JPWO2015105048A1 - ダイオード型センサの出力電流検出ｉｃチップ及びダイオード型センサ装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、保護回路のリーク電流による影響を低減するようにしたダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ及びダイオード型センサ装置に関する。Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のダイオード型センサ（１，２）のアノード同士が接続されたセンサ部（１０）と、アノード同士が接続された接続部に接続された共通端子（３ａ）と、ダイオード型センサのカソードに接続されたＮ個の入力端子（１ａ，２ａ）と、入力端子及び共通端子（３ａ）に接続されたＮ＋１個の保護回路（４−１乃至４−３）と、ダイオード型センサの出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路（６）と、出力電流の極性を切り替えてＩ−Ｖ変換回路に入力するチョッパ回路（５）と、Ｉ−Ｖ変換回路の入力に接続されたダミー保護回路（７）とを備えている。

Description

本発明は、ダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ及びそのダイオード型センサ装置に関する。より詳細には、保護回路を削除することなく、保護回路のリーク電流による影響を低減するようにしたダダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ及びダイオード型センサ装置に関する。特に、赤外線センサやガスセンサなどに適用できるものである。

従来から、複数の検出素子からの信号を処理する系において、端子数の削減のためや検出素子の構造上の制約により、複数の検出素子の一端を共通にすることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、複数の検出素子の一端を共通にしたセンサからの信号を処理する回路において、オフセットをキャンセルするために検出素子の向きを切り替えて信号処理するチョッパ動作を行うことが知られている。
また、赤外線センサと、赤外線センサの出力信号を信号処理するＩＣ素子と、赤外線センサ及びＩＣ素子が収納されたパッケージとを備えた赤外線センサモジュールが提案されている。また、ＩＣなどの半導体デバイスにおいては、静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−ＳｔａｔｉｃＤｉｓｃｈａｒｇｅ）によるデバイスの破壊を防止するために、チップ上に、ＥＳＤ保護回路が設けられるのが一般的である。

センサ素子と、センサ素子の出力電圧を信号処理するＩＣ素子とを備えたセンサ装置においては、センサ素子の出力電圧の振幅が小さく、センサ素子の出力インピーダンスが高いため、出力電圧を増幅して信号処理を行うことが多い。例えば、上述した赤外線センサモジュールでは、センサ素子である赤外線センサの出力電圧の振幅が小さく、赤外線センサの出力インピーダンスが高いため、ＩＣ素子に、赤外線センサの出力電圧を増幅する増幅回路、この増幅回路のアナログの出力電圧をアナログ−ディジタル変換するＡ／Ｄ変換回路などを設けることが考えられる。

例えば、特許文献２に記載のセンサ装置は、センサ素子である赤外線センサとＩＣ素子とのそれぞれにＥＳＤ保護回路を設けたセンサ装置に関するもので、各ＥＳＤ保護回路に流れるリーク電流に起因したオフセット電圧が生じ、Ｓ／Ｎ比が低下してしまうのを避けるために、第１のＥＳＤ保護回路及び第２のＥＳＤ保護回路に起因してセンサ部に流れるリーク電流とセンサ部のインピーダンスとで決まるオフセット電圧をキャンセルするオフセットキャンセル手段を備えたものである。
また、特許文献３では、センサ素子と、センサ素子の出力電流を処理する信号処理装置と、温度補正を行なう補正演算部とを備え、センサ素子からの出力電流を電流−電圧変換器で電圧に変換する構成が示されている。
また、特許文献４には、センサ部とスイッチと全差動アンプとを備え、センサ部からの出力電圧を信号処理する構成が示されている。この特許文献４では、センサ部からの出力電圧をスイッチでチョッパ変調して信号処理を行なうようになっている。

国際公開ＷＯ２０１３／１４５７５７号パンフレット 特開２０１３−１２４８７９号公報 特開２０１１−１１９３９８号公報 特開２００６−１５３４９２号公報

しかしながら、上述した特許文献１及び２のものは、特に、ｐＡオーダーの微小電流を検出する系において、精度良くダイオード型センサの出力電流の検出することが困難である。特に、保護回路のリーク電流によるオフセットは無視できないレベルであり、また、ＥＳＤ耐圧を確保するために保護回路を削除することができないという問題がある。
また、特許文献３及び４の構成では、初段の増幅器の入力オフセットが、赤外線センサ素子の出力電圧相当の出力信号と同様に、後段に設けられた増幅回路で増幅されてしまう。そのため、精度良くダイオード型センサの出力電流の検出することが困難である。特に、赤外線センサ素子からの出力電圧を信号処理する従来構成の回路では、センサ素子の内部抵抗の抵抗値のばらつきや温度特性等によっても検出精度が低下する。
本発明は、このような問題を鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ダイオード型センサの出力電流を精度よく検出できるダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ及びダイオード型センサ装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、以下の事項を特徴とする。
（１）；Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサの一端に接続される共通端子と、前記各ダイオード型センサの他の一端に接続されるＮ個の入力端子と、前記Ｎ個の入力端子及び前記共通端子に接続されたＮ＋１個の保護回路と、各ダイオード型センサの出力電流の極性を切り替えるチョッパ回路と、前記チョッパ回路からの出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路と、前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力に補償電流を供給する電流供給手段と、を備えているダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップである。

（２）；（１）において、前記共通端子は、前記Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサのアノードに接続され、前記Ｎ個の入力端子は、前記各ダイオード型センサのカソードに接続される。
（３）；（１）において、前記共通端子は、前記Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサのカソードに接続され、前記Ｎ個の入力端子は、前記各ダイオード型センサのアノードに接続される。
（４）；（１）〜（３）のいずれかにおいて、前記電流供給手段は、前記チョッパ回路の切り替えに応じて、前記補償電流を前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力に供給する。

（５）；（１）〜（４）のいずれかにおいて、前記電流供給手段は、ダミー保護回路である。
（６）；（５）において、前記ダミー保護回路を、前記チョッパ回路の切り替えに応じて前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力に接続するか否かを切り替えるスイッチをさらに備えている。
（７）；（５）において、前記ダミー保護回路を、前記チョッパ回路の切り替えに応じて前記入力端子に接続するか否かを切り替えるスイッチをさらに備えている。

（８）；（６）又は（７）において、前記スイッチは、前記ダミー保護回路が前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力と電気的に接続される個数が、出力電流の極性の切り替え前後で同じ個数となるように、前記ダミー保護回路を前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力に接続するか否かを切り替る。
（９）；（５）〜（８）のいずれかにおいて、前記ダミー保護回路は、前記保護回路と隣接して配置される。
（１０）；（１）〜（９）のいずれかにおいて、各ダイオード型センサの出力電流を時分割で検出し、かつ、各ダイオード型センサの出力電流の検出において、出力電流の極性を切り替えて検出する。

（１１）；（１）〜（１０）のいずれかにおいて、前記チョッパ回路は、第１のダイオード型センサと接続される第１の入力端子に接続された第１のチョッパスイッチ部と、第２のダイオード型センサと接続される第２の入力端子に接続された第２のチョッパスイッチ部と、前記共通端子に接続された第３のチョッパスイッチ部とを有し、前記第１のチョッパスイッチ部と前記第３のチョッパスイッチ部で、前記第１のダイオード型センサの出力電流の極性を切り替え、前記第２のチョッパスイッチ部と前記第３のチョッパスイッチ部で、前記第２のダイオード型センサの出力電流の極性を切り替える。

（１２）；（１）〜（１１）のいずれかにおいて、前記共通端子は、各ダイオード型センサのアノード同士が接続された接続部に接続される、又は、各ダイオード型センサのカソード同士が接続された接続部に接続される。
（１３）；（１）〜（１２）のいずれかに記載のダイオード型センサ装置の出力電流検出ＩＣチップと、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサを有するセンサ部と、を備えているダイオード型センサ装置である。
（１４）；（１３）において、前記ダイオード型センサが、赤外線センサである。

（１５）；ダイオード型センサの一端に接続される第１の端子と、ダイオード型センサのもう一端に接続される第２の端子と、前記ダイオード型センサの出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路と、前記ダイオード型センサを、前記Ｉ−Ｖ変換回路に対して順方向接続する状態と、逆方向接続する状態とを切り替えるチョッパ回路と、前記第１の端子又は第２の端子に所定電圧を供給する所定電圧生成回路と、を備えているダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップである。
（１６）；（１５）において、前記Ｉ−Ｖ変換回路が、オートゼロアンプと、フィードバック抵抗とを有する。
（１７）；（１５）又は（１６）において、前記チョッパ回路は、前記第１の端子に所定電圧が供給され、前記第２の端子が前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力端に接続される状態と、前記第２の端子に所定電圧が供給され、前記第１の端子が前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力端に接続される状態とを切り替える。

（１８）；（１５）〜（１７）のいずれかにおいて、前記チョッパ回路は、前記第１の端子及び前記第２の端子と、前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力端との間に接続されている。
（１９）；（１５）〜（１８）のいずれかにおいて、前記Ｉ−Ｖ変換回路の後段に、前記出力電流の極性が正転時の前記Ｉ−Ｖ変換回路の出力電圧と前記出力電流の極性が反転時の前記Ｉ−Ｖ変換回路の出力電圧との差分を演算する演算部を備える。
（２０）；（１５）〜（１９）のいずれかに記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップと、ダイオード型センサと、前記ダイオード型赤外線センサの一端と前記第１の端子を接続する第１の配線と、前記ダイオード型赤外線センサのもう一端と前記第２の端子を接続する第１の配線と、を備えているダイオード型センサ装置である。

本発明の一態様によれば、ダイオード型センサの出力電流を精度よく検出できるダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ及びダイオード型センサ装置を実現することができる。
特に、複数のセンサを信号処理する場合において、保護回路を削除することなく、保護回路のリーク電流による影響を低減するようにしたダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ及びダイオード型センサ装置を実現することができる。
また、出力電流の極性を切り替えてＩＶ変換することで、信号の検出精度が高いダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ及びダイオード型センサ装置を実現することができる。

図１は、本発明の前提となるダイオード型センサ装置の回路構成図である。 図２は、図１に示した保護回路の一例を示す図である。 図３は、図１におけるダイオード型センサの等価回路を示す図である。 図４は、第１のダイオード型センサのチョッパ動作の第１のフェーズ（フェーズ１）の際の、チョッパスイッチの状態を示す図である。 図５は、第１のダイオード型センサのチョッパ動作のもう一方の第２のフェーズ（フェーズ２）の際の、チョッパスイッチの状態を示す図である。 図６は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態１を説明するための回路構成図で、第１のダイオード型センサのチョッパ動作の第１のフェーズ（フェーズ１）の際の、チョッパスイッチ及びスイッチの状態を示す図である。 図７は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態１を説明するための回路構成図で、第１のダイオード型センサのチョッパ動作のもう一方の第２のフェーズ（フェーズ２）の際の、チョッパスイッチ及びスイッチの状態を示す図である。 図８は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態２を説明するための回路構成図で、第１及び第２のダイオード型センサのチョッパ動作の第１のフェーズ（フェーズ１）の際の、チョッパスイッチ及びスイッチの状態を示す図である。 図９は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態２を説明するための回路構成図で、第１及び第２のダイオード型センサのチョッパ動作のもう一方の第２のフェーズ（フェーズ２）の際の、チョッパスイッチ及びスイッチの状態を示す図である。 図１０は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態３を説明するための回路構成図である。 図１１は、本発明に係るダイオード型センサ装置の変形例を説明するための回路構成図である。 図１２（ａ），（ｂ）は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態４を説明するための構成図で、出力電流検出ＩＣの一例を示す図である。 図１３は、赤外線センサに含まれるフォトダイオード型赤外線センサの等価回路である。 図１４は、図１２の赤外線センサの出力信号をもとに演算処理を行なう演算処理回路の一例を示す構成図である。 図１５（ａ），（ｂ）は、実施形態４における赤外線センサの動作例を説明する概念図である。 図１６（ａ），（ｂ）は、赤外線センサに含まれるフォトダイオード型赤外線センサの等価回路である。 図１７（ａ），（ｂ）は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態５を説明するための構成図で、赤外線センサの一例を示す図である。 図１８は、赤外線センサ信号処理ＩＣチップの一例を示す構成図である。 図１９は、オートゼロアンプの一例を示す構成図である。 図２０（ａ）〜（ｈ）は、図１９に示す赤外線センサ信号処理ＩＣチップにおけるオートゼロアンプ及びチョッパ回路のチョッパスイッチの動作を示すタイミングチャートを示す図である。

以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の細部について記載される。しかしながら、かかる特定の細部がなくても１つ以上の実施態様が実施できることは明らかであろう。他にも、図面を簡潔にするために、周知の構造及び装置が略図で示されている。
まず、本発明の前提となるダイオード型センサ装置について以下に説明する。複数の検出素子の一端を共通にして、チョッパ動作を行う場合の問題点を２つのダイオード型センサからの電流信号を電流−電圧変換する系を例に説明する。

図１は、本発明の前提となるダイオード型センサ装置の回路構成図である。第１及び第２のダイオード型センサ１，２と、このダイオード型センサ１，２出力が第１及び第２の入力される入力端子（ＰＡＤ）１ａ，２ａと、ダイオード型センサ１，２の一端が共通化された接続点に接続される共通端子（ＰＡＤ）３ａと、出力電流をＩ−Ｖ変換するＩ−Ｖ変換回路６（増幅器６ａを有している）と、チョッパ駆動するチョッパ回路５（第１乃至第３のチョップスイッチ５−１乃至５−３から構成されている）と、を備えている。ここで、ＥＳＤ耐圧を確保するため、各ＰＡＤには、第１乃至第３の保護回路（ＥＳＤ保護回路）４−１乃至４−３がそれぞれ接続されている。なお、符号１０はセンサ部、２０は出力電流検出ＩＣチップを示している。

図２は、図１に示した保護回路の一例を示す図で、正電源ＶＤＤとＰＡＤの間にダイオードＤ１をＶＤＤ側がカソード、ＰＡＤ側がアノードとなるように接続し、負電源ＶＳＳとＰＡＤの間にダイオードＤ２をＶＳＳ側がアノード、ＰＡＤ側がカソードとなるように接続したものである。正電圧のＥＳＤパルスが入力された場合は、ダイオードＤ１が順バイアスとなりＥＳＤパルスをＶＤＤに逃がし、負電圧のＥＳＤパルスが入力された場合はダイオードＤ２が順バイアスとなりＥＳＤパルスをＶＳＳに逃がすことで内部回路を保護する。

図３は、図１におけるダイオード型センサの等価回路を示す図で、図４及び図５は、図１におけるセンサ部を図３に示したダイオード型センサの等価回路で置き換えた図である。
図４は、第１のダイオード型センサのチョッパ動作の第１のフェーズ（フェーズ１）の際の、チョッパスイッチの状態を示す図で、図５は、第１のダイオード型センサのチョッパ動作のもう一方の第２のフェーズ（フェーズ２）の際の、チョッパスイッチの状態を示す図である。
以下に各フェーズにおけるＩ−Ｖ変換回路の出力電圧について説明する。

＜フェーズ１＞
第１のダイオード型センサ１の出力電流Ｉ１は、Ｉ−Ｖ変換回路６の帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第１の保護回路４−１のリーク電流Ｉｐ１は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第２の保護回路４−２のリーク電流Ｉｐ２は、第２のダイオード型センサ２の出力抵抗Ｒｏ２を通って電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。第３の保護回路４−３のリーク電流Ｉｐ３は、電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。
この結果、フェーズ１の出力電圧Ｖｏ１は、下記式（１）で示される。
Ｖｏ１＝Ｖｇｎｄ−Ｒｆ（Ｉ１＋Ｉｐ１）・・・式（１）

＜フェーズ２＞
第１のダイオード型センサ１の出力電流Ｉ１は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第１の保護回路４−１のリーク電流Ｉｐ１は、電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。第２の保護回路４−２のリーク電流Ｉｐ２は、第２のダイオード型センサ２の出力抵抗Ｒｏ２及び帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第３の保護回路４−３のリーク電流Ｉｐ３は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。
この結果、フェーズ２の出力電圧Ｖｏ２は、下記式（２）で示される。
Ｖｏ２＝Ｖｇｎｄ−Ｒｆ（−Ｉ１＋Ｉｐ２＋Ｉｐ３）・・・式（２）

以上、式（１）と式（２）から、チョッパ復調後の出力Ｖｏは、下記式（３）で示される。
Ｖｏ＝Ｖｏ１−Ｖｏ２
＝−２×Ｒｆ×Ｉ１−Ｒｆ（Ｉｐ１−Ｉｐ２−Ｉｐ３）
・・・式（３）
ここで、第１の保護回路４−１乃至第３の保護回路４−３が同じ保護回路である場合、各リーク電流Ｉｐ１乃至Ｉｐ３は、ほぼ同じ電流値Ｉｐであると想定されるため、式（３）は、下記式（４）となる。
Ｖｏ＝−２×Ｒｆ×Ｉ１＋Ｒｆ×Ｉｐ・・・式（４）
つまり、保護回路のリーク電流の影響が出力に現れることとなる。

本実施形態１のダイオード型センサ装置は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のダイオード型センサのアノード同士（又はカソード同士）が接続されたセンサ部と、アノード同士（又はカソード同士）が接続された接続部に接続される共通端子と、各ダイオード型センサの前記カソード（又はアノード）に接続されるＮ個の入力端子と、各入力端子及び共通端子に接続されたＮ＋１個の保護回路と、出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路と、出力電流の極性を切り替えてＩ−Ｖ変換回路に入力するチョッパ回路と、Ｉ−Ｖ変換回路の入力に接続されるダミー保護回路とを備えている。なお、以下に説明する各図においては、ダイオード型センサのアノード同士が接続された状態を示している。

このように、Ｉ−Ｖ変換回路の入力に補償電流を供給する電流供給手段であるダミー保護回路を備えていることにより、チョッパ駆動の正転時と反転時におけるリーク電流の差を打ち消すように構成することができ、保護回路のリーク電流による影響を低減することができる。
また、ダミー保護回路をＩ−Ｖ変換回路の入力に接続するか否かを切り替えるスイッチをさらに備え、スイッチは、保護回路がＩ−Ｖ変換回路の入力と電気的に接続される個数が、出力電流の極性の切り替え前後で同じ個数となるように切り替えを行う。これにより、チョッパ駆動の正転時と反転時におけるリーク電流の差を打ち消すように構成することができ、保護回路のリーク電流による影響を低減することができる。

本実施形態１において、ダミー保護回路は、保護回路のダミー回路である。保護回路と略同一の構成であることが好ましい。保護回路としては、電源電圧とＰＡＤの間に第１のダイオードを電源電圧側がカソード、ＰＡＤ側がアノードとなるように接続し、接地電位とＰＡＤの間に第２のダイオードを接地電位側がアノード、ＰＡＤ側がカソードとなるように接続した構成が挙げられる。ダミー保護回路は、保護回路と隣接して配置されることが好ましい。
以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。

［実施形態１］
図６及び図７は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態１を説明するための回路構成図で、図６は、第１のダイオード型センサのチョッパ動作の第１のフェーズ（フェーズ１）の際の、チョッパスイッチ及びスイッチの状態を示す図で、図７は、第１のダイオード型センサのチョッパ動作のもう一方の第２のフェーズ（フェーズ２）の際の、チョッパスイッチ及びスイッチの状態を示す図である。図中符号７はダミー保護回路（ダミーＥＳＤ保護回路）、３０は出力電流検出ＩＣチップを示している。なお、図１と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。また、図６及び図７においては、ダイオード型センサのアノード同士が接続された状態を示している。

本実施形態１のダイオード型センサ装置は、センサ部１０と出力電流検出ＩＣチップ３０とから構成されている。
センサ部１０は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のダイオード型センサ１，２・・・のアノード（又はカソード）同士が接続されたものである。また、出力電流検出ＩＣチップ３０は、共通端子３ａと、Ｎ個の入力端子１ａ，２ａ・・・と、Ｎ＋１個の保護回路４−１乃至４−３・・・と、Ｉ−Ｖ変換回路６と、チョッパ回路５と、ダミー保護回路７とを備えている。

共通端子３ａは、アノード（又はカソード）同士が接続された接続部に接続されたものである。また、Ｎ個の入力端子１ａ，２ａ・・・は、ダイオード型センサ１，２のカソード（又はアノード）に接続されたものである。
Ｎ＋１個の保護回路４−１乃至４−３・・・は、入力端子１ａ，２ａ及び共通端子３ａに接続されたものである。また、Ｉ−Ｖ変換回路６は、ダイオード型センサ１，２の出力電流を電圧に変換するものである。
また、チョッパ回路５は、出力電流の極性を切り替えてＩ−Ｖ変換回路６に入力するものである。なお、図示していないが、チョッパ回路５の各チョッパスイッチ部を切り替えるチョッパクロック信号を生成するチョッパクロック信号生成回路を有する。また、後述するスイッチＳＷｄもこのチョッパクロック信号で制御される構成であってもよい。

また、ダミー保護回路７は、Ｉ−Ｖ変換回路６の入力に接続されたものである。また、ダミー保護回路７をＩ−Ｖ変換回路６の入力に接続するか否かを切り替えるスイッチＳＷｄをさらに備えている。
また、チョッパ回路５で出力電流の極性を切り替えるときに、スイッチＳＷｄでダミー保護回路７をＩ−Ｖ変換回路６の入力に接続するか否かを切り替える。
また、スイッチＳＷｄは、ダミー保護回路７がＩ−Ｖ変換回路６の入力と電気的に接続される個数が、出力電流の極性の切り替え前後で同じ個数となるように、ダミー保護回路７をＩ−Ｖ変換回路６の入力に接続するか否かを切り替る。

また、チョッパ回路５は、第１の入力端子１ａに接続された第１のチョッパスイッチ部５−１と、第２の入力端子２ａに接続された第２のチョッパスイッチ部５−２と、共通端子３ａに接続された第３のチョッパスイッチ部５−３とを有し、第１のチョッパスイッチ部５−１と第３のチョッパスイッチ部５−３で、第１のダイオード型センサ１の出力電流の極性を切り替え、第２のチョッパスイッチ部５−２と第３のチョッパスイッチ部５−３で、第２のダイオード型センサ２の出力電流の極性を切り替える。
また、第１及び第２のダイオード型センサ１，２は、赤外線センサとして適用することができる。

つまり、本実施形態１のダイオード型センサ装置は、第１及び第２のダイオード型センサ１，２と、ダイオード型センサ出力が入力される入力端子（ＰＡＤ）１ａ，２ａと、第１及び第２のダイオード型センサ１，２の一端が共通化された接続点に接続される共通端子（ＰＡＤ）３ａと、センサ出力Ｉ−Ｖ変換するＩ−Ｖ変換回路６と、チョッパ駆動するチョッパスイッチ５とを備えている。
ここで、ＥＳＤ耐圧を確保するため、各ＰＡＤには、第１乃至第３の保護回路４−１乃至４−３がそれぞれ接続されている。また、本実施形態１では、ダミー保護回路７を備え、チョッパ回路５は、ダミー保護回路７をＩ−Ｖ変換回路６の入力に接続するか否かを切り替えるスイッチＳＷｄを有している。

また、チョッパ回路５は、第１の入力ＰＡＤ１ａに接続される第１のチョッパスイッチ部５−１と、第２の入力ＰＡＤ２ａに接続される第２のチョッパスイッチ部５−２と、共通ＰＡＤ３ａに接続される第３のチョッパスイッチ部５−３とを有している。
第１のチョッパスイッチ部５−１と第３のチョッパスイッチ部５−３で、第１のダイオード型センサ１の出力電流の極性を切り替える。例えば、フェーズ１では、第１の入力ＰＡＤ１ａがＩ−Ｖ変換回路６の増幅器６ａの反転入力端子に接続され、共通ＰＡＤ３ａが増幅器６ａの非反転入力端子と接続されて所定電圧（Ｖｇｎｄ）が与えられる。また、フェーズ２では、第１の入力ＰＡＤ１ａがＩ−Ｖ変換回路６の増幅器６ａの非反転入力端子に接続されて所定電圧（Ｖｇｎｄ）が与えられ、共通ＰＡＤ３ａが増幅器６ａの反転入力端子と接続される。このように、第１のダイオード型センサ１の出力電流の極性が切り替えられる。第１のダイオード型センサ１の出力電流の極性を切り替えときは、第２のチョッパスイッチ５−２は、このときＯＦＦ状態としている。

第２のチョッパスイッチ部５−２と第３のチョッパスイッチ部５−３で、第２のダイオード型センサ２の出力電流の極性を切り替える。例えば、フェーズ１では、第２の入力ＰＡＤ２ａがＩ−Ｖ変換回路６の増幅器６ａの反転入力端子に接続され、共通ＰＡＤ３ａが増幅器６ａの非反転入力端子と接続されて所定電圧（Ｖｇｎｄ）が与えられる。また、フェーズ２では、第２の入力ＰＡＤ２ａがＩ−Ｖ変換回路６の増幅器６ａの非反転入力端子に接続されて所定電圧（Ｖｇｎｄ）が与えられ、共通ＰＡＤ３ａが増幅器６ａの反転入力端子と接続される。このように、第２のダイオード型センサ２の出力電流の極性が切り替えられる。第２のダイオード型センサ２の出力電流の極性を切り替えるときは、第１のチョッパスイッチ５−１は、このときＯＦＦ状態としている。
以下、各フェーズにおけるＩ−Ｖ変換回路６の出力電圧について説明する。

＜フェーズ１＞
第１のダイオード型センサ１の出力電流Ｉ１は、Ｉ−Ｖ変換回路６の帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第１の保護回路４−１のリーク電流Ｉｐ１は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第２の保護回路４−２のリーク電流Ｉｐ２は、第２のダイオード型センサ２の出力抵抗Ｒｏ２を通って電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。第３の保護回路４−３のリーク電流Ｉｐ３は、電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。ダミー保護回路７のリーク電流Ｉｐ４は、スイッチＳＷｄがオンしているので、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。
この結果、フェーズ１の出力電圧Ｖｏ１は、下記式（５）で示される。
Ｖｏ１＝Ｖｇｎｄ−Ｒｆ（Ｉ１＋Ｉｐ１＋Ｉｐ４）・・・式（５）

＜フェーズ２＞
第１のダイオード型センサ１の出力電流Ｉ１は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第１の保護回路４−１のリーク電流Ｉｐ１は、電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。第２の保護回路４−２のリーク電流Ｉｐ２は、第２のダイオード型センサ２の出力抵抗Ｒｏ２及び帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第３の保護回路４−３のリーク電流Ｉｐ３は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。ダミー保護回路７のリーク電流Ｉｐ４は、スイッチＳＷｄがオフしているので、流れない。
この結果、フェーズ２の出力電圧Ｖｏ２は、下記式（６）で示される。
Ｖｏ２＝Ｖｇｎｄ−Ｒｆ（−Ｉ１＋Ｉｐ２＋Ｉｐ３）・・・式（６）

以上、式（５）と式（６）から、チョッパ復調後の出力Ｖｏは、下記式（７）で示される。
Ｖｏ＝Ｖｏ１−Ｖｏ２
＝−２×Ｒｆ×Ｉ１−Ｒｆ（Ｉｐ１−Ｉｐ２−Ｉｐ３＋Ｉｐ４）
・・・式（７）
ここで、第１乃至第３の保護回路４−１乃至４−３が同じ保護回路である場合、各リーク電流Ｉｐ１乃至Ｉｐ４は、ほぼ同じ電流値Ｉｐであると想定されるため、式（７）は、下記式（８）となる。
Ｖｏ＝−２×Ｒｆ×Ｉ１・・・式（８）
つまり、リーク電流はキャンセルされ、検出した信号のみが出力される。

ダイオード型センサの個数がＮ個の場合、Ｎ個の入力ＰＡＤと、共通ＰＡＤの少なくとも計Ｎ＋１個のＰＡＤがあり、各ＰＡＤにそれぞれ保護回路（Ｎ＋１個）がある。各センサのチョッパ駆動の正転時と反転時において、Ｉ−Ｖ変換回路へと流れ込むリーク電流を生成してしまう保護回路の数が同一となるような個数のダミー保護回路を接続することで、リーク電流の影響を低減することができる。つまり、ダイオード型センサの個数がＮ個の場合、正転時と反転時において、Ｎ−１個分の保護回路のリーク電流の差があるため、Ｎ−１個分のダミー保護回路を接続すればよい。

［実施形態２］
図８及び図９は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態２を説明するための回路構成図で、図６及び図７の第１及び第２のダイオード型センサを同時に信号処理する場合の回路構成図である。
図８は、第１及び第２のダイオード型センサのチョッパ動作の第１のフェーズ（フェーズ１）の際の、チョッパスイッチ及びスイッチの状態を示す図で、図９は、第１及び第２のダイオード型センサのチョッパ動作のもう一方の第２のフェーズ（フェーズ２）の際の、チョッパスイッチ及びスイッチの状態を示す図である。なお、図６及び図７と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。

本実施形態２では、チョッパ回路は、下記のように切り替えを行う。
フェーズ１では、第１の入力ＰＡＤ１ａと第２の入力ＰＡＤ２ａがＩ−Ｖ変換回路６の増幅器６ａの反転入力端子に接続され、共通ＰＡＤ３が増幅器６ａの非反転入力端子と接続されて所定電圧（Ｖｇｎｄ）が与えられる。また、フェーズ２では、第１の入力ＰＡＤ１ａと第２の入力ＰＡＤ２ａがＩ−Ｖ変換回路６の増幅器６ａの非反転入力端子に接続されて所定電圧（Ｖｇｎｄ）が与えられ、共通ＰＡＤ３ａが増幅器６ａの反転入力端子と接続される。
本実施形態２では、第１及び第２のダイオード型センサの１，２を同時に出力電流の極性を切り替えるように、チョッパ回路を動作させる。
以下、各フェーズにおけるＩ−Ｖ変換回路６の出力電圧について説明する。

＜フェーズ１＞
第１のダイオード型センサ１の出力電流Ｉ１は、Ｉ−Ｖ変換回路６の帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第２のダイオード型センサ２の出力電流Ｉ２は、Ｉ−Ｖ変換回路６の帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第１の保護回路４−１のリーク電流Ｉｐ１は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第２の保護回路４−２のリーク電流Ｉｐ２は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第３の保護回路４−３のリーク電流Ｉｐ３は、電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。ダミー保護回路７のリーク電流Ｉｐ４は、スイッチＳＷｄがオフしているので、流れない。
この結果、フェーズ１の出力電圧Ｖｏ１は、下記式（９）で示される。
Ｖｏ１＝Ｖｇｎｄ−Ｒｆ（Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉｐ１＋Ｉｐ２）
・・・式（９）

＜フェーズ２＞
第１のダイオード型センサ１の出力電流Ｉ１は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第２のダイオード型センサ２の出力電流Ｉ２は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。第１の保護回路４−１１のリーク電流Ｉｐ１は、電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。第２の保護回路４−２のリーク電流Ｉｐ２は、電圧源であるＶｇｎｄに吸収される。第３の保護回路４−３のリーク電流Ｉｐ３は、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。ダミー保護回路７のリーク電流Ｉｐ４は、スイッチＳＷｄがオンしているので、帰還抵抗Ｒｆを通って流れて電圧に変換される。
この結果、フェーズ２の出力電圧Ｖｏ２は、下記式（１０）で示される。
Ｖｏ２＝Ｖｇｎｄ−Ｒｆ（−Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｐ３＋Ｉｐ４）
・・・式（１０）

以上、式（９）と式（１０）から、チョッパ復調後の出力Ｖｏは、下記式（１１）で示される。
Ｖｏ＝Ｖｏ１−Ｖｏ２
＝−２×Ｒｆ（Ｉ１＋Ｉ２）−Ｒｆ（Ｉｐ１＋Ｉｐ２−Ｉｐ３−Ｉｐ４） ・・・式（１１）
ここで、第１乃至第２の保護回路４−１乃至４−３とダミー保護回路７が同じ保護回路である場合、各リーク電流Ｉｐ１乃至Ｉｐ４は、ほぼ同じ電流値Ｉｐであると想定されるため、式（１１）は、下記式（１２）となる。
Ｖｏ＝−２×Ｒｆ×（Ｉ１＋Ｉ２）・・・式（１２）
つまり、リーク電流はキャンセルされ、検出した信号のみが出力される。

［実施形態３］
ダイオード型センサの個数がＮ個の場合、Ｎ個の入力ＰＡＤと、共通ＰＡＤの少なくとも計Ｎ＋１個のＰＡＤがあり、各ＰＡＤにそれぞれ保護回路（Ｎ＋１個）がある。各センサのチョッパ駆動の正転時と反転時において、Ｉ−Ｖ変換回路へと流れ込むリーク電流を生成してしまう保護回路の数が同一となるような個数のダミー保護回路を接続することで、リーク電流の影響を低減することができる。つまり、ダイオード型センサの個数がＮ個の場合、正転時と反転時において、Ｎ−１個分の保護回路のリーク電流の差があるため、Ｎ−１個分のダミー保護回路を接続すればよい。
図１０は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態３を説明するための回路構成図で、ダイオード型センサの個数が４個の場合の一例を示す図である。なお、図中符号３は第３のダイオード型センサ、４は第４のダイオード型センサ、１１ａ乃至１４ａは第１乃至第４の入力端子、１５ａは共通端子、５−４は第４のチョッパスイッチ、５−５は第５のチョッパスイッチ、７ａ乃至７ｃは第１乃至第３のダミー保護回路を示している。

［変形例］
図１１は、本発明に係るダイオード型センサ装置の変形例を説明するための回路構成図である。本実施形態１では、Ｉ−Ｖ変換回路の入力に、ダミー保護回路を接続する形態であるが、ダミー保護回路と、そのダミー保護回路を各ＰＡＤに接続するか否かを切り替えるスイッチＳＷ１，ＳＷ２とを備える形態であってもよい。
または、各ＰＡＤにダミー保護回路と、ダミー保護回路を各ＰＡＤに接続するか否かを切り替えるスイッチとを備える形態であってもよい。
また、上述した説明においては、ダイオード型センサのアノード同士を接続した形態であったが、ダイオード型センサのカソード同士を接続した形態であってもよい。
また、ダイオード型センサのアノード同士及びカソード同士を接続する形態であったが、第１のダイオード型センサのアノードと第２のダイオード型センサのカソードとが接続され、第１のダイオード型センサのカソードに接続される入力端子、第２のダイオード型センサのアノードに接続される入力端子、をそれぞれ備える形態であってもよい。

つまり、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサの一端に接続される１個の共通端子と、各ダイオード型センサの他の一端に接続されるＮ個の入力端子と、Ｎ個の入力端子及び前記共通端子に接続されたＮ＋１個の保護回路と、各ダイオード型センサの出力電流の極性を切り替えるチョッパ回路と、チョッパ回路からの出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路と、Ｉ−Ｖ変換回路の入力に補償電流を供給する電流供給手段と、を備えているダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップである。
また、ダイオード型センサのアノード同士又はカソード同士が直接接続され、共通端子に接続される形態以外にも、各ダイオード型センサのアノード（又はカソード）に接続される配線が、共通端子に接続される形態であってもよい。
このようにして、複数のセンサを信号処理する場合において、保護回路を削除することなく、保護回路のリーク電流による影響を低減するようにしたダイオード型センサ装置を実現することができる。

［実施形態４］
本実施形態４のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣは、フォトダイオード型赤外線センサと、フォトダイオード型赤外線センサの出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路と、Ｉ−Ｖ変換回路に入力されるフォトダイオード型赤外線センサの出力電流の極性を切り替えるチョッパ回路とを備えている。
本実施形態４の出力電流検出ＩＣでは、ダイオード型センサの出力電流の極性を切り替えてＩ−Ｖ変換回路に入力して電圧に変換する構成であるため、ダイオード型センサの内部抵抗の影響を受けづらく、かつ、ダイオード型センサの後段に接続されるＩ−Ｖ変換回路などの回路のオフセット成分の影響を低減することができる。初段のＩ−Ｖ変換回路に含まれる残留オフセット成分を低減でき、精度良く出力電流を検出できる。
そして、Ｉ−Ｖ変換回路を、オートゼロアンプと、フィードバック抵抗とを有する構成とすることにより、ダイオード型センサのカソードとアノードにかかる入力オフセット成分を低減し、チョッパ駆動したときの正転時及び反転時におけるフォトダイオードセンサの出力抵抗の差分を低減できるため、残留オフセットを低減して、検出精度をさらに向上させることができる。

図１２（ａ），（ｂ）は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態４を説明するための構成図で、出力電流検出ＩＣの一例を示す図である。
本実施形態４におけるダイオード型センサ装置１０１は、図１２（ａ）に示すように、ダイオード型センサ１０２と、ダイオード型センサ１０２の出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路１０３と、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性を切り替えるチョッパ回路１０４とを備えている。
ダイオード型センサ１０２は、図１３に示す等価回路で置き換えることができる。すなわち、ダイオード型センサ１０２は、定電流源１０２ａ（電流値Ｉ_Ｌ）と定電流源１０２ａに並列に接続された内部抵抗１０２ｂ（抵抗値Ｒｓ）とにより表すことができる。

チョッパ回路１０４は、ダイオード型センサ１０２を順方向接続と逆方向接続とに切り替える切替制御（チョッパ制御）を行う。これにより、ダイオード型センサ１０２の出力電流をその極性を切り替えてＩ−Ｖ変換回路１０３に入力することができる。
チョッパ回路１０４は、具体的にはダイオード型センサ１０２のカソード及びアノードと、Ｉ−Ｖ変換回路１０３の入力端との間に接続されている。
チョッパ回路１０４は、ダイオード型センサ１０２のアノードまたはカソードをＩ−Ｖ変換回路１０３の入力端に接続するように切り替える第１スイッチ部１０４ａと、フォトダイオード型センサ１０２のカソードまたはアノードに、所定電圧を供給するように切り替える第２スイッチ部１０４ｂとを有する。すなわち、第１スイッチ部１０４ａはフォトダイオード型センサ１０２のカソードと、Ｉ−Ｖ変換回路１０３の後述の増幅器１３１の反転入力端ｉｎ−との間に接続されるスイッチｓｗ１と、ダイオード型センサ１０２のアノードと増幅器１３１の反転入力端ｉｎ−との間に接続されるスイッチｓｗ２とを備えている。第２スイッチ部１０４ｂは、ダイオード型センサ１０２のカソードと所定電圧を供給する電圧源Ｖｒ１との間に接続されるスイッチｓｗ３と、ダイオード型センサ１０２のアノードと電圧源Ｖｒ１との間に接続されるスイッチｓｗ４とを備えている。

そして、図１２（ａ）の左側回路に示すように、スイッチｓｗ１、ｓｗ４をオン、スイッチｓｗ２、ｓｗ３をオフとすることにより、図１２（ａ）の右側回路に示すように、フォトダイオード型センサ１０２のカソードを反転入力端ｉｎ−に接続し、アノードを電圧源Ｖｒ１に接続する（以下、正転という）。逆に、図１２（ｂ）の左側回路に示すように、スイッチｓｗ１、ｓｗ４をオフ、スイッチｓｗ２、ｓｗ３をオンとすることにより、図１２（ｂ）の右側回路に示すようにダイオード型センサ１０２のカソードを電圧源Ｖｒ１に接続し、アノードを反転入力端ｉｎ−に接続する（以下、反転という）。

これらスイッチｓｗ１〜ｓｗ４は、チョッパクロック信号生成回路１０５から供給されるチョッパクロック信号に応じて動作する。
Ｉ−Ｖ変換回路１０３は、ダイオード型センサ１０２の出力電流を電圧に変換する。具体的には、Ｉ−Ｖ変換回路１０３は増幅器１３１とフィードバック抵抗１３２（抵抗値Ｒｆ）とを備えている。増幅器１３１の反転入力端ｉｎ−には、チョッパ回路１０４を介してフォトダイオード型センサ１０２の一端が接続されるとともに、増幅器１３１の反転入力端ｉｎ−と出力端ｏｕｔとの間にフィードバック抵抗１３２（抵抗値Ｒｆ）が接続される。増幅器１３１の非反転入力端ｉｎ＋は、所定電圧を供給する電圧源Ｖｒ２に接続される。電圧源Ｖｒ２から供給される所定電圧は、ダイオード型センサ１０２のアノード又はカソードに供給される、電圧源Ｖｒ１により供給される所定電圧と同じである。

チョッパクロック信号生成回路１０５は、所定周波数のチョッパクロック信号をスイッチｓｗ１〜ｓｗ４に供給して、これらスイッチｓｗ１〜ｓｗ４のオンオフ制御を行う。すなわち、ダイオード型センサ１０２のカソードまたはアノードをＩ−Ｖ変換回路１０３の反転入力端ｉｎ−に接続し、ダイオード型センサ１０２のアノードまたはカソードに所定電圧が供給されるようにスイッチｓｗ１からｓｗ４ｗを制御する。これにより、ダイオード型センサ１０２の出力電流Ｉが正転（Ｉ＋）と反転（Ｉ−）とを交互に繰り返して、Ｉ−Ｖ変換回路１０３に供給される。

具体的には、正転時は、ダイオード型センサ１０２のカソードをＩ−Ｖ変換回路１０３の反転入力端ｉｎ−に接続し、アノードに所定電圧が供給されるようにチョッパ回路１０４を切り替える。一方、反転時は、ダイオード型センサ１０２のアノードをＩ−Ｖ変換回路１０３の反転入力端ｉｎ−に接続し、カソードに所定電圧が供給されるようにチョッパ回路１０４を切り替える。これにより、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性を切り替えて、Ｉ−Ｖ変換回路１０３に入力することができる。
このように、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性をＩＶ変換する手前で切り替えることにより、ダイオード型センサ１０２の出力電流がチョッパ周波数で変調されてＩ−Ｖ変換回路１０３に入力され、Ｉ−Ｖ変換回路１０３で電圧信号に変換された電圧信号がダイオード型センサ装置１０１の出力信号として出力されることになる。

ダイオード型センサ装置１０１の、図示しない後段の演算処理回路において、極性が切り替えられてなる出力信号の差分をとり、その結果に基づきダイオード型センサ１０２による入力光検出値を得ることによって、Ｉ−Ｖ変換回路１０３やチョッパ回路１０４などといった、ダイオード型センサ装置１０１が有するダイオード型センサ１０２の後段回路のＤＣオフセット成分が、入力光検出値に与える影響を低減することができる。その結果、精度よく入力光を検出することができる。
また、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性が切り替えられてＩ−Ｖ変換回路１０３に入力されるため、ダイオード型センサ１０２自身の内部抵抗の変動等の影響も低減することができる。具体的には、Ｉ−Ｖ変換回路１０３のフィードバック抵抗１３２と内部抵抗との比がオフセットに影響するため、内部抵抗が変動するとＩ−Ｖ変換回路１０３の出力オフセットが変動するが、上述のようにダイオード型センサ１０２の出力電流の極性を切り替えているため、変動したオフセット成分であってもキャンセルすることができる。

図１４は、極性が切り替えられてなる赤外線センサの出力信号をもとに、フォトダイオード型センサの入力光検出値を演算する演算処理回路の一例を示す構成図である。
演算処理回路１１０は、例えば、Ｉ−Ｖ変換回路１０３で変換された、極性が切り替えられた電圧信号からなるダイオード型センサの出力信号を増幅する可変増幅回路１１１と、可変増幅回路１１１で増幅された出力信号をサンプリングするサンプリング回路１１２と、サンプリング回路１１２でサンプリングされた出力信号をもとに、ダイオード型センサ１０２の入力光検出値を演算する演算部１１３とを備えている。
演算部１１３では、例えば、サンプリング回路１１２でサンプリングされた正転時のフォトダイオード型センサ１０２の出力電流に応じた出力信号と反転時のダイオード型センサ１０２の出力電流に応じた出力信号とを交互に入力する。そして、正転時の出力信号と反転時における出力信号との差分を演算し、ダイオード型センサ１０２の入力光検出値とする。

なお、演算部１１３での処理は上記に限るものではなく、一定期間内の正転時の複数の出力信号と反転時の複数の出力信号とをもとに、前述の一定期間におけるダイオード型センサ１０２の入力光検出値を演算するようにしてもよい。また、一定期間における正転時の複数の出力信号と反転時の複数の出力信号とをもとに、この一定期間におけるダイオード型センサ１０２の入力光検出値を演算する場合には、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性を交互に切り替える場合に限るものではない。例えば、「正転、正転、反転、反転」のように、２回ごとに極性を切り替えるようにしてもよい。一定期間における、正転時の出力電流の数と、反転時の出力電流の数とが同数となれば、どのようなパターンで極性を切り替えてもよい。
また、上述の形態に限らず、Ｉ−Ｖ変換回路３の出力電圧が、正転時はそのまま入力され、反転時は利得が「−１倍」で入力される動作を行うサンプル／ホールド回路を備えることで、正転時の出力信号と反転時の出力信号との差分をとる形態であってもよい。

［実施形態５］
次に、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態５について説明する。まず、上述した実施形態４におけるダイオード型センサ装置の動作例について説明する。
図１５（ａ），（ｂ）は、図１２に示した実施形態４におけるダイオード型センサ装置の概念図である。
ここで、実施形態４おけるダイオード型センサ装置１０１において、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、Ｉ−Ｖ変換回路１０３に入力オフセット電圧Ｖｂｉａｓがある場合を想定する。なお、図１５（ａ），（ｂ）において、図１５（ａ）は正転時、図１５（ｂ）は反転時を表す。また、図１５（ａ），（ｂ）において左側回路はスイッチ状態を表し、右側回路は回路構成を簡略化したものである。

上述した実施形態４におけるダイオード型センサ装置１０１において、Ｉ−Ｖ変換回路１０３に入力オフセット電圧Ｖｂｉａｓがある場合、入力オフセット電圧Ｖｂｉａｓが、ダイオード型センサ１０２のカソードとアノードとの間にかかることとなる。そのとき、フォトダイオード型センサ１０２は、図１６（ａ），（ｂ）に示す等価回路で置き換えることができる。なお、図１６（ａ）は正転時、図１６（ｂ）は反転時の等価回路である。

つまり、ダイオード型センサ１０２は、定電流源１０２ａと定電流源１０２ａに並列に接続された内部抵抗１０２ｂと、定電流源１０２ａと内部抵抗１０２ｂとに並列に接続されたダイオード１０２ｃとで表すことができる。
このような等価回路であらわされるダイオード型センサ１０２に光入力があった場合、ダイオード型センサ１０２の出力電流Ｉは、次式（１３）によって導出される。
Ｉ＝Ｉ_Ｌ−Ｉ_Ｄ−Ｉ_Ｒ ・・・式（１３）
式（１３）中、Ｉ_Ｌは光入力による発生電流を示し、Ｉ_Ｄは入力オフセット電圧Ｖｂｉａｓが逆極性でかかることによるダイオード１０２ｃの出力電流を示し、Ｉ_Ｒはフォトダイオード型センサ１０２の内部抵抗１０２ｂの抵抗値Ｒｓとダイオード型センサ１０２にかかる入力オフセット電圧Ｖｂｉａｓとにより生じる電流を示す。

式（１３）中のＩ_Ｄは、以下の式（１４）によってあらわされる。
Ｉ_Ｄ＝Ｉ_０×［ｅｘｐ（ｑＶ／ｋＴ）−１］ ・・・式（１４）
式（１４）中、Ｉ_０は、ダイオード型センサ１０２の逆方向飽和電流であり、ｑは、ダイオード型センサ１０２の電荷量であり、Ｖは、フォトダイオード型センサ１０２のアノードとカソードとの間にかかる電圧（Ｖｂｉａｓ）であり、ｋはボルツマン係数であり、Ｔは絶対温度である。

式（１３）中のＩ_Ｒは、次式（１５）によってあらわされる。
Ｉ_Ｒ＝Ｖ／Ｒ_Ｓ ・・・式（１５）
式（１５）中、Ｖは、ダイオード型センサ１０２のアノードとカソードとの間にかかる電圧（Ｖｂｉａｓ）であり、Ｒｓは、内部の並列抵抗（内部抵抗）の抵抗値である。
ここで、図１５（ａ），（ｂ）に示すダイオード型センサ装置１０１においては、入力段にオペアンプで構成したＩ−Ｖ変換回路１０３の入力オフセット（数ｍＶ程度）があり、このオフセット電圧によりＶｂｉａｓが決まる。
チョッパ回路１０４で、ダイオード型センサ１０２を順方向接続（正転）と逆方向接続（反転）とで切り替え（チョッパ制御）を行うと、Ｉ_Ｄは、Ｖｂｉａｓの極性が逆となるため、下記の通り、上記（１４）式から、順方向時と逆方向時で、その大きさ（電流量）が一致しない。

順方向時の式（１４）：Ｉ_Ｄ＋＝Ｉ_０×［ｅｘｐ（ｑＶｂｉａｓ／ｋＴ）−１］
逆方向時の式（１４）：Ｉ_Ｄ―＝Ｉ_０×［ｅｘｐ（ｑ（−Ｖｂｉａｓ）／ｋＴ）−１］
なお、式（１３）中のＩ_Ｌは入力光の光量に依存するため、チョッパ制御で接続を切り替えても電流量は変化しない。Ｉ_Ｓは式（１５）に示すとおりで接続を切り替えても電流量は変化しない。
また、式（１３）のＩ_Ｒについては、チョッパ制御で切り替えを行っても、ＶｂｉａｓとＲｓの値は変化しないため、電流量は変化しない。

ここで簡単のため、光等外部入力がない無入力状態（Ｉ_Ｌ＝０）として考える。
Ｉ−Ｖ変換後の出力Ｖｏｕｔは、Ｉ−Ｖ変換回路１０３のフィードバック抵抗１３２の抵抗値Ｒｆにより、次式（１６）であらわされる。
Ｖｏｕｔ＝（−Ｉ_Ｄ−Ｉ_Ｒ）×Ｒｆ ・・・式（１６）
したがって、順方向接続時のＶｏｕｔ_＋及び逆方向接続時のＶｏｕｔ₋は、次式（１７）及び（１８）の通りとなる。
Ｖｏｕｔ_＋＝（−Ｉ_Ｄ＋−Ｉ_Ｒ）×Ｒｆ ・・・式（１７）
Ｖｏｕｔ₋＝（−Ｉ_Ｄ―−Ｉ_Ｒ）×Ｒｆ ・・・式（１８）

式（１７）及び（１８）から、順方向接続時のＶｏｕｔ_＋と逆方向接続時のＶｏｕｔ₋との差分（復調）は、「０」にはならず、オフセットとして残ることがわかる（次式（１９））。これが、残留オフセットとなる。
Ｖｏｕｔ_＋−Ｖｏｕｔ₋＝（−Ｉ_Ｄ＋＋Ｉ_Ｄ―）×Ｒｆ≠０
・・・式（１９）
つまり、出力には式（１４）が、Ｒｆで決まる変換ゲインで増幅されたものがそれぞれ出力されることとなるが、式（１４）の値がチョッパ前後で値が変わるため、その差がオフセット成分として見える。
また、式（１４）は絶対温度Ｔを含むため温度に依存し、その結果、精度に影響が出る。そのため、ダイオード型センサ１０２の出力電流が数ｎＡ〜数ｐＡといった微小電流出力の場合においては、特にオフセットキャンセルの効果が期待できない場合がある。
実施形態５おける赤外線センサは、上述のオフセットキャンセルを図るようにしたものである。

図１７（ａ），（ｂ）は、本発明に係るダイオード型センサ装置の実施形態５を説明するための構成図で、赤外線センサの一例を示す図である。
本実施形態５における赤外線センサ１０１は、上述した実施形態４における赤外線センサと同様に、ダイオード型センサ１０２と、ダイオード型センサ１０２の出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路１０３と、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性を切り替えるチョッパ回路１０４とを備えているが、この実施形態５おける赤外線センサ１０１は、Ｉ−Ｖ変換回路１０３がオートゼロアンプ１３３とフィードバック抵抗１３２（抵抗値Ｒｆ）とを備える。また、チョッパ回路１０４は、チョッパクロック信号生成回路１０５によって制御される。

なお、図１７（ａ）は正転時、図１７（ｂ）は反転時の回路状態を示している。
このオートゼロアンプ１３３は、入力オフセットの小さい（例えば、数１０μＶ以下）オートゼロアンプで構成される。オートゼロアンプ１３３の反転入力端ｉｎ−には、チョッパ回路１０４を介してダイオード型センサ１０２の一端が接続されるとともに、オートゼロアンプ１３３の反転入力端ｉｎ−と出力端ｏｕｔとの間にフィードバック抵抗１３２（抵抗値Ｒｆ）が接続される。オートゼロアンプ１３３の非反転入力端ｉｎ＋は、所定電圧を供給する電圧源Ｖｒ２に接続される。電圧源Ｖｒ２から供給される所定電圧は、フォトダイオード型センサ１０２のアノード又はカソードに供給される、電圧源Ｖｒ１により供給される所定電圧と同じである。なお、オートゼロアンプ１３３としては、例えば、後述の図１９で表されるオートゼロアンプを適用することができる。

チョッパクロック信号生成回路１０５は、所定周波数のチョッパクロック信号をスイッチｓｗ１〜ｓｗ４に供給してこれらスイッチｓｗ１〜ｓｗ４をオンオフ制御し、フォトダイオード型センサ１０２のカソードまたはアノードをＩ−Ｖ変換回路１０３の反転入力端ｉｎ−に接続し、ダイオード型センサ１０２のアノードまたはカソードに所定電圧Ｖｒ１を供給するようにスイッチｓｗ１からｓｗ４ｗを制御する。これにより、フォトダイオード型センサ１０２の出力電流Ｉが正転（Ｉ＋）と反転（Ｉ−）とを交互に繰り返して、Ｉ−Ｖ変換回路１０３に供給される。

本実施形態５では、Ｉ−Ｖ変換回路１０３に入力オフセットの小さいオートゼロアンプと、フィードバック抵抗とを有する構成としている。
そのため、入力オフセットが小さい。よって、前述の式（１４）においてｑＶ／ｋＴ≒０と近似することができるため、出力電流Ｉは、無入力時、次式（２０）と近似できる。
Ｉ≒−Ｉ_Ｒ＝−Ｖ／Ｒｓ ・・・式（２０）
したがって、本実施形態５では、順方向接続時のＶｏｕｔ_＋及び逆方向接続時のＶｏｕｔ₋は、次式（２１）及び次式（２２）で示す通りとなり、その差分をとって（復調して）オフセット成分をキャンセルすることができる。
Ｖｏｕｔ_＋＝−Ｖ／Ｒｓ ・・・式（２１）
Ｖｏｕｔ₋＝−Ｖ／Ｒｓ ・・・式（２２）

したがって、順方向接続時のＶｏｕｔ_＋と逆方向接続時のＶｏｕｔ₋との差分（復調）は、「０」と近似できる（次式（２３））。
Ｖｏｕｔ_＋−Ｖｏｕｔ₋≒−Ｖ／Ｒｓ＋Ｖ／Ｒｓ＝０
・・・式（２３）
以上、簡単のために、無入力状態におけるＩ−Ｖ変換回路１０３の出力を考えたが、光入力時も同様に、オフセット成分をキャンセルすることができる。
例えば、光入力がある場合は、上記式（２０）は次式（２４）となる。
Ｉ≒Ｉ_Ｌ−Ｖ／Ｒｓ ・・・式（２４）
よって、順方向接続時のＶｏｕｔ_＋及び逆方向接続時のＶｏｕｔ₋は、次式（２５）及び（２６）の通りとなる。
Ｖｏｕｔ_＋＝Ｉ_Ｌ−Ｖ／Ｒｓ ・・・式（２５）
Ｖｏｕｔ₋＝−Ｉ_Ｌ−Ｖ／Ｒｓ ・・・式（２６）

よって、その差分をとって（復調して）オフセット成分をキャンセルすることによって、ダイオード型センサ１０２の出力電流相当だけを取り出すことができる（式（２７））。
Ｖｏｕｔ_＋−Ｖｏｕｔ₋＝２Ｉ_Ｌ ・・・式（２７）
また、ダイオード型センサ１０２の内部抵抗（並列抵抗）１０２ｂの抵抗値Ｒｓは、経年変化により変動する可能性がある。この内部抵抗１０２ｂの抵抗値Ｒｓの変動は、具体的には初段アンプの出力電圧の変動として現れ、それは内部抵抗１０２ｂの抵抗値Ｒｓとフィードバック抵抗との比で決まるゲインとアンプの入力オフセット電圧との積で表される。本実施形態５では、ダイオード型センサ１０２の内部抵抗１０２ｂの抵抗値Ｒｓの経年変化による変動の影響もキャンセルすることができる。

以上の通り、Ｉ−Ｖ変換回路１０３に入力オフセット電圧が小さいオートゼロアンプを用いることによって、入力光検出値に含まれる、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性切り替え（チョッパ制御）前後におけるオフセット電流成分を低減することができる。初段のＩ−Ｖ変換回路に含まれる残留オフセット成分を低減でき、精度良く出力電流を検出できる。
それによって、図１４に示すように、赤外線センサ１０１の後段で復調した場合（極性前後の差をとった場合）において、残留オフセットを低減することができ、精度良く入力光を検出することが可能となる。

［変形例］
上述した実施形態４あるいは実施形態５では、ダイオード型センサ１０２と、ダイオード型センサ１０２の出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路１０３と、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性を切り替えて前述のＩ−Ｖ変換回路１０３に入力するチョッパ回路１０４とを備えた赤外線センサ１０１について説明したが、赤外線センサ１０１にさらに、チョッパクロック信号生成回路１０５を設けてもよい。
また、上述した実施形態４あるいは実施形態５における赤外線センサ１０１において、フォトダイオード型センサ１０２の出力電流を処理する、Ｉ−Ｖ変換回路１０３及びチョッパ回路１０４と、チョッパ回路１０４にチョッパクロック信号を供給するチョッパクロック信号生成回路１０５と、所定電圧を供給する所定電圧生成回路１０６とを備えている赤外線センサ信号処理ＩＣチップを構成してもよい。

図１８は、赤外線センサ信号処理ＩＣチップの一例を示す図で、オートゼロアンプ１３３を備えた実施形態５における赤外線センサの信号処理部を用いて、赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００を構成した場合について説明する。
図１８に示すように、赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００は、ダイオード型センサ１０２のアノードに接続される第１入力端子ｔ１と、ダイオード型センサ１０２のカソードに接続される第２入力端子ｔ２と、ダイオード型センサ１０２の出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路１０３と、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性を切り替えて前述のＩ−Ｖ変換回路１０３に入力するチョッパ回路１０４と、チョッパ回路１０４の各スイッチｓｗ１〜ｓｗ４にチョッパクロック信号を供給するチョッパクロック信号生成回路１０５と、第１入力端子ｔ１又は第２入力端子ｔ２に所定電圧を供給する所定電圧生成回路１０６とを備えている。

なお、図１８では、チョッパクロック信号生成回路１０５を備える赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００を構成した場合について説明したが、必ずしもチョッパクロック信号生成回路１０５を赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００に備えている必要はない。赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００外部に設けたチョッパクロック信号生成回路１０５から、チョッパ回路１０４に対してチョッパクロック信号を供給するように構成してもよい。
Ｉ−Ｖ変換回路１０３は、オートゼロアンプ１３３と、フィードバック抵抗１３２（抵抗値Ｒｓ）とを有し、オートゼロアンプ１３３の非反転入力端子に、所定電圧Ｖｒが供給される。

図１９は、赤外線センサ信号処理ＩＣチップに含まれるオートゼロアンプの具体例を示す図である。
オートゼロアンプ１３３は、図１９に示すように、メインアンプ１４１とゼロ調整アンプ１４２とを備え、メインアンプ１４１の出力端と反転入力端との間にフィードバック抵抗１３２が接続されている。また、メインアンプ１４１の反転入力端は、チョッパ回路１０４、第１入力端子ｔ１を介してダイオード型センサ１０２のカソードに接続される。メインアンプ１４１のゼロ調整入力端ｃは、コンデンサ１４３を介して接地されている。

ゼロ調整アンプ１４２の出力端は、スイッチｓｗ８を介してメインアンプ１４１のゼロ調整入力端ｃに接続されるとともに、スイッチｓｗ７を介してゼロ調整アンプ１４２のゼロ調整入力端ｃに接続され、さらにスイッチｓｗ７を介してコンデンサ１４４を介して接地されている。
ゼロ調整アンプ１４２の反転入力端は、チョッパ回路１０４、第１入力端子ｔ１を介してフォトダイオード型センサ１０２のカソードに接続されるとともに、スイッチｓｗ６、ｓｗ５、チョッパ回路１０４を介して第１入力端子ｔ１または第２入力端子ｔ２に接続される。ゼロ調整アンプ１４２の非反転入力端は、スイッチｓｗ５、チョッパ回路４を介して第１入力端子ｔ１または第２入力端子ｔ２に接続されている。

所定電圧生成回路１０６で生成された所定電圧Ｖｒは、スイッチｓｗ３またはｓｗ４を介して、第１入力端子ｔ１または第２入力端子ｔ２に供給されるとともに、スイッチｓｗ５、ｓｗ６、スイッチｓｗ１、ｓｗ３を介して第１入力端子ｔ１または第２入力端子ｔ２に供給される。さらに、スイッチｓｗ５を介してゼロ調整アンプ１４２の非反転入力端子に供給される。
そして、チョッパクロック信号生成回路１０５からのチョッパクロック信号に基づいてスイッチｓｗ１〜ｓｗ４が動作することにより、チョッパ回路１０４により、ダイオード型センサ１０２をＩ−Ｖ変換回路１０３に対して順方向接続する状態または、逆方向接続する状態とが切り替えられる。すなわち、チョッパ回路１０４によって、第１入力端子ｔ１をオートゼロアンプ１３３の入力端に接続し、第２入力端子ｔ２に所定電圧Ｖｒを供給する状態と、第２入力端子ｔ２をオートゼロアンプ１３３の入力端に接続し、第１入力端子ｔ１に所定電圧Ｖｒを供給する状態と、を切り替える。これによって、ダイオード型センサ１０２の出力電流の極性が切り替えられて、Ｉ−Ｖ変換回路１０３に入力されることになる。

そして、オートゼロアンプ１３３は、クロック・サイクルごとに２つのフェーズで動作し、フェーズ１では、オートゼロアンプ１３３への入力信号はメインアンプ１４１にのみ供給され、メインアンプ１４１のゼロ調整入力端ｃにコンデンサ１４３に蓄積された電圧が加えられると同時に、ゼロ調整アンプ１４２が自身のゼロ調整電圧をコンデンサ１４４に印加する。フェーズ２では、コンデンサ１４４からのゼロ調整電圧を利用して、ゼロ調整アンプ１４２がメインアンプ１４１の反転入力端子に加えられた入力電圧を増幅し、メインアンプ１４１のゼロ調整入力端ｃとコンデンサ１４４とに増幅した電圧を供給する。
これにより、ゼロ調整アンプ１４２が、メインアンプ１４１の入力差電圧をゼロに近い数値にするために必要な電圧がメインアンプ１４１のゼロ調整入力端ｃで得られるように動作し、メインアンプ１４１のオフセットがゼロとなるように調整される。

図２０（ａ）〜（ｈ）は、図１９に示す赤外線センサ信号処理ＩＣチップにおけるオートゼロアンプ及びチョッパ回路のチョッパスイッチの動作を示すタイミングチャートを示す図である。
なお、チョッパ回路１０４のチョッパ周波数とオートゼロアンプ１３３の動作周波数との大小関係はチョッパ周波数がオートゼロアンプ１３３の動作周波数より大きくてもよいし、小さくてもよい。
図２０（ａ）〜（ｈ）において、図２０（ａ）〜（ｄ）は、チョッパ回路４のチョッパ周波数＞オートゼロアンプ動作周波数であるときのチョッパ回路１０４及びオートゼロアンプ１３３の各スイッチｓｗ１〜ｓｗ８の動作を表している。
図２０（ａ）〜（ｈ）において図２０（ａ）はスイッチｓｗ１、ｓｗ４の動作、図２０（ｂ）はスイッチｓｗ２、ｓｗ３の動作、図２０（ｃ）はスイッチｓｗ５、ｓｗ８の動作、図２０（ｄ）はスイッチｓｗ６、ｓｗ７の動作を表している。

まず、オートゼロアンプ１３３においてスイッチｓｗ５及びｓｗ８をオフとし、スイッチｓｗ６及びｓｗ７をオンとする。この区間は、上述のフェーズ１に対応し、オフセット電圧が調整される区間である。なお、フェーズ１の区間では、チョッパ回路１０４のスイッチｓｗ１、ｓｗ４はオフ、スイッチｓｗ２、ｓｗ３はオンにする。
その後、オートゼロアンプ１３３のスイッチｓｗ５及びｓｗ８をオンとし、スイッチｓｗ６及びｓｗ７をオフとする。この区間は、上述のフェーズ２に対応し、オフセット電圧の調整結果が保持される区間であり、この区間に、チョッパ回路１０４のスイッチｓｗ１〜ｓｗ４を切り替えてチョッパ駆動を行う。図２０（ａ）及び（ｂ）では、フェーズ２に対応する区間において、正転と反転とを交互に２回ずつ繰り返す形態を図示している。
正転の回数と反転の回数とが同一であれば、チョッパ駆動を複数回行う形態であってもよく、前述のように、「正転を２回、反転を２回」を１セットとして複数セットを繰り返してチョッパ駆動を行なうようにしてもよい。また、チョッパ駆動を行なう際に、スイッチｓｗ１、ｓｗ４と、スイッチｓｗ２、ｓｗ３とのどちらを先にオンとしてもよい。

そして、正転及び反転を繰り返す区間のＩ−Ｖ変換回路１０３の出力信号について、赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００の後段に接続される例えば、図１４に示す演算処理回路１１０に含まれる演算部１１３で正転時の出力信号と反転時の出力信号との差分を求めることで、ダイオード型センサ１０２の出力抵抗の差分を低減でき、かつ、Ｉ−Ｖ変換回路１０３など、ダイオード型センサ１０２の後段回路のＤＣオフセット成分も除去することができる。
したがって、チョッパ回路１０４をチョッパ駆動するチョッパ周波数と、オートゼロアンプ１３３の動作周波数と、赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００の後段に接続される例えば、図１４に示す演算処理回路１１０に含まれるサンプリング回路１１２のサンプリング周波数等は、同期していることが好ましい。

その後、再度、フェーズ１の区間となると、オートゼロアンプ１３３はスイッチｓｗ５、ｓｗ８がオフ、スイッチｓｗ６、ｓｗ７がオンとなり、オフセット電圧が調整される。一方、チョッパ回路１０４のスイッチｓｗ１、ｓｗ４はオフ、スイッチｓｗ２、ｓｗ３はオンとなる。なお、図２０（ａ）〜（ｈ）では、フェーズ２において、フェーズ１に切り替わる直前に、スイッチｓｗ１、ｓｗ４はオフ、スイッチｓｗ２、ｓｗ３はオンとなるため、チョッパ回路１０４では、フェーズ２からフェーズ１への切り替わり時、スイッチｓｗ１、ｓｗ４はオフ、スイッチｓｗ２、ｓｗ３はオンを維持する。

図２０（ａ）〜（ｈ）において、図２０（ｅ）〜（ｈ）は、チョッパ回路１０４のチョッパ周波数＜オートゼロアンプ動作周波数であるときのチョッパ回路１０４及びオートゼロアンプ１３３の各スイッチｓｗ１〜ｓｗ８の動作を表す。図２０（ｅ）はスイッチｓｗ１、ｓｗ４の動作、図２０（ｆ）はスイッチｓｗ２、ｓｗ３の動作、図２０（ｇ）はスイッチｓｗ５、ｓｗ８の動作、図２０（ｈ）はスイッチｓｗ６、ｓｗ７の動作を表す。
まず、オートゼロアンプ１３３においてスイッチｓｗ５及びｓｗ８をオフとし、スイッチｓｗ６及びｓｗ７がオンとする。この区間は、上述のフェーズ１に対応し、オフセット電圧が調整される区間である。

次に、スイッチｓｗ５及びｓｗ８をオンとし、スイッチｓｗ６及びｓｗ７をオフとする。この区間は、上述のフェーズ２に対応し、オフセット電圧の調整結果が保持される区間である。
次に、再度、スイッチｓｗ５及びｓｗ８がオフとなり、スイッチｓｗ６及びｓｗ７がオンとなり、フェーズ１の区間となり、オフセット電圧が調整される区間である。
その後、スイッチｓｗ５及びｓｗ８がオンとなり、スイッチｓｗ６及びｓｗ７がオフとなり、フェーズ２の区間となり、オフセット電圧の調整結果が保持される。

一方、チョッパ回路１０４では、まずスイッチｓｗ１及びｓｗ４はオフ、スイッチｓｗ２及びｓｗ３がオンとなり、この状態から、フェーズ２からフェーズ１への切り替わりタイミングで、オンオフを交互に繰り返す。
そして、スイッチｓｗ１、ｓｗ４がオンし、スイッチｓｗ２、ｓｗ３がオフとなるときに、ダイオード型センサ１０２の出力電流がそのままＩ−Ｖ変換回路１０３へ出力される。つまり、正転時の出力電流がＩ−Ｖ変換回路１０３へ出力される。逆に、スイッチｓｗ１、ｓｗ４がオフし、スイッチｓｗ２、ｓｗ３がオンとなるとき（図１９）に、フォトダイオード型センサ１０２の出力電流が反転されてＩ−Ｖ変換回路１０３へ出力される。つまり反転時の出力電流がＩ−Ｖ変換回路３へ出力される。

そして、フェーズ２の区間における、正転時のＩ−Ｖ変換回路１０３の出力信号と反転時のＩ−Ｖ変換回路１０３の出力信号との差分を、赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００の後段に接続される、例えば、図１４に示す演算処理回路１１０に含まれる演算部１１３で求めることで、ダイオード型センサ１０２の出力抵抗の差分を低減でき、かつ、Ｉ−Ｖ変換回路１０３など、ダイオード型センサ１０２の後段回路のＤＣオフセット成分も除去することができる。
なお、このとき、例えば、赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００の後段に接続される演算処理回路１１０に含まれるサンプリング回路１１２において、フェーズ１のオフセット電圧が調整される区間を除いてサンプリングする形態とする。それにより、後段の演算処理回路１１０に含まれる演算部１１３で差分を求めることで、ダイオード型センサ１０２の出力抵抗の差分を低減でき、かつ、Ｉ−Ｖ変換回路１０３など、ダイオード型センサ１０２の後段回路のＤＣオフセット成分も除去することができる。

なお、上述した実施形態では、１個のダイオード型センサ１０２に対して信号処理を行なう赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００を構成した場合について説明したが、複数個のダイオード型センサ１０２に対して信号処理を行なう赤外線センサ信号処理ＩＣチップ２００を構成することも可能である。例えば、複数個のフォトダイオード型センサ１０２に対応して、前述のチョッパ回路１０４及びＩ−Ｖ変換回路１０３をそれぞれ備える構成であってもよく、複数個のダイオード型センサ１０２に対して、ダイオード型センサ１０２それぞれに対応する前述のチョッパ回路１０４、及び１つのＩ−Ｖ変換回路１０３で時分割処理を行う構成であってもよい。
また、本実施形態４において、本実施形態１のダミー保護回路を備える構成であってもよい。

以上のように、特定の実施形態を参照して本発明を説明したが、これらの説明によって発明を限定することを意図するものではない。本発明の説明を参照することにより、当業者には、開示された実施形態の種々の変形例とともに本発明の他の実施形態も明らかである。従って、特許請求の範囲は、本発明の技術的範囲及び要旨に含まれるこれらの変形例又は実施形態も網羅すると解すべきである。

１，２，３，４ ダイオード型センサ
１ａ，２ａ，１１ａ乃至１４ａ 入力端子（ＰＡＤ）
３ａ，１５ａ 共通端子（ＰＡＤ）
４−１乃至４−５ 保護回路（ＥＳＤ保護回路）
５ チョッパ回路５
５−１乃至５−５ チョップスイッチ
６ Ｉ−Ｖ変換回路
６ａ 増幅器
７ ダミー保護回路（ダミーＥＳＤ保護回路）
１０ センサ部
２０，３０ 出力電流検出ＩＣチップ
１０１ ダイオード型センサ装置（赤外線センサ）
１０２ フォトダイオード型赤外線センサ
１０２ａ 定電流源
１０２ｂ 内部抵抗
１０３ Ｉ−Ｖ変換回路
１０４ チョッパ回路
１０５ チョッパクロック信号生成回路
１０６ 所定電圧生成回路
１１０ 演算処理回路
１１１ 可変増幅回路
１１２ サンプリング回路
１１３ 演算部
１３１ 増幅器
１３２ フィーフォバック抵抗
１３３ オートゼロアンプ
２００ 赤外線センサ信号処理ＩＣチップ

Claims (20)

1. Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサの一端に接続される共通端子と、
   前記各ダイオード型センサの他の一端に接続されるＮ個の入力端子と、
   前記Ｎ個の入力端子及び前記共通端子に接続されたＮ＋１個の保護回路と、
   各ダイオード型センサの出力電流の極性を切り替えるチョッパ回路と、
   前記チョッパ回路からの出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路と、
   前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力に補償電流を供給する電流供給手段と、
   を備えているダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
2. 前記共通端子は、前記Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサのアノードに接続され、
   前記Ｎ個の入力端子は、前記各ダイオード型センサのカソードに接続される請求項１に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
3. 前記共通端子は、前記Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサのカソードに接続され、
   前記Ｎ個の入力端子は、前記各ダイオード型センサのアノードに接続される請求項１に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
4. 前記電流供給手段は、前記チョッパ回路の切り替えに応じて、前記補償電流を前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力に供給する請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
5. 前記電流供給手段は、ダミー保護回路である請求項１〜４のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
6. 前記ダミー保護回路を、前記チョッパ回路の切り替えに応じて前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力に接続するか否かを切り替えるスイッチをさらに備えている請求項５に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
7. 前記ダミー保護回路を、前記チョッパ回路の切り替えに応じて前記入力端子に接続するか否かを切り替えるスイッチをさらに備えている請求項５に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
8. 前記スイッチは、前記ダミー保護回路が前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力と電気的に接続される個数が、出力電流の極性の切り替え前後で同じ個数となるように、前記ダミー保護回路を前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力に接続するか否かを切り替る請求項６又は７に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
9. 前記ダミー保護回路は、前記保護回路と隣接して配置される請求項５〜８のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
10. 各ダイオード型センサの出力電流を時分割で検出し、かつ、各ダイオード型センサの出力電流の検出において、出力電流の極性を切り替えて検出する請求項１〜９のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
11. 前記チョッパ回路は、第１のダイオード型センサと接続される第１の入力端子に接続された第１のチョッパスイッチ部と、第２のダイオード型センサと接続される第２の入力端子に接続された第２のチョッパスイッチ部と、前記共通端子に接続された第３のチョッパスイッチ部とを有し、
    前記第１のチョッパスイッチ部と前記第３のチョッパスイッチ部で、前記第１のダイオード型センサの出力電流の極性を切り替え、
    前記第２のチョッパスイッチ部と前記第３のチョッパスイッチ部で、前記第２のダイオード型センサの出力電流の極性を切り替える請求項１〜１０のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
12. 前記共通端子は、各ダイオード型センサのアノード同士が接続された接続部に接続される、又は、各ダイオード型センサのカソード同士が接続された接続部に接続される請求項１〜１１のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップと、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）ダイオード型センサを有するセンサ部と、を備えているダイオード型センサ装置。
14. 前記ダイオード型センサが、赤外線センサである請求項１３に記載のダイオード型センサ装置。
15. ダイオード型センサの一端に接続される第１の端子と、
    ダイオード型センサのもう一端に接続される第２の端子と、
    前記ダイオード型センサの出力電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路と、
    前記ダイオード型センサを、前記Ｉ−Ｖ変換回路に対して順方向接続する状態と、逆方向接続する状態とを切り替えるチョッパ回路と、
    前記第１の端子又は第２の端子に所定電圧を供給する所定電圧生成回路と、
    を備えているダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
16. 前記Ｉ−Ｖ変換回路が、オートゼロアンプと、フィードバック抵抗とを有する請求項１５に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
17. 前記チョッパ回路は、
    前記第１の端子に所定電圧が供給され、前記第２の端子が前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力端に接続される状態と、前記第２の端子に所定電圧が供給され、前記第１の端子が前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力端に接続される状態とを切り替える請求項１５又は１６に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
18. 前記チョッパ回路は、前記第１の端子及び前記第２の端子と、前記Ｉ−Ｖ変換回路の入力端との間に接続されている請求項１５〜１７のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
19. 前記Ｉ−Ｖ変換回路の後段に、前記出力電流の極性が正転時の前記Ｉ−Ｖ変換回路の出力電圧と前記出力電流の極性が反転時の前記Ｉ−Ｖ変換回路の出力電圧との差分を演算する演算部を備える請求項１５〜１８のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップ。
20. 請求項１５〜１９のいずれか一項に記載のダイオード型センサの出力電流検出ＩＣチップと、
    ダイオード型センサと、
    前記ダイオード型赤外線センサの一端と前記第１の端子を接続する第１の配線と、
    前記ダイオード型赤外線センサのもう一端と前記第２の端子を接続する第１の配線と、
    を備えているダイオード型センサ装置。

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