JPWO2016084167A1 - 加振ユニット、ターゲット供給装置および極端紫外光生成システム - Google Patents
加振ユニット、ターゲット供給装置および極端紫外光生成システム Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016084167A1 JPWO2016084167A1 JP2016561143A JP2016561143A JPWO2016084167A1 JP WO2016084167 A1 JPWO2016084167 A1 JP WO2016084167A1 JP 2016561143 A JP2016561143 A JP 2016561143A JP 2016561143 A JP2016561143 A JP 2016561143A JP WO2016084167 A1 JPWO2016084167 A1 JP WO2016084167A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vibration
- frequency
- target
- transmission member
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title claims description 39
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 78
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0644—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
- B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
- B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
- B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
- B05B17/0653—Details
- B05B17/0669—Excitation frequencies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
- B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
- B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
- B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
- B05B17/0653—Details
- B05B17/0676—Feeding means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
Description
1.概要
2.極端紫外光生成装置の全体説明
2.1 構成
2.2 動作
3.用語の説明
4.加振ユニットを含むターゲット供給装置
4.1 構成
4.2 動作
5.加振ユニット:比較例
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用
5.4 課題
6.加振ユニット:実施形態1
6.1 構成
6.2 動作
6.3 振動伝達部材の形状説明
6.4 作用
7.加振ユニット:実施形態2
7.1 構成
7.2 動作
7.3 作用
8.加振ユニット:実施形態3
8.1 構成
8.2 作用
本開示の実施形態は、EUV光生成用のターゲット材料をドロップレットの形態で供給するためのターゲット供給装置に用いられる加振ユニット、およびそれを備えたターゲット供給装置およびEUV光生成装置に関するものであってよい。より具体的には、実施形態は、ノズルからジェット状に噴出したターゲット材料をドロップレットの形態に変化させるための振動をノズル先端に与える加振ユニット、およびそれを備えたターゲット供給装置およびEUV光生成装置に関するものであってもよい。ただし、本開示はこれらの事項に限定されず、ジェット状に噴出した液体をドロップレットの形態に変化させるためのあらゆる事項に関連するものであってよい。
2.1 構成
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
本開示において使用される用語について、以下のように定義する。
「ドロップレット」とは、溶融したターゲット材料の液滴であってもよい。その形状は、略球形であってもよい。
「プラズマ生成領域」とは、プラズマが生成される空間として予め設定された3次元空間であってもよい。
つづいて、図1に示すターゲット供給部26を含むターゲット供給装置の一例を、図面を参照して詳細に説明する。
図2は、図1に示すターゲット供給部を含むターゲット供給装置の一例を示す模式図である。図3は、図2に示すノズル部材、ノズルホルダおよび加振ユニットをターゲットの出力方向から見たときの概略構成を示す図である。
図2に示すターゲット制御装置51は、EUV光生成制御装置5または外部装置の制御部からドロップレット出力準備信号が入ると以下の処理を実行してもよい。
つづいて、図2および図3に示す加振ユニット111の一例について、図面を参照して詳細に説明する。
図4は、図2に示す加振ユニットの一例を示す斜視図である。図5は、図4に示す加振ユニットの2本の第1ボルト308の中心軸を含む面における断面図であり、図6は、図4に示す加振ユニットの図5の断面と垂直かつ、第2ボルト306の中心軸を含む面における断面図である。なお、図5は、図6に示すB−B面の断面構造の一例を示し、図6は、図5に示すA−A面の断面構造の一例を示す。
図4〜図6に示す加振ユニット300では、振動伝達部材301の突起部302をノズルホルダ265へ押し付ける与圧、および、ピエゾ素子304を押さえ部材305と振動伝達部材301とで挟み込む与圧(ピエゾ素子304への与圧)が、第2ボルト306によって与えられてもよい。
ここで、EUV光生成装置1のチャンバ2内において発生するターゲット材料271のデブリを低減するためには、ドロップレット状に出力されるターゲット27の体積を小さくするとよい。微小なドロップレットを出力するためには、ノズル孔267の孔径(以下、ノズル径という)を小さくするとよい。
まず、実施形態1にかかる加振ユニットについて、図面を参照して詳細に説明する。
図7は、実施形態1にかかる加振ユニットの概略構成例を示す断面図である。なお、図7は、図5に対応する断面の構造例を示している。また、以下の説明において、加振ユニット300と同様の構成については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図7に示す加振ユニット310では、図4〜図6に示す加振ユニット300と同様に、ピエゾ素子314で発生した振動が、振動伝達部材311の突起部302、ノズルホルダ265、ノズル部材266、タンク部260等を介して、ターゲット流路FL内のターゲット材料271に伝達されてもよい。それにより、ノズル孔267から噴出するターゲット材料271のジェットが分断され、所定サイズおよび所定周期のドロップレットに変化してもよい。
ここで、図9〜図11を用いて、振動伝達部材の形状について説明する。図9は、比較例にかかる加振ユニット300における振動伝達部材301の断面形状の一部を示す図である。図10は、実施形態1にかかる加振ユニット310における振動伝達部材311の断面形状の一部を示す図である。図11は、実施形態1にかかる加振ユニット310における振動伝達部材311の断面形状の変形例の一部を示す図である。
以上のことから、以下の関係(1)を満たすことで、振動ノイズの発生および増幅が抑制され得る。その結果、ドロップレットの生成周期が不安定となることが抑制され得る。
・ 振動伝達経路上の部品の1次モードの固有振動数×2≦電気信号の周波数<ピエゾ素子314の共振周波数
また、関係(1)より、関係(2)が導かれ得る。
(2)振動伝達経路上の部品の1次モードの固有振動数×2<ピエゾ素子314の共振周波数
つぎに、実施形態2にかかる加振ユニットについて、図面を用いて詳細に説明する。
図12は、実施形態2にかかる加振ユニットの概略構成例を示す断面図である。なお、図12は、図7に対応する断面の構造例を示している。また、以下の説明において、加振ユニット310と同様の構成については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図12に示す加振ユニット320では、図7に示す加振ユニット310と同様に、ピエゾ素子314で発生した振動が、振動伝達部材331の加振ピン332、ノズルホルダ265、ノズル部材266、タンク部260等を介して、ターゲット流路FL内のターゲット材料271に伝達されてもよい。それにより、ノズル孔267から噴出するターゲット材料271のジェットが分断され、所定サイズおよび所定周期のドロップレットに変化してもよい。
以上のように、実施形態2にかかる加振ユニット320では、発生した振動のターゲット材料271までの伝達経路の一部である振動伝達部材331に、ノズルホルダ265やタンク部260等の振動減衰率よりも低い振動減衰率の材質が用いられてもよい。それにより、ピエゾ素子314で発生した振動がターゲット流路FL内のターゲット物質271に効率的に伝達され得る。
上述においても触れたように、ピエゾ素子314で発生した振動が伝達し得る部品の接触は、これらの部品同士の共振を誘発するため、振動ノイズを増幅する要因となり得る。
図13は、実施形態3にかかる加振ユニットの概略構成例を示す断面図である。なお、図13は、図12に対応する断面の構造例を示している。また、以下の説明において、加振ユニット320と同様の構成については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
以上のような構成とすることで、ピエゾ素子314で発生した振動が伝達し得る部品の数が削減され得る。それにより、部品同士の共振の誘発が抑制され、その結果、振動ノイズが増幅されることを抑制され得る。
Claims (16)
- ターゲット流路内に供給されたターゲット材料に振動を与える加振ユニットであって、
外部から入力された所定周波数の電気信号に応じて振動する振動素子を備え、
前記振動素子の共振周波数は、前記電気信号の前記所定周波数とは異なる周波数である
加振ユニット。 - 前記振動素子の前記共振周波数は、前記所定周波数よりも大きい
請求項1に記載の加振ユニット。 - 前記振動素子は、コンポジットピエゾ素子およびバルクピエゾ素子のうちいずれかを含む、
請求項1に記載の加振ユニット。 - ターゲット流路内に供給されたターゲット材料に振動を与える加振ユニットであって、
前記ターゲット流路を内部に含む第1部材に接触する振動伝達部材と、
前記振動伝達部材に接触し、外部から入力された所定周波数の電気信号に応じて振動する振動素子と、
を備え、
前記振動伝達部材の1次モードの固有振動数は、前記振動素子の共振周波数とは異なる周波数である
加振ユニット。 - 前記振動伝達部材の1次モードの固有振動数は、前記共振周波数よりも小さい
請求項4に記載の加振ユニット。 - 前記振動素子の前記共振周波数は、前記電気信号の前記所定周波数とは異なる周波数である
請求項4に記載の加振ユニット。 - 前記振動素子の前記共振周波数は、前記所定周波数よりも大きい
請求項6に記載の加振ユニット。 - 前記振動伝達部材の1次モードの固有振動数は、前記電気信号の前記所定周波数の1/2以下である
請求項4に記載の加振ユニット。 - 前記振動素子は、コンポジットピエゾ素子およびバルクピエゾ素子のうちいずれかを含む、
請求項4に記載の加振ユニット。 - 前記振動伝達部材における前記振動素子との接触面の外縁と、前記振動素子における前記振動伝達部材との接触面の外縁とが所定距離離れている、
請求項4に記載の加振ユニット。 - 前記振動伝達部材とともに前記振動素子を挟み込むように前記振動素子と接触する電極をさらに備え、
前記電極における前記振動素子との接触面の外縁と、前記振動素子における前記電極との接触面の外縁とが所定距離離れている、
請求項4に記載の加振ユニット。 - 前記振動伝達部材は、接地されている
請求項11に記載の加振ユニット。 - ターゲット材料を出力するターゲット供給装置であって、
ターゲット流路を内部に含む第1部材と、
外部から入力された所定周波数の電気信号に応じて振動する振動素子を備えた加振ユニットと、
を備え、
前記振動素子の共振周波数は、前記電気信号の前記所定周波数とは異なる周波数である
ターゲット供給装置。 - ターゲット材料を出力するターゲット供給装置であって、
ターゲット流路を内部に含む第1部材と、
前記ターゲット流路を内部に含む第1部材に接触する振動伝達部材と、前記振動伝達部材に接触し、外部から入力された所定周波数の電気信号に応じて振動する振動素子と、を備えた加振ユニットと、
を備え、
前記振動伝達部材の1次モードの固有振動数は、前記振動素子の共振周波数とは異なる周波数である
ターゲット供給装置。 - ターゲット材料を出力するターゲット供給装置であって、
ターゲット流路を内部に含む第1部材と、
前記ターゲット流路を内部に含む第1部材に接触する振動伝達部材と、前記振動伝達部材に接触し、外部から入力された所定周波数の電気信号に応じて振動する振動素子と、を備えた加振ユニットと、
を備え、
前記振動素子の前記共振周波数は、前記電気信号の前記所定周波数よりも大きく、かつ、
前記振動伝達部材の1次モードの固有振動数は、前記所定周波数の1/2以下である
ターゲット供給装置。 - チャンバと、
前記チャンバ内へ前記ターゲット物質を供給する請求項13または14に記載のターゲット供給装置と、
前記チャンバ内へ供給された前記ターゲット物質へレーザ光を照射するレーザ装置と、
前記レーザ光が照射されることで生成された前記ターゲット物質のプラズマから放射した極端紫外光を集光して出力するコレクタミラーと、
を備える
極端紫外光生成システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/081259 WO2016084167A1 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 加振ユニット、ターゲット供給装置および極端紫外光生成システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016084167A1 true JPWO2016084167A1 (ja) | 2017-09-07 |
JP6480466B2 JP6480466B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=56073789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016561143A Active JP6480466B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 加振ユニット及びターゲット供給装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10369596B2 (ja) |
JP (1) | JP6480466B2 (ja) |
WO (1) | WO2016084167A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180037351A1 (en) * | 2016-08-08 | 2018-02-08 | The Procter & Gamble Company | Fluid Filling Nozzle, Apparatus, and Method of Filling a Container with a Fluid |
WO2019069454A1 (ja) * | 2017-10-06 | 2019-04-11 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びターゲット供給装置 |
WO2019180826A1 (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61152086A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Metals Ltd | 積層型圧電駆動装置の使用方法 |
JPH05226717A (ja) * | 1991-07-17 | 1993-09-03 | Kasei Optonix Co Ltd | 積層型圧電アクチュエータ用素子 |
WO2014082811A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Droplet generator, euv radiation source, lithographic apparatus, method for generating droplets and device manufacturing method |
JP2014529862A (ja) * | 2011-09-02 | 2014-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源及びリソグラフィ装置 |
JP2014529840A (ja) * | 2011-08-05 | 2014-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源、リソグラフィ装置のための方法及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03295410A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 干渉計型光ファイバジャイロ |
JP2836189B2 (ja) * | 1990-05-25 | 1998-12-14 | 日産自動車株式会社 | 超音波モータの駆動回路 |
DE69834210T2 (de) * | 1997-11-19 | 2007-01-04 | Microflow Engineering S.A. | Sprühvorrichtung für einen Inhalator |
JP3667117B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2005-07-06 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録装置および該装置における吐出回復方法 |
US6713943B1 (en) * | 1999-06-14 | 2004-03-30 | Minolta Co., Ltd. | Actuator and driving method thereof |
US7405416B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
US20040233793A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-11-25 | Akihiro Sawada | Analog electronic timepiece |
US8530871B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-09-10 | Cymer, Llc | Laser produced plasma EUV light source |
JP5670619B2 (ja) | 2009-02-06 | 2015-02-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP2012216799A (ja) | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Fujifilm Corp | 機能性液体吐出装置及び機能性液体吐出方法並びにインプリントシステム |
JP5946649B2 (ja) | 2012-02-14 | 2016-07-06 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
EP2742387B1 (en) | 2012-03-07 | 2015-04-01 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
-
2014
- 2014-11-26 WO PCT/JP2014/081259 patent/WO2016084167A1/ja active Application Filing
- 2014-11-26 JP JP2016561143A patent/JP6480466B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-06 US US15/480,398 patent/US10369596B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61152086A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Metals Ltd | 積層型圧電駆動装置の使用方法 |
JPH05226717A (ja) * | 1991-07-17 | 1993-09-03 | Kasei Optonix Co Ltd | 積層型圧電アクチュエータ用素子 |
JP2014529840A (ja) * | 2011-08-05 | 2014-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源、リソグラフィ装置のための方法及びデバイス製造方法 |
JP2014529862A (ja) * | 2011-09-02 | 2014-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源及びリソグラフィ装置 |
WO2014082811A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Droplet generator, euv radiation source, lithographic apparatus, method for generating droplets and device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6480466B2 (ja) | 2019-03-13 |
WO2016084167A1 (ja) | 2016-06-02 |
US20170209899A1 (en) | 2017-07-27 |
US10369596B2 (en) | 2019-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4564369B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
WO2009125748A1 (ja) | 共振器の支持装置 | |
JP6480466B2 (ja) | 加振ユニット及びターゲット供給装置 | |
JP5670619B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
KR20180095610A (ko) | 리소그래피 장치, 극자외선 소스 및 리소그래피 장치를 위한 액적 생성기 | |
WO2020148155A1 (en) | Target delivery system | |
WO2018011953A1 (ja) | 光学素子角度調整装置及び極端紫外光生成装置 | |
WO2016072431A1 (ja) | 加振ユニットおよびターゲット供給装置 | |
JP6101704B2 (ja) | 液滴発生器ステアリングシステム | |
JP2004327590A (ja) | ボンディング装置およびボンディングツール | |
US8779402B2 (en) | Target supply device | |
US10306742B2 (en) | Droplet dispensing device, method for providing droplets, and light source for providing UV or X-ray light | |
US10028366B2 (en) | Extreme UV light generation device and target recovery apparatus | |
JP5955372B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP4907511B2 (ja) | 消耗電極式溶接トーチ | |
CN114675509A (zh) | 极紫外光产生的方法和激光等离子体极紫外光源的装置 | |
US11448967B2 (en) | Target formation apparatus | |
JP2006247251A (ja) | 超音波美容装置 | |
TW202116113A (zh) | 噴嘴裝置 | |
TWI840411B (zh) | 目標形成設備 | |
TWI634391B (zh) | 噴嘴模組、微影裝置及其操作方法 | |
JP2009090296A (ja) | 超音波振動接合装置 | |
JP2019110155A (ja) | 電子部品ボンディングツール | |
WO2019180826A1 (ja) | ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 | |
JPH11235817A (ja) | 記録装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6480466 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |