JPWO2017056440A1 - 光変調器、光送信器および光変調方法 - Google Patents

光変調器、光送信器および光変調方法 Download PDF

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Abstract

多値変調方式が適用された場合であっても、バイアス電圧を変調手段の透過特性に対応させることができる光変調器を提供するために、光変調器10は、情報信号の振幅を変調手段50の透過特性に対応させる振幅情報を生成し、ディザー信号を加算して出力する振幅情報制御手段20、情報信号の振幅の中心を変調手段50の透過特性に対応させるバイアス値を生成して出力するバイアス値制御手段30、振幅情報に基づいて情報データの振幅を補正し、情報信号として出力するデータ出力手段40、バイアス値に基づいて情報信号の振幅の中心を補正し、情報信号を用いて連続光を変調して変調信号を出力する変調手段50、および、変調信号から振幅情報に加算されているディザー信号を抽出し、振幅情報に加算されているディザー信号の強度の微分値がゼロになるように振幅情報およびバイアス値を調整する調整手段60を備える。

Description

本発明は、光変調器、光送信器および光変調方法に関する。
2.5Gbit/sや10Gbit/sの光伝送システムに替わり、40Gbit/sや100Gbit/s以上の超高速長距離光伝送システムが普及しつつある。超高速長距離光伝送システムにおいては、光位相変調(Phase Shift Keying)方式や、デジタルコヒーレント受信方式の採用が有力視されている。ここで、光位相変調方式は、光信号対雑音(Optical Signal to Noise Ratio)耐力特性や波長分散(Chromatic Dispersion)耐力特性、偏波モード分散(Polarization Mode Dispersion)耐力特性などの、長距離光ファイバ伝送において要求される特性が優れている。また、デジタルコヒーレント受信方式においては、受信側におけるコヒーレント受信(Coherent Detection)と、デジタル信号処理(Digital Signal Processing)技術とが、組み合わされている。
位相変調方式の中でも、特に、伝送特性、実現容易性及びコストのバランスから、2値位相変調方式(BPSK:Binary Phase Shift Keying)や、4値位相変調方式(QPSK:Quadrature Phase Shift Keying)が有力視されている。さらには、使用する光周波数帯域幅を増加させることなく伝送容量を拡大するために、光周波数利用効率に優れる直交振幅変調(QAM:Quadrature Amplitude Modulation)方式の検討も進められており、4値あるいは8値の駆動信号を用いる16QAMあるいは64QAMなどの、多値変調方式の研究・開発が盛んに行われている。これらの光伝送方式の詳細は、例えば、特許文献1−5に開示されている。
特許文献1には、バイアス電圧に低周波信号を重畳し、変調器から出力される変調信号から重畳した低周波信号を抽出して変調器のバイアス電圧を制御すると共に、駆動回路に与えられる振幅制御信号に低周波信号を重畳し、変調信号から重畳した低周波信号を抽出して変調信号の振幅を制御する光変調装置が開示されている。
特開2012−141565号公報 特開2011−150052号公報 特開2005−148329号公報 特開2003−295138号公報 特開平3−251815号公報
ここで、特許文献1の技術は、BPSKやQPSKなどの2値あるいは4値位相変調方式においては有効に機能するが、より多値度の高い16QAMや64QAMなどの多値変調方式においては、有効に機能しない。この理由は、16QAMや64QAMなどの多値変調方式においては、駆動電気信号振幅も4値または8値の異なる振幅で駆動する必要があり、それらに個々に低周波信号を重畳しても、変調器から出力される変調信号から抽出される低周波信号の合計パワーは、2値あるいは4値位相変調方式とは異なり、最適点でゼロとならないためである。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、多値変調方式が適用された場合であっても、バイアス電圧を変調手段の透過特性に対応させることができる光変調器、光送信器および光変調方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係る光変調器は、情報信号の振幅を変調手段の透過特性に対応させる振幅情報を生成し、ディザー信号を加算して出力する振幅情報制御手段と、前記情報信号の振幅の中心を前記変調手段の透過特性に対応させるバイアス値を生成して出力するバイアス値制御手段と、出力された前記振幅情報に基づいて入力された情報データの振幅を補正し、前記情報信号として出力するデータ出力手段と、出力された前記バイアス値に基づいて前記出力された情報信号の振幅の中心を補正し、前記情報信号を用いて入力された連続光を変調して変調信号を出力する変調手段と、前記出力された変調信号から前記振幅情報に加算されているディザー信号を抽出し、前記抽出した振幅情報に加算されているディザー信号の強度の微分値がゼロになるように前記生成された振幅情報および前記生成されたバイアス値を調整する調整手段と、を備える。
上記目的を達成するために本発明に係る光送信器は、連続光を生成して出力する光出力手段と、前記出力された連続光を変調する上記の光変調器と、を備える。
上記目的を達成するために本発明に係る光変調方法は、情報信号の振幅を変調手段の透過特性に対応させる振幅情報を生成し、ディザー信号を加算して出力し、前記情報信号の振幅の中心を前記変調手段の透過特性に対応させるバイアス値を生成して出力し、出力した前記振幅情報に基づいて出力した情報データの振幅を補正し、前記情報信号として出力し、前記変調手段を用いて、出力した前記バイアス値に基づいて出力した前記情報信号の振幅の中心を補正し、前記情報信号を用いて連続光を変調して変調信号を出力し、出力した前記変調信号から前記振幅情報に加算されたディザー信号を抽出し、前記抽出した振幅情報に加算されているディザー信号の強度の微分値がゼロになるように前記生成された振幅情報および前記生成されたバイアス値を調整する。
上述した本発明の態様によれば、多値変調方式が適用された場合であっても、バイアス電圧を変調手段の透過特性に対応させることができる。
第1の実施形態に係る光変調器10のブロック構成図である。 第2の実施形態に係る光送信器100のブロック構成図である。 第2の実施形態に係る光検出部600のブロック構成図である。 第2の実施形態に係る光送信器100に2値光位相変調方式を適用した場合の駆動電圧と光透過率の関係を示す図である。 2値光位相変調方式の光送信器100において、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を用いた制御を適用した場合の制御結果を示す図である。 第2の実施形態に係る光送信器100に64QAM変調方式を適用した場合の駆動電圧と光透過率の関係を示す図である。 低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を用いた制御を適用した場合のシミュレーション結果である。 低周波Dither信号が重畳された駆動振幅を用いた制御を適用した場合のシミュレーション結果である。 低周波Dither信号が重畳された駆動振幅を用いた制御を適用した場合の微分値に関するシミュレーション結果である。 第2の実施形態に係る制御部700のブロック構成図である。 多値光位相変調方式の光送信器100において、低周波Dither信号が重畳された駆動振幅を用いた制御を適用した場合の制御結果を示す図である。
<第1の実施形態>
本発明の第1の実施形態について説明する。本実施形態に係る光変調器のブロック構成図を図1に示す。図1において、光変調器10は、振幅情報制御手段20、バイアス値制御手段30、データ出力手段40、変調手段50および調整手段60を備える。
振幅情報制御手段20は、情報信号の振幅を変調手段50の透過特性に対応させる振幅情報を生成し、ディザー信号を加算してデータ出力手段40へ出力する。ここで、本実施形態に係る振幅情報制御手段20は、情報信号の振幅が変調手段50の透過特性の最大値と最小値との差に等しくなる振幅情報を生成する。
バイアス値制御手段30は、情報信号の振幅の中心、すなわち、バイアス電圧を変調手段50の透過特性に対応させるバイアス値を生成し、変調手段50へ出力する。本実施形態に係るバイアス値制御手段30は、バイアス電圧が変調手段50の透過特性の最小点になるバイアス値を生成する。
データ出力手段40は、振幅情報制御手段20から入力された振幅情報に基づいて、入力された情報データの振幅を補正し、情報信号として変調手段50へ出力する。
変調手段50は、バイアス値制御手段30から入力されたバイアス値に基づいて、データ出力手段40から入力された情報信号の振幅の中心、すなわち、バイアス電圧を補正する。そして、変調手段50は、バイアス電圧が補正された状態で、入力された情報信号を用いて連続光を変調し、変調信号を出力する。
調整手段60は、変調手段50から出力された変調信号から、振幅情報に加算されているディザー信号を抽出する。そして、調整手段60は、抽出した振幅情報に加算されているディザー信号の強度の微分値がゼロになるように、振幅情報制御手段20において生成された振幅情報と、バイアス値制御手段30において生成されたバイアス値と、を調整する。
上記のように構成された光変調器10においては、振幅情報制御手段20は、ディザー信号が加算された振幅情報をデータ出力手段40へ出力し、データ出力手段40は、情報データの振幅を該振幅情報に基づいて補正して情報信号を変調手段50へ出力する。さらに、変調手段50は、ディザー信号が加算された振幅情報に基づいて補正された情報信号を用いて変調信号を生成する。そして、本実施形態に係る調整手段60は、変調手段50から出力された変調信号から、振幅情報に加算されたディザー信号を抽出し、該抽出した振幅情報に加算されたディザー信号の強度の微分値がゼロになるように、振幅情報制御手段20において生成された振幅情報と、バイアス値制御手段30において生成されたバイアス値と、を調整する。この場合、多値変調方式が適用された場合であっても、情報信号の振幅および振幅の中心を、変調手段50の透過特性に対応させることができる。
なお、本実施形態に係る光変調器10において、バイアス値制御手段30において生成されたバイアス値にディザー信号を加算して出力することもできる。この場合、調整手段60は、出力された変調信号からバイアス値に加算されているディザー信号を抽出し、抽出したバイアス値に加算されているディザー信号の周期が2倍周期になるように、振幅情報制御手段20において生成された振幅情報と、バイアス値制御手段30において生成されたバイアス値と、を調整する。このような光変調器10は、前段に配置されているフレーマ回路等から、適用されている変調方式を取得し、2値変調方式が適用される場合はバイアス値にディザー信号を加算する制御を選択し、多値変調方式が適用される場合は振幅情報にディザー信号を加算する制御を選択する。なお、この選択は、図1には図示しない切替手段によって実施することができる。
<第2の実施形態>
第2の実施形態について説明する。本実施形態に係る光送信器のブロック構成図を図2に示す。図2において、光送信器100は、光源200、第1ドライバ部310、第2ドライバ部320、光変調器400、分岐部500、光検出部600および制御部700を備える。
光源200は、連続発振(CW:Continuous Wave)光を出力する。光源200から出力されたCW光は、光変調器400において2分岐され、一方が後述する第1変調部410へ、他方が第2変調部420へ入力される。
第1ドライバ部310には、適用される変調方式に応じて符号化されたデータ信号がフレーマ回路等から入力されると共に、低周波Dither信号が重畳された駆動振幅が制御部700から入力される。第1ドライバ部310は、入力されたデータ信号の振幅を入力された駆動振幅に基づいて調整し、情報電気信号を光変調器400の第1変調部410へ出力する。
第2ドライバ部320には、適用される変調方式に応じて符号化されたデータ信号がフレーマ回路等から入力されると共に、低周波Dither信号が重畳された駆動振幅が制御部700から入力される。第2ドライバ部320は、入力されたデータ信号の振幅を入力された駆動振幅に基づいて調整し、情報電気信号を光変調器400の第2変調部420へ出力する。
光変調器400は、制御部700から入力される低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値によって、DCバイアス電圧Vが調整される。そして、光変調器400は、光源200から入力されたCW光をドライバ部310、320から入力された情報電気信号を用いて光変調し、変調信号を出力する。本実施形態に係る光変調器400は、図2に示すように、第1変調部410、第2変調部420および位相調整部430から成る。
第1変調部410は、制御部700から入力される低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値によって、DCバイアス電圧Vが調整される。そして、第1変調部410は、光源200から入力された一方のCW光を第1ドライバ部310から入力された情報電気信号を用いて変調し、変調信号を出力する。
第2変調部420は、制御部700から入力される低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値によって、DCバイアス電圧Vが調整される。そして、第2変調部420は、光源200から入力された他方のCW光を第2ドライバ部320から入力された情報電気信号を用いて変調し、変調信号を出力する。
位相調整部430は、第2変調部420から出力された変調信号の位相をπ/2シフトさせて出力する。
第1変調部410から出力された変調信号と、位相調整部430から出力された位相がπ/2シフトされた変調信号とは経路上で合波され、変調信号として光変調器400から出力される。
分岐部500は、光変調器400から出力された変調信号を2分岐し、一方を光伝送路へ送信し、他方を光検出部600へ出力する。
光検出部600は、分岐部500において分岐された変調信号を電気信号に変換し、周波数fの周波数成分を抽出して増幅した後、制御部700へ出力する。本実施形態に係る光検出部600のブロック構成図の一例を図3に示す。図3において、光検出部600は、光電変換部610、電流/電圧変換部620、狭帯域通過フィルタ部(BPF:Band Pass Filter)630および増幅部640によって構成される。
光電変換部610は、分岐部500において分岐された変調信号を電気信号に光電変換し、変調信号の光パワーに応じた電流値を出力する。電流/電圧変換部620は、光電変換部610から出力された、変調信号の光パワーに応じた電流値を電圧値に変換する。BPF630は、電流/電圧変換部620の出力値から、周波数fの周波数成分を抽出する。増幅部640は、BPF630において抽出された周波数fの周波数成分を増幅して制御部700へ出力する。
制御部700は、光変調器400へ出力するDCバイアス値およびドライバ部310、320へ出力する駆動振幅を生成する。また、制御部700は、光検出部600から入力された周波数成分fから低周波Dither信号を抽出し、生成したDCバイアス値および駆動振幅を抽出結果に基づいて調整する。さらに、制御部700は、調整したDCバイアス値および駆動振幅に低周波Dither信号をそれぞれ重畳し、光変調器400およびドライバ部310、320へ出力する。制御部700については後述する。
次に、上記のように構成された光送信器100において、2値光位相変調方式が適用された光送信器100と多値振幅変調方式が適用された光送信器100とを、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値または低周波Dither信号が重畳された駆動振幅によって制御した場合の制御結果について説明する。
先ず、2値光位相変調方式の光送信器100に低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を用いた制御を行った場合の制御結果と、多値振幅変調方式の光送信器100に低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を用いた制御を行った場合の制御結果について説明する。
図4は、第1変調部410、第2変調部420にマッハ・ツェンダ型光変調器が適用された2値光位相変調の光送信器100において、第1変調部410、第2変調部420へ印加される駆動電圧と、光変調器400の光透過出力との関係を示した図である。この場合、制御部700は、情報電気信号の”0”/”1”が、光変調器400の透過特性の隣り合う最大(Peak)点に合うように、すなわち、Peak点間の電圧差(2Vπ)と等しくなるように、駆動振幅を調整する。同時に、制御部700は、駆動振幅の”0”/”1”の平均電圧(中間電圧)が、光変調器400の透過特性の最小(Null)点となるようにDCバイアス値を調整する。これにより、情報電気信号の”0”/”1”が、変調信号のキャリア位相”0”/”π”に変換される。
具体的には、光変調器400へ出力されるDCバイアス値に周波数fの低周波Dither信号を重畳し、情報電気信号の平均電圧(DCバイアス電圧)が周波数fで変動するようにする。この時のDCバイアス電圧Vと、光検出部600で検出されるf成分の検出電圧との関係を図5に示す。
図5(b)に示すように、情報電気信号の振幅の最大/最小電圧が、光変調器400の光透過特性のPeak−Peakと一致し、その平均電圧(DCバイアス電圧)がNull点に合っている時は、光検出部600で検出されるf成分の検出電圧には、周波数2fの振幅変化が現れる。
一方、DCバイアス電圧がNull点からずれている時は、図5(a)あるいは図5(c)に示すように、光検出部600で検出されるf成分の検出電圧には、周波数fの振幅変化が現れる。そして、周波数fの位相はDCバイアス電圧が大きい場合(図5(a))と小さい場合(図5(c))とで逆相となる。従って、2値変調方式が適用された光送信器100においては、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス電圧を用いることで、情報電気信号の”0”/”1”が、変調信号のキャリア位相”0”/”π”に変換される。
次に、16QAMや64QAMなどの、駆動電気信号振幅が複数種類あるような多値振幅変調方式の光送信器100に、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を用いた制御を適用した場合の制御結果について説明する。光送信器100に64QAM変調方式を適用した時の、光変調器400へ印加される駆動電圧と、光変調器400の光透過出力との関係を図6に示す。
図6に示すように、64QAM変調方式においては、駆動電圧として、AからAの8点が必要である。以下では、V43(=A−A)、V52(=V−V)、V61(=V−V)及びV70(=V−V)の4種類の駆動振幅について、具体的なシミュレーション結果に基づいて、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を用いた場合の制御結果を説明する。
駆動振幅がV43=0.28Vπ、V52=0.84Vπ、V61=1.40Vπ、V70=1.96Vπの時に、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を用いた制御を適用した場合のシミュレーション結果を図7(a)に示す。また、駆動振幅がそれより低いV43=0.24Vπ、V52=0.72Vπ、V61=1.20Vπ、V70=1.60Vπの時に、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を用いた制御を適用した場合のシミュレーション結果を図7(b)に示す。図7(a)、(b)において、4種類の実線はそれぞれ上記4種類の駆動振幅に対する復調電圧であり、破線は光検出部600で検出される検出電圧(合計電圧)である。
図7(a)において、DCバイアス電圧が最適点(0V)より正にシフト(0〜1Vπ)している場合、光検出部600で検出されるf成分の検出電圧(破線)は負電圧となり、最適点(0V)より負にシフト(0〜−1Vπ)している場合は、検出電圧は正電圧となる。一方、図7(b)において、駆動電気信号振幅が図7(a)の時よりわずかに小さい場合、DCバイアス電圧が最適点(0V)より正にシフト(0〜1Vπ)している場合は、光検出部600で検出されるf成分の検出電圧(破線)は正電圧となり、最適点(0V)より負にシフト(0〜−1Vπ)している場合は、検出電圧は負電圧となる。
すなわち、多値振幅変調方式が適用された光送信器100においては、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス電圧を用いた制御を適用する場合、DCバイアス電圧の最適点(Null点)からのズレの方向は、光検出部600で検出されるf成分の検出電圧によって一意に決まらない。この場合、DCバイアス電圧をNull点に制御することができず、多値振幅変調方式が適用された光送信器100においては、DCバイアス電圧に低周波Dither信号を重畳しただけでは、安定して復調信号を検出できない。そこで、本実施形態に係る光送信器100においてはさらに、ドライバ部310、320へ出力する駆動振幅に低周波Dither信号を重畳する。
次に、多値振幅変調方式の光送信器100に低周波Dither信号が重畳された駆動振幅を用いた制御を行った場合の制御結果について説明する。なお、以下では、64QAM変調方式の光送信器100において、図7で説明したのと同じ条件の時に、低周波Dither信号が重畳された駆動振幅を用いた制御を適用した場合の制御結果について説明する。
駆動振幅がV43=0.28Vπ、V52=0.84Vπ、V61=1.40Vπ、V70=1.96Vπの時に、低周波Dither信号が重畳された駆動振幅を用いた制御を適用した場合のシミュレーション結果を図8(a)に示す。また、駆動振幅がそれより低いV43=0.24Vπ、V52=0.72Vπ、V61=1.20Vπ、V70=1.60Vπの時に、低周波Dither信号が重畳された駆動振幅を用いた制御を適用した場合のシミュレーション結果を図8(b)に示す。図8(a)、(b)においても、4種類の実線はそれぞれ上記4種類の駆動振幅に対する復調電圧であり、破線は光検出部600で検出される検出電圧(合計電圧)である。
図8(a)、(b)より、駆動振幅が変化しても、光検出部600で検出される検出電圧は、DCバイアス電圧が最適点(0V)を中心に−0.5〜+0.5Vπの範囲で正電圧、それ以外の電圧範囲で負電圧となる。この場合、多値振幅変調方式が適用された光送信器100において、駆動振幅に低周波Dither信号を重畳することで、最適点(Null点)からのずれを検出することができ、DCバイアス電圧をNull点に制御することができる。
さらに、図8の検出電圧を低周波Dither信号で微分した結果を図9に示す。図9に破線で示すように、DCバイアス電圧が最適点(0V)より正にシフト(0〜1Vπ)している場合、低周波Dither信号によって微分した検出電圧は負電圧となる。一方、DCバイアス電圧が最適点(0V)より負にシフト(0〜−1Vπ)している場合、低周波Dither信号によって微分した検出電圧は正電圧となる。従って、検出電圧を低周波Dither信号で微分した結果を用いることにより、光送信器100に多値振幅変調方式を適用した場合であっても、2値変調方式を適用してDCバイアス電圧値に低周波Dither信号を重畳した場合の制御と同様に、DCバイアス電圧を最適点(Null点)に安定して制御することができる。
次に、本実施形態に係る制御部700が上述の制御を行う手順を、その構成と共に説明する。制御部700のブロック構成図の一例を図10に示す。図10において、制御部700は、低周波信号生成部710、乗算器720、DCバイアス制御部730、駆動振幅制御部740、増幅部750、第1加算器760および第2加算器770によって構成される。
低周波信号生成部710は、周波数fの矩形波信号を生成し、乗算器720および増幅部750へ出力する。なお、低周波信号生成部710において、周波数fの正弦波信号を生成することもできる。
乗算器720は、光検出部600から入力された周波数fの周波数成分に、低周波信号生成部710から入力された周波数fの矩形波信号を乗算し、DCバイアス制御部730および駆動振幅制御部740へ出力する。
DCバイアス制御部730は、駆動振幅の”0”/”1”の平均電圧値(DCバイアス電圧)が光変調器400の透過特性の最小(Null)点に一致させるためのDCバイアス値を生成する。そして、DCバイアス制御部730は、乗算器720から入力された乗算値またはその変動分(微分値)に基づいて生成したDCバイアス値を調整し、第1加算器760へ出力する。
具体的には、DCバイアス制御部730は、光送信器100に2値位相変調方式が適用されている場合、乗算器720から入力された乗算値に基づいて生成したDCバイアス値を調整する。一方、DCバイアス制御部730は、光送信器100に多値振幅変調方式が適用されている場合、乗算器720から入力された乗算値の変動分(微分値)に基づいて生成したDCバイアス値を調整する。
駆動振幅制御部740は、情報電気信号の”0”/”1”を光変調器400の透過特性のPeak点間と一致させる駆動振幅を生成する。そして、駆動振幅制御部740は、乗算器720から入力された乗算値またはその変動分(微分値)に基づいて生成した駆動振幅を調整し、第2加算器770へ出力する。駆動振幅制御部740は、DCバイアス制御部730と同様に、2値位相変調方式が適用されている場合は乗算器720から入力された乗算値に基づいて駆動振幅を調整し、多値振幅変調方式が適用されている場合は乗算器720から入力された乗算値の変動分(微分値)に基づいて駆動振幅を調整する。
すなわち、DCバイアス制御部730と駆動振幅制御部740とは、光送信器100に2値位相変調方式が適用されている場合には、乗算器720から入力された乗算値の大きさをモニタしながら、周波数2fの変化が現れる位置にDCバイアス値および駆動振幅を調整する(図5の制御)。一方、多値振幅変調方式が適用されている場合には、乗算器720から入力された乗算値の変動分(微分値)がゼロとなる位置にDCバイアス値および駆動振幅を調整する。この時の制御を図11に示す。
図11は、多値振幅変調方式が適用されている場合の、乗算器720から入力された乗算値の変動分(微分値)を示したものである。図11から分かるように、駆動振幅が変化しても、DCバイアス電圧がNull点に合っているときゼロとなる。従って、DCバイアス制御部730および駆動振幅制御部740において、この値がゼロになるようにDCバイアス値および駆動振幅を調整することにより、変調器駆動電気信号と光変調器の駆動電圧−光透過率との関係を最適点に保持することができる。
増幅部750は、低周波信号生成部710から入力された周波数fの矩形波信号の振幅を増幅し、低周波Dither信号を生成する。増幅部750は、生成した低周波Dither信号を第1加算器760と第2加算器770とに交互に出力する。なお、低周波Dither信号の出力タイミングに関する情報は、DCバイアス制御部730および駆動振幅制御部740へ出力される。DCバイアス制御部730および駆動振幅制御部740は、このタイミング情報に基づいて、駆動振幅に低周波Dither信号が重畳されている時の乗算値と、DCバイアス値に低周波Dither信号が重畳されている時の乗算値とを区別する。
第1加算器760は、DCバイアス制御部730から入力されたDCバイアス値に、増幅部750から入力された低周波Dither信号を加算し、低周波Dither信号が重畳されたDCバイアス値を光変調器400の第1変調部410および第2変調部420へ出力する。
第2加算器770は、駆動振幅制御部740から入力された駆動振幅に、増幅部750から入力された低周波Dither信号を加算し、低周波Dither信号が重畳された駆動振幅を第1ドライバ部310および第2ドライバ部320へ出力する。
なお、本実施形態においては、低周波信号生成部710において生成した周波数fの矩形波信号を、増幅部750において時分割して第1加算器760および第2加算器770へ交互に入力させたが、これに限定されない。2つの低周波信号生成部を配置して周波数が互いに異なる低周波f、fの矩形波信号をそれぞれ生成し、DCバイアス値に周波数fの低周波Dither信号を重畳し、駆動振幅に周波数fの低周波Dither信号を重畳することもできる。
以上のように、本実施形態に係る光送信器100においては、16QAMや64QAMなどの多値振幅変調方式が適用されている場合、駆動振幅に周波数fの低周波Dither信号を重畳し、光変調器400から出力された変調信号から該低周波Dither信号を抽出し、抽出した低周波Dither信号の微分値に基づいて、光変調器400へ出力するDCバイアス値およびドライバ部310、320へ出力する駆動振幅を調整する。この場合、多値直交位相振幅変調においても、多値変調における光変調器400の制御において重要な特性である、変調器駆動電気信号と光変調器の駆動電圧−光透過率との関係を最適点に保持することができる。
さらに、上記で説明した光送信器100は、抽出する低周波Dither信号を、2値位相変調と多値直交位相振幅変調とで切り替えることができる。これにより、どちらの変調方式が適用される場合であっても、同一の制御部700によって光変調器400の駆動電圧の最適点を制御することができる。従って、今後主流になると思われる、複数の光変調方式を切り替えて使用する変調方式可変型光送信器に対しても、適用された変調方式に応じた駆動電圧制御が可能となる。すなわち、情報電気信号速度が40Gbit/sであっても、100Gbit/sであっても、上記制御動作には影響しないため、ビットレートの依存性は生じない。また、変調方式が4値位相変調でなく、2値や8値の位相変調、あるいはm値−QAMなどの位相変調と強度変調を組み合わせた変調方式にも適用可能である。
ここで、情報電気信号速度が10Gbit/s、40Gbit/s、100Gbit/sなどのビットレートの異なる信号であっても、Dither信号の周波数fは、kHz程度の低い周波数で良いため、光検出部600を構成する光電変換部610、電流/電圧変換部620および増幅部640や、制御部700を構成する乗算器720、増幅部750、第1加算器760および第2加算器770などはkHz程度の低速で動作すれば良く、超高速信号用ではない安価な低速用部品で構成することができる。
本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。この出願は、2015年9月28日に出願された日本出願特願2015−189327を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
10 変調器
20 振幅情報制御手段
30 バイアス値制御手段
40 データ出力手段
50 変調手段
60 調整手段
100 光送信器
200 光源
310 第1ドライバ部
320 第2ドライバ部
400 光変調器
500 分岐部
600 光検出部
610 光電変換部
620 電流/電圧変換部
630 BPF
640 増幅部
700 制御部
710 低周波信号生成部
720 乗算器
730 DCバイアス制御部
740 駆動振幅制御部
750 増幅部
760 第1加算器
770 第2加算器

Claims (9)

  1. 情報信号の振幅を変調手段の透過特性に対応させる振幅情報を生成し、ディザー信号を加算して出力する振幅情報制御手段と、
    前記情報信号の振幅の中心を前記変調手段の透過特性に対応させるバイアス値を生成して出力するバイアス値制御手段と、
    出力された前記振幅情報に基づいて入力された情報データの振幅を補正し、前記情報信号として出力するデータ出力手段と、
    出力された前記バイアス値に基づいて前記出力された情報信号の振幅の中心を補正し、前記情報信号を用いて入力された連続光を変調して変調信号を出力する変調手段と、
    前記出力された変調信号から前記振幅情報に加算されているディザー信号を抽出し、前記抽出した振幅情報に加算されているディザー信号の強度の微分値がゼロになるように前記生成された振幅情報および前記生成されたバイアス値を調整する調整手段と、
    を備える光変調器。
  2. 低周波数fの矩形波信号または正弦波信号のディザー信号を生成して出力する信号生成手段をさらに備える請求項1に記載の光変調器。
  3. 前記バイアス値制御手段は、前記生成したバイアス値に前記ディザー信号を加算して出力し、
    前記調整手段は、2値変調方式が適用される場合は、前記振幅情報に加算されているディザー信号を抽出する代わりに、前記出力された変調信号から前記バイアス値に加算されているディザー信号を抽出し、前記抽出したバイアス値に加算されているディザー信号の周期が2fになるように前記生成された振幅情報および前記生成されたバイアス値を調整する、
    請求項2に記載の光変調器。
  4. 前記データ出力手段は、フレーマ回路においてフレーマ処理された前記情報データが入力し、
    前記フレーマ回路から変調方式に関する情報を取得し、前記取得した変調方式に応じて、ディザー信号の出力先を前記振幅情報制御手段と前記バイアス値制御手段とに切替える切替手段をさらに備える、
    請求項3に記載の光変調器。
  5. 前記調整手段は、
    前記出力された変調信号を電気信号に変換する光電変換手段と、
    前記変換された電気信号から周波数f成分を抽出し、ディザー信号として出力する抽出手段と、
    を備える請求項2乃至4のいずれか1項に記載の光変調器。
  6. 前記データ出力手段は、
    第1振幅情報に基づいて第1情報データの振幅を補正し、第1情報信号として出力する第1データ出力手段と、
    第2振幅情報に基づいて第2情報データの振幅を補正し、第2情報信号として出力する第2データ出力手段と、
    を備え、
    前記振幅情報制御手段は、前記第1情報信号および第2情報信号の振幅が前記変調手段の最大値と最小値との差に等しくなる第1振幅情報および第2振幅情報を生成し、ディザー信号をそれぞれ加算して出力する、
    請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光変調器。
  7. 前記変調手段は、
    入力された連続光を2分岐する分岐手段、
    第1バイアス値に基づいて前記出力された第1情報信号の振幅の中心を補正し、前記第1情報信号を用いて前記分岐された一方の連続光を変調して第1変調信号を出力する第1変調手段と、
    第2バイアス値に基づいて前記出力された第2情報信号の振幅の中心を補正し、前記第2情報信号を用いて前記分岐された他方の連続光を変調して第2変調信号を出力する第2変調手段と、
    前記出力された第2変調信号の位相をπ/2シフトさせる位相調整手段と、
    前記第1変調信号および前記位相がπ/2シフトされた第2変調信号を合波して前記変調信号を出力する合波手段と、
    を備え、
    前記バイアス値制御手段は、前記第1情報信号および第2情報信号の振幅の中心が前記変調手段の透過特性の最小点になる第1バイアス値および第2バイアス値を生成して出力する、
    請求項6に記載の光変調器。
  8. 連続光を生成して出力する光出力手段と、
    前記出力された連続光を変調する請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光変調器と、
    を備える光送信器。
  9. 情報信号の振幅を変調手段の透過特性に対応させる振幅情報を生成し、ディザー信号を加算して出力し、
    前記情報信号の振幅の中心を前記変調手段の透過特性に対応させるバイアス値を生成して出力し、
    出力した前記振幅情報に基づいて出力した情報データの振幅を補正し、前記情報信号として出力し、
    前記変調手段を用いて、出力した前記バイアス値に基づいて出力した前記情報信号の振幅の中心を補正し、前記情報信号を用いて連続光を変調して変調信号を出力し、
    出力した前記変調信号から前記振幅情報に加算されたディザー信号を抽出し、前記抽出した振幅情報に加算されているディザー信号の強度の微分値がゼロになるように前記生成された振幅情報および前記生成されたバイアス値を調整する、
    光変調方法。
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