JPWO2015118760A1 - 導電性組成物、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール - Google Patents

Abstract

本発明は、低い体積抵抗率を維持しつつ、透明導電層等に対する接触抵抗の低い電極等を形成することができる導電性組成物、上記導電性組成物を集電電極に用いた太陽電池セル、および、上記太陽電池セルを用いた太陽電池モジュールを提供することを目的とする。本発明の導電性組成物は、金属粉末（Ａ）と、脂肪酸金属塩（Ｂ）と、金属酸化物（Ｃ）とを含有し、上記金属酸化物（Ｃ）が、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物であり、上記脂肪酸金属塩（Ｂ）の含有量が、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、上記金属酸化物（Ｃ）の含有量が、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、４５０℃以下の温度で焼成を行う。

Description

本発明は、導電性組成物、上記導電性組成物を用いた集電電極に用いた太陽電池セル、および、上記太陽電池セルを用いた太陽電池モジュールに関する。

従来、銀粒子などの導電性粒子に熱可塑性樹脂（例えば、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂等）や熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等）などからなるバインダー、有機溶剤、硬化剤、触媒等を添加し混合して得られる導電性ペースト（導電性組成物）を、基板（例えばシリコン基板、エポキシ樹脂基板など）上に所定のパターンとなるように印刷し、これらを加熱して電極や配線を形成し、太陽電池セルやプリント配線板を製造する方法が知られている。

このような導電性ペーストとして、例えば、特許文献１には、「透明導電性膜の電極用として使用される導電性ペーストであって、バインダー樹脂、導電性微粉末及び溶剤を必須成分とし、前記導電性微粉末が酸化錫微粉末０．２〜２０質量％、銀微粉末９９．８〜８０質量％からなり、前記バインダー樹脂が、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、塩化ビニル酢酸ビニル共重合樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一つであり、前記溶剤が、エチルジグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、ブチルジグリコールアセテート、ベンジルアルコール、イソホロンからなる群より選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする電極用導電性ペースト。」が記載されている（請求項１）。

特許第５１６９５０１号

しかしながら、本発明者らが、特許文献１に記載の導電性ペーストについて検討したところ、形成される電極や配線（以下、「電極等」ともいう。）の体積抵抗率は低くなるが、透明導電層（例えば、透明導電酸化物層（ＴＣＯ））等に電極等を形成したときに、接触抵抗が高くなる場合があることが明らかとなった。

そこで、本発明は、低い体積抵抗率を維持しつつ、透明導電層等に対する接触抵抗の低い電極等を形成することができる導電性組成物、上記導電性組成物を集電電極に用いた太陽電池セル、および、上記太陽電池セルを用いた太陽電池モジュールを提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、金属粉末（例えば、銀粉など）および金属酸化物（例えば、酸化錫など）とともに、脂肪酸金属塩を配合することにより、低い体積抵抗率を維持しつつ、透明導電層等に対する接触抵抗の低い電極等が形成されることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

［１］ 金属粉末（Ａ）と、脂肪酸金属塩（Ｂ）と、金属酸化物（Ｃ）とを含有し、
上記金属酸化物（Ｃ）が、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物であり、
上記脂肪酸金属塩（Ｂ）の含有量が、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、
上記金属酸化物（Ｃ）の含有量が、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、４５０℃以下の温度で焼成を行う導電性組成物。
［２］ 上記脂肪酸金属塩（Ｂ）と上記金属酸化物（Ｃ）との質量比（脂肪酸金属塩（Ｂ）／金属酸化物（Ｃ））が、０．０５〜５である、上記［１］に記載の導電性組成物。
［３］ 上記金属酸化物（Ｃ）が、平均粒子径が１０〜１００ｎｍの粒子状物である、上記［１］または［２］に記載の導電性組成物。
［４］ 上記金属粉末（Ａ）が、銀粉末および銅粉末からなる群から選択される少なくとも１種の金属粉末である、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の導電性組成物。
［５］ 上記金属酸化物（Ｃ）が、酸化錫である、上記［１］〜［４］のいずれかに記載の導電性組成物。
［６］ 更に、硬化性樹脂（Ｄ）を含有する、上記［１］〜［５］のいずれかに記載の導電性組成物。
［７］ 上記［１］〜［６］のいずれかに記載の導電性組成物を集電電極に用いた太陽電池セル。
［８］ 上記集電電極の下地層として透明導電層を具備する［７］に記載の太陽電池セル。
［９］ 上記［７］または［８］に記載の太陽電池セルを用いた太陽電池モジュール。

以下に示すように、本発明によれば、低い体積抵抗率を維持しつつ、透明導電層等に対する接触抵抗の低い電極等を形成することができる導電性組成物、上記導電性組成物を集電電極に用いた太陽電池セル、および、上記太陽電池セルを用いた太陽電池モジュールを提供することができる。
また、本発明の導電性組成物を用いれば、低温（４５０℃以下（特に２００℃以下））焼成であっても、低い体積抵抗率を維持しつつ、透明導電層等に対する接触抵抗の低い電極等を形成することができるため、太陽電池セル（特に後述する第２の好適態様）への熱によるダメージを軽減できる効果も有し、非常に有用である。
更に、本発明の導電性組成物を用いれば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）やシリコンなどの耐熱性の高い材料のみならず、例えばＰＥＴフィルムなどの耐熱性の低い材料上にも電子回路、アンテナ等の回路を容易かつ短時間で作製することができるため非常に有用である。

図１は太陽電池セルの第１の好適態様を示す断面図である。 図２は太陽電池セルの第２の好適態様を示す断面図である。

〔導電性組成物〕
本発明の導電性組成物（以下、「本発明の導電性組成物」とも略す。）は、金属粉末（Ａ）と、脂肪酸金属塩（Ｂ）と、金属酸化物（Ｃ）とを含有し、上記金属酸化物（Ｃ）が酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物であり、上記脂肪酸金属塩（Ｂ）の含有量が上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、上記金属酸化物（Ｃ）の含有量が上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、４５０℃以下の温度で焼成を行う導電性組成物である。
また、本発明の導電性組成物は、後述するように、必要に応じて、硬化性樹脂（Ｄ）、硬化性樹脂の硬化剤（Ｅ）、溶媒（Ｆ）などを含有していてもよい。

本発明においては、金属粉末（Ａ）および金属酸化物（Ｃ）とともに、脂肪酸金属塩（Ｂ）を所定量配合することにより、低い体積抵抗率を維持しつつ、透明導電層等に対する接触抵抗の低い電極等を形成することができる導電性組成物となる。
これは、詳細には明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
まず、後述する比較例３に示す通り、金属粉末（Ａ）に対して、脂肪酸金属塩（Ｂ）を配合せずに金属酸化物（Ｃ）のみを配合した場合は、接触抵抗が大きくなることが分かる。これは、金属酸化物（Ｃ）の分散性が劣るためと考えられる。
また、後述する比較例４に示す通り、金属粉末（Ａ）に対して、脂肪酸金属塩（Ｂ）に該当しない脂肪酸とともに、金属酸化物（Ｃ）を配合した場合は、接触抵抗が僅かに改善されているものの十分ではないことが分かる。これは、金属酸化物（Ｃ）の分散性は改善されるものの、脂肪酸自体が抵抗成分となっているためと考えられる。
これらの比較例の結果から、本発明においては、脂肪酸金属塩（Ｂ）を所定量配合することにより、金属酸化物（Ｃ）の分散性が改善され、かつ、脂肪酸金属塩（Ｂ）自体が還元されることにより金属粒子が生成するため、抵抗成分にならないためと考えられる。
ここで、近年の太陽電池セルにおけるフィンガー電極は、曲線因子の向上や金属（主に銀）ペーストの使用量低減の観点から、細線化（例えば、５０μｍ程度）が要求されており、ペーストに配合する配合剤の分散が重要となっている。
そのため、脂肪酸金属塩（Ｂ）の配合により金属酸化物（Ｃ）の分散性が改善された本発明の導電性組成物は、スクリーン印刷のメッシュの目詰まりを抑制でき、上述した要求特性にも応えることができ、極めて有用である。

以下に、金属粉末（Ａ）、脂肪酸金属塩（Ｂ）および金属酸化物（Ｃ）ならびに所望により含有してもよい他の成分について詳述する。

＜金属粉末（Ａ）＞
本発明の導電性組成物が含有する金属粉末（Ａ）は特に限定されず、例えば、電気抵抗率が２０×１０^-6Ω・ｃｍ以下の金属材料を用いることができる。
上記金属材料としては、具体的には、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらのうち、より低い体積抵抗率の電極等を形成することができる理由から、銀粉末、銅粉末であるのが好ましく、銀粉末であるのがより好ましい。

本発明においては、上記金属粉末（Ａ）は、印刷性（特に、スクリーン印刷性）が良好となる理由から、平均粒子径が０．５〜１０μｍの金属粉末を用いるのが好ましい。
上記金属粉末のうち、より低い体積抵抗率の電極等を形成することができる理由から、球状の銀粒子および／または銅粒子を用いるのがより好ましい。なお、銅粒子は、耐酸化性を改善する観点から、有機化合物、無機化合物、無機酸化物、銅以外の金属等で表面を改質または被覆した銅粒子を用いるのが好ましい。
ここで、金属粉末（Ａ）の平均粒子径とは、金属粉末の粒子径の平均値をいい、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定された５０％体積累積径（Ｄ５０）をいう。なお、平均値を算出する基になる粒子径は、金属粉末の断面が楕円形である場合はその長径と短径の合計値を２で割った平均値をいい、正円形である場合はその直径をいう。
また、球状とは、長径／短径の比率が２以下の粒子の形状をいう。

また、本発明においては、上記金属粉末（Ａ）の平均粒子径は、印刷性がより良好となる理由から、０．７〜５．０μｍであるのが好ましく、焼結速度が適当となり作業性に優れる理由から、１．０〜３．０μｍであるのがより好ましい。

更に、本発明においては、上記金属粉末（Ａ）として市販品を用いることができる。
上記銀粒子の市販品の具体例としては、ＡＧ２−１Ｃ（平均粒子径：１．０μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）、ＡＧ４−８Ｆ（平均粒子径：２．２μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）、ＡＧ３−１１Ｆ（平均粒子径：１．４μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）、ＡｇＣ−１０２（平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）、ＡｇＣ−１０３（平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）、ＥＨＤ（平均粒子径：０．５μｍ、三井金属社製）等が挙げられる。

＜脂肪酸金属塩（Ｂ）＞
本発明の導電性組成物が含有する脂肪酸金属塩（Ｂ）は、有機カルボン酸の金属塩であれば特に限定されず、例えば、銀、マグネシウム、ニッケル、銅、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、スズおよび鉛からなる群から選択される少なくとも１種以上の金属のカルボン酸金属塩を用いるのが好ましい。
これらのうち、銀のカルボン酸金属塩（以下、「カルボン酸銀塩（Ｂ１）」ともいう。）を用いるのが好ましい。なお、以下の説明において、銀以外の金属のカルボン酸銀塩を「カルボン酸金属塩（Ｂ２）」ともいう。

ここで、上記カルボン酸銀塩（Ｂ１）は、有機カルボン酸（脂肪酸）の銀塩であれば特に限定されず、例えば、特開２００８−１９８５９５号公報の［００６３］〜［００６８］段落に記載された脂肪酸金属塩（特に３級脂肪酸銀塩）、特許第４４８２９３０号公報の［００３０］段落に記載された脂肪酸銀塩、特開２０１０−９２６８４号公報の［００２９］〜［００４５］段落に記載された水酸基を１個以上有する脂肪酸銀塩、同公報の［００４６］〜［００５６］段落に記載された２級脂肪酸銀塩、特開２０１１−３５０６２号公報の［００２２］〜［００２６］に記載されたカルボン酸銀等を用いることができる。
これらのうち、形成される電極等の体積抵抗率がより低くなり、また、透明導電層等に対する接触抵抗がより低くなる理由から、炭素数１８以下のカルボン酸銀塩（Ｂ１−１）、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）と水酸基（−ＯＨ）とをそれぞれ１個以上有するカルボン酸銀塩（Ｂ１−２）、および、水酸基（−ＯＨ）を有さずにカルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）を２個以上有するポリカルボン酸銀塩（Ｂ１−３）からなる群から選択される少なくとも１種のカルボン酸銀塩を用いるのが好ましい。

上記カルボン酸銀塩（Ｂ１−２）としては、例えば、下記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
（式（Ｉ）中、ｎは０〜２の整数を表し、Ｒ¹は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ²は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。ｎが０または１である場合、複数のＲ²はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ｎが２である場合、複数のＲ¹はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（ＩＩ）中、Ｒ¹は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、複数のＲ¹はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（ＩＩＩ）中、Ｒ¹は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ³は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。複数のＲ¹はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）

また、上記ポリカルボン酸銀塩（Ｂ１−３）としては、例えば、下記式（ＩＶ）で表される化合物であるが挙げられる。
（式（ＩＶ）中、ｍは、２〜６の整数を表し、Ｒ⁴は、炭素数１〜２４のｍ価の飽和脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１２のｍ価の不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２のｍ価の脂環式炭化水素基、または、炭素数６〜１２のｍ価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ⁴の炭素数をｐとすると、ｍ≦２ｐ＋２である。）

上記カルボン酸銀塩（Ｂ１−１）としては、具体的には、２−メチルプロパン酸銀塩（別名：イソ酪酸銀塩）、２−メチルブタン酸銀塩等が好適に例示される。
また、上記カルボン酸銀塩（Ｂ１−２）としては、具体的には、２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸銀塩等が好適に例示される。
また、上記ポリカルボン酸銀塩（Ｂ１−３）としては、具体的には、１，３，５−ペンタントリカルボン酸銀塩、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩等が好適に例示される。

一方、上記カルボン酸金属塩（Ｂ２）は、上述した通り、例えば、有機カルボン酸（脂肪酸）のマグネシウム、ニッケル、銅、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、スズおよび鉛からなる群から選択される少なくとも１種以上の金属の金属塩が挙げられる。

本発明においては、上記カルボン酸金属塩（Ｂ２）を生成する上記有機カルボン酸としては、具体的には、例えば、２−メチルプロパン酸、２−エチルヘキサン酸、オクチル酸、ナフテン酸、ステアリン酸、ラウリン酸等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

このようなカルボン酸金属塩（Ｂ２）としては、具体的には、例えば、２−メチルプロパン酸亜鉛塩；
オクチル酸マグネシウム塩、オクチル酸ニッケル塩、オクチル酸銅塩、オクチル酸亜鉛塩、オクチル酸イットリウム塩、オクチル酸ジルコニウム塩、オクチル酸スズ塩、オクチル酸鉛塩；ナフテン酸マグネシウム塩、ナフテン酸ニッケル塩、ナフテン酸銅塩、ナフテン酸亜鉛塩、ナフテン酸イットリウム塩、ナフテン酸ジルコニウム塩、ナフテン酸スズ塩、ナフテン酸鉛塩；
ステアリン酸マグネシウム塩、ステアリン酸ニッケル塩、ステアリン酸銅塩、ステアリン酸亜鉛塩、ステアリン酸イットリウム塩、ステアリン酸ジルコニウム塩、ステアリン酸スズ塩、ステアリン酸鉛塩；
ラウリン酸マグネシウム塩、ラウリン酸ニッケル塩、ラウリン酸銅塩、ラウリン酸亜鉛塩、ラウリン酸イットリウム塩、ラウリン酸ジルコニウム塩、ラウリン酸スズ塩、ラウリン酸鉛塩；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本発明においては、上記脂肪酸金属塩（Ｂ）の含有量は、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、後述する金属酸化物（Ｃ）の分散性が向上し、透明導電層等に対する接触抵抗がより低くなる理由から、１〜１０質量部であるのがより好ましい。

＜金属酸化物（Ｃ）＞
本発明の導電性組成物で用いる金属酸化物（Ｃ）は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物である。

上記金属酸化物（Ｃ）としては、透明導電層等に対する接触抵抗がより低くなる理由から、酸化錫であるのが好ましい。
また、酸化錫の中でも、形成される電極等の体積抵抗率がより低くなり、また、透明導電層等に対する接触抵抗がより低くなる理由から、ドーパント（例えば、アンチモン、リン等）によりドープされた酸化錫であるのがより好ましい。なお、ドーパントによるドープは、酸化錫１００質量部に対して、０．１〜２０質量部程度までドープされたものが好ましい。

上記金属酸化物（Ｃ）は、上述した脂肪酸金属塩（Ｂ）の添加効果、すなわち、金属酸化物の分散性がより発現する理由から、その平均粒子径が１０〜１００ｎｍの粒子状物であるのが好ましく、１０〜５０ｎｍの粒子状物であるのがより好ましい。
ここで、金属酸化物（Ｃ）の平均粒子径とは、金属酸化物の粒子径の平均値をいい、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定された５０％体積累積径（Ｄ５０）をいう。なお、平均値を算出する基になる粒子径は、金属酸化物の断面が楕円形である場合はその長径と短径の合計値を２で割った平均値をいい、正円形である場合はその直径をいう。

上記金属酸化物（Ｃ）は、上述した脂肪酸金属塩（Ｂ）の添加効果、すなわち、金属酸化物の分散性がより発現する理由から、ＢＥＴ比表面積が１０〜１００ｍ²／ｇであるのが好ましく、３０〜１００ｍ²／ｇであるのがより好ましい。
ここで、ＢＥＴ比表面積とは、ＪＩＳ Ｋ１４７７：２００７に規定された試験方法に従い、窒素吸着によるＢＥＴ法を用いて測定した測定値をいう。

上記金属酸化物（Ｃ）の形状は特に限定されないが、上述した平均粒子径を有する粒子状物であるのが好ましく、特に、形成される電極等の体積抵抗率がより低くなり、また、透明導電層等に対する接触抵抗がより低くなる理由から、コア材料と被覆材料とを有するコア・シェル構造であるのがより好ましい。
ここで、コア・シェル構造を有する場合、コア材料は特に限定されず、被覆材料のみ上記金属酸化物で構成されていればよい。

本発明においては、上記金属酸化物（Ｃ）の含有量は、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、形成される電極等の体積抵抗率がより低くなり、また、透明導電層等に対する接触抵抗がより低くなる理由から、１〜１０質量部であるのがより好ましい。

また、本発明においては、上述した脂肪酸金属塩（Ｂ）の添加効果、すなわち、金属酸化物の分散性がより発現する理由から、上記脂肪酸金属塩（Ｂ）と上記金属酸化物（Ｃ）との質量比（脂肪酸金属塩（Ｂ）／金属酸化物（Ｃ））が、０．０５〜５であるのが好ましく、０．１〜５であるのがより好ましい。

＜硬化性樹脂（Ｄ）＞
本発明の導電性組成物で用いることができる任意の硬化性樹脂（Ｄ）は、熱硬化性樹脂であれば特に限定されない。
上記熱硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、オルガノポリシロキサン、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらのうち、透明導電層等に対する密着性が良好となり、接触抵抗のより低い電極等を形成することができ、また、塗膜強度が高くなり、形成される電極等の強度が向上する理由から、後述するエポキシ樹脂および／またはオルガノポリシロキサンであるのが好ましい。

（エポキシ樹脂）
上記エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のオキシラン環（エポキシ基）を有する化合物からなる樹脂であれば特に限定されず、一般的に、エポキシ当量が９０〜２０００のものである。
このようなエポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。
具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＳ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型等のビスフェニル基を有するエポキシ化合物や、ポリアルキレングリコール型、アルキレングリコール型のエポキシ化合物や、ナフタレン環を有するエポキシ化合物や、フルオレン基を有するエポキシ化合物等の二官能型のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂；
フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の多官能型のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂；
ダイマー酸等の合成脂肪酸のグリシジルエステル系エポキシ樹脂；
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン（ＴＧＤＤＭ）、テトラグリシジルジアミノジフェニルスルホン（ＴＧＤＤＳ）、テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン（ＴＧＭＸＤＡ）、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、トリグリシジル−ｍ−アミノフェノール、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、テトラグリシジル１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン（ＴＧ１，３−ＢＡＣ）、トリグリシジルイソシアヌレート（ＴＧＩＣ）等のグリシジルアミン系エポキシ樹脂；
トリシクロ〔５，２，１，０^2,6〕デカン環を有するエポキシ化合物、具体的には、例えば、ジシクロペンタジエンとメタクレゾール等のクレゾール類またはフェノール類を重合させた後、エピクロルヒドリンを反応させる公知の製造方法によって得ることができるエポキシ化合物；
脂環型エポキシ樹脂；東レチオコール社製のフレップ１０に代表されるエポキシ樹脂主鎖に硫黄原子を有するエポキシ樹脂；ウレタン結合を有するウレタン変性エポキシ樹脂；ポリブタジエン、液状ポリアクリロニトリル−ブタジエンゴムまたはアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）を含有するゴム変性エポキシ樹脂等が挙げられる。

これらは１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
また、これらのうち、硬化性、耐熱性、耐久性およびコストの観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂であるのが好ましい。

（オルガノポリシロキサン）
上記オルガノポリシロキサンは、以下に示す４つの単位からなる群より選ばれる１種以上の繰り返し単位から構成される重合体をいう。

上記式（Ｓ−１）〜（Ｓ−３）で表される繰返し単位中、Ｒは、それぞれ独立に、置換または非置換の一価の炭化水素基を表す。
また、Ｒとしては、例えば、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数６〜１２のアリール基が挙げられる。
上記アルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等が挙げられる。
上記アルケニル基としては、具体的には、例えば、ビニル基、ブテニル基、ペンテニル基、アリル基等が挙げられ、中でも、活性が高く、反応性が高い理由から、Ｒの少なくとも１つがビニル基であるのが好ましい。
上記アリール基としては、具体的には、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等が挙げられ、中でも、π−π相互作用により透明導電層に対する密着性が良好となる理由から、Ｒの少なくとも１つがフェニル基であるのが好ましい。

本発明においては、透明導電層に対する密着性が良好となり、接触抵抗のより低い電極等を形成することができる理由から、上記オルガノポリシロキサン（Ｂ）は、少なくとも上記式（Ｓ−３）で表されるＴ単位または上記式（Ｓ−４）で表されるＱ単位を含むもの、すなわち、架橋構造を有するシリコーンレジンであるのが好ましい。

本発明においては、上記硬化性樹脂（Ｄ）を含有する場合の含有量は、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して２〜２０質量部であるのが好ましく、２〜１５質量部であるのがより好ましく、２〜１０質量部であるのがさらに好ましい。

＜硬化剤（Ｅ）＞
本発明の導電性組成物は、上記硬化性樹脂（Ｄ）としてエポキシ樹脂やエポキシ基を有するオルガノポリシロキサンを含有する場合、それらの硬化剤（Ｅ）を含有するのが好ましい。
上記硬化剤（Ｅ）としては、例えば、以下に詳述する三フッ化ホウ素とアミン化合物との錯体を用いるのが好ましい。

三フッ化ホウ素とアミン化合物との錯体としては、三フッ化ホウ素と脂肪族アミン（脂肪族第１級アミン、脂肪族第２級アミン、脂肪族第３級アミン）との錯体、三フッ化ホウ素と脂環式アミンとの錯体、三フッ化ホウ素と芳香族アミンとの錯体、三フッ化ホウ素と複素環アミンとの錯体などが挙げられる。上記複素環アミンは、脂環式の複素環アミン（以下、「脂環式複素環アミン」ともいう。）であっても、芳香族の複素環アミン（以下、「芳香族複素環アミン」ともいう。）であってもよい。
脂肪族第１級アミンの具体例としては、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｉｓｏ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｉｓｏ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ラウリルアミン等が挙げられる。脂肪族第２級アミンの具体例としては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルエチルアミン、メチルプロピルアミン、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、エチルプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｉｓｏ−ブチルアミン、ジプロペニルアミン、クロロブチルプロピルアミン、ジ（クロロブチル）アミン、ジ（ブロモエチル）アミン等が挙げられる。脂肪族第３級アミンの具体例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリエタノールアミン等が挙げられる。脂環式アミンの具体例としては、シクロヘキシルアミン等が挙げられる。芳香族アミンとしては、ベンジルアミン等が挙げられる。脂環式複素環アミンの具体例としては、ピロリジン、ピペリジン、２−ピペコリン、３−ピペコリン、４−ピペコリン、２，４−ルペチジン、２，６−ルペチジン、３，５−ルペチジン、ピペラジン、ホモピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、Ｎ−エチルピペラジン、Ｎ−プロピルピペラジン、Ｎ−メチルホモピペラジン、Ｎ−アセチルピペラジン、１−（クロロフェニル）ピペラジン、Ｎ−アミノエチルピペリジン、Ｎ−アミノプロピルピペリジン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、Ｎ−アミノプロピルピペラジン、モルホリン、Ｎ−アミノエチルモルホリン、Ｎ−アミノプロピルモルホリン、Ｎ−アミノプロピル−２−ピペコリン、Ｎ−アミノプロピル−４−ピペコリン、１，４−ビス（アミノプロピル）ピペラジン、トリエチレンジアミン、２−メチルトリエチエレンジアミン等が挙げられる。芳香族複素環アミンの具体例としては、ピリジン、ピロール、イミダゾール、ピリダジン、ピリミジン、キノリン、トリアジン、テトラジン、イソキノリン、キナゾリン、ナフチリジン、プテリジン、アクリジン、フェナジン等が挙げられる。

上記硬化剤（Ｅ）は、体積抵抗率がより低く、透明導電層等に対する接触抵抗のより低い電極等を形成することができる理由から、三フッ化ホウ素ピペリジン、三フッ化ホウ素エチルアミンおよび三フッ化ホウ素トリエタノールアミンからなる群より選択される錯体であることが好ましい。

上記硬化剤（Ｅ）の含有量は、体積抵抗率がより低く、透明導電層等に対する接触抵抗がより低い電極等を形成することができる理由から、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１質量部であるのが好ましい。

＜溶媒（Ｆ）＞
本発明の導電性組成物は、印刷性等の作業性の観点から、溶媒（Ｆ）を含有するのが好ましい。
上記溶媒（Ｆ）は、本発明の導電性組成物を基板上に塗布することができるものであれば特に限定されず、その具体例としては、ブチルカルビトール、メチルエチルケトン、イソホロン、α−テルピネオール等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

＜添加剤＞
本発明の導電性組成物は、必要に応じて、還元剤等の添加剤を含有していてもよい。
上記還元剤としては、具体的には、例えば、エチレングリコール類等が挙げられる。
また、本発明の導電性組成物は、高温（７００〜８００℃）焼成タイプの導電性ペーストとして一般的に用いられるガラスフリットについては特に必要がなく、上記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部未満であるのが好ましく、実質的に含有していないのが好ましい。

本発明の導電性組成物の製造方法は特に限定されず、上記金属粉末（Ａ）、上記脂肪酸金属塩（Ｂ）および上記金属酸化物（Ｃ）ならびに所望により含有していてもよい上記硬化性樹脂（Ｄ）、上記硬化剤（Ｅ）および上記溶媒（Ｆ）等を、ロール、ニーダー、押出し機、万能かくはん機等により混合する方法が挙げられる。

〔太陽電池セル〕
本発明の太陽電池セルは、上述した本発明の導電性組成物を集電電極に用いた太陽電池セルである。

＜太陽電池セルの第１の好適な態様＞
本発明の太陽電池セルの第１の好適な態様としては、受光面側の表面電極、半導体基板および裏面電極を具備し、上記表面電極および／または上記裏面電極が、上述した本発明の導電性組成物を用いて形成される太陽電池セルが挙げられる。
以下に、本発明の太陽電池セルの第１の好適な態様について図１を用いて説明する。

図１に示すように、太陽電池セル１は、受光面側の表面電極４と、ｐ層５およびｎ層２が接合したｐｎ接合シリコン基板７と、裏面電極６とを具備するものである。
また、図１に示すように、太陽電池セル１は、反射率低減のため、例えば、ウエハ表面にエッチングを施して、ピラミッド状のテクスチャを形成し、反射防止膜３を具備するのが好ましい。
以下に、本発明の太陽電池セルの第１の好適な態様が具備する上記表面電極、裏面電極およびシリコン基板並びに具備していてもよい上記反射防止膜について詳述する。

（表面電極／裏面電極）
表面電極および裏面電極は、いずれか一方または両方が本発明の導電性組成物を用いて形成されていれば、電極の配置（ピッチ）、形状、高さ、幅等は特に限定されない。なお、電極の高さは、通常、数〜数十μｍに設計されるが、本発明の導電性組成物を用いて形成した電極の断面の高さと幅の比率（高さ／幅）（以下、「アスペクト比」という。）を大きく（例えば、０．４程度以上）調整することが可能となる。
ここで、表面電極および裏面電極は、図１に示すように、通常、複数個有するものであるが、例えば、複数の表面電極の一部のみが本発明の導電性組成物で形成されたものであってもよく、複数の表面電極の一部と複数の裏面電極の一部が本発明の導電性組成物で形成されたものであってもよい。

（反射防止膜）
反射防止膜は、受光面の表面電極が形成されていない部分に形成される膜（膜厚：０．０５〜０．１μｍ程度）であって、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、酸化チタン膜、これらの積層膜等から構成されるものである。

また、上記シリコン基板はｐｎ接合を有するが、これは、第１導電型の半導体基板の表面側に第２導電型の受光面不純物拡散領域が形成されていることを意味する。なお、第１導電型がｎ型の場合には、第２導電型はｐ型であり、第１導電型がｐ型の場合には、第２導電型はｎ型である。
ここで、ｐ型を与える不純物としては、ホウ素、アルミニウム等が挙げられ、ｎ型を与える不純物としては、リン、砒素などが挙げられる。

（シリコン基板）
シリコン基板は特に限定されず、太陽電池を形成するための公知のシリコン基板（板厚：８０〜４５０μｍ程度）を用いることができ、また、単結晶または多結晶のいずれのシリコン基板であってもよい。

本発明の太陽電池セルの第１の好適な態様において、太陽電池セルは、表面電極および／または裏面電極が本発明の導電性組成物を用いて形成されているため、電極のアスペクト比を大きくし易く、受光により発生した起電力を電流として効率良く取り出すことができる。

なお、上述した本発明の導電性組成物は全裏面電極型（いわゆるバックコンタクト型）太陽電池の裏面電極の形成にも適用することができるため、全裏面電極型の太陽電池にも適用することができる。

＜太陽電池セル（第１の好適な態様）の製造方法＞
上記太陽電池セル（第１の好適な態様）の製造方法は特に限定されないが、本発明の導電性組成物をシリコン基板上に塗布して配線を形成する配線形成工程と、形成された配線を熱処理して電極（表面電極および／または裏面電極）を形成する熱処理工程とを有する方法が挙げられる。
なお、太陽電池セルが反射防止層を具備する場合、反射防止膜は、プラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成することができる。
以下に、配線形成工程、熱処理工程について詳述する。

（配線形成工程）
上記配線形成工程は、本発明の導電性組成物をシリコン基板上に塗布して配線を形成する工程である。
ここで、塗布方法としては、具体的には、例えば、インクジェット、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、凸版印刷等が挙げられる。

（熱処理工程）
上記熱処理工程は、上記配線形成工程で形成された塗膜を熱処理して導電性の配線（電極）を形成する工程である。

上記熱処理は、４５０℃以下の温度条件であれば特に限定されないが、１５０〜３５０℃の温度で、数秒〜数十分間、加熱（焼成）する処理であるのが好ましい。温度および時間がこの範囲であると、シリコン基板上に反射防止膜を形成した場合であっても、容易に電極を形成することができる。
また、本発明の太陽電池セルの第１の好適な態様においては、本発明の導電性組成物を用いているため、４５０℃以下の比較的低い温度であっても、良好な熱処理（焼成）を施すことができる。
本発明においては、上記配線形成工程で形成された配線は、紫外線または赤外線の照射でも電極を形成することができるため、上記熱処理工程は、紫外線または赤外線の照射によるものであってもよい。

＜太陽電池セルの第２の好適な態様＞
本発明の太陽電池セルの第２の好適な態様としては、ｎ型単結晶シリコン基板を中心にその上下にアモルファスシリコン層および透明導電層（例えば、ＴＣＯ）を具備し、上記透明導電層を下地層として、上記透明導電層上に上述した本発明の導電性組成物を用いて集電電極を形成した太陽電池（例えばヘテロ接合型太陽電池）セルが挙げられる。上記太陽電池セル（第２の好適な態様）は、単結晶シリコンとアモルファスシリコンとをハイブリッドした太陽電池セルであり、高い変換効率を示す。
以下に、本発明の太陽電池セルの第２の好適な態様について図２を用いて説明する。

図２に示すように、太陽電池セル１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１１を中心に、その上下にｉ型アモルファスシリコン層１２ａおよび１２ｂ、並びに、ｐ型アモルファスシリコン層１３ａおよびｎ型アモルファスシリコン層１３ｂ、並びに、透明導電層１４ａおよび１４ｂ、並びに、上述した本発明の導電性組成物を用いて形成した集電電極１５ａおよび１５ｂを具備する。

上記ｎ型単結晶シリコン基板は、ｎ型を与える不純物がドープされた単結晶シリコン層である。ｎ型を与える不純物は上述のとおりである。
上記ｉ型アモルファスシリコン層は、ドープされていないアモルファスシリコン層である。
上記ｐ型アモルファスシリコンは、ｐ型を与える不純物がドープされたアモルファスシリコン層である。ｐ型を与える不純物は上述のとおりである。
上記ｎ型アモルファスシリコンは、ｎ型を与える不純物がドープされたアモルファスシリコン層である。ｎ型を与える不純物は上述のとおりである。
上記集電電極は、上述した本発明の導電性組成物を用いて形成された集電電極である。集電電極の具体的な態様は上述した表面電極または裏面電極と同じである。

（透明導電層）
上記透明導電層の材料の具体例としては、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタンなどの単一金属酸化物；酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウムチタン、酸化スズカドミウムなどの多種金属酸化物；ガリウム添加酸化亜鉛、アルミニウム添加酸化亜鉛、硼素添加酸化亜鉛、チタン添加酸化亜鉛、チタン添加酸化インジウム、ジルコニウム添加酸化インジウム、フッ素添加酸化スズなどのドーピング型金属酸化物；などが挙げられる。

＜太陽電池セル（第２の好適な態様）の製造方法＞
上記太陽電池セル（第２の好適な態様）の製造方法は特に限定されないが、例えば、特開２０１０−３４１６２号公報に記載の方法などで製造することができる。
具体的には、ｎ型単結晶シリコン基板１１の片方の主面上に、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、ｉ型アモルファスシリコン層１２ａを形成する。さらに、形成したｉ型アモルファスシリコン層１２ａ上にＰＥＣＶＤ法などによってｐ型アモルファスシリコン層１３ａを形成する。
次に、ｎ型単結晶シリコン基板１１のもう一方の主面上に、ＰＥＣＶＤ法などによって、ｉ型アモルファスシリコン層１２ｂを形成する。さらに、形成したｉ型アモルファスシリコン層１２ｂ上にＰＥＣＶＤ法などによってｎ型アモルファスシリコン層１３ｂを形成する。
次に、スパッタ法などによって、ｐ型アモルファスシリコン層１３ａ上およびｎ型アモルファスシリコン層１３ｂ上にＩＴＯなどの透明導電層１４ａおよび１４ｂを形成する。
次に、形成した透明導電層１４ａおよび１４ｂ上に本発明の導電性組成物を塗布して配線を形成し、さらに、形成した配線を熱処理することで集電電極１５ａおよび１５ｂを形成する。
配線を形成する方法は、上述した太陽電池セル（第１の好適な態様）の配線形成工程に記載した方法と同じである。
配線を熱処理する方法は、上述した太陽電池セル（第１の好適な態様）の熱処理工程に記載した方法と同じであるが、熱処理温度（焼成温度）は１５０〜２００℃であることが好ましい。

以下、実施例を用いて、本発明の導電性組成物について詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１〜１２、比較例１〜４）
金属酸化物として下記第１表に示す酸化錫１〜５を用い、酸化錫１〜５や銀粉等を下記第２表中に示す組成比（質量部）となるように配合し、これらを混合することにより導電性組成物を調製した。

調製した各導電性組成物について、体積抵抗率および接触抵抗ならびに曲線因子（ＦＦ）を以下に示す方法で評価した。

＜体積抵抗率（比抵抗）＞
ソーダライムガラスの表面に、透明導電層としてＩＴＯ（Ｓｎをドープした酸化インジウム）およびＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）を製膜して評価用のガラス基板を作製した。
次いで、調製した各導電性組成物を、ベアウエハ上にスクリーン印刷で塗布して、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形パターンを形成した。
オーブンにて２００℃で３０分間乾燥（焼成）し、導電性被膜を作製した。
作製した各導電性被膜について、抵抗率計（ロレスターＧＰ、三菱化学社製）を用いた４端子４探針法により体積抵抗率を評価した。結果を下記第２表に示す。なお、ＩＴＯを製膜したガラス基板と、ＡＺＯを製膜したガラス基板とでは、体積抵抗率は同じ値であったため、下記第２表においては、その値を示す。

＜接触抵抗＞
まず、ソーダライムガラスの表面に、透明導電層としてＩＴＯ（Ｓｎをドープした酸化インジウム）およびＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）を製膜して評価用のガラス基板を作製した。
次いで、調製した各導電性組成物を、ガラス基板上にスクリーン印刷で塗布して、幅０．０８ｍｍ（８０μｍ）、長さ１５ｍｍの細線形状のテストパターンを１．８ｍｍ間隔で６本並べて形成した。
オーブンにて２００℃で３０分間乾燥（焼成）し、細線形状の導電性被膜（細線電極）を形成し、太陽電池セルのサンプルを作製した。
各細線電極間の抵抗値をデジタルマルチメーター（ＨＩＯＫＩ社製：３５４１ ＲＥＳＩＳＴＡＮＣＥ ＨｉＴＥＳＴＥＲ）を用いて測定し、Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｌｅｎｇｔｈ Ｍｅｔｈｏｄ（ＴＬＭ法）により接触抵抗を算出した。結果を下記第２表に示す。

＜曲線因子（ＦＦ）＞
接触抵抗の測定において作製した各太陽電池セルのサンプルについて、Ｉ−Ｖ曲線で表される太陽電池の電流電圧特性を示す曲線因子（ＦＦ）を下記式から算出した。結果を下記第２表に示す。
ＦＦ ＝ Ｐｍａｘ ÷ （ ＶＯＣ × ＩＳＣ ）
ＦＦ：曲線因子
Ｐｍａｘ：最適動作点での出力［Ｗ］
ＶＯＣ：開放電圧［Ｖ］
ＩＳＣ：短絡電流［Ａ］

第２表中の各成分は、以下のものを使用した。
・金属粉末：銀粉（ＡＧ４−８Ｆ、平均粒子径：２．２μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）

・２−メチルプロパン酸銀塩：まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、２−メチルプロパン酸（関東化学社製）３８ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより、白色の２−メチルプロパン酸銀塩を調製した。

・ネオデカン酸銀塩：まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、ネオデカン酸（東洋合成社製）７４．３ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより、白色のネオデカン酸銀塩を調製した。

・ステアリン酸銀塩：まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、ステアリン酸（関東化学社製）１２２．７ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇを、ボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることによって、白色のステアリン酸銀を得た。

・２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸銀塩：まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸（東京化成社製）６４ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより、白色の２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸銀塩を調製した。

・２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩：まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、２−ヒドロキシイソ酪酸（東京化成社製）４５ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより、白色の２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩を調製した。

・１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩：まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸（新日本理化社製）２５．２９ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることによって、白色の１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩を調製した。

・マレイン酸銀塩：まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、マレイン酸（関東化学社製）２５．０５ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることによって、白色のマレイン酸銀塩を調製した。

・グルタル酸銀塩：まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、グルタル酸（東京化成工業社製）５７ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることによって、白色のグルタル酸銀塩を調製した。

・２−メチルプロパン酸亜鉛塩：まず、酸化亜鉛（関東化学製）５０ｇ、２−メチルプロパン酸（関東化学社製）５４．１１ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより、白色の２−メチルプロパン酸亜鉛塩を調製した。

・２−メチルプロパン酸：２−メチルプロパン酸（関東化学社製）
・酸化錫１〜５：第１表中に記載した市販品
・硬化性樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＤ−０１９、エポキシ当量：２４００〜３３００ｇ／ｅｑ、新日鐵化学社製）
・硬化剤：三フッ化ホウ素エチルアミン（ステラケミファ社製）
・溶媒：α−テルピネオール（ヤスハラケミカル社製）

第２表に示す結果から、脂肪酸金属塩（Ｂ）および金属酸化物（Ｃ）を配合せずに調製した比較例１は、体積抵抗率が高く、接触抵抗も劣ることが分かった。
また、金属酸化物（Ｃ）を配合せずに調製した比較例２は、体積抵抗率は良好であるが、接触抵抗が劣ることが分かった。
また、脂肪酸金属塩（Ｂ）を配合せずに調製した比較例３は、特許文献１（特許第５１６９５０１号）に記載された導電性ペーストに相当する例であり、体積抵抗率が高く、接触抵抗が劣ることが分かった。
また、脂肪酸金属塩（Ｂ）に相当しない脂肪酸を配合して調製した比較例４は、比較例３よりも接触抵抗が僅かに改善されるが、十分ではないことが分かった。

これに対し、金属粉末（Ａ）に対して、脂肪酸金属塩（Ｂ）および金属酸化物（Ｃ）を所定量配合して調製した実施例１〜１２の導電性組成物は、いずれも低い体積抵抗率を維持しつつ、接触抵抗が低くなることが分かった。
特に、金属酸化物（Ｃ）の平均粒子径が１０〜１００ｎｍの範囲内となる酸化錫３〜５を配合して調製した実施例９〜１２の導電性組成物は、他の実施例よりも接触抵抗がより低くなることが分かった。

１、１００ 太陽電池セル
２ ｎ層
３ 反射防止膜
４ 表面電極
５ ｐ層
６ 裏面電極
７ シリコン基板
１１ ｎ型単結晶シリコン基板
１２ａ、１２ｂ ｉ型アモルファスシリコン層
１３ａ ｐ型アモルファスシリコン層
１３ｂ ｎ型アモルファスシリコン層
１４ａ、１４ｂ 透明導電層
１５ａ、１５ｂ 集電電極

Claims (9)

1. 金属粉末（Ａ）と、脂肪酸金属塩（Ｂ）と、金属酸化物（Ｃ）とを含有し、
   前記金属酸化物（Ｃ）が、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物であり、
   前記脂肪酸金属塩（Ｂ）の含有量が、前記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、
   前記金属酸化物（Ｃ）の含有量が、前記金属粉末（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部であり、４５０℃以下の温度で焼成を行う導電性組成物。
2. 前記脂肪酸金属塩（Ｂ）と前記金属酸化物（Ｃ）との質量比（脂肪酸金属塩（Ｂ）／金属酸化物（Ｃ））が、０．０５〜５である、請求項１に記載の導電性組成物。
3. 前記金属酸化物（Ｃ）が、平均粒子径が１０〜１００ｎｍの粒子状物である、請求項１または２に記載の導電性組成物。
4. 前記金属粉末（Ａ）が、銀粉末および銅粉末からなる群から選択される少なくとも１種の金属粉末である、請求項１〜３のいずれかに記載の導電性組成物。
5. 前記金属酸化物（Ｃ）が、酸化錫である、請求項１〜４のいずれかに記載の導電性組成物。
6. 更に、硬化性樹脂（Ｄ）を含有する、請求項１〜５のいずれかに記載の導電性組成物。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の導電性組成物を集電電極に用いた太陽電池セル。
8. 前記集電電極の下地層として透明導電層を具備する請求項７に記載の太陽電池セル。
9. 請求項７または８に記載の太陽電池セルを用いた太陽電池モジュール。