JPWO2016143693A1 - セラミック粉末及び窒化ホウ素焼結体 - Google Patents

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Abstract

金属元素の窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含み、金属元素は、第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選択される1種以上の元素であり、粒子の平均粒径は5μm以下であり、酸素の含有量が0.3質量%以下であるセラミック粉末。

Description

本発明は、金属元素の窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含むセラミック粉末、及びこれを用いた窒化ホウ素焼結体に関する。
第4族元素、第5族元素、または第6族元素の金属元素の窒化物及び炭窒化物の粉末は、導電材料用素材や、切削工具や耐磨部品などの硬質材料の原料として用いられる。上記窒化物としては窒化チタンが例示され、上記炭窒化物としては炭窒化チタンが例示される。
窒化チタン粉末の製造方法としては、高純度な金属チタン粉末を窒素を含む雰囲気中で加熱して窒化反応により窒化チタン粉末を製造する方法や、特開昭58−213606号公報(特許文献1)に記載されているように、酸化チタンに還元剤として炭素源を混合し、これを窒素を含む雰囲気中で加熱して還元・窒化により窒化チタン粉末を製造する方法等が一般的である。
特開昭58−213606号公報
上記した、高純度な金属チタン粉末を用いて窒化反応により窒化チタン粉末を製造する方法では、窒化反応の際の大きな発熱により窒化チタン粒子が溶融し粗大な塊を形成してしまい、所望の用途に使用できないという問題があった。
また、上記した特許文献1には、窒化チタン粒子の粗大化を防ぎつつ、含有酸素が0.5%以下である窒化チタン粉末が記載されているが、これを硬質材料の原料として用いた場合に硬質材料の強度が十分でない場合があった。
本発明は、上記のような現状に鑑みてなされたものであって、第4族元素、第5族元素、または第6族元素の金属元素を含む窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含むセラミック粉末であって、硬質材料の原料として、硬質材料に十分な強度を付与し得る新規なセラミック粉末及びこれを用いた窒化ホウ素焼結体を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係るセラミック粉末は、金属元素の窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含み、前記金属元素は、第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選択される1種以上の元素であり、平均粒径は5μm以下であり、酸素の含有量が0.3質量%以下である。
本発明によれば、無機化合物の焼結体に十分な強度を付与し得るセラミック粉末を提供することができる。また、本発明によれば、かかるセラミック粉末を用いた高い強度の窒化ホウ素焼結体を提供することができる。
以下、本発明に係わる実施の形態(以下単に「本実施形態」と記す)について、さらに詳細に説明する。
[セラミック粉末]
本発明の実施形態(以下、「本実施形態」ともいう)のセラミック粉末は、金属元素の窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含み、前記金属元素は、第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選択される1種以上の元素である。本実施形態の窒化物及び炭窒化物は、これを構成する金属元素が1種である場合に限定されることはなく、2種以上の金属元素を含む固溶体であってもよい。2種以上の金属元素を含む場合、少なくとも1種の金属元素が第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選択される元素であればよい。また、金属元素の炭窒化物とは、炭素と窒素とを構成元素として含むものであれば炭素と窒素の組成比は1:1に限定されることない。例えば、炭素と窒素の組成比が1:0.01〜0.01:1であってもよい。セラミック粉末の平均粒径は5μm以下であり、セラミック粉末の酸素の含有量が0.3質量%以下である。セラミック粉末の平均粒径が5μm以下であり、かつセラミック粉末の酸素の含有量が0.3質量%以下であることにより、硬質材料の原料として用いた場合に、高い強度の焼結体を製造することができる。
本明細書において、セラミック粉末の平均粒径は、レーザ回折・散乱法によって測定される体積平均粒径を意味する。また、本明細書において、セラミック粉末中の酸素の含有量は、酸素分析装置(例えば、HORIBA製のEMGA−650Wなど)によって測定された値とする。
本実施形態のセラミック粉末において、酸素の含有量は、好ましくは0.1質量%以下である。酸素の含有量が0.1質量%以下である場合、硬質材料の原料として用いた場合に、より高い強度の焼結体を製造することができる。
本実施形態のセラミック粉末において、炭素の含有量は、好ましくは0.5質量%以下、さらに好ましくは0.3質量%以下である。炭素は、窒化物に混入すると強度を低下させるため、炭素量を0.3質量%以下に低減することでさらに高い強度が期待できる。炭素の含有量を低く抑えられる点から、本実施形態のセラミック粉末は、窒化物を主成分として含み、炭窒化物を含まないものがより好ましい。また、本明細書において、セラミック粉末中の炭素の含有量は、炭素分析装置(例えば、レコ社製のCS−200など)によって測定された値とする。
上記セラミック粉末の主成分である、窒化物または炭窒化物を構成する金属元素としては、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)等の第4族元素、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)等の第5族元素、クロム(Cr)、Mo(モリブデン)、タングステン(W)等の第6族元素が例示される。これらを構成元素とする窒化物としては、TiN、ZrN、HfN、VN、NbN、TaN、CrN、MoN、WNが例示され、これらを構成元素とする炭窒化物としてはTiCN、ZrCN、HfCN、VCN、NbCN、TaCN、CrCN、MoCN、WCNが例示される。上記窒化物または炭窒化物の中でも、硬質材料の原料として優れた特性を有し、また材料の入手が容易であるという点から利用価値が高い窒化チタン(TiN)が好ましい。上記においては構成する金属元素が1種である窒化物及び炭窒化物を例示したが、上述の通り、窒化物及び炭窒化物は、2種以上の金属元素を含む固溶体であってもよい。
上記セラミック粉末中、粒径が1μm以下である粒子の割合が10質量%未満である。粒径が1μm以下である粒子の割合がこの範囲に抑えられていることにより、セラミック粉末を硬質材料の原料として用いると熱伝導率の向上を図ることができ、切削工具として用いた場合により高い性能が期待される。粒径が1μm以下である粒子の割合は、レーザ回折・散乱法によって求められる粒度分布から算出することができる。
本実施形態のセラミック粉末は、切削工具や耐磨部品などの硬質材料の原料として用いることができる。
[セラミック粉末の製造方法]
本実施形態のセラミック粉末の製造方法を例示する。第1の製造方法としてガス精製装置によって酸素含有量を低減させたガス中で原料セラミック粉末の加熱処理をし、所望の酸素含有量とする方法(以下、「精製ガス中加熱方法」ともいう)、第2の製造方法として酸素分圧制御装置にて低酸素分圧下で原料セラミック粉末を加熱還元することにより所望の酸素含有量とする方法(以下、「低酸素分圧下加熱方法」ともいう)、第3の製造方法として熱プラズマ処理で原料セラミック粉末を還元することにより所望の酸素含有量とする方法(以下、「熱プラズマ方法」ともいう)について説明する。
(第1の製造方法)
本製造方法においては、原料として平均粒径5μm以下の原料セラミック粉末を用意する。原料セラミック粉末は、第4族元素、第5族元素、または第6族元素の金属元素を含む窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含む粉末である。このような原料セラミック粉末として、例えば、市販の窒化物粉末、市販の炭窒化物粉末、またはこれらの混合物を用いることができる。市販の窒化物粉末の酸素含有量は、通常0.3質量%を超え、炭素含有量は、通常0.5〜2質量%である。市販の炭窒化物粉末の酸素含有量は、通常0.3質量%を超える。
準備した原料セラミック粉末を、ガス精製装置により精製したN2ガスを流した雰囲気中で加熱し、還元処理を行なうことにより本実施形態のセラミック粉末を製造する。このとき、加熱温度は1500〜2000℃であることが好ましく、1800〜2000℃であることがさらに好ましい。1800℃以上に加熱することにより、効率よく還元処理を行なうことができる。また、2000℃を超える温度に加熱しないことにより、原料セラミック粉末中の粒子が溶融して粗大化することを防ぐことができ、加熱後のセラミック粉末の平均粒径が加熱前と比較して大きく変化することを防ぐことができる。加熱時間は、セラミック粉末の酸素含有量が0.3質量%以下となるまで継続すれば特に制限はなく、例えば、1〜12時間とすることができる。熱処理時のN2ガスの流量は、還元対象のセラミック粉末の量に応じて適宜調整すればよく、例えば、1〜5l/分とすることができる。
このようにして、本実施形態のセラミック粉末、すなわち、第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選択される1種以上の金属元素の窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含み、粒子の平均粒径が5μm以下であり、酸素の含有量が0.3質量%以下であるセラミック粉末を製造することができる。
(第2の製造方法)
本製造方法においては、原料として平均粒径5μm以下の原料セラミック粉末を用意する。原料セラミック粉末は、第4族元素、第5族元素、または第6族元素の金属元素を含む窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含む粉末である。このような原料セラミック粉末として、例えば、市販の窒化物粉末、市販の炭窒化物粉末、またはこれらの混合物を用いることができる。市販の窒化物粉末の酸素含有量は、通常0.3質量%を超え、炭素含有量は、通常0.5〜2質量%である。市販の炭窒化物粉末の酸素含有量は、通常0.3質量%を超える。
準備した原料セラミック粉末を、低酸素分圧である窒素雰囲気下で加熱し、還元処理を行なうことにより本実施形態のセラミック粉末を製造する。このとき、加熱温度は1500〜2000℃であることが好ましく、1800〜2000℃であることがさらに好ましい。1800℃以上に加熱することにより、効率よく還元処理を行なうことができる。また、2000℃を超える温度に加熱しないことにより、原料セラミック中の粒子が溶融して粗大化することを防ぐことができ、加熱後のセラミック粉末の平均粒径が加熱前と比較して大きく変化することを防ぐことができる。加熱時間は、セラミック粉末の酸素含有量が0.3質量%以下となるまで継続すれば特に制限はなく、例えば、1〜12時間とすることができる。還元処理時の酸素分圧は、1×10−29atm以下の低酸素分圧とすることが好ましい。このような低酸素分圧下で加熱することにより、酸素の含有量が0.3質量%以下となるような還元処理を効率よく進めることができる。
このようにして、本実施形態のセラミック粉末、すなわち、第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選択される1種以上である金属元素の窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含み、粒子の平均粒径が5μm以下であり、酸素の含有量が0.3質量%以下であるセラミック粉末を製造することができる。
(第3の製造方法)
本製造方法においては、原料として平均粒径5μm以下の原料セラミック粉末を用意する。原料セラミック粉末は、第4族元素、第5族元素、または第6族元素の金属元素を含む窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含む粉末である。このような原料セラミック粉末として、例えば、市販の窒化物粉末、市販の炭窒化物粉末、またはこれらの混合物を用いることができる。市販の窒化物粉末の酸素含有量は、通常0.3質量%を超え、炭素含有量は、通常0.5〜2質量%である。市販の炭窒化物粉末の酸素含有量は、通常0.3質量%を超える。
準備した原料セラミック粉末を熱プラズマ処理し、還元処理を行なうことにより本実施形態のセラミック粉末を製造する。熱プラズマ処理の条件は、適宜調整することができるが、例えば、圧力20〜50kPaの真空に調整したチャンバー内で、プラズマガスとしてArガス及びH2ガスを用い、25〜35kWの高周波電流を印加して熱プラズマを発生させてセラミック粉末を熱プラズマ処理し還元する。熱プラズマ処理は、セラミック粉末中の粒子の粒径を大きく変化させることなく行なうことができる。
このようにして、本実施形態のセラミック粉末、すなわち、第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選択される1種以上である金属元素の窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含み、粒子の平均粒径が5μm以下であり、酸素の含有量が0.3質量%以下であるセラミック粉末を製造することができる。
[窒化ホウ素焼結体]
本実施形態の窒化ホウ素焼結体は、立方晶窒化ホウ素粉末と、上記したセラミック粉末とを含む複合粉末を焼結して形成されたものである。上記したセラミック粉末は、結合材として用いられる。セラミック粉末は、窒化チタン粉末、炭窒化チタン粉末、又は窒化チタン及び炭窒化チタンを含む粉末であることが好ましい。本実施形態の窒化ホウ素焼結体は、切削工具等に好適に用いられる。本実施形態で用いられる立方晶窒化ホウ素粉末は、公知の方法により得られたものを用いることが好ましく、その平均粒径は、例えば1〜5μmである。複合粉末の焼結温度は、例えば1200℃以上とすることができる。複合粉末の焼結時間は、例えば5分間〜30分間とすることができる。複合粉末の焼結時の圧力は、例えば5〜10GPaとすることができる。
本実施形態の窒化ホウ素焼結体は、立方晶窒化ホウ素を40〜70体積%含むことが好ましく、50〜65体積%含むことがより好ましい。立方晶窒化ホウ素の含有量が40体積%未満の場合は、焼結体の硬度が低下する。また、立方晶窒化ホウ素の含有量が70体積%を超える場合は、立方晶窒化ホウ素同士が接触することによってその接触部にクラックなどの欠陥が生じるという問題、また結合材の含有量が相対的に少なくなることにより結合強度が低下するという問題が生じる場合がある。
本実施形態の窒化ホウ素焼結体は、結合材として用いられるセラミック粉末由来のセラミックを30〜60体積%含むことが好ましく、35〜50体積%含むことがより好ましい。セラミックの含有量が30体積%未満の場合は、立方晶窒化ホウ素粉末と、セラミック粉末との十分な結合が得られず、60体積%を超えた場合は十分な硬度が得られない場合がある。なお結合材として用いられるセラミック粉末が、粒子の平均粒径が5μm以下、酸素の含有量が0.3質量%以下であることにより、高い強度の窒化ホウ素焼結体を得ることができる。
複合粉末は、上記したセラミック粉末以外の他の結合材を含んでいてもよく、他の結合材としては、アルミニウム(Al)粉末等が例示される。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[実施例1]
上記した第1の製造方法(精製ガス中加熱方法)により窒化チタン粉末を作製した。具体的には、原料として市販の窒化チタン粉末を準備した。かかる窒化チタン粉末をタングステンヒータを備える雰囲気炉に入れ、ガス精製装置(装置名:Puremate1100、大陽日酸株式会社製)を通して精製したN2ガスを3l/分で流しながら、温度1500〜2000℃の範囲で温度調整し12時間の加熱処理を行ない、実施例1の窒化チタン粉末(試料1−1〜1−6)を得た。試料1−1〜1−6の製造時の加熱処理温度は、表1に示す通りとした。
[実施例2]
上記した第2の製造方法(低酸素分圧下加熱方法)により窒化チタン粉末を作製した。具体的には、原料として実施例1で用いた原料と同様の市販の窒化チタン粉末を準備した。かかる窒化チタン粉末を、酸素分圧制御装置(装置名:SiOC−200C、エスティー・ラボ株式会社製)を接続した、タングステンヒータを有する雰囲気炉に入れ、酸素分圧が1×10−29atm以下の窒素雰囲気下で、温度1500〜2000℃の範囲で温度調整し12時間加熱処理を行ない、実施例2の窒化チタン粉末(試料2−1〜2−6)を得た。試料2−1〜2−6の製造時の加熱処理温度は、表1に示す通りとした。
[実施例3]
上記した第3の製造方法(熱プラズマ方法)により窒化チタン粉末を作製した。具体的には、原料として実施例1で用いた原料と同様の市販の窒化チタン粉末を準備した。熱プラズマ発生装置(装置名:TPシリーズ、日本電子株式会社製)のチャンバー内を圧力30kPaの真空に調整し、プラズマガスとしてArガスを40l/分、H2ガスを10l/分で流しながら、RFコイルに4MHz、25〜35kWの範囲の高周波電力を印加して熱プラズマを発生させたところに、キャリアガスのArガスを5l/分で供給するとともに、原料の窒化チタン粉末を1g/分で供給し熱プラズマ処理を施し、実施例3の窒化チタン粉末(試料3−1〜3−3)を得た。試料3−1〜3−3の製造時の高周波電力は、表1に示す通りとした。
[実施例4]
原料粉末として、表2に示す窒化物材料又は炭窒化物材料からなる市販品の粉末を準備した。全ての粉末について、ボールミルによって粉砕し粒度を調整したものを原料粉末として用いた。原料粉末について、表2に示す製造方法(第1〜第3の製造方法のいずれか)により実施例4の窒化物粉末(試料4−1〜4−8)及び炭窒化物粉末(試料4−9〜4−11)を作製した。具体的な製造方法は、同じ製造方法が採用されている上記各実施例1〜3で説明した製造方法と同様である。
[実施例5]
高純度チタン粉末にカーボンブラック0.3質量%を加えて混合したものを、タングステンヒーターを備える雰囲気炉で、窒素雰囲気中1800℃で加熱処理を行い、窒化チタンを得た。これをボールミルによって粉砕し粒度を調整したものを原料粉末として用い、表2に示す製造方法(第2または第3の製造方法)により実施例5の窒化物粉末(試料5−1〜5−9)を作製した。具体的な製造方法は、同じ製造方法が採用されている上記各実施例2,3で説明した製造方法と同様である。
[実施例6]
高純度チタン粉末にカーボンブラック0.1質量%を加えることを除いては、表2に示す製造方法により、実施例5と同様にして、実施例6の窒化物粉末(試料6−1〜6−9)を作製した。
[実施例7]
実施例1とは、原料の窒化チタン粉末について、気流式分級機を用いて微粒をカットし、1μm以下の粒子の割合を全体の10質量%未満に低減する処理を施した後に、加熱処理を施した点のみが異なる。このようにして、実施例7の窒化チタン粉末(試料7−1〜7−6)を得た。試料7−1〜7−6の製造時の加熱処理温度は、表3に示す通りとした。
[実施例8]
実施例2とは、原料の窒化チタン粉末について、気流式分級機を用いて微粒をカットし、1μm以下の粒子の割合を全体の10質量%未満に低減する処理を施した後に、加熱処理を施した点のみが異なる。このようにして、実施例8の窒化チタン粉末(試料8−1〜8−6)を得た。試料8−1〜8−6の製造時の加熱処理温度は、表3に示す通りとした。
[実施例9]
実施例3とは、原料の窒化チタン粉末について、気流式分級機を用いて微粒をカットし、1μm以下の粒子の割合を全体の10質量%未満に低減する処理を施した後に、熱プラズマ処理を施した点のみが異なる。このようにして、実施例9の窒化チタン粉末(試料9−1〜9−3)を得た。試料9−1〜9−3の製造時の高周波電力は、表3に示す通りとした。
[比較例1]
原料として実施例1で用いた原料と同様の市販の窒化チタン粉末を準備した。かかる窒化チタン粉末97質量%と、カーボンブラック3質量%を加えてボールミルに装入し、アセトン添加による湿式混合を24時間行なった。混合物は、乾燥後加圧成形し、N2ガスを流しながら昇温加熱して、表3に示すように1900℃において2時間保持した後、粉砕して窒化チタン粉末(比較試料1)を得た。比較例1での製造方法を炭素還元方法ともいう。
[測定]
各実施例および比較例1の窒化物粉末について、上記還元処理前後の平均粒径を、レーザ回折式粒度分布測定装置により測定した。また、窒化物粉末及び炭窒化物粉末について、上記還元処理前後の酸素の含有量を酸素分析装置(HORIBA製のEMGA−650W)により測定し、上記還元処理前後の炭素の含有量を炭素分析装置(レコ社製のCS−200)により測定した。さらに、実施例1〜3,5〜9の窒化チタン粉末について、上記還元処理後の1μm未満の粒子の割合を、レーザ回折式粒度分布測定装置により求められた粒度分布より算出した。測定結果を表1〜表3に示す。
Figure 2016143693

Figure 2016143693
Figure 2016143693
表1〜表3よりわかるように、実施例1〜9の方法により製造した試料は全て、粒子の平均粒径は5μm以下であり、酸素の含有量が0.3質量%以下のセラミック粉末であった。
[実施例10、比較例2]
超硬合金製ポットおよびボールを用いて、表4に示す各試料のセラミック粉末とAl粉末を80:20の質量比で混合した。この粉末を真空中で1200℃、30分間熱処理をし、得られた化合物を粉砕し、結合材粉末を得た。次にこの結合材粉末と平均粒径1.5μmの立方晶窒化ホウ素粉末とを表4に示す配合比で混合して複合粉末を得て、かかる複合粉末を真空炉で900℃、20分間保持し、脱ガスした。さらに、この複合粉末を圧力5GPa、温度1300℃で20分間焼結して、実施例10の窒化ホウ素焼結体の試料10−1〜10−16と、比較例2の比較試料2を得た。
焼結体に含まれる化合物をXRD(X−ray diffraction)(装置名:粉末X線回折装置、株式会社リガク製)で調べた。表4に示すすべての焼結体試料について立方晶窒化ホウ素(cBN)、TiN又はTiCN、TiB2、AlB2と推定される化合物が検出された。
次に、焼結体から工具(ISO型番;SNGA120408)を作製し、被削材(浸炭焼入鋼SCM415、硬度:HRC60、直径100mm、長さ300mm)を下記の切削条件にて切削し、焼入鋼の高速切削における工具寿命を調べた。工具寿命の判定は逃げ面摩耗幅が0.2mm以上とした。その結果を表4に示す。
切削速度V=200m/分、
送りf=0.1mm/rev.、
切り込みd=0.2mm、
乾式切削。
Figure 2016143693
表4からわかるように、実施例10で作製した焼結体(試料10−1〜10−16)を用いて作製した工具は、比較試料2の焼結体を用いて作製した工具と比較して、寿命が長かった。すなわち、実施例10で作製した焼結体は、比較例2で作製した焼結体と比較して、強度に優れていたことがわかった。また、試料10−10は、立方晶窒化ホウ素と結合材との配合比率が同じである試料10−1〜10−6と比較して寿命が長く、1μm未満の粒子割合が10質量%である試料7−6の窒化チタン粉末を用いた焼結体はより強度が高いことがわかった。また、試料10−7は、結合材の配合量がより多い試料10−1〜10−6と比較して同程度の寿命が得られており、1μm未満の粒子割合が10質量%である窒化チタン粉末を結合材として用いることにより、より少ない量の結合材で所望の強度が得られることがわかった。また、試料10−11〜10−16を比較することにより、焼結体の強度は、結合材として用いるセラミック粉末の炭素の含有量が少ないほど高いことがわかった。
[実施例11]
実施例10と同様にして、表5に示す各試料のセラミック粉末を用いて試料11−1〜11−9の工具を作製した。次に、セラミックス粉末中の炭素の含有量の効果を明確にするため、下記の条件にて高速強断続切削するという切削試験を実施し、欠損が0.1mm以上となるまでの工具寿命(断続切削寿命)を求めた。その結果を表5に示す。
被削材:浸炭焼入鋼SCM415H、HRC62
(直径100mm×長さ300mm、被削材の軸方向に5本のV溝あり)
切削速度V=150m/分、
送りf=0.12mm/rev.、
切込みd=0.5mm、
乾式切削。
Figure 2016143693
表5からわかるように、高速強断続切削においては、セラミックス粉末中の炭素量の少ない試料11−4〜11−9の寿命が長かった。試料11−4〜11−9は、前記第2、第3の製造方法を用いたことにより酸素量と炭素量がともに少ないため、より工具の強度が必要とされる高速断続切削において顕著な効果が得られたと推定される。
[比較例3]
実施例2,3で作製した窒化チタン粉末(試料2−6及び試料3−3)を、電気炉にて大気中600℃、1時間の熱処理を行った。処理後の粉末は、還元処理前後の、平均粒径、酸素の含有量、炭素の含有量を、上記した測定方法と同様の方法により測定した。測定結果を表6に示す。
Figure 2016143693
大気中での熱処理により、炭素量は低減するものの酸素量は増加した。これに対し、表2に示す通り、試料5−1〜5−9や試料6−1〜6−9は、酸素量と炭素量がともに0.3質量%以下を達成している。このことは、第1〜第3の製造方法が、原料の炭素量を増加させずに、酸素量を低減できる優れた方法であることを示している。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の窒化物紛体は、切削工具や耐磨部品などの硬質材料の原料として用いると有益である。

Claims (7)

  1. 金属元素の窒化物及び炭窒化物の少なくとも一方を主成分として含み、
    前記金属元素は、第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選択される1種以上の元素であり、
    平均粒径は5μm以下であり、
    酸素の含有量が0.3質量%以下である、セラミック粉末。
  2. 酸素の含有量が0.1質量%以下である、請求項1に記載のセラミック粉末。
  3. 炭素の含有量が質量0.3質量%以下である、請求項1または2に記載のセラミック粉末。
  4. 炭素の含有量が0.1質量%以下である、請求項3に記載のセラミック粉末。
  5. 前記金属元素がチタンである、請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック粉末。
  6. 粒径が1μm以下である粒子の割合が10質量%未満である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のセラミック粉末。
  7. 立方晶窒化ホウ素と、請求項5に記載のセラミック粉末とを含む複合粉末を焼結して形成された窒化ホウ素焼結体。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114144392B (zh) * 2019-07-18 2023-06-02 住友电气工业株式会社 立方晶氮化硼烧结体

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52111500A (en) * 1976-03-16 1977-09-19 Nippon Shinkinzoku Kk Process for preparing nitride
JPS58213606A (ja) * 1982-06-07 1983-12-12 Mitsubishi Metal Corp 窒化チタン粉末の製造法
JPS58213617A (ja) * 1982-06-07 1983-12-12 Mitsubishi Metal Corp 炭窒化チタン粉末の製造法
JPS5976802A (ja) 1982-10-26 1984-05-02 Japan Metals & Chem Co Ltd 気相反応法による窒化チタン超微粉体の製造方法
JPS61127607A (ja) * 1984-11-24 1986-06-14 Toho Titanium Co Ltd 窒化チタンの製造方法
JPS6259507A (ja) * 1985-09-10 1987-03-16 Hitachi Metals Ltd Ti窒化物超微粉の製造方法及びその装置
JPS63277505A (ja) 1987-01-14 1988-11-15 Mitsubishi Metal Corp 整粒にして高純度の単結晶窒化チタン微粉末の製造法
JP2582281B2 (ja) * 1988-04-18 1997-02-19 東芝セラミックス株式会社 金属窒化物紛末の製造方法
JP3199395B2 (ja) 1991-04-04 2001-08-20 新日本製鐵株式会社 セラミック皮膜とその製造方法
JP2971203B2 (ja) 1991-08-21 1999-11-02 三菱重工業株式会社 工具用焼結材料
AT404128B (de) * 1994-07-22 1998-08-25 Treibacher Ind Aktiengesellsch Verfahren zur herstellung von sphärischen nitrid- und/oder carbonitridpulvern des titans
US5639285A (en) * 1995-05-15 1997-06-17 Smith International, Inc. Polycrystallline cubic boron nitride cutting tool
JPH0987035A (ja) * 1995-09-29 1997-03-31 Chichibu Onoda Cement Corp 硬質複合材料及びその製造方法
JP3776250B2 (ja) 1999-03-12 2006-05-17 三井金属鉱業株式会社 窒化タンタルの製造方法
US7413591B2 (en) 2002-12-24 2008-08-19 Kyocera Corporation Throw-away tip and cutting tool
US7413359B2 (en) 2006-01-19 2008-08-19 Dell Products L.P. Method and apparatus for printing
JP5880389B2 (ja) * 2012-10-22 2016-03-09 住友電気工業株式会社 窒化ホウ素多結晶体の製造方法

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