JPWO2017057577A1 - 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 - Google Patents

露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 Download PDF

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Abstract

投影光学系(16)を介して照明光により基板(P)を露光する液晶露光装置は、基板(P)を保持する基板ホルダ(34)と、ヘッドユニット(60)とスケール(52、56)とを含み、ヘッドユニット(60)の出力に基づいて基板ホルダ(34)の位置情報を取得する基板エンコーダシステム(50)と、基板ホルダ(34)上のヘッドユニット(60)とスケール(52)との一方を他方に対して相対移動させる駆動部と、を備える。

Description

本発明は、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法に係り、更に詳しくは、照明光により物体を露光する露光装置及び露光方法、並びに前記露光装置を用いたフラットパネルディスプレイ又はデバイスの製造方法に関する。
従来、液晶表示素子、半導体素子(集積回路等)等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、マスク(フォトマスク)又はレチクル(以下、「マスク」と総称する)と、ガラスプレート又はウエハ(以下、「基板」と総称する)とを所定の走査方向(スキャン方向)に沿って同期移動させつつ、マスクに形成されたパターンをエネルギビームを用いて基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが用いられている。
この種の露光装置としては、基板ステージ装置が有するバーミラー(長尺の鏡)を用いて露光対象基板の水平面内の位置情報を求める光干渉計システムを備えるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
ここで、光干渉計システムを用いて基板の位置情報を求める場合、いわゆる空気揺らぎの影響を無視することができない。また、上記空気揺らぎの影響は、エンコーダシステムを用いることにより低減できるが、近年の基板の大型化により、基板の全移動範囲をカバーすることができるスケールを用意することが困難である。
米国特許出願公開第2010/0266961号明細書
本発明の第1の態様によれば、投影光学系を介して照明光により物体を露光する露光装置であって、前記物体を保持する保持部と、計測部と被計測部とを含み、前記計測部の出力に基づいて前記保持部の位置情報を取得する位置計測部と、前記保持部上の前記計測部と前記被計測部と一方を他方に対して相対移動させる第1駆動部と、を備える露光装置が、提供される。
本発明の第2の態様によれば、第1の態様に係る露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
本発明の第3の態様によれば、第1の態様に係る露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
本発明の第4の態様によれば、投影光学系を介して照明光により物体を露光する露光方法であって、計測部と被計測部とを含む位置計測部の前記計測部の出力に基づいて、前記物体を保持する保持部の位置情報を取得することと、第1駆動部により前記保持部上の前記計測部と前記被計測部と一方を他方に対して相対移動させることと、を含む露光方法が、提供される。
第1の実施形態に係る液晶露光装置の構成を概略的に示す図である。 図2(A)は、図1の液晶露光装置が備えるマスクエンコーダシステムの構成を概略的に示す図、図2(B)は、マスクエンコーダシステムの一部(図2(A)のA部)拡大図である。 図3(A)〜図3(E)は、マスクエンコーダシステム、及び基板エンコーダシステムにおけるヘッド出力の繋ぎ処理を説明するための図(その1〜その5)である。 図4(A)及び図4(B)は、第1の実施形態に係る基板エンコーダシステムの概念図(それぞれ側面図、平面図)であり、図4(C)は、基板エンコーダシステムの具体例を示す図である。 図5(A)及び図5(B)は、基板エンコーダシステムの一部(図4(C)のB部)拡大図である。 基板エンコーダシステムの概念図である。 液晶露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。 図8(A)は、露光動作時におけるマスクエンコーダシステムの動作を示す図(その1)であり、図8(B)は、露光動作時における基板エンコーダシステムの動作を示す図(その1)である。 図9(A)は、露光動作時におけるマスクエンコーダシステムの動作を示す図(その2)であり、図9(B)は、露光動作時における基板エンコーダシステムの動作を示す図(その2)である。 図10(A)は、露光動作時におけるマスクエンコーダシステムの動作を示す図(その3)であり、図10(B)は、露光動作時における基板エンコーダシステムの動作を示す図(その3)である。 図11(A)及び図11(B)は、第2の実施形態に係る基板エンコーダシステムの概念図(それぞれ側面図、平面図)であり、図11(C)は、基板エンコーダシステムの具体例を示す図である。 第1の実施形態の基板エンコーダシステムの変形例を示す図である。 第2の実施形態の基板エンコーダシステムの変形例を示す図である。 図14(A)及び図14(B)は、一対のヘッド間の距離を求めるための計測系の構成を説明するための図(その1及びその2)である。 図15(A)及び図15(B)は、Yスライドテーブルの傾き量を求めるための計測系の構成を説明するための図(その1及びその2)である。 エンコーダスケール上における計測ビームの照射点を示す図である。
《第1の実施形態》
以下、第1の実施形態について、図1〜図10(B)を用いて説明する。
図1には、第1の実施形態に係る液晶露光装置10の構成が概略的に示されている。液晶露光装置10は、例えば液晶表示装置(フラットパネルディスプレイ)などに用いられる矩形(角型)のガラス基板P(以下、単に基板Pと称する)を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。
液晶露光装置10は、照明系12、回路パターンなどが形成されたマスクMを保持するマスクステージ装置14、投影光学系16、装置本体18、表面(図1で+Z側を向いた面)にレジスト(感応剤)が塗布された基板Pを保持する基板ステージ装置20、及びこれらの制御系等を有している。以下、露光時にマスクMと基板Pとが投影光学系16に対してそれぞれ相対走査される方向をX軸方向とし、水平面内でX軸に直交する方向をY軸方向、X軸及びY軸に直交する方向をZ軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。また、X軸、Y軸、及びZ軸方向に関する位置をそれぞれX位置、Y位置、及びZ位置として説明を行う。
照明系12は、例えば米国特許第5,729,331号明細書などに開示される照明系と同様に構成されている。照明系12は、図示しない光源(例えば、水銀ランプ)から射出された光を、それぞれ図示しない反射鏡、ダイクロイックミラー、シャッター、波長選択フィルタ、各種レンズなどを介して、露光用照明光(照明光)ILとしてマスクMに照射する。照明光ILとしては、例えばi線(波長365nm)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)などの光(あるいは、上記i線、g線、h線の合成光)が用いられる。
マスクステージ装置14は、マスクMを、例えば真空吸着により保持するマスクホルダ40、マスクホルダ40を走査方向(X軸方向)に所定の長ストロークで駆動するとともに、Y軸方向、及びθz方向に適宜微少駆動するためのマスク駆動系91(図1では不図示。図7参照)、及びマスクホルダ40のXY平面内の位置情報(θz方向の回転量情報も含む。以下同じ)を求めるためのマスク位置計測系を含む。マスクホルダ40は、例えば米国特許出願公開第2008/0030702号明細書に開示されるような、平面視矩形の開口部が形成された枠状部材から成る。マスクホルダ40は、装置本体18の一部である上架台部18aに固定された一対のマスクガイド42上に、例えばエアベアリング(不図示)を介して載置されている。マスク駆動系91は、例えばリニアモータ(不図示)を含む。
マスク位置計測系は、上架台部18aにエンコーダベース43を介して固定された一対のエンコーダヘッドユニット44(以下、単にヘッドユニット44と称する)と、マスクホルダ40の下面に上記一対のヘッドユニット44に対応して配置された複数のエンコーダスケール46(図1では紙面奥行き方向に重なっている。図2(A)参照)とを含むマスクエンコーダシステム48を備える。マスクエンコーダシステム48の構成については、後に詳しく説明する。
投影光学系16は、マスクステージ装置14の下方に配置されている。投影光学系16は、例えば米国特許第6,552,775号明細書などに開示される投影光学系と同様な構成の、いわゆるマルチレンズ投影光学系であり、例えば両側テレセントリックな等倍系で正立正像を形成する複数(本実施形態では、例えば11本。図2(A)参照)の光学系を備えている。
液晶露光装置10では、照明系12からの照明光ILによってマスクM上の照明領域が照明されると、マスクMを通過した照明光により、投影光学系16を介してその照明領域内のマスクMの回路パターンの投影像(部分正立像)が、基板P上の照明領域に共役な照明光の照射領域(露光領域)に形成される。そして、照明領域(照明光IL)に対してマスクMが走査方向に相対移動するとともに、露光領域(照明光IL)に対して基板Pが走査方向に相対移動することで、基板P上の1つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にマスクMに形成されたパターンが転写される。
装置本体18は、上記マスクステージ装置14、及び投影光学系16を支持しており、複数の防振装置19を介してクリーンルームの床11上に設置されている。装置本体18は、例えば米国特許出願公開第2008/0030702号明細書に開示される装置本体と同様に構成されており、上記投影光学系16を支持する上架台部18a(光学定盤などとも称される)、下架台部18b、及び一対の中架台部18cを有している。
基板ステージ装置20は、基板Pを投影光学系16(照明光IL)に対して高精度位置決めするためのものであり、基板Pを水平面(X軸方向、及びY軸方向)に沿って所定の長ストロークで駆動するとともに、該基板Pを6自由度方向に微少駆動する。基板ステージ装置20の構成は、特に限定されないが、例えば米国特許出願公開第2008/129762号明細書、あるいは米国特許出願公開第2012/0057140号明細書などに開示されるような、ガントリタイプの2次元粗動ステージと、該2次元粗動ステージに対して微少駆動される微動ステージとを含む、いわゆる粗微動構成のステージ装置を用いることが好ましい。
基板ステージ装置20は、Y粗動ステージ22Y、X粗動ステージ22X、及び基板ホルダ34を備えている。Y粗動ステージ22Yは、例えばYアクチュエータ等を介して投影光学系16に対してY軸方向に所定の長ストロークで駆動される。X粗動ステージ22Xは、例えばXアクチュエータ等を介してY粗動ステージ22Y上でX軸方向に所定の長ストロークで駆動される。X粗動ステージ22Xは、Y粗動ステージ22Yと一体的にY軸方向へ移動する。基板ホルダ34は、平面視矩形の板状部材から成り、その上面上に基板Pが載置される。基板ホルダ34は、複数の微動アクチュエータ(例えば、ボイスコイルモータ)により、X粗動ステージ22Xと一体的に投影光学系16に対してX軸及び/又はY軸方向に所定の長ストロークで駆動されるとともに、6自由度方向に微少駆動される。上記Yアクチュエータ、Xアクチュエータ、微動アクチュエータは、基板駆動系93(図7参照)の一部を構成する。
また、液晶露光装置10は、基板ホルダ34(すなわち、基板P)の6自由度方向の位置情報を求めるための基板位置計測系を有している。基板位置計測系は、図7に示されるように、基板PのZ軸、θx、θy方向(以下、Z・チルト方向と称する)の位置情報を求めるためのZ・チルト位置計測系98、及び基板PのXY平面内の位置情報を求めるための基板エンコーダシステム50を含む。Z・チルト位置計測系98の構成は、特に限定されないが、例えば米国特許出願公開第2010/0018950号明細書に開示されるような、基板ホルダ34を含む系に取り付けられた複数のセンサを用いて、装置本体18(例えば下架台部18b)を基準として基板PのZ・チルト方向の位置情報を求める計測系を用いることができる。基板エンコーダシステム50の構成は、後述する。
次に、図2(A)及び図2(B)を用いてマスクエンコーダシステム48の構成について説明する。図2(A)に模式的に示されるように、マスクホルダ40におけるマスクM(より詳細には、マスクMを収容するための不図示の開口部)の+Y側、及び−Y側の領域には、それぞれ複数のエンコーダスケール46(以下、単にスケール46と称する)が配置されている。なお、理解を容易にするために、図2(A)では、複数のスケール46が実線で図示され、マスクホルダ40の上面に配置されているように図示されているが、複数のスケール46は、実際には、図1に示されるように、複数のスケール46それぞれの下面のZ位置と、マスクMの下面(パターン面)のZ位置とが一致するように、マスクホルダ40の下面側に配置されている。
本実施形態のマスクホルダ40において、マスクMの+Y側、及び−Y側の領域には、それぞれスケール46がX軸方向に所定間隔で、例えば3つ配置されている。すなわち、マスクホルダ40は、合計で、例えば6つのスケール46を有している。複数のスケール46それぞれは、マスクMの+Y側と−Y側とで紙面上下対称に配置されている点を除き、実質的に同じものである。スケール46は、例えば石英ガラスにより形成されたX軸方向に延びる平面視矩形の板状(帯状)の部材から成る。マスクホルダ40は、例えばセラミックスにより形成され、複数のスケール46は、マスクホルダ40に固定されている。
図2(B)に示されるように、スケール46の下面(本実施形態では、−Z側を向いた面)における、幅方向一側(図2(B)では、−Y側)の領域には、Xスケール47xが形成されている。また、スケール46の下面における、幅方向他側(図2(B)では、+Y側)の領域には、Yスケール47yが形成されている。Xスケール47xは、X軸方向に所定ピッチで形成された(X軸方向を周期方向とする)Y軸方向に延びる複数の格子線を有する反射型の回折格子(Xグレーティング)によって構成されている。同様に、Yスケール47yは、Y軸方向に所定ピッチで形成された(Y軸方向を周期方向とする)X軸方向に延びる複数の格子線を有する反射型の回折格子(Yグレーティング)によって構成されている。本実施形態のXスケール47x、及びYスケール47yにおいて、複数の格子線は、例えば10nm以下の間隔で形成されている。なお、図2(A)及び図2(B)では、図示の便宜上、格子間の間隔(ピッチ)は、実際よりも格段に広く図示されている。その他の図も同様である。
また、図1に示されるように、上架台部18aの上面には、一対のエンコーダベース43が固定されている。一対のエンコーダベース43は、一方が+X側のマスクガイド42の−X側、他方が−X側のマスクガイド42の+X側(すなわち一対のマスクガイド42の間の領域)に配置されている。また、上記投影光学系16の一部が、一対のエンコーダベース43の間に配置されている。エンコーダベース43は、図2(A)に示されるように、X軸方向に延びる部材から成る。一対のエンコーダベース43それぞれの長手方向中央部には、エンコーダヘッドユニット44(以下、単にヘッドユニット44と称する)が固定されている。すなわち、ヘッドユニット44は、エンコーダベース43を介して装置本体18(図1参照)に固定されている。一対のヘッドユニット44は、マスクMの+Y側と−Y側とで紙面上下対称に配置されている点を除き、実質的に同じものであるので、以下、一方(−Y側)についてのみ説明する。
図2(B)に示されるように、ヘッドユニット44は、平面視矩形の板状部材から成るユニットベース45を有している。ユニットベース45には、X軸方向に離間して配置された一対のXヘッド49x、及びX軸方向に離間して配置された一対のYヘッド49yが固定されている。すなわち、マスクエンコーダシステム48は、Xヘッド49xを、例えば4つ有するとともに、Yヘッド49yを、例えば4つ有している。なお、図2(B)では、一方のXヘッド49xと一方のYヘッド49yとがひとつの筐体内に収容され、他方のXヘッド49xと他方のYヘッド49yとが別のひとつの筐体内に収容されているが、上記一対のXヘッド49x、及び一対のYヘッド49yは、それぞれ独立して配置されていても良い。また、図2(B)では、理解を容易にするため、一対のXヘッド49xと一対のYヘッド49yとがスケール46の上方(+Z側)に配置されたように図示されているが、実際には、一対のXヘッド49xは、Xスケール47yの下方に、一対のYヘッド49yは、Yスケール47yの下方にそれぞれ配置されている(図1参照)。
一対のXヘッド49x、及び一対のYヘッド49yは、例えば振動などに起因して一対のXヘッド49x間の距離、及び一対のYヘッド49y間の距離が変化しないように、ユニットベース45に対して固定されている。また、ユニットベース45自体も、一対のXヘッド49x間の距離、及び一対のYヘッド49y間の距離が、例えば温度変化などに起因して変化しないように、熱膨張率がスケール46より低い(あるいはスケール46と同等の)材料で形成されている。
Xヘッド49x、及びYヘッド49yは、例えば米国特許出願公開第2008/0094592号明細書に開示されるような、いわゆる回折干渉方式のエンコーダヘッドであり、対応するスケール(Xスケール47x、Yスケール47y)に計測ビームを照射し、そのスケールからのビームを受光することにより、マスクホルダ40(すなわち、マスクM。図2(A)参照)の変位量情報を主制御装置90(図7参照)に供給する。すなわち、マスクエンコーダシステム48では、例えば4つのXヘッド49xと、該Xヘッド49xに対向するXスケール47x(マスクホルダ40のX位置によって異なる)とによって、マスクMのX軸方向の位置情報を求めるための、例えば4つのXリニアエンコーダ92x(図2(B)では不図示。図7参照)が構成され、例えば4つのYヘッド49yと、該Yヘッド49yに対向するYスケール47y(マスクホルダ40のX位置によって異なる)とによって、マスクMのY軸方向の位置情報を求めるための、例えば4つのYリニアエンコーダ92y(図2(B)では不図示。図7参照)が構成される。
主制御装置90は、図7に示されるように、例えば4つのXリニアエンコーダ92x、及び、例えば4つのYリニアエンコーダ92yの出力に基づいてマスクホルダ40(図2(A)参照)のX軸方向、及びY軸方向の位置情報を、例えば10nm以下の分解能で求める。また、主制御装置90は、例えば4つのXリニアエンコーダ92x(あるいは、例えば4つのYリニアエンコーダ92y)のうちの少なくとも2つの出力に基づいてマスクホルダ40のθz位置情報(回転量情報)を求める。主制御装置90は、上記マスクエンコーダシステム48の計測値から求められたマスクホルダ40のXY平面内の位置情報に基づき、マスク駆動系91を用いてマスクホルダ40のXY平面内の位置を制御する。
ここで、図2(A)に示されるように、マスクホルダ40には、上述したように、マスクMの+Y側、及び−Y側の領域それぞれにスケール46がX軸方向に所定間隔で、例えば3つ配置されている。そして、本実施形態のマスクステージ装置14では、図2(B)に示されるように、ひとつのヘッドユニット44が有する一対のXヘッド49x、及び一対のYヘッド49yそれぞれの間隔が、隣接するスケール46間の間隔よりも広く設定されている。これにより、マスクエンコーダシステム48では、一対のXヘッド49xのうち常に少なくとも一方がXスケール47xに対向するとともに、一対のYヘッド49yのうちの少なくとも一方が常にYスケール47yに対向する。従って、マスクエンコーダシステム48は、マスクホルダ40(図2(A)参照)の位置情報を途切れさせることなく主制御装置90(図7参照)に供給することができる。
具体的に説明すると、例えばマスクホルダ40(図2(A)参照)が+X側に移動する場合、マスクエンコーダシステム48は、隣接する一対のXスケール47xのうちの+X側のXスケール47xに対して一対のヘッド49xの両方が対向する第1の状態(図2(B)に示される状態)、−X側のXヘッド49xが上記隣接する一対のXスケール47xの間の領域に対向し(いずれのXスケール47xにも対向せず)、+X側のXヘッド49xが上記+X側のXスケール47xに対向する第2の状態、−X側のXヘッド49xが−X側のXスケール47xに対向し、且つ+X側のXヘッド49xが+X側のXスケール47xに対向する第3の状態、−X側のXヘッド49xが−X側のXスケール47xに対向し、+X側のXヘッド49xが一対のXスケール47xの間の領域に対向する(いずれのXスケール47xにも対向しない)第4の状態、及び−X側のXスケール47xに対して一対のヘッド49xの両方が対向する第5の状態、を上記順序で移行する。従って、常に少なくとも一方のXヘッド49xがXスケール47xに対向する。
主制御装置90(図7参照)は、上記第1、第3、及び第5の状態では、一対のXヘッド49xの出力の平均値に基づいてマスクホルダ40のX位置情報を求める。また、主制御装置90は、上記第2の状態では、+X側のXヘッド49xの出力のみに基づいてマスクホルダ40のX位置情報を求め、上記第4の状態では、−X側のXヘッド49xの出力のみに基づいてマスクホルダ40のX位置情報を求める。したがって、マスクエンコーダシステム48の計測値が途切れることがない。
より詳細に説明すると、本実施形態のマスクエンコーダシステム48では、マスクエンコーダシステム48の計測値を途切れさせないようにするために、上記第1、第3、第5の状態、すなわち一対のヘッドの両方がスケールに対向し、該一対のヘッドのそれぞれから出力が供給される状態と、上記第2、第4の状態、すなわち一対のヘッドのうちの一方のみがスケールに対向し、該一方のヘッドのみから出力が供給される状態との間を移行する際に、ヘッドの出力の繋ぎ処理を行う。以下、図3(A)〜図3(E)を用いてヘッドの繋ぎ処理について説明する。なお、説明の簡略化のため、図3(A)〜図3(E)において、スケール46には、2次元格子(グレーティング)が形成されているものとする。また、各ヘッド49X、49Yの出力は、理想値であるものとする。また、以下の説明では、隣接する一対のXヘッド49X(便宜上49X、49Xとする)についての繋ぎ処理について説明するが、隣接する一対のYヘッド49Y(便宜上49Y、49Yとする)においても、同様の繋ぎ処理が行われる。
図3(A)に示されるように、一対のXヘッド49X、49Xそれぞれが、隣接する一対のスケール46(便宜上46、46とする)のうち、+X側のスケール46を用いてマスクホルダ40(図2(A)参照)のX位置情報を求める場合、一対のXヘッド49X、49Xは、双方がX座標情報を出力する。ここでは、一対のXヘッド49X、49Xの出力は、同値となる。次いで、図3(B)に示されるように、マスクホルダ40が+X方向に移動すると、Xヘッド49Xが、スケール46の計測範囲外となるので、該計測範囲外となる前に、Xヘッド49Xの出力を無効扱いとする。従って、マスクホルダ40のX位置情報は、Xヘッド49Xの出力のみに基づいて求められる。
また、図3(C)に示されるように、マスクホルダ40(図2(A)参照)が更に+X方向に移動すると、Xヘッド49Xが−X側のスケール46に対向する。Xヘッド49Xは、スケール46を用いて計測動作可能な状態となった直後から、マスクホルダ40のX位置情報を出力するが、Xヘッド49Xの出力は、不定値(またはゼロ)からカウントを再開するのでマスクホルダ40のX位置情報の算出に用いることができない。従って、この状態で、一対のXヘッド49X、49Xそれぞれの出力の繋ぎ処理が必要となる。繋ぎ処理としては、具体的には、不定値(またはゼロ)とされたXヘッド49Xの出力を、Xヘッド49Xの出力を用いて(例えば同値となるように)補正する処理を行う。該繋ぎ処理は、マスクホルダ40が更に+X方向に移動して、図3(D)に示されるように、Xヘッド49Xが、スケール46の計測範囲外となる前に完了する。
同様に、図3(D)に示されるように、Xヘッド49Xが、スケール46の計測範囲外となった場合には、該計測範囲外となる前に、Xヘッド49Xの出力を無効扱いとする。従って、マスクホルダ40(図2(A)参照)のX位置情報は、Xヘッド49Xのみの出力に基づいて求められる。そして、図3(E)に示されるように、更にマスクホルダ40が+X方向に移動して、一対のXヘッド49X、49Xそれぞれがスケール46を用いて計測動作を行うことが可能となった直後に、Xヘッド49Xに対して、Xヘッド49Xの出力を用いた繋ぎ処理を行う。以降は、一対のXヘッド49X、49Xそれぞれの出力に基づいて、マスクホルダ40のX位置情報が求められる。
次に、基板エンコーダシステム50の構成について説明する。図4(A)及び図4(B)には、基板エンコーダシステム50の概念図が示されている。上記マスクエンコーダシステム48(図2(A)参照)では、位置が固定された一対のヘッドユニット44に対して複数のスケール46を保持するマスクホルダ40が移動したのに対し、基板エンコーダシステム50では、一対のヘッドユニット60は、基板ステージ装置20(本実施形態では、基板ホルダ34)が有している。
また、一対のヘッドユニット60は、基板ホルダ34に設けられたヘッドユニット駆動用アクチュエータ68(図7参照)によって、基板ホルダ34に対してY軸方向に所定のストロークで相対駆動可能になっている(図4(B)の矢印参照)。ヘッドユニット駆動用アクチュエータ68の種類は、特に限定されないが、例えばリニアモータ、送りネジ装置などを用いることができる。また、一対のヘッドユニット60の基板ホルダ34に対するX軸方向の相対移動は、例えば機械的に制限されている。従って、基板ホルダ34がX軸方向に長ストロークで移動する際には、一対のヘッドユニット60は、該基板ホルダ34と一体的にX軸方向に長ストロークで移動する。ただし、ヘッドユニット60と基板ホルダ34とが一体的にX軸方向に長ストロークで移動する際であっても、一対のヘッドユニット60の基板ホルダ34に対するY軸方向の相対移動は、妨げられない。
ここで、図1に示されるように、上架台部18aの下面には、複数(図1では紙面奥行き方向に重なっている)のスケール56が固定されている。スケール56は、図4(A)に示されるように、X軸方向に延びる部材から成る。これに対し、ヘッドユニット60は、上記マスクエンコーダシステム48におけるヘッドユニット44と同様に、複数のエンコーダヘッド(エンコーダヘッドの詳細に関しては後述する)を有している。基板ホルダ34がY軸方向に移動する際、主制御装置90(図7参照)は、ヘッドユニット60とスケール56との対向状態が維持されるように、ヘッドユニット60のY位置を制御する。この対向状態で基板ホルダ34がX軸方向に移動する際には、ヘッドユニット60も一体的にX軸方向に移動するので、ヘッドユニット60とスケール56との対向状態が維持される。従って、基板ホルダ34のXY平面内の位置に関わらず、ヘッドユニット60とスケール56との対向状態が維持される。ヘッドユニット60は、該複数のエンコーダヘッドの一部(上向きヘッド)により、複数のスケール56を用いてヘッドユニット60の上架台部18a(図1参照)に対するXY平面内の位置情報を求める(図4(A)参照)。
また、基板ホルダ34には、一対の凹部36(図4(B)参照)が形成されており、上記一対のヘッドユニット60は、該一対の凹部36の内部にそれぞれ配置されている。また、凹部36の底面には、複数のエンコーダスケール52(以下、単にスケール52と称する)が固定されている。ヘッドユニット60は、上記複数のエンコーダヘッドの他部(下向きヘッド)により、複数のスケール52を用いてヘッドユニット60自体の基板ホルダ34に対するXY平面内の位置情報を求める(図4(A)参照)。主制御装置90(図7参照)は、上記上向きヘッドの出力と、下向きヘッドの出力とに基づいて、上架台部18a(図1参照)を基準とする基板ホルダ34のXY平面内の位置情報を求める。
以下、図4(A)及び図4(B)に示される基板エンコーダシステム50の概念を、より具体化した一例について説明する。図4(C)に示されるように、本実施形態の基板ステージ装置20において、基板Pの+X側、及び−X側の領域には、それぞれスケール52がY軸方向に所定間隔で、例えば4つ配置されている。すなわち、基板ステージ装置20は、合計で、例えば8つのスケール52を有している。複数のスケール52それぞれは、基板Pの+X側と−X側とで紙面左右対称に配置されている点を除き、実質的に同じものである。スケール52は、上記マスクエンコーダシステム48のスケール46(それぞれ図2(A)参照)と同様に、例えば石英ガラスにより形成されたY軸方向に延びる平面視矩形の板状(帯状)の部材から成る。
なお、本実施形態では、複数のスケール52が基板ホルダ34の凹部36(図4(B)参照)内に固定されている場合について説明するが、複数のスケール52の配置の位置は、これに限らず、例えば基板ホルダ34の外側に該基板ホルダに対して所定の隙間を介した状態で、分離して(ただし、6自由度方向に関しては、基板ホルダ34と一体的に移動するように)配置されていても良い。
図5(A)に示されるように、スケール52の上面における、幅方向一側(図5(A)では、−X側)の領域には、Xスケール53xが形成されている。また、スケール52の上面における、幅方向他側(図5(A)では、+X側)の領域には、Yスケール53yが形成されている。Xスケール53x、及びYスケール53yの構成は、上記マスクエンコーダシステム48のスケール46(それぞれ図2(A)参照)に形成されたXスケール47x、及びYスケール47y(それぞれ図2(B)参照)と同じであるので説明を省略する。
また、装置本体18の上架台部18a(それぞれ図1参照)の下面には、複数のエンコーダスケール56(以下、単にスケール56と称する)が固定されている。本実施形態において、スケール56のY位置は、図1に示されるように、投影光学系16のY軸方向の中心位置と概ね一致している。スケール56は、図4(C)に示されるように、投影光学系16よりも+X側の領域に、例えば4つ、投影光学系16よりも−X側の領域に、例えば4つ、それぞれX軸方向に離間して配置されている。すなわち、上架台部18aの下面には、合計で、例えば8つのスケール56が固定されている。複数のスケール56それぞれは、実質的に同じものである。スケール56は、X軸方向に延びる平面視矩形の板状(帯状)の部材から成り、基板ステージ装置20に配置されたスケール52と同様に、例えば石英ガラスにより形成されている。なお、理解を容易にするために、図4(C)及び図5(B)では、複数のスケール56が実線で図示され、格子面が上向きに(+Z方向を向いて)示されているが、複数のスケール56の格子面は、実際には、下方(−Z側)を向いている。
図5(B)に示されるように、スケール56の下面における、幅方向一側(図5(B)では、−Y側)の領域には、Xスケール57xが形成されている。また、スケール56の下面における、幅方向他側(図3(C)では、+Y側)の領域には、Yスケール57yが形成されている。Xスケール57x、及びYスケール57yの構成は、上記マスクエンコーダシステム48のスケール46(それぞれ図2(A)参照)に形成されたXスケール47x、及びYスケール47y(それぞれ図2(B)参照)と同じであるので説明を省略する。
図4(C)に戻り、例えば2つのヘッドユニット60は、上述したように(図4(A)及び図4(B)参照)、基板ホルダ34内にほぼ全体(あるいは一部)が収納されている。例えば2つのヘッドユニット60それぞれは、図4(C)で紙面左右対称に配置されている点を除き実質的に同じものであるので、以下一方(+X側)について説明する。ヘッドユニット60は、図5(A)及び図5(B)から分かるように、Yスライドテーブル62、一対のXヘッド64x、及び一対のYヘッド64y(それぞれ図5(B)参照)、並びに一対のXヘッド66x、及び一対のYヘッド66y(それぞれ図5(A)参照)を備えている。
Yスライドテーブル62は、平面視矩形の板状の部材から成り、基板ホルダ34(図4(C)参照)に対して、例えば機械的なYリニアガイド装置(不図示)を介して取り付けられている。
Xヘッド64x、Yヘッド64y(図5(B)参照)、Xヘッド66x、及びYヘッド66y(図5(A)参照)それぞれは、上述したマスクエンコーダシステム48が有するXヘッド49x、Yヘッド49y(それぞれ図2(B)参照)と同様の、いわゆる回折干渉方式のエンコーダヘッドであり、Yスライドテーブル62に固定されている。ここで、ヘッドユニット60において、一対のYヘッド64y、一対のXヘッド64x、一対のYヘッド66y、及び一対のXヘッド66xは、それぞれの相互間の距離が、例えば振動などに起因して変化しないように、Yスライドテーブル62に対して固定されている。また、Yスライドテーブル62自体も、一対のYヘッド64y、一対のXヘッド64x、一対のYヘッド66y、及び一対のXヘッド66xそれぞれの相互間の距離が、例えば温度変化に起因して変化しないように、熱膨張率がスケール52、56より低い(あるいはスケール52、56と同等の)材料で形成されている。
図6に示されるように、一対のXヘッド64x(上向きヘッド)それぞれは、Xスケール57x上のX軸方向に互いに離間した2箇所(2点)に計測ビームを照射し、一対のYヘッド64y(上向きヘッド)それぞれは、Yスケール57y上のX軸方向に互いに離間した2箇所(2点)に計測ビームを照射する。基板エンコーダシステム50では、上記Xヘッド64x、及びYヘッド64yが対応するスケールからのビームを受光することにより、Yスライドテーブル62(図6では不図示。図4及び図5参照)の変位量情報を主制御装置90(図7参照)に供給する。
すなわち、基板エンコーダシステム50では、例えば4つ(2×2)のXヘッド64xと、該Xヘッド64xに対向するXスケール57x(Yスライドテーブル62のX位置によって異なる)とによって、一対のYスライドテーブル62(すなわち、一対のヘッドユニット60(図4(C)参照))それぞれの投影光学系16(図1参照)に対するX軸方向の位置情報を求めるための、例えば4つのXリニアエンコーダ94x(図7参照)が構成され、例えば4つ(2×2)のYヘッド64yと、該Yヘッド64yに対向するYスケール57y(Yスライドテーブル62のX位置によって異なる)とによって、一対のYスライドテーブル62それぞれの投影光学系16に対するY軸方向の位置情報を求めるための、例えば4つのYリニアエンコーダ94y(図7参照)が構成される。
主制御装置90は、図7に示されるように、例えば4つのXリニアエンコーダ94x、及び、例えば4つのYリニアエンコーダ94yの出力に基づいて、一対のヘッドユニット60(図4(C)参照)それぞれのX軸方向、及びY軸方向の位置情報を、例えば10nm以下の分解能で求める。また、主制御装置90は、1つのヘッドユニット60に対応する、例えば2つのXリニアエンコーダ94x(あるいは、例えば2つのYリニアエンコーダ94y)の出力に基づいて該ヘッドユニット60のθz位置情報(回転量情報)を求める。主制御装置90は、一対のヘッドユニット60それぞれのXY平面内の位置情報に基づき、ヘッドユニット駆動用アクチュエータ68(図7参照)を用いてヘッドユニット60のXY平面内の位置を制御する。
また、図4(C)に示されるように、スケール56は、投影光学系16の+X側、及び−X側の領域それぞれに、X軸方向に所定間隔で、例えば4つ配置されている。そして、上記マスクエンコーダシステム48と同様に、ひとつのヘッドユニット60が有する一対のXヘッド64x、及び一対のYヘッド64yそれぞれの間隔は、図5(B)に示されるように、隣接するスケール56間の間隔よりも広く設定されている。これにより、基板エンコーダシステム50では、一対のXヘッド64xのうち常に少なくとも一方がXスケール57xに対向するとともに、一対のYヘッド64yのうちの少なくとも一方が常にYスケール57yに対向する。従って、基板エンコーダシステム50は、計測値を途切れさせることなくYスライドテーブル62の位置情報を求めることができる。従って、ここでも、上述したマスクエンコーダシステム48におけるヘッド出力の繋ぎ処理と同様のヘッド出力の繋ぎ処理(図3(A)〜図3(E)参照)が行われる。
また、図6に示されるように、一対のXヘッド66x(下向きヘッド)それぞれは、Xスケール53x上のY軸方向に互いに離間した2箇所(2点)に計測ビームを照射し、一対のYヘッド66y(下向きヘッド)それぞれは、Yスケール53y上のY軸方向に互いに離間した2箇所(2点)に計測ビームを照射する。基板エンコーダシステム50では、上記Xヘッド66x、及びYヘッド66yが対応するスケールからのビームを受光することにより、ヘッドユニット60と基板ホルダ34(図6では不図示。図1参照)との相対変位量情報を主制御装置90(図7参照)に供給する。
すなわち、基板エンコーダシステム50では、例えば4つ(2×2)のXヘッド66xと、該Xヘッド66xに対向するXスケール53x(基板ホルダ34のY位置によって異なる)とによって、一対のヘッドユニット60それぞれの基板ホルダ34に対するX軸方向の位置情報を求めるための、例えば4つのXリニアエンコーダ96x(図6では不図示。図7参照)が構成され、例えば4つ(2×2)のYヘッド66yと、該Yヘッド66yに対向するYスケール53y(基板ホルダ34のY位置によって異なる)とによって、一対のヘッドユニット60それぞれの基板ホルダ34に対するY軸方向の位置情報を求めるための、例えば4つのYリニアエンコーダ96y(図6では不図示。図7参照)が構成される。
主制御装置90は、図7に示されるように、例えば4つのXリニアエンコーダ94x、及び、例えば4つのYリニアエンコーダ94yの出力、並びに上記4つのXリニアエンコーダ96x、及び、例えば4つのYリニアエンコーダ96yの出力、すなわち、一対のヘッドユニット60それぞれの、投影光学系16(図1参照)に対するXY平面内の位置情報と、基板ホルダ34に対するXY平面内の位置情報との演算結果に基づいて基板ホルダ34(図1参照)の装置本体18(図1参照)に対するX軸方向、及びY軸方向の位置情報を、例えば10nm以下の分解能で求める。また、主制御装置90は、例えば4つのXリニアエンコーダ94x(あるいは、例えば4つのYリニアエンコーダ94y)のうちの少なくとも2つの出力に基づいてヘッドユニット60と基板ホルダ34とのθz方向の相対位置情報(回転量情報)を求める。主制御装置90は、上記基板エンコーダシステム50の計測値から求められた基板ホルダ34のXY平面内の位置情報に基づき、基板駆動系93を用いて基板ホルダ34のXY平面内の位置を制御する。
また、図3(A)に示されるように、基板ホルダ34には、上述したように、基板Pの+X側、及び−X側の領域それぞれにスケール52がY軸方向に所定間隔で、例えば4つ配置されている。そして、上記マスクエンコーダシステム48と同様に、ひとつのヘッドユニット60が有する一対のXヘッド66x、及び一対のYヘッド66yそれぞれの間隔は、図5(A)に示されるように、隣接するスケール52間の間隔よりも広く設定されている。これにより、基板エンコーダシステム50では、一対のXヘッド66xのうち常に少なくとも一方がXスケール53xに対向するとともに、一対のYヘッド66yのうちの少なくとも一方が常にYスケール53yに対向する。従って、基板エンコーダシステム50は、計測値を途切れさせることなくヘッドユニット60と基板ホルダ34(図3(A)参照)との相対位置情報を求めることができる。従って、ここでも、上述したマスクエンコーダシステム48におけるヘッド出力の繋ぎ処理と同様のヘッド出力の繋ぎ処理(図3(A)〜図3(E)参照)が行われる。
図7には、液晶露光装置10(図1参照)の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置90の入出力関係を示すブロック図が示されている。主制御装置90は、ワークステーション(又はマイクロコンピュータ)等を含み、液晶露光装置10の構成各部を統括制御する。
上述のようにして構成された液晶露光装置10(図1参照)では、主制御装置90(図7参照)の管理の下、不図示のマスクローダによって、マスクステージ装置14上へのマスクMのロードが行われるとともに、不図示の基板ローダによって、基板ステージ装置20(基板ホルダ34)上への基板Pのロードが行なわれる。その後、主制御装置90により、不図示のアライメント検出系を用いてアライメント計測が実行され、そのアライメント計測の終了後、基板P上に設定された複数のショット領域に逐次ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。
次に、露光動作時におけるマスクステージ装置14、及び基板ステージ装置20の動作の一例を、図8(A)〜図15(B)を用いて説明する。なお、以下の説明では、1枚の基板P上に4つのショット領域が設定された場合(いわゆる4面取りの場合)を説明するが、1枚の基板P上に設定されるショット領域の数、及び配置は、適宜変更可能である。
図8(A)には、アライメント動作が完了した後のマスクステージ装置14が、図8(B)には、アライメント動作が完了した後の基板ステージ装置20(ただし基板ホルダ34以外の部材は不図示。以下、同じ)がそれぞれ示されている。露光処理は、一例として、図8(B)に示されるように、基板Pの−Y側かつ+X側に設定された第1ショット領域Sから行われる。マスクステージ装置14では、図8(A)に示されるように、照明系12からの照明光IL(それぞれ図1参照)が照射される照明領域(ただし、図8(A)に示される状態では、まだマスクMに対し照明光ILは照射されていない)よりもマスクMの+X側の端部が幾分−X側に位置するように、マスクエンコーダシステム48(図7参照)の出力に基づいてマスクMの位置決めがされる。
具体的には、例えば、照明領域に対してマスクMのパターン領域の+X側の端部が、所定の速度で走査露光するために必要な助走距離(すなわち、所定の速度に達するために必要な加速距離)だけ−X側に配置され、その位置においてマスクエンコーダシステム48によりマスクMの位置が計測できるようにスケール46が設けられている。主制御装置90(図7参照)も、少なくとも3つ(4つのヘッド49x、及び4つのヘッド49yのうちの3つ)のヘッドが、スケール46から外れない(計測可能範囲外とならない)範囲で、マスクホルダ40の位置制御を行う。
また、基板ステージ装置20では、図8(B)に示されるように、投影光学系16からの照明光IL(図1参照)が照射される露光領域(ただし、図8(B)に示される状態では、まだ基板Pに対し照明光ILは照射されていない)よりも第1ショット領域Sの+X側の端部が幾分−X側に位置するように、基板エンコーダシステム50(図7参照)の出力に基づいて基板Pの位置決めがされる。具体的には、例えば、露光領域に対して基板Pの第1ショット領域Sの+X側の端部が、所定の速度で走査露光するために必要な助走距離(すなわち、所定の速度に達するために必要な加速距離)だけ−X側に配置され、その位置において基板エンコーダシステム50により基板Pの位置が計測できるようにスケール52が設けられている。主制御装置90(図7参照)も、少なくとも3つ(4つのヘッド64x、及び4つのヘッド64yのうちの3つ)のヘッドがスケール56から外れない(計測可能範囲外とならない)範囲で、基板ホルダ34の位置制御を行う。なお、図8(B)では、+X側のヘッドユニット60は、スケール56と対向しないが、−X側のヘッドユニット60と同期駆動することにより、+X側のヘッドユニット60のXY平面の位置が制御可能である。なお、一対のヘッドユニット60常にスケール56から外れないように、スケール56を追加的に設けてもよい。
なお、ショット領域の走査露光を終えてマスクMおよび基板Pをそれぞれ減速する側においても、同様に走査露光時の速度から所定の速度まで減速させるために必要な減速距離だけマスクMおよび基板Pをさらに移動させるまでマスクエンコーダシステム48、基板エンコーダシステム50によりそれぞれマスクM、基板Pの位置を計測可能なようにスケール46、56が設けられている。あるいは、加速中および減速中の少なくとも一方の動作中には、マスクエンコーダシステム48、基板エンコーダシステム50とは別の計測系によってマスクMおよび基板Pの位置をそれぞれ計測できるようにしても良い。
次いで、図9(A)に示されるように、マスクホルダ40が+X方向に駆動(加速、等速駆動、及び減速)されるとともに、該マスクホルダ40に同期して、図9(B)に示されるように、基板ホルダ34が+X方向に駆動(加速、等速駆動、及び減速)される。マスクホルダ40が駆動される際、主制御装置90(図7参照)は、マスクエンコーダシステム48(図7参照)の出力に基づいてマスクMの位置制御を行うとともに、基板エンコーダシステム50(図7参照)の出力に基づいて基板Pの位置制御を行う。
基板ホルダ34がX軸方向に駆動される際、一対のヘッドユニット60は、基板ホルダ34対して相対移動せず(基板ホルダ34に対して静止状態とされ)、基板ホルダ34と一体的にX軸方向に移動する。すなわち、スキャン方向に関しては、基板ホルダ34(基板P)と、一対のヘッドユニット60(複数のヘッド64x、64y、66x、66y)とは、共通の駆動系(基板駆動系93(図7参照))によって位置制御が行われる。マスクホルダ40、及び基板ホルダ34がX軸方向に等速駆動される間、基板Pには、マスクM及び投影光学系16を通過した照明光IL(それぞれ図1参照)が照射され、これによりマスクMが有するマスクパターンがショット領域Sに転写される。この際、スケール56から外れていた+X側のヘッドユニット60がスケール56に対向するようになるので、一対のヘッドユニット60間で上述の繋ぎ処理を行うと良い。
基板P上の第1ショット領域Sに対するマスクパターンの転写が完了すると、基板ステージ装置20では、図10(B)に示されるように、第1ショット領域Sの+Y側の設定された第2ショット領域Sへの露光動作のために、基板ホルダ34が−Y方向に所定距離(基板Pの幅方向寸法のほぼ半分の距離)、基板エンコーダシステム50(図7参照)の出力に基づいて駆動(Yステップ)される。上記基板ホルダ34のYステップ動作時において、マスクホルダ40は、図10(A)に示されるように、マスクMの−X側の端部が照明領域(ただし、図10(A)に示される状態では、マスクMは照明されない)よりも幾分+X側に位置した状態で静止している。
また、基板ステージ装置20では、上記基板ホルダ34の−Y方向へのステップ動作と並行して、一対のヘッドユニット60がYリニアエンコーダ96y(図7参照)の出力に基づいて、+Y方向(すなわち、基板ホルダ34と逆方向)にマスクホルダ40と同じ距離、マスクホルダ40に対して駆動される。この場合、ヘッドユニット60は、見た目上は、投影光学系16に対してY軸方向に移動していないこととなる。従って、ヘッドユニット60とスケール56との対向状態が維持される。
以下、不図示であるが、基板ホルダ34のYステップ動作が完了すると、マスクエンコーダシステム48(図7参照)の出力に基づいてマスクホルダ40が−X方向に駆動されるとともに、該マスクホルダ40に同期して、基板エンコーダシステム50(図7参照)の出力に基づいて基板ホルダ34が−X方向に駆動される。これにより、第2ショット領域Sにマスクパターンが転写される。この際も、例えば4つのヘッドユニット60は、静止状態とされる。以下、上記マスクホルダ40のスキャン動作、基板ホルダ34のYステップ動作、及び基板ホルダ34のスキャン動作を適宜繰り返すことによって、基板P上の複数のショット領域に対して、マスクパターンが順次転写される。上記露光動作時において、一対のヘッドユニット60は、スケール56との対向状態が維持されるように、基板ホルダ34が+Y方向、及び−Y方向にステップする度に、該基板ホルダ34とは反対の方向に、同距離だけ駆動される。
ここで、上述したように、Yスケール53yは、X軸方向に延びる複数の格子線を有している。また、図16に示されるように、Yヘッド66yからYスケール53y上に照射される計測ビームの照射点66y(便宜上、Yヘッドと同じ符号を付して説明する)は、Y軸方向を長軸方向とする楕円状となっている。Yリニアエンコーダ94y(図6参照)では、Yヘッド66yとYスケール53yとがY軸方向に相対移動して計測ビームが格子線を跨ぐと、上記照射点からの±1次回折光の位相変化に基づいて、Yヘッド66yからの出力が変化する。
これに対し、主制御装置90(図6参照)は、上記スキャン露光動作中において、基板ホルダ34をスキャン方向(X軸方向)に駆動する際に、ヘッドユニット60(図4(B)参照)が有するYヘッド66yが、Yスケール53yを形成する複数の格子線を跨がないように、すなわち、Yヘッド66yからの出力が変化しない(変化がゼロである)ように、ヘッドユニット60のステップ方向の位置(Y位置)を制御する。
具体的には、例えばYスケール53yを構成する格子線間のピッチよりも高い分解能を有するセンサによってYヘッド66yのY位置を計測し、該Yヘッド66yからの計測ビームの照射点が格子線を跨ぎそう(Yヘッド66yの出力が変化しそう)になる直前で、Yヘッド66yのY位置をヘッドユニット駆動系86(図6参照)を介して制御する。なお、これに限らず、例えばYヘッド66yからの計測ビームが格子線を跨ぐことにより、Yヘッド66yの出力が変化した場合に、これに応じて、該Yヘッド66yを駆動制御することにより、実質的にYヘッド66yからの出力が変化しないようにしても良い。この場合、Yヘッド66yのY位置を計測するセンサが不要である。
以上の手順によって基板P上の第1〜第4ショット領域S〜Sにマスクパターンの転写が完了すると、所定の基板交換位置において、基板Pの交換が行われる。ここで、一般的に基板交換位置は、投影光学系16が基板交換の支障とならないように、投影光学系16の直下から離れた位置に設定されるので、基板交換位置へ基板ホルダ34を移動させる際に、ヘッドユニット60に取り付けられたXヘッド64x、Yヘッド64yが装置本体18に固定されたスケール56から外れ(非対向状態となり)、基板エンコーダシステム50の出力が切れる可能性がある。このような場合の対策としては、装置本体18にプレート交換時のためのスケール(あるいはマーク)を設けることが考えられる。
以上説明したように、本実施形態に係る液晶露光装置10によれば、マスクMのXY平面内の位置情報を求めるためのマスクエンコーダシステム48、及び基板PのXY平面内の位置情報を求めるための基板エンコーダシステム50(それぞれ図1参照)それぞれは、対応するスケールに対して照射される計測ビームの光路長が短いので、例えば従来の干渉計システムに比べて空気揺らぎの影響を低減できる。従って、マスクM、及び基板Pの位置決め精度が向上する。また、空気揺らぎの影響が小さいので、従来の干渉計システムを用いる場合に必須となる部分空調設備を省略でき、コストダウンが可能となる。
さらに、干渉計システムを用いる場合には、大きくて重いバーミラーをマスクステージ装置14、及び基板ステージ装置20に備える必要があったが、本実施形態に係るマスクエンコーダシステム48、及び基板エンコーダシステム50では、上記バーミラーが不要となるので、マスクホルダ40を含む系、及び基板ホルダ34を含む系それぞれが小型・軽量化するとともに重量バランスが良くなり、これによりマスクM、基板Pの位置制御性が向上する。また、干渉計システムを用いる場合に比べ、調整箇所が少なくて済むので、マスクステージ装置14、及び基板ステージ装置20のコストダウンし、さらにメンテナンス性も向上する。また、組み立て時の調整も容易(あるいは不要)となる。
また、本実施形態に係る基板エンコーダシステム50では、一対のヘッドユニット60を基板Pと反対方向にY軸方向に駆動することにより、ヘッドユニット60とスケール56との対向状態を維持するので、基板ホルダ34上にエンコーダヘッドをY軸方向に沿って複数配置する必要(あるいは装置本体18側のスケール56を広幅に形成する必要)がない。従って、基板位置計測系の構成をシンプルにすることができ、コストダウンが可能となる。
また、本実施形態に係るマスクエンコーダシステム48では、隣接する一対のエンコーダヘッド(Xヘッド49x、Yヘッド49y)の出力をマスクホルダ40のX位置に応じて適宜切り換えながら該マスクホルダ40のXY平面内の位置情報を求める構成であるので、複数のスケール46をX軸方向に所定間隔で(互いに離間して)配置しても、マスクホルダ40の位置情報を途切れることなく求めることができる。従って、マスクホルダ40の移動ストロークと同等の長さ(本実施形態のスケール46の約3倍の長さ)のスケールを用意する必要がなく、コストダウンが可能であり、特に本実施形態のような大型のマスクMを用いる液晶露光装置10に好適である。本実施形態に係る基板エンコーダシステム50も同様に、複数のスケール52がY軸方向に、複数のスケール56がX軸方向に、それぞれ所定間隔で配置されるので、基板Pの移動ストロークと同等の長さのスケールを用意する必要がなく、大型の基板Pを用いる液晶露光装置10に好適である。
《第2の実施形態》
次に、第2の実施形態に係る液晶露光装置について、図11(A)〜図11(C)を用いて説明する。第2の実施形態に係る液晶露光装置の構成は、基板エンコーダシステム150の構成が異なる点を除き、上記第1の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第1の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
上記第1の実施形態において、基板ステージ装置20(基板ホルダ34)が有していた一対のヘッドユニット60は、基板PのYステップ動作時に該基板Pとは反対方向にステップ移動するとともに、基板Pと一体的にスキャン方向に移動する構成であったのに対し、本第2の実施形態では、これとは逆に、基板PのYステップ動作時に基板Pと一体的にYステップ動作を行うとともに、基板Pのスキャン露光動作時において、該基板Pとは反対方向に長ストロークで移動する構成となっている。従って、基板エンコーダシステム50を構成するヘッドユニット60、スケール52、スケール56等の配置を、上記第1の実施形態に対し、Z軸周りに、例えば90°回転させたような配置構成となっている。
図11(A)及び図11(B)には、第2の実施形態の基板エンコーダシステム150の概念図が示されている。基板ホルダ34に形成された凹部36は、X軸方向に延び、該凹部の底面にX軸方向に延びるスケール52が固定されている。ヘッドユニット60は、上記第1の実施形態と同様に、凹部36内に配置されており、基板ホルダ34に対してX軸方向に所定の長ストロークで移動可能となっている。また、装置本体18(図1参照)には、Y軸方向に延びるスケール56が、投影光学系16(図11(C)参照)の+Y側と−Y側とにそれぞれ固定されている。
図11(C)により具体的に示されるように、基板ホルダ34の+Y側及び−Y側の領域それぞれには、例えば5つのスケール52が、X軸方向に所定間隔で配置され、装置本体18(図1参照)の下面であって、投影光学系16の+Y側及び−Y側の領域それぞれには、例えば2つのスケール56が所定間隔で配置されている。各スケール52、54には、それぞれXスケール53x、57x、Yスケール53y、57y(図6参照)が形成され、ヘッドユニット60には、該Xスケール35x、57x、Yスケール53y、57yを用いてヘッドユニット60の投影光学系16、あるいは基板ホルダ34に対する相対変位量を計測するためのエンコーダヘッド(不図示)が取り付けられている点は、上記第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。複数のスケールが互いに離間して配置されていることから、隣接する一対のヘッド間で繋ぎ処理が行われる点も、上記第1の実施形態と同様である。
本第2の実施形態では、基板Pのスキャン露光動作時において、見た目上、一対のヘッドユニット60のX位置が変わらないように、基板Pとは反対方向に、且つ同じ距離、一対のヘッドユニット60がX軸方向に駆動される。つまり、ヘッドユニット60は、基板Pに対してX方向へ相対移動される。これにより、一対のヘッドユニット60が対応するスケール56から外れることがないので、基板エンコーダシステム150の計測値が途切れない。これに対し、基板PのYステップ動作時には、基板ホルダ34と一対のヘッドユニット60とは、共通の駆動系(基板駆動系93(図7参照))によって一体的にY軸方向に長ストロークで移動可能となっている。
なお、以上説明した第1及び第2の各実施形態の構成は、一例であって、適宜変更が可能である。例えば上記第1の実施形態では、一対のヘッドユニット60が基板ホルダ34に設けられるとともに、該ヘッドユニット60を駆動するためのアクチュエータも基板ホルダ34が有していたが、これに限られず、例えば図12に示されるように、ヘッドユニット60が装置本体18の上架台部18aに吊り下げ支持されていても良い。この場合、ヘッドユニット60は、該ヘッドユニット60をX軸方向に直進案内するガイド装置256を介して装置本体18に取り付けられている。また、基板ステージ装置220は、上記第1の実施形態とは逆に、X粗動ステージ22X上にY粗動ステージ22Yが載置された構成となっている。そして、X粗動ステージ22Xには、一対のヘッドユニット60それぞれに機械的に連結されたアーム部材222が接続されている。なお、図12では、スケール52が基板ホルダ34の外側に配置されているが、上記第1の実施形態と同様に、基板ホルダ34上(あるいは基板ホルダ34内)に配置されていても良い。
本変形例では、X粗動ステージ22X(及び基板ホルダ34)がスキャン露光動作時にX軸方向に所定の長ストロークで移動すると、アーム部材222を介して該X粗動ステージ22Xと一体的に一対のヘッドユニット60が投影光学系に対してX軸方向に移動する。この際、基板ホルダ34と、一対のヘッドユニット60とは、共通の駆動系(基板駆動系93(図7参照)の一部を構成するXアクチュエータ)によって駆動される。また、基板PのYステップ動作時には、Y粗動ステージ22Y(及び基板ホルダ34)のみがY軸方向に移動するので、ヘッドユニット60の投影光学系16に対する位置は、変化しない。このように、本変形例のヘッドユニット60の動作は、上記第1の実施形態と同じである。本変形例によれば、ヘッドユニット60を駆動するための専用のアクチュエータが不要であるので、基板P近傍での発熱、あるいは発塵を抑制できる。
また、例えば第2の実施形態でも、一対のヘッドユニット60が基板ホルダ34に設けられるとともに、該ヘッドユニット60を駆動するためのアクチュエータも基板ホルダ34が有していたが、これに限られず、例えば図13に示されるように、ヘッドユニット60が装置本体18の上架台部18aに吊り下げ支持されていても良い。ヘッドユニット60は、図12に示される変形例と同様に、ガイド装置256を介して装置本体18に取り付けられている。基板ステージ装置220は、第1の実施形態と同様に、Y粗動ステージ22Y上にX粗動ステージ22Xが載置され、Y粗動ステージ22Yには、一対のヘッドユニット60それぞれに接続された一対のアーム部材222が接続されている。本変形例でも、スケール52は、基板ホルダ34上(あるいは基板ホルダ34内)に配置されていても良い。
本変形例では、Y粗動ステージ22X(及び基板ホルダ34)がYステップ動作時にY軸方向に所定の長ストロークで移動すると、アーム部材222を介して該Y粗動ステージ22Yと一体的に一対のヘッドユニット60が投影光学系に対してY軸方向に移動する。この際、基板ホルダ34と、一対のヘッドユニット60とは、共通の駆動系(基板駆動系93(図7参照)の一部を構成するYアクチュエータ)によって駆動される。また、基板Pのスキャン露光動作時には、X粗動ステージ22X(及び基板ホルダ34)のみがX軸方向に移動するので、ヘッドユニット60の投影光学系16に対する位置は、変化しない。このように、本変形例のヘッドユニット60の動作は、上記第2の実施形態と同じである。本変形例によれば、ヘッドユニット60を駆動するための専用のアクチュエータが不要であるので、基板P近傍での発熱、あるいは発塵を抑制できる。
また、図14(A)及び図14(B)に示されるように、ヘッドユニット60が有する一対のエンコーダヘッド(すなわち一対のXヘッド64x、一対のXヘッド66x、一対のYヘッド64y、及び一対のYヘッド66yそれぞれ)の相互間の距離をセンサ164、166で計測し、該計測値を用いて基板エンコーダシステム50の出力を補正しても良い。センサ164、166の種類は、特に限定されないが、例えばレーザ干渉計などを用いることができる。基板エンコーダシステム50では、上述したように、一対のエンコーダヘッドの出力の繋ぎ処理を行うが、この繋ぎ処理において、一対のエンコーダヘッド間の間隔で既知、且つ不変であることが前提条件となる。このため、各ヘッドが取り付けられるYスライドテーブル62としては、例えば熱膨張などの影響が少ない材料により形成されているが、本変形例のように、エンコーダヘッド間の間隔を計測することによって、仮にYスライドテーブル62が変形(一対のエンコーダヘッド間の間隔が変化)したとしても、高精度で基板Pの位置情報を求めることができる。同様に、マスクエンコーダシステム48においても、一対のエンコーダヘッド(すなわち一対のXヘッド49x、及び一対のYヘッド49y)間の距離を計測し、該計測値を用いてマスクエンコーダシステム48の出力を補正しても良い。マスクエンコーダシステム48のヘッド49x、49yに関しても同様である。また、ヘッドユニット60が有する全て(本実施形態では、例えば合計で8つ)のヘッド(下向きの一対のヘッド66x、66y、上向きの一対のヘッド64x、64y)それぞれの相対的な位置関係を計測し、計測値を補正しても良い。
また、上述したように、ヘッドユニット60が有する一対のエンコーダヘッド(すなわち一対のXヘッド64x、一対のXヘッド66x、一対のYヘッド64y、及び一対のYヘッド66yそれぞれ)の相互間の距離を適宜(例えば基板交換毎に)計測するキャリブレーション動作を行ってもよい。また、上記ヘッド間の間隔の測定を行うキャリブレーションポイントとは別に、マスクエンコーダシステム48、基板エンコーダシステム50それぞれの出力の原点位置決めを行うためのキャリブレーションポイントを設けても良い。該原点位置決めを行うための位置決めマークは、例えば複数のスケール46、52の延長線上(外側)に配置しても良いし、隣接する一対のスケール46、52間に配置しても良いし、あるいは、スケール46、52内に形成しても良い。
また、各エンコーダヘッド64x、64y、66x、66yが取り付けられたYスライドテーブル62の水平面に対する傾き(θx、θy方向の傾斜)量を求め、該傾き量(すなわち、各ヘッド64x、64y、66x、66yの光軸の倒れ量)に応じて基板エンコーダシステム50の出力を補正しても良い。計測系としては、図15(A)に示されるように、複数のZセンサ64zをYスライドテーブル62に取り付け、上架台部18aを基準としてYスライドテーブル62の傾き量を求める計測系を用いることができる。あるいは、図15(B)に示されるように、2軸のレーザ干渉計264を基板ホルダ34(図1参照)に設けて、Yスライドテーブル62の傾き量(θx、θy方向の傾斜量)及び回転量(θz方向の回転量)を求めても良い。また、各ヘッド64x、64y、66x、66yの傾き量を個別に計測しても良い。
また、例えば、上記第1実施形態のマスクエンコーダシステム48、基板エンコーダシステム50において、エンコーダヘッド、及びスケールの配置は逆であっても良い。すなわち、例えばマスクホルダ40の位置情報を求めるためのXリニアエンコーダ92x、Yリニアエンコーダ92yは、マスクホルダ40にエンコーダヘッドが取り付けられ、エンコーダベース43にスケールが取り付けられる構成であっても良い。また、基板ホルダ34の位置情報を求めるためのXリニアエンコーダ96x、Yリニアエンコーダ96yは、Yスライドテーブル62にスケールが取り付けられ、基板ホルダ34にエンコーダヘッドが取り付けられても良い。その場合、基板ホルダ34に取り付けられるエンコーダヘッドは、Y軸方向(第1の実施形態の場合)、あるいはX軸方向(第2の実施形態の場合)に沿って複数配置され、相互に切り換え動作可能に構成されると良い。同様に、Yスライドテーブル62の位置情報を求めるためのXリニアエンコーダ94x、Yリニアエンコーダ94yは、Yスライドテーブル62にスケールが取り付けられ、装置本体18にエンコーダヘッドが取り付けられても良い。その場合、エンコーダベース54に取り付けられるエンコーダヘッドは、X軸方向(第1の実施形態の場合)、あるいはY軸方向(第2の実施形態の場合)に沿って複数配置され、相互に切り換え動作可能に構成されると良い。この場合に、Yスライドテーブル62に固定されるスケールを共通化しても良い。
また、マスクエンコーダシステム48では、例えば3つのスケール46がX軸方向に離間して配置され、第1の実施形態に係る基板エンコーダシステム50では、例えば4つのスケール52がY軸方向、例えば4つのスケール56がX軸方向にそれぞれ離間して配置される場合を説明したが、スケールの数は、これに限られず、例えばマスクM、基板Pの大きさ、あるいは移動ストロークに応じて適宜変更が可能である。また、必ずしも複数のスケールが離間して配置されていなくても良く、例えばより長いひとつのスケール(上記実施形態の場合では、例えばスケール46の約3倍の長さのスケール、スケール52の約4倍の長さのスケール、スケール56の約4倍の長さのスケール)を用いても良い。
また、スケールを複数設ける場合、各スケールの長さが互いに異なっていても良い。例えば、X軸方向に延びるスケールの長さを、ショット領域のX軸方向の長さより長く設定することにより、走査露光動作時における繋ぎ処理を回避することができる。Y軸方向に延びるスケールについても同様である。さらに、ショット領域の数の変化に対応できるように(例えば4面取りの場合と6面取りの場合)、投影光学系16の一側に配置されるスケールと、他側に配置されるスケールとで、互いに長さを異ならせても良い。また両者をX軸方向に相対的にずらして配置するようにしても良い。
また、上記実施形態では、Xスケール(図中に示されるX軸方向計測用の格子パターン)やYスケール(図中に示されるY軸方向計測用の格子パターン)を、互いに独立したスケール用部材(例えばエンコーダベース上に配置されている複数のスケール部材)に設けるように構成している。しかしながら、これら複数の格子パターンを、同一の長いスケール用部材上に一群の格子パターンごと分けて形成するようにしても良い。また同一の長いスケール用部材上に格子パターンを連続して形成しても良い。
また、基板ホルダ34上において、X軸方向に複数のスケールが、所定間隔の隙間を介しながら連なって配置されたスケール群(スケール列)を、複数列、互いにY軸方向に離れた異なる位置(例えば投影光学系16に対して一方の側(+Y側)の位置と、他方(−Y側)の位置)に配置する場合に、複数列間において、上記所定間隔の隙間の位置がX軸方向において重複しないように配置しても良い。このように複数のスケール列を配置すれば、互いのスケール列に対応して配置されたヘッドが同時に計測範囲外になる(換言すれば、両ヘッドが同時に隙間に対向する)ことがない。
また、基板ホルダ34上で、X軸方向に複数のスケールが、所定間隔の隙間を介しながら連なって配置されたスケール群(スケール列)において、1つのスケール(X軸計測用のパターン)のX軸方向の長さを、1ショット領域の長さ(基板ホルダ上の基板をX軸方向に移動させながらスキャン露光を行う際に、デバイスパターンが照射されて基板上に形成される長さ)分だけ連続して測定できるような長さにしても良い。このようにすれば、1ショット領域のスキャン露光中に、複数スケールに対するヘッドの乗継制御を行わずに済むため、スキャン露光中の基板P(基板ホルダ)の位置計測(位置制御)を容易にできる。
また、基板ホルダ34上の、所定間隔の隙間を介しながら複数のスケールがX軸方向に連なって配置されたスケール群(スケール列)において、上記実施形態では各スケールの長さが同一の長さのものを連ねて配置しているが、互いに長さの異なるスケールを連ねて配置するようにしても良い。例えば、基板ホルダ34上のスケール列において、X軸方向における両端部寄りにそれぞれ配置されるスケール(スケール列において、各端部に配置されるスケール)のX軸方向の長さよりも、中央部に配置されるスケールの方を物理的に長くしても良い。
なお、上記実施形態では、基板ホルダ34上の、所定間隔の隙間を介しながら複数のスケールがX軸方向に連なって配置されたスケール群(スケール列)において、複数のスケール間の距離(換言すれば隙間の長さ)と、1つのスケールの長さと、そのスケール列に対して相対移動する2つのヘッド(1つのヘッドユニット60内部において互いに対向配置されているヘッド、例えば図7に示す2つのヘッド66x)とは、「1つのスケール長さ > 対向配置されているヘッド間の距離 > スケール間の距離」の関係を満たすように配置されている。この関係は、基板ホルダ34上に設けられたスケールとそれに対応するヘッド60だけでなく、スケール56とそれに対応するヘッド60との間においても満たされている。
なお、あるヘッド60とそれに対応するスケール列(所定の隙間を介して複数のスケールを所定方向に連なって配置されるスケール列)とがX軸方向に相対的に移動している際に、ヘッド60内のある一組のヘッド(例えば図6のXヘッド66xとYヘッド66y)が上述のスケール間の隙間に同時に対向した後で別のスケールに同時に対向した場合(ヘッド66x,66yが別のスケールに乗り継いだ場合)に、その乗り継いだヘッドの計測初期値を算出する必要がある。その際に、乗り継いだヘッドとは別の、ヘッド60内の残りの一組のヘッド(66x,66y)と、それとは更に別の1つのヘッド(X軸方向に離れて且つ、落ちたヘッドとの距離がスケール長よりも短い位置に配置されるもの)の出力とを用いて、乗り継いだヘッドの乗継の際の初期値を算出するようにしても良い。上述の更に別のヘッドは、X軸方向の位置計測用ヘッドでもY軸方向の位置計測用ヘッドでも構わない。
また、上記各実施形態において、ヘッド60が基板ホルダ34に同期して移動する、と説明する場面があるが、これはヘッド60が、基板ホルダ34に対する相対的な位置関係を概ね維持した状態で移動することを意味し、ヘッド60、基板ホルダ34の両者間の位置関係、移動方向、及び移動速度が厳密に一致した状態で移動する場合に限定されるものではない。
また、スケール46、52、56それぞれの表面にXスケールとYスケールとが独立に形成された場合を説明したが、これに限られず、例えばXY2次元スケールを用いても良い。この場合、エンコーダヘッドもXY2次元ヘッドを用いることができる。また、回折干渉方式のエンコーダシステムを用いる場合について説明したが、これに限られず、いわゆるピックアップ方式、磁気方式などの他のエンコーダも用いることができ、例えば米国特許第6,639,686号明細書などに開示されるいわゆるスキャンエンコーダなども用いることができる。また、Yスライドテーブル62の位置情報は、エンコーダシステム以外の計測システム(例えば光干渉計システム)により求められても良い。
また、複数のスケール56は、上架台部18a(光学定盤)の下面に直接貼り付けられる構成であったが、これに限られず、所定のベース部材を上架台部18aの下面に対して離間した状態で吊り下げ配置し、該ベース部材に複数のスケール56を貼り付けても良い。
また、基板ステージ装置20は、少なくとも基板Pを水平面に沿って長ストロークで駆動できれば良く、場合によっては6自由度方向の微少位置決めができなくても良い。このような2次元ステージ装置に対しても上記各実施形態に係る基板エンコーダシステムを好適に適用できる。
また、照明光は、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、例えばDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ(波長:355nm、266nm)などを使用しても良い。
また、投影光学系16が複数本の光学系を備えたマルチレンズ方式の投影光学系である場合について説明したが、投影光学系の本数はこれに限らず、1本以上あれば良い。また、マルチレンズ方式の投影光学系に限らず、オフナー型の大型ミラーを用いた投影光学系などであっても良い。また、投影光学系16としては、拡大系、又は縮小系であっても良い。
また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機EL(Electro-Luminescence)パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。
また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状(可撓性を有するシート状の部材)のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が500mm以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。
液晶表示素子(あるいは半導体素子)などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク(あるいはレチクル)を製作するステップ、ガラス基板(あるいはウエハ)を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
なお、上記実施形態で引用した露光装置などに関する全ての米国特許出願公開明細書及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
以上説明したように、本発明の露光装置及び露光方法は、照明光により物体を露光するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの生産に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。
10…液晶露光装置、14…マスクステージ装置、20…基板ステージ装置、34…基板ホルダ、40…マスクホルダ、44…ヘッドユニット、46…スケール、48…マスクエンコーダシステム、50…基板エンコーダシステム、52…スケール、56…スケール、60…ヘッドユニット、90…主制御装置、M…マスク、P…基板。

Claims (12)

  1. 投影光学系を介して照明光により物体を露光する露光装置であって、
    前記物体を保持する保持部と、
    計測部と被計測部とを含み、前記計測部の出力に基づいて前記保持部の位置情報を取得する位置計測部と、
    前記保持部上の前記計測部と前記被計測部と一方を他方に対して相対移動させる第1駆動部と、を備える露光装置。
  2. 前記計測部と前記被計測部とを移動させる第2駆動部を備え、
    前記第1駆動部は、前記計測部と前記被計測部との一方を他方に対して第1方向へ相対移動させ、
    前記第2駆動部は、前記保持部を前記第1方向に交差する第2方向へ移動させながら、前記計測部と前記被計測部とを前記第2方向へ移動させる請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記第1駆動部と前記第2駆動部との一方を他方が下方から支持する請求項2に記載の露光装置。
  4. 前記位置計測部は、前記第1方向に関して互いに離れて配置される複数の格子領域を有する前記被計測部と、前記被計測部に対してそれぞれ計測ビームを照射し、かつ前記第1および第2方向を含む所定平面内で移動可能な複数の前記計測部と、前記第2方向に関する複数の前記計測部の位置情報を計測する計測装置と、を有し、複数の前記計測部が前記保持部上に設けられるとともに、前記被計測部が前記計測部と対向するように設けられ、前記計測ビームが前記複数の格子領域の少なくとも1つに照射される複数の前記計測部の計測情報と、前記計測装置の計測情報とに基づいて、前記保持部の位置情報を計測する請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置。
  5. 前記計測装置は、前記第2方向に関して互いに離れて配置される複数の格子領域を有する前記被計測部と、前記被計測部に対してそれぞれ計測ビームを照射し、かつ前記第1および第2方向を含む所定平面内で移動可能な複数の前記計測部とを有する請求項4に記載の露光装置。
  6. 前記投影光学系を支持するフレーム部材を備え、
    前記被計測部は、前記フレーム部材に設けられる請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置。
  7. 所定のパターンを保持するパターン保持体と、前記パターン保持体を前記第1方向に駆動する第3駆動部とを有し、エネルギビームを用いて前記パターン保持体を介して前記物体に前記パターンを形成する形成装置を備える請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置。
  8. 前記物体は、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である請求項7に記載の露光装置。
  9. 前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が500mm以上である請求項8に記載の露光装置。
  10. 請求項8又は9に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
    露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
  11. 請求項7に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
    露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
  12. 投影光学系を介して照明光により物体を露光する露光方法であって、
    計測部と被計測部とを含む位置計測部の前記計測部の出力に基づいて、前記物体を保持する保持部の位置情報を取得することと、
    第1駆動部により前記保持部上の前記計測部と前記被計測部と一方を他方に対して相対移動させることと、を含む露光方法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111812949A (zh) * 2015-09-30 2020-10-23 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法
US10585355B2 (en) * 2015-09-30 2020-03-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method
CN108139683B (zh) * 2015-09-30 2021-11-05 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法
CN108139676B (zh) * 2015-09-30 2022-03-18 株式会社尼康 移动体装置、曝光装置、平面显示器的制造方法、及组件制造方法
JP6885335B2 (ja) * 2015-09-30 2021-06-16 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに物体の移動方法
US10514617B2 (en) * 2015-09-30 2019-12-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, manufacturing method of flat-panel display, device manufacturing method, and exposure method
CN113504712B (zh) * 2016-09-30 2023-09-19 株式会社尼康 曝光装置、平板显示器的制造方法、以及元件制造方法
CN109116593B (zh) * 2018-08-02 2021-07-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 母板曝光方法
JP7114450B2 (ja) * 2018-12-04 2022-08-08 株式会社日立ハイテク ステージ装置、及び荷電粒子線装置
KR20210011536A (ko) 2019-07-22 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 미세 소자의 전사 장치 및 전사 방법
JP2024121091A (ja) * 2023-02-27 2024-09-06 株式会社Screenホールディングス 描画装置および描画方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10318791A (ja) * 1997-05-14 1998-12-04 Sony Precision Technol Inc スケール装置
JP2007121277A (ja) * 2005-09-29 2007-05-17 Mitsutoyo Corp アブソリュート型リニアエンコーダ
JP2011049557A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2011145150A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Tohoku Univ 光学式エンコーダの設計方法
JP2012198372A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置および描画方法
JP2015109079A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 スンハン・エンジニアリング・コーポレイション ガントリー型xyリニアモーションステージの動的変形誤差と熱的変形誤差とをリアルタイムで補償するためのシステム、ステージ装置並びにこのステージ装置を製造、測定及び検査する設備
WO2015147319A1 (ja) * 2014-03-28 2015-10-01 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び移動体駆動方法
WO2017057583A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP2001215718A (ja) 1999-11-26 2001-08-10 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US6639686B1 (en) 2000-04-13 2003-10-28 Nanowave, Inc. Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams
US7561270B2 (en) * 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US20020109823A1 (en) * 2001-02-09 2002-08-15 Nikon Corporation. Wafer stage assembly
US7956876B2 (en) 2005-03-15 2011-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Drive method of display device, drive unit of display device, program of the drive unit and storage medium thereof, and display device including the drive unit
JP4985396B2 (ja) * 2005-03-29 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法
US7432497B2 (en) 2005-09-29 2008-10-07 Mitutoyo Corporation Absolute linear encoder
EP3418807A1 (en) 2006-08-31 2018-12-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2008129762A1 (ja) 2007-03-05 2008-10-30 Nikon Corporation 移動体装置、パターン形成装置及びパターン形成方法、デバイス製造方法、移動体装置の製造方法、並びに移動体駆動方法
DE102008010284A1 (de) * 2008-02-21 2009-08-27 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh XY-Tisch mit einer Messanordnung zur Positionsbestimmung
JP2009281946A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Nikon Corp 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2010062210A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
TW201100975A (en) * 2009-04-21 2011-01-01 Nikon Corp Moving-object apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
NL2005013A (en) * 2009-07-31 2011-02-02 Asml Netherlands Bv Positioning system, lithographic apparatus and method.
JP2012033922A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US8988655B2 (en) 2010-09-07 2015-03-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, movable body apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method
US9360772B2 (en) * 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10318791A (ja) * 1997-05-14 1998-12-04 Sony Precision Technol Inc スケール装置
JP2007121277A (ja) * 2005-09-29 2007-05-17 Mitsutoyo Corp アブソリュート型リニアエンコーダ
JP2011049557A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2011145150A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Tohoku Univ 光学式エンコーダの設計方法
JP2012198372A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置および描画方法
JP2015109079A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 スンハン・エンジニアリング・コーポレイション ガントリー型xyリニアモーションステージの動的変形誤差と熱的変形誤差とをリアルタイムで補償するためのシステム、ステージ装置並びにこのステージ装置を製造、測定及び検査する設備
WO2015147319A1 (ja) * 2014-03-28 2015-10-01 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び移動体駆動方法
WO2017057583A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法

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