JPWO2016204064A1 - 機器の放熱方法 - Google Patents

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Abstract

この放熱方法では、筐体の壁面の内壁に第1の放熱シートが貼付され、筐体の壁面の外壁には、第1の放熱シートと壁面を挟んで対向するように第2の放熱シートを貼付される。第1及び第2の放熱シートは、熱伝導層と、前記熱伝導層の第1の面に隣接する熱放射層と、前記熱伝導層の第2の面に隣接する基部とを備える。基部は、硬度がアスカーCで40以下である熱伝導性シリコーン樹脂を含む。

Description

本発明は、機器の放熱方法に関する。
様々な電気機器(例えば制御盤、パソコン、電子基板等)は、雰囲気温度や、自身が有する電子部品の発熱(自己発熱)の為に、しばしば動作不具合や故障を生じさせる。そのため、これらの電気機器には様々な種類の冷却装置が設けられている。冷却装置としては、クーラー、冷却ファン、ヒートシンクなどが知られている。
しかし、クーラーや冷却ファンは、ランニングコストが掛かり、メンテナンスが容易でなく、また、それ自体に故障が発生することがある、などの問題を抱えている。また、ヒートシンクは、その熱伝導効果を高める為にはヒートシンク自体の大きさ(体積、接触面積)を大きくする必要があり、設置スペースが限定されるなどの問題がある。また、ヒートシンクと発熱部品との間には通常シリコーングリス等を塗る必要があるが、シリコーングリスは揮発性であり、定期的に塗り直す必要があり、メンテナンスが容易ではないという問題がある。
特開2006−298703号公報
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、コストが低く、煩雑なメンテナンスが不要な機器の放熱方法を提供することを目的とする。
本発明に係る放熱方法は、発熱元を筐体の内部に有する機器の放熱方法である。この方法では、筐体の壁面の内壁に第1の放熱シートが貼付され、筐体の壁面の外壁には、第1の放熱シートと壁面を挟んで対向するように第2の放熱シートを貼付される。前記第1及び第2の放熱シートは、熱伝導層と、前記熱伝導層の第1の面に隣接する熱放射層と、前記熱伝導層の第2の面に隣接する基部とを備える。前記基部は、硬度がアスカーCで40以下である熱伝導性シリコーン樹脂を含む。
本発明の一実施形態においては、第1の放熱シート及び第2の放熱シートは、基部が壁面と接触するように壁面に対し貼付される。また、第1の放熱シート又は第2の放熱シートは、発熱源の近傍の壁面に貼付される。基部は、硬度がアスカーCで40以下である熱伝導性シリコーン樹脂を含む。また、第1の放熱シート又は第2の放熱シートは、前記発熱元の面積の10倍以上の面積を有する。
本発明によれば、コストが低く、煩雑なメンテナンスが不要な機器の放熱方法を提供することができる。
ができる。
本実施の形態の放熱方法において用いる放熱シート10の構成を示す断面図である。 本実施の形態の放熱方法において対象とされる電気機器(制御盤100)の外観構成の一例を示す。 本実施の形態の放熱方法における放熱シート10の使用方法を示す概略図である。 本実施の形態の放熱方法における放熱シート10の使用方法を示す概略図である。 本実施の形態の放熱方法における放熱シート10の使用方法を示す概略図である。 本実施の形態の放熱方法における放熱シート10の使用方法を示す概略図である。 本実施の形態の放熱方法における放熱シート10の使用方法を示す概略図である。 本実施の形態の放熱方法の効果を示すグラフである。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態に係る放熱方法を詳細に説明する。
図1は、この実施の形態の放熱方法において使用される放熱シート10の構成を説明する。図1は、放熱シート10の断面図を示している。この放熱シート10は、熱放射層11、熱伝導層12、及び熱伝導性基部13の積層構造からなる。熱伝導層12の表面に熱放射層11が積層され、更にその裏面に熱伝導性基部13が積層されている。熱放射層11は、高い熱放射率を有し、周囲の熱を吸収又は放射する機能を有する。熱伝導層12は、熱伝導性基部13の熱を熱放射層11に伝導し、逆に熱放射層11の熱を熱伝導性基部13に伝導させる機能を有する。熱伝導性基部13は、高い熱伝導性を有すると共に、様々な形状の物体に対し貼付可能なように、十分な柔軟性を有するように形成される。この積層構造は、例えば貼り合わせ法、コーティング法、プレス法などにより形成することができるが、これらに限定されるものではない。
本実施の形態の放熱方法は、この放熱シート10を、図2に示すような電気機器、例えば制御盤100の所定の箇所に貼付することにより、制御盤100の放熱を行うものである。放熱シート10の貼付の方法等に関しては後述する。図示の制御盤100は、平均的な大きさとしては高さ150cm、横幅1m、奥行き80cm程度であるが、これはあくまでも一例である。本実施の形態の放熱方法は、図示のような機器に限定的に使用されることなく、内部から熱を発する様々な機器に適用することが可能である。
次に、放熱シート10を構成する熱放射層11、熱伝導層12、及び熱伝導性基部13の詳細について順次説明する。
[熱放射層11]
熱放射層11は、その熱放射率が0.80以上、好ましくは0.80〜0.99に設定される。熱放射率が0.80未満の場合、十分な放熱効果が得られない場合がある。熱放射層11の材料は、例えばシリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化硼素若しくは窒化アルミニウム等のセラミック粉、コージライト粉、又は黒鉛などの熱放射率の高い粒子を1種類又は2種類以上組み合わせてなる有機樹脂層である。有機樹脂としては、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものではないことは言うまでも無い。この場合、上述の粒子の粒子径は0.1〜50μmに設定され、より好ましくは1〜10μmに設定される。
上記の粒子は、ボールミルやジェットミルなどの粉砕機で粉砕することにより上記の材料を粉体とすることにより形成することができる。なお、上記の粒子径の値は、日機装株式会社のマイクロトラック粒度分布測定装置MT3300EXにより測定した値である。平均粒子径の基準は体積である。粉体の熱放射率は0.80〜0.99が好ましく、より好ましくは0.85〜0.99である。また、上記粒子は、有機樹脂100質量部に対して40〜200質量部、特に50〜150質量部程度を用いるのが好ましい。配合量が少なすぎると熱放射性が十分得られず、逆に多すぎると粉体の充填が困難になる場合がある。
また、上記された材料はあくまでも一例であり、所望の柔軟性及び熱放射特性が得られる範囲で、様々な材料を採択することができる。
熱放射層としては、市販されているものを用いることもできる。例えば、セラック(株)製のセラックα(熱放射率0.96)や、ペルノックス(株)製のペルクール(粉体含有アクリル樹脂)を用いることができる。
また、熱放射層11の厚みは、10〜100μm、好ましくは20〜50μmに設定することができる。10μmよりも厚みが小さいと、加工が困難になる。また、100μmよりも厚くなると、熱放射層11の柔軟性が低下する。なお、上述の熱放射率は、京都電子工業株式会社製の熱放射率測定器AERDを用いて測定したものである。
[熱伝導層12]
熱伝導層12は、面方向の熱伝導率が200W/mK以上、好ましくは200〜2000W/mKである材料により形成される。熱伝導層12は、例えばグラファイトシート、アルミニウム箔、又は銅箔により形成され得る。グラファイトシートは、曲げや引張りに対する強度が十分ではないが、面内の熱伝導性に非常に優れている点で好適である。アルミニウム箔、又は銅箔は、曲げや引張りに対する強度が高く、低コストで作成することが出来る点でグラファイトシートよりも有利である。
また、熱伝導層12の厚さは0.01〜0.1mmであり、好ましくは0.03〜0.1mm、より好ましくは0.03〜0.08nmである。熱伝導層12の厚みが薄すぎると、放熱シート10全体の剛性が乏しくなり、放熱シート10の取り扱いが困難になる。一方、厚みが0.1mmを超えると、放熱シート10の柔軟性が損なわれ、電気機器100への貼付時において、例えば曲率を有する壁面への貼付が困難になる場合があり得る。
なお、熱放射層11及び熱伝導層12として、浅利電機(株)製のモルゲンシート(熱伝導層としてのアルミニウム箔と、熱放射層としての熱放射性ポリエステル樹脂を積層させた熱放射シート)を用いることもできる。
[熱伝導性基部13]
熱伝導性基部13は、熱伝導率が1.4W/mK以上、好ましくは、2.0W/mK以上を与えられる。熱伝導率の上限は特に設定されないが、通常は10W/mK以下である。この熱伝導率は、シリコーン樹脂層に用いられるシリコーン組成物中に所定量の熱伝導性充填剤を配合することで得ることができる。なお、熱伝導性基部13の熱伝導率は、京都電子工業株式会社の熱伝導率計TPA−501を用いて測定した値である。熱伝導性基部13を構成するシリコーン組成物の詳細については後述する。
熱伝導性基部13の厚みは0.2mm以上であり、好ましくは0.5mm以上、更に好ましくは1mm以上である。熱伝導性基部13の厚みが大きい方が、電気機器100内の温度低減効果を大きくすることができ好ましい。厚さが小さすぎると、熱伝導層12及び熱放射層11に熱を伝える前に熱を貯蔵する効果が得にくくなり、結果として放熱シート10の放熱特性が小さくなってしまう。熱伝導性基部13の厚さの上限は特に制限されないが、実際の使用時における質量の観点から、15mm以下、好ましくは10mm以下、より好ましくは5mm以下に設定される。
また、熱伝導性基部13は、例えばシリコーン樹脂により形成することができる。熱伝導性基部13は、様々な形状の物体に放熱シート10を貼付可能とすべく、所定以上の柔軟性を与えられる。例えば、その硬度は、アスカーCで40以下、より好ましくは、30以下に設定される。硬度が40を超えると発熱体への追従性が乏しくなり、接触熱抵抗が増加してしまうという問題がある。このアスカーC硬度は、熱伝導性基部13を構成するシリコーン樹脂層に用いられるシリコーン組成物中のシリコーン樹脂含有量、オルガノハイドロジェンポリシロキサン含有量を調整することによって得ることができる。
熱伝導性基部13を構成するシリコーン組成物の詳細について、以下に説明する。
熱伝導性基部13中のシリコーン組成物としては、以下の要素(a)〜(d)を含有するシリコーン組成物(A)を採用することができる。
(a)平均組成式RSiO(4−a)/2(ただし、Rは独立に炭素原子数1〜12の非置換または置換の1価炭化水素基であり、aは1.8〜2.2の正数である。)で示される、ケイ素原子に結合したアルケニル基を1分子中に2個以上有するオルガノポリシロキサン(100質量部)
(b)熱伝導性充填剤:200〜4000質量部
(c)ケイ素原子に結合した水素原子を1分子中に2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン((a)成分中のアルケニル基に対する(c)成分中のケイ素原子に直接結合した水素原子のモル比が0.5〜5.0となる量)
(d)白金系化合物(白金系元素量で(a)成分の0.1〜1000ppm)
また、熱伝導性基部13中のシリコーン組成物として、以下の要素(b)、(f)、(g)を含有するシリコーン組成物(B)を採用することもできる。
(b)熱伝導性充填剤(100〜3000質量部)
(f)シリコーン樹脂(100質量部)
(g)有機過酸化物系化合物(有機過酸化物換算で0.1〜2質量部)
次に、上述したシリコーン組成物(A)に含まれる各成分(a)〜(d)について更に詳細に説明する。
[(a)オルガノポリシロキサン]
(a)成分であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、平均組成式RSiO(4−a)/2
(ただし、Rは独立に炭素原子数1〜12の非置換または置換の1価炭化水素基であり、aは1.8〜2.2、好ましくは1.95〜2.05の正数である。)で示される、ケイ素原子に結合したアルケニル基を1分子中に2個以上、好ましくは2〜100個有するオルガノポリシロキサンであり、付加反応硬化型組成物における主剤(ベースポリマー)である。通常は主鎖部分が基本的にジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなるものが一般的である。ただし、分子構造の一部に分岐上の構造を含んだものであってもよいし、環状体であってもよいが、硬化物の機械的強度等、物性の点から直鎖上のジオルガノポリシロキサンが好ましい。
上述の化学式RSiO(4−a)/2中、Rは互いに同一又は異種の炭素原子数1〜12、特に1〜10の非置換又は置換の1価炭化水素基であり、ケイ素原子に結合するアルケニル基以外の官能基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル器、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基などのアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基等のアラルキル基、並びにこれらの基の炭素原子が結合している水素原子の一部又は全部が、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、シアノ基などで置換された基、例えば、クロロメチル基、2−ブロモエチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基、シアノエチル基、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシル基等が挙げられる。代表的なものは、炭素原子数が1〜10、特に代表的なものは炭素原子数が1〜6のものであり、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、クロロメチル基、ブロモエチル基、3,3,3−トリフルオプロピル基、シアノエチル基等の炭素原子数1〜3の非置換又は置換のアルキル基及びフェニル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基等の非置換又は置換のフェニル基である。また、ケイ素原子に結合したアルケニル基以外の官能基は全てが同一であっても異なっていても良い。
また、アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の通常、炭素原子数2〜8程度のものが挙げられ、中でもビニル基、アリル基等の低級アルケニル基が好ましく、この中でも特にビニル基が好適である。
このオルガノポリシロキサン25℃における動粘度は、通常10〜100000mm/s、より好ましくは500〜50000mm/sの範囲に設定される。動粘度が低すぎると、得られる組成物の保存安定性が悪くなる場合があり、また高すぎると得られる組成物の伸展性が悪くなる場合がある。なお、この実施の形態において、動粘度はオストワルド粘度計により測定することができる。また(a)成分のオルガノポリシロキサンは、1種類の物質のみで形成されていてもよいし、動粘度が異なる2種類以上の物質を組み合わせて形成されてもよい。
[(b)熱伝導性充填剤]
熱伝導性シリコーン組成物に充填される熱伝導性充填剤としては、非磁性の銅やアルミニウム等の金属、アルミナ、シリカ、マグネシア、ベンガラ、べリリア、チタニア、ジルコニア、亜鉛華等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化硼素等の金属窒化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、人工ダイヤモンドあるいは炭化ケイ素等一般に熱伝導性充填剤とされる物質を用いることができる。熱伝導性充填剤は、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いても良い。
熱伝導性充填剤の平均粒径は、0.1〜200μmとすることができ、好ましくは0.1〜100μm、更に好ましくは0.5〜50μmに設定することができる。ここで述べる平均粒径は、マイクロトラック粒度分布測定装置MT3300EX(日機装((株)))により測定することができる。また、平均粒子径の基準は体積である。
熱伝導性充填剤の配合量は、(a)成分100質量部に対して200〜4000質量部とすることができ、より好ましくは200〜3000質量部とすることができる。熱伝導性充填剤の配合量が熱導電性基部13の熱伝導率が十分得られない場合があり、逆に配合量が多すぎると、成形性が悪化し、粘着性が低下してしまう場合がある。
[(c)オルガノハイドロジェンポリシロキサン]
(c)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、ケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を1分子中に2個以上、好ましくは2〜100個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、(a)成分に対する架橋剤として作用する。すなわち、後述する(d)成分である白金系化合物の存在下で、(c)成分中のケイ素原子に結合した水素原子が、ヒドロシリル化反応により(a)成分中のアルケニル基に付加し、架橋結合を有する三次元網状構造を有する架橋硬化物を生成する。
(c)成分中のケイ素原子に結合した有機基としては、例えば、脂肪族不飽和結合を有しない非置換又は置換の1価炭化水素基等が挙げられる。具体的には、上述した脂肪族不飽和基以外のケイ素原子に結合する基として例示したものと同種の、非置換又は置換の1価炭化水素基が挙げられるが、それらの中でも、合成容易性及び経済性の観点からメチル基が好ましい。
本発明における(c)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの構造は特に限定されず、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよいが、直鎖状が好ましい。また、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの重合度(ケイ素原子の数)は、2〜100、特に2〜50であることが好ましい。
また、(c)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの好適な具体例としては、例えば以下のものが挙げられる。
・分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン、
・分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、
・分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、
・分子鎖両末端がジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、
・分子鎖両末端がジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、
・分子鎖両末端がジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルポリシロキサン
なお、(c)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは1種単独で使用されても良いし、2種以上が組み合わせて使用されていてもよい。
(c)成分の配合量は、(c)成分中のSiH基が(a)成分中のアルケニル基1モルに対して0.5〜5.0モルとなる量とすることができ、より好ましくは0.8〜4.0モルとなる量とすることができる。(c)成分中のSiH基の量が(a)成分中のアルケニル基1モルに対して0.5モル未満では、組成物が硬化しなかったり、硬化物の強度が不十分であって、成形体、複合体として取り扱うことが出来なかったりするなどの問題が発生する場合がある。一方、5・0モルを超える量を使用した場合には、硬化物表面の粘着性が不十分になる虞がある。
[(d)白金系化合物]
(d)成分の白金系化合物は、上述の(a)成分中のアルケニル基と(c)成分中のケイ素原子に結合した水素原子との付加反応を促進させ、本実施の形態の組成物を三次元網状構造の架橋硬化物に変換するために配合される触媒成分である。
(d)成分は、通常のヒドロシリル化反応に用いられる公知の触媒の中から適宜選択して使用することができる。具体例としては、例えば、白金(白金黒を含む)、ロジウム、パラジウム等の白金族金属単体、HPtCl・nHO、HPtCl・nHO、NaHPtCl・nHO、KHPtCl・nHO、NaPtCl・nHO、KPtCl・nHO、PtCl・nHO、PtCl、NaHPtCl・nHO(ただし、nは0〜6の整数であり、好ましくは0又は6である。)等の塩化白金、塩化白金酸及び塩化白金酸塩、アルコール変成塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィンとのコンプレックス、白金黒、パラジウム等の白金族金属を、アルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させたもの、ロジウム−オレフィンコンプレックス、クロロトリス(トリフェニルフォスフィン)ロジウム(ウィルキンソン触媒)、塩化白金、塩化白金酸、塩化白金酸塩とビニル基含有シロキサンとのコンプレックス等が挙げられる。これらの白金系化合物は、1種単独で用いても良いし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
また、上記(d)成分の白金系化合物の配合量は、組成物を硬化させるために必要な有効量であればよい。通常は、(a)成分に対する白金族金属元素の質量換算で0.1〜1000ppm程度に設定することができ、好ましくは0.5〜500ppm程度に設定することができる。
なお、必要に応じて、反応制御剤を配合することもできる。反応制御剤は、(d)成分の存在下で進行する(a)成分と(c)成分の付加反応であるヒドロシリル化反応の速度を調整する役割を有する。このような反応制御剤は、通常の付加反応硬化型シリコーン組成物に用いられる公知の付加反応制御剤の中から適宜選択することができる。その具体例としては、1−エチニル−1−シクロヘキサノール、3−ブチン−1−オール、エチニルメチリデンカルビノール等のアセチレン化合物、窒素化合物、有機リン化合物、硫黄化合物、オキシム化合物、有機クロロ化合物等が挙げられる。これらの反応制御剤は、1種単独で用いても良いし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
反応制御剤の配合量は、(d)成分の使用量によって異なる。一般には、ヒドロシリル化反応の進行を所望の反応速度に調整できる量を配合すれば足りる。通常は、(a)成分の質量に対して、10〜50000ppm程度とするのが良い。
次に、上述したシリコーン組成物(B)に含まれる各成分(b)、(f)、(g)について更に詳細に説明する。(b)成分に関しては、シリコーン組成物(A)と同一であるので、(f)、(g)成分について以下に説明する。
[(f)シリコーン樹脂]
(f)成分のシリコーン樹脂は、熱伝導性シリコーン組成物を硬化させた硬化物表面に粘着性を付与する役割を有する。このようなシリコーン樹脂の例としては、R SiO1/2単位(M単位)とSiO4/2単位(Q単位)との共重合体であって、M単位とQ単位の比(モル比)M/Qが0.5〜1.5、好ましくは0.6〜1.4、更に好ましくは0.7〜1.3であるシリコーン樹脂が挙げられる。上記M/Qが上記範囲内であると所望の粘着力が得られる。この場合、必要に応じ、R SiO2/2(D単位)やRSiO3/2単位(T単位)を含んでいても良いが、これらD単位及びT単位の配合は15モル%以下、より好ましくは10モル%以下に設定される。
上記M単位等を表す一般式中のRは、非置換又は置換の1価の炭化水素基、好ましくは脂肪族不飽和配合を含有しない非置換又は置換の1価炭化水素基である。このようなRの例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基等のアラルキル基、並びにこれらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部又は全部が、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換された基、例えばクロロメチル基、2−ブロモエチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基、シアノエチル基、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシル基等の、炭素原子数が1〜12、好ましくは炭素原子数が1〜6のものが挙げられる。
としては、これらの中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、クロロメチル基、ブロモエチル基、3−3−3−トリフルオプロピル基、シアノエチル基等の炭素原子数1〜3の非置換又は置換のアルキル基、及びフェニル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基等の非置換又は置換のフェニル基が好ましい。また、Rは全てが同一であっても、異なっていても良い。Rは、耐溶剤性等の特殊な特性を要求されない限り、コスト、入手の容易性、化学的安定性、環境負荷等の観点から、全てメチル基であるのが好ましい。
(f)成分を配合する場合、その配合量は、(a)成分100質量部に対して50〜500質量部であることが好ましく、より好ましくは60〜350質量部、更に好ましくは70〜250質量部である。(f)成分の配合量が、50質量部未満であるか500質量部を超える場合には、所望の粘着性が得られなくなる場合がある。なお、(f)成分そのものは室温で固体または粘調な液体であるが、溶剤に溶解した状態で使用することも可能である。その場合、組成物の添加量は、溶剤分を除いた量で決定される。
[(g)有機過酸化物系化合物]
有機過酸化物によるシリコーン組成物の硬化反応は、分子鎖末端(片末端、又は両末端)及び分子鎖非末端のどちらか一方又はその両方にビニル基等のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンを有機過酸化物系化合物存在下でラジカル重合させることにより生じる。(g)成分である有機過酸化物系化合物としては、ジアシルパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド等が挙げられる。有機過酸化物系化合物は、光や熱に弱く不安定であること、固体の有機過酸化物系化合物を組成物に分散させるのが困難であることから、有機溶媒に希釈させたり、シリコーン成分に分散させた状態で用いられる場合が多い。
有機過酸化物系化合物の配合量は、(f)シリコーン樹脂の100質量部に対して有機過酸化物換算で0.1〜2質量部に設定するのが好ましく、より好ましくは0.1〜1.6質量部に設定するのが好ましい。配合量が少なすぎると硬化反応が十分に進行しない場合があり、逆に多すぎると組成物の安定性が損なわれる場合がある。
[(h)表面処理剤]
なお、シリコーン組成物には、上記の成分に加え、表面処理剤を添加することができる。この表面処理剤は、組成物の調製時に(b)成分の熱伝導性充填剤を疎水化処理して組成物(A)における(a)成分のオルガノポリシロキサンあるいは組成物(B)における(f)成分のシリコーン樹脂との濡れ性を向上させ、該熱伝導性充填剤を(a)成分あるいは(f)成分からなるマトリックス中に均一に分散させるためのものである。この表面処理剤としては、以下の(h−1)及び(h−2)成分が好ましい。
(h−1)下記一般式(2)で表されるアルコキシシラン化合物
Si(OR4−m−n・・・・(2)
(式(2)において、Rは独立に炭素原子数6〜15のアルキル基、Rは独立に非置換又は置換の炭素原子数1〜8の1価炭化水素基、Rは独立に炭素原子数1〜6のアルキル基であり、mは1〜3の整数、nは0、1または2であり、m+nは1〜3の整数である。)
(h−2)下記一般式(3)で表される、分離鎖片末端がトリアルコキシシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン

・・・(3)
(上記式(3)中、Rは独立に炭素原子数1〜6のアルキル基であり、上記(2)中のRで表されるアルキル基と同種のものである。また、kは5〜100の整数である。)
まず、(h−1)成分について説明する。
上記一般式(2)におけるRで表されるアルキル基としては、例えばヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基等が挙げられる。このように、Rで表されるアルキル基の炭素原子数が6〜15の範囲であると、(b)成分の熱伝導性充填剤の濡れ性が十分に向上し、取扱い作業性が良くなるので、組成物の低温特性が良好なものとなる。
また、上記Rで表される非置換又は置換の1価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;ビニル基、アリル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基等のアリール基;2-フェニルエチル基、2−メチル−2−フェニルエチル基等のアラルキル基;3,3,3−トリフルオロプロピル基、2−(ノナフルオロブチル)エチル基、2−(ぺプタデカフルオロオクチル)エチル基、p−クロロフェニル基等のハロゲン化炭化水素基等が挙げられる。本発明においては、これらの中でも、特にメチル基及びエチル基が好ましい。
上記Rで表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。本発明においては、これらの中でも特にメチル基及びエチル基が好ましい。
上記(h−1)成分の好適な具体例としては、下記のものを挙げることができる。
13Si(OCH
1021Si(OCH
1225Si(OCH
1225Si(OC
1021Si(CH)(OCH
1021Si(C)(OCH
1021Si(CH)(OC
1021Si(CH=CH)(OCH
1021Si(CHCHCF)(OCH
上記(h−1)成分は、1種単独で使用しても良いし、2種以上を組み合わせて使用してもよい。(h−1)成分の配合量は、後述する配合量を超えてもそれ以上ウエッター効果が増大することが無いので不経済である。またこの成分は揮発性であるので、開放系で放置すると組成物及び硬化後の硬化物が徐々に硬くなるので、必要最低限の量に止めるのが好ましい。
次に、(h−2)成分について説明する。
上記(h−2)成分の好適な具体例としては、以下のものを挙げることができる。
なお、(h−2)成分は1種単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。この(h−2)成分の配合量が後述する配合量を超えると、得られる硬化物の耐熱性や耐湿性が低下する傾向がある。
本発明においては、(b)成分の表面処理剤として、前記(h−1)成分と(h−2)成分からなる群のなかから選択した少なくとも1種を選択して使用することができる。この場合、組成物(A)において、全(h)成分の配合量は、(a)成分100質量部に対して0.01〜50質量部であることが好ましく、特に0.1〜30質量部であることが好ましい。また、組成部(B)において、全(h)成分の配合量は、(f)成分100質量部に対して0.01〜50質量部であることが好ましく、特に0.1〜30質量部であることが好ましい。
本発明においては、その他の任意成分として、例えばフッ素変成シリコーン界面活性剤、着色剤としてカーボンブラック、二酸化チタン等を添付してもよい。更に、熱伝導性充填剤の沈降防止や補強のため、沈降性シリカ又は焼成シリカ等の微粉末シリカ、チクソ性向上剤等を適宜添加することもできる。
熱伝導性シリコーン組成物は、上記(a)〜(d)成分又は(b)、(f)、(g)成分、及び必要に応じてその他の成分を常法に準じて混合することにより調製することができる。
なお、熱伝導性シリコーン組成物の硬化条件としては、公知の付加反応硬化型シリコーンゴム組成物や有機過酸化物硬化型シリコーンゴム組成物と同様でよい。
以下に、放熱シート10の実施例及び比較例を示す。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。
実施例及び比較例を説明するに当たり、熱伝導性複合シートの成型方法を以下に記載する。
(熱伝導層)
アルミニウム箔:厚み50μm、面方向の熱伝導率236W/mK
銅箔:厚み30μm、面方向の熱伝導率398W/mK
(熱伝導層に熱放射層を積層させた熱放射シート)
(I−1):セラックα(熱放射層;熱放射率0.96、平均粒径5μmのアルミナを含むシリコーン樹脂、セラミッション(株)製)を50μmの厚みでアルミニウム箔(熱伝導層;厚さ50μm)上に積層させた熱放射シート
(I−2)セラックα(熱放射層;熱放射率0.96、セラミッション(株)製)を30μmの厚みで銅箔(熱伝導層;厚さ30μm)上に積層させた熱放射シート
(I−3)モルゲンシートMG01−S((株)浅利電機製;厚さ60μm、熱伝導率230W/mKのアルミニウム箔上に、厚さ30μm、熱放射率0.99の熱放射性ポリエチレン樹脂(平均粒径1μmの黒鉛を含むポリエステル樹脂)を積層させた熱放射シート)
(熱伝導性シリコーン樹脂層(基部))
(II−1)〜(II−4):下記表に示すアスカーC硬度及び熱伝導率を有する熱伝導性シリコーン樹脂層(基部)
上記熱放射性シートと上記熱伝導性シリコーン樹脂層(基部)を貼り合わせることで熱伝導性複合シート(放射シート)を得た。
比較のため、(II−5)熱伝導性ではないシリコーン樹脂層(熱伝導率0.16WmK)、(II−6)熱伝導性シリコーン両面テープ(熱伝導率1・0W/mK)、(II−7)アクリル両面粘着テープも熱放射シートと貼り合わせて用いた。
上記樹脂層(II−1)〜(II−7)を構成する組成物(ii−1)〜(ii〜7)の組成を下記に示す。
[(a)アルケニル基含有オルガノポリシロキサン]
下記式

・・・(4)
(Xがビニル基であるオルガノポリシロキサンであり、pはこのオルガノポリシロキサンの25℃における動粘度が下記値となる数である)
(a−1)粘度:600mm/s
(a−2)粘度:30,000mm/s
[(b)熱伝導性充填剤]
(b−1)平均粒径30μmの水酸化アルミニウム粉
(b−2)平均粒径50μmの酸化アルミニウム粉
(b−3)平均粒径10μmの酸化アルミニウム粉
[(c)オルガノハイドロジェンポリシロキサン]
下記式

・・・・(5)
(平均重合度: q=28、r=2である)
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン
[(d)白金系化合物]
5質量%塩化白金酸2−エチルヘキサノール溶液
[(e)反応制御剤]
エチニルメチリデンカルビノール
[(f)シリコーン樹脂]
MeSiO0.5単位(M単位)とSiO単位(Q単位)のみからなるシリコーン樹脂(Meはメチル基を示す。M/Qモル比は1.15である。)のトルエン溶液(不揮発分60質量%、粘度30mm/s)
[(h)表面処理剤]
下記式

・・・・(6)
で示される、平均重合度30である片末端がトリメトキシシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン
シリコーン組成物(ii−5)
次の(イ)〜(ヘ)が、質量割合65/20/0.05/0.15/0.1/14.7で含まれるシリコーン粘着材組成物
(イ)MeSiO0.5単位(M単位)とSiO単位(Q単位)のみからなるシリコーン樹脂(Meはメチル基を示す。M/Qモル比は1.15である。)のトルエン溶液(不揮発分60質量%;粘度30mm/s)
(ロ)平均重合度8,000のジメチルビニル基で両末端封止したジメチルポリシロキサン
(ハ)エチニルメチリデンカルビノール
(ニ)式(5)においてq=1、r=40であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(ホ)5質量%塩化白金酸2-エチルヘキサノール溶液
(ヘ)トルエン
組成物(ii−7)
以下の(ト)〜(リ)が97/3/0.03の割合で含まれるアクリル樹脂組成物
(ト)2−エチルヘキシルアクリレート
(チ)アクリル酸
(リ)ヘキサンジオールジアクリレート
なお、上記の樹脂組成物は、プラネタリーミキサーを用いて混練して得た。
[樹脂層の成型方法]
(ii−1)〜(ii−3):得られた組成物をフッ素処理フィルムに流し込み、所定の厚みになるように金型を用いて120℃/10分のプレス硬化を行った。
(ii−4)〜(ii−6):得られた組成物をフッ素処理フィルム上に所定の厚みになるように塗工し、80℃/10分で溶剤を乾燥させ、120℃/10分で硬化させた。
(ii−7):得られた組成物をフッ素処理フィルム上に塗工し、中心波長360nmのUVランプを照射し、硬化させた。
[複合シートの評価方法]
下記表に示すように、種々熱放射シートと種々樹脂層を貼り合わせて複合シートを調製し、下記評価方法を用いて評価した。
30×120mmサイズで厚みが2mmのアルミニウムプレートに15Wの電力を与えて加熱し、温度が一定(64〜66℃)になったところで、アルミニウムプレートに30×100mmサイズの複合シートを張り付けて、1分後のアルミニウムプレートの温度を測定した。なお、測定環境は25±2℃、湿度50%±5%であった。
[実施例1〜7、比較例1〜5]
実施例1〜7のように、面内の熱伝導率が200W/mK以上である熱伝導層に、厚さ10〜100μmで、好ましくは熱放射率が0.80以上である熱放射層を積層させてなる熱放射シートの熱伝導層側に、硬度がアスカーC40以下で、好ましくは熱伝導率が1.4W/mK以上である熱伝導性シリコーン樹脂層を0.2mm以上の厚みで積層させることで、熱源の温度低減効果が得られる。特に、熱伝導性シリコーン層の熱伝導率が高く、且つ厚みが厚い方が熱源の温度低減効果が高い。
比較例1,2のように熱放射シートに熱伝導率が非常に低いシリコーン樹脂層を積層させると、熱源から熱を効率よく熱放射層に伝えることができない。比較例2,4のようにアスカーC硬度が40を超えると温度低減効果は小さくなる。比較例5のようにアクリル製両面粘着テープを用いると、熱源からの熱が効率よく熱伝導層に伝わらないだけでなく、アクリル樹脂はシリコーン樹脂に比べると耐熱性に乏しいため、熱源に直接接するような箇所での使用は長期信頼性において不安がある。
次に、このような構造を有する放熱シート10を用いた、機器の放熱方法につき、図3〜図5を参照して説明する。
図3は、図2に示した制御盤100の内部構造の一例を示している。図3に示すように、制御盤100の内部には、様々な回路基板、変圧器、電源、サーボアンプ、電動機など、発熱元となる部品が多数搭載されている。従来は、このような回路基板等から発生した熱を放出するために、クーラー、冷却ファン、ヒートシンクなどの冷却装置が用いられている。しかし、これらの冷却装置は、メンテナンスが容易でなく、且つランニングコストが無視できないことに加え、大きな設置スペースを必要とするという問題がある。
しかし、本実施の形態では、図3に示すように、上述の放熱シート10を、制御盤100の例えば筐体の壁面101の表面と裏面に、壁面101を挟んで対向するように貼付することにより、制御盤100を冷却する。
図4は、放熱シート10の貼付方法を示す、貼付部分の概念図である。この実施の形態では、2枚の放熱シート10A、10Bが用意される(ステップS1)。そして、放熱シート10Aは壁面101の表面に貼付され(ステップS2)、他の放熱シート10Bは壁面101の裏面の、壁面101を挟んで放熱シート10Aと対向する位置に貼付される(ステップS3)。このとき、放熱シート10A、及び10Bは、いずれも熱伝導性基部13の側が壁面101の側を向くように貼り付けられる。以上のようにして放熱シート10A及び10Bが壁面101に貼付されることにより、制御盤100の放熱が行われる。なお、放熱シート10の面積は、例えば放熱の対象とする発熱部分(例えばサーボアンプ)よりも十分大きな面積例えば、10倍以上の面積を有するように設定されるのが好ましい。これにより、放熱効果を一層向上させることができる。
以下、本実施の放熱方法の作用について説明する。
(1)制御盤100の内部の発熱元からの熱が壁面101に向けて放射されると、壁面101の裏面に貼付された放熱シート10Aの熱放射層11Bがこの熱を吸収する。
(2)この熱放射層11Bが吸収した熱は、熱伝導層12Bに伝導され、更に熱伝導性基部13Bへと伝導される。
(3)熱伝導性基部13Bは、熱伝導層12Bから伝達された熱を、壁面101を介して、壁面101の表面側に貼付されている放熱シート10Aに伝える。
(4)放熱シート10Aの熱伝導性基部13Aは、壁面101に伝導された熱を吸収する。
(5)熱伝導性基部13Aに吸収された熱は、熱伝導層12Aに伝導される。
(6)そして、熱伝導層12Aに伝導された熱は、更に熱放射層11Aに伝導され、外部に放出される。
以上の(1)〜(6)の熱移動により、制御盤100の内部の熱が外部に放出され、制御盤100の内部の温度が低下する。
この放熱シートは、上述の材料により形成され、長期間その効果を持続すると共に、ヒートシンクで必要であったような、シリコーングリスの塗布などのメンテナンスが不要である。このため、この放熱シートを用いた放熱方法によれば、低コストで、煩雑なメンテナンスを行うことなく機器の放熱を行うことができる。
なお、壁面101の表面及び裏面に、壁面101を挟んで対向するように配置される放熱シート10A、10Bは、少なくとも一部において重複するように貼付されるのが好ましい。理想的には、図4に示すように完全に重複しているのが良いが、図5に示すように、放熱シート10A及び10Bが一部のみにおいて重複していても、一定の効果を得ることが可能である。なお、放熱シート10A、10Bは、制御盤100の筐体の1つの壁面101の表面/裏面のみ貼付してもよいが、図6に示すように、天井板、及び複数の側壁に貼付することもできる。可能であれば、筐体の底板の表裏に貼付することも可能である。
上述のように、制御盤100の内部には、様々な回路基板、変圧器、電源、サーボアンプ、電動機など、発熱元となる内蔵部品が多数搭載されている。このため、これら様々な発熱元となる部品の近傍に位置する筐体壁面の表裏に放熱シート10A、10Bを貼付することで、クーラー、冷却ファン、ヒートシンクなどの冷却装置によらず制御盤を冷却することができる。本実施の形態の放熱方法は、例示された制御盤に限らず、内部に発熱元となる内蔵部品を有し、特にそのような内蔵部品を複数個含む機器において効果を奏する。
以上、筐体を有する制御盤100の放熱方法について説明した。ただし、本発明の放熱方法は、このような筐体を有する機器の放熱にのみ限定されるものではない。例えば、図7に示すように、発熱元を有する電子基板102がある場合、その電子基板102の発熱部分(例えばCPU103)に直接放熱シート10を貼付し、当該電子基板102の冷却を行うことができる。
この場合、放熱シート10の面積は、例えば放熱の対象とする発熱部分(例えばCPU103)の10倍以上の面積を有するように設定されるのが好ましい。これにより、放熱効果を一層向上させることができる。
図8は、本実施の形態の放熱シートを用いた放熱方法の効果を示すグラフである。横軸は、制御盤100の動作開始からの経過時間を示し、縦軸は制御盤100内の温度を示す。
比較のために、(a)冷却ファン等の冷却装置をOFFとした場合、(b)冷却装置をONにした場合の温度変化を併せて示した。
冷却装置をOFFとし、冷却装置が機能していない状態((a))においては、制御盤100内の温度は徐々に上昇し、動作開始から120分後には、動作開始前と比べ約12度上昇した。
一方冷却装置をONとした場合、温度上昇の度合は抑えられたが、動作開始から120分後には、やはり動作開始前に比べ10度近く上昇した。
これに対し、本実施の形態の放熱シートを用いた場合、温度上昇は冷却装置を用いた場合に比べ半分近くにまで抑制された。そして、放熱シートによる放熱方法は、コストが安く、しかもメンテナンスが殆ど不要という利点がある。
以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10…放熱シート、11…熱放射層、12…熱伝導層、13…熱伝導性基部、100…制御盤(電気機器)、101…壁面、102…回路基板、103…CPU。

Claims (14)

  1. 発熱元を筐体の内部に有する機器の放熱方法であって、
    前記筐体の壁面の内壁に第1の放熱シートを貼付し、
    前記筐体の壁面の外壁に、前記第1の放熱シートと前記壁面を挟んで対向するように第2の放熱シートを貼付し、
    前記第1及び第2の放熱シートは、
    熱伝導層と、前記熱伝導層の第1の面に隣接する熱放射層と、前記熱伝導層の第2の面に隣接する基部と
    を備え、
    前記基部は、硬度がアスカーCで40以下である熱伝導性シリコーン樹脂を含む
    ことを特徴とする放熱方法。
  2. 前記第1の放熱シート及び前記第2の放熱シートは、前記基部が前記壁面と接触するように前記壁面に対し貼付される、請求項1記載の放熱方法。
  3. 前記第1の放熱シート又は前記第2の放熱シートは、前記発熱源の近傍の前記壁面に貼付される、請求項1又は2記載の放熱方法。
  4. 発熱元を有する機器の放熱方法であって、
    前記発熱元に直接第1の放熱シートを貼付し、
    前記放熱シートは、
    熱伝導層と、前記熱伝導層の第1の面に隣接する熱放射層と、前記熱伝導層の第2の面に隣接する基部と
    を備え、
    前記基部は、硬度がアスカーCで40以下である熱伝導性シリコーン樹脂を含むことを特徴とする放熱方法。
  5. 前記放熱シートは、前記発熱元の面積の10倍以上の面積を有する、請求項4記載の放熱方法。
  6. 前記基部の厚みは0.2mm以上である、請求項1乃至5のいずれかに記載の放熱方法。
  7. 前記熱伝導層は、面方向の熱伝導率が200W/mK以上である、請求項1乃至6のいずれかに記載の放熱方法。
  8. 前記熱放射層の厚みは10μm以上100μm以下である、請求項1乃至7のいずれかに記載の放熱方法。
  9. 前記基部の熱伝導率が1.4W/mK以上である、請求項1乃至8のいずれかに記載の放熱方法。
  10. 前記基部は、
    (a)平均組成式RSiO(4−a)/2(ただし、Rは独立に炭素原子数1〜12の非置換または置換の1価炭化水素基であり、aは1.8〜2.2の正数である。)で示される、ケイ素原子に結合したアルケニル基を1分子中に2個以上有するオルガノポリシロキサン(100質量部)、
    (b)熱伝導性充填剤:200〜4000質量部
    (c)ケイ素原子に結合した水素原子を1分子中に2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン((a)成分中のアルケニル基に対する(c)成分中のケイ素原子に直接結合した水素原子のモル比が0.5〜5.0となる量)
    (d)白金系化合物(白金系元素量で(a)成分の0.1〜1000ppm)
    を含有してなる熱伝導性シリコーン組成物の硬化物である、請求項1乃至9のいずれかに記載の放熱方法。
  11. 前記熱伝導性シリコーン組成物は更に、(f)シリコーン樹脂(50〜500質量部)を含む、請求項10記載の放熱方法。
  12. 前記基部が、
    (b)熱伝導性充填剤(100〜3000質量部)
    (f)シリコーン樹脂(100質量部)
    (g)有機過酸化物系化合物(有機過酸化物換算で0.1〜2質量部)
    を含有する熱伝導性シリコーン組成物の硬化物である、請求項1乃至9のいずれかに記載の放熱方法。
  13. 前記(f)シリコーン樹脂は、R SiO1/2単位(R1は非置換又は置換の1価炭化水素基を示す)(M単位)とSiO4/2単位(Q単位)との共重合体であって、M単位とQ単位との比(M/Q)がモル比として0.5〜1.5であり、脂肪族不飽和配合を含有しないものである、請求項12記載の放熱方法。
  14. 前記機器は、その内部に回路基板、変圧器、電源、サーボアンプ、及び電動機のうちの少なくとも一部を内蔵部品として含む制御盤である、請求項1乃至13のいずれかに記載の放熱方法。
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