JPWO2016052347A1 - 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板 - Google Patents

導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016052347A1
JPWO2016052347A1 JP2016551984A JP2016551984A JPWO2016052347A1 JP WO2016052347 A1 JPWO2016052347 A1 JP WO2016052347A1 JP 2016551984 A JP2016551984 A JP 2016551984A JP 2016551984 A JP2016551984 A JP 2016551984A JP WO2016052347 A1 JPWO2016052347 A1 JP WO2016052347A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
general formula
carbon atoms
conductive film
hydrogen atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016551984A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6295339B2 (ja
Inventor
季彦 松村
季彦 松村
泰明 松下
泰明 松下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of JPWO2016052347A1 publication Critical patent/JPWO2016052347A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6295339B2 publication Critical patent/JP6295339B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C09D11/037—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the pigment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C08K2003/0806—Silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/28—Nitrogen-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/10—Esters; Ether-esters
    • C08K5/11—Esters; Ether-esters of acyclic polycarboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/13—Phenols; Phenolates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/41—Compounds containing sulfur bound to oxygen
    • C08K5/42—Sulfonic acids; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

本発明は、移動度の低下を抑制しつつ、絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを作製することができ、塗布性に優れた導電膜形成用組成物、ならびに、これを用いて作製された導電膜および有機薄膜トランジスタを提供する。本発明は、上記有機薄膜トランジスタを含む電子ペーパーおよびディスプレイデバイス、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを用いて形成された配線を有する配線板も提供する。本発明に係る導電膜形成用組成物は、水と、導電性粒子と、一般式（１）で表される基を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤と、を含有する。上記一般式（１）中、Ｗ１は、水素原子、一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）または一般式（Ｃ）のいずれかを表す。上記一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、Ｗ２のいずれかを表す。Ｗ２は、一般式（Ｄ）、一般式（Ｅ）または一般式（Ｆ）を表す。ただし、Ｗ１が水素原子である場合には、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つは、Ｗ２である。上記一般式（１）中、＊は、結合位置を表す。

Description

本発明は、導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板に関する。
有機薄膜トランジスタは、軽量化、低コスト化、柔軟性に富むという性質を付与することが可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）、メモリなどの論理回路を用いる装置など、種々の電子機器に採用されている。
通常、有機薄膜トランジスタは、基板、ゲート絶縁膜、有機半導体層、および３つの電極（ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極）などから構成されている。
このような有機薄膜トランジスタを構成する部材の中で、電極や配線などの導電膜は、導電性粒子（例えば、銀、銅などの金属から構成される粒子）を含む分散体（導電膜形成用組成物または導電ペースト）を用いて形成されることが知られている。
例えば、特許文献１には、銀粒子と、特定構造のマイグレーション抑止剤（マイグレーション抑制剤）と、を含有する導電ペーストが開示されている。特許文献１に記載の導電ペーストによれば、マイグレーション抑止および導電性に優れた銀層を形成できる。
特開２０１４−６７６７７号公報
ところで、近年、環境に対する配慮から、導電性粒子を分散させる溶媒として、有機溶媒の少なくとも一部に代えて、水が使用されることがある。導電性粒子を分散させる溶媒として水を使用した場合、環境負担を低減できる上に、導電膜形成用組成物を塗布する基板やゲート絶縁膜の損傷を低減できるという利点がある。
しかしながら、水を用いて導電性粒子を分散させる際に、特許文献１に記載されているような疎水性の高いマイグレーション抑止剤（マイグレーション抑制剤）を用いると、導電膜形成用組成物の塗布性の低下を引き起こす場合がある。このような塗布性の低下は、特許文献１に記載されている疎水性の高いマイグレーション抑制剤が、導電性粒子の分散性を低下させてしまうことが原因の一つであると考えられる。
このように導電膜形成用組成物の塗布性が低下すると、形成される導電膜の平滑性（平坦性）が悪化しやすくなる。そうすると、導電膜に空隙が発生して配線不良（コンタクト不良）が生じたり、導電膜に接して形成される有機半導体層（有機半導体膜）の結晶成長が阻害されたりして、有機薄膜トランジスタの移動度が低下してしまう。
一方で、上記のような水を溶媒として含有する導電膜形成用組成物を用いた場合、マイグレーションの発生を抑制しつつ、塗布性の向上を図ろうとして、親水性基の導入されたマイグレーション抑制剤を用いることが考えられる。
しかしながら、親水性基の導入されたマイグレーション抑制剤は、その構造によっては、有機薄膜トランジスタの吸湿の原因となることがある。このように有機薄膜トランジスタが吸湿してしまうと、マイグレーションの発生を助長して、絶縁信頼性の低下を引き起こす場合がある。
ここで、本発明におけるマイグレーションとは、金属などの導電性物質がイオン化して、イオンが移動（マイグレーション）することを表す。
このように、水を溶媒とする導電膜形成用組成物を用いた場合、これに含まれるマイグレーション抑制剤の構造によっては、導電膜形成用組成物の塗布性の低下に伴う有機薄膜トランジスタの移動度の低下や、有機薄膜トランジスタの吸湿に伴う絶縁信頼性の低下を引き起こすことがある。
本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、移動度の低下を抑制しつつ、絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを作製することができ、塗布性に優れた導電膜形成用組成物、ならびに、これを用いて作製された導電膜および有機薄膜トランジスタを提供することにある。また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタを含む電子ペーパーおよびディスプレイデバイス、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを用いて形成された配線を有する配線板を提供することにある。
すなわち、本発明は、以下の〔１〕〜〔１６〕を提供する。
〔１〕
水と、
導電性粒子と、
一般式（１）で表される基を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤と、
を含有する、導電膜形成用組成物。
後述する一般式（１）中、Ｗ１は、水素原子、一般式（Ａ）で表される基、一般式（Ｂ）で表される基または一般式（Ｃ）で表される基を表す。
後述する一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、およびＷ２のいずれかを表す。Ｗ２は、一般式（Ｄ）で表される基、一般式（Ｅ）で表される基または一般式（Ｆ）で表される基を表す。ただし、Ｗ１が水素原子である場合には、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つは、Ｗ２である。
後述する一般式（１）中、＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ａ）中、Ｚ１は、２価の連結基を表す。ＲＡは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。Ｒ５は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｎは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｂ）中、Ｚ２は、２価の連結基を表す。Ａ１ −は、アニオン性基を表す。Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｃ）中、Ｚ３は、２価の連結基を表す。Ａ２ −は、１価の陰イオンを表す。Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｄ）中、Ｚ４は、単結合または２価の連結基を表す。ＲＢは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。Ｒ１３は、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｍは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｅ）中、Ｚ５は、単結合または２価の連結基を表す。Ａ３ −は、アニオン性基を表す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｆ）中、Ｚ６は、単結合または２価の連結基を表す。Ａ４ −は、１価の陰イオンを表す。Ｒ１８、Ｒ１９およびＲ２０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
〔２〕
上記一般式（１）で表される基を有する化合物が、一般式（２）で表される化合物である、上記〔１〕に記載の導電膜形成用組成物。
後述する一般式（２）中、Ｌは、単結合またはｎ＋ｍ価の連結基を表す。Ｌが単結合の場合には、ｎ＝１、ｍ＝１である。Ｌがｎ＋ｍ価の連結基である場合には、ｎおよびｍは整数であって、１≦ｎ≦６、０≦ｍ≦５、および、２≦ｎ＋ｍ≦６を満たす。
後述する一般式（２）中、Ｒｘは、下記一般式（Ｇ）で表される基である。ｎが２以上である場合には、複数のＲｘは、同一でも異なっていてもよい。
後述する一般式（２）中、Ｒｙは、水素原子、置換基または下記一般式（Ｈ）で表される基である。ｍが２以上である場合には、複数のＲｙは、同一でも異なっていてもよい。
後述する一般式（Ｇ）中、Ｗ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の定義は、いずれも、後述する一般式（１）で表される基と同義である。Ｙ１は、単結合または２価の連結基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｈ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ２は、単結合または２価の連結基を表す。＊は、結合位置を表す。
〔３〕
上記一般式（１）または上記一般式（２）において、
Ｗ１が、一般式（Ｉ）で表される基、一般式（Ｊ）で表される基、一般式（Ｋ）で表される基または一般式（Ｌ）で表される基である、上記〔１〕または〔２〕に記載の導電膜形成用組成物。
後述する一般式（Ｉ）中、Ｌ１は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ２５は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｎは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｊ）中、Ｌ２は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ２６は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｍは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｋ）中、Ｒ２７は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｌは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｌ）中、Ｌ３は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０およびＲ３１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
〔４〕
上記一般式（１）または上記一般式（２）において、
Ｗ２が、一般式（Ｍ）で表される基、一般式（Ｎ）で表される基、一般式（Ｏ）で表される基または一般式（Ｐ）で表される基である、上記〔１〕ないし〔３〕のいずれかに記載の導電膜形成用組成物。
後述する一般式（Ｍ）中、Ｚ７は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ４は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３２は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｏは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｎ）中、Ｚ８は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ５は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３３は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｐは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｏ）中、Ｚ９は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ６は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｐ）中、Ｚ１０は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ７は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４１およびＲ４２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
〔５〕
水と、
導電性粒子と、
一般式（３）で表される基を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤と、
を含有し、
上記一般式（３）で表される基を有する化合物のＨＬＢ値が、１１〜１７である、導電膜形成用組成物。
後述する一般式（３）中、Ｗ１Ａは、一般式（１Ａ）で表される基を表す。Ｒ１Ａは、炭素数１〜２２のアルキル基を表す。Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、およびＷ２のいずれかを表す。Ｗ２は、一般式（Ｄ）で表される基、一般式（Ｅ）で表される基または一般式（Ｆ）で表される基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（１Ａ）中、Ｚ１は、２価の連結基を表す。ＲＡは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。ｎは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｄ）中、Ｚ４は、単結合または２価の連結基を表す。ＲＢは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。Ｒ１３は、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｍは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｅ）中、Ｚ５は、単結合または２価の連結基を表す。Ａ３ −は、アニオン性基を表す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｆ）中、Ｚ６は、単結合または２価の連結基を表す。Ａ４ −は、１価の陰イオンを表す。Ｒ１８、Ｒ１９およびＲ２０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
〔６〕
上記一般式（３）で表される基を有する化合物が、一般式（４）で表される化合物である、上記〔５〕に記載の導電膜形成用組成物。
後述する一般式（４）中、Ｌは、単結合またはｎ＋ｍ価の連結基を表す。Ｌが単結合の場合には、ｎ＝１、ｍ＝１である。Ｌがｎ＋ｍ価の連結基である場合には、ｎおよびｍは整数であって、１≦ｎ≦６、０≦ｍ≦５、および、２≦ｎ＋ｍ≦６を満たす。
後述する一般式（４）中、ＲｘＡは、下記一般式（ＧＡ）で表される基である。ｎが２以上である場合には、複数のＲｘＡは、同一でも異なっていてもよい。
後述する一般式（４）中、Ｒｙは、水素原子、置換基または下記一般式（Ｈ）で表される基である。ｍが２以上である場合には、複数のＲｙは、同一でも異なっていてもよい。
後述する一般式（ＧＡ）中、Ｗ１Ａ、Ｒ１Ａ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の定義は、いずれも、後述する一般式（３）で表される基と同義である。Ｙ１は、単結合または２価の連結基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｈ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ２は、単結合または２価の連結基を表す。＊は、結合位置を表す。
〔７〕
上記一般式（３）または上記一般式（４）において、
Ｗ１Ａが、一般式（ＩＡ）で表される基、一般式（ＪＡ）で表される基、または一般式（ＫＡ）で表される基である、上記〔５〕または〔６〕に記載の導電膜形成用組成物。
後述する一般式（ＩＡ）中、Ｌ１は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。ｎは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（ＪＡ）中、Ｌ２は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。ｍは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する（ＫＡ）中、ｌは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
〔８〕
上記一般式（３）または上記一般式（４）において、
Ｗ２が、一般式（Ｍ）で表される基、一般式（Ｎ）で表される基、一般式（Ｏ）で表される基または一般式（Ｐ）で表される基である、上記〔５〕ないし〔７〕のいずれかに記載の導電膜形成用組成物。
後述する一般式（Ｍ）中、Ｚ７は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ４は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３２は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｏは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｎ）中、Ｚ８は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ５は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３３は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｐは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｏ）中、Ｚ９は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ６は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
後述する一般式（Ｐ）中、Ｚ１０は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ７は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４１およびＲ４２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
〔９〕
上記導電性粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、上記〔１〕ないし〔８〕のいずれかに記載の導電膜形成用組成物。
〔１０〕
上記導電性粒子が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉおよびＴａからなる群より選択される金属原子を含む、上記〔１〕ないし〔９〕のいずれかに記載の導電膜形成用組成物。
〔１１〕
上記水の含有量が、導電膜形成用組成物全質量に対して、１０質量％以上である、上記〔１〕ないし〔１０〕のいずれかに記載の導電膜形成用組成物。
〔１２〕
上記〔１〕ないし〔１１〕のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された、導電膜。
〔１３〕
上記〔１〕ないし〔１１〕のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された電極を有する、有機薄膜トランジスタ。
〔１４〕
上記〔１３〕に記載の有機薄膜トランジスタを含む、電子ペーパー。
〔１５〕
上記〔１３〕に記載の有機薄膜トランジスタを含む、ディスプレイデバイス。
〔１６〕
上記〔１〕ないし〔１１〕のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された配線を有する、配線板。
本発明によれば、移動度の低下を抑制しつつ、絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを作製することができ、塗布性に優れた導電膜形成用組成物、ならびに、これを用いて作製された導電膜および有機薄膜トランジスタを提供できる。また、本発明によれば、上記有機薄膜トランジスタを含む電子ペーパーおよびディスプレイデバイス、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを用いて形成された配線を有する配線板も提供できる。
本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
以下に本発明の好適な実施形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本発明の一例を説明するものである。また、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含む。
本明細書の基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
１．第１実施形態
１．１．導電膜形成用組成物
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、水と、導電性粒子と、後述する一般式（１）で表される基を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤と、を含有する。
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、このような構成であるため、所望の効果が得られるものと考えられる。このような効果が得られるメカニズムは、未だ明らかになっていない部分もあるが、以下のように推察される。
有機薄膜トランジスタが吸湿した状態で電圧を印加すると、電界の作用により電極中の金属などの導電性物質がイオン化して、有機半導体層の界面付近（空気との界面も含む）をイオンが移動（マイグレーション）することがある。このようなマイグレーションが生じると、ソース電極およびドレイン電極間の絶縁性が低下する（すなわち、絶縁信頼性が低下する）。
そのため、マイグレーションの発生を抑制することを目的に、導電膜形成用組成物にフェノール等の構造を有する還元性の化合物（マイグレーション抑制剤）が添加されることがある。しかしながら、上述したように、水を溶媒として含有する導電膜形成用組成物を用いた場合、マイグレーション抑制剤の構造によっては、導電膜形成用組成物の塗布性の低下に伴って、有機薄膜トランジスタの移動度の低下を引き起こしたり、導電膜の吸湿に伴って、絶縁信頼性の低下を引き起こすことがある。
そこで、発明者が鋭意検討した結果、後述する一般式（１）で表される基（以下、単に「特定基」ともいう。）を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤を用いた場合、上記の効果を奏することを見出した。
すなわち、上記の特定基は親水性に富むため、水を溶媒として含有する導電膜形成用組成物中において、特定基を有する化合物の溶解性または分散性が良好となる。また、特定基を有する化合物が、導電膜形成用組成物中で導電性粒子の分散剤としても機能することがあるため、導電性粒子の分散性を高めることができる。これにより、本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、導電膜を形成するために塗布した際に平滑な面を形成することができる（すなわち、塗布面状に優れる）。このように、導電膜の塗布面状が優れると、導電膜の配線不良の発生を抑制できたり、有機半導体層（有機半導体膜）の結晶成長が良好になったりするので、有機薄膜トランジスタの移動度が優れたものとなる。
また、上記の特定基を有する化合物は、導電膜を形成する際の加熱によって、還元性の母核を残したまま疎水的な構造に変化するという性質を備える。すなわち、上記の特定基の化学構造の一部は、導電膜を形成する際の加熱により熱分解する。具体的には、特定基を有する化合物が導電性粒子（好ましくは銀）と共存する場合に、有機薄膜トランジスタの導電膜（電極）を形成する際に通常与えられる条件で加熱すると（例えば、１５０℃〜２５０℃で１時間〜３時間の加熱）、還元性の母核を残したまま疎水的な構造に変化することを、発明者は見出した。これに対して、特定基を有する化合物が導電性粒子と共存しない状態にて同条件で加熱した場合には、特定基の熱分解が起こりにくく、安定的な構造を有したままであった。つまり、発明者は、特定基を有する化合物が導電性粒子と共存することにより、特定基の熱分解が進行しやすくなることも見出した。このように、特定基を有する化合物が疎水的な構造に変化することで、有機薄膜トランジスタの吸湿を低減できる。また、このように疎水的な構造に変化しても、マイグレーション抑制剤としての機能が十分に発揮される。したがって、絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを得ることができる。
以下、本実施形態に係る導電膜形成用組成物に含まれる成分および含まれ得る成分について、詳細に説明する。
１．１．１．導電性粒子
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、導電性粒子を含有する。本発明における導電性とは、電気を通すことを表し、導電性粒子は、粒子状の導電性物質であれば特に制限されない。
粒子状とは小さい粒状を指し、その具体例としては、球状、楕円体状などが挙げられる。完全な球や楕円体である必要は無く、一部が歪んでいてもよい。
導電性粒子としては、いわゆる金属粒子が好ましい。なかでも、導電性粒子は、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）およびＴａ（タンタル）からなる群より選択される金属原子を含むことが好ましく、銀または銅であることがより好ましく、銀であることがさらに好ましい。
上記導電性粒子は、導電性ナノ粒子であることが好ましい。
上記導電性粒子の中でも、銀を用いた銀ナノ粒子である場合、その調製方法は特に制限されないが、例えば、硝酸銀などの銀塩の水溶液に分散剤存在下、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンなどの還元剤の水溶液を滴下し、銀塩を還元剤で還元することにより調製することができる。
導電性粒子の平均粒子径は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。下限は、５ｎｍ以上が好ましい。これにより、微細な配線パターンを形成することができたり、導電膜の表面の平滑性が向上する。
なお、本発明における平均粒子径は、平均一次粒径のことを指す。平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により、少なくとも５０個以上の導電性粒子の粒子径（直径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、観察図中、導電性粒子の形状が真円状でない場合、長径を直径として測定する。
本実施形態に係る導電性粒子の含有量は、特に制限されないが、導電膜形成用組成物の全質量（１００質量％）に対して、５．０質量％〜８０．０質量％であることが好ましく、１０．０質量％〜６０．０質量％であることがより好ましい。
１．１．２．マイグレーション抑制剤
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される基を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤を含有する。本実施形態において、一般式（１）で表される基を有する化合物を、単に「化合物（１）」という場合がある。
上記一般式（１）中、Ｗ１は、水素原子、一般式（Ａ）で表される基、一般式（Ｂ）で表される基または一般式（Ｃ）で表される基を表すが、水素原子、一般式（Ａ）で表される基または一般式（Ｂ）で表される基であることが好ましく、水素原子または一般式（Ａ）で表される基であることがより好ましい。ただし、Ｗ１が水素原子である場合には、後述するＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つは、Ｗ２である。
上記一般式（Ａ）中、Ｚ１は、２価の連結基を表す。
２価の連結基としては、例えば、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、炭素数１〜１２のアルキレン基。より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基など）、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、炭素数６〜１２のアリーレン基。より具体的には、フェニレン基、ナフチレン基など）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２ＮＲ５０−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯＮＲ５０−、−ＮＲ５０−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、またはこれらを複数組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。ここで、Ｒ５０は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。また、＊は結合位置を示す。
上記一般式（Ａ）中、ＲＡは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。親水性を向上させるという観点から、ＲＡは、炭素数１〜４のアルキレン基であることが好ましく、親水性と安定性とのバランスの観点からエチレン基またはプロピレン基であることがより好ましく、エチレン基であることが特に好ましい。
ＲＡが炭素数５を超えるアルキレン基である場合には、十分な親水性が得られず、導電膜形成用組成物の塗布性が低下する。
上記一般式（Ａ）中、Ｒ５は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。これにより、疎水性能を向上できる。
上記一般式（Ａ）中、ｎは、４〜１００の整数を表す。ｎの好適な範囲は、一般式（１）で表される基が有する疎水基とのバランスにより適宜決定することができるが、その上限値は、８０以下であることが好ましく、５０以下であることがより好ましく、３０以下であることがさらに好ましい。同様の観点から、その下限値は、５以上であることが好ましく、６以上であることがより好ましく、９以上であることがさらに好ましい。
上記一般式（Ｂ）中、Ｚ２は、２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、上述した通りである。
上記一般式（Ｂ）中、Ａ１ −は、アニオン性基を表す。アニオン性基としては、例えば、−ＣＯＯ−、−ＰＯ３ｍ−、−ＯＰＯ３Ｒ６０ −、−ＳＯ３ −などが挙げられる。なお、Ｒ６０は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
１価のアニオン性基の中でも、導電膜を形成する際の加熱時に分解しやすく、有機薄膜トランジスタの吸湿を低減できるという観点から、−ＣＯＯ−、−ＰＯ３Ｒ６０ −を用いることが好ましい。
上記一般式（Ｂ）中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表すが、水素原子または炭素数１〜１２のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基であることがより好ましい。
上記一般式（Ｃ）中、Ｚ３は、２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、上述した通りである。また、＊は、結合位置を表す。
上記一般式（Ｃ）中、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表すが、水素原子または炭素数１〜１２のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基であることがより好ましい。
上記一般式（Ｃ）中、Ａ２ −は、１価の陰イオンを表す。１価の陰イオンとしては、例えば、ハロゲン陰イオン（塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオンなど）、無機系陰イオン（過塩素酸イオン、塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、六フッ化リン酸イオン、六フッ化アンチモンイオン、六フッ化ヒ素イオン、四フッ化ホウ素イオンなど）、有機フルオロスルホンイミドイオン（ビス（トリフルオロメタンスルホン）イミドイオンなど）、スルホン酸系陰イオン（Ｒ７０−ＳＯ３ −など）、リン酸系陰イオン（Ｒ７０−ＰＯ３Ｒ６０ −、Ｒ７０−ＯＰＯ３Ｒ６０ −など）、ホウ酸陰イオン（テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸陰イオンなど）、カルボン酸アニオン（Ｒ７０−ＣＯＯ−など）等が挙げられる。なお、Ｒ６０は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。また、Ｒ７０は、水素原子、アルキル基、アリール基を表す。
上記一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、およびＷ２のいずれかを表す。
上記一般式（１）で表される基は、−Ｏ−Ｗ１基を基準として、少なくともオルト位に置換基が導入されていることが好ましく、オルト位に置換基が導入され、かつ、パラ位に置換基またはＷ２が導入されていることがより好ましい。
オルト位に置換基が導入されている場合には、これは、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、分岐構造のアルキル基であることがより好ましい。これにより、化合物（１）の疎水性を向上できることから、得られる有機薄膜トランジスタの吸湿性を低下でき、絶縁信頼性が向上する。
ここで、Ｗ１が水素原子である場合には、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つがＷ２である必要があるが、このとき導入されているＷ２はパラ位にあることが好ましい。
また、Ｗ１が水素原子以外である場合には、パラ位には置換基が導入されていることが好ましく、この置換基がアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、この置換基が分岐構造のアルキル基であることがさらに好ましい。これにより、化合物（１）の疎水性を向上できることから、得られる有機薄膜トランジスタの吸湿性を低下でき、絶縁信頼性が向上する。
上記置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
さらに詳しくは、置換基としては、
ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、
アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、
アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、
複素環基（好ましくは５員または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、
シアノ基、
ヒドロキシル基、
ニトロ基、
カルボキシル基、
アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、
アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、
シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、
複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、
アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、
カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、
アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、
アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、
アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、
アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、
アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、
スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、
アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
メルカプト基、
アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、
アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、
複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、
スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、
スルホ基、
アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、
アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、
アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、
アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、
イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、
ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、
ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、
ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、
ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、
シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような置換基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
本発明において「置換基」とは、上記の意味を表す。
また、本発明において、アルキル基およびアリール基の定義としては、それぞれ、上記の置換基におけるアルキル基およびアリール基に関する定義と同様である。
Ｗ２は、一般式（Ｄ）で表される基、一般式（Ｅ）で表される基または一般式（Ｆ）で表される基を表すが、一般式（Ｄ）で表される基または一般式（Ｅ）で表される基であることが好ましく、一般式（Ｄ）で表される基であることがより好ましい。これにより、上記効果が一層向上する傾向にある。
上記一般式（Ｄ）中、Ｚ４は、単結合または２価の連結基を表すが、２価の連結基であることが好ましく、アルキレン基であることがより好ましい。なお、単結合であるとは、例えば、＊−Ｚ４−Ｏ−で表される基が＊−Ｏ−であることを示す。また、２価の連結基の定義は、上述した通りである。＊は、結合位置を表す。
上記一般式（Ｄ）中、ＲＢは、炭素数１〜４のアルキレン基を表すが、親水性を向上させるという観点から、ＲＢは、炭素数１〜４のアルキレン基であることが好ましく、親水性と安定性のバランスの観点からエチレン基またはプロピレン基であることがより好ましく、エチレン基であることが特に好ましい。
ＲＢが炭素数５を超えるアルキレン基である場合には、十分な親水性が得られず、導電膜形成用組成物の塗布性が低下する。
上記一般式（Ｄ）中、Ｒ１３は、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表すが、疎水性を向上させるという観点から、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基であることが好ましい。
上記一般式（Ｄ）中、ｍは、４〜１００の整数を表す。ｍの好適な範囲は、一般式（１）で表される基が有する疎水基とのバランスにより適宜決定することができるが、その上限値は、８０以下であることが好ましく、５０以下であることがより好ましく、３０以下であることがさらに好ましい。同様の観点から、その下限値は、５以上であることが好ましく、６以上であるこがより好ましく、９以上であることがさらに好ましい。
上記一般式（Ｅ）中、Ｚ５は、単結合または２価の連結基を表すが、２価の連結基であることが好ましい。単結合および２価の連結基の定義は、上述した通りである。なお、＊は、結合位置を表す。
上記一般式（Ｅ）中、Ａ３ −は、アニオン性基を表す。アニオン性基の定義としては、上記の式（Ｂ）中のＡ１ −と同様である。
上記一般式（Ｅ）中、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表すが、水素原子または炭素数１〜１２のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基であることがより好ましい。
上記一般式（Ｆ）中、Ｚ６は、単結合または２価の連結基を表す。単結合および２価の連結基の定義は、上述した通りである。なお、＊は、結合位置を表す。
上記一般式（Ｆ）中、Ｒ１８、Ｒ１９およびＲ２０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表すが、水素原子または炭素数１〜１２のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基であることがより好ましい。
上記一般式（Ｆ）中、Ａ４ −は、１価の陰イオンを表す。１価の陰イオンの定義は、上記の式（Ｃ）中のＡ２ −と同様である。
上記の一般式（１）で表される基を有する化合物は、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。
（Ｒｘ）ｎ−Ｌ−（Ｒｙ）ｍ ・・・（２）
上記一般式（２）中、Ｌは、単結合またはｎ＋ｍ価の連結基を表す。Ｌが単結合の場合には、ｎ＝１、ｍ＝１であり、一般式（２）は、Ｒｘ−Ｒｙで表される。Ｌがｎ＋ｍ価の連結基である場合には、ｎおよびｍは整数であって、１≦ｎ≦６、０≦ｍ≦５、および、２≦ｎ＋ｍ≦６を満たす。
Ｌがｎ＋ｍ価の連結基を表す場合には、Ｌとしては、炭素数１〜１０のアルキレン基（この場合は、ｎ＋ｍ＝２）、下記の式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−９）、または一般式（Ｌ−１０）で表される基が挙げられ、これらの中でも、炭素数１〜１０のアルキレン基であることが好ましい。なお、一般式（Ｌ−１０）中、ＬＸは単結合または２価の連結基を表し、２価の連結基の定義は上述の通りである。
このような中でも、Ｌとしては、単結合、または２価の連結基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基）であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。
上記一般式（２）中、Ｒｘは、下記一般式（Ｇ）で表される基である。ｎが２以上である場合には、複数のＲｘは、同一でも異なっていてもよい。
上記一般式（２）中、Ｒｙは、水素原子、置換基または下記一般式（Ｈ）で表される基である。ｍが２以上である場合には、複数のＲｙは、同一でも異なっていてもよい。置換基の定義としては、上述の通りである。
上記一般式（Ｇ）中、Ｗ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の定義は、いずれも、上記一般式（１）で表される基と同義である。
Ｙ１は、単結合または２価の連結基を表し、これらの定義は上述の通りである。なお、＊は、結合位置を表す。
上記一般式（Ｈ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。＊は、結合位置を表す。置換基の定義は、上述の通りである。
Ｙ２は、単結合または２価の連結基を表し、これらの定義は上述の通りである。なお、＊は、結合位置を表す。ここで、Ｒｙが一般式（Ｈ）で表される基である場合には、−Ｏ−Ｗ１を基準としたときのＹ１の位置、および−ＯＨ基を基準としたときのＹ２の位置は、いずれも、オルト位またはパラ位であることが好ましい。
上述した一般式（１）および一般式（２）におけるＷ１は、本発明の効果が一層発揮されるという点から、一般式（Ｉ）で表される基、一般式（Ｊ）で表される基、一般式（Ｋ）で表される基または一般式（Ｌ）で表される基であることが好ましい。
一般式（Ｉ）、一般式（Ｊ）、一般式（Ｋ）および一般式（Ｌ）において、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は、それぞれ、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表すが、炭素数１〜１２のアルキレン基であることが好ましい。
一般式（Ｉ）、一般式（Ｊ）、一般式（Ｋ）において、Ｒ２５、Ｒ２６およびＲ２７は、それぞれ、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。
一般式（Ｉ）、一般式（Ｊ）、一般式（Ｋ）において、ｎ、ｍおよびｌは、それぞれ、４〜１００の整数を表す。その好適な範囲は、一般式（１）で表される基が有する疎水基とのバランスにより適宜決定することができるが、その上限値は、８０以下であることが好ましく、５０以下であることがより好ましく、３０以下であることがさらに好ましい。同様の観点から、その下限値は、５以上であることが好ましく、６以上であるこがより好ましく、９以上であることがさらに好ましい。
一般式（Ｌ）において、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０およびＲ３１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。
一般式（Ｉ）、一般式（Ｊ）、一般式（Ｋ）および一般式（Ｌ）において、＊は、結合位置を表す。
上記の一般式（Ｉ）〜（Ｌ）の中でも、Ｗ１は、一般式（Ｉ）、一般式（Ｊ）または一般式（Ｋ）であることが好ましい。これにより、上記効果が一層向上する傾向にある。
上述した一般式（１）および一般式（２）におけるＷ２は、本発明の効果が一層発揮されるという点から、一般式（Ｍ）で表される基、一般式（Ｎ）で表される基、一般式（Ｏ）で表される基または一般式（Ｐ）で表される基であることが好ましい。
一般式（Ｍ）、一般式（Ｎ）、一般式（Ｏ）および一般式（Ｐ）において、Ｚ７、Ｚ８、Ｚ９およびＺ１０は、それぞれ、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表すが、単結合であることが好ましい。
一般式（Ｍ）、一般式（Ｎ）、一般式（Ｏ）および一般式（Ｐ）において、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６およびＬ７は、それぞれ、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表すが、炭素数１〜１２のアルキレン基であることが好ましい。
一般式（Ｍ）および一般式（Ｎ）において、Ｒ３２およびＲ３３は、それぞれ、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表すが、疎水性を向上させるという観点から、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基であることが好ましい。
一般式（Ｍ）および一般式（Ｎ）において、ｏおよびｐは、それぞれ、４〜１００の整数を表す。その好適な範囲は、一般式（１）で表される基が有する疎水基とのバランスにより適宜決定することができるが、その上限値は、８０以下であることが好ましく、５０以下であることがより好ましく、３０以下であることがさらに好ましい。同様の観点から、その下限値は、５以上であることが好ましく、６以上であるこがより好ましく、９以上であることがさらに好ましい。
一般式（Ｏ）中、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。
一般式（Ｐ）中、Ｒ３８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４１およびＲ４２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。
一般式（Ｍ）、一般式（Ｎ）、一般式（Ｏ）および一般式（Ｐ）において、＊は、結合位置を表す。
化合物（１）の具体例としては、以下の式で表される化合物が例示できる。
上述した化合物（１）の中でも、ＨＬＢ値が、１１〜１７であるものを用いることが好ましく、１２〜１６であるものを用いることがより好ましい。ＨＬＢ値が１１以上であるものを用いると、水溶解性が良好であることから、導電膜形成用組成物の塗布性が向上して導電膜の表面を平滑にでき、有機薄膜トランジスタの移動度が一層優れる傾向にある。また、ＨＬＢ値が１７以下のものを用いることで、導電膜形成時の加熱工程後においても、疎水性部分が十分に存在するため、吸湿性が低下する結果、絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを得ることができる。
ここで、本発明におけるＨＬＢ（Ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｅ Ｌｉｐｏｐｈｉｌｅ Ｂａｌａｎｃｅ）値は、グリフィン法（Ｊ．Ｓｏｃ．ＣｏｓｍｅｔｉｃＣｈｅｍ．，５（１９５４），２９４）に基づいて算出できる。具体的には、化合物（１）の分子量をＭ、親水性部分の分子量をＭｗとして、下記式（ＨＬ）により求める算出できる。
ＨＬＢ値＝２０×Ｍｗ／Ｍ ・・・（ＨＬ）
上述した化合物（１）の中でも、酸化還元電位が１．４ｅＶ以下であるものを用いることが好ましく、０．４ｅＶ〜１．４ｅＶであるものを用いることがより好ましく、０．６ｅＶ〜１．４ｅＶであるものを用いることがさらに好ましい。酸化還元電位が０．４ｅＶ以上であることで、有機薄膜トランジスタの導電膜（電極）を製造する際の加熱において、空気酸化による還元性の消失を抑制でき、絶縁信頼性の良好な有機薄膜トランジスタを得ることができる。また、酸化還元電位が１．４ｅＶ以下であることで、マイグレーションを抑制する作用がより良好に発揮される。
ここで、本発明における酸化還元電位は、サイクリックボルタモメトリー法にしたがって、電子化学アナライザーＶＭＰ３（Ｂｉｏ−Ｌｏｇｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）に準ずる装置を用いて測定することができる。
導電性粒子を構成する材料が銀（Ａｇ）である場合において、本実施形態に係る導電膜形成用組成物を１５０℃で１時間の加熱を行った際に、上述した化合物（１）に由来する化合物（すなわち、熱分解後の化合物（１））のＳＰ値が、２２ＭＰａ１／２以下であること好ましく、２１ＭＰａ１／２以下であることが好ましく、２１ＭＰａ１／２であることがより好ましい。
上述した化合物（１）に由来する化合物のＳＰ値が２２ＭＰａ１／２以下であることで、有機薄膜トランジスタ形成の吸湿を低減できるので、絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを作製することができる。
ここで、本発明におけるＳＰ値は、沖津法（沖津俊直著「日本接着学会誌」２９（３）（１９９３））に基づいて算出できる。
上述した化合物（１）の含有量は、特に制限されないが、導電性粒子１００質量部に対して、０．１質量部以上３０質量部以下であることが好ましく、１質量部以上２０質量部以下であることがより好ましいく、１質量部以上１５質量部以下であることがさらに好ましい。化合物（１）の含有量が上記範囲内であることで、上述した効果が一層発揮される傾向にある。
本実施形態に係る導電膜形成用組成物に含まれる化合物（１）の含有量は、特に制限されないが、導電膜形成用組成物の全質量（１００質量％）に対して、０．１質量％〜２０質量％であることが好ましく、１質量％〜１５質量％であることがより好ましく、２質量％〜１０質量％であることがさらに好ましい。化合物（１）の含有量が上記範囲内であることで、上述した効果が一層発揮される傾向にある。
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、上述した化合物（１）を１種単独で含有してもよいし、２種以上含有してもよい。
本実施形態に係るマイグレーション抑制剤としては、上述した化合物（１）の機能が十分に発揮できるのであれば、上述した化合物（１）の他に、マイグレーションを抑制する機能を有する化合物を含有してもよい。
上述の化合物（１）は、従来公知の合成方法（例えば、特表平８−５０４７８０号公報）に準ずる方法で合成できる。
１．１．３．水
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、水を含有する。水は、導電性粒子を分散させる溶媒として機能し、導電膜の形成後には蒸発飛散する成分である。
水の含有量としては、粘度等を適正な範囲に調節できるという点、環境負荷低減や、基材へのダメージを低減できるという点から、導電膜形成用組成物の全質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上９０質量％以下であることがさらに好ましい。
１．１．４．その他の成分
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、水以外の溶媒を含有してもよく、例えば有機溶媒（アルコール類、エーテル類、エステル類など）等を用いることができる。
また、本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、分散剤や界面活性剤等など、通常の導電膜形成用組成物に含まれる公知の成分を含有してもよい。
１．１．５．調製方法
本実施形態に係る導電膜形成用組成物の調製方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、上記溶媒（水、有機溶媒等）中に上記導電性粒子および上記化合物（１）を添加した後、超音波法（例えば、超音波ホモジナイザーによる処理）、ミキサー法、３本ロール法、ボールミル法などの公知の手段により混合、攪拌することにより、本実施形態に係る導電膜形成用組成物を得ることができる。
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、電界効果トランジスタ（特に有機薄膜トランジスタ）の電極を形成する用途に有用である。電極は、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極のいずれであってもよいが、特に、ソース電極およびドレイン電極に有用である。なお、有機薄膜トランジスタは、電子ペーパーやディスプレイデバイスに好適に適用することができる。
また、上述のとおり、本実施形態に係る導電膜形成用組成物に含まれる化合物（１）は、優れたマイグレーション抑制剤として機能することで、優れた絶縁信頼性をもたらすため、配線板（例えば、プリント配線板）などの配線を形成するための導電膜形成用組成物としても有用である。
１．２．有機薄膜トランジスタ
本発明の一実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、上述した導電膜形成用組成物を用いて形成された電極（特に、ソース電極およびドレイン電極）を備える有機薄膜トランジスタである。本実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、ボトムコンタクト型であっても、トップコンタクト型であってもよい。
本発明に係る有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層５０と、封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０およびドレイン電極４２は、上述した本発明の導電膜形成用組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。
＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えばＰＥＴ、ＰＥＮ）など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
＜ゲート電極＞
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ２、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。
＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。ゲート絶縁膜を形成する際の加熱条件としては、特に制限されないが、通常、３０〜２５０℃（好ましくは、８０〜２００℃）にて５〜１２０分間（好ましくは、５〜６０分間）実施することが好ましい。
＜ソース電極、ドレイン電極＞
上述のとおり、ソース電極およびドレイン電極は、上述した本発明の導電膜形成用組成物を用いて形成されたものである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが、５〜１００μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、５０〜５００μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、塗膜形成工程と焼結工程とを備える方法が挙げられる。以下に、それぞれの工程について説明する。
（塗膜形成工程）
本工程は、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、上記の導電膜形成用組成物を塗布する工程である。
上記の導電膜形成用組成物を基板上に塗布して、塗膜を形成する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。
塗布の方法としては、例えば、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータ、スライドホッパー、スプレーコータ、ブレードコータ、ドクターコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファーロールコータ、エクストロージョンコータ、カーテンコータ、ディップコーター、ダイコータ、グラビアロールによる塗工法、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などが挙げられる。
なお、基板上に上述した導電膜形成用組成物を塗布した後、必要に応じて、溶媒を除去するために乾燥処理を施してもよい。乾燥処理の方法としては従来公知の方法を使用することができる。
（焼結工程）
本工程は、上記塗膜形成工程で形成された塗膜に対して加熱熱や光照射などのエネルギー付与を行い、導電膜形成用組成物中の導電性粒子を焼結し、導電膜を形成する工程である。
加熱の条件は特に制限されないが、加熱温度は１００〜３００℃が好ましく、加熱時間は１０〜６０分がより好ましい。
加熱手段は特に制限されず、オーブン、ホットプレート等公知の加熱手段を用いることができる。
光照射処理で使用される光源は特に制限されないが、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノン（Ｘｅ）ランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯などが挙げられる。
＜有機半導体層＞
有機半導体層を構成する有機半導体材料としては特に制限されず、有機薄膜トランジスタの有機半導体層として利用される公知の材料が利用可能である。具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン）等のアントラジチオフェン類、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類等が例示される。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。
有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、有機半導体材料を溶媒に溶解させた有機半導体組成物を塗布する方法などが挙げられる。有機半導体組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。有機半導体組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。有機半導体層を形成する際の加熱条件としては、特に制限されないが、通常、３０〜２００℃（好ましくは、３０〜１２０℃）にて５〜１２０分間（好ましくは、５〜６０分間）実施することが好ましい。
＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して封止層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。封止層を形成する際の加熱条件としては、特に制限されないが、通常、３０〜２５０℃（好ましくは、８０〜２００℃）にて５〜１２０分間（好ましくは、５〜６０分間）実施することが好ましい。
また、図２は、本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層５０と、封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０およびドレイン電極４２は、上述した本発明の導電膜形成用組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層については上述のとおりである。
２．第２実施形態
２．１．導電膜形成用組成物
本実施形態に係る導電膜形成用組成物は、水と、導電性粒子と、一般式（３）で表される基を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤と、を含有し、上記一般式（３）で表される基を有する化合物のＨＬＢ値が、１１〜１７であることを特徴とする。
本実施形態に係る導電膜形成用組成物（すなわち、第２実施形態に係る導電膜形成用組成物）は、マイグレーション抑制剤として、上述した化合物（１）に代えて、一般式（３）で表される基を有し、ＨＬＢ値が１１〜１７である化合物を用いる点について、上述した第１実施形態に係る導電膜形成用組成物と異なる。
以下、本実施形態に係る導電膜形成用組成物について、上述した第１実施形態に係る導電膜形成用組成物と相違する点について詳細に説明する。なお、本相違点以外については、第１実施形態に係る導電膜形成用組成物と同様であるので、その説明を省略する。また、本実施形態における式中の符号のうち、第１実施形態における式中の符号と同じものについては、同義であるため、その説明を省略する。
本明細書において、一般式（３）で表される基を有し、ＨＬＢ値が１１〜１７の範囲にある化合物を、単に「化合物（３）」ともいう。
＜化合物（３）＞
本実施形態に係るマイグレーション抑制剤は、一般式（３）で表される基を有する化合物であってＨＬＢ値が１１〜１７の範囲にあるもの（化合物（３））を含む。
上記一般式（３）中、Ｗ１Ａは、一般式（１Ａ）で表される基を表す。
上記一般式（３）中、Ｒ１Ａは、炭素数１〜２２のアルキル基を表す。このように、Ｒ１Ａが、−Ｏ−Ｗ１Ａ基を基準としたオルト位に存在することで、化合物（３）の疎水性を向上できるので、得られる有機薄膜トランジスタの吸湿性を低下でき、絶縁信頼性が向上する。Ｒ１Ａは、炭素数１〜２２のアルキル基を表すが、疎水性を一層向上できるという観点から、分岐構造のアルキル基であることがより好ましい。
上記一般式（３）中、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、およびＷ２のいずれかを表す。Ｗ２は、置換基、上記の一般式（Ｄ）で表される基、上記の一般式（Ｅ）で表される基または上記の一般式（Ｆ）で表される基を表し、これらの基の詳細は上記一般式（１）で説明した通りである。
上記一般式（３）中、＊は、結合位置を表す。
上記一般式（１Ａ）中、Ｚ１は、２価の連結基を表し、詳細は上記一般式（１）で説明した通りである。一般式（１Ａ）で表される基の末端は、水素原子であることから、水への溶解性を向上でき、導電膜形成用組成物の塗布性を向上できる。
ＲＡは、炭素数１〜４のアルキレン基を表し、詳細は上記一般式（Ａ）で説明した通りである。
ｎは、４〜１００の整数を表し、詳細は上記一般式（Ａ）で説明した通りである。＊は、結合位置を表す。
化合物（３）は、下記一般式（４）で表される化合物であることが好ましい。
（ＲｘＡ）ｎ−Ｌ−（Ｒｙ）ｍ ・・・（４）
上記一般式（４）中、Ｌは、単結合またはｎ＋ｍ価の連結基を表し、詳細は上記一般式（２）で説明した通りである。
上記一般式（４）中、ＲｘＡは、下記一般式（ＧＡ）で表される基である。ｎが２以上である場合には、複数のＲｘＡは、同一でも異なっていてもよい。
上記一般式（４）中、Ｒｙは、水素原子、置換基または下記一般式（Ｈ）で表される基であり、上記一般式（２）で説明した通りである。ｍが２以上である場合には、複数のＲｙは、同一でも異なっていてもよい。
上記一般式（ＧＡ）中、Ｗ１Ａ、Ｒ１Ａ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の定義は、いずれも、上述の一般式（３）で表される基と同義である。Ｙ１は、単結合または２価の連結基を表し、上述の通りである。＊は、結合位置を表す。
上述の一般式（３）および一般式（４）におけるＷ１Ａは、本発明の効果が一層発揮されるという点から、一般式（ＩＡ）で表される基、一般式（ＪＡ）で表される基、または一般式（ＫＡ）で表される基であることが好ましい。
一般式（ＩＡ）および（ＪＡ）において、Ｌ１およびＬ２は、それぞれ、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表し、詳細は上述した通りである。
一般式（ＩＡ）、（ＪＡ）および（ＫＡ）において、ｎ、ｍおよびｌは、それぞれ、４〜１００の整数を表し、詳細は上述した通りである。
一般式（ＩＡ）、（ＪＡ）および（ＫＡ）において、＊は、結合位置を表す。
上述した一般式（３）および一般式（４）におけるＷ２は、本発明の効果が一層発揮されるという点から、上述した一般式（Ｍ）で表される基、上述した一般式（Ｎ）で表される基、上述した一般式（Ｏ）で表される基または上述した一般式（Ｐ）で表される基であることが好ましい。これらの基の詳細は、上述の通りである。
化合物（３）は、ＨＬＢ値が１１〜１７の範囲にある。ＨＬＢ値が１１以上であることで、水溶解性が良好になることから、導電膜形成用組成物の塗布性が向上して導電膜の表面を平滑にでき、移動度に優れた有機薄膜トランジスタを得ることができる。ＨＬＢ値が１７以下であることで、導電膜形成時の加熱工程後においても、疎水性能が十分に発揮されるため、吸湿性が低下する結果、絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを得ることができる。
一方、上記一般式（３）で表される基を有するが、ＨＬＢ値が１１未満である化合物を用いると、水溶解性が不十分となり、導電膜の平滑性の低下や、これに伴う有機薄膜トランジスタの移動度の低下が生じる傾向にある。また、上記一般式（３）で表される基を有するが、ＨＬＢ値が１７を超える化合物を用いると、導電膜形成時の加熱工程後において、疎水性能が不十分となって、吸湿してしまうことから、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性が低下する傾向にある。
化合物（３）の具体例としては、以下の式で表される化合物が例示できる。
本実施形態に係る導電膜形成用組成物に含まれる化合物（３）は、優れたマイグレーション抑制剤として機能することで、優れた絶縁信頼性をもたらすため、配線板（例えば、プリント配線板）などの配線を形成するための導電膜形成用組成物としても有用である。
２．２．有機薄膜トランジスタ
本発明の一実施形態に係る有機薄膜トランジスタは、上述した導電膜形成用組成物（すなわち、第２実施形態に係る導電膜形成用組成物）を用いて形成された電極（特に、ソース電極およびドレイン電極）を備える以外は、第１実施形態に係る有機薄膜トランジスタと同様であるので、その説明を省略する。
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
＜銀インクＡ１の調製＞
分散剤としてＤｉｓｐｅｒｂｙｋ−１９０（ビックケミー社製）（不揮発物として７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた（溶液ａ）。次に、硝酸銀５０．００ｇ（２９４．３ｍｍｏｌ）を水（２００ｍＬ）に溶解させた（溶液ｂ）。そして、溶液ａと溶液ｂとを混合、攪拌して、混合物を得た。このようにして得られた混合物に、８５質量％Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン水溶液（７８．７１ｇ）（Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとして７５０．５ｍｍｏｌ）を室温でゆっくり滴下した。さらに、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ−１９０（７．３６ｇ）を水（１０００ｍＬ）に溶解させた溶液を室温でゆっくり滴下した。得られた懸濁液を限外濾過ユニット（ザルトリウス・ステディム社製ビバフロー５０、分画分子量：１０万、ユニット数：４個）に通し、限外濾過ユニットから約５Ｌの滲出液がでるまで精製水を通過させて精製した。精製水の供給を止め、濃縮し、５０ｇの銀ナノ粒子の分散液（銀インクＡ１）を得た。この銀インクＡ１中の固形分の含有量は３２質量％であった。また、固形分中の銀の含有量をＴＧ−ＤＴＡにて測定した所、９７．０質量％であった。
＜実施例１〜１８、比較例１および比較例２＞
上記のようにして得られた銀インクＡ１に対して、表１に示す種類のマイグレーション抑制剤を表１に示す配合量で加えて、銀インクＡ２〜Ａ１９（実施例１〜１８の導電膜形成用組成物）、ならびに銀インクＡ２０〜Ａ２３（比較例１〜４の導電膜形成用組成物）を調製した。
なお、表１中、「マイグレーション抑制剤の含有量」とは、銀ナノ粒子１００質量部に対するマイグレーション抑制剤の含有量（質量部）を表す。また、表１中、「水の含有量」とは、銀インク全量（１００質量％）に対する水の含有量（質量％）を表す。
表１中の各マイグレーション抑制剤の化学構造は次のとおりである。
ここで、マイグレーション抑制剤Ｍ−１２はニューコール５６０（商品名、日本乳化剤株式会社）、マイグレーション抑制剤Ｍ−１３はニューコール５０４（商品名、日本乳化剤株式会社）、マイグレーション抑制剤Ｍ−１８はＤＬ−αトコフェロール（東京化成社製）、マイグレーション抑制剤Ｍ−１９はＩＲＧＡＮＯＸ２４５（商品名、ＢＡＳＦ社製）である。
また、マイグレーション抑制剤Ｍ−１〜Ｍ−１４およびＭ−１９のＨＬＢ値を表１にあわせて示す。なお、ＨＬＢ値は、上記の式（ＨＬ）に基づいて算出した。
マイグレーション抑制剤Ｍ−１〜Ｍ−１１、Ｍ−１４〜Ｍ−１７、Ｍ−２０およびＭ−２１は、以下のようにして合成した。
（合成例１：マイグレーション抑制剤Ｍ−１）
反応容器にポリエチレングリコールモノメチルエーテル：平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製（５０ｇ、６６．７ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホニルクロリド（１９ｇ、１００ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（１５０ｍｌ）を加え、氷冷下、トリエチルアミン（１３．５ｇ、１３３ｍｍｏｌ）を加えた後、４０℃で４時間攪拌した。反応溶液を減圧濃縮した後、アセトン１００ｍｌ、飽和炭酸水素ナトリウム溶液１００ｍｌを加え、６０℃で１時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、ジクロロメタン２００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮し、化合物Ａ−１を４５ｇ得た（収率７２％）。
反応容器に、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール（３．６６ｇ、１６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０ｍｌを入れ、窒素気流下、氷冷下、水素化ナトリウム（０．４０ｇ、１６．６ｍｍｏｌ）を加え３０分攪拌した。そこへ、化合物Ａ−１（５．０ｇ、５．５ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で１２時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、水５０ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：メタノール／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ｍ−１（マイグレーション抑制剤Ｍ−１）を３ｇ得た（収率５５％）。
（合成例２：マイグレーション抑制剤Ｍ−２）
反応容器に、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）（５．０７ｇ、１３．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０ｍｌを入れ、窒素気流下、氷冷下、水素化ナトリウム（０．３２ｇ、１３．２ｍｍｏｌ）を加え３０分攪拌した。そこへ、化合物Ａ−１（３．０ｇ、３．３ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で１２時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、水５０ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：メタノール／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ｍ−２（マイグレーション抑制剤Ｍ−２）を１．５ｇ得た（収率４０％）。
（合成例３：マイグレーション抑制剤Ｍ−３）
反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（５．０ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル：平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製（１３．４７ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、氷冷下で１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（３．６２ｇ、１８．９ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．０７ｇ、０．５４ｍｍｏｌ）を加え、３０分攪拌した。さらに反応溶液を室温で３時間攪拌した後、減圧濃縮し、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：メタノール／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ｍ−３（マイグレーション抑制剤Ｍ−３）を１１ｇ得た（収率５９％）。
（合成例４：マイグレーション抑制剤Ｍ−４）
ポリエチレングリコールモノメチルエーテルを平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製の替わりに平均分子量３５０，ＦＬＵＫＡ社製（６．２９ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）を用いた以外は合成例３と同じ方法でＭ−４（マイグレーション抑制剤Ｍ−４）を合成した。
（合成例５：マイグレーション抑制剤Ｍ−５）
ポリエチレングリコールモノメチルエーテルを平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製の替わりに平均分子量５００，ＦＬＵＫＡ社製（９．８８ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）を用いた以外は合成例３と同じ方法でＭ―５（マイグレーション抑制剤Ｍ−５）を合成した。
（合成例６：マイグレーション抑制剤Ｍ−６）
ポリエチレングリコールモノメチルエーテルを平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製の替わりに平均分子量２０００，ＦＬＵＫＡ社製（３５．９２ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）を用いた以外は合成例３と同じ方法でＭ−６（マイグレーション抑制剤Ｍ−６）を合成した。
（合成例７：マイグレーション抑制剤Ｍ−７）
反応容器に、４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノール（１０．０ｇ、４８．５ｍｍｏｌ）、２，４，４−トリメチル−１−ペンテン（２１．７５ｇ、１９４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（１００ｍｌ）、を加え、氷冷下でメタンスルホン酸５ｍｌを加え、３０分攪拌した。さらに反応溶液を室温で１２時間攪拌した後、水１００ｍｌを加え、酢酸エチル３００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ａ−２を１０ｇ得た（収率６５％）。
反応容器に、化合物Ａ−２（２．１１ｇ、６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０ｍｌを入れ、窒素気流下、氷冷下、水素化ナトリウム（０．１６ｇ、６．６ｍｍｏｌ）を加え３０分攪拌した。そこへ、化合物Ａ−１（５．０ｇ、５．５ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で４時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、水５０ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：メタノール／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ｍ−７（マイグレーション抑制剤Ｍ−７）を４ｇ得た（収率６９％）。
（合成例８：マイグレーション抑制剤Ｍ−８）
反応容器に、化合物Ａ−２（４．０ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、こはく酸無水物（２．５１ｇ、２５．１ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．０８ｇ、０.６３ｍｍｏｌ）ピリジン２０ｍｌを入れ、６０℃で４時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、１Ｎ ＨＣｌ １００ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ａ−３を３ｇ得た（収率５７％）。
反応容器に、Ａ−３（２．０ｇ、４．８ｍｍｏｌ）、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル：平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製（３．５８ｇ、４．８ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（１０ｍｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、氷冷下で１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（０．９６ｇ、５．０２ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．０２ｇ、０．１４ｍｍｏｌ）を加え、３０分攪拌した。さらに反応溶液を室温で３時間攪拌した後、減圧濃縮し、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：メタノール／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ｍ−８（マイグレーション抑制剤Ｍ−８）を３ｇ得た（収率５３％）。
（合成例９：マイグレーション抑制剤Ｍ−９）
反応容器に、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（４．０ｇ、２４．１ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−ヘプタノール（１２．５４ｇ、９６．３ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２５ｍｌ）を加え、氷冷下で硫酸（７．１ｇ、７２．２ｍｍｏｌ）を加え、３０分攪拌した。さらに反応溶液を室温で６時間攪拌した後、水１００ｍｌを加え、酢酸エチル２００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ａ−４を３ｇ得た（収率３２％）。
反応容器に、Ａ−４（３．０ｇ、７．７ｍｍｏｌ）、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル：平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製（５．７６ｇ、７．７ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、氷冷下で１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１．５５ｇ、８．０７ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．０３ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）を加え、３０分攪拌した。さらに反応溶液を室温で３時間攪拌した後、減圧濃縮し、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：メタノール／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ｍ−９（マイグレーション抑制剤Ｍ−９）を４ｇ得た（収率４４％）。
（合成例１０：マイグレーション抑制剤Ｍ−１０）
２−メチル−２−ヘプタノールの替わりに、２，４，４−トリメチル−２−ペンタノールを使用した以外は合成例９と同様の方法で化合物Ｍ−１０（マイグレーション抑制剤Ｍ−１０）を合成した。
（合成例１１：マイグレーション抑制剤Ｍ−１１）
２−メチル−２−ヘプタノールの替わりに、２，４，４−トリメチル−２−ペンタノールを使用し、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルを平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製の替わりに平均分子量１１００，ＦＬＵＫＡ社製を用いた以外は合成例９と同様の方法で化合物Ｍ−１１（マイグレーション抑制剤Ｍ−１１）を合成した。
（合成例１２：マイグレーション抑制剤Ｍ−１４）
反応容器に、３−（４−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸（３．０ｇ、１８ｍｍｏｌ）、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル：平均分子量７５０，ＦＬＵＫＡ社製（１３．５４ｇ、１８ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（７．１ｇ、２７ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（４００ｍｌ）を加え、氷冷下でアゾジカルボン酸ジイソプロピル：１．９ｍｏｌ／Ｌ トルエン溶液（１４．３ｍｌ、２７ｍｍｏｌ）を加え、３０分攪拌した。さらに反応溶液を室温で３時間攪拌した後、減圧濃縮し、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：メタノール／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ｍ−１４（マイグレーション抑制剤Ｍ−１４）を１０ｇ得た（収率６０％）。
（合成例１３：マイグレーション抑制剤Ｍ−１５）
反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（５．０ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）、メタノール（１０ｍｌ）を加え、氷冷下でテトラエチルアンモニウムヒドロキシド（２．６４ｇ、１８ｍｍｏｌ）、３０分攪拌した。さらに反応溶液を室温で３時間攪拌した後、減圧濃縮し、粗生成物を得た。得られた粗生成物を酢酸エチルで洗浄後に、乾燥させ、化合物Ｍ−１５（マイグレーション抑制剤Ｍ−１５）を６．６ｇ得た（収率９０％）。
（合成例１４：マイグレーション抑制剤Ｍ−１６）
３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸の替わりに化合物Ａ−５を用いた以外は合成例１３と同様の方法で化合物Ｍ−１６（マイグレーション抑制剤Ｍ−１６）を合成した。なお化合物Ａ−５は化合物Ａ−３と同様の方法で合成した。
（合成例１５：マイグレーション抑制剤Ｍ−１７）
３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸の替わりに３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホン酸モノエチルを用いた以外は合成例１３と同様の方法で化合物Ｍ−１７（マイグレーション抑制剤Ｍ−１７）を合成した。
（合成例１６：マイグレーション抑制剤Ｍ−２０）
３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸の替わりに化合物Ａ−６を用いた以外は合成例１３と同様の方法で化合物Ｍ−２０（マイグレーション抑制剤Ｍ−２０）を合成した。
化合物Ａ−６は以下の方法で合成した。まず、反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（５．０ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）、１，３−プロパンスルトン（２．１９ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２.９８ｇ、２１．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２０ｍｌ）を加え、６０℃で４時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、１Ｎ ＨＣｌ ５０ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：メタノール／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ａ−６を５ｇ得た（収率７５％）。
（合成例１７：マイグレーション抑制剤Ｍ−２１）
反応容器に、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ジメチルアミノメチルフェノール（５．０ｇ、１９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（５０ｍｌ）を加え、氷冷下でメタンスルホン酸メチル（２．３ｇ、２０．７ｍｍｏｌ）を加え、３０分攪拌した。さらに反応溶液を５０で２時間攪拌した後、氷冷下で３０分静置した。析出した結晶をろ過し、酢酸エチルで洗浄後、減圧乾燥し、化合物Ｍ−２１（マイグレーション抑制剤Ｍ−２１）を６ｇ得た（収率８５％）。
（有機薄膜トランジスタの作製）
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上に、ゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚３００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上に銀インクＡ１をインクジェット装置ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティクス製：１ｐＬヘッド使用）を用いて、チャネル長４０μｍ、チャネル幅２５０μｍのソース電極状およびドレイン電極状に描画した。その後オーブンにて１８０℃、３０分ベークを行い、焼結を行い、ソース電極およびドレイン電極を製造した。その上に有機半導体材料（５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ＴＥＳ−ＡＤＴ）（Ａｌｄｒｉｃｈ製））をトルエンに溶解させて（有機半導体材料濃度：２質量％）調製した有機半導体組成物をスピンコートで塗布し、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークを行い、厚み１μｍの封止層（最上層）を形成して、有機薄膜トランジスタ（ボトムコンタクト―ボトムゲート型）を得た。
＜移動度の評価＞
得られた有機薄膜トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行った。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ‐Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。このように、ソース電極およびドレイン電極に銀インクＡ１を用いた５つの有機薄膜トランジスタの電界効果移動度の平均値をμ１とする。
次に、マイグレーション抑制剤を添加した銀インクＡ２〜Ａ２３（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）を用いて、銀インクＡ１と同様に、有機薄膜トランジスタを作製し、電界効果移動度の平均値を算出した。銀インクＡｎ（ｎ＝２〜２３）を用いた場合の電界効果移動度の平均値をμｎとする。
銀インクＡ２〜Ａ２３（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）について、μｎ／μ１を算出し、以下の基準にしたがって、移動度を評価した。結果を表１に示す。実用上、移動度の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：μｎ／μ１≧０．８
「Ｂ」：０．８＞μｎ／μ１≧０．５
「Ｃ」：０．５＞μｎ／μ１≧０．１
「Ｄ」：０．１＞μｎ／μ１
＜絶縁信頼性の評価＞
上記のようにして銀インクＡ１を用いて得られた有機薄膜トランジスタの耐久性試験を以下の方法に従い実施した。まず、得られた有機薄膜トランジスタを温度：５０℃、湿度５０％の恒温恒湿槽内に設置し、Ｖｓ＝−２０Ｖ、Ｖｄ＝０Ｖ、Ｖｇ＝−２０Ｖの電圧をかけた。その間、１０分毎にトランジスタ特性の測定を行い、閾値電圧Ｖｔｈが初期値に対して１０Ｖ以上のシフトが観測された時間をそのトランジスタの寿命時間（Ｔ１）として算出した。
次に、マイグレーション抑制剤を添加した銀インクＡ２〜Ａ２３（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）を用いて、銀インクＡ１を用いた場合と同様に、有機薄膜トランジスタを作製した。そして、Ｔ１を求めた方法と同様にして、銀インクＡｎ（ｎ＝２〜２３）を用いた場合のトランジスタの寿命時間（Ｔｎ）を算出した。
算出したＴ１とＴｎからＴｎ／Ｔ１を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。絶縁信頼性の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：Ｔｎ／Ｔ１≧１０
「Ｂ」：１０＞Ｔｎ／Ｔ１≧５
「Ｃ」：５＞Ｔｎ／Ｔ１≧１．５
「Ｄ」：１．５＞Ｔｎ／Ｔ１
＜表面状態の評価＞
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上に、ゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚３００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上に銀インクＡ２〜Ａ２３の各インクを焼結後の膜厚が２００ｎｍになる様にＳＴＳ−２００（ワイディーメカトロソリューションズ社製）を用いてスプレーコーティング法により塗布した。その後、オーブンを用いて焼結し（１８０℃、３０分）、基板上に銀膜を形成した。作製した銀膜付基板について、表面状態を目視にて観察した。
評価は、下記４段階で行なった。結果を表１に示す。
「Ａ」：金属光沢があり、表面が滑らかである。
「Ｂ」：金属光沢があるが、表面は滑らかではない。
「Ｃ」：金属光沢があまり無く、表面に凸凹と空泡有り。
「Ｄ」：金属光沢が無く加熱前と変化が無い。
表１に示すように、マイグレーション抑制剤として一般式（１）で表される基を有する化合物を含有する導電膜形成用組成物を用いた場合には、これを用いて作製された導電膜の表面状態が良好であることがわかった（実施例１〜１８）。また、マイグレーション抑制剤として一般式（１）で表される基を有する化合物を含有する導電膜形成用組成物を用いた場合には、これを用いて作製された有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性および移動度が良好であることがわかった（実施例１〜１８）。
実施例３（マイグレーション抑制剤Ｍ−３）と、実施例１４（マイグレーション抑制剤Ｍ−１５）と、の比較から、マイグレーション抑制剤としてアルキレンオキシ基を有するものを用いた方が（実施例３）、イオン性基を有するものを用いた場合（実施例１４）よりも、移動度や表面状態が良好になることがわかった。
実施例３（マグレーション抑制剤Ｍ−３）と、実施例４（マイグレーション抑制剤Ｍ−４）と、の比較から、アルキレンオキシ基の繰り返し単位が多くなるにつれて、導電膜の表面状態が良好となったり、有機薄膜トランジスタの移動度が向上することが示された。このような移動度の向上は、マイグレーション抑制剤の水溶性が高くなって導電膜の表面状態が良好なることで、半導体層の結晶成長などが良好になったことで生じるものと推測される。
実施例３（マイグレーション抑制剤Ｍ−３）と、実施例７（マイグレーション抑制剤Ｍ−６）と、の比較から、アルキルオキシ基の繰り返し単位が少なくなるにつれて、絶縁信頼性が向上することが示された。このような絶縁信頼性の向上は、有機薄膜トランジスタの形成後の吸湿作用が抑制されたことで生じるものと推測される。
実施例１（マイグレーション抑制剤Ｍ−１）と、実施例８（マイグレーション抑制剤Ｍ−７）と、の比較から、親水基と疎水基とのバランスが良好であると（実施例８）、表面状態、絶縁信頼性および移動度のすべての評価が優れたものとなることがわかった。
一方、マイグレーション抑制剤として一般式（１）で表される基を有する化合物を含有しない導電膜形成用組成物を用いた場合には、導電膜の表面状態、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性、および有機薄膜トランジスタの移動度、の少なくとも１つが悪化することが示された（比較例１〜比較例４）。
１０：基板
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
１００、２００：有機薄膜トランジスタ

Claims (16)

  1. 水と、
    導電性粒子と、
    一般式（１）で表される基を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤と、
    を含有する、導電膜形成用組成物。

    上記一般式（１）中、Ｗ１は、水素原子、一般式（Ａ）で表される基、一般式（Ｂ）で表される基または一般式（Ｃ）で表される基を表す。
    上記一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、およびＷ２のいずれかを表す。Ｗ２は、一般式（Ｄ）で表される基、一般式（Ｅ）で表される基または一般式（Ｆ）で表される基を表す。ただし、Ｗ１が水素原子である場合には、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つは、Ｗ２である。
    上記一般式（１）中、＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ａ）中、Ｚ１は、２価の連結基を表す。ＲＡは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。Ｒ５は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｎは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｂ）中、Ｚ２は、２価の連結基を表す。Ａ１ −は、アニオン性基を表す。Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｃ）中、Ｚ３は、２価の連結基を表す。Ａ２ −は、１価の陰イオンを表す。Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｄ）中、Ｚ４は、単結合または２価の連結基を表す。ＲＢは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。Ｒ１３は、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｍは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｅ）中、Ｚ５は、単結合または２価の連結基を表す。Ａ３ −は、アニオン性基を表す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｆ）中、Ｚ６は、単結合または２価の連結基を表す。Ａ４ −は、１価の陰イオンを表す。Ｒ１８、Ｒ１９およびＲ２０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
  2. 前記一般式（１）で表される基を有する化合物が、一般式（２）で表される化合物である、請求項１に記載の導電膜形成用組成物。
    （Ｒｘ）ｎ−Ｌ−（Ｒｙ）ｍ ・・・（２）
    上記一般式（２）中、Ｌは、単結合またはｎ＋ｍ価の連結基を表す。Ｌが単結合の場合には、ｎ＝１、ｍ＝１である。Ｌがｎ＋ｍ価の連結基である場合には、ｎおよびｍは整数であって、１≦ｎ≦６、０≦ｍ≦５、および、２≦ｎ＋ｍ≦６を満たす。
    上記一般式（２）中、Ｒｘは、下記一般式（Ｇ）で表される基である。ｎが２以上である場合には、複数のＲｘは、同一でも異なっていてもよい。
    上記一般式（２）中、Ｒｙは、水素原子、置換基または下記一般式（Ｈ）で表される基である。ｍが２以上である場合には、複数のＲｙは、同一でも異なっていてもよい。

    上記一般式（Ｇ）中、Ｗ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の定義は、いずれも、前記一般式（１）で表される基と同義である。Ｙ１は、単結合または２価の連結基を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｈ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ２は、単結合または２価の連結基を表す。＊は、結合位置を表す。
  3. 前記一般式（１）または前記一般式（２）において、
    Ｗ１が、一般式（Ｉ）で表される基、一般式（Ｊ）で表される基、一般式（Ｋ）で表される基または一般式（Ｌ）で表される基である、請求項１または請求項２に記載の導電膜形成用組成物。
    一般式（Ｉ）中、Ｌ１は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ２５は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｎは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｊ）中、Ｌ２は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ２６は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｍは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｋ）中、Ｒ２７は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｌは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｌ）中、Ｌ３は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０およびＲ３１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
  4. 前記一般式（１）または前記一般式（２）において、
    Ｗ２が、一般式（Ｍ）で表される基、一般式（Ｎ）で表される基、一般式（Ｏ）で表される基または一般式（Ｐ）で表される基である、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
    一般式（Ｍ）中、Ｚ７は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ４は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３２は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｏは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｎ）中、Ｚ８は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ５は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３３は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｐは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｏ）中、Ｚ９は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ６は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｐ）中、Ｚ１０は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ７は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４１およびＲ４２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
  5. 水と、
    導電性粒子と、
    一般式（３）で表される基を有する化合物を含むマイグレーション抑制剤と、
    を含有し、
    前記一般式（３）で表される基を有する化合物のＨＬＢ値が、１１〜１７である、導電膜形成用組成物。

    上記一般式（３）中、Ｗ１Ａは、一般式（１Ａ）で表される基を表す。Ｒ１Ａは、炭素数１〜２２のアルキル基を表す。Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、およびＷ２のいずれかを表す。Ｗ２は、一般式（Ｄ）で表される基、一般式（Ｅ）で表される基または一般式（Ｆ）で表される基を表す。＊は、結合位置を表す。

    上記一般式（１Ａ）中、Ｚ１は、２価の連結基を表す。ＲＡは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。ｎは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｄ）中、Ｚ４は、単結合または２価の連結基を表す。ＲＢは、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。Ｒ１３は、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｍは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｅ）中、Ｚ５は、単結合または２価の連結基を表す。Ａ３ −は、アニオン性基を表す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｆ）中、Ｚ６は、単結合または２価の連結基を表す。Ａ４ −は、１価の陰イオンを表す。Ｒ１８、Ｒ１９およびＲ２０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
  6. 前記一般式（３）で表される基を有する化合物が、一般式（４）で表される化合物である、請求項５に記載の導電膜形成用組成物。
    （ＲｘＡ）ｎ−Ｌ−（Ｒｙ）ｍ ・・・（４）
    上記一般式（４）中、Ｌは、単結合またはｎ＋ｍ価の連結基を表す。Ｌが単結合の場合には、ｎ＝１、ｍ＝１である。Ｌがｎ＋ｍ価の連結基である場合には、ｎおよびｍは整数であって、１≦ｎ≦６、０≦ｍ≦５、および、２≦ｎ＋ｍ≦６を満たす。
    上記一般式（４）中、ＲｘＡは、下記一般式（ＧＡ）で表される基である。ｎが２以上である場合には、複数のＲｘＡは、同一でも異なっていてもよい。
    上記一般式（４）中、Ｒｙは、水素原子、置換基または下記一般式（Ｈ）で表される基である。ｍが２以上である場合には、複数のＲｙは、同一でも異なっていてもよい。

    上記一般式（ＧＡ）中、Ｗ１Ａ、Ｒ１Ａ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の定義は、いずれも、前記一般式（３）で表される基と同義である。Ｙ１は、単結合または２価の連結基を表す。＊は、結合位置を表す。
    上記一般式（Ｈ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ２は、単結合または２価の連結基を表す。＊は、結合位置を表す。
  7. 前記一般式（３）または前記一般式（４）において、
    Ｗ１Ａが、一般式（ＩＡ）で表される基、一般式（ＪＡ）で表される基、または一般式（ＫＡ）で表される基である、請求項５または請求項６に記載の導電膜形成用組成物。

    一般式（ＩＡ）中、Ｌ１は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。ｎは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（ＪＡ）中、Ｌ２は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。ｍは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（ＫＡ）中、ｌは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
  8. 前記一般式（３）または前記一般式（４）において、
    Ｗ２が、一般式（Ｍ）で表される基、一般式（Ｎ）で表される基、一般式（Ｏ）で表される基または一般式（Ｐ）で表される基である、請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
    一般式（Ｍ）中、Ｚ７は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ４は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３２は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｏは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｎ）中、Ｚ８は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ５は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３３は、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。ｐは、４〜１００の整数を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｏ）中、Ｚ９は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ６は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
    一般式（Ｐ）中、Ｚ１０は、単結合、−ＣＯＯ−基、−ＮＨＣＯ−基または−ＣＯＮＨ−基を表す。Ｌ７は、炭素数１〜１２のアルキレン基または炭素数６〜１２のアリーレン基を表す。Ｒ３８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４１およびＲ４２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
  9. 前記導電性粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
  10. 前記導電性粒子が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉおよびＴａからなる群より選択される金属原子を含む、請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
  11. 前記水の含有量が、導電膜形成用組成物全質量に対して、１０質量％以上である、請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
  12. 請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された、導電膜。
  13. 請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された電極を有する、有機薄膜トランジスタ。
  14. 請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタを含む、電子ペーパー。
  15. 請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタを含む、ディスプレイデバイス。
  16. 請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された配線を有する、配線板。
JP2016551984A 2014-09-30 2015-09-25 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板 Expired - Fee Related JP6295339B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014201429 2014-09-30
JP2014201429 2014-09-30
PCT/JP2015/077145 WO2016052347A1 (ja) 2014-09-30 2015-09-25 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016052347A1 true JPWO2016052347A1 (ja) 2017-07-20
JP6295339B2 JP6295339B2 (ja) 2018-03-14

Family

ID=55630384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016551984A Expired - Fee Related JP6295339B2 (ja) 2014-09-30 2015-09-25 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10138385B2 (ja)
JP (1) JP6295339B2 (ja)
TW (1) TW201612143A (ja)
WO (1) WO2016052347A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10485091B2 (en) * 2016-11-29 2019-11-19 Nxp Usa, Inc. Microelectronic modules with sinter-bonded heat dissipation structures and methods for the fabrication thereof
US10104759B2 (en) 2016-11-29 2018-10-16 Nxp Usa, Inc. Microelectronic modules with sinter-bonded heat dissipation structures and methods for the fabrication thereof
CN114931241A (zh) * 2017-03-14 2022-08-23 菲利普莫里斯生产公司 用于电池供电的气溶胶生成装置的功率管理方法和系统
USD870375S1 (en) 2017-10-11 2019-12-17 Altria Client Services Llc Battery for an electronic vaping device
US10687557B2 (en) 2017-12-29 2020-06-23 Altria Client Services Llc Electronic vaping device with outlet-end illumination
KR102027677B1 (ko) * 2018-01-25 2019-10-02 한국과학기술원 폴리머 층 내부에 고정된 도전입자의 표면에 대한 자가 노출 방법, 상기 자가 노출 방법을 이용한 이방성 전도 필름의 제조 방법 및 상기 이방성 전도 필름

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4032562A (en) * 1974-11-05 1977-06-28 Ciba-Geigy Corporation 3,5-dialkyl-4-hydroxyphenylalkanoic acid esters of polyalkylene glycols
JPH08504780A (ja) * 1992-12-21 1996-05-21 チバ−ガイギー アクチェンゲゼルシャフト 新規の液状フェノール系酸化防止剤
JP2013544917A (ja) * 2010-10-22 2013-12-19 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤーインク組成物およびその印刷
JP2014067677A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Fujifilm Corp 導電ペースト、プリント配線基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4032562A (en) * 1974-11-05 1977-06-28 Ciba-Geigy Corporation 3,5-dialkyl-4-hydroxyphenylalkanoic acid esters of polyalkylene glycols
JPH08504780A (ja) * 1992-12-21 1996-05-21 チバ−ガイギー アクチェンゲゼルシャフト 新規の液状フェノール系酸化防止剤
JP2013544917A (ja) * 2010-10-22 2013-12-19 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤーインク組成物およびその印刷
JP2014067677A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Fujifilm Corp 導電ペースト、プリント配線基板

Also Published As

Publication number Publication date
TW201612143A (en) 2016-04-01
US20170174914A1 (en) 2017-06-22
US10138385B2 (en) 2018-11-27
JP6295339B2 (ja) 2018-03-14
WO2016052347A1 (ja) 2016-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6295339B2 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板
EP3007214B1 (en) Composition for forming gate insulating film, organic thin film transistor, electronic paper, and display device
JP6484700B2 (ja) 有機半導体膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイス
WO2014189116A1 (ja) 有機半導体組成物および有機薄膜トランジスタならびに電子ペーパーおよびディスプレイデバイス
JP6343678B2 (ja) 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス
JP6259527B2 (ja) 有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス
JP6224472B2 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板
JP6100924B2 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス、配線板
JP6043000B2 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板
WO2015046523A1 (ja) 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス
WO2015060164A1 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板
WO2015016003A1 (ja) 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス
JP2015109402A (ja) 有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6295339

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees