JPWO2017046921A1 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
表面に所定元素、酸素および炭素を含む膜が形成された基板を準備する工程と、
前記膜のエッチングが生じない条件下で前記基板に対して炭素非含有のフッ素系ガスを供給することで、少なくとも前記膜の表面を改質させる工程と、
を有する技術が提供される。
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図3を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)として機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図4(a)を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
ウエハ200に対して、原料ガスとしてのBTCSMガスと、触媒ガスとしてのピジリンガスと、を供給するステップ1と、
ウエハ200に対して、反応ガスとしてのH2Oガスと、触媒ガスとしてのピリジンガスと、を供給するステップ2と、
を非同時に、すなわち、同期させることなく交互に行うサイクルを所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ200上に、Si、OおよびCを含む膜として、シリコン酸炭化膜(SiOC膜)を形成する。
ウエハ200上に形成したSiOC膜のエッチングが生じない条件下で、ウエハ200に対してC非含有のフッ素系ガスとしてNF3ガスを供給することで、少なくともSiOC膜の表面を改質させる。なお、図4(a)に示す改質ステップでは、ウエハ200上に形成されたSiOC膜中の全域にFを添加(ドープ)し、SiOC膜全体を、Si、O、CおよびFを含む膜、すなわち、シリコン酸炭フッ化膜(SiOCF膜)へ改質させる例を示している。SiOCF膜を、F含有SiOC膜や、Fが添加(ドープ)されたSiOC膜と称することもできる。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、後述する2つのステップ、すなわち、ステップ1,2を順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してBTCSMガスとピリジンガスとを供給する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してH2Oガスとピリジンガスとを供給する。
上述したステップ1,2を非同時に、すなわち、同期させることなく交互に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiOC膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成する第2層(SiOC層)の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、第2層を積層することで形成されるSiOC膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
ウエハ200上にSiOC膜が形成されたら、ウエハ200の温度が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱される。ウエハ200の温度が所望の温度となったら、処理室201内のウエハ200に対してNF3ガスを供給する。
改質ステップが終了したら、ガス供給管232d〜232fのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出されることとなる(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
図5(a)や以下に示す成膜シーケンスのように、ウエハ200上にSiOC膜を形成した後、SiOC膜のエッチングが生じない条件下でウエハ200に対してF2ガスを供給することで、SiOC膜の表面を、CおよびFを含みSiおよびO非含有の層、すなわち、フッ化炭素層(CF層)へ改質させてもよい。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
ウエハに対してBTCSMガスとピリジンガスとを供給するステップと、ウエハに対してH2Oガスとピリジンガスとを供給するステップと、を非同時に行うセットを所定回数(n1回)行うことで、ウエハ上に、SiOC層を形成する層形成ステップと、
ウエハ上に形成したSiOC層のエッチングが生じない条件下で、ウエハに対してNF3ガスを供給することで、SiOC層をSiOCF層へ改質させる改質ステップと、
を交互に行うサイクルを複数回(n2回)行うようにしてもよい(n1、n2はそれぞれ1以上の整数)。この場合も、ウエハ上に、SiOCF膜を形成することができる。図4(b)は、層形成ステップにおけるセットの実施回数(n1)を2回とした例を示している。
ウエハに対してBTCSMガスとピリジンガスとを供給するステップと、ウエハに対してH2Oガスとピリジンガスとを供給するステップと、を非同時に行うセットを所定回数(n1回)行うことで、ウエハ上に、SiOC層を形成する層形成ステップと、
ウエハ上に形成したSiOC層のエッチングが生じない条件下で、ウエハに対してF2ガスを供給することで、SiOC層の表面をCF層へ改質させる改質ステップと、
を交互に行うサイクルを複数回(n2回)行うようにしてもよい(n1、n2はそれぞれ1以上の整数)。この場合、ウエハ上に、SiOC層とCF層とが交互に複数積層されてなる積層膜を形成することが可能となる。図5(b)は、層形成ステップにおけるセットの実施回数(n1)を2回とした例を示している。
ウエハ温度:250〜700℃、好ましくは300〜650℃、より好ましくは350〜600℃
処理室内圧力:1〜2666Pa、好ましくは67〜1333Pa
HCDSガス供給流量:1〜2000sccm、好ましくは10〜1000sccm
N2ガス供給流量:100〜10000sccm
ガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
処理室内圧力:1〜5000Pa、好ましくは1〜4000Pa
TEAガス供給流量:100〜10000sccm
ガス供給時間:1〜200秒、好ましくは1〜120秒、より好ましくは1〜60秒
その他の処理条件:HCDSガス供給時と同じ
処理室内圧力:1〜4000Pa、好ましくは1〜3000Pa
O2ガス供給流量:100〜10000sccm
ガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
その他の処理条件:HCDSガス供給時と同じ
ウエハ温度:200〜400℃、好ましくは250〜400℃、より好ましくは300〜400℃
処理室内圧力:100〜5000Pa
DSBガス供給流量:100sccm〜2000sccm
BCl3ガス供給流量:0.1sccm〜500sccm
H2Oガス供給流量:1〜1000sccm
N2ガス供給流量:100〜10000sccm
封じ込め時間:0.5〜30分、好ましくは0.5〜20分、より好ましくは0.5〜10分
上述の実施形態の基板処理装置を用い、ウエハの表面にSiOC膜が形成されてなるサンプル1を複数作製した。ウエハの表面にSiOC膜を形成する成膜処理は、ウエハを収容した処理室内へDSBガスおよびBCl3ガスを供給しこれらを処理室内に封じ込めるステップと、処理室内を排気するステップと、を所定回数実施してウエハ上にSiC膜を形成した後、このSiC膜をH2Oガスにより酸化させることで行った。成膜処理の処理条件は、上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とした。
サンプル1のウエハを収容した処理室内へ所定の処理条件下でNF3ガスを供給する処理を実施してサンプル2を作製した。NF3ガスを供給する処理においては、ウエハの温度を350〜400℃の範囲内の所定の温度とし、処理室内の圧力を80〜120Torrの範囲内の所定の圧力とした。他の処理条件は、上述の第1実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とした。
サンプル1のウエハを収容した処理室内へ所定の処理条件下でF2ガスを供給する処理を実施してサンプル3を作製した。F2ガスを供給する処理においては、ウエハの温度を40〜60℃の範囲内の所定の温度とし、処理室内の圧力を0.50〜1.5Torrの範囲内の所定の圧力とした。他の処理条件は、上述の第2実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とした。
サンプル1のウエハを収容した処理室内へ所定の処理条件下でNF3ガスを供給する処理を実施してサンプル4を作製した。NF3ガスを供給する処理においては、処理室内の圧力を10〜20Torrの範囲内の所定の圧力とした。他の処理条件は、上述のサンプル2を作製する際の処理条件と同様とした。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
表面に所定元素、酸素および炭素を含む膜(酸炭化膜)が形成された基板を準備する工程と、
前記膜のエッチングが生じない条件下で前記基板に対して炭素非含有のフッ素系ガスを供給することで、少なくとも前記膜の表面を改質させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記膜中(の全域)にフッ素をドープし、前記膜(膜全体)を、前記所定元素、酸素、炭素およびフッ素を含む膜(酸炭フッ化膜)へ改質させる。
付記2に記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記フッ素系ガスとしてフッ化窒素(NF3)ガスを用いる。
付記2又は3に記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記基板の温度を300℃以上500℃以下(より好ましくは350℃以上400℃以下)の範囲内の温度とする。
付記2乃至4のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記基板が存在する空間の圧力を50Torr以上300Torr以下(より好ましくは50Torr以上100Torr以下)の範囲内の圧力とする。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記膜の表面を、炭素およびフッ素を含み前記所定元素および酸素非含有の層(フッ化炭素層、CF層)へ改質させる。
付記6に記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記フッ素系ガスとして、フッ素(F2)ガス、フッ化ヨウ素(IF7)ガス、フッ化塩素(ClF3)ガスおよびフッ化水素(HF)ガスからなる群より選択される少なくとも1つを用いる。
付記6又は7に記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記基板の温度を室温(25℃)以上100℃以下(より好ましくは室温以上50℃以下)の範囲内の温度とする。
付記6乃至8のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記基板が存在する空間の圧力を0.1Torr以上10Torr以下(より好ましくは0.5Torr以上1Torr以下)の範囲内の圧力とする。
付記1乃至9のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記基板の表面には凹部(トレンチ、ホール)が設けられており、前記膜は少なくとも前記凹部内に形成されている。
付記1乃至10のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記基板に対して複数種類の処理ガスを非同時に供給することで前記基板上に前記膜を形成する工程をさらに有する。また好ましくは、前記膜は、前記基板に対して複数種類の処理ガスを非同時に供給することで形成されている。
付記11に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板上に前記膜を形成する工程と、少なくとも前記膜の表面を改質させる工程と、をin−situで(同一の処理室内で)行う。
付記11に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板上に前記膜を形成する工程と、少なくとも前記膜の表面を改質させる工程と、をex−situで(異なる処理室内で)行う。
付記1乃至13のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記膜の表面を改質させる工程は、ノンプラズマの雰囲気下で行われる。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対し炭素非含有のフッ素系ガスを供給する供給系と、
前記処理室内の基板の温度を調整する温度調整部と、
前記処理室内に、表面に所定元素、酸素および炭素を含む膜が形成された基板を準備(収容)した後、前記膜のエッチングが生じない条件下で前記基板に対して前記フッ素系ガスを供給することで、少なくとも前記膜の表面を改質させる処理を行わせるように、前記供給系および前記温度調整部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
表面に所定元素、酸素および炭素を含む膜が形成された基板を準備する手順と、
前記膜のエッチングが生じない条件下で前記基板に対して炭素非含有のフッ素系ガスを供給することで、少なくとも前記膜の表面を改質させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
231 排気管
232a〜232f ガス供給管
Claims (16)
- 表面に所定元素、酸素および炭素を含む膜が形成された基板を準備する工程と、
前記膜のエッチングが生じない条件下で前記基板に対して炭素非含有のフッ素系ガスを供給することで、少なくとも前記膜の表面を改質させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記膜中にフッ素をドープし、前記膜を、前記所定元素、酸素、炭素およびフッ素を含む膜へ改質させる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記フッ素系ガスとしてフッ化窒素ガスを用いる請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記基板の温度を300℃以上500℃以下の範囲内の温度とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記基板が存在する空間の圧力を50Torr以上300Torr以下の範囲内の圧力とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記膜の表面を、炭素およびフッ素を含み前記所定元素および酸素非含有の層へ改質させる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記フッ素系ガスとして、フッ素ガス、フッ化ヨウ素ガス、フッ化塩素ガスおよびフッ化水素ガスからなる群より選択される少なくとも1つを用いる請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記基板の温度を室温以上100℃以下の範囲内の温度とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程では、前記基板が存在する空間の圧力を0.1Torr以上10Torr以下の範囲内の圧力とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の表面には凹部が設けられており、前記膜は少なくとも前記凹部内に形成されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板に対して複数種類の処理ガスを非同時に供給することで前記基板上に前記膜を形成する工程をさらに有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板上に前記膜を形成する工程と、少なくとも前記膜の表面を改質させる工程と、をin−situで行う請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板上に前記膜を形成する工程と、少なくとも前記膜の表面を改質させる工程と、をex−situで行う請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも前記膜の表面を改質させる工程は、ノンプラズマの雰囲気下で行われる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対し炭素非含有のフッ素系ガスを供給する供給系と、
前記処理室内の基板の温度を調整する温度調整部と、
前記処理室内に、表面に所定元素、酸素および炭素を含む膜が形成された基板を準備した後、前記膜のエッチングが生じない条件下で前記基板に対して前記フッ素系ガスを供給することで、少なくとも前記膜の表面を改質させる処理を行わせるように、前記供給系および前記温度調整部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 表面に所定元素、酸素および炭素を含む膜が形成された基板を準備する手順と、
前記膜のエッチングが生じない条件下で前記基板に対して炭素非含有のフッ素系ガスを供給することで、少なくとも前記膜の表面を改質させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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