並びにこれらのフィルムの表面に離型剤を塗布した離型フィルムが挙げられる。これらの中でも、特にポリエステル、ポリイミド、及びポリアミドが好ましく、その中でもポリエステルの一種である、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
本実施形態の樹脂組成物層付き半導体ウェハは、半導体ウェハと、その半導体ウェハに積層された上述の積層体における樹脂組成物層とを備え、上述した本実施形態の積層体と半導体ウェハから形成されたものである。また、本実施形態の樹脂組成物層付き基板は、基板と、その基板に積層された上述の積層体における樹脂組成物層とを備え、上述した本実施形態の積層体と基板から形成されたものである。
本実施形態の半導体装置は、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体ウェハ、及び/又は本実施形態の樹脂組成物層付き基板を備えるものであり、本実施形態の樹脂組成物層、チップ及び基板等から構成される。本実施形態の半導体装置を製造する方法は、限定されるものではないが、例えば、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体ウェハを研削等の手段で薄化及びダイシングソー等による個片化を行い、樹脂組成物層付きチップとし、これを基板に搭載する手法等が挙げられる。また、本実施形態の樹脂組成物層付き基板に、チップを搭載してもよい。樹脂組成物層付きチップを基板に搭載する方法及び半導体チップを樹脂組成物層付き基板に搭載する方法では、熱圧着工法に対応したフリップチップボンダを好適に使用することができる。また、本実施形態ではチップを基板にフリップチップ実装する場合を便宜的に説明しているが、チップをフリップチップ実装しつつ、本実施形態の樹脂組成物を適用する対象は基板以外とすることも可能である。例えば、本実施形態の樹脂組成物は、半導体ウェハ上へチップを搭載する際の半導体ウェハとチップとの接合部や、TSV(Through Silicon Via)等を経由してチップ間接続を行うチップ積層体の、各チップ間の接合部に使用することも可能であり、いずれの場合も本発明による優位性を得ることができる。
第1のマレイミド化合物(A)として、式(1)におけるR1がすべて水素原子であり、n1が1〜3であるマレイミド化合物(BMI−2300、大和化成工業(株)製)のメチルエチルケトン(以下、「MEK」と略す場合がある。)溶液(不揮発分50質量%)26質量部(不揮発分換算で13質量部)、第2のマレイミド化合物(A)として、式(2)で表されるマレイミド化合物(式(2)中のn2は、14(平均値)である、BMI−1000P、ケイ・アイ化成(株)製)のMEK溶液(不揮発分50質量%)50質量部(不揮発分換算で25質量部)、第3のマレイミド化合物(A)として、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン(BMI−70、ケイ・アイ化成(株)製)のMEK溶液(不揮発分50質量%)52質量部(不揮発分換算で26質量部)、更に第4のマレイミド化合物(A)として、2,2−ビス{4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル}プロパン(BMI−80、ケイ・アイ化成(株)製)のMEK溶液(不揮発分50質量%)52質量部(不揮発分換算で26質量部)、化合物(B)として、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シラン(KBM−573、信越化学工業(株)製)1質量部、化合物(C)として、デヒドロアビエチン酸(分子量:300.44、酸性部位の官能基当量:300g/eq.、和光純薬工業(株)製)のMEK溶液(不揮発分50質量%)40質量部(不揮発分換算で20質量部)、無機充填材(D)として、スラリーシリカ(SC−1050MLQ((株)アドマテックス製)、平均粒径:0.3μm、不揮発分60質量%、(株)アドマテックス製)166.7質量部(不揮発分換算で100質量部)、可撓性付与成分(E)として、アクリルポリマー(ARUFON US−6170、東亞合成(株)製、Mw:3000)10質量部、硬化促進剤として、2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業(株)製)のMEK溶液(不揮発分10質量%)1質量部(不揮発分換算で0.1質量部)を混合し、高速攪拌装置を用いて30分間撹拌して、ワニスを得た。このワニスを、表面に離型剤をコートした厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(TR1−38、ユニチカ(株)製)に塗布し、100℃で5分間加熱乾燥して、本発明の樹脂組成物層の厚さが30μmである樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)合計配合量に対し、1.1質量%となった。
化合物(B)である、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シラン(KBM−573)の使用量を1質量部から3質量部に変更した以外は、実施例1と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)に対し3.3質量%となった。
化合物(B)である、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シラン(KBM−573)の使用量を1質量部から5質量部に変更した以外は、実施例1と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)に対し5.6質量%となった。
第1のマレイミド化合物(A)である、式(1)におけるR1がすべて水素原子であり、n1が1〜3であるマレイミド化合物(BMI−2300)のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を26質量部(不揮発分換算で13質量部)から39質量部(不揮発分換算で19.5質量部)に変更し、第3のマレイミド化合物(A)を、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン(BMI−70、ケイ・アイ化成(株)製)のMEK溶液(不揮発分50質量%)52質量部(不揮発分換算で26質量部)から、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン(BMI−70)のMEK溶液(不揮発分50質量%)39質量部(不揮発分換算で19.5質量部)に変更した以外は、実施例3と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)合計配合量に対し、5.6質量%となった。
第一のマレイミド化合物(A)である、式(1)におけるR1がすべて水素原子であり、n1が1〜3であるマレイミド化合物(BMI−2300)のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を26質量部(不揮発分換算で13質量部)から52質量部(不揮発分換算で26質量部)に変更し、第3のマレイミド化合物(A)を、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン(BMI−70、ケイ・アイ化成(株)製)のMEK溶液(不揮発分50質量%)52質量部(不揮発分換算で26質量部)から、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン(BMI−70)のMEK溶液(不揮発分50質量%)26質量部(不揮発分換算で13質量部)に変更した以外は、実施例3と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)合計配合量に対し、5.6質量%となった。
化合物(C)である、デヒドロアビエチン酸のMEK溶液を使用しなかった以外は、実施例3と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)に対し5.6質量%となった。
可撓性付与成分(E)である、アクリルポリマー(US−6170)を使用せず、マレイミド化合物(A)として、式(1)におけるR1がすべて水素原子であり、n1が1〜3であるマレイミド化合物(BMI−2300)のMEK溶液(不揮発分50質量%)の使用量を28.8質量部(不揮発分換算で14.4質量部)に変更し、第2のマレイミド化合物(A)として、式(2)で表されるマレイミド化合物(BMI−1000P)のMEK溶液(不揮発分50質量%)55.6質量部(不揮発分換算で27.8質量部)に変更し、第3のマレイミド化合物(A)として、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン(BMI−70)のMEK溶液(不揮発分50質量%)57.8質量部(不揮発分換算で28.9質量部)に変更し、更に第4のマレイミド化合物(A)として、2,2−ビス{4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル}プロパン(BMI−80)のMEK溶液(不揮発分50質量%)57.8質量部(不揮発分換算で28.9質量部)に変更した以外は、実施例3と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)に対し5.0質量%となった。
化合物(C)として、デヒドロアビエチン酸のMEK溶液の代わりに、ジヒドロアビエチン酸(分子量:300.47、酸性部位の官能基当量:300g/eq.、和光純薬工業(株)製)のMEK溶液(不揮発分50質量%)40質量部(不揮発分換算で20質量部)を使用した以外は実施例3と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)に対し5.6質量%となった。
化合物(C)として、デヒドロアビエチン酸のMEK溶液の代わりに、ロジン酸変性樹脂(マルキードNo.32、重量平均分子量:2000、酸性部位の官能基当量:414g/eq.、荒川化学工業(株)製)のMEK溶液(不揮発分50質量%)40質量部(不揮発分換算で20質量部)を使用した以外は実施例3と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。このとき、化合物(B)の含有量は、マレイミド化合物(A)に対し5.6質量%となった。
化合物(B)である、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シラン(KBM−573、信越化学工業(株)製)を使用せず、硬化促進剤として、2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業(株)製)のMEK溶液(不揮発分10質量%)1質量部(不揮発分換算で0.1質量部)を2−フェニル−4−メチルイミダゾール(2P4MZ、四国化成工業(株)製)のMEK溶液(不揮発分10質量%)0.1質量部(不揮発分換算で0.01質量部)に変更した以外は、実施例1と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
さらに、第1級アミノ基を有するモノアミノ化合物として、3―アミノプロピルトリメトキシシラン(KBM−903、信越化学工業(株)製)5質量部を添加した以外は、比較例1と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
さらに、ビニルトリメトキシシラン(KBM−1003、信越化学工業(株)製)5質量部を添加した以外は、比較例1と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
さらに、トリメトキシフェニルシラン(KBM−103、信越化学工業(株)製)5質量部を添加した以外は、比較例1と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
化合物(B)である、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シラン(KBM−573、信越化学工業(株)製)を使用しなかった以外は、実施例1と同様にしてワニスを調製し、樹脂積層体を得た。
(1)溶融粘度(Pa・s)
実施例1〜9及び比較例1〜5で得られた樹脂積層体から樹脂組成物層のみを剥離し、粉砕することで得られた樹脂粉を1g量り取り、錠剤成形器(ハンドプレスSSP−10A、(株)島津製作所製)にて直径25mmの錠剤を作製した。作製した錠剤について、レオメーター(ARES−G2、TAインスツルメンツ社製)を用いて、パラレルプレート法により溶融粘度を測定した。詳細には、角周波数:10rad/s、歪み:0.1%、昇温速度:10℃/分の条件にて、40℃から250℃の範囲で溶融粘度を測定し、その際に得られる80℃から100℃までの範囲での粘度の最低値を最低溶融粘度とした。
チップ接着性をJIS K5600−5−6に準じて評価を実施した。具体的には、実施例1〜9及び比較例1〜5で得られた樹脂積層体を4cm×4cmに個片化したチップに真空加圧式ラミネータにより貼り付けることで樹脂組成物層付きチップを得た。その樹脂組成物層付きチップを、オーブンを使用し、200℃で3時間加熱した。室温に戻した後、樹脂組成物層チップに縦、横それぞれに1mm間隔で各6本の切り込みを互いに直交するように入れ、25マスの直角格子パターンを作製した。切り込み入り樹脂組成物層付きチップに対して、プレッシャークッカー(温度:121℃、湿度:100%RH、圧力:2atm)により96時間まで加圧吸湿処理を施した後に、室温環境下にて透明付着テープによる剥離試験を行った。
剥離試験の結果、全く剥離が確認されなかったものをA、極一部のみに剥離が確認されたものをB、大きく剥離が確認されたものをCとして記載した。
実施例1〜9及び比較例1〜5で得られたワニスを、厚さ12μmの電解銅箔(3EC−III、三井金属鉱業(株)製)の光沢面に塗布し、100℃で5分間乾燥し、樹脂組成物層付き銅箔を得た。樹脂組成物層付き銅箔の上に、直径0.5mmのはんだボール(エコソルダー(登録商標)ボールM705、Sn−3.0Ag−0.5Cu合金、千住金属工業(株)製)を置き、更に厚さ12μmの電解銅箔(3EC−III)を光沢面が対向するように置いた。これを、235℃に加熱されたホットプレートの上に置き、銅箔上ではんだを溶融させ、はんだボールの銅箔への濡れ広がり率からフラックス活性を評価した。はんだボールの濡れ広がり率は、加熱前のはんだボールの高さ(a)および加熱後のはんだボールの高さ(b)から下記式によって算出した。
実施例1〜9及び比較例1〜5で得られた樹脂積層体を5cm×10cmの短冊状に断裁した後、オーブンを使用し、150℃で90分間加熱処理した。得られた熱処理済み樹脂積層体を室温に戻した後、支持基材のポリエチレンテレフタレートフィルムが内側になるように折り曲げ、裏面同士が接触するまで折り曲げた。この作業の後、本実施形態の樹脂組成物層のクラックの有無を確認し、可撓性の評価を行った。クラックの発生が全く認められないものをA、クラックの発生が認められたものをCとして記載した。
Claims (19)
- マレイミド化合物(A)及び第2級モノアミノ化合物(B)を含有し、該第2級モノアミノ化合物(B)の沸点が120℃以上である、アンダーフィル材用の樹脂組成物。
- 前記マレイミド化合物(A)が、2,2−ビス{4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル}プロパン、1,2−ビス(マレイミド)エタン、1,4−ビス(マレイミド)ブタン、1,6−ビス(マレイミド)ヘキサン、N,N'−1,3−フェニレンジマレイミド、N,N'−1,4−フェニレンジマレイミド、N−フェニルマレイミド、下記式(1)で表されるマレイミド化合物、下記式(2)で表されるマレイミド化合物及び下記式(3)で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有する、請求項1に記載の樹脂組成物。
- 前記マレイミド化合物(A)が、2,2−ビス{4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル}プロパン、前記式(1)で表されるマレイミド化合物、前記式(2)で表されるマレイミド化合物及び前記式(3)で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有する、請求項1又は2に記載の樹脂組成物。
- 前記第2級モノアミノ化合物(B)が、ビス(2−メトキシエチル)アミン、ビス(2−エトキシエチル)アミン、ビス(4−ビフェニリル)アミン、ビス(3−ビフェニリル)アミン、ビンドシェドラーズグリーンロイコ塩基、2−アセトアミドエタノール、アセトアミドメタノール、1−アセトアミドナフタレン、ビス(4−tert−ブチルフェニル)アミン及び下記式(4)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
- 前記化合物(B)が、前記式(4)で表される化合物を含有する、請求項4に記載の樹脂組成物。
- 前記化合物(B)が、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シラン及び/又は[3−(シクロヘキシルアミノ)プロピル]トリメトキシシランである、請求項5に記載の樹脂組成物。
- 前記樹脂組成物において、前記化合物(B)の含有量が、前記マレイミド化合物(A)の合計配合量に対し、0.5〜30質量%である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
- さらに、酸性部位を有する有機化合物(C)を含有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
- 前記化合物(C)が、アビエチン酸、ネオアビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、ピマール酸、イソピマール酸、パラストリン酸、ジフェノール酸、ジヒドロアビエチン酸、テトラヒドロアビエチン酸及びロジン酸変性樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含有する、請求項8に記載の樹脂組成物。
- さらに、無機充填材(D)を含有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
- 前記無機充填材(D)が、シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、ベーマイト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム及び水酸化マグネシウムからなる群より選択される少なくとも一種を含有する、請求項10に記載の樹脂組成物。
- 前記無機充填材(D)が、シリカを含有する、請求項11に記載の樹脂組成物。
- さらに、可撓性付与成分(E)を含有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
- 前記可撓性付与成分(E)が、アクリルオリゴマー及び/又はアクリルポリマーを含有する、請求項13に記載の樹脂組成物。
- プリアプライドアンダーフィル材用である、請求項1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
- 支持基材と、該支持基材上に積層された請求項1〜15のいずれか一項に記載の樹脂組成物からなる層と、を備える積層体。
- 半導体ウェハと、該半導体ウェハに積層された請求項16に記載の積層体における樹脂組成物からなる層と、を備える樹脂組成物層付き半導体ウェハ。
- 半導体搭載用基板と、該半導体搭載用基板に積層された請求項16に記載の積層体における樹脂組成物からなる層と、を備える樹脂組成物層付き半導体搭載用基板。
- 請求項17に記載の樹脂組成物層付き半導体ウェハ、及び/又は請求項18に記載の樹脂組成物層付き半導体搭載用基板を備える、半導体装置。
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