JPWO2015098493A1 - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードの液晶表示素子において、高い透過率特性、高速応答性を示す、白抜け、配向むら、焼き付きなどの表示不良を生じさせないｎ型液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。基板上に絶縁層を介して形成された画素電極及び共通電極を有する第一の基板と、第二の基板とからなる一対の基板の間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持した液晶表示素子であって、該液晶層中には、一つの反応性基を有する重合性化合物及び/又は二つ以上の反応性基を有する重合性化合物の重合体である硬化物を含有し、該液晶組成物が負の誘電率異方性を有し、一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で表される負の誘電率異方性を有する化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、及び、一般式（Ｌ）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する液晶表示素子を提供する。選択図 図２

Description

本願発明は、誘電率異方性が負のネマチック液晶組成物を用い、高い透過率特性、高速応答性に特徴を有するＩＰＳモード及びＦＦＳモードの液晶表示素子に関する。

表示品質が優れていることから、アクティブマトリクス方式液晶表示素子が、携帯端末、液晶テレビ、プロジェクタ、コンピューター等の市場に出されている。アクティブマトリクス方式は、画素毎にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）あるいはＭＩＭ（メタル・インシュレータ・メタル）等が使われており、この方式に用いられる液晶化合物あるいは液晶組成物は、高電圧保持率であることが重要視されている。また、更に広い視角特性を得るためにＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モード、ＩＰＳ（In Plane Switching）モード、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend, Optically Compensated Birefringence）モードと組み合わせた液晶表示素子や、より明るい表示を得るためにECB（Electrically Controlled Birefringence）モードの反射型の液晶表示素子が提案されている。この様な液晶表示素子に対応するために、現在も新しい液晶化合物あるいは液晶組成物の提案がなされている。

現在スマートホン用の液晶ディスプレイとしては、高品位で、視覚特性に優れるＩＰＳモードの液晶表示素子の一種であるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置（Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display；ＦＦＳモード液晶表示装置）が広く用いられている（特許文献１、特許文献２参照）。ＦＦＳモードは、ＩＰＳモードの低い開口率及び透過率を改善するため導入された方式であり、用いられている液晶組成物としては、低電圧化がし易いことから誘電率異方性が正のｐ型液晶組成物を用いた材料が広く用いられている。また、ＦＦＳモードの用途の大部分が携帯端末であるため、さらなる省電力化の要求は強く液晶素子メーカはＩＧＺＯを用いたアレイの採用等盛んな開発が続いている。

一方、現在ｐ型液晶組成物を用いている液晶材料を、誘電率異方性が負のｎ型液晶組成物とすることによっても、透過率を改善することが可能となることが知られている（特許文献３参照）。これは、ｎ型液晶組成物を用いた場合には、ｎ型液晶組成物の分極方向が分子短軸方向にあることから、フリンジ電界の影響は、液晶分子を長軸に沿って回転させるのみで分子長軸は平行配列が維持されるため、透過率の低下が生じないことに起因する。

しかし、ｎ型液晶組成物はＶＡ用液晶組成物としては一般的であるが、ＶＡモードと、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードとでは、配向の方向、電界の向き、必要とされる光学特性のいずれの点を取っても異なるため、単純にＶＡ用に使用される液晶組成物を転用しても、今日求められるような高性能な液晶表示素子を構成することは困難であり、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに最適化したｎ型液晶組成物の提供が求められている。

特開平１１−２０２３５６号公報 特開２００３−２３３０８３号公報 特開２００２−３１８１２号公報

本発明の課題は、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードの液晶表示素子において、高い透過率特性、高速応答性を示す、白抜け、配向むら、焼き付きなどの表示不良を生じさせないｎ型液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。

本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討し、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードの液晶表示素子に最適な種々の液晶組成物の構成を検討した結果、一つの反応性基を有する重合性化合物及び/又は二つ以上の反応性基を有する重合性化合物を含有する液晶組成物の有用性を見出し本願発明の完成に至った。

すなわち、本発明は、
基板上に絶縁層を介して形成された画素電極及び共通電極を有する第一の基板と、第二の基板とからなる一対の基板の間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持した液晶表示素子であって、該液晶層中には、一つの反応性基を有する重合性化合物及び/又は二つ以上の反応性基を有する重合性化合物の重合体である硬化物を含有し、該液晶組成物が負の誘電率異方性を有し、
下記一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）

（式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ３１、Ａ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ４１、Ａ^ＬＣ４２、Ａ^ＬＣ５１及びＡ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はＣｌ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ３１、Ｚ^ＬＣ３２、Ｚ^ＬＣ４１、Ｚ^ＬＣ４２、Ｚ^ＬＣ５１及びＺ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｚ^５はＣＨ_２基又は酸素原子を表し、Ｘ^ＬＣ４１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ＬＣ３１、ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１、ｍ^ＬＣ４２、ｍ^ＬＣ５１及びｍ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して０〜３を表し、ｍ^ＬＣ３１＋ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１＋ｍ^ＬＣ４２及びｍ^ＬＣ５１＋ｍ^ＬＣ５２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２、Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される負の誘電率異方性を有する化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、
及び、下記一般式（Ｌ）

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＯＬは０、１、２又は３を表し、
Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、ただし、一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で表される化合物を除く。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する液晶表示素子を提供する。

本発明のＩＰＳモード及びＦＦＳモードの液晶表示素子は透過率特性、高速応答性に優れ、表示不良の発生が少ない特徴を有し、優れた表示特性を有する。本発明の液晶表示素子は、液晶ＴＶ、モニター等の表示素子に有用である。

液晶表示素子の一態様の構造を模式的に示す分解斜視図である。 図１における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３のＩＩの領域を拡大した平面図の一例である。 図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に液晶表示素子を切断した断面図の一例である。 図１における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３のＩＩの領域を拡大した平面図の他の例である。 図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。 液晶表示素子の電極構成を拡大した平面図である。

前述の通り、本願発明は、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードの液晶表示素子に最適なｎ型液晶組成物を見出したものである。以下、まず、本発明における液晶層の実施の態様について説明する。
（液晶層）
（反応性基を有する重合性化合物）
本発明の液晶表示素子における液晶層中には、一つの反応性基を有する重合性化合物及び/又は二つ以上の反応性基を有する重合性化合物の重合体である硬化物を含有する。反応性基を有する重合性化合物はメソゲン性部位を含んでいても、含んでいなくてもよい。

反応性基を有する重合性化合物において、反応性基は光による重合性を有する置換基が好ましい。特に、垂直配向膜が熱重合により生成するときに、垂直配向膜材料の熱重合の際に、反応性基を有する重合性化合物の反応を抑制できるので、反応性基は光による重合性を有する置換基が特に好ましい。

重合性化合物としては、一般式（ＩＩＩ）及び/又は一般式（ＩＶ）で表される重合性化合物が好ましい。

一つの反応性基を有する重合性化合物として具体的には、下記一般式（ＩＩＩ）

（式中、Ｘ^３は、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^３は、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−（式中、ｔは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｖは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、Ｗは水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜８のアルキレン基を表す。）で表される重合性化合物が好ましい。

上記一般式（ＩＩＩ）において、Ｘ^３は、水素原子又はメチル基を表すが、反応速度を重視する場合には水素原子が好ましく、反応残留量を低減することを重視する場合にはメチル基が好ましい。

上記一般式（ＩＩＩ）において、Ｓｐ^３は、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−（式中、ｔは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表すが、炭素鎖があまり長くないことが好ましく、単結合又は炭素原子数１〜５のアルキレン基が好ましく、単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基がより好ましい。また、Ｓｐ^３が−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−を表す場合も、ｔは１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。

上記一般式（ＩＩＩ）において、Ｖは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、２つ以上の環状置換基により置換されていることが好ましい。

一般式（ＩＩＩ）で表される重合性化合物は更に具体的には、一般式（Ｘ１ａ）

（式中、Ａ^１は水素原子又はメチル基を表し、
Ａ^２は単結合又は炭素原子数１〜８のアルキレン基（該アルキレン基中の１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキレン基中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていてもよい。）を表し、
Ａ^３及びＡ^６はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基（該アルキル基中の１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してハロゲン原子又は炭素原子数１〜１７のアルキル基で置換されていてもよい。）を表わし、
Ａ^４及びＡ^７はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基（該アルキル基中の１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してハロゲン原子又は炭素原子数１〜９のアルキル基で置換されていてもよい。）を表し、
ｐは１〜１０を表し、
Ｂ^１、Ｂ^２及びＢ^３は、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基（該アルキル基中の１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してハロゲン原子又は炭素原子数３〜６のトリアルコキシシリル基で置換されていてもよい。）を表わす化合物が挙げられる。

また、一般式（ＩＩＩ）で表される重合性化合物は具体的には、一般式（Ｘ１ｂ）

（式中、Ａ^８は水素原子又はメチル基を表し、
６員環Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３はそれぞれ独立して

のいずれか（ただしｑは１から４の整数を表す。）を表し、
ｑは０又は１を表し、
Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ−を表し、
Ｙ^３は単結合、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｂ^８は炭素原子数１〜１８の炭化水素基を表す。）で表わす化合物も挙げられる。

更に、一般式（ＩＩＩ）で表される重合性化合物は具体的には、一般式（Ｘ１ｃ）

（式中、Ｒ^７０は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^７１は縮合環を有する炭化水素基を表す。）で表わす化合物も挙げられる。

二つ以上の反応性基を有する重合性化合物として具体的には、一般式（ＩＶ）

（式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、ｋは１〜５の整数を表す。）で表される重合性化合物が好ましい。
上記一般式（ＩＶ）において、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表すが、反応速度を重視する場合には水素原子が好ましく、反応残留量を低減することを重視する場合にはメチル基が好ましい。

上記一般式（ＩＶ）において、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表すが、炭素鎖があまり長くないことが好ましく、単結合又は炭素原子数１〜５のアルキレン基が好ましく、単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基がより好ましい。また、Ｓｐ^１及びＳｐ^２が−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す場合も、ｓは１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、Ｓｐ^１及びＳｐ^２の少なくとも一方が、単結合であることがより好ましく、いずれも単結合であることが特に好ましい。

上記一般式（ＩＶ）において、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）、環状置換基により置換されていてもよく、２つ以上の環状置換基により置換されていることが好ましい。

上記一般式（ＩＶ）において、Ｕは具体的には、以下の式（ＩＶａ−１）から式（ＩＶａ−５）を表すことが好ましく、式（ＩＶａ−１）から式（ＩＶａ−３）を表すことがより好ましく、式（ＩＶａ−１）を表すことが特に好ましい。

（式中、両端はＳｐ^１又はＳｐ^２に結合するものとする。）
Ｕが環構造を有する場合、前記Ｓｐ^１及びＳｐ^２は少なくとも一方が単結合を表すことが好ましく、両方共に単結合であることも好ましい。

上記一般式（ＩＶ）において、ｋは１〜５の整数を表すが、ｋが１の二官能化合物、又はｋが２の三官能化合物であることが好ましく、二官能化合物であることがより好ましい。

上記一般式（ＩＶ）で表される化合物は、具体的には、以下の一般式（ＩＶｂ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｚ^１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、Ｃは１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい。）
上記一般式（ＩＶｂ）において、Ｘ^１及びＸ^２は、はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表すが、いずれも水素原子を表すジアクリレート誘導体、又はいずれもメチル基を有するジメタクリレート誘導体が好ましく、一方が水素原子を表し、もう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。 上記一般式（ＩＶｂ）において、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）ｓ−を表すが、少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す態様が好ましい。この場合、炭素原子数１〜４のアルキレン基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。

上記一般式（ＩＶｂ）において、Ｚ^１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。
上記一般式（ＩＶｂ）において、Ｃは任意の水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４−フェニレン基又は単結合が好ましい。
Ｃが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ^１は単結合以外の連結基も好ましく、Ｃが単結合の場合、Ｚ^１は単結合が好ましい。

以上より、上記一般式（ＩＶｂ）において、Ｃが単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合が好ましく、環構造を有する重合性化合物としては、具体的には以下の一般式（ＩＶ−１）から（ＩＶ−６）で表される化合物が好ましく、一般式（ＩＶ−１）から（ＩＶ−４）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＶ−２）で表される化合物が最も好ましい。

上記一般式（ＩＶ）で表される化合物は、具体的には、以下の一般式（ＩＶｃ）で表される化合物も好ましい。

（式中、Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１、Ｓｐ^２及びＳｐ^３はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｚ^１１及びＺ^１２はそれぞれ独立して、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、Ｊは１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい。）
上記一般式（ＩＩＩ）及び/又は一般式（ＩＶ）で表される重合性化合物の重合体である硬化物の含有量の合計は、液晶層中に、０．０５〜５質量％含有することが好ましく、０．０５〜４質量％であることがより好ましく、０．１〜２質量％であることが特に好ましい。

反応性基を有する重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るために適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物を含有する後述する液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有液晶組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。

照射時の温度は、後述する液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２から５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２から２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。
（液晶組成物）
本発明の液晶表示素子における液晶層中には、以下の式で表される化合物からなる液晶組成物を含有する。
具体的には、一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）

（式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接ｄｒ隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ３１、Ａ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ４１、Ａ^ＬＣ４２、Ａ^ＬＣ５１及びＡ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はＣｌ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ３１、Ｚ^ＬＣ３２、Ｚ^ＬＣ４１、Ｚ^ＬＣ４２、Ｚ^ＬＣ５１及びＺ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｚ^５はＣＨ_２基又は酸素原子を表し、Ｘ^ＬＣ４１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ＬＣ３１、ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１、ｍ^ＬＣ４２、ｍ^ＬＣ５１及びｍ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して０〜３を表し、ｍ^ＬＣ３１＋ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１＋ｍ^ＬＣ４２及びｍ^ＬＣ５１＋ｍ^ＬＣ５２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２、Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される負の誘電率異方性を有する化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を一種又は二種以上含む。

ここで、Ｒ^ＬＣ３１〜Ｒ^ＬＣ５２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、

Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＯＣＨ_２−が好ましい。

液晶組成物において、一般式（ＬＣ３）、一般式（ＬＣ４）、及び一般式（ＬＣ５）で表される化合物群から選ばれる化合物のうち１種又は２種以上を、液晶組成物中の含有率として、下限値としては１０質量％以上、好ましくは２０質量％以上、更に好ましくは２５質量％以上、特に好ましくは２８質量％以上、最も好ましくは３０質量％以上、また、上限値としては８５質量％以下、好ましくは７５質量％以下、更に好ましくは７０質量％以下、特に好ましくは６７質量％以下、最も好ましくは６５質量％以下含有することが好ましい。

一般式（ＬＣ３）、一般式（ＬＣ４）、及び一般式（ＬＣ５）で表される化合物は、一般式（ＬＣ３−１）、一般式（ＬＣ４−１）、及び一般式（ＬＣ５−１）

（式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｚ^３１〜Ｚ^３３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｘ^４１は水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ^３４は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表す。）で表される化合物群から選ばれる化合物を用いることが好ましい。

一般式（ＬＣ３−１）〜一般式（ＬＣ５−１）において、Ｒ^３１〜Ｒ^３３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数３のアルキル基を表すことが特に好ましい。

Ｒ^４１〜Ｒ^４３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５のアルキル基あるいは炭素原子数１〜５のアルコキシ基、又は炭素原子数４〜８のアルケニル基あるいは炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数１〜３のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３のアルキル基又は炭素原子数２のアルコキシ基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数２のアルコキシ基を表すことが特に好ましい。

Ｚ^３１〜Ｚ^３３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表すことが好ましく、単結合又は−ＣＨ_２Ｏ−を表すことがより好ましい。

液晶組成物において、一般式（ＬＣ３−１）、一般式（ＬＣ４−１）、及び一般式（ＬＣ５−１）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上、０〜５０質量％含有し、５〜５０質量％含有することが好ましく、５〜４０質量％含有することが好ましく、５〜３０質量％含有することがより好ましく、８〜２７質量％含有することがより好ましく、１０〜２５質量％含有することがさらに好ましい。

一般式（ＬＣ３−１）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＬＣ３−１１）〜一般式（ＬＣ３−１４）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^３１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^４１ａは炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）
一般式（ＬＣ４−１）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＬＣ４−１１）〜一般式（ＬＣ４−１４）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^３２は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^４２ａは炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、Ｘ^４１は水素原子又はフッ素原子を表す。）
一般式（ＬＣ５−１）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＬＣ５−１１）〜一般式（ＬＣ５−１４）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^３３は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^４３ａは炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、Ｚ^３４は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表す。）
一般式（ＬＣ３−１１）、一般式（ＬＣ３−１３）、一般式（ＬＣ４−１１）、一般式（ＬＣ４−１３）、一般式（ＬＣ５−１１）、及び一般式（ＬＣ５−１３）において、Ｒ^３１〜Ｒ^３３は、一般式（ＬＣ３−１）〜一般式（ＬＣ５−１）における同様の実施態様が好ましい。Ｒ^４１ａ〜Ｒ^４１ｃは炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素原子数１又は２のアルキル基がより好ましく、炭素原子数２のアルキル基が特に好ましい。

一般式（ＬＣ３−１２）、一般式（ＬＣ３−１４）、一般式（ＬＣ４−１２）、一般式（ＬＣ４−１４）、一般式（ＬＣ５−１２）、及び一般式（ＬＣ５−１４）において、Ｒ^３１〜Ｒ^３３は、一般式（ＩＩ−１）における同様の実施態様が好ましい。Ｒ^４１ａ〜Ｒ^４１ｃは炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素原子数１又は３のアルキル基がより好ましく、炭素原子数３のアルキル基が特に好ましい。

一般式（ＬＣ３−１１）〜一般式（ＬＣ５−１４）の中でも、誘電率異方性の絶対値を増大するためには、一般式（ＬＣ３−１１）、一般式（ＬＣ４−１１）、一般式（ＬＣ５−１１）、一般式（ＬＣ３−１３）、一般式（ＬＣ４−１３）及び一般式（ＬＣ５−１３）が好ましく、一般式（ＬＣ３−１１）、一般式（ＬＣ４−１１）、一般式（ＬＣ５−１１）がより好ましい。

本発明の液晶表示素子における液晶層は、一般式（ＬＣ３−１１）〜一般式（ＬＣ５−１４）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、１種又は２種含有することが好ましく、一般式（ＬＣ３−１）で表される化合物を１種又は２種含有することが好ましい。

また、一般式（ＬＣ３）、一般式（ＬＣ４）、及び一般式（ＬＣ５）で表される化合物は、一般式（ＬＣ３−２）、一般式（ＬＣ４−２）、及び一般式（ＬＣ５−２）

（式中、Ｒ^５１〜Ｒ^５３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^６１〜Ｒ^６３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂ^１〜Ｂ^３はフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、Ｚ^４１〜Ｚ^４３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｘ^４２は水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ^４４は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表す。）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（ＬＣ３−２）、一般式（ＬＣ４−２）、及び一般式（ＬＣ５−２）において、Ｒ^５１〜Ｒ^５３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数３のアルキル基を表すことが特に好ましい。

Ｒ^６１〜Ｒ^６３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５のアルキル基あるいは炭素原子数１〜５のアルコキシ基、又は炭素原子数４〜８のアルケニル基あるいは炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数１〜３のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３のアルキル基又は炭素原子数２のアルコキシ基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数２のアルコキシ基を表すことが特に好ましい。

Ｂ^３１〜Ｂ^３３はフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すが、無置換の１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基がより好ましい。

Ｚ^４１〜Ｚ^４３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表すことが好ましく、単結合又は−ＣＨ_２Ｏ−を表すことがより好ましい。

一般式（ＬＣ３−２）、一般式（ＬＣ４−２）、及び一般式（ＬＣ５−２）で表される化合物は、液晶組成物において０〜６０質量％含有し、１０〜６０質量％含有することが好ましいが、２０〜５０％含有することがより好ましく、２５〜４５質量％含有することがより好ましく、２８〜４２％含有することがより好ましく、３０〜４０％含有することがさらに好ましい。

一般式（ＬＣ３−２）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＬＣ３−２１）〜一般式（ＬＣ３−２６）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^５１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^６１ａは炭素原子数１〜５のアルキル基を表すが、一般式（ＬＣ３−２）におけるＲ^５１及びＲ^６１と同様の実施態様が好ましい。）
一般式（ＬＣ４−２）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＬＣ４−２１）〜一般式（ＬＣ４−２６）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^５２は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^６２ａは炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、Ｘ^４２は水素原子又はフッ素原子を表すが、一般式（ＬＣ４−２）におけるＲ^５２及びＲ^６２と同様の実施態様が好ましい。）
一般式（ＬＣ５−２）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＬＣ５−２１）〜一般式（ＬＣ５−２６）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^５３は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^６３ａは炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、Ｗ^２は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表すが、一般式（ＬＣ５−２）におけるＲ^５３及びＲ^６３と同様の実施態様が好ましい。）
一般式（ＬＣ３−２１）、一般式（ＬＣ３−２２）、一般式（ＬＣ３−２５）、一般式（ＬＣ４−２１）、一般式（ＬＣ４−２２）、一般式（ＬＣ４−２５）、一般式（ＬＣ５−２１）、一般式（ＬＣ５−２２）、及び一般式（ＬＣ５−２５）において、Ｒ^５１〜Ｒ^５３は、一般式（ＬＣ３−２）、一般式（ＬＣ４−２）及び一般式（ＬＣ５−２）における同様の実施態様が好ましい。Ｒ^６１ａ〜Ｒ^６３ａは炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素原子数１又は２のアルキル基がより好ましく、炭素原子数２のアルキル基が特に好ましい。

一般式（ＬＣ３−２３）、一般式（ＬＣ３−２４）及び一般式（ＬＣ３−２６）、一般式（ＬＣ４−２３）、一般式（ＬＣ４−２４）及び一般式（ＬＣ４−２６）、一般式（ＬＣ５−２３）、一般式（ＬＣ５−２４）及び一般式（ＬＣ５−２６）においてＲ^５１〜Ｒ^５３は、一般式（ＬＣ３−２）、一般式（ＬＣ４−２）及び一般式（ＬＣ５−２）における同様の実施態様が好ましい。Ｒ^６１ａ〜Ｒ^６３ａは炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素原子数１又は３のアルキル基がより好ましく、炭素原子数３のアルキル基が特に好ましい。

一般式（ＬＣ３−２１）〜一般式（ＬＣ５−２６）の中でも、誘電率異方性の絶対値を増大するためには、一般式（ＬＣ３−２１）、一般式（Ｌｃ３−２２）及び一般式（ＬＣ３−２５）、一般式（ＬＣ４−２１）、一般式（ＬＣ４−２２）及び一般式（ＬＣ４−２５）、一般式（ＬＣ５−２１）、一般式（ＬＣ５−２２）及び一般式（ＬＣ５−２５）が好ましい。

一般式（ＬＣ３−２）、一般式（ＬＣ４−２）及び一般式（ＬＣ５−２）で表される化合物は１種又は２種以上含有することができるが、Ｂ^１〜Ｂ^３が１，４−フェニレン基を表す化合物、及びＢ^１〜Ｂ^３がトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す化合物をそれぞれ少なくとも１種以上含有することが好ましい。

また、一般式（ＬＣ３）で表される化合物は、下記一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）

（式中、Ｒ^7a1及びＲ^7a2、Ｒ^8a1及びＲ^8a2はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
ｎ^a2は０又は１を表し、Ａ^1a2は1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン−2,5−ジイル基を表し、一般式（Ｉａ１）及び一般式（Ｉａ２）中の1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）
で表される化合物群の中から選ばれる化合物を用いることが好ましい。

一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＬＣ３−ａ−１）〜式（ＬＣ３−ａ−８）

で表される化合物が好ましいが、式（ＬＣ３−ａ−１）〜式（ＬＣ３−ａ−４）で表される化合物がより好ましく、式（ＬＣ３−ａ−１）及び式（ＬＣ３−ａ−３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＬＣ３−ａ−１）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＬＣ３−ａ−１）〜式（ＬＣ３−ａ−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＬＣ３−ａ−１）〜式（ＬＣ３−ａ−４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＬＣ３−ａ−１）〜式（ＬＣ３−ａ−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＬＣ３−ａ−１）〜式（ＬＣ３−ａ−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＬＣ３−ａ−１）及び式（ＬＣ３−ａ−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＬＣ３−ａ−１）及び式（ＬＣ３−ａ−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＬＣ３−ｂ−１）〜一般式（ＬＣ３−ｂ−９）

（式中、Ｒ⁷は一般式（ＬＣ３−ｂ）におけるＲ^7a２と同じ意味を表し、Ｒ⁸は一般式（ＬＣ３−ｂ）におけるＲ^8a２と同じ意味を表す。）
で表される化合物が好ましい。

一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される化合物を使用する場合には、式（ＬＣ３−ｂ−１）で表される化合物を使用することが好ましいが、式（ＬＣ３−ｂ−１）で表される化合物の含有量が、一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＬＣ３−ｂ）におけるＲ^7a２及びＲ^8a２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましく、Ｒ⁷及びＲ⁸が共にアルキル基である場合には、それぞれの炭素原子数は異なっている方が好ましい。

更に詳述すると、Ｒ^7a２がプロピル基を表しＲ^8a２がエチル基を表す化合物又はＲ^7a２がブチル基を表しＲ^8a２がエチル基を表す化合物が好ましい。

また、上記一般式（ＬＣ３−１）で表される化合物を1種または２種以上と、上記一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも１種類の化合物を併用することが好ましく、特に、上記一般式（ＬＣ３−１）で表される化合物を1種または２種以上と、上記一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物の中から選ばれる少なくとも１種類の化合物を併用することが好ましい。一般式（ＬＣ３−１）で表される化合物と、一般式（ＬＣ３−ａ）及び／又は一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも１種類の化合物（特には、一般式（ＬＣ３−ａ）で表される化合物）とを併用する場合に、本発明のモードであるＩＰＳモード及びＦＦＳモードにおいて、前述の重合性化合物の重合体である硬化物を含有すると、当該硬化物を含有しない場合に比べ最も透過率が向上した液晶表示素子を得ることができる。

一般式（ＬＣ４）で表される化合物は、下記一般式（ＬＣ４−ａ）から一般式（ＬＣ４−ｃ）で表される化合物が好ましく、一般式（ＬＣ５）で表される化合物は、下記一般式（ＬＣ５−ａ）から一般式（ＬＣ５−ｃ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２及びＸ^ＬＣ４１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ４）におけるＲ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２及びＸ^ＬＣ４１と同じ意味を表し、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ５）におけるＲ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２と同じ意味を表し、Ｚ^{ＬＣ４ａ１}、Ｚ^{ＬＣ４ｂ１}、Ｚ^{ＬＣ４ｃ１}、Ｚ^{ＬＣ５ａ１}、Ｚ^{ＬＣ５ｂ１}及びＺ^{ＬＣ５ｃ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）
Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。

Ｚ^{ＬＣ４ａ１}〜Ｚ^{ＬＣ５ｃ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。

一般式（ＬＣ３−ａ）、一般式（ＬＣ３−ｂ）、一般式（ＬＣ４−ａ）、一般式（ＬＣ４−ｂ）、一般式（ＬＣ４−ｃ）、一般式（ＬＣ５−ａ）、一般式（ＬＣ５−ｂ）及び一般式（ＬＣ５−ｃ）で表される化合物は、液晶組成物において０〜６０質量％含有し、１０〜６０質量％含有することが好ましいが、２０〜５０％含有することがより好ましく、２５〜４５質量％含有することがより好ましく、２８〜４２％含有することがより好ましく、３０〜４０％含有することがさらに好ましい。

また、本発明における液晶組成物は、第二成分として一般式（Ｌ）で表される化合物を１種または２種以上含有する。

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＯＬは０、１、２又は３を表し、
Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）トランス−１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個のＣＨ_２基又は隣接していない２個以上のＣＨ_２基は酸素原子又は硫黄原子で置換されていてもよい。）、
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個のＣＨ基又は隣接していない２個以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよい。）、及び
（ｃ）１，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はクロマン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）に含まれる１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３で置換されていてもよく、
Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、ただし、一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｌ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＩ）

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合二つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物群の中から選ばれることが好ましい。

一般式（ＩＩ）で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、１５質量％が更に好ましく、２０質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましく、上限値としては７０質量％が好ましく、６５質量％が次に好ましく、５５質量％がより好ましく、５０質量％が更に好ましく、４７質量％が特に好ましく、４５質量％が最も好ましい。

一般式（ＩＩ）で表される化合物としては、具体的には、例えば下記一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｆ）で表される化合物群で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ¹¹〜Ｒ^1６及びＲ²¹〜Ｒ^2６は、それぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表す。）
一般式（ＩＩ−ａ）〜一般式（ＩＩ−ｆ）で表される化合物群から選ばれる化合物は、１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましく、１種〜５種含有することが特に好ましく、２種以上の化合物を含有することも好ましい。

Ｒ¹¹〜Ｒ^1６及びＲ²¹〜Ｒ^2６は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルコキシ基を表すことがより好ましく、アルケニル基を表す場合は次に記載する式（ｉ）〜式（ｉｖ）

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
で表される構造が好ましい。

又、Ｒ¹¹及びＲ²¹、Ｒ¹²及びＲ²²、Ｒ¹³及びＲ²³、Ｒ¹⁴及びＲ²⁴、Ｒ¹⁵及びＲ²⁵、Ｒ^1６及びＲ^2６は同一でも異なっていても良いが、異なった置換基を表すことが好ましい。

これらの点から、例えば、一般式（ＩＩ）で表される化合物として、下記一般式（ＩＩ−ａ−１）

（式中、Ｒ^５は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^６は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有することが好ましい。

一般式（ＩＩ−ａ−１）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

一般式（ＩＩ−ａ−１）で表される化合物を含有する場合は、一般式（ＩＩ−ａ−１）で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては５質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、２０質量％が更に好ましく、２３質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましく、上限値としては７０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、５５質量％が更に好ましく、５２質量％が特に好ましく、５０質量％が最も好ましい。より具体的には、応答速度を重視する場合には下限値としては２０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、３５質量％が更に好ましく、３８質量％が特に好ましく、３５質量％が最も好ましく、上限値としては７０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、５５質量％が更に好ましく、５２質量％が特に好ましく、５０質量％が最も好ましく、より駆動電圧を重視する場合には下限値としては５質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、２０質量％が更に好ましく、２３質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましく、上限値としては６０質量％が好ましく、５０質量％がより好ましく、４５質量％が更に好ましく、４２質量％が特に好ましく、４０質量％が最も好ましい。一般式（ＩＩ−ａ−１）で表される化合物の割合は、液晶組成物における一般式（ＩＩ）で表される化合物の合計含有量の内、一般式（ＩＩ−ａ−１）で表される化合物の含有量が下限値としては６０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましく、７５質量％が更に好ましく、７８質量％が特に好ましく、８０質量％が最も好ましく、上限値としては９０質量％が好ましく、９５質量％がより好ましく、９７質量％が更に好ましく、９９質量％が特に好ましく、１００質量％が好ましい。

また、一般式（ＩＩ−ａ−１）で表される化合物以外の一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｆ）で表される化合物としては、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

これらの中でも、式（ＩＩ−ａ−１−１）、式（ＩＩ−ａ−１−５）、式（ＩＩ−ａ１）〜式（ＩＩ−ａ６）、式（ＩＩ−ｂ２）、式（ＩＩ−ｂ６）、式（ＩＩ−ｄ１）、式（ＩＩ−ｄ２）、式（ＩＩ−ｄ３）、式（ＩＩ−ｅ２）、及び式（ＩＩ−ｆ２）で表される化合物が好ましい。

本発明における液晶組成物は、一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、及び一般式（Ｌ）で表される化合物を必須の成分とするものであり、液晶組成物中に含有する一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、及び一般式（Ｌ）で表される化合物の合計含有量は、８０〜１００質量％が好ましく、８５〜１００質量％がより好ましく、９０〜１００質量％が更に好ましく、９５〜１００質量％が特に好ましく、９７〜１００質量％が最も好ましい。

本願発明の液晶組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記液晶組成物の総質量に対して５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記液晶組成物の総質量に対して８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで液晶組成物を構成することが最も好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、連結基として−ＣＨ＝ＣＨ−を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、当該化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

粘度の改善及びＴ_ＮＩの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本発明の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。また、液晶組成物の安定性を重視する場合には、側鎖としてアルケニル基を有しかつ２，３−ジフルオロベンゼン−１，４−ジイル基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、当該化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本発明における液晶組成物の誘電率異方性Δεの値は負の誘電率異方性を有し、誘電率異方性の絶対値は２以上である。誘電率異方性Δεの値は、２５℃において、−２．０から−６．０であることが好ましく、−２．５から−５．０であることがより好ましく、−２．５から−４．０であることが特に好ましいが、更に詳述すると、応答速度を重視する場合には−２．５〜−３．４であることが好ましく、駆動電圧を重視する場合には−３．４〜−４．０であることが好ましい。

本発明における液晶組成物の屈折率異方性Δｎの値は、２５℃において、０．０８から０．１３であることが好ましいが、０．０９から０．１２であることがより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１２であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

本発明における液晶組成物の回転粘度（γ₁）は１５０以下が好ましく、１３０以下がより好ましく、１２０以下が特に好ましい。

本発明における液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

（式中、γ₁は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。

本発明における液晶組成物のネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）は、６０℃以上であり、好ましくは７５℃以上であり、より好ましくは８０℃以上であり、さらに好ましくは９０℃以上である。

本発明の液晶組成物は、１０¹²（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０¹³（Ω・ｍ）が好ましく、１０¹⁴（Ω・ｍ）以上がより好ましい。

本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤などを含有しても良いが、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましく、液晶組成物の紫外線などの光に対する安定性が求められる場合にはナフタレン環などに代表される共役長が長く紫外領域に吸収ピークが存在する縮合環等をその分子内に有さないことが望ましい。

また、本発明の液晶組成物において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。また、保存安定性を向上させるために、安定剤を添加しても良い。使用できる安定剤としては、例えば、ヒドロキノン類、ヒドロキノンモノアルキルエーテル類、第三ブチルカテコール類、ピロガロール類、チオフェノール類、ニトロ化合物類、β−ナフチルアミン類、β−ナフトール類、ニトロソ化合物等が挙げられる。
（液晶表示素子）
本願発明の液晶表示素子は、基板上に絶縁層を介して形成された画素電極及び共通電極を有する第一の基板と、第二の基板とからなる一対の基板の間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持した構造を有する。

本発明に係る液晶表示素子の実施形態は、薄膜トランジスタと特定の液晶組成物を有する、ＩＰＳ型液晶表示素子（In Plane Switching mode Liquid Crystal Display）、又は、ＩＰＳ型の液晶表示素子の一種であるＦＦＳ型液晶表示素子（フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示素子（Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display）である。

本発明に係る液晶表示素子の好ましい実施形態である、ＩＰＳ型液晶表示素子は、対向に配置された第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、前記第一基板上にマトリクス状に配置される複数個のゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線とデータ配線との交差部に設けられる薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる画素電極と有し、前記薄膜トランジスタが、ゲート電極と、該ゲート電極と絶縁層を介して設けられる半導体層と、該半導体層と導通して設けられるソース電極及びドレイン電極とを有し、ゲート配線と前記データ配線との各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記第一の基板又は第二の基板上に前記画素電極と離間して設けられる共通電極と、第一の透明絶縁基板及び第二の透明絶縁基板のそれぞれと液晶層との間に液晶層に近接して設けられ、液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜とを有し、前記画素電極から前記画素電極に近接する前記共通電極を結ぶ最短経路が、第一または第二の基板に対して平行方向成分を備えるよう前記画素電極および前記共通電極を配置されていることが好ましい。

前記画素電極から前記画素電極に近接する前記共通電極を結ぶ最短経路が、第一または第二の基板に対して平行方向成分を備えるとは、画素電極から前記画素電極に最も近い距離に配置されている共通電極を結ぶ最短経路を示す方向ベクトルが、第一または第二の基板に対して平行方向成分を有することである。例えば、画素電極と対向電極とが、第一または第二の基板に対して垂直方向に重なりあう部分がある場合、画素電極から前記画素電極に近接する前記共通電極を結ぶ最短経路は、第一または第二の基板に対して垂直方向になるため、第一または第二の基板に対して平行方向成分を備えるものには該当しない。すなわち、画素電極と対向電極とが、第一または第二の基板に対して垂直方向に重なりあわないように配置されていることをいう。対向電極は、第一の基板に設けられていても第二の基板に設けられていてもよい。

共通電極と画素電極とを一または第二の基板に対して垂直方向に重なりあわないように離間して設けることで、前記共通電極と前記画素電極との間に生じる電界（Ｅ）が平面方向成分を有することができる。そのため、例えば液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜を前記配向層に用いると、共通電極と画素電極との間に電圧をかける前は配向膜の配向方向である面方向に配列している液晶分子が光を遮断し、電圧をかけると平面方向にかかる電界（Ｅ）により液晶分子が基板に対して水平に回転して、当該電界方向に沿って配列することで光を遮断する素子を提供できる。

本発明に係る液晶表示素子の実施形態である、ＦＦＳ型液晶表示素子は、対向に配置された第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、前記第一基板上にマトリクス状に配置される複数個のゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線とデータ配線との交差部に設けられる薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる画素電極と有し、前記薄膜トランジスタが、ゲート電極と、該ゲート電極と絶縁層を介して設けられる酸化物半導体層と、該酸化物半導体層と導通して設けられるソース電極及びドレイン電極とを有し、第一の透明絶縁基板上に、画素電極と離間して設けられる共通電極を有し、第一の透明絶縁基板及び第二の透明絶縁基板のそれぞれと液晶層との間に液晶層に近接して設けられ、液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜を有し、近接する前記共通電極と前記画素電極との最短離間距離ｄが前記配向膜同士の最短離間距離Ｇより短いことが好ましい。

なお本明細書において、共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより長い条件の液晶表示素子をＩＰＳ方式の液晶表示素子と称し、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件の素子をＦＦＳと称する。したがって、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短いことだけがＦＦＳ方式の条件であるため、当該共通電極の表面と画素電極との表面との厚さ方向の位置関係に制限はない。そのため、本発明に係るＦＳＳ方式の液晶表示素子としては、図１〜図５のように画素電極が共通電極より液晶層側に設けられてもよく、図６のように画素電極と共通電極とが同一面上に設けられていても良い。
（配向膜）
本発明の液晶表示素子において、第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面には液晶組成物を配向させるため、配向膜を必要とする液晶表示素子においてはカラーフィルタと液晶層間に配置することができる。

配向膜材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ペンゾシクロブテンポリマー）、ポリビニルアルコールなどの透明性有機材料を用いることができ、特に、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフエニルメタンなどの脂肪族または脂環族ジアミン等のジアミン及びブタンテトラカルボン酸無水物や２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸無水物等の脂肪族又は脂環式テトラカルボン酸無水物、ピロメリット酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸無水物から合成されるポリアミック酸をイミド化した、ポリイミド配向膜が好ましい。この場合の配向付与方法は、ラビングを用いることが一般的であるが、垂直配向膜等に使用する場合は配向を付与しないで使用することもできる。

配向膜材料としては、カルコン、シンナメート、シンナモイル又はアゾ基等を化合物中に含む、材料を使用することができ、ポリイミド、ポリアミド等の材料と組み合わせて使用してもよく、この場合配向膜はラビングを用いてもよく光配向技術を用いてもよい。

配向膜は、基板上に前記配向膜材料をスピンコート法などの方法により塗布して樹脂膜を形成することが一般的であるが、一軸延伸法、ラングミュア・ブロジェット法等を用いることもできる。

本発明に係る実施形態としてＦＦＳ型液晶表示素子の一例を図１〜図６を用いて以下説明する。図１は、液晶表示素子の一態様の構造を模式的に示す分解斜視図であり、いわゆるＦＦＳ方式の液晶表示素子である。本発明に係る液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層（又は薄膜トランジスタ層とも称する）３と、配向膜４と、液晶組成物を含む液晶層５と、配向膜４と、カラーフィルタ６と、第二の基板７と、第二の偏光板８と、が順次積層された構成であることが好ましい。また、図１に示すように、前記第一の基板２および前記第二の基板７は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図１では、前記第二の基板７と配向膜４との間にカラーフィルタ６が設けられている。さらに、本発明に係る液晶層５と近接し、かつ当該液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接するよう一対の配向膜４を（透明）電極（層）３に形成してもよい。

ＦＦＳ方式の液晶表示素子は、フリンジ電界を利用するものであり、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短いと、共通電極と画素電極との間にフリンジ電界が形成され、液晶分子の水平方向および垂直方向の配向を効率的に利用することができる。すなわち、ＦＦＳ方式の液晶表示素子の場合は、画素電極２１の櫛歯形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。

図２は、図１における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３（または薄膜トランジスタ層３とも称する。）のＩＩの領域を拡大した平面図である。ゲート配線２６とデータ配線２５が互いに交差している交差部近傍において、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として前記画素電極２１と連結して設けられている。当該図１では一例として、櫛歯状の画素電極２１の背面に絶縁層（図示せず）を介して平板体状の共通電極２２が一面に形成されている構成を示す。また、前記画素電極２１の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていてもよい。なお、前記複数のゲート配線２６と複数のデータ配線２５とに囲まれた領域にはデータ配線２５を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ２３を設けてもよい。さらに、ゲート配線２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。

図３は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に液晶表示素子を切断した断面図の一例である。配向層４および薄膜トランジスタ（１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７）を含む電極層３が表面に形成された第一の基板２と、配向層４が表面に形成された第二の基板７と、が所定の間隔Ｇで配向層同士向かい合うよう離間しており、この空間に液晶組成物を含む液晶層５が充填されている。前記第一の基板２の表面の一部にゲート絶縁膜１２が形成され、さらに当該ゲート絶縁膜１２の表面の一部に共通電極２２が形成されており、更に前記共通電極２２および薄膜トランジスタ２０を覆うよう絶縁膜１８が形成されている。また、前記絶縁膜１８上に画素電極２１が設けられており、当該画素電極２１は配向層４を介して液晶層５と接している。そのため、画素電極と共通電極との最小離間距離ｄは、ゲート絶縁膜１２の（平均）膜厚として調整することができる。また、換言すると、図２の実施形態では、画素電極と共通電極間の基板に水平方向の距離は０になる。画素電極２１の櫛歯状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛歯状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。

図１〜５で示すように、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件であるＦＦＳ方式の液晶表示素子の場合、長軸方向が、配向層の配向方向と平行になるように配置している液晶分子に電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子は、形成された電界に沿って液晶層５内を回転してスイッチング素子としての作用を奏する。より詳細には、例えば液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜を前記配向層に用いると、共通電極と画素電極との間に電圧をかける前は配向膜の配向方向である面方向に配列している液晶分子が光を遮断し、電圧をかけると共通電極と画素電極とが同一の基板（または電極層）上に離間して設けられていることに起因する平面方向成分の電界と、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが配向層同士の最短離間距離Ｇより短いことにより発生するこれら電極の縁由来の垂直方向成分の電界（フリンジ電界）とが発生するため、低い誘電率異方性を有する液晶分子であっても駆動することができる。そのため、液晶組成物において、誘電率異方性（Δε）が大きい化合物の量を極力低減することができるため、液晶組成物自体に低粘度の化合物を多く含有させることが可能になる。

また、本発明に係る液晶表示素子の実施形態における配向膜４のラビング方向は、画素電極２１の櫛歯形を形成するラインに対して垂直な方向（水平電界が形成される方向）をｘ軸としたときに、該ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね０〜４５°となるように配向されることが好ましい。第二の実施形態において、液晶組成物は、前記第一の実施形態において説明した液晶組成物の構成と同じものが用いられることから、すなわち、負の誘電率異方性を有する液晶組成物が用いられる。電圧を印加しない状態では、液晶分子は、その長軸方向が、配向膜４の配向方向と平行になるように配置している。電圧を印加すると、負の誘電率異方性を有する液晶分子は、その長軸方向が発生した電界方向に直行するように回転する。画素電極２１の近くに位置する液晶分子はフリンジ電界の影響を受けやすいものの、負の誘電率異方性を有する液晶分子は分極方向が分子の短軸にあることから、その長軸方向が配向膜４に対して直行する方向に回転することはなく、液晶層５内の全ての液晶分子３０の長軸方向は、配向膜４に対して平行方向を維持できる。したがって、負の誘電率異方性を有する液晶分子を用いたＦＦＳ型の液晶表示素子は、優れた透過率特性を得ることができる。

図４は、図１における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３（または薄膜トランジスタ層３とも称する。）のＩＩの領域を拡大した平面図の別の形態である。ゲート配線２６とデータ配線２５が互いに交差している交差部近傍において、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として前記画素電極２１と連結して設けられている。また、画素電極２１は少なくとも一つの切欠き部でくり抜かれた構造であってもよく、当該図４にその一例を示す。前記画素電極２１は、四角形の平板体の中央部および両端部が三角形状の切欠き部でくり抜かれ、さらに残る領域を８つの長方形状の切欠き部でくり抜かれた形状であり、かつ共通電極２２が櫛歯体（図示せず）である。また、前記画素電極の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていてもよい。なお、前記複数のゲート配線２５と複数のデータ配線２４とに囲まれた領域にはデータ配線２４を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ２３を設けてもよい。なお、上記切欠き部の形状や数などは特に制限されることは無い。

図５は、図４において、図３と同様のＩＩＩ−ＩＩＩ方向の位置で液晶表示素子を切断した断面図の他の形態の一例である。すなわち、前記図３の液晶表示素子の構造との相違点は、図２に示す液晶表示素子は、共通電極が平板体であり、かつ画素電極が櫛歯体である。一方、上記で説明したように、図４に示す液晶表示素子においては、画素電極２１は、四角形の平板体の中央部および両端部が三角形状の切欠き部でくり抜かれ、さらに残る領域を８つの長方形状の切欠き部でくり抜かれた形状であり、かつ共通電極が櫛歯体の構造である。そのため、画素電極と共通電極との最小離間距離ｄは、ゲート絶縁膜１２の（平均）膜厚以上、かつ配向層離間距離Ｇ未満になる。また、図５では共通電極が櫛歯体の構造であるが、この実施形態でも共通電極を平板体にしてもよい。また、いずれにおいても、本発明に係るＦＦＳ方式の液晶表示素子は、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件を満たしさえすればよい。さらに、図５に示す液晶表示素子の構成では、画素電極２１が保護膜１８で覆われているが、図２に示す液晶表示素子の構成では、画素電極２１が配向層４で被覆されている。本発明においては、画素電極は保護膜または配向膜のいずれにも被覆されてもよい。

また、図５において、第一の基板２の一方の表面には偏光板が形成され、かつ他方の表面の一部に形成された櫛歯状の共通電極２２を覆うようゲート絶縁膜１２が形成され、当該ゲート絶縁膜１２の表面の一部に画素電極２１が形成されており、更に前記画素電極２１および薄膜トランジスタ２０を覆うよう絶縁膜１８が形成されている。また、前記絶縁膜１８上に配向層４、液晶層５、配向層４、カラーフィルタ６、第二の基板７および偏光板８が積層している。そのため、画素電極と共通電極との最小離間距離ｄは、両電極位置、画素電極２１の櫛歯状部分の電極幅：ｌ、または画素電極２１の櫛歯状部分の間隙の幅：ｍで調整することができる。

図５のように、前記画素電極が前記共通電極より第二の基板側に突出し、かつ両者とも第一の基板上に並列して設けられていると、前記共通電極と前記画素電極との間で平面方向成分の電界を形成し、かつ画素電極の表面と共通電極の表面との厚み方向の高さが相違するため、厚み方向成分の電界（Ｅ）も同時にかけることができる。

なお、ＦＦＳ方式の液晶表示素子は、フリンジ電界を利用するものであり、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件であれば特に制限されることは無いため、例えば、図６に示すように、画素電極４１と共通電極４２とが第一の基板２上である同一面上に設けられており、櫛歯状の画素電極４１の複数の歯部および櫛歯状の共通電極４２の複数の歯部が離間して噛合した状態で設けられている構成であってもよい。この場合、共通電極４２の歯部と画素電極４１の歯部との離間距離を配向層同士の最短離間距離Ｇより長くすればＩＰＳ型液晶表示素子となり、共通電極４２の歯部と画素電極４１の歯部との離間距離を配向層同士の最短離間距離Ｇより短くすればフリンジ電界を利用したＦＦＳ型液晶表示素子とすることができる。
（薄膜トランジスタ）
図３及び図５に示す薄膜トランジスタは、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、且つ前記基板２の略全面を覆うように設けられたゲート絶縁層１２と、前記ゲート電極１１と対向するよう前記ゲート絶縁層１２の表面に形成された半導体層１３と、前記半導体層１１３の表面の一部を覆うように設けられた保護膜１４と、前記保護層１４および前記半導体層１３の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたドレイン電極１６と、前記保護膜１４および前記半導体層１３の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたソース電極１７と、前記ドレイン電極１６および前記ソース電極１７を覆うように設けられた絶縁保護層１８と、を有している。

さらに、図５に示す薄膜トランジスタは、画素電極２１および薄膜トランジスタ２０を覆うよう絶縁膜１８が形成されている。絶縁膜１８も酸化物半導体を用いる半導体層１３と液晶層５との間を隔てるため、酸化物半導体膜から脱離する酸素による液晶層への影響を減少することができる。

図１〜図５に示すＦＦＳ方式の液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む画素電極層（又は薄膜トランジスタ層とも称する）３と、配向膜４と、液晶組成物を含む層５と、配向膜４と、共通電極６と、カラーフィルタ６と、第２の基板７と、偏光板８と、が順次積層された構成である。

以下、実施例を挙げて本発明の最良の形態の一部を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ｎｉ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２５℃における屈折率異方性
Δε ：２５℃における誘電率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１ ：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ）
ｄ_ｇａｐ：セルの第一基板と第二基板のギャップ（μｍ）
ＶＨＲ ：７０℃における電圧保持率（％）
（セル厚３．５μｍのセルに液晶組成物を注入し、５Ｖ印加、フレームタイム２００ｍｓ、パルス幅６４μｓの条件で測定した時の測定電圧と初期印加電圧との比を％で表した値）
焼き付き ：
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。

◎残像無し、又は、ごく僅かに有るも問題ないレベル
○残像僅かに有るも許容できるレベル
△残像有り許容できないレベル
×残像有りかなり劣悪
透過率：
液晶表示素子における透過率は、液晶組成物注入前の素子の透過率を１００％として、液晶組成物注入後の素子の透過率を測定した際の値である。
（側鎖構造）
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
ｎ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１− 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシル基
ｎＯ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１Ｏ− 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシル基
−Ｖ −ＣＨ＝ＣＨ_２
Ｖ− ＣＨ_２＝ＣＨ−
−Ｖ１ −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３
１Ｖ− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−
−２Ｖ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_３
Ｖ２− ＣＨ_３＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−
−２Ｖ１ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３
１Ｖ２− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２
（環構造）
０ｄ３− ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−
−３ｄ０ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２
（連結構造）
−ＶＯ− −ＣＯＯ−
−ｎＯ− −Ｃ_ｎＨ_２ｎＯ−
−Ｔ− −Ｃ≡Ｃ−
−Ｎ− −ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−
（環構造）

（比較例１）
電極構造を第一及び第二の基板の少なくとも一方に作成し、各々の対向側に水平配向性の配向膜を形成したのち弱ラビング処理を行い、ＦＦＳセルを作成し、第一の基板と第二の基板の間に以下に示す液晶組成物１を挟持して、比較例１の液晶表示素子を作成し（ｄ_ｇａｐ＝３．０μｍ、配向膜ＡＬ−１０５１）（ｄ_ｇａｐ＝３．０μｍ）、そのＶＨＲ、及び透過率を測定した。また、得られた液晶表示素子の焼き付き評価を行った。液晶組成物の組成、その物性値、液晶表示素子のＶＨＲ、透過率及び焼き付き評価の結果を以下の表に示す。
（実施例１）
液晶組成物１：９９．８質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ａ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１Ａを調製した。

比較例１と同様な方法で、ＦＦＳセルを作成し、第一の基板と第二の基板の間に重合性液晶組成物１Ａを挟持したのちに、このセルに周波数１ｋＨｚの矩形波を印加しながら、３２０ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介して、高圧水銀灯により紫外線を照射した。セル表面の照射強度が１０ｍＷ／ｃｍ^２となるように調整して６００秒間照射して、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例２）
液晶組成物１：９９．７質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｂ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１Ｂを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１Ｂを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例３）
液晶組成物１：９９．７質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｃ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１Ｃを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１Ｃを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例４）
液晶組成物１：９９．７質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｄ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１Ｄを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１Ｄを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例５）
液晶組成物１：９９．７質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｅ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１Ｅを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１Ｅを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。

実施例１〜５の液晶表示素子は、比較例１と同等なＶＨＲを示し、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルを維持しつつ、高い透過率向上を実現することができた。
（比較例２、３）
比較例１と同様に以下の表に示す液晶組成物２、液晶組成物３をそれぞれ狭持し、比較例２、３の液晶表示素子を作成し、液晶表示素子のＶＨＲ、透過率及び焼き付き評価を行った。以下に結果を示す。
（実施例６）
液晶組成物２：９９．８質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｆ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物２Ｆを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物２Ｆを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例７）
液晶組成物２：９９．９質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｇ）で表される重合性化合物：０．１質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物２Ｇを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物２Ｇを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例８）
液晶組成物３：９９．８５質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｈ）で表される重合性化合物：０．１５質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物３Ｈを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物３Ｈを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例９）
液晶組成物３：９９．８５質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｉ）で表される重合性化合物：０．１５質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物３Ｉを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物３Ｉを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。

実施例６〜９の液晶表示素子は、比較例２、３と同等なＶＨＲを示し、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルを維持しつつ、高い透過率向上を実現することができた。
（比較例４、５）
比較例１と同様に以下の表に示す液晶組成物４、液晶組成物５をそれぞれ狭持し、比較例４、５の液晶表示素子を作成し、液晶表示素子のＶＨＲ、透過率及び焼き付き評価を行った。以下に結果を示す。
（実施例１０）
液晶組成物４：９９．８質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ａ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物４Ａを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物４Ａを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例１１）
液晶組成物４：９９．７質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｂ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物４Ｂを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物４Ｂを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例１２）
液晶組成物５：９９．７質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｃ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物５Ｃを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物５Ｃを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例１３）
液晶組成物５：９９．８質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｆ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物５Ｆを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物５Ｆを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。

実施例１０〜１３の液晶表示素子は、比較例４、５と同等なＶＨＲを示し、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルを維持しつつ、高い透過率向上を実現することができた。
（比較例６）
比較例１と同様に以下の表に示す液晶組成物６をそれぞれ狭持し、比較例６の液晶表示素子を作成し、液晶表示素子のＶＨＲ、透過率及び焼き付き評価を行った。以下に結果を示す。
（実施例１４）
液晶組成物６：９９．８質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ａ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物６Ａを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物６Ａを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例１５）
液晶組成物６：９９．７質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｂ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物６Ｂを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物６Ｂを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。

実施例１４、１５の液晶表示素子は、比較例６と同等なＶＨＲを示し、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルを維持しつつ、比較例と比べ特に高い透過率向上を実現することができた。
（比較例７）
比較例１と同様に以下の表に示す液晶組成物７をそれぞれ狭持し、比較例７の液晶表示素子を作成し、液晶表示素子のＶＨＲ、透過率及び焼き付き評価を行った。以下に結果を示す。
（実施例１６）
液晶組成物７：９９．７質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｃ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物７Ｃを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物７Ｃを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例１７）
液晶組成物７：９９．７質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｄ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物７Ｄを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物７Ｄを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例１８）
液晶組成物７：９９．８質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｆ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物７Ｆを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物７Ｆを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。

実施例１６〜１８の液晶表示素子は、比較例７と同等なＶＨＲを示し、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルを維持しつつ、比較例と比べ特に高い透過率向上を実現することができた。
（比較例８、９）
比較例１と同様に以下の表に示す液晶組成物８、液晶組成物９をそれぞれ狭持し、比較例８、９の液晶表示素子を作成し、液晶表示素子のＶＨＲ、透過率及び焼き付き評価を行った。以下に結果を示す。
（実施例１９）
液晶組成物８：９９．８質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ａ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物８Ａを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物８Ａを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例２０）
液晶組成物８：９９．７質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｂ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物８Ｂを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物８Ｂを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例２１）
液晶組成物９：９９．８質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ａ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物９Ａを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物９Ａを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例２２）
液晶組成物９：９９．７質量％に対して、上記一般式（ＩＶ−Ｃ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物９Ｃを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物９Ｃを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。

実施例１９〜２２の液晶表示素子は、比較例８、９と同等なＶＨＲを示し、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルを維持しつつ、高い透過率向上を実現することができた。
（比較例１０）
比較例１と同様に以下の表に示す液晶組成物１０をそれぞれ狭持し、比較例１０の液晶表示素子を作成し、液晶表示素子のＶＨＲ、透過率及び焼き付き評価を行った。以下に結果を示す。
（実施例２３）
液晶組成物１０：９９．８質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ａ）で表される重合性化合物：０．２質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１０Ａを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１０Ａを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例２４）
液晶組成物１０：９９．７質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｂ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１０Ｂを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１０Ｂを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例２５）
液晶組成物１０：９９．７質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｃ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１０Ｃを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１０Ｃを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例２６）
液晶組成物１０：９９．７質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｄ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１０Ｄを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１０Ｄを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。
（実施例２７）
液晶組成物１０：９９．７質量％に対して、下記一般式（ＩＶ−Ｅ）で表される重合性化合物：０．３質量％添加し均一溶解することにより重合性液晶組成物１０Ｅを調製した。

実施例１と同一な方法で、ＦＦＳセルを作成し、重合性液晶組成物１０Ｅを挟持し、紫外線を照射し、重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させ液晶表示素子を作成し、ＶＨＲ、透過率、及び、焼き付き性を測定した。

実施例２３〜２７の液晶表示素子は、比較例１０と同等なＶＨＲを示し、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルを維持しつつ、非常に高い透過率向上を実現することができた。

Claims (14)

1. 基板上に絶縁層を介して形成された画素電極及び共通電極を有する第一の基板と、第二の基板とからなる一対の基板の間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持した液晶表示素子であって、該液晶層中には、一つの反応性基を有する重合性化合物及び/又は二つ以上の反応性基を有する重合性化合物の重合体である硬化物を含有し、該液晶組成物が負の誘電率異方性を有し、
   下記一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）
   

   

   （式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ３１、Ａ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ４１、Ａ^ＬＣ４２、Ａ^ＬＣ５１及びＡ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
   

   

   （該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はＣｌ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ３１、Ｚ^ＬＣ３２、Ｚ^ＬＣ４１、Ｚ^ＬＣ４２、Ｚ^ＬＣ５１及びＺ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｚ^５はＣＨ_２基又は酸素原子を表し、Ｘ^ＬＣ４１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ＬＣ３１、ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１、ｍ^ＬＣ４２、ｍ^ＬＣ５１及びｍ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して０〜３を表し、ｍ^ＬＣ３１＋ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１＋ｍ^ＬＣ４２及びｍ^ＬＣ５１＋ｍ^ＬＣ５２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２、Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される負の誘電率異方性を有する化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、
   及び、下記一般式（Ｌ）
   

   

   （式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
   ＯＬは０、１、２又は３を表し、
   Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
   Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
   ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、ただし、一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で表される化合物を除く。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する液晶表示素子。
2. 前記一般式（Ｌ）で表される化合物として、下記一般式（ＩＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合二つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物を１種または２種以上含有する請求項１記載の液晶表示素子。
3. 前記一般式（ＬＣ３）で表される化合物として、一般式（ＬＣ３−１）
   

   

   （式中、Ｒ^３１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｚ^３１〜Ｚ^３３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物を1種または２種以上の化合物を含有する請求項１、又は請求項２に記載の液晶表示素子。
4. 前記一般式（ＬＣ３）で表される化合物として、次の一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）
   

   

   （式中、Ｒ^7a1及びＲ^7a2、Ｒ^8a1及びＲ^8a2はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
   ｎ^a2は０又は１を表し、Ａ^1a2は1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン−2,5−ジイル基を表し、一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）中の1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも1種類の化合物を含有する請求項３に記載の液晶表示素子。
5. 前記第一基板及び第二基板において前記液晶層と接触する面に配向膜を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
6. 該配向膜が、概直線偏光の照射により配向制御能を付与した配向制御膜である請求項５記載の液晶表示素子。
7. 該配向膜が、ポリイミド構造を含む請求項５記載の液晶表示素子。
8. 前記の一つの反応性基を有する重合性化合物が、下記一般式（ＩＩＩ）
   

   

   （式中、Ｘ^３は、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^３は、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−（式中、ｔは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｖは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、Ｗは水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜８のアルキレン基を表す。）で表される重合性化合物であり、
   前記二つ以上の反応性基を有する重合性化合物が、下記一般式（ＩＶ）
   

   

   （式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、ｋは１〜５の整数を表す。）で表される重合性化合物である請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
9. 滴下法により製造された請求項１〜８いずれか一項に記載の液晶表示素子。
10. 基材上に第一の基板と、基板上に絶縁層を介して形成された画素電極及び共通電極を有する第二の基板とからなる一対の基板の間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持した液晶表示素子の製造方法であって、該液晶層中には、一つの反応性基を有する重合性化合物及び/又は二つ以上の反応性基を有する重合性化合物の重合体である硬化物を含有し、該液晶組成物が負の誘電率異方性を有し、
    下記一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）
    

    

    （式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ３１、Ａ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ４１、Ａ^ＬＣ４２、Ａ^ＬＣ５１及びＡ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
    

    

    （該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はＣｌ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ３１、Ｚ^ＬＣ３２、Ｚ^ＬＣ４１、Ｚ^ＬＣ４２、Ｚ^ＬＣ５１及びＺ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｚ^５はＣＨ_２基又は酸素原子を表し、Ｘ^ＬＣ４１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ＬＣ３１、ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１、ｍ^ＬＣ４２、ｍ^ＬＣ５１及びｍ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して０〜３を表し、ｍ^ＬＣ３１＋ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１＋ｍ^ＬＣ４２及びｍ^ＬＣ５１＋ｍ^ＬＣ５２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２、Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される負の誘電率異方性を有する化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、
    及び、下記一般式（Ｌ）
    

    

    （式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
    ＯＬは０、１、２又は３を表し、
    Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
    （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
    （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
    からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
    Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
    ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、ただし、一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で表される化合物を除く。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有するものであり、外場により該液晶組成物中の液晶分子を配向された状態で、活性エネルギー線を照射することにより、該一つの反応性基を有する重合性化合物及び/又は二つ以上の反応性基を有する重合性化合物を硬化させることにより配向状態を固定することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
11. 前記一般式（Ｌ）で表される化合物として、下記一般式（ＩＩ）
    

    

    （式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合二つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物を１種または２種以上を含有する請求項１０記載の液晶表示素子の製造方法。
12. 前記一般式（ＬＣ３）で表される化合物として、一般式（ＬＣ３−１）
    

    

    （式中、Ｒ^３１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｚ^３１〜Ｚ^３３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）
    で表される化合物を1種または２種以上の化合物を含有する請求項１０又は請求項１１に記載の液晶表示素子の製造方法。
13. 前記一般式（ＬＣ３）で表される化合物として次の一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）
    

    

    （式中、Ｒ^7a1及びＲ^7a2、Ｒ^8a1及びＲ^8a2はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
    ｎ^a2は０又は１を表し、Ａ^1a2は1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン−2,5−ジイル基を表し、一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）中の1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも1種類の化合物を含有する請求項１２に記載の液晶表示素子の製造方法。
14. 活性エネルギー線が紫外線であり、その強度が２ｍＷ／ｃｍ^−２〜１００ｍＷ／ｃｍ^−２であり、照射総エネルギー量が１０Ｊ〜３００Ｊである請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の液晶表示素子の製造方法。

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