JPWO2014136213A1 - 光源装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の目的は、ロール・ツー・ロール法に適合した封止工程及び同封止工程に適した有機発光素子並びに光源装置の構造を提供することである。本発明に係る光源装置は、基板と、前記基板の上に設けられた下部電極と、前記下部電極の上に設けられた有機層と、前記有機層の上に設けられた上部電極と、前記上部電極の上に設けられた透明樹脂層と、を有し、前記透明樹脂層は、熱硬化樹脂で構成する第１の樹脂層と、光硬化樹脂で構成する第２の樹脂層とで構成され、面方向に、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層が並んで設けられている。

Description

本発明は有機発光素子を用いた光源装置およびその製造方法に関する。

有機発光素子を用いた光源装置の低コスト化には、ロール・ツー・ロール法で代表される高速印刷形成による作製が必須である。特許文献１では、有機発光素子のロール・ツー・ロール法を用いた作製方法が報告されている。

特開２００７−２６４３０８号公報

ロール・ツー・ロール法を用いた有機発光素子の作製方法の最大の課題は、封止工程の高速化である。有機発光素子は酸素、水分に弱い。そのため、有機発光素子を大気雰囲気に晒さないため、有機発光素子の基板と封止基板を貼り付ける封止工程が必要である。特許文献１では、封止性能を向上させる技術に関して開示されているが、ロール・ツー・ロール法に適合した封止工程に関する技術の開示はない。

本発明の目的は、ロール・ツー・ロール法に適合した封止工程及び同封止工程に適した有機発光素子並びに光源装置の構造を提供することである。

本発明に係る光源装置は、基板と、前記基板の上に設けられた下部電極と、前記下部電極の上に設けられた有機層と、前記有機層の上に設けられた上部電極と、前記上部電極の上に設けられた透明樹脂層と、を有し、前記透明樹脂層は、熱硬化樹脂で構成する第１の樹脂層と、光硬化樹脂で構成する第２の樹脂層とで構成され、面方向に、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層が並んで設けられている。

本発明により、ロール・ツー・ロール法に適合した封止工程、及び、同封止工程に最適な素子構造が提供される。そのため、低コストな有機発光素子並びに光源装置の提供が実現可能となる。

光源装置の一実施の形態における断面図である。 有機発光素子の一実施の形態における断面図である。 有機発光素子の一実施の形態における断面図である。 有機発光素子の一実施の形態における断面図である。 有機発光素子の製造工程の模式図である。 有機発光素子の製造工程の模式図である。 有機発光素子の製造工程の模式図である。 有機発光素子の製造工程の模式図である。 有機発光素子の製造工程の模式図である。 光源装置の一実施の形態における俯瞰図である。 光源装置の一実施の形態における俯瞰図である。 有機発光素子の製造工程の模式図である。

以下、図面等により本発明を詳細に説明する。以下の説明は本願発明の内容の具体例を示すものであり、本願発明がこれらの説明に限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。また、本発明を説明するための全図において、同一の機能を有するものは、同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

図１は、本発明における光源装置の一実施の形態における断面図である。図１は、基板１０１側から光を取り出すボトムエミッション型の光源装置である。図１では、基板１０１上に下部電極１０２、有機層１０３、上部電極１０４、第１の樹脂層１０６と第２の樹脂層１０７と第３の樹脂層１１０、封止基板１０８が順に配置されている。また、端部では、バンク１０９が配置されている。また、図１に図示されていない駆動回路および筐体などが備えられることで光源装置となる。光源装置の構成要素である有機発光素子は、上部電極１０４、下部電極１０２および有機層１０３を有する。この有機発光素子が形成された基板１０１を有機発光基板１０５と称する。第１の樹脂層１０６と第２の樹脂層１０７と第３の樹脂層１１０とを合わせて、透明樹脂層と称する。

下部電極１０２は陽極である。下部電極１０２を陰極として用いても良い。下部電極１０２は、スパッタ、蒸着法で形成した膜をホトリソグラフィーによりパターニングして形成される。また、印刷等の塗布法でパターニングしながら形成してもよい。

下部電極１０２が陽極の場合、上部電極１０４は陰極となる。下部電極１０２が陰極の場合、上部電極１０４は陽極となる。上部電極１０４が酸化インジウム錫（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）であるとき、ＩＴＯまたはＩＺＯをスパッタ法で形成する際には、スパッタによるダメージを緩和するため、有機層１０３および上部電極１０４の間にバッファ層を設けることがある。バッファ層には、酸化モリブデン、酸化バナジウムなどの金属酸化物、或いは、ＭｇＡｇ合金の極薄膜などを用いる。

有機発光素子の端部に形成されたバンク１０９は下部電極１０２の上に形成されており、有機層１０３、上部電極１０４はバンク１０９の内側部分に形成されている。バンク１０９として、感光性ポリイミドが好ましい。また、バンク１０９として、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、非感光性有機材料なども用いることができる。有機発光素子の端部は、後述する封止より外側に端子部を有する。同端子部は下部電極を引き出して作製してもよいし、下部電極と電気的に接続された引き出し線を引き出して作製してもよい。

第１の樹脂層１０６は、上部電極１０４の上に形成される。第１の樹脂層１０６は、有機発光素子と封止基板１０８が接触するのを避ける目的で設けられている。これにより有機発光素子の劣化の要因となるガスや水分の浸入を防ぐ効果がある。第１の樹脂層１０６として、エポキシ樹脂などの各種ポリマーを用いることができる。これらの硬化反応には、ラジカル重合反応、カチオン重合反応、アニオン重合反応、ラジカル架橋反応、酸触媒架橋反応、ＳｉＨへの付加反応、シロキサン縮合反応、ウレタン生成反応、アリル基酸素酸化反応が挙げれられるが、これらに限定されない。また、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリメタクリル酸メチル、アクリル樹脂、熱可塑性樹脂を用いてもよい。封止性能を向上させるために、第１の樹脂層１０６と上部電極１０４の間に無機パッシベーション膜を用いることもできる。

第２の樹脂層１０７は、上部電極１０４の上に形成される。第３の樹脂層１１０は、バンク１０９の上に形成される。第２の樹脂層１０７および第３の樹脂層１１０は、第１の樹脂層１０６の硬化工程において、有機発光基板１０５と封止基板１０８を貼り合せた状態で保持するために用いられる。また、第１の樹脂層１０６と同様に、有機発光素子へのガスや水分の侵入を防ぐために用いられる。第２の樹脂層１０７および第３の樹脂層１１０として、エポキシ樹脂などの各種ポリマー或いは低融点ガラスを用いることができる。光硬化樹脂の硬化反応には、ラジカル重合反応、エン・チオール反応、カチオン重合反応、アニオン重合反応、光二量化反応が挙げれられるが、これらに限定されない。ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合等の反応では光重合開始材が用いられる。光重合開始材としては、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン、チオキサントン誘導体、ベンゾイン誘導体、ベンジルジメチルケタール、α―ヒドロキシアルキルフェノン、α―アミノアルキルフェノン、アシルホスフィンオキサイド、アルクルフェニルグリオキシレート、ジエトキシアセトフェノン、チタノセン化合物、カンファーキノン、トリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨウドニウム塩、アリールジアゾニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、マレイイミド誘導体、チオールエン、等が挙げられるが、これらに限定されない。また、光重合開始材は、光硬化後も光硬化樹脂内に微量残留する。

封止基板１０８は第１の樹脂層１０６、第２の樹脂層１０７、第３の樹脂層１１０の上に形成される。封止基板１０８として、適切なガスバリア膜を有するプラスチック基板を用いることができる。また、０．３ｍｍ以下の厚さのガラス基板或いは、０．３ｍｍ以下の厚さのガラス基板にプラスチック樹脂を貼ったものを用いてもよい。

有機発光素子、或いは、光源装置では、屈折率１．８前後の有機層１０３の内部で発光した光を、屈折率１．０の空気層に効率的に取り出すために、ボトムエミッション構造では、基板１０１の裏面、或いは、基板１０１と下部電極１０２の間に光取出し層を設ける。トップエミッション構造では、上部電極１０４と第１の樹脂層１０６或いは第２の樹脂層１０７の間、或いは、封止基板１０８の上面に光取出し層を設ける。光取出し層として、例えば、マイクロレンズなどの構造体や、散乱性、拡散反射性を有するフィルムが用いられる。

ここで用いる有機発光素子は、単一の素子でも、複数に分割された素子でもかまわない。複数の素子を接続する方法は、各素子を直列、並列またはそれらを組み合わせた方法が挙げられる。

次に、図２〜図４において、本発明の一実施形態に係る有機発光素子の断面図を示す。図２の下側から基板１０１、下部電極１０２、有機層１０３、上部電極１０４の順に配置されている有機発光素子は下部電極１０２側から有機層１０３の発光を取り出すボトムエミッション型である。下部電極１０２は陽極となる透明電極、上部電極１０４は陰極となる反射電極である。なお、下部電極１０２を反射電極、上部電極１０４を透明電極としたトップエミッション型の素子構造でも構わない。基板１０１および下部電極１０２、下部電極１０２および有機層１０３、有機層１０３および上部電極１０４はそれぞれ接していても構わず、各層の間に無機のバッファ層や注入層などを介在させてもよい。無機のバッファ層としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン等が挙げられる。注入層としては、電子注入層、正孔注入層などが挙げられる。

図２では、有機層１０３として、下部電極１０２側から、電荷輸送層２０１、第１の発光層２０２、及び電荷輸送層２０３の順に形成されている。

図３では、有機層１０３として、下部電極１０２側から、電荷輸送層２０１、第２の発光層２０４、第３の発光層２０５、電荷輸送層２０３の順に形成されている。

図４では、有機層１０３として、下部電極１０２側から、電荷輸送層２０１、第４の発光層２０６、第５の発光層２０７、第６の発光層２０８、及び電荷輸送層２０３の順に形成されている。

電荷輸送層として、電子輸送層および正孔輸送層などが考えられる。陰極に近い側に配置されている電荷輸送層２０３は電子輸送層、陽極に近い側に配置されている電荷輸送層２０１は正孔輸送層となる。

図２に示した、第１の発光層２０２には、ホスト、第一のドーパント、第二のドーパント、第三のドーパントが含まれる。各ドーパントより発光した光が混色することにより、白色発光が得られる。各ドーパントの発光色の例として、青、緑、赤があげられる。

図３に示した、第２の発光層２０４には、ホスト、第一のドーパント、と第二のドーパントが含まれ、第３の発光層２０５には、ホストと第三のドーパントが含まれる。第２の発光層２０４と第３の発光層２０５の組合せは、上記組合せの逆でも構わない。

図４に示した、第４の発光層２０６、第５の発光層２０７、及び第６の発光層２０８には、それぞれ、ホストと第一のドーパント、ホストと第二のドーパント、ホストと第三のドーパントが考えられる。

有機発光素子の製造方法は真空蒸着法と塗布法に大別される。真空蒸着法では、各層を積層する事が容易である。また、不純物の少ない真空雰囲気で各層を形成するため、高性能特性が得られる。しかし、複数の真空槽を準備する必要があり、蒸着速度等の制限からスループットが低く、低コスト化が課題である。一方、塗布法は大面積の成膜が容易で、材料の利用効率が高く、スループットが高いなどの利点がある。しかし、塗布法では、積層膜を形成するためには、積層する材料が溶解し、下地層を溶解させない溶媒を用いる必要がある。そのため、有機発光素子の層数を少なくする必要があり、発光層を単層或いは二層にすることが求められている。

図１０は、図１の光源装置を上方から俯瞰的に見た図である。図１は、図１０のＡ−Ｂ方向の断面を示しており、面方向に、第３の樹脂層１１０と、第１の樹脂層１０６と、第２の樹脂層１０７と、第１の樹脂層１０６と、第３の樹脂層１１０とが順に設けられていることを示す。各樹脂層は奥行き方向に伸びているので図１０の俯瞰図においても同様の順序で並んでいることが分かる。図１の断面を第１の断面（Ａ−Ｂ方向）とすると、第１の断面と直交する断面において、各樹脂層が連続的に設けられている。例えば、第１の断面と直交する第２の断面（Ｃ−Ｄ方向）において、第２の樹脂層１０７が連続的に設けられている。第１の断面と直交する第３の断面（Ｅ−Ｆ方向）において、第１の樹脂層１０６が連続的に設けられている。

本発明の光源装置は左右方向に運搬しつつ上下のフィルム（有機発光基板フィルムと封止基板フィルム）を貼り付けて進めるものであり、第３の樹脂層１１０と、第２の樹脂層１０７とについて、光硬化工程により仮硬化をしたのちに、第１の樹脂層１０６について、熱硬化工程により本硬化を行い製造するものである。図１０に示した光源装置では、第１の樹脂層１０６が形成される領域が２つ示されているが、３つ以上あってもよい。その場合、図１０同様、第１の樹脂層１０６の間には、第２の樹脂層１０７が配置される。第１の樹脂層１１０の両側にある第３の樹脂層１１０の塗布幅のＡＢ方向の中心から第２の樹脂層１０７の塗布幅の中心までの距離を基本ユニットの長さＬ０とする。第１の樹脂層１０６が３つ以上ある場合は、両端の第１の樹脂層１０６以外では、第２の樹脂層１０７の塗布幅のＡＢ方向の中心から第２の樹脂層１０７の塗布幅の中心までの距離を基本ユニットの長さＬ０とする。

図１１は、図１０の別の例である。図１０と同様に図１の光源装置を上方から俯瞰的に見た図である。図１の断面図は、面方向に、第３の樹脂層１１０と、第１の樹脂層１０６と、第２の樹脂層１０７と、第１の樹脂層１０６と、第３の樹脂層１１０とが順に設けられていることを示す。図１の断面を第１の断面（Ｇ−Ｈ方向）とすると、第１の断面と平行な第２の断面（Ｉ−Ｊ方向）において、第３の樹脂層１１０と、第２の樹脂層１０７と、第３の樹脂層１１０とが順に設けられている。第１の断面と直交する第２の断面（Ｋ−Ｌ方向）において、第２の樹脂層１０７が連続的に設けられている。第１の断面と直交する第３の断面（Ｍ−Ｎ方向）において、第２の樹脂層１０７と、第１の樹脂層１０６と、第２の樹脂層１０７とが連続的に設けられている。俯瞰的に見ると、第１の樹脂層１０６は第２の樹脂層１０７および第３の樹脂層１１０により囲まれて形成されている。このような配置とすることで、光源装置の端部から水が第１の樹脂層１０６へ侵入することを防止できる。また、図１０の光源装置と同様に、第１の樹脂層１０６が形成される領域が３つ以上あってもよい。第１の樹脂層１１０の両側にある第３の樹脂層１１０の塗布幅のＡＢ方向の中心から第２の樹脂層１０７の塗布幅の中心までの距離を基本ユニットの長さＬ０とする。第１の樹脂層１０６が３つ以上ある場合は、両端の第１の樹脂層１０６以外では、第２の樹脂層１０７の塗布幅のＡＢ方向の中心から第２の樹脂層１０７の塗布幅の中心までの距離を基本ユニットの長さＬ０とする。

図５は有機発光素子を用いた光源装置の作製工程の一例を示す模式図である。同工程には、少なくとも、有機発光素子を構成する有機薄膜形成工程２、有機発光素子の上部電極形成工程３、封止基板貼り合せ工程４、基板切断工程５が含まれる。

有機薄膜形成工程２を、図６を用いて説明する。基板供給部６０１から、前述の基板フィルムが搬送され、基板フィルムを洗浄及び表面改質する洗浄・表面改質処理部６０２、塗布・乾燥部６０３、等を経て、基板巻き取り部６０４にて回収される。

基板供給部６０１では、ガスバリア膜と下部電極が形成された基板フィルムが巻芯に巻き取られたロール状基板フィルムとして供給されている。

洗浄・表面改質処理部６０２は、有機薄膜形成用塗布液を塗布する前に基板供給部６０１から送られてきた基板フィルムの下部電極表面を洗浄して改質する洗浄表面改質手段と徐電処理手段を有する。洗浄表面改質手段は、純水、有機溶剤による超音波洗浄、ＵＶ／Ｏ₃処理、大気圧プラズマ処理が挙げられるが、これらに限定されないし、挙げた手法を組み合せてもよい。

塗布・乾燥部６０３は、基板フィルムを保持するバックアップロール、同バックアップロールに保持された基板フィルムに有機薄膜形成用塗布液を塗布する湿式塗布機、基板フィルム上に形成された有機薄膜の溶媒を除去する乾燥装置、及び徐電処理手段を有している。上記有機薄膜が基板フィルム全体に形成される場合、端子部等の特定のエリアの有機膜を除去する有機膜除去装置を有する。この有機膜除去工程は、有機発光素子の有機薄膜層が全て形成された後に行ってもよい。湿式塗布機、乾燥装置、徐電処理等は、図２或いは図３に示された、有機発光素子を形成する複数の有機層１０３の総数に等しくなるよう配置する。全ての有機層が形成された基板フィルムは基板巻き取り部６０４で巻き取って回収する事が望ましい。

次に、図７を用いて、上部電極形成工程３を説明する。上部電極形成工程３は、第１上部電極形成部７０２、第２上部電極形成部７０３、基板巻き取り部７０８を有している。上部電極形成工程３は真空雰囲気で行うのが一般的である。その場合、基板供給部７０１から基板巻き取り部７０８までを真空雰囲気下で連続的に行う。別の構成としては、基板供給部７０１を大気雰囲気下にし、第１上部電極形成部７０２までの間に段階的に真空雰囲気にしていき、第１上部電極形成部７０２及び第２上部電極形成部７０３は真空雰囲気とする。第２電極形成部７０３から基板巻き取り部７０８の間で段階的に真空雰囲気から大気圧雰囲気に変えていき、基板巻き取り部７０８では大気圧雰囲気にする事も可能である。この場合、前述の有機薄膜形成工程２の基板巻き取り部６０４と上部電極形成工程３の基板供給部７０１を無くして、有機薄膜層と上部電極層を連続形成することも可能である。電極となる材料が含有される溶液を用いた塗布法等により、上部電極形成を大気圧下で行う事も可能である。その場合も、上電極形成工程３と有機薄膜形成工程２とを連続で行う事が可能となる。

基板供給部７０１では、有機薄膜形成工程２で作製された、巻芯で巻き取られたロール状の基板フィルムが供給される。

基板供給部７０１から巻き出された基板フィルムの上に積層された複数の有機薄膜層の上に第１上部電極形成部７０２でキャリア注入層としてＬｉＦ極薄膜が形成される。基板フィルムが蒸着真空槽７０４の中を搬送される際に、基板フィルムに対し、蒸発源容器７０５からＬｉＦを蒸着する。第２上部電極形成部７０３では、キャリア注入層上に上部電極としてＡｌ膜が形成される。基板フィルムが蒸着真空槽７０６の中を搬送される際に、基板フィルムに対し、蒸発源容器７０７からＡｌ膜の材料が蒸着する。第１上部電極形成部７０２と第２上部電極形成部７０３のどちらかで上部電極を形成してもよい。その場合、使わない電極形成部では蒸発源容器に原料を供給する事が可能となる。上部電極が形成された基板フィルムは基板巻き取り部７０８で巻芯に巻き取られ、ロール状の基板フィルムとなる。

次に、図８を用いて、封止基板貼り合せ工程４を説明する。上部電極まで形成されたロール状の基板フィルムを有する基板供給部８０１、封止基板供給部８０２、第１の樹脂塗布部８０３、第２の樹脂塗布部８０４、基板と封止基板を貼り合わせる貼合部８０５、第１の樹脂硬化処理部８０７、第２の樹脂硬化処理部８０６、ヒータ８０８、及び、基板巻き取り部８０９を有する。この貼り合せ工程は大気圧雰囲気で行う事が望ましい。或いは、貼合部８０５内の圧力を調整する機構を設けて、他の部分を大気圧雰囲気にしてもよい。貼合部８０５の雰囲気を減圧雰囲気にして基板と封止基板を貼合せて、貼合せ後、大気圧に雰囲気に戻す。その場合、第１の樹脂層１０６、第２の樹脂層１０７、第３の樹脂層１１０内に混入する気泡が低減される。また、貼合部８０５を含めて全ての部分を真空雰囲気にしてもよい。貼合部８０５を大気圧雰囲気にする場合は、第１の樹脂塗布部８０３、第２の樹脂塗布部８０４を減圧雰囲気にして樹脂内の気泡を脱泡するか、両塗布部と貼合部８０５の間に真空脱泡部を設けてもよい。

第１の樹脂塗布部８０３では、有機発光素子が形成された基板フィルム上に、図１０或いは図１１で示した領域に第１の樹脂層１０６を塗布する。同領域は、基板搬送方向に垂直な領域（Ｃ−Ｄ方向（図１０）、Ｋ−Ｌ方向（図１１））と基板搬送方向に平行な領域（Ｉ−Ｊ方向（図１１））に分けられる。垂直な領域の塗布は、出射口の長手方向が搬送方向に垂直な配置の塗布機から第１の樹脂層１０６を間欠的に塗布する方法が望ましい。上記塗布機としては、スロットダイコータ、グラビアコータ、リバースロールコータ、キスコータ−、ロールナイフコータ、ロッドコータ、リップコータが挙げられるが、これらに限定されない。また、他の塗布機として、複数のヘッドを並べたディスペンサ−、スクリーン印刷等が挙げられるが、これらに限定されない。平行な領域の形成には、ディスペンサから第１の樹脂層１０６を塗布する方法が望ましい。図１１で示した第１の樹脂層１０６の塗布領域では、前述した垂直領域で形成された塗布領域と平行領域で形成された塗布領域が重ならない塗布機の配置が望ましい。また、第１の樹脂層１０６を基板上に形成したが、封止基板上に形成してもよい。また、図１１で示した第１の樹脂層１０６の塗布領域では、垂直領域、平行領域を基板、封止基板、或いは、その反対に塗布してもよい。

なお、熱硬化樹脂と光硬化樹脂の両方をスロットダイ方式により塗布して、シンプルな構造とすることも可能である。一方、熱硬化樹脂をスロットダイ方式により塗布し、光硬化樹脂をディスペンサ方式により塗布して、それぞれの領域の長さや広さに合致した構造とすることも可能である。

第２の樹脂塗布部８０４では、封止基板上に、図１０或いは図１１で示した領域に第２の樹脂層１０７を塗布する。出射口の長手方向が搬送方向に垂直な配置の塗布機から第２の樹脂層１０７を間欠的に塗布する方法が望ましい。或いは、塗布部分の封止基板を間欠的に停止させ、スクリーン印刷で第２の樹脂層１０７を塗布してもよい。また、第２の樹脂層１０７は基板上に形成してもよい。図１０或いは図１１で示した有機発光素子の端部にある第３の樹脂層１１０は、第２の樹脂と同様な手法で作製する。そのため、第２の樹脂塗布部８０４を用いて作製してもよいし、別に、第３の樹脂塗布部を設けてもよい。

貼合部８０５では、基板と封止基板を貼り合せして、一体化した基板をローラ等の押し圧で保持する。貼合部８０５の雰囲気は、前述したように、大気圧でも真空下でもよい。貼合せが保持された状態で、第２の樹脂層１０７を第２の樹脂硬化処理部８０６を用いて光硬化する。同硬化処理部の光源としては、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ハイパワーメタルハライドランプ、パルス発光キセノンランプが挙げられるが、これに限定されない。他硬化源として、電子線、レーザ光、加熱も挙げられる。また、光源と他硬化源を組合せてもよい。前述した様に、貼合部８０５に圧力を調整する機構を設けてある場合、真空下で貼り合せを行い、その後、大気圧雰囲気にする。そのため、第２の樹脂層１０７の硬化処理は大気圧雰囲気下で行う事が望ましい。有機発光素子の端部では、第３の樹脂層１１０を硬化させる。同硬化には、第２の樹脂硬化処理部８０６を用いる事が望ましいが、第２の樹脂と第３の樹脂に異なる材料を用いる場合は、第３の樹脂硬化処理部を設けてもよい。構成は、第２の樹脂硬化処理部と同じものを用いる事が望ましい。貼り合された基板と封止基板は一体化されて、第１の樹脂硬化処理部８０７に搬送される。一体化された基板と封止基板が第１の樹脂硬化処理部８０７内を搬送される際、第１の樹脂層１０６が熱硬化される。第１の樹脂層１０６の熱硬化時間が長い、或いは、搬送速度が速い場合、図８に示した様に、複数の搬送ローラで一体化された基板の搬送方向を１８０°反転させて搬送される配置が望ましい。また、第１の樹脂層１０６の熱硬化に用いられるヒータ８０８は、図８に示した様に、搬送される基板に対して、基板と封止基板の両側から加熱する配置が望ましい。また、どちらか片側の配置でもよい。熱硬化中、基板と封止基板の一体基板の搬送方向を１８０°反転させるローラ配置では、搬送中に２つの基板が剥がれ難くするために、一体化基板が同ローラに接している領域の搬送方向に平行な辺の長さＬ１（図１２）が、基本ユニットの長さＬ０（図１０、図１１）と同等或いは短い方が望ましい。

ここで、一体化基板が同ローラに接している領域の搬送方向に平行な辺の長さＬ１は、搬送ローラの曲率Ｒに対応し、第１の樹脂層１１０の両側にある第３の樹脂層１１０の塗布幅のＡＢ方向の中心から第２の樹脂層１０７の塗布幅の中心までの距離を基本ユニットの長さＬ０（光硬化樹脂の塗布間隔）と、「Ｌ０≦πＲ／２」の式の関係を満たす。

次に、図９を用いて基板切断工程５を説明する。基板供給部９０１と、基板フィルムに配設されているアライメントマークを検出するアライメントマーク検出部９０２と、基板フィルムに形成された有機発光装置の位置に合わせて切断する断裁装置９０３を有している。

以上より、有機発光素子を用いた有機発光装置の構造並びに製造方法を説明した。以下に本発明で用いた用語の説明を行う。
＜ホスト＞
ホストとして、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体またはアリールシラン誘導体などを用いることが好ましい。効率の良い発光を得るためには青色ドーパントの励起エネルギーよりも、ホストの励起エネルギーが十分大きいことが好ましい。なお、励起エネルギーは発光スペクトルを用いて測定される。
＜青色ドーパント＞
青色ドーパントは４００ｎｍから５００ｎｍの間に室温におけるＰＬスペクトルの最大強度が存在する。青色ドーパントの主骨格としては例えばペリレン、イリジウム錯体（Ｂｉｓ（３、５−ｄｉｆｌｕｏｒｏ−２−（２−ｐｙｒｉｄｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ−（２−ｃａｒｂｏｘｙｐｙｒｉｄｙｌ）ｉｒｉｄｉｕｍ（III））：ＦＩｒｐｉｃなど）があげられる。中でも発光特性の面で以下の式（１）で示されるイリジウム錯体がより好ましい。式中Ｘ１はＮを含む芳香族ヘテロ環を表し、Ｘ２は芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を表す。

Ｘ１で表わされる芳香族ヘテロ環としては、キノリン環、イソキノリン環、ピリジン環、キノキサリン環、チアゾール環、ピリミジン環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、インドール環、イソインドール環などがあげられる。Ｘ２で表わされる芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、フルオレン環などがあげられる。式中Ｘ３はアセチルアセトナート誘導体、ピコリネート誘導体、テトラキスピラゾリルボレート誘導体などが挙げられる。また、Ｘ３はＸ１−Ｘ２と同様でもかまわない。

発光効率やキャリア伝導の観点から、青色ドーパントの濃度はホストに対し１０ｗｔ％以上が好ましい。青色ドーパントの重量平均分子量は５００以上３０００以下が望ましい。
＜緑色ドーパント＞
緑色ドーパントは５００ｎｍから５９０ｎｍの間に室温におけるＰＬスペクトルの最大強度が存在する。緑色ドーパントの主骨格としては、例えばクマリンおよびその誘導体、イリジウム錯体（Ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（III）：以下Ｉｒ（ｐｐｙ）３、など）があげられる。中でも発光特性の面で式（１）で示されるイリジウム錯体がより好ましい。式中Ｘ１はＮを含む芳香族ヘテロ環を表し、Ｘ２は芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を表す。

Ｘ１で表わされる芳香族ヘテロ環としては、キノリン環、イソキノリン環、ピリジン環、キノキサリン環、チアゾール環、ピリミジン環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、インドール環、イソインドール環などがあげられる。Ｘ２で表わされる芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、フルオレン環などがあげられる。Ｘ３はアセチルアセトナート誘導体、Ｘ１−Ｘ２と同様のものなどが挙げられる。

発光効率、青色ドーパントからのエネルギー移動の抑制およびキャリア伝導の観点から、有機層３の中での緑色ドーパントの濃度はホストに対し１ｗｔ％以下が好ましい。緑色ドーパントの重量平均分子量は５００以上３０００以下が望ましい。
＜赤色ドーパント＞
赤色ドーパントは５９０ｎｍから７８０ｎｍの間に室温におけるＰＬスペクトルの最大強度が存在する。赤色ドーパントの主骨格としては、例えばルブレン、（Ｅ）−２−（２−（４−（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ）−６−ｍｅｔｈｙｌ−４Ｈ−ｐｙｒａｎ−４−ｙｌｉｄｅｎｅ）ｍａｌｏｎｏｎｉｔｒｉｌｅ（ＤＣＭ）およびその誘導体、イリジウム錯体（Ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）など）、オスミウム錯体、ユーロピウム錯体があげられる。中でも発光特性の面で、式（１）で示されるイリジウム錯体がより好ましい。式中Ｘ１はＮを含む芳香族ヘテロ環を表し、Ｘ２は芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を表す。

Ｘ１で表わされる芳香族ヘテロ環としては、キノリン環、イソキノリン環、ピリジン環、キノキサリン環、チアゾール環、ピリミジン環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、インドール環、イソインドール環などがあげられる。Ｘ２で表わされる芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、フルオレン環などがあげられる。Ｘ３はアセチルアセトナート誘導体などが好ましい。

青色ドーパントからのエネルギー移動の抑制およびキャリア伝導の観点から、赤色ドーパントの濃度はホストに対し１ｗｔ％以下が好ましい。赤色ドーパントの重量平均分子量は５００以上３０００以下が望ましい。
＜正孔注入層＞
正孔注入層とは発光効率や寿命を改善する目的で使用される。また、特に必須ではないが、陽極の凹凸を緩和する目的で使用される。正孔注入層を単層もしくは複数層設けてもよい。正孔注入層としては、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン））：ＰＳＳ（ポリスチレンスルホネート）等の導電性高分子が好ましい。その他にも、ポリピロール系やトリフェニルアミン系のポリマー材料を用いることができる。また、低分子（重量平均分子量１００００以下）材料系と組合せてよく用いられる、フタロシアニン類化合物やスターバーストアミン系化合物も適用可能である。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は発光層に正孔を供給する層である。広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層を単層もしくは複数層設けてもよい。正孔輸送層としては、スターバーストアミン系化合物やスチルベン誘導体、ヒドラゾン誘導体、チオフェン誘導体、フルオレン誘導体などを用いることができる。また、これらの材料に限られるものではなく、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。正孔輸送層を低抵抗化し駆動電圧を低下させるために、正孔輸送層中に電子受容性材料を添加しても良い。
＜電子輸送層＞
電子輸送層は発光層に電子を供給する層である。広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層を単層もしくは複数層設けてもよい。この電子輸送層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）や、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、Ｔｒｉｓ（２、４、６−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ−３−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｎｅ（３ＴＰＹＭＢ）、１、４−Ｂｉｓ（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｉｌｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ（ＵＧＨ２）、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フラーレン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、シロール誘導体などを用いることができる。電子輸送層を低抵抗化し素子の駆動電圧を低下させるために、電子輸送層中に電子供与性材料を添加しても良い。
＜電子注入層＞
電子注入層は陰極から電子輸送層への電子注入効率を向上させる。具体的には、弗化リチウム、弗化マグネシウム、弗化カルシウム、弗化ストロンチウム、弗化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
＜基板＞
基板１０１として、ガラス基板、金属基板、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ_x、Ａｌ₂Ｏ₃等の無機材料を形成したプラスチック基板等が挙げられる。金属基板材料としては、ステンレス、４２アロイなどの合金が挙げられる。プラスチック基板材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド等が挙げられる。
＜陽極＞
陽極材料としては、高い仕事関数を有する材料であれば用いることができる。具体的には、透明電極として用いることができる材料としてはＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性酸化物や、薄いＡｇなどの仕事関数の大きい金属が挙げられる。また、反射電極としては、Ａｌ上にＩＴＯを積層したものや、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ積層膜、Ｃｒ、Ｍｏなどが挙げられる。電極のパターン形成は、下部電極であれば一般的にはガラス等の基板上にホトリソグラフィーなどを用いることで、また、上部電極である場合には成膜時にメタルマスクを用いることで行うことができる。
＜陰極＞
陰極材料は、仕事関数が小さい金属が好ましい。具体的には、反射電極をして用いる材料としてはＬｉＦとＡｌの積層体やＭｇ：Ａｇ合金などが好適に用いられる。透明陰極としては薄いＭｇ：Ａｇ合金やＩＴＯ上に薄いＭｇ：Ａｇ合金を積層したもの、ＬｉＦとＩＺＯの積層体などが挙げられる。また、これらの材料に限定されるものではなく、例えばＬｉＦの代わりとして、Ｃｓ化合物、Ｂａ化合物、Ｃａ化合物などを用いることができる。電極のパターニングは陽極と同様に行うことができる。

有機層１０３を成膜するための塗布法としては、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法などを挙げることができる。これらの方法のうち１つを用いて、有機層１０３を形成する。

以下に具体的な実施例を示して、本願発明の内容をさらに詳細に説明する。

本発明の実施例１として、図２に示す構造の白色発光装置を作製した。基板１０１にはＰＥＮフィルムが用いられた。その片面にパシベーション膜としてＳｉＮ_x膜、反対の片面に下部電極１０２としてＩＴＯ電極が形成された。また、図１に示した様に、ＩＴＯ電極の画素端部は感光性ポリイミド膜で覆われている（紙面垂直方向含む）。同フィルムは、ロール・ツー・ロールプロセスにおいて、大気圧プラズマでＩＴＯ電極の表面改質を行った。次に、スロットダイコータを用いて、正孔輸送層（電荷輸送層）２０１として膜厚６０ｎｍのポリマー系の有機膜を形成した。次に、第１の発光層２０２を形成した。第１の発光層のホストとして式（２）、青色ドーパントには式（３）、緑色ドーパントには式（４）、赤色ドーパントには式（５）を用いた。それぞれの材料の重量比は１００：１０：１：１とした。

これらのホスト、青色ドーパント材料、緑色ドーパント材料、赤色ドーパント材料をトルエンに溶解させて塗液を作製した。塗液の固形成分濃度は１ｗｔ．％に設定した。スロットコーダイを用いて膜厚４０ｎｍの第１の発光層２０２を形成した。

次に、電子輸送層（電荷輸送層）２０３として、式（６）を用いた。

同電子輸送層は蒸着法により膜厚４０ｎｍの蒸着膜を形成した。続いて、膜厚０．５ｎｍのＬｉＦと膜厚１５０ｎｍのＡｌの積層体を上部電極１０４として形成し、有機発光素子を作製した。

上記有機発光素子を形成したＰＥＮフィルム上に、図１０で示した領域に、第２の樹脂層１０７と第３の樹脂層１１０として、膜厚２０μｍの光硬化性エポキシ樹脂を、第１の樹脂塗布部（スロットダイコータ）８０３を用いて形成した。封止基板１０８には、片面にパシベーション膜としてＳｉＮ_x膜が形成されたＰＥＮフィルムが用いられた。その反対の片面に、第１の樹脂層１０６として膜厚２０μｍの熱硬化性エポシキ樹脂を、第２の樹脂塗布部（スロットダイコータ）８０４を用いて形成した。次に、貼合部８０５で、基板１０１と封止基板１０８を大気圧雰囲気で貼り合せた。始めに、図１０に示した、Ｂ方向にある第１の樹脂層１０６とその両側にある第３の樹脂層１１０と第２の樹脂層１０７を圧着し、第２の樹脂硬化処理部８０６にて第３の樹脂層１１０及び第２の樹脂層１０７を光硬化させた。次に、Ａ方向側の第１の樹脂層１０６とＡ方向側の第３の樹脂層１１０を圧着し、第２の樹脂硬化処理部８０６にて第３の樹脂層１１０を光硬化させた。同圧着・光硬化工程は、２つの第１の樹脂層１０６と第２の樹脂層１０７、及び２つの第３の樹脂層１１０を圧着させて光硬化させてもよい。次に、第２の樹脂層１０７及び第３の樹脂層１１０を光硬化させて基板１０１と封止基板１０８を一体化させた基板を第１の樹脂硬化処理部８０７に送り、８０℃、１０分間の条件で加熱硬化させて、断裁装置９０３にて断裁し、白色発光装置を完成させた。

この白色発光装置では、ロール・ツー・ロール法にて基板と封止基板を貼り合せた。ロール・ツー・ロール法では、基板を高速で搬送する。第２の樹脂層１０７及び第３の樹脂層１１０を光硬化させる事で、第１の樹脂層１０６がロールツーロール法にて熱硬化する事ができた。

本発明の実施例２として、図２に示す別構造の白色発光素子を作製した。基板１０１、下部電極１０２、正孔輸送層（電荷輸送層）２０１は実施例１と同条件で作製した。第１の発光層２０２は、ホストとして上述の式（２）、緑色ドーパントには上述の式（４）、赤色ドーパントには式（７）を用いた。

それぞれの材料の重量比は１００：１０：１とした。これらのホスト、緑色ドーパント材料、赤色ドーパント材料をトルエンに溶解させて塗液を作製した。塗液の固形成分濃度は１ｗｔ．％に設定した。この塗液を用いて、スロットダイコータで膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。

次に、電荷輸送層２０３を形成した。同輸送層は、式（８）のホスト、式（９）の青色ドーパント、式（１０）の電子輸送性材料からなる。

それぞれの材料の重量比は１００：１０：１００とした。これらのホスト、青色ドーパント材料、電子輸送材料を２−プロパノールに溶解させて塗液を作製した。塗液の固形成分濃度は１ｗｔ．％に設定した。この塗液を用いて、スロットダイコータで膜厚４０ｎｍの電荷輸送層を形成した。電子輸送材料は上側に上がっていくため、電荷輸送層２０３は、下側から、青色発光層と電子輸送層の疑似積層構造となる。続いて、上部電極１０４を実施例１と同条件で形成し、有機発光素子を作製した。

上記有機発光素子を形成した基板上に、実施例１と同条件で、第２の樹脂層１０７と第３の樹脂層１１０を形成した。また、実施例１と同条件で、封止基板１０８に第１の樹脂層１０６を形成した。次に、貼合部８０５で、基板１０１と封止基板１０８を貼り合せた。始めに、貼合部８０５内の真空度を２００Ｐａまで真空にした。次に、基板１０１と封止基板１０８を圧着して、圧着を保持した状態で大気圧雰囲気に戻した。その後、第２の樹脂硬化処理部８０６にて第２の樹脂層１０７及び第３の樹脂層１１０を光硬化させた。次に、基板１０１と封止基板１０８を一体化させた基板を第１の樹脂硬化処理部８０７に送り、実施例１と同条件で第１の樹脂の熱硬化、断裁を行い、白色発光装置を完成させた。

この白色発光装置では、ロール・ツー・ロール法にて基板１０１と封止基板１０８を貼り合せた。第２の樹脂層１０７及び第３の樹脂層１１０を光硬化させる事で、第１の樹脂層１０６がロール・ツー・ロール法にて熱硬化する事ができた。また、真空雰囲気で貼り合せる事により、第１、第２、及び第３の樹脂には気泡が存在しない封止状態を達成した。

本発明の実施例３として、図３に示す構造の白色発光素子を作製した。基板１０１、下部電極１０２、正孔輸送層（電荷輸送層）２０１は実施例１と同条件で作製した。第２の発光層２０４は、ホストとして上述の式（２）、緑色ドーパントには上述の式（４）、赤色ドーパントには式（７）を用いた。作製条件は、実施例２の第１の発光層２０２と同じである。

次に、第２の発光層２０５を形成した。ホストは、上述の式（８）、青色ドーパントは式（３）からなる。

それぞれの材料の重量比は１００：１０とした。これらのホスト、青色ドーパント材料を２−プロパノールに溶解させて塗液を作製した。塗液の固形成分濃度は１ｗｔ．％に設定した。この塗液を用いて、スロットダイコータで膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。続いて、上部電極１０４を実施例１と同条件で形成し、有機発光素子を作製した。

次に、貼り合せ工程を説明する。貼り合せ工程は真空雰囲気（２００Ｐａ）で行われた。上記有機発光素子を形成した基板上に、図１１に示した第２の樹脂層１０７と第３の樹脂層１１０の内、ＬＫ方向に平行で第１の樹脂のＬＫ方向の幅と等しい領域に膜厚２０μｍの光硬化性エポキシ樹脂をスロットダイコータで塗布形成した。また、封止基板１０８に、ＩＪ方向と平行な２つの領域にディスペンサを用いて膜厚２０μｍの光硬化性樹脂を塗布した。次に、封止基板１０８に実施例１と同条件で第１の樹脂層１０６を形成した。次に、貼合部８０５で、基板１０１と封止基板１０８を圧着して貼り合せた。その後、第２の樹脂硬化処理部８０６にて第２の樹脂層１０７及び第３の樹脂層１１０を光硬化させた。次に、基板１０１と封止基板１０８を一体化させた基板を第１の樹脂硬化処理部８０７に送り、実施例１と同条件で第１の樹脂層の熱硬化、断裁を行い、白色発光装置を完成させた。

この白色発光装置では、ロール・ツー・ロール法にて基板と封止基板を貼り合せた。第２の樹脂及び第３の樹脂を光硬化させる事で、第１の樹脂がロールツーロール法にて熱硬化する事ができた。また、真空雰囲気で貼り合せる事により、第１、第２、及び第３の樹脂には気泡が存在しない封止状態を達成した。

本発明の実施例４として、図４に示す構造の白色発光素子を作製した。基板１０１、下部電極１０２、正孔輸送層（電荷輸送層）２０１は実施例１と同条件で作製した。その上に、膜厚２０ｎｍの第４の発光層２０６の形成した。ホストとして上述の式（２）、緑色ドーパントには上述の式（４）を用いた。作製条件は、真空下で抵抗加熱蒸着法を用いた。その上に、膜厚２０ｎｍの第５の発光層２０７を形成した。ホストは、上述の式（２）、赤色ドーパントは上述の式（７）を用いた。形成方法は真空抵抗加熱蒸着法である。その上に、膜厚２０ｎｍの第６の発光層２０８を形成した。ホストは、上述の式（８）、青色ドーパントは上述の式（３）を用いた。形成方法は真空抵抗加熱蒸着法である。続いて、電子輸送層２０３、上部電極１０４を実施例１と同条件で形成し、有機発光素子を作製した。

次に、有機発光素子を作製した基板１０１と封止基板１０４の貼り合せを行った。基板１０１及び封止基板１０４への第１の樹脂層１０６、第２の樹脂層１０７、及び第３の樹脂層１１０の形成は実施例３と同条件で行い、貼り合せ、切断は実施例２と同条件で行い、白色発光装置を完成させた。

この白色発光装置では、ロールツーロール法にて基板と封止基板を貼り合せた。第２の樹脂層１０７及び第３の樹脂層１１０を光硬化させる事で、第１の樹脂層１０６がロールツーロール法にて熱硬化する事ができた。また、真空雰囲気で貼り合せる事により、第１、第２、及び第３の樹脂には気泡が存在しない封止状態を達成した。

２…有機薄膜形成工程、３…上部電極形成工程、４…封止基板貼り合せ工程、５…基板切断工程、１０１…基板、１０２…下部電極、１０３…有機層、１０４…上部電極、１０５…有機発光基板、１０６…第１の樹脂層、１０７…第２の樹脂層、１０８…封止基板、１０９…バンク、１１０…第３の樹脂層、２０１…電荷輸送層、２０２…第１の発光層、２０３…電荷輸送層、２０４…第２の発光層、２０５…第３の発光層、２０６…第４の発光層、２０７…第５の発光層、２０８…第６の発光層、６０１，７０１，８０１，９０１…基板供給部、６０２…洗浄・表面改質処理部、６０３…塗布・乾燥部、６０４，７０８，８０９…基板巻き取り部、７０２…第１上部電極形成部、７０３…第２上部電極形成部、７０４，７０６…蒸着真空槽、７０５，７０７…蒸着源容器、８０２…封止基板供給部、８０３…第１の樹脂塗布部、８０４…第２の樹脂塗布部、８０５…貼合部、８０６…第２の樹脂硬化処理部、８０７…第１の樹脂硬化処理部、８０８…ヒータ、９０２…アライメントマーク検出部、９０３…断裁装置

Claims (11)

1. 基板と、
   前記基板の上に設けられた下部電極と、
   前記下部電極の上に設けられた有機層と、
   前記有機層の上に設けられた上部電極と、
   前記上部電極の上に設けられた透明樹脂層と、を有し、
   前記透明樹脂層は、熱硬化樹脂で構成する第１の樹脂層と、光硬化樹脂で構成する第２の樹脂層とで構成され、
   面方向に、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層が並んで設けられた光源装置。
2. 請求項１に記載の光源装置において、
   面方向に、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層とが順に設けられた光源装置。
3. 請求項１に記載の光源装置において、
   前記下部電極の上であって前記有機層及び前記上部電極の側面に、バンクが設けられ、 前記バンクの上であって前記第１の樹脂層の側面に、光硬化樹脂で構成する第３の樹脂層が設けられた光源装置。
4. 請求項３に記載の光源装置において、
   面方向に、前記第３の樹脂層と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と、前記第３の樹脂層とが順に設けられた光源装置。
5. 請求項３に記載の光源装置において、
   第１の断面において、面方向に、前記第３の樹脂層と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と、前記第３の樹脂層とが順に設けられ、
   前記第１の断面に平行な第２の断面において、連続的に前記第２の樹脂層が設けられ、 前記第１の断面に直交する第３の断面において、連続的に前記第２の樹脂層が設けられ、
   前記第１の樹脂層が前記第２の樹脂層及び前記第３の樹脂層に囲まれている光源装置。
6. 請求項１または２に記載の光源装置において、
   前記第２の樹脂層は、光重合開始剤を含有する光源装置。
7. 請求項３乃至５のいずれかに記載の光源装置において、
   前記第２の樹脂層及び第３の樹脂層は、光重合開始剤を含有する光源装置。
8. 下部電極と、有機層と、上部電極とを有機発光基板フィルムに形成する工程と、
   前記有機発光基板フィルムまたは封止基板フィルムに、光硬化樹脂及び熱硬化樹脂を交互に塗布する工程と、
   塗布された前記光硬化樹脂を硬化させて、前記有機発光基板フィルムと前記封止基板フィルムとを貼り合わせる光硬化工程と、
   前記光硬化工程の後に、塗布された前記熱硬化樹脂を硬化させて、前記有機発光基板フィルムと前記封止基板フィルムとを貼り合わせる熱硬化工程とを含む光源装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の光源装置の製造方法において、
   前記有機発光基板フィルムと前記封止基板フィルムを一体で搬送する搬送部の曲率Ｒと前記光硬化樹脂の塗布間隔Ｌが以下の式（１）を満たす光源装置の製造方法。
   Ｌ≦πＲ／２…（式１）。
10. 請求項８に記載の光源装置の製造方法において、
    前記熱硬化樹脂と前記光硬化樹脂を、スロットダイ方式により塗布する発光装置の製造方法。
11. 請求項８に記載の光源装置の製造方法において、
    前記熱硬化樹脂をスロットダイ方式により塗布し、前記光硬化樹脂をディスペンサ方式により塗布する発光装置の製造方法。

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