JPWO2015015823A1 - バルントランス - Google Patents

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Abstract

バランス特性の向上を図ることができるバルントランスを提供することである。不平衡信号が入力される入力端子（１４ａ）と、前記入力端子（１４ａ）に接続されている第１の信号線路（Ｌ１）を少なくとも含み、前記不平衡信号を平衡信号に変換する変換部（１１）と、前記第１の信号線路（Ｌ１）に接続されている第１の出力端子（１４ｂ）と、前記第１の出力端子（Ｌ１）と共に前記平衡信号が出力される第２の出力端子（１４ｃ）と、前記入力端子（１４ａ）と前記第２の出力端子（１４ｃ）との間に接続されているコンデンサ（Ｃ）と、を備えていること、を特徴とするバルントランス（１０ａ）。

Description

本発明は、バルントランスに関し、不平衡信号を平衡信号に変換するバルントランスに関する。
従来のバルントランスに関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層型トランス部品が知られている。特許文献１に記載の積層型トランス部品は、不平衡信号を平衡信号に変換して出力する。このような積層型トランス部品では、平衡信号のバランス特性の向上が望まれている。
国際公開第２００８／１０５２１３号パンフレット
そこで、本発明の目的は、バランス特性の向上を図ることができるバルントランスを提供することである。
本発明の一形態に係るバルントランスは、不平衡信号が入力される入力端子と、前記入力端子に接続されている第１の信号線路を少なくとも含み、前記不平衡信号を平衡信号に変換する変換部と、前記第１の信号線路に接続されている第１の出力端子と、前記第１の出力端子と共に前記平衡信号が出力される第２の出力端子と、前記入力端子と前記第２の出力端子との間に接続されているコンデンサと、を備えていること、を特徴とする。
本発明によれば、バランス特性の向上を図ることができる。
一実施形態に係るバルントランスの回路図である。 第１の実施形態に係るバルントランスの外観斜視図である。 第１の実施形態に係るバルントランスの積層体の分解斜視図である。 周波数と位相との関係を示したグラフである。 周波数と振幅比との関係を示したグラフである。 周波数と振幅比との関係を示したグラフである。 第１の変形例に係るバルントランスの積層体の分解斜視図である。 第２の変形例に係るバルントランスの回路図である。 第２の変形例に係るバルントランスの積層体の分解斜視図である。 第３の変形例に係るバルントランスの積層体の分解斜視図である。 第４の変形例に係るバルントランスの回路図である。 第４の変形例に係るバルントランスの積層体の分解斜視図である。 第５の変形例に係るバルントランスの積層体の分解斜視図である。 第６の変形例に係るバルントランスの積層体の分解斜視図である。
（バルントランスの構成）
以下に、一実施形態に係るバルントランスについて図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係るバルントランス１０ａの回路図である。
バルントランス１０ａは、図１に示すように、変換部１１、コンデンサＣ及び外部端子１４ａ〜１４ｄを備えている。変換部１１は、信号線路Ｌ１，Ｌ２を含んでいる。
信号線路Ｌ１は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。信号線路Ｌ２は、外部端子１４ｃと外部端子１４ｄとの間に接続されている。また、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ２とは、互いに電磁気的に結合している。また、コンデンサＣは、外部端子１４ａと外部端子１４ｃとの間に接続されている。
以上のように構成されたバルントランス１０ａでは、外部端子１４ａは、非平衡信号が入力される入力端子である。外部端子１４ｂ，１４ｃは、平衡信号が出力される出力端子である。外部端子１４ｄは、接地されるグランド端子である。
次に、バルントランス１０ａの具体的構成について図面を参照しながら説明する。図２は、第１の実施形態に係るバルントランス１０ａの外観斜視図である。図３は、第１の実施形態に係るバルントランス１０ａの積層体１２の分解斜視図である。以下では、バルントランス１０ａの積層方向を上下方向と定義し、バルントランス１０ａを上側から平面視したときに、長辺が延在している方向を左右方向と定義し、短辺が延在している方向を前後方向と定義する。
バルントランス１０ａは、図２及び図３に示すように、変換部１１、積層体１２、外部端子１４ａ〜１４ｆ及びコンデンサＣを備えている。
積層体１２は、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されており、直方体状をなしている。絶縁体層１６ａ〜１６ｇは、矩形状をなしており、誘電体材料により作製されている。誘電体材料としては、例えば、Ｂａ-Ａｌ-Ｓｉ系の誘電体セラミックス材料が挙げられる。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｇの上側の面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｇの下側の面を裏面と呼ぶ。
外部端子１４ａは入力端子である。外部端子１４ｂ，１４ｃは出力端子である。外部端子１４ｄ〜１４ｆはグランド端子である。外部端子１４ｃ，１４ｄ，１４ｅは、積層体１２の前側の側面に設けられており、左側から右側へとこの順に並ぶように設けられている。外部端子１４ｂ，１４ｆ，１４ａは、積層体１２の後ろ側の側面に設けられており、左側から右側へとこの順に並ぶように設けられている。また、外部端子１４ａ〜１４ｆは、上下方向に延在しており、両端において上面及び下面に折り返されている。
変換部１１は、前記の通り、信号線路Ｌ１，Ｌ２を含んでいる。また、信号線路Ｌ１は、図３に示すように、コイル導体１８ａ、引き出し導体２２，２４及びビアホール導体ｖ１，ｖ２により構成されている。コイル導体１８ａは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。
引き出し導体２２は、絶縁体層１６ｅの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２２の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａの外周側の端部と重なっている。引き出し導体２２の他端は、外部端子１４ａに接続されている。ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体１８ａの外周側の端部と引き出し導体２２の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ１は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。
引き出し導体２４は、絶縁体層１６ｅの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２４の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａの内周側の端部と重なっている。引き出し導体２４の他端は、外部端子１４ｂに接続されている。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体１８ａの内周側の端部と引き出し導体２４の一端とを接続している。
信号線路Ｌ２は、図３に示すように、コイル導体２０ａ、引き出し導体２６，２８及びビアホール導体ｖ３，ｖ４により構成されている。コイル導体２０ａは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。また、コイル導体２０ａは、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａと重なっている。すなわち、コイル導体１８ａとコイル導体２０ａとは、絶縁体層１６ｃを介して対向している。これにより、コイル導体１８ａとコイル導体２０ａとが電磁気的に結合している。
引き出し導体２６は、絶縁体層１６ｂの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２６の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体２０ａの外周側の端部と重なっている。引き出し導体２６の他端は、外部端子１４ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通しており、コイル導体２０ａの外周側の端部と引き出し導体２６の一端とを接続している。
引き出し導体２８は、絶縁体層１６ｂの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２８の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体２０ａの内周側の端部と重なっている。引き出し導体２８の他端は、外部端子１４ｃに接続されている。ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通しており、コイル導体２０ａの内周側の端部と引き出し導体２８の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ２は、外部端子１４ｃと外部端子１４ｄとの間に接続されている。
コンデンサＣは、コンデンサ導体４０，４２により構成されている。コンデンサ導体４０は、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、矩形状をなしている。また、コンデンサ導体４０は、外部端子１４ａに接続されている。
コンデンサ導体４２は、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、矩形状をなしている。また、コンデンサ導体４２は、外部端子１４ｃに接続されている。コンデンサ導体４０とコンデンサ導体４２とは、絶縁体層１６ｆを介して対向している。これにより、コンデンサ導体４０とコンデンサ導体４２との間には容量が形成されている。よって、コンデンサＣは、外部端子１４ａと外部端子１４ｃとの間に接続されている。
（効果）
以上のように構成されたバルントランス１０ａによれば、バランス特性の向上を図ることができる。より詳細には、バルントランス１０ａでは、外部端子１４ａを介して不平衡信号が入力され、外部端子１４ｂ，１４ｃを介して平衡信号が出力される。以下では、外部端子１４ａから入力される信号を入力信号と呼ぶ。また、外部端子１４ｂから出力される信号を第１の出力信号と呼び、外部端子１４ｃから出力される信号を第２の出力信号と呼ぶ。
外部端子１４ａを介して入力された入力信号は、信号線路Ｌ１及びコンデンサＣに入力する。信号線路Ｌ１に入力された不平衡信号である入力信号は、変換部１１において平衡信号に変換される。より詳細には、信号線路Ｌ１は、コイル導体１８ａを含んでいる。コイル導体１８ａは、通過する信号の電圧の位相に対して９０°の遅れを発生させる。よって、信号線路Ｌ１から出力される信号（すなわち、第１の出力信号）の電圧の位相は、入力信号の電圧の位相に対して９０°だけ遅れている。
また、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ２とは、電磁気的に結合しているので、これらの間において電磁誘導が発生する。そのため、信号線路Ｌ１から出力される信号の電圧の位相と信号線路Ｌ２から出力される信号の電圧の位相とは、１８０°だけ異なっている。すなわち、信号線路Ｌ１から出力される信号の電圧の位相は、入力信号の電圧の位相に対して９０°だけ遅れており、信号線路Ｌ２から出力される信号の電圧の位相は、入力信号の電圧の位相に対して２７０°だけ遅れて（９０°だけ進んで）いる。
一方、コンデンサＣに入力された入力信号は、コンデンサＣを通過した後に、信号線路Ｌ２から出力される信号に合流する。ここで、コンデンサＣは、通過する信号の電圧の位相に対して９０°の進みを発生させる。よって、コンデンサＣを通過した信号の電圧の位相は、入力信号の電圧の位相に対して９０°だけ進んでいる。すなわち、コンデンサＣを通過した信号の電圧の位相は、信号線路Ｌ２から出力される信号の位相と同じである。これにより、外部端子１４ｃから出力される第２の出力信号の振幅が大きくなる。すなわち、バルントランス１０ａによれば、第２の出力信号の振幅を第１の出力信号の振幅に近づけることが容易となり、バランス特性を向上させることができる。
また、バルントランス１０ａは、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが誘電体材料により作製されているので、２ＧＨｚ以上の高周波帯域を含んだ広帯域（例えば、７００ＭＨｚ〜２.７ＧＨｚ）において用いることができる。より詳細には、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが磁性体材料により作製されている場合には、入力信号が２ＧＨz以上の周波数を有する高周波信号になると、絶縁体層１６ａ〜１６ｇの比透磁率が急激に低下して１に近づいてしまう。そのため、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ２とを十分に電磁気的に結合させることができなくなり、第２の出力信号の振幅が低下してしまう。すなわち、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが磁性体材料により作製されたバルントランス１０ａでは、２ＧＨzの高周波帯域においてバランス特性が急激に悪化する。よって、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが磁性体材料により作製されたバルントランス１０ａは、２ＧＨｚ以上の高周波帯域を含んだ広帯域（例えば、７００ＭＨｚ〜２.７ＧＨｚ）において用いられる場合には、周波数帯域によってバランス特性が大きく変動してしまうという問題を有している。
そこで、バルントランス１０ａでは、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが誘電体材料により作製されている。誘電体材料は、磁性体材料に比べて、周波数帯域によって比透磁率が変動しにくいだけでなく、比透磁率が小さい。よって、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが誘電体材料により作製されたバルントランス１０ａが２ＧＨｚ以上の高周波帯域を含んだ広帯域（例えば、７００ＭＨｚ〜２.７ＧＨｚ）において用いられる場合に、周波数帯域によってバランス特性が変動しにくい。従って、絶縁体層１６ａ〜１６ｇの比透磁率が小さくなるので、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ２とを十分に電磁気的に結合させることができなくなる。そのため、第２の出力信号の振幅が低下してしまう。ただし、コンデンサＣは、外部端子１４ａと外部端子１４ｃとの間に設けられている。これにより、第２の出力信号の振幅が第１の出力信号の振幅に近づくようになる。以上より、バルントランス１０ａは、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが誘電体材料により作製されているので、２ＧＨｚ以上の高周波帯域を含んだ広帯域（例えば、７００ＭＨｚ〜２.７ＧＨｚ）において用いることができる。ただし、このことは、絶縁体層１６ａ〜１６ｇが磁性体材料により作製されることを妨げるものではない。
また、特許文献１に記載の積層型トランス部品では、１次側コイルと２次側コイルとの間の電磁気的な結合を強くするために、例えば、フォトリソグラフィにより細い１次側コイル及び２次側コイルを形成している。ただし、フォトリソグラフィにより１次側コイル及び２次側コイルを形成すると、製造工程が複雑化し、積層型トランス部品の製造コストが高騰してしまう。
一方、本実施形態に係るバルントランス１０ａでは、外部端子１４ａと外部端子１４ｃとの間にコンデンサＣを備えているため、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ２との電磁気的な結合が比較的に弱くても、優れたバランス特性を得ることができる。よって、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ２とを強く電磁気的に結合させるために、これらをフォトリソグラフにより形成する必要がない。すなわち、スクリーン印刷により導体が塗布されたグリーンシートを積層して、バルントランス１０ａを作製することができる。その結果、バルントランス１０ａの製造コストを低減できる。ただし、このことは、バルントランス１０ａの信号線路Ｌ１，Ｌ２がフォトリソグラフィにより形成されることを妨げない。
（シミュレーション）
本願発明者は、バルントランス１０ａが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、図１に示すバルントランス１０ａの第１のモデルと、図１に示すバルントランス１０ａからコンデンサＣを取り除いた第２のモデルとを作成した。そして、第１のモデル及び第２のモデルのバランス特性を演算した。ここでのバランス特性は、第１の出力信号の振幅と第２の出力信号の振幅との差（以下、単に振幅差と呼ぶ）、及び、第１の出力信号の電圧の位相と第２の出力信号の電圧の位相との差（以下、単に位相差と呼ぶ）である。バランス特性が良好であるとは、振幅差が０ｄＢに近いこと、及び、位相差が１８０°に近いことを意味する。
図４は、周波数と位相との関係を示したグラフである。縦軸は位相を示し、横軸は周波数を示す。図５は、周波数と振幅との関係を示したグラフである。縦軸は振幅比を示し、横軸は周波数を示す。
図４において、実線Ｓ１は、第１のモデルにおける第１の出力信号の電圧の位相を示している。実線Ｓ２は、第１のモデルにおける第２の出力信号の電圧の位相を示している。点線Ｓ３は、第２のモデルにおける第１の出力信号の電圧の位相を示している。点線Ｓ４は、第２のモデルにおける第２の出力信号の電圧の位相を示している。
実線Ｓ１と実線Ｓ２との位相差は、図４に示すように、点線Ｓ３と点線Ｓ４との位相差と同様に、周波数が変動しても略１８０°に保たれていることが分かる。よって、バルントランス１０ａは、位相差において優れたバランス特性を有していることが分かる。
また、図５において、実線Ｓ５は、第１のモデルにおける入力信号の振幅に対する第１の出力信号の振幅の比の値を示している。実線Ｓ６は、第１のモデルにおける入力信号の振幅に対する第２の出力信号の振幅の比の値を示している。点線Ｓ７は、第２のモデルにおける入力信号の振幅に対する第１の出力信号の振幅の比の値を示している。点線Ｓ８は、第２のモデルにおける入力信号の振幅に対する第２の出力信号の振幅の比の値を示している。
図５によれば、第１のモデルの実線Ｓ６は、第２のモデルの点線Ｓ８よりも上側に位置している。すなわち、第１のモデルの第２の出力信号の振幅が第２のモデルの第２の出力信号の振幅よりも大きくなっていることが分かる。すなわち、コンデンサＣが設けられることにより、第１のモデルでは第２のモデルよりも第２の出力信号の振幅が大きくなることが分かる。
一方、第１のモデルの実線Ｓ５は、第２のモデルの点線Ｓ７よりも下側に位置している。すなわち、第１のモデルの第１の出力信号の振幅が第２のモデルの第１の出力信号の振幅よりも小さくなっていることが分かる。すなわち、コンデンサＣが設けられることにより、第１のモデルでは、第２の出力信号の振幅が大きくなった分だけ、第１の出力信号の振幅が小さくなっていることが分かる。これにより、第１の出力信号の振幅と第２の出力信号の振幅とを近づけることが可能となる。以上より、バルントランス１０ａは、振幅差において優れたバランス特性を有していることが分かる。
次に、本願発明者は、コンデンサＣの適切な大きさを調べるために以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、第１のモデルにおいて、コンデンサＣの容量を０ｐＦ、０．１６ｐＦ、０．２ｐＦ、０．２５ｐＦ、０．３２ｐＦに変化させて、周波数と振幅比との関係を演算した。振幅比とは、第２の出力信号の振幅に対する第１の出力信号の振幅の比の値である。なお、シミュレーションにおいて、コイル導体１８ａとコイル導体２０ａとの上下方向（積層方向）の間隔を２５μｍとした。図６は、周波数と振幅比との関係を示したグラフである。縦軸は振幅比を示し、横軸は周波数を示す。
実線Ｓ１１は、コンデンサＣが０ｐＦである場合の周波数と振幅比との関係である。実線Ｓ１２は、コンデンサＣが０．１６ｐＦである場合の周波数と振幅比との関係である。実線Ｓ１３は、コンデンサＣが０．２ｐＦである場合の周波数と振幅比との関係である。実線Ｓ１４は、コンデンサＣが０．２５ｐＦである場合の周波数と振幅比との関係である。実線Ｓ１５は、コンデンサＣが０．３２ｐＦである場合の周波数と振幅比との関係である。
図６によれば、コンデンサＣの容量が大きくなるにしたがって、振幅比が小さくなっていることが分かる。すなわち、コンデンサＣの容量が大きくなるにしたがって、第１の出力信号の振幅が小さくなり、第２の出力信号の振幅が大きくなっていることが分かる。ここで、バルントランス１０ａでは、７００ＭＨｚ〜２.７ＧＨｚの周波数帯域において、振幅比が±１．５ｄＢ以下に収まっていることが望ましい。よって、コンデンサＣの容量は、図６によれば、０．２４ｐＦ±３０％（０．０８ｐＦ）であることが望ましい。
（第１の変形例）
次に、第１の変形例に係るバルントランス１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図７は、第１の変形例に係るバルントランス１０ｂの積層体１２の分解斜視図である。バルントランス１０ｂの回路構成は、バルントランス１０ａの回路構成と同じであるので、図１を援用する。また、バルントランス１０ｂの外観斜視図は、バルントランス１０ａの外観斜視図と同じであるので、図２を援用する。
バルントランス１０ｂは、絶縁体層１６ｈ，１６ｉ、コイル導体１８ｂ，２０ｂ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１４を備えている点において、バルントランス１０ａと相違する。
絶縁体層１６ｈ，１６ｉは、絶縁体層１６ｃと絶縁体層１６ｄとの間に設けられている。コイル導体１８ｂは、絶縁体層１６ｉの表面上に設けられており、コイル導体１８ａと同じ形状を有している。ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｉを上下方向に貫通しており、コイル導体１８ａの外周側の端部とコイル導体１８ｂの外周側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｉを上下方向に貫通しており、コイル導体１８ａの内周側の端部とコイル導体１８ｂの内周側の端部とを接続している。これにより、コイル導体１８ａとコイル導体１８ｂとは並列接続されている。
コイル導体２０ｂは、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられており、コイル導体２０ａと同じ形状を有している。ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｃを上下方向に貫通しており、コイル導体２０ａの外周側の端部とコイル導体２０ｂの外周側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｃを上下方向に貫通しており、コイル導体２０ａの内周側の端部とコイル導体２０ｂの内周側の端部とを接続している。これにより、コイル導体２０ａとコイル導体２０ｂとは並列接続されている。
以上のように構成されたバルントランス１０ｂによれば、バルントランス１０ａと同様に、バランス特性の向上を図ることができる。
また、バルントランス１０ｂでは、コイル導体１８ａとコイル導体１８ｂとが並列接続されているので、信号線路Ｌ１の直流抵抗が低減される。同様に、コイル導体２０ａとコイル導体２０ｂとが並列接続されているので、信号線路Ｌ２の直流抵抗が低減される。これにより、バルントランス１０ｂの通過特性が向上する。
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係るバルントランスについて図面を参照しながら説明する。図８は、第２の変形例に係るバルントランス１０ｃの回路図である。
バルントランス１０ｃは、図８に示すように、変換部１１、コンデンサＣ及び外部端子１４ａ〜１４ｃ，１４ｆを備えている。変換部１１は、信号線路Ｌ１〜Ｌ４を含んでいる。
信号線路Ｌ１は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。信号線路Ｌ２は、外部端子１４ｃと外部端子１４ｆとの間に接続されている。信号線路Ｌ３は、外部端子１４ａと外部端子１４ｆとの間に接続されている。これにより、信号線路Ｌ１の一端と信号線路Ｌ３の一端とが接続されている。また、信号線路Ｌ４は、外部端子１４ｆと外部端子１４ｆとの間に接続されている。これにより、信号線路Ｌ２の一端と信号線路Ｌ４の一端とが接続されている。
また、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ４とは、互いに電磁気的に結合している。信号線路Ｌ２と信号線路Ｌ３とは、互いに電磁気的に結合している。また、コンデンサＣは、外部端子１４ａと外部端子１４ｃとの間に接続されている。
以上のように構成されたバルントランス１０ｃでは、外部端子１４ａは、非平衡信号が入力される入力端子である。外部端子１４ｂ，１４ｃは、平衡信号が出力される出力端子である。外部端子１４ｆは、接地されるグランド端子である。
次に、バルントランス１０ｃの具体的構成について図面を参照しながら説明する。図９は、第２の変形例に係るバルントランス１０ｃの積層体１２の分解斜視図である。バルントランス１０ｃの外観斜視図は、バルントランス１０ａの外観斜視図と同じであるので図２を援用する。
バルントランス１０ｃは、図２及び図９に示すように、変換部１１、積層体１２、外部端子１４ａ〜１４ｆ及びコンデンサＣを備えている。
積層体１２は、絶縁体層１６ａ〜１６ｋが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されており、直方体状をなしている。絶縁体層１６ａ〜１６ｋは、長方形状をなしており、誘電体材料により作製されている。誘電体材料としては、例えば、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ系の誘電体セラミックが挙げられる。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの上側の面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの下側の面を裏面と呼ぶ。
バルントランス１０ｃの外部端子１４ａ〜１４ｆは、バルントランス１０ａの外部端子１４ａ〜１４ｆと同じであるので説明を省略する。
変換部１１は、前記の通り、信号線路Ｌ１〜Ｌ４を含んでいる。また、信号線路Ｌ１は、図９に示すように、コイル導体１８ａ、引き出し導体２２，２４及びビアホール導体ｖ１，ｖ２により構成されている。コイル導体１８ａは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。
引き出し導体２２は、絶縁体層１６ｅの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２２の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａの外周側の端部と重なっている。引き出し導体２２の他端は、外部端子１４ａに接続されている。ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体１８ａの外周側の端部と引き出し導体２２の一端とを接続している。
引き出し導体２４は、絶縁体層１６ｅの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２４の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａの内周側の端部と重なっている。引き出し導体２４の他端は、外部端子１４ｂに接続されている。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体１８ａの内周側の端部と引き出し導体２４の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ１は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。
信号線路Ｌ４は、図９に示すように、コイル導体５２、引き出し導体７１，７２及びビアホール導体ｖ２７，ｖ２８により構成されている。コイル導体５２は、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。また、コイル導体５２は、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａと重なっている。すなわち、コイル導体１８ａとコイル導体５２とは、絶縁体層１６ｃを介して対向している。これにより、コイル導体１８ａとコイル導体５２とが電磁気的に結合している。
引き出し導体７１は、絶縁体層１６ｂの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体７１の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体５２の外周側の端部と重なっている。引き出し導体７１の他端は、外部端子１４ｆに接続されている。ビアホール導体ｖ２７は、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通しており、コイル導体５２の外周側の端部と引き出し導体７１の一端とを接続している。
引き出し導体７２は、絶縁体層１６ｂの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体７２の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体５２の内周側の端部と重なっている。引き出し導体７２の他端は、外部端子１４ｆに接続されている。ビアホール導体ｖ２８は、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通しており、コイル導体５２の内周側の端部と引き出し導体７２の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ４は、外部端子１４ｆと外部端子１４ｆとの間に接続されている。
信号線路Ｌ２は、図９に示すように、コイル導体２０ａ、引き出し導体２６，２８及びビアホール導体ｖ３，ｖ４により構成されている。コイル導体２０ａは、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。
引き出し導体２６は、絶縁体層１６ｆの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２６の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体２０ａの外周側の端部と重なっている。引き出し導体２６の他端は、外部端子１４ｆに接続されている。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｆを上下方向に貫通しており、コイル導体２０ａの外周側の端部と引き出し導体２６の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ２は、外部端子１４ｃと外部端子１４ｆとの間に接続されている。
引き出し導体２８は、絶縁体層１６ｆの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２８の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体２０ａの内周側の端部と重なっている。引き出し導体２８の他端は、外部端子１４ｃに接続されている。ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｆを上下方向に貫通しており、コイル導体２０ａの内周側の端部と引き出し導体２８の一端とを接続している。
信号線路Ｌ３は、図９に示すように、コイル導体５０、引き出し導体６８，７０及びビアホール導体ｖ２５，ｖ２６により構成されている。コイル導体５０は、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。また、コイル導体５０は、上側から平面視したときに、コイル導体２０ａと重なっている。すなわち、コイル導体２０ａとコイル導体５０とは、絶縁体層１６ｇを介して対向している。これにより、コイル導体２０ａとコイル導体５０とが電磁気的に結合している。
引き出し導体６８は、絶縁体層１６ｉの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体６８の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体５０の外周側の端部と重なっている。引き出し導体６８の他端は、外部端子１４ａに接続されている。ビアホール導体ｖ２５は、絶縁体層１６ｈを上下方向に貫通しており、コイル導体５０の外周側の端部と引き出し導体６８の一端とを接続している。
引き出し導体７０は、絶縁体層１６ｉの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体７０の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体５０の内周側の端部と重なっている。引き出し導体７０の他端は、外部端子１４ｆに接続されている。ビアホール導体ｖ２６は、絶縁体層１６ｈを上下方向に貫通しており、コイル導体５０の内周側の端部と引き出し導体７０の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ３は、外部端子１４ａと外部端子１４ｆとの間に接続されている。
コンデンサＣは、コンデンサ導体４０，４２により構成されている。コンデンサ導体４０は、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられており、矩形状をなしている。また、コンデンサ導体４０は、外部端子１４ａに接続されている。
コンデンサ導体４２は、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられており、矩形状をなしている。また、コンデンサ導体４２は、外部端子１４ｃに接続されている。コンデンサ導体４０とコンデンサ導体４２とは、絶縁体層１６ｊを介して対向している。これにより、コンデンサ導体４０とコンデンサ導体４２との間には容量が形成されている。よって、コンデンサＣは、外部端子１４ａと外部端子１４ｃとの間に接続されている。
以上のように構成されたバルントランス１０ｃによれば、バルントランス１０ａと同様に、バランス特性の向上を図ることができる。
また、バルントランス１０ｃでは、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ４とを電磁気的に結合させ、信号線路Ｌ２と信号線路Ｌ３とを電磁気的に結合させることによって、インピーダンス変換を行うことができる。より詳細には、バルントランス１０ｃでは、出力側の特性インピーダンスを入力側の特性インピーダンスの４倍に設定することができる。
（第３の変形例）
次に、第３の変形例に係るバルントランス１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１０は、第３の変形例に係るバルントランス１０ｄの積層体１２の分解斜視図である。バルントランス１０ｄの回路構成は、バルントランス１０ｃの回路構成と同じであるので、図８を援用する。また、バルントランス１０ｄの外観斜視図は、バルントランス１０ａの外観斜視図と同じであるので、図２を援用する。
バルントランス１０ｄは、信号線路Ｌ１〜Ｌ４の配置においてバルントランス１０ｃと相違する。より詳細には、バルントランス１０ｃでは、信号線路Ｌ４、信号線路Ｌ１、信号線路Ｌ２及び信号線路Ｌ３は、この順に上側から下側へと並んでいる。一方、バルントランス１０ｄは、信号線路Ｌ１のコイル導体１８ａと信号線路Ｌ３のコイル導体５０とが同じ絶縁体層１６ｄ上に設けられており、信号線路Ｌ２のコイル導体２０ａと信号線路Ｌ４のコイル導体５２とが同じ絶縁体層１６ｃ上に設けられている。また、信号線路Ｌ１のコイル導体１８ａと信号線路Ｌ４のコイル導体５２とが絶縁体層１６ｃを介して対向することにより電磁気的に結合しており、信号線路Ｌ２のコイル導体２０ａと信号線路Ｌ３のコイル導体２０ａとが絶縁体層１６ｃを介して対向することにより電磁気的に結合している。
以上のように構成されたバルントランス１０ｄによれば、バルントランス１０ａと同様に、バランス特性の向上を図ることができる。
また、バルントランス１０ｄでは、バルントランス１０ｃと同様に、インピーダンス変換を行うことができる。
また、バルントランス１０ｄでは、コイル導体１８ａとコイル導体５０とが同じ絶縁体層１６ｄに設けられているので、これらの間に容量が形成されにくい。同様に、コイル導体２０ａとコイル導体５２とが同じ絶縁体層１６ｃに設けられているので、これらの間に容量が形成されにくい。よって、バルントランス１０ｄでは、不要な容量が形成されることが抑制される。
また、バルントランス１０ｄでは、コイル導体１８ａ，２０ａ，５０，５２が２つの絶縁体層１６ｃ，１６ｄに設けられているので、これらが異なる４つの絶縁体層に設けられている場合に比べて、低背化が図られる。
（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係るバルントランスについて図面を参照しながら説明する。図１１は、第４の変形例に係るバルントランス１０ｅの回路図である。
バルントランス１０ｅは、図１１に示すように、変換部１１、コンデンサＣ及び外部端子１４ａ〜１４ｄを備えている。変換部１１は、信号線路Ｌ１〜Ｌ６を含んでいる。
信号線路Ｌ１は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。信号線路Ｌ２は、外部端子１４ｃと外部端子１４ｄとの間に接続されている。信号線路Ｌ３は、外部端子１４ａと外部端子１４ｄとの間に接続されている。これにより、信号線路Ｌ１の一端と信号線路Ｌ３の一端とが接続されている。また、信号線路Ｌ４は、外部端子１４ｄと外部端子１４ｄとの間に接続されている。これにより、信号線路Ｌ２の一端と信号線路Ｌ４の一端とが接続されている。信号線路Ｌ５は、外部端子１４ａと外部端子１４ｄとの間に接続されている。これにより、信号線路Ｌ１の一端と信号線路Ｌ５の一端とが接続されている。また、信号線路Ｌ６は、外部端子１４ｄと外部端子１４ｄとの間に接続されている。これにより、信号線路Ｌ２の一端と信号線路Ｌ６の一端とが接続されている。
また、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ４とは、互いに電磁気的に結合している。信号線路Ｌ２と信号線路Ｌ３とは、互いに電磁気的に結合している。信号線路Ｌ５と信号線路Ｌ６とは、互いに電磁気的に結合している。また、コンデンサＣは、外部端子１４ａと外部端子１４ｃとの間に接続されている。
以上のように構成されたバルントランス１０ｅでは、外部端子１４ａは、非平衡信号が入力される入力端子である。外部端子１４ｂ，１４ｃは、平衡信号が出力される出力端子である。外部端子１４ｄは、接地されるグランド端子である。
次に、バルントランス１０ｅの具体的構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第４の変形例に係るバルントランス１０ｅの積層体１２の分解斜視図である。バルントランス１０ｅの外観斜視図は、バルントランス１０ａの外観斜視図と同じであるので図２を援用する。
バルントランス１０ｅは、図２及び図１２に示すように、変換部１１、積層体１２、外部端子１４ａ〜１４ｆ及びコンデンサＣを備えている。
積層体１２は、絶縁体層１６ａ〜１６ｏが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されており、直方体状をなしている。絶縁体層１６ａ〜１６ｏは、長方形状をなしており、誘電体材料により作製されている。誘電体材料としては、例えば、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ系の誘電体セラミックが挙げられる。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの上側の面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの下側の面を裏面と呼ぶ。
バルントランス１０ｅの外部端子１４ａ〜１４ｆは、バルントランス１０ａの外部端子１４ａ〜１４ｆと同じであるので説明を省略する。
変換部１１は、前記の通り、信号線路Ｌ１〜Ｌ６を含んでいる。また、信号線路Ｌ１は、図１２に示すように、コイル導体１８ａ、引き出し導体２２，２４及びビアホール導体ｖ１，ｖ２により構成されている。コイル導体１８ａは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。
引き出し導体２２は、絶縁体層１６ｅの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２２の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａの外周側の端部と重なっている。引き出し導体２２の他端は、外部端子１４ａに接続されている。ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体１８ａの外周側の端部と引き出し導体２２の一端とを接続している。
引き出し導体２４は、絶縁体層１６ｅの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２４の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａの内周側の端部と重なっている。引き出し導体２４の他端は、外部端子１４ｂに接続されている。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体１８ａの内周側の端部と引き出し導体２４の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ１は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。
信号線路Ｌ４は、図１２に示すように、コイル導体５２、引き出し導体７１，７２及びビアホール導体ｖ２７，ｖ２８により構成されている。コイル導体５２は、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。また、コイル導体５２は、上側から平面視したときに、コイル導体１８ａと重なっている。すなわち、コイル導体１８ａとコイル導体５２とは、絶縁体層１６ｃを介して対向している。これにより、コイル導体１８ａとコイル導体５２とが電磁気的に結合している。
引き出し導体７１は、絶縁体層１６ｂの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体７１の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体５２の外周側の端部と重なっている。引き出し導体７１の他端は、外部端子１４ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ２７は、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通しており、コイル導体５２の外周側の端部と引き出し導体７１の一端とを接続している。
引き出し導体７２は、絶縁体層１６ｂの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体７２の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体５２の内周側の端部と重なっている。引き出し導体７２の他端は、外部端子１４ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ２８は、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通しており、コイル導体５２の内周側の端部と引き出し導体７２の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ４は、外部端子１４ｄと外部端子１４ｄとの間に接続されている。
信号線路Ｌ２は、図１２に示すように、コイル導体２０ａ、引き出し導体２６，２８及びビアホール導体ｖ３，ｖ４により構成されている。コイル導体２０ａは、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。
引き出し導体２６は、絶縁体層１６ｊの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２６の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体２０ａの外周側の端部と重なっている。引き出し導体２６の他端は、外部端子１４ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｊを上下方向に貫通しており、コイル導体２０ａの外周側の端部と引き出し導体２６の一端とを接続している。
引き出し導体２８は、絶縁体層１６ｊの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体２８の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体２０ａの内周側の端部と重なっている。引き出し導体２８の他端は、外部端子１４ｃに接続されている。ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｊを上下方向に貫通しており、コイル導体２０ａの内周側の端部と引き出し導体２８の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ３は、外部端子１４ｃと外部端子１４ｄとの間に接続されている。
信号線路Ｌ３は、図１２に示すように、コイル導体５０、引き出し導体６８，７０及びビアホール導体ｖ２５，ｖ２６により構成されている。コイル導体５０は、絶縁体層１６ｌの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。また、コイル導体５０は、上側から平面視したときに、コイル導体２０ａと重なっている。すなわち、コイル導体２０ａとコイル導体５０とは、絶縁体層１６ｋを介して対向している。これにより、コイル導体２０ａとコイル導体５０とが電磁気的に結合している。
引き出し導体６８は、絶縁体層１６ｍの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体６８の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体５０の外周側の端部と重なっている。引き出し導体６８の他端は、外部端子１４ａに接続されている。ビアホール導体ｖ２５は、絶縁体層１６ｌを上下方向に貫通しており、コイル導体５０の外周側の端部と引き出し導体６８の一端とを接続している。
引き出し導体７０は、絶縁体層１６ｍの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体７０の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体５０の内周側の端部と重なっている。引き出し導体７０の他端は、外部端子１４ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ２６は、絶縁体層１６ｌを上下方向に貫通しており、コイル導体５０の内周側の端部と引き出し導体７０の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ３は、外部端子１４ａと外部端子１４ｄとの間に接続されている。
信号線路Ｌ５は、図１２に示すように、コイル導体８０、引き出し導体９１，９２及びビアホール導体ｖ３０，ｖ３１により構成されている。コイル導体８０は、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。
引き出し導体９１は、絶縁体層１６ｉの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体９１の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体８０の外周側の端部と重なっている。引き出し導体９１の他端は、外部端子１４ａに接続されている。ビアホール導体ｖ３０は、絶縁体層１６ｈを上下方向に貫通しており、コイル導体８０の外周側の端部と引き出し導体９１の一端とを接続している。
引き出し導体９２は、絶縁体層１６ｉの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体９２の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体８０の内周側の端部と重なっている。引き出し導体９２の他端は、外部端子１４ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ３１は、絶縁体層１６ｈを上下方向に貫通しており、コイル導体８０の内周側の端部と引き出し導体９２の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ５は、外部端子１４ａと外部端子１４ｄとの間に接続されている。
信号線路Ｌ６は、図１２に示すように、コイル導体８２、引き出し導体９３，９４及びビアホール導体ｖ３２，ｖ３３により構成されている。コイル導体８２は、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回りに周回しながら中心に向かう渦巻形状をなしている。また、コイル導体８２は、上側から平面視したときに、コイル導体８０と重なっている。すなわち、コイル導体８０とコイル導体８２とは、絶縁体層１６ｇを介して対向している。これにより、コイル導体８０とコイル導体８２とが電磁気的に結合している。
引き出し導体９３は、絶縁体層１６ｆの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体９３の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体８２の外周側の端部と重なっている。引き出し導体９３の他端は、外部端子１４ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ３２は、絶縁体層１６ｆを上下方向に貫通しており、コイル導体８２の外周側の端部と引き出し導体９３の一端とを接続している。
引き出し導体９４は、絶縁体層１６ｆの表面に設けられている線状導体である。引き出し導体９４の一端は、上側から平面視したときに、コイル導体８２の内周側の端部と重なっている。引き出し導体９４の他端は、外部端子１４ｄに接続されている。ビアホール導体ｖ３３は、絶縁体層１６ｆを上下方向に貫通しており、コイル導体８２の内周側の端部と引き出し導体９４の一端とを接続している。これにより、信号線路Ｌ６は、外部端子１４ｄと外部端子１４ｄとの間に接続されている。
コンデンサＣは、コンデンサ導体４０，４２により構成されている。コンデンサ導体４０は、絶縁体層１６ｎの表面上に設けられており、矩形状をなしている。また、コンデンサ導体４０は、外部端子１４ａに接続されている。
コンデンサ導体４２は、絶縁体層１６ｏの表面上に設けられており、矩形状をなしている。また、コンデンサ導体４２は、外部端子１４ｃに接続されている。コンデンサ導体４０とコンデンサ導体４２とは、絶縁体層１６ｎを介して対向している。これにより、コンデンサ導体４０とコンデンサ導体４２との間には容量が形成されている。よって、コンデンサＣは、外部端子１４ａと外部端子１４ｃとの間に接続されている。
以上のように構成されたバルントランス１０ｅによれば、バルントランス１０ａと同様に、バランス特性の向上を図ることができる。
また、バルントランス１０ｅでは、信号線路Ｌ１と信号線路Ｌ４とを電磁気的に結合させ、信号線路Ｌ２と信号線路Ｌ３とを電磁気的に結合させ、信号線路Ｌ５と信号線路Ｌ６とを電磁気的に結合させることによって、インピーダンス変換を行うことができる。より詳細には、バルントランス１０ｅでは、出力側の特性インピーダンスを入力側の特性インピーダンスの９倍に設定することができる。
（第５の変形例）
次に、第５の変形例に係るバルントランス１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１３は、第５の変形例に係るバルントランス１０ｆの積層体１２の分解斜視図である。バルントランス１０ｆの回路構成は、バルントランス１０ａの回路構成と同じであるので、図１を援用する。また、バルントランス１０ｆの外観斜視図は、バルントランス１０ａの外観斜視図と同じであるので、図２を援用する。
バルントランス１０ｆは、コンデンサ導体４０及び絶縁体層１６ｆが設けられていない点において、バルントランス１０ａと相違する。以下に、かかる相違点を中心にバルントランス１０ｆについて説明する。
バルントランス１０ｆでは、コンデンサ導体４０が設けられていないことにより、コンデンサ導体４２がコイル導体１８ａ（すなわち、信号線路Ｌ１）と絶縁体層１６ｄ，１６ｅを介して対向している。これにより、コンデンサ導体４２とコイル導体１８ａとの間に容量が形成されている。すなわち、コンデンサＣは、コイル導体１８ａとコンデンサ導体４２とにより形成されている。
以上のように構成されたバルントランス１０ｆでは、コンデンサ導体４０及び絶縁体層１６ｆが設けられていない。そのため、バルントランス１０ｆによれば、バルントランス１０ａよりも低背化が図られる。
なお、バルントランス１０ｂにおいても、コンデンサ導体４０及び絶縁体層１６ｇが設けられず、かつ、コンデンサ導体４２が絶縁体層１６ｆの表面上に設けられてもよい。
また、バルントランス１０ｃにおいて、コンデンサ導体４０及び絶縁体層１６ｊが設けられず、かつ、コンデンサ導体４２が設けられた絶縁体層１６ｋが絶縁体層１６ｅと絶縁体層１６ｆとの間に設けられてもよい。
また、バルントランス１０ｅにおいて、コンデンサ導体４０及び絶縁体層１６ｎが設けられず、かつ、コンデンサ導体４２が設けられた絶縁体層１６ｏが絶縁体層１６ｅと絶縁体層１６ｆとの間に設けられてもよい。
（第６の変形例）
次に、第６の変形例に係るバルントランス１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１４は、第６の変形例に係るバルントランス１０ｇの積層体１２の分解斜視図である。バルントランス１０ｇの回路構成は、バルントランス１０ｃの回路構成と同じであるので、図８を援用する。また、バルントランス１０ｇの外観斜視図は、バルントランス１０ａの外観斜視図と同じであるので、図２を援用する。
バルントランス１０ｇは、コンデンサ導体４０及び絶縁体層１６ｆが設けられていない点、及び、コンデンサ導体４２がコイル導体５０と対向せずコイル導体１８ａと対向している点において、バルントランス１０ｄと相違する。以下に、かかる相違点を中心にバルントランス１０ｇについて説明する。
バルントランス１０ｇでは、コンデンサ導体４０が設けられていないことにより、コンデンサ導体４２がコイル導体１８ａ（すなわち、信号線路Ｌ１）と絶縁体層１６ｄ，１６ｅを介して対向している。ただし、コンデンサ導体４２は、主に、絶縁体層１６ｇの右半分の領域に設けられているので、コイル導体５０とは殆ど対向していない。これにより、コンデンサ導体４２とコイル導体１８ａとの間に容量が形成されている。すなわち、コンデンサＣは、コイル導体１８ａとコンデンサ導体４２とにより形成されている。
以上のように構成されたバルントランス１０ｇでは、コンデンサ導体４０及び絶縁体層１６ｆが設けられていない。そのため、バルントランス１０ｇによれば、バルントランス１０ｄよりも低背化が図られる。
（その他の実施形態）
本発明に係るバルントランスは、前記バルントランス１０ａ〜１０ｇに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
なお、信号線路Ｌ１〜Ｌ６は、コイル導体により構成されていたが、直線状の線状導体により構成されていてもよい。
また、バルントランス１０ａ〜１０ｇは、１つの電子部品により構成されていたが、複数の電子部品や回路基板との組み合わせにより構成されていてもよい。
以上のように、本発明は、バルントランスに有用であり、特に、バランス特性の向上を図ることができる点において優れている。
Ｃ コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ６ 信号線路
１０ａ〜１０ｇ バルントランス
１１ 変換部
１２ 積層体
１４ａ〜１４ｆ 外部端子
１６ａ〜１６ｏ 絶縁体層
１８ａ，１８ｂ，２０ａ，２０ｂ，５０，５２，８０，８２ コイル導体
２２，２４，２６，２８，６０，６２，６４，６６，６８，７０，７１，７２，９１，９２，９３，９４ 引き出し導体
４０，４２ コンデンサ導体
本発明の一形態に係るバルントランスは、不平衡信号が入力される入力端子と、第１の端部及び第２の端部を有し、かつ、該第１の端部において前記入力端子に接続されている第１の信号線路、及び、第３の端部及び第４の端部を有する第２の信号線路を少なくとも含み、前記不平衡信号を平衡信号に変換する変換部と、前記第１の信号線路の前記第２の端部に接続されている第１の出力端子と、前記第２の信号線路の前記第４の端部に接続され、前記第１の出力端子と共に前記平衡信号が出力される第２の出力端子と、第１のコンデンサ導体及び第２のコンデンサ導体を含むコンデンサであって、該第１のコンデンサ導体が前記入力端子と前記第１の端部との間に接続され、かつ、該第２のコンデンサ導体が前記第２の出力端子と前記第４の端部との間に接続されるように構成されているコンデンサと、を備えていること、を特徴とする。
本発明の第１の形態に係るバルントランスは、不平衡信号が入力される入力端子と、第１の端部及び第２の端部を有し、かつ、該第１の端部において前記入力端子に接続されている第１の信号線路、及び、第３の端部及び第４の端部を有する第２の信号線路を少なくとも含み、前記不平衡信号を平衡信号に変換する変換部と、前記第１の信号線路の前記第２の端部に接続されている第１の出力端子と、前記第２の信号線路の前記第４の端部に接続され、前記第１の出力端子と共に前記平衡信号が出力される第２の出力端子と、第１のコンデンサ導体及び第２のコンデンサ導体を含むコンデンサであって、該第１のコンデンサ導体が前記入力端子と前記第１の端部との間に接続され、かつ、該第２のコンデンサ導体が前記第２の出力端子と前記第４の端部との間に接続されるように構成されているコンデンサと、を備えていること、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係るバルントランスは、不平衡信号が入力される入力端子と、第１の端部及び第２の端部を有し、かつ、該第１の端部において前記入力端子に接続されている第１の信号線路、及び、第３の端部及び第４の端部を有する第２の信号線路を少なくとも含み、前記不平衡信号を平衡信号に変換する変換部と、前記第１の信号線路の前記第２の端部に接続されている第１の出力端子と、前記第２の信号線路の前記第４の端部に接続され、前記第１の出力端子と共に前記平衡信号が出力される第２の出力端子と、コンデンサと、複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、を備えており、前記第１の信号線路及び前記コンデンサは、前記絶縁体層上に設けられた導体により構成されており、前記コンデンサは、前記第１の信号線路と前記絶縁体層を介して対向し、かつ、前記第２の出力端子に電気的に接続されているコンデンサ導体と、該第１の信号線路とにより形成されていること、を特徴とする。

Claims (10)

  1. 不平衡信号が入力される入力端子と、
    前記入力端子に接続されている第１の信号線路を少なくとも含み、前記不平衡信号を平衡信号に変換する変換部と、
    前記第１の信号線路に接続されている第１の出力端子と、
    前記第１の出力端子と共に前記平衡信号が出力される第２の出力端子と、
    前記入力端子と前記第２の出力端子との間に接続されているコンデンサと、
    を備えていること、
    を特徴とするバルントランス。
  2. 前記変換部は、前記第２の出力端子に接続され、かつ、前記第１の信号線路に電磁気的に結合している第２の信号線路を更に含んでいること、
    を特徴とする請求項１に記載のバルントランス。
  3. 複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体を、
    更に含んでおり、
    前記第１の信号線路、前記第２の信号線路及び前記コンデンサは、前記絶縁体層上に設けられた導体により構成されていること、
    を特徴とする請求項２に記載のバルントランス。
  4. 前記変換部は、前記第２の出力端子に接続されている第２の信号線路と、該第２の信号線路に接続され、かつ、前記第１の信号線路に電磁気的に結合している第３の信号線路と、前記入力端子に接続され、かつ、該第２の信号線路に電磁気的に結合している第４の信号線路と、を更に含んでいること、
    を特徴とする請求項１に記載のバルントランス。
  5. 前記変換部は、前記入力端子に接続されている第５の信号線路と、前記第２の信号線路に電気的に接続され、かつ、該第５の信号線路に電磁気的に結合している第６の信号線路と、を更に含んでいること、
    を特徴とする請求項４に記載のバルントランス。
  6. 複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体を、
    更に含んでおり、
    前記第１の信号線路、前記第２の信号線路、前記第３の信号線路、前記第４の信号線路及び前記コンデンサは、前記絶縁体層上に設けられた導体により構成されていること、
    を特徴とする請求項５に記載のバルントランス。
  7. 前記第１の信号線路と前記第４の信号線路とは、前記絶縁体層を介して対向することにより電磁気的結合しており、
    前記第２の信号線路と前記第３の信号線路とは、前記絶縁体層を介して対向することにより電磁気的結合していること、
    を特徴とする請求項６に記載のバルントランス。
  8. 前記コンデンサは、第１のコンデンサ導体及び第２のコンデンサ導体を含んでおり、
    前記第１の信号線路と前記第４の信号線路とは、前記絶縁体層を介して対向することにより電磁気的結合しており、
    前記第２の信号線路と前記第３の信号線路とは、前記絶縁体層を介して対向することにより電磁気的結合しており、
    前記第１の信号線路と前記第３の信号線路とが同じ前記絶縁体層上に設けられ、
    前記第２の信号線路と前記第４の信号線路とが同じ前記絶縁体層上に設けられていること、
    を特徴とする請求項６に記載のバルントランス。
  9. 前記絶縁体層は、誘電体材料により作製されていること、
    を特徴とする請求項３及び請求項６ないし請求項８のいずれかに記載のバルントランス。
  10. 複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体を、
    更に含んでおり、
    前記第１の信号線路及び前記コンデンサは、前記絶縁体層上に設けられた導体により構成されており、
    前記コンデンサは、前記第１の信号線路と前記絶縁体層を介して対向し、かつ、前記第２の出力端子に電気的に接続されているコンデンサ導体と、該第１の信号線路とにより形成されていること、
    を特徴とする請求項１に記載のバルントランス。

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