JPWO2017094086A1

JPWO2017094086A1 - Light emitting device

Info

Publication number: JPWO2017094086A1
Application number: JP2017553509A
Authority: JP
Inventors: 真滋中嶋
Original assignee: Pioneer Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2015-11-30
Filing date: 2015-11-30
Publication date: 2018-09-13
Also published as: WO2017094086A1

Abstract

発光部（１４０）は基板（１００）に形成されており、有機層を有している。被覆部材（２００）は発光部（１４０）を被覆している。被覆部材（２００）のうち基板（１００）とは逆側の面（２０２）は、少なくとも一つの辺（２０４）及び凹部（２２０）を有している。凹部（２２０）は、面（２０２）のうち縁以外の部分（２２２）から辺（２０４）の両端のそれぞれに向けて延在している。発光装置（１０）は、ボトムエミッション型の発光装置及びトップエミッション型の発光装置のいずれであってもよい。 The light emitting part (140) is formed on the substrate (100) and has an organic layer. The covering member (200) covers the light emitting part (140). The surface (202) of the covering member (200) opposite to the substrate (100) has at least one side (204) and a recess (220). The recess (220) extends from the portion (222) other than the edge of the surface (202) toward both ends of the side (204). The light emitting device (10) may be either a bottom emission type light emitting device or a top emission type light emitting device.

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、発光層として有機層を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、有機ＥＬ素子は封止される必要がある。 One of the light sources of a light emitting device is an organic EL element. The organic EL element has an organic layer as a light emitting layer. Since the organic layer is vulnerable to moisture and oxygen, the organic EL element needs to be sealed.

特許文献１には、有機ＥＬ素子を封止するために、真空プロセスを用いてバリア層を複数積層することが記載されている。バリア層には、金属を含む無機材料、もしくはｐ型半導体及び非金属を含む無機材料が用いられている。 Patent Document 1 describes that a plurality of barrier layers are stacked using a vacuum process in order to seal an organic EL element. For the barrier layer, an inorganic material containing a metal or an inorganic material containing a p-type semiconductor and a nonmetal is used.

特開２０１１−１３６５６０号公報JP 2011-136560 A

一般的に、有機ＥＬ素子を封止するための被覆部材は、基板と異なる材料が用いられることが多い。このような場合など、被覆部材を設けることにより、基板と被覆部材の間に熱応力が生じることがある。この熱応力が生じると、有機ＥＬ素子を含む発光装置が意図しない方向に曲がる可能性が出てくる。 Generally, a material different from that of the substrate is often used for the covering member for sealing the organic EL element. In such a case, by providing the covering member, thermal stress may be generated between the substrate and the covering member. When this thermal stress occurs, the light emitting device including the organic EL element may bend in an unintended direction.

本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子を封止するための被覆部材を基板に設けた場合において、有機ＥＬ素子を含む発光装置が意図しない方向に曲がらないようにすることが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent a light emitting device including an organic EL element from being bent in an unintended direction when a covering member for sealing the organic EL element is provided on a substrate. As mentioned.

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成され、有機層を有する発光部と、
前記発光部を被覆する被覆部材と、
を備え、
前記被覆部材のうち前記基板とは逆側の面は、少なくとも一つの辺及び凹部を有しており、
前記凹部は、前記面のうち縁以外の部分から、前記辺の両端部のそれぞれに向けて延在している発光装置である。The invention according to claim 1 is a substrate;
A light emitting part formed on the substrate and having an organic layer;
A covering member for covering the light emitting part;
With
The surface of the covering member opposite to the substrate has at least one side and a recess,
The said recessed part is a light-emitting device extended toward each of the both ends of the said edge | side from parts other than an edge among the said surfaces.

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。 The above-described object and other objects, features, and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings.

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 発光装置の製造方法について説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. 図１の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of FIG. 変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on a modification. 実施例１に係る発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 図６から被覆部材、封止膜、及び第２電極を取り除いた図である。It is the figure which removed the covering member, the sealing film, and the 2nd electrode from FIG. 図７から絶縁層及び有機層を取り除いた図である。It is the figure which removed the insulating layer and the organic layer from FIG. 図６のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 実施例２に係る発光装置の平面図である。6 is a plan view of a light emitting device according to Example 2. FIG. 図１０から被覆部材及び封止膜を取り除いた図である。It is the figure which removed the covering member and the sealing film from FIG. 図１１から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. 図１０のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 図１０のＤ−Ｄ断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. 図１０のＥ−Ｅ断面図である。It is EE sectional drawing of FIG. 図１の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、及び被覆部材２００を備えている。発光部１４０は基板１００に形成されており、有機層を有している。被覆部材２００は発光部１４０を被覆している。被覆部材２００のうち基板１００とは逆側の面２０２は、少なくとも一つの辺（図１に示す例では短辺２０４）及び凹部２２０を有している。又、面２０２は、逆側の面２０２の輪郭を形成する縁を有している。凹部２２０は、面２０２のうち縁以外の部分から上記した一つの辺（図１では短辺２０４）の両端のそれぞれに向けて延在している。以下、詳細に説明する。 FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. The light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a light emitting unit 140, and a covering member 200. The light emitting unit 140 is formed on the substrate 100 and has an organic layer. The covering member 200 covers the light emitting unit 140. The surface 202 of the covering member 200 opposite to the substrate 100 has at least one side (short side 204 in the example shown in FIG. 1) and a recess 220. The surface 202 has an edge that forms the contour of the opposite surface 202. The concave portion 220 extends from a portion other than the edge of the surface 202 toward both ends of the one side (the short side 204 in FIG. 1). Details will be described below.

発光装置１０は、ボトムエミッション型の発光装置及びトップエミッション型の発光装置のいずれであってもよい。発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。The light emitting device 10 may be either a bottom emission type light emitting device or a top emission type light emitting device. When the light emitting device 10 is a bottom emission type, the substrate 100 is formed of a light transmissive material such as glass or a light transmissive resin, and the surface of the substrate 100 opposite to the first electrode is formed on the substrate 100. This is the light extraction surface of the light emitting device 10. On the other hand, when the light emitting device 10 is a top emission type, the substrate 100 may be formed of the above-described light-transmitting material, or may be formed of a material that does not have light-transmitting properties. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Further, the substrate 100 may have flexibility. In the case where the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. In particular, when the substrate 100 is made of a glass material and has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 μm or less. In the case where the substrate 100 is made of a resin material and is flexible, the material of the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. Is formed. In the case where the substrate 100 includes a resin material, an inorganic barrier film such as SiN _x or SiON is formed on at least the light emitting surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from passing through the substrate 100. ing.

発光部１４０は、第１電極、第２電極、及び有機層を有している。 The light emitting unit 140 includes a first electrode, a second electrode, and an organic layer.

第１電極及び第２電極のうち少なくとも光が射出する側の電極は、光透過性を有する透明電極である。なお、第１電極及び第２電極の双方が透明電極であってもよい。 Of the first electrode and the second electrode, at least the electrode from which light is emitted is a transparent electrode having optical transparency. Note that both the first electrode and the second electrode may be transparent electrodes.

透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。 The transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). is there. The thickness of the first electrode is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode may be a carbon nanotube, a conductive organic material such as PEDOT / PSS, or a thin metal electrode.

第１電極及び第２電極のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。また、この電極は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。 Of the first electrode and the second electrode, the non-translucent electrode is, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In. Or a metal layer made of an alloy of metals selected from the first group. This electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. Further, this electrode may have a structure in which a metal layer and a transparent conductive layer are laminated in this order.

有機層は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層は正孔注入層より薄く、その厚さは例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層は、電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。発光層の発光色は何色であってもよい。このため、発光層の材料は発光性の有機材料であれば何であってもよい。電子輸送層は、電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、例えばＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。 The organic layer has, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The hole injection layer and the hole transport layer are formed using a material in which holes move (a hole-moving organic material). The thickness of the hole injection layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 100 nm. The hole transport layer is thinner than the hole injection layer, and the thickness thereof is, for example, 20 nm or more and 50 nm or less. The light emitting layer is formed using a material that emits light upon recombination of electrons and holes. The luminescent color of the light emitting layer may be any color. For this reason, the material of the light emitting layer may be anything as long as it is a light emitting organic material. The electron transport layer is formed using a material (electron mobility organic material) through which electrons move. The thickness of the electron transport layer is, for example, 5 nm or more and 100 nm or less. The electron injection layer is formed using, for example, an alkali metal compound such as LiF, a metal oxide typified by aluminum oxide, or a metal complex typified by lithium 8-hydroxyquinolate (Liq). The thickness of the electron injection layer is, for example, not less than 0.1 nm and not more than 10 nm.

なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は無くてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。 One of the hole injection layer and the hole transport layer may be omitted. One of the electron transport layer and the electron injection layer may be omitted.

有機層を構成する各層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。ここで用いられる成膜方法は、例えば、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法である。例えば、有機層のうち正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。なお、有機層の残りの層は、蒸着法を用いて形成されている。 At least one (or all) of each layer constituting the organic layer is formed using a coating material. The film forming method used here is, for example, a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. For example, at least one (or all) of the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer in the organic layer may be formed using a coating material. Note that the remaining layers of the organic layer are formed using a vapor deposition method.

基板１００には、第１端子１１２及び第２端子１３２が形成されている。第１端子１１２は発光部１４０の第１電極に電気的に接続されており、第２端子１３２は発光部１４０の第２電極に接続されている。 A first terminal 112 and a second terminal 132 are formed on the substrate 100. The first terminal 112 is electrically connected to the first electrode of the light emitting unit 140, and the second terminal 132 is connected to the second electrode of the light emitting unit 140.

そして、発光部１４０は、封止膜２１０によって封止されている。封止膜２１０は、発光部１４０と被覆部材２００の間に位置しており、基板１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。封止膜２１０の縁は、全周にわたって発光部１４０よりも外側に位置している。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２は封止膜２１０で覆われていない。封止膜２１０は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの無機材料によって形成されている。また、封止膜２１０の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜２１０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。 The light emitting unit 140 is sealed with a sealing film 210. The sealing film 210 is located between the light emitting unit 140 and the covering member 200, is formed on at least the surface of the substrate 100 where the light emitting unit 140 is formed, and covers the light emitting unit 140. The edge of the sealing film 210 is located outside the light emitting unit 140 over the entire circumference. However, the first terminal 112 and the second terminal 132 are not covered with the sealing film 210. The sealing film 210 is formed of, for example, an insulating material, more specifically, an inorganic material such as aluminum oxide or titanium oxide. Further, the thickness of the sealing film 210 is preferably 300 nm or less. Moreover, the thickness of the sealing film 210 is, for example, 50 nm or more.

封止膜２１０は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、封止膜２１０の段差被覆性は高くなる。またこの場合、封止膜２１０は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、封止膜２１０は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。 The sealing film 210 is formed using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method. In this case, the step coverage of the sealing film 210 is increased. In this case, the sealing film 210 may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked. In this case, it may have a structure in which a first sealing layer made of a first material (for example, aluminum oxide) and a second sealing layer made of a second material (for example, titanium oxide) are repeatedly stacked. . The lowermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer. Further, the uppermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer. Further, the sealing film 210 may be a single layer in which the first material and the second material are mixed.

ただし、封止膜２１０は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止膜２１０は、ＳｉＯ_２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。However, the sealing film 210 may be formed using other film forming methods such as a CVD method or a sputtering method. In this case, the sealing film 210 is formed of an insulating film such as SiO ₂ or SiN, and the film thickness is, for example, not less than 10 nm and not more than 1000 nm.

被覆部材２００は、例えばエポキシ系又はアクリル系などの樹脂を用いて形成されておち、封止膜２１０を覆っている。被覆部材２００の縁は、全周に渡って封止膜２１０の外側に位置している。例えば被覆部材２００の一部は基板１００に接している。被覆部材２００の形成方法は、例えば塗布法である。被覆部材２００は、例えば、ディスペンサーの吐出口を、基板１００のうち被覆部材２００を形成すべき領域の内側を走査することにより、形成される。この時の吐出口の軌跡はさまざまである。例えば、吐出口は被覆部材２００が形成されるべき領域の縁に沿って、渦巻き状に走査される。この際、吐出口は、外側から中心に向かう方向に走査されてもよいし、中心から外側に向かう方向に走査されてもよい。また、吐出口はミアンダ状に走査されてもよいし、ジグザグに走査されてもよい。 The covering member 200 is formed using, for example, an epoxy resin or an acrylic resin, and covers the sealing film 210. The edge of the covering member 200 is located outside the sealing film 210 over the entire circumference. For example, a part of the covering member 200 is in contact with the substrate 100. A method for forming the covering member 200 is, for example, a coating method. The covering member 200 is formed, for example, by scanning the discharge port of the dispenser inside the region of the substrate 100 where the covering member 200 is to be formed. The trajectory of the discharge port at this time is various. For example, the discharge port is scanned in a spiral shape along the edge of the region where the covering member 200 is to be formed. At this time, the ejection port may be scanned in a direction from the outside toward the center, or may be scanned in a direction from the center toward the outside. Further, the discharge port may be scanned in a meander shape or may be scanned in a zigzag manner.

被覆部材２００の平面形状は、少なくとも一つの辺を有する形状、例えば略長方形などの略多角形状である。ただし、多角形における角のそれぞれが丸まっていることもある。そして、被覆部材２００のうち基板１００とは逆側の面２０２（図１及び図２に示す例では上面）には、凹部２２０が形成されている。凹部２２０は、面２０２のうち縁以外の部分２２２から、上記した辺（図１に示す例では長方形の短辺２０４：以下、短辺２０４として記載）の両端のそれぞれに向けて延在している。言い換えると、凹部２２０の平面形状は略Ｖ字である。 The planar shape of the covering member 200 is a shape having at least one side, for example, a substantially polygonal shape such as a substantially rectangular shape. However, each corner of the polygon may be rounded. A recess 220 is formed on a surface 202 (upper surface in the example shown in FIGS. 1 and 2) of the covering member 200 on the side opposite to the substrate 100. The recess 220 extends from a portion 222 other than the edge of the surface 202 toward both ends of the above-described side (in the example shown in FIG. 1, a rectangular short side 204: hereinafter referred to as the short side 204). Yes. In other words, the planar shape of the recess 220 is substantially V-shaped.

部分２２２は短辺２０４の垂直二等分線と重なっている。言い換えると、部分２２２と短辺２０４の中心を結ぶ直線は、短辺２０４に対して略垂直に交わっている。さらに言い換えると、この直線と短辺２０４とが成す角度θ_２は、例えば８５°以上９５°以下である。また、被覆部材２００は２つの短辺２０４を有しているが、２つの短辺２０４毎に凹部２２０及び部分２２２を有している。さらに、部分２２２と短辺２０４の端を結んだ直線と、短辺２０４とが成す角度θ_１は、４０°以上５０°以下、例えば４５°である。凹部２２０は、被覆部材２００を形成するときの樹脂の吐出条件を制御すること（例えば吐出口の位置に基づいて吐出量の制御や、ディスペンサーの移動速度を変更することによる吐出量の制御など）により、形成することができる。被覆部材２００の平面形状によっては、被覆部材２００を形成している間、吐出口からの吐出量は一定に制御されていてもよい。Portion 222 overlaps the perpendicular bisector of short side 204. In other words, a straight line connecting the portion 222 and the center of the short side 204 intersects with the short side 204 substantially perpendicularly. In other words, the angle θ ₂ formed by this straight line and the short side 204 is, for example, not less than 85 ° and not more than 95 °. The covering member 200 has two short sides 204, but has a recess 220 and a portion 222 for each of the two short sides 204. Furthermore, the angle θ ₁ formed by the straight line connecting the end of the portion 222 and the short side 204 and the short side 204 is 40 ° or more and 50 ° or less, for example, 45 °. The concave portion 220 controls the resin discharge conditions when forming the covering member 200 (for example, control of the discharge amount based on the position of the discharge port, control of the discharge amount by changing the moving speed of the dispenser, etc.). Can be formed. Depending on the planar shape of the covering member 200, the discharge amount from the discharge port may be controlled to be constant while the covering member 200 is formed.

なお、被覆部材２００の厚さは、例えば５０μｍ以上２００μｍ以下である。凹部２２０の深さｄは、例えば被覆部材２００の厚さの５％以上２０％以下である。また、図２に示すように、凹部２２０の断面形状は、Ｖの底部及び２つの頂点をなだらかな曲線にした形状である。また、凹部２２０が延在する方向に直角に交わる方向において、凹部２２０の幅ｗ（図１参照）は、例えば０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である。図２に示す断面において、凹部２２０の両端（すなわち図２における上側の端部）は、面２０２の他の部分と比較して上方に突出していない。ただし、これら２つの上端は、面２０２の他の部分と比較して上方に位置していてもよい。なお、被覆部材２００の面２０２は、凹部２２０以外になだらかな凹凸を有している場合もある。この凹凸は、凹部２２０と比較して幅が広く、また被覆部材２００と比較して規則性は少ない。 The thickness of the covering member 200 is, for example, 50 μm or more and 200 μm or less. The depth d of the recess 220 is, for example, 5% or more and 20% or less of the thickness of the covering member 200. Moreover, as shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the recessed part 220 is a shape which made the bottom part of V and two vertices into the gentle curve. Further, in the direction perpendicular to the direction in which the recess 220 extends, the width w (see FIG. 1) of the recess 220 is, for example, not less than 0.5 mm and not more than 2.0 mm. In the cross section shown in FIG. 2, both ends of the recess 220 (that is, the upper end in FIG. 2) do not protrude upward as compared with the other portions of the surface 202. However, these two upper ends may be located above the other parts of the surface 202. Note that the surface 202 of the covering member 200 may have gentle irregularities in addition to the concave portions 220. The unevenness is wider than the recess 220 and less regular than the covering member 200.

次に、図３を用いて発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００の上に第１電極、有機層、及び第２電極をこの順に形成する。これにより、発光部１４０が形成される。次いで、発光部１４０の上に封止膜２１０を形成する。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. First, a first electrode, an organic layer, and a second electrode are formed on the substrate 100 in this order. Thereby, the light emission part 140 is formed. Next, the sealing film 210 is formed on the light emitting unit 140.

次いで、図３に示すように、吐出部３００（例えばディスペンサーの吐出口）を用いて、封止膜２１０の上に被覆部材２００となる樹脂材料を塗布する。そして、この樹脂材料を硬化（例えば熱硬化）させる。これにより、被覆部材２００が形成される。 Next, as illustrated in FIG. 3, a resin material to be the covering member 200 is applied onto the sealing film 210 using the discharge unit 300 (for example, a discharge port of a dispenser). And this resin material is hardened (for example, thermosetting). Thereby, the covering member 200 is formed.

ここで、吐出部３００の軌跡を調節することにより、図１６に示すように、被覆部材２００の角部の平面形状を、例えば弧に沿った形状など、徐々に向きが変わる形状にしてもよい。このようにすると、特に凹部２２０が形成されやすくなる。この場合、条件によっては、吐出部３００からの吐出量を一定に制御しても、凹部２２０が形成される。 Here, by adjusting the trajectory of the discharge unit 300, as shown in FIG. 16, the planar shape of the corner of the covering member 200 may be a shape whose direction gradually changes, such as a shape along an arc. . In this way, the recess 220 is particularly easily formed. In this case, depending on the conditions, the recess 220 is formed even if the discharge amount from the discharge unit 300 is controlled to be constant.

なお、上記したように、図１に示す例において、凹部２２０の部分２２２と短辺２０４の端を結んだ直線と、短辺２０４とが成す角度θ_１は、４０°以上５０°以下であった。ただし、図４に示すように角度θ_１は５０°以上であってもよいし、角度θ_１は４０°未満であってもよい。As described above, in the example shown in FIG. 1, the angle θ ₁ formed by the straight line connecting the portion 222 of the recess 220 and the end of the short side 204 and the short side 204 is not less than 40 ° and not more than 50 °. It was. However, as shown in FIG. 4, the angle θ ₁ may be 50 ° or more, and the angle θ ₁ may be less than 40 °.

以上、本実施形態によれば、基板１００は被覆部材２００を有している。被覆部材２００は基板１００と異なる材料を用いて形成されている。従って、基板１００と被覆部材２００の間に熱応力が発生する。この熱応力は、基板１００の中心から外側に向かう方向に発生する。この熱応力が生じると、基板１００が意図しない方向に曲がる可能性が出てくる。この傾向は、基板１００が可撓性を有している場合に特に顕著になる。例えば基板１００が矩形であり、可撓性を有している場合、基板１００は対角線を折り目として曲がりやすくなる。 As described above, according to the present embodiment, the substrate 100 has the covering member 200. The covering member 200 is formed using a material different from that of the substrate 100. Therefore, thermal stress is generated between the substrate 100 and the covering member 200. This thermal stress is generated in a direction from the center of the substrate 100 toward the outside. When this thermal stress occurs, there is a possibility that the substrate 100 bends in an unintended direction. This tendency is particularly noticeable when the substrate 100 has flexibility. For example, when the substrate 100 is rectangular and has flexibility, the substrate 100 is easily bent with the diagonal line as a crease.

これに対して本実施形態では、被覆部材２００は凹部２２０を有している。凹部２２０は、面２０２のうち縁以外の部分（部分２２２）から被覆部材２００の一辺の両端のそれぞれに向けて延在している。従って、基板１００と被覆部材２００の間に発生する熱応力を緩和することができる。その結果、基板１００が意図しない方向に曲がる可能性を小さくすることができる。特に基板１００が矩形の場合、凹部２２０を設けると、基板１００が対角線を折り目として曲がることを抑制できる。 On the other hand, in this embodiment, the covering member 200 has a recess 220. The concave portion 220 extends from a portion (portion 222) other than the edge of the surface 202 toward both ends of one side of the covering member 200. Therefore, the thermal stress generated between the substrate 100 and the covering member 200 can be relaxed. As a result, the possibility that the substrate 100 bends in an unintended direction can be reduced. In particular, when the substrate 100 is rectangular, the concave portion 220 can prevent the substrate 100 from bending with a diagonal line as a crease.

また、本実施形態によれば、被覆部材２００と発光部１４０の間には封止膜２１０が形成されている。このため、発光部１４０にはさらに水分等が到達しにくくなる。また、封止膜２１０は被覆部材２００で保護されているため、封止膜２１０が物理的に劣化する（例えば外力が加わって割れるなど）可能性は低くなる。 Further, according to the present embodiment, the sealing film 210 is formed between the covering member 200 and the light emitting unit 140. For this reason, moisture or the like is less likely to reach the light emitting unit 140. Further, since the sealing film 210 is protected by the covering member 200, the possibility that the sealing film 210 is physically deteriorated (for example, cracked due to an external force) is reduced.

（変形例）
図５は、変形例に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。本変形例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。(Modification)
FIG. 5 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to a modification. The light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the following points.

まず、基板１００は正方形である。これに伴って、被覆部材２００も略正方形になっている（ただし、４つの角のそれぞれが丸まっていることもある）。そして、部分２２２は被覆部材２００の中心（すなわち被覆部材２００の２つの対角線の交点）に位置しており、凹部２２０はこの部分２２２から被覆部材２００の４つの角（言い換えると基板１００の４つの角）のそれぞれに向けて延在している。 First, the substrate 100 is square. Along with this, the covering member 200 is also substantially square (however, each of the four corners may be rounded). The portion 222 is located at the center of the covering member 200 (that is, the intersection of two diagonal lines of the covering member 200), and the concave portion 220 extends from this portion 222 to four corners of the covering member 200 (in other words, four corners of the substrate 100). Extending towards each of the corners).

本変形例においても、被覆部材２００は凹部２２０を有している。このため、基板１００と被覆部材２００の間に発生する熱応力を緩和することができる。その結果、基板１００が意図しない方向に曲がる可能性を小さくすることができる。特に本変形例では、被覆部材２００は正方形であり、凹部２２０の部分２２２は正方形の中心に位置している。従って、凹部２２０は被覆部材２００の中心から等方的に延在していることになり、その結果、上記した熱応力を均等に緩和することができる。 Also in this modification, the covering member 200 has the recess 220. For this reason, the thermal stress generated between the substrate 100 and the covering member 200 can be relaxed. As a result, the possibility that the substrate 100 bends in an unintended direction can be reduced. In particular, in this modification, the covering member 200 is a square, and the portion 222 of the recess 220 is located at the center of the square. Accordingly, the recess 220 extends isotropically from the center of the covering member 200, and as a result, the above-described thermal stress can be alleviated evenly.

（実施例１）
図６は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図７は、図６から被覆部材２００、封止膜２１０、及び第２電極１３０を取り除いた図である。なお、図７において、第２電極１３０の位置は点線で示されている。図８は図７から絶縁層１５０及び有機層１２０を取り除いた図である。図９は図６のＢ−Ｂ断面図である。本実施例において、発光装置１０は照明装置であり、基板１００のほぼ全面に発光部１４０が形成されている。Example 1
FIG. 6 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment. 7 is a view in which the covering member 200, the sealing film 210, and the second electrode 130 are removed from FIG. In FIG. 7, the position of the second electrode 130 is indicated by a dotted line. FIG. 8 is a diagram in which the insulating layer 150 and the organic layer 120 are removed from FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. In this embodiment, the light emitting device 10 is a lighting device, and a light emitting portion 140 is formed on almost the entire surface of the substrate 100.

詳細には、基板１００の一面には第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成されている。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。 Specifically, the first electrode 110, the first terminal 112, and the second terminal 132 are formed on one surface of the substrate 100. The first terminal 112 and the second terminal 132 have a layer formed using the same material as the first electrode 110. This layer is formed in the same process as the first electrode 110. In addition, a layer formed of the same material as the first electrode 110 in the first terminal 112 is integrated with the first electrode 110. On the other hand, the second terminal 132 is separated from the first electrode 110.

また、本図に示す例において、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基板１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基板１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基板１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。ただし、第１端子１１２が互いに対向する２辺に沿って設けられてもよい。この場合、第２端子１３２が残りの２辺に沿って設けられてもよい。 In the example shown in the figure, the first terminal 112 and the second terminal 132 are located on the opposite sides of the first electrode 110. In the example shown in the figure, the substrate 100 is rectangular. The first terminal 112 is formed along one side of the substrate 100, and the second terminal 132 is formed along the side opposite to the first terminal 112 among the four sides of the substrate 100. However, the first terminal 112 may be provided along two sides facing each other. In this case, the second terminal 132 may be provided along the remaining two sides.

基板１００のうち有機層１２０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の材料を用いて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。 A region of the substrate 100 where the organic layer 120 is to be formed is surrounded by an insulating layer 150. The insulating layer 150 is formed using a photosensitive material such as polyimide, and is formed in a predetermined shape through exposure and development processes. The insulating layer 150 is formed after the first electrode 110 is formed and before the organic layer 120 is formed. However, the insulating layer 150 may not be formed.

有機層１２０は、絶縁層１５０で囲まれた領域の内側に形成されている。有機層１２０の上には第２電極１３０が形成されている。第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。 The organic layer 120 is formed inside a region surrounded by the insulating layer 150. A second electrode 130 is formed on the organic layer 120. A part of the second electrode 130 extends over the second terminal 132 across the insulating layer 150.

そして、第２電極１３０の上には封止膜２１０及び被覆部材２００が形成されている。封止膜２１０の構成及び被覆部材２００の構成は実施形態又は変形例と同様の構成である。例えば、被覆部材２００には凹部２２０が形成されている。 A sealing film 210 and a covering member 200 are formed on the second electrode 130. The configuration of the sealing film 210 and the configuration of the covering member 200 are the same as those in the embodiment or the modification. For example, a recess 220 is formed in the covering member 200.

本実施例によれば、被覆部材２００には凹部２２０が形成されている。従って、実施形態と同様に、基板１００と被覆部材２００の間に発生する熱応力を緩和することができる。その結果、基板１００が意図しない方向に曲がる可能性を小さくすることができる。 According to this embodiment, the covering member 200 is formed with the recess 220. Therefore, similarly to the embodiment, the thermal stress generated between the substrate 100 and the covering member 200 can be relaxed. As a result, the possibility that the substrate 100 bends in an unintended direction can be reduced.

（実施例２）
図１０は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図１１は、図１０から被覆部材２００及び封止膜２１０を取り除いた図である。図１２は、図１１から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１３は図１０のＣ−Ｃ断面図であり、図１４は図１０のＤ−Ｄ断面図であり、図１５は図１０のＥ−Ｅ断面図である。(Example 2)
FIG. 10 is a plan view of the light emitting device 10 according to the second embodiment. FIG. 11 is a view in which the covering member 200 and the sealing film 210 are removed from FIG. 12 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 13 is a sectional view taken along the line CC in FIG. 10, FIG. 14 is a sectional view taken along the line DD in FIG. 10, and FIG. 15 is a sectional view taken along the line EE in FIG.

実施例２に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、複数の隔壁１７０、被覆部材２００、及び封止膜２１０を有している。 The light emitting device 10 according to the second embodiment is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, an organic layer 120, It has two electrodes 130, a plurality of lead wires 134, a plurality of partition walls 170, a covering member 200, and a sealing film 210.

第１電極１１０は、第１方向（図１２におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。 The first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 12). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.

引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。また、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。 The lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112. In the example shown in the drawing, one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112. Further, the first electrode 110 and the lead wiring 114 are integrated. A conductor layer 180 is formed on the first terminal 112 and the lead wiring 114. The conductor layer 180 is formed using a metal having a lower resistance than that of the first electrode 110, such as Al or Ag. A part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.

絶縁層１５０は、図１１、及び図１３〜図１５に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。 As shown in FIGS. 11 and 13 to 15, the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween. A plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150. The plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 11). A partition wall 170, which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130. The opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. The plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。 The opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view. The openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 11, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154. The lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。 The lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 180 is also formed on the second terminal 132 and the lead wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。 In the region overlapping with the opening 152, the organic layer 120 is formed. For this reason, the light emitting part 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.

なお、図１３及び図１４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１４に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。 In the example shown in FIGS. 13 and 14, the layers constituting the organic layer 120 are shown to protrude to the outside of the opening 152. And as shown in FIG. 14, the organic layer 120 may be continuously formed between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good. However, as shown in FIG. 15, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.

第２電極１３０は、図１１、図１３〜図１５に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。 As shown in FIGS. 11 and 13 to 15, the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 11) that intersects the first direction. A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130. The partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction. The base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150. The partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。 The partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively. The partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.

そして、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、及び隔壁１７０は、封止膜２１０及び被覆部材２００によって覆われている。また、引出配線１１４の一部及び引出配線１３４の一部も、封止膜２１０及び被覆部材２００によって覆われている。なお、隔壁１７０の断面が逆台形であっても、図１３及び図１５に示すように、封止膜２１０は、隔壁１７０の上面及び側面、並びに隔壁１７０の周囲に連続して形成されている。このようにするためには、例えば封止膜２１０を、ＡＬＤ法を用いて形成すればよい。 The first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, the insulating layer 150, and the partition wall 170 are covered with the sealing film 210 and the covering member 200. A part of the lead wiring 114 and a part of the lead wiring 134 are also covered with the sealing film 210 and the covering member 200. Even if the cross section of the partition wall 170 is an inverted trapezoid, the sealing film 210 is continuously formed on the upper surface and side surfaces of the partition wall 170 and around the partition wall 170 as shown in FIGS. . In order to do this, for example, the sealing film 210 may be formed using an ALD method.

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 in this embodiment will be described. First, the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 in the embodiment.

次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０を形成する。次いで、第２電極１３０、封止膜２１０、及び被覆部材２００を形成する。被覆部材２００の形成方法は、実施形態で説明した通りである。 Next, the conductor layer 180 is formed on the lead wiring 114, on the first terminal 112, on the lead wiring 134, and on the second terminal 132. Next, the insulating layer 150 is formed, and further the partition 170 is formed. Next, the organic layer 120 is formed. Next, the second electrode 130, the sealing film 210, and the covering member 200 are formed. The method for forming the covering member 200 is as described in the embodiment.

本実施例によっても、被覆部材２００には凹部２２０が形成されている。従って、実施形態と同様に、基板１００と被覆部材２００の間に発生する熱応力を緩和することができる。その結果、基板１００が意図しない方向に曲がる可能性を小さくすることができる。 Also in this embodiment, the covering member 200 is formed with the recess 220. Therefore, similarly to the embodiment, the thermal stress generated between the substrate 100 and the covering member 200 can be relaxed. As a result, the possibility that the substrate 100 bends in an unintended direction can be reduced.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

Claims

A substrate,
A light emitting part formed on the substrate and having an organic layer;
A covering member for covering the light emitting part;
With
The surface of the covering member opposite to the substrate has at least one side and a recess,
The recess is a light-emitting device that extends from a portion other than the edge of the surface toward both ends of the side.

The light-emitting device according to claim 1.
A light-emitting device in which a straight line connecting the portion of the surface and the center of the side intersects with the side at an angle of 85 ° to 95 °.

The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The light emitting device having a rectangular surface.

The light emitting device according to claim 3.
The light emitting device, wherein the side is a short side of the rectangle.

The light-emitting device according to claim 4.
The light-emitting device which has the said recessed part and the said part for every two short sides of the said rectangle.

The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The light emitting device having a square surface.

The light-emitting device according to claim 6.
The light emitting device, wherein the portion of the surface is the center of the square.

The light-emitting device according to claim 7.
The light emitting device, wherein the recess extends from the portion to each of the four corners of the square.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 8,
The light emitting device in which the covering member is made of resin.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-9,
A light-emitting device provided with the coating film which is located between the said covering member and the said light emission part, and covers the said light emission part.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-10,
The substrate is a light emitting device having flexibility.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-11,
The depth of the said recessed part is 5% or more and 20% or less of the thickness of the said coating | coated member.