JPWO2014104111A1 - 切削工具 - Google Patents
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Abstract
【課題】切刃、すくい面、逃げ面それぞれに最適な切削性能を発揮できる被覆層を備えた切削工具を提供する。【解決手段】 基体2の表面に、SiaM1−a(C1−xNx)(ただし、MはTi、Al、Cr、W、Mo、Ta、Hf、Nb、ZrおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.01≦a≦0.4、0≦x≦1)からなる被覆層6を被覆してなるとともに、すくい面3と逃げ面4との交差稜線に切刃5を有しており、切刃5よりもすくい面3のほうが被覆層6中のSi含有比率が高い切削工具1である。【選択図】 図1
Description
本発明は基体の表面に被覆層が被覆されている切削工具に関する。
現在、切削工具や耐摩部材、摺動部材といった耐摩耗性や摺動性、耐欠損性を必要とする部材では、超硬合金やサーメット等の焼結合金、ダイヤモンドやcBN(立方晶窒化硼素)の高硬度焼結体、アルミナや窒化珪素等のセラミックスからなる基体の表面に被覆層を成膜して、耐摩耗性、摺動性または耐欠損性を向上させる手法が使われている。
また、イオンプレーティング法やスパッタリング法を用いて成膜されるTiやAlを主成分とする窒化物からなる被覆層が盛んに研究されており、工具寿命を延命させるための改良が続けられている。これら表面被覆工具は、切削速度の高速化を初めとする切削環境の変化、被削材の多様化に対応するため、被覆材料元素以外にも様々な工夫が施されてきている。
例えば、特許文献1や特許文献2では、イオンプレーティング法にて基体の表面にTiAlN等を被覆した表面被覆工具において、成膜中に印加する負のバイアスの絶対値を成膜初期よりも成膜後期で高めることによって、Tiの比率を平坦部よりも切刃で多くした被覆膜(被覆層)が開示されている。
しかしながら、特許文献1や特許文献2に記載された切刃におけるTiの比率を高くしたTiAlN膜の構成でも、切刃におけるチッピングを十分に抑制することができず、チッピングから急激に摩耗が進行して、工具を長期間に亘って使用できない場合があった。
本発明は上記課題を解決するためのものであり、その目的は、切刃、すくい面、逃げ面それぞれに最適な切削性能を発揮できる被覆層を備えた切削工具を提供することにある。
本発明の切削工具は、基体の表面に、平均組成が、SiaM1−a(C1−xNx)(ただし、MはTi、Al、Cr、W、Mo、Ta、Hf、Nb、ZrおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.01≦a≦0.40、0≦x≦1)からなる被覆層を被覆してなるとともに、すくい面と逃げ面との交差稜線に切刃を有しており、前記すくい面における前記被覆層中のSi含有比率が、前記切刃における前記被覆層中のSi含有比率よりも高いものである。
本発明の切削工具によれば、前記すくい面における前記被覆層中のSi含有比率が、前記切刃における前記被覆層中のSi含有比率よりも高い構成となっており、これによって、切屑の接触によって高温となるすくい面における被覆層の耐酸化性を高めることができる。そのため、すくい面のクレータ摩耗の進行を抑制できる。また、切刃においては、Si含有比率がすくい面に比べて低いので、被覆層の靭性が向上する。そのため、切刃における耐チッピング性が向上する。その結果、切刃、すくい面、逃げ面それぞれに最適な切削性能を発揮でき、切削工具を長期間に亘って使用することができる。
本発明の切削工具についての好適な実施態様である図1、2を用いて説明する。
図1、2によれば、切削工具1は、基体2の表面に被覆層6を具備している。また、切削工具1は、主面にすくい面3を、側面に逃げ面4を、すくい面3と逃げ面4との交差稜線に切刃5を有している。
被覆層6は、平均組成が、SiaM1−a(C1−xNx)(ただし、MはTi、Al、Cr、W、Mo、Ta、Hf、Nb、ZrおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.01≦a≦0.40、0≦x≦1)からなる。
本実施態様によれば、すくい面3における被覆層6中のSi含有比率(a)が、切刃5における被覆層6中のSi含有比率よりも高く、特に、切刃5からすくい面3に向かって、漸次、被覆層6中のSi含有比率が高くなっている。これによって、切屑の接触によって高温となるすくい面3における被覆層6の耐酸化性を高めることができる。そのため、すくい面3のクレータ摩耗の進行を抑制できる。また、切刃5においては、Si含有比率がすくい面3に比べて低いので、被覆層6の靭性が向上する。そのため、切刃5における耐チッピング性が向上する。その結果、工具寿命を延びる。なお、Si含有比率の好適な範囲は、切刃5の被覆層6中で0.01〜0.035、すくい面3の被覆層6中で0.01〜0.30である。
ここで、平均組成が、SiaM1−a(C1−xNx)(ただし、MはTi、Al、Cr、W、Mo、Ta、Hf、Nb、ZrおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.01≦a≦0.4、0≦x≦1)からなる被覆層6において、a(Si含有比率)が0.01よりも小さいと被覆層6の耐酸化性および潤滑性が低下する。a(Si含有比率)が0.4よりも大きいと被覆層6の耐摩耗性が低下する。aの特に望ましい範囲は0.01≦a≦0.15である。
なお、MはTi、Al、Cr、W、Mo、Ta、Hf、Nb、Zr、Yから選ばれる1種以上であるが、中でもTi、Al、Cr、Nb、MoおよびWの1種以上を含有すると硬度が向上して、耐摩耗性に優れる。中でも、MがTi、AlまたはNbを含有すると高温での耐酸化性に優れるために、例えば、高速切削におけるクレータ摩耗の進行を抑制できる。
ここで、本実施態様における被覆層6のより具体的な平均組成を例示すると、SiaTibAlcNbdWeCrf(C1−xNx)(0.01≦a≦0.40、0.13≦b≦0.80、0≦c≦0.65、0≦d≦0.25、0≦e≦0.25、0≦f≦0.35、a+b+c+d+e+f=1、0≦x≦1)である。被覆層6がこの組成範囲になることによって、被覆層6は酸化開始温度が高くなって耐酸化性が高くかつ内在する内部応力を低減することができて耐欠損性が高い。しかも、被覆層6は硬度および基体2との密着性も高いものである。そのため、被覆層6は難削材の加工や乾式切削、高速切削等のきつい切削条件における耐摩耗性および耐欠損性に優れたものとなる。なお、上記組成において、被覆層6中の含有比率が1原子%未満でMo、Ta、Hf、ZrおよびYから選ばれる少なくとも1種を含有していてもよい。
すなわち、b(Ti含有比率)が0.13以上であると、被覆層6の結晶構造が立方晶から六方晶へ変化して硬度が低下することなく、耐摩耗性が高い。b(Ti含有比率)が0.8以下であると、被覆層6の耐酸化性および耐熱性が高い。bの特に望ましい範囲は0.15≦b≦0.50である。また、c(Al含有比率)が0.6以下であると被覆層6の結晶構造が立方晶から六方晶に変化せず硬度が低下することがない。cの特に望ましい範囲は0.45≦c≦0.58である。さらに、d(Nb含有比率)が0.25以下であると被覆層6の耐酸化性および硬度が低下することなく耐摩耗性が高い。dの特に望ましい範囲は0.01≦d≦0.20である。e(W含有比率)が0.25以下であると被覆層6の耐酸化性および硬度が低下することなく耐摩耗性が高い。eの特に望ましい範囲は0.01≦e≦0.20である。f(Cr含有比率)が0.35以下であると被覆層6の耐溶着性が高く、かつ耐酸化性が低下することなく耐摩耗性が高い。fの特に望ましい範囲は0.01≦f≦0.30である。
また、被覆層6の非金属成分であるC、Nは切削工具に必要な硬度および靭性に影響を及ぼすものであり、本実施態様では、x(N含有比率)は0≦x≦1、特に、0.8≦x≦1である。
上記被覆層6の平均組成は、エネルギー分散型X線分光分析法(EDS)またはX線光電子分光分析法(XPS)にて、被覆層6の表面から基体側に亘る組成を測定することによって特定できる。切刃5、すくい面3、逃げ面4における被覆層の組成を測定することによって、切刃5、すくい面3、逃げ面4のそれぞれにおける被覆層6の平均組成を求めることができる。
また、本実施態様においては、切刃5における被覆層6中のSi含有比率が、逃げ面4における被覆層6中のSi含有比率よりも高く、さらには、逃げ面4から切刃5に向かって、漸次、被覆層6中のSi含有比率が高くなっている。これによって、切刃5における耐熱性を向上できるとともに、逃げ面4における耐欠損性が高くなる。
また、本実施態様では、すくい面3における被覆層6の平均組成におけるSi含有比率が、逃げ面4における被覆層6の平均組成におけるSi含有比率よりも大きい。これによって、すくい面3における硬度および耐酸化性が向上して、すくい面3におけるクレータ摩耗を抑制できる。また、逃げ面4における靭性が高くなり、逃げ面の境界損傷を抑制できる。
なお、下記被覆層6の組成や厚みを特定する際の切刃5の範囲は、すくい面3と逃げ面4との交差稜線から500μm幅の領域と定義する。したがって、すくい面3の範囲は、切削工具1の主面等のすくい面3の中央から切刃5の終端である交差稜線から500μmの位置までに亘る領域、逃げ面4の範囲は、切削工具1の側面等の逃げ面4の中央から切刃5の終端である交差稜線から500μmの位置までに亘る領域である。
ここで、本実施態様において、切刃5における被覆層6の平均組成は、上記組成式SiaTibAlcNbdWeCrf(C1−xNx)において、0.012≦a≦0.35、0.15≦b≦0.80、0≦c≦0.63、0≦d≦0.25、0≦e≦0.25、0≦f≦0.35、a+b+c+d+e+f=1、0≦x≦1)である。すくい面3における被覆層6の組成は、上記組成式SiaTibAlcNbdWeCrf(C1−xNx)において、0.015≦a≦0.4、0.13≦b≦0.78、0≦c≦0.65、0≦d≦0.25、0≦e≦0.25、0≦f≦0.35、a+b+c+d+e+f=1、0≦x≦1)である。逃げ面4における被覆層6の組成は、上記組成式SiaTibAlcNbdWeCrf(C1−xNx)において、0.01≦a≦0.3、0.14≦b≦0.79、0≦c≦0.62、0≦d≦0.25、0≦e≦0.25、0≦f≦0.35、a+b+c+d+e+f=1、0≦x≦1)である。
また、被覆層6は、全体が均一な単一の組成からなるものであってもよいが、本実施態様においては、図3の被覆層6の一例についての要部拡大図に示すように、被覆層6が異なる組成の2層以上が交互に積層された多層構成となっている。そして、本実施態様においては、第1被覆層6aと第2被覆層6bとが合計で10層以上繰り返し交互に積層された構成からなる。これによって、被覆層6内にクラックが進展することを抑制することができ、かつ被覆層6全体が高硬度化して、耐摩耗性が向上する。また、被覆層6の内部応力を低くできるので、被覆層6の厚みを厚くしても、被覆層6がチッピングや剥離することを抑制できる。
なお、本発明において、このように組成の異なる2種類以上の多層構成からなる被覆層6の場合、被覆層6の平均組成は、上述したEDS分析またはXPS分析にて被覆層6の表面から基体に亘る全体組成にて表す。そして、被覆層6中の第1層6aおよび第2層6bの各層の組成については、透過型電子顕微鏡(TEM)にて被覆層6の断面を観察して、EDS分析によって各層の組成を測定することができる。
また、上記多層構成の被覆層6を形成するには、例えば、成膜装置のチャンバの内壁側面に、組成の異なるターゲットを一定の間隔をあけて配置した状態で、成膜する試料を回転させながら成膜することによって作製することができる。
一方の層(第1層6aまたは第2層6b)が、SiaTibAlcNbdWe(C1−x1Nx1)(ただし、0.01≦a≦0.80、0.1≦b≦0.80、0≦c≦0.80、0≦d≦0.50、0≦e≦0.50、a+b+c+d+e=1、0≦x1≦1)からなり、他方の層(第16aまたは第2層6b)が、SigAlhCri(C1−x2Nx2)(ただし、0≦g≦0.30、0.30≦h≦0.90、0.05≦i≦0.70、0≦x2≦1)からなる場合には、被覆層6の硬度及び耐溶着性が向上するとともに、被覆層6の内部応力を低くでき、被覆層6の厚みを厚くしても、被覆層6がチッピングや剥離することを抑制できる。各元素のより好適な範囲は、0.01≦a≦0.20であり、0.10≦b≦0.50であり、0.30≦c≦0.70であり、0.01≦d≦0.30であり、0.01≦e≦0.20であり、0≦g≦0.20であり、0.30≦h≦0.80であり、0.15≦i≦0.60であり、0.8≦x1≦1であり、0.8≦x2≦1である。
ここで、第1被覆層6aおよび第2被覆層6bの組成は、連続する5層ずつ(合計10層)の組成を測定して平均値を取ることにより算出される。
被覆層6の上記組成式において、切刃5における一方の被覆層(第1層6aまたは第2被覆層6b)の組成は、0.01≦a≦0.75、0.15≦b≦0.80、0≦c≦0.70、0≦d≦0.50、0≦e≦0.50、a+b+c+d+e=1、0≦x1≦1)である。すくい面3における一方の被覆層の組成は0.02≦a≦0.80、0.10≦b≦0.70、0≦c≦0.80、0≦d≦0.50、0≦e≦0.50、a+b+c+d+e=1、0≦x1≦1)である。逃げ面4における一方の被覆層の組成は、0.01≦a≦0.70、0.1≦b≦0.75、0≦c≦0.75、0≦d≦0.50、0≦e≦0.50、a+b+c+d+e=1、0≦x1≦1)である。
また、切刃5における他方の被覆層(第1被覆層6aまたは第2層6b)の組成は、0≦g≦0.25、0.30≦h≦0.75、0.05≦i≦0.60、0≦x2≦1)である。すくい面3における第2層6bの組成は、0≦g≦0.30、0.40≦h≦0.80、0.05≦i≦0.70、0≦x2≦1)である。逃げ面4における第2層6bの組成は、0≦g≦0.20、0.30≦h≦0.60、0.05≦i≦0.65、0≦x2≦1)である。
さらに、本実施態様では、すくい面3における被覆層6の厚みtrに対する切刃5における被覆層6の厚みtcの比(tc/tr)が1.1〜3である。これによって、切刃5における耐チッピング性とすくい面3における耐摩耗性とのバランスを保って、工具寿命を長くすることができる。
なお、本実施態様では、被覆層6の逃げ面4における厚みtfが、すくい面3における厚みtrよりも厚い。これによって、逃げ面4の耐摩耗性が向上し、工具寿命を延ばすことができる。本実施態様では、すくい面3における被覆層6の厚みtrに対する逃げ面4における被覆層6の厚みtfの比(tf/tr)が1.2〜3である。
また、被覆層6の表面および内部には、図2に示すように、ドロップレット7と呼ばれる粒状物質が存在する。そして、本実施態様では、すくい面3の表面に存在するドロプレット7の平均組成は逃げ面4の表面に存在するドロップレット7の平均組成に比べてSiの含有比率が高い構成となっている。
この構成によれば、切削時にすくい面3上を切屑が通過してもドロップレット7の存在によって切屑がすくい面3にベタ当たりすることなく、被覆層6の表面がさほど高温になることがない。しかも、すくい面3のほうが逃げ面4に比べてドロップレット7中のSiの含有比率が高いので、すくい面3上に存在するドロップレット7の耐熱性が高く、かつ切削液を被覆層6の表面に保液する効果も発揮する。また、逃げ面4においてはドロップレット7中のSiの含有比率が低くて耐熱性が低いために、早期に摩耗して消滅してしまい、加工時の仕上げ面状態が改善される。
なお、本実施態様では、被覆層6のすくい面3の表面に形成されるドロップレット7のSi含有比率SiDRは逃げ面4の表面に形成されるドロップレット7のSi含有比率SiDFに対して1.05≦SiDR/SiDF≦3.50である。これによって、すくい面3および逃げ面4における耐摩耗性をともに最適化できる。
また、存在するドロップレット7の数は、すくい面3における10μm×10μm四方で直径が0.2μm以上のドロップレット7が15〜50個、望ましくは18〜30個であることが切屑の通過による発熱の緩和の点で望ましい。また、すくい面3におけるドロップレット7の数が逃げ面4に存在するドロップレット7の数よりも多いことが、すくい面3が切屑の通過によって高温になることを緩和するとともに、逃げ面4の表面を滑らかにして仕上げ面品位を向上する点で望ましい。
また、被覆層6のすくい面3の表面に形成されるドロップレット7のAl含有比率AlDRは逃げ面4の表面に形成されるドロップレット7のAl含有比率AlDFに対して1.00≦AlDR/AlDF≦1.10であることが、すくい面3および逃げ面4における耐摩耗性を最適化できる点で望ましい。比率AlDR/AlDFの特に望ましい範囲は1.00≦AlDR/AlDF≦1.02である。さらに、被覆層6のすくい面3の表面に形成されるドロップレット7のTi含有比率TiDRは逃げ面4の表面に形成されるドロップレット7のTi含有比率TiDFに対して0.91≦TiDR/TiDF≦0.97であることが、すくい面3および逃げ面4における耐チッピング性をともに最適化できる点で望ましい。比率TiDR/TiDFの特に望ましい範囲は0.94≦TiDR/TiDF≦0.97である。
なお、基体2としては、炭化タングステンや炭窒化チタンを主成分とする硬質相とコバルト、ニッケル等の鉄族金属を主成分とする結合相とからなる超硬合金やサーメットの硬質合金、窒化ケイ素や酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス、多結晶ダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素からなる硬質相とセラミックスや鉄族金属等の結合相とを超高圧下で焼成する超高圧焼結体等の硬質材料が好適に使用される。
(製造方法)
次に、本発明の切削工具の製造方法について説明する。
次に、本発明の切削工具の製造方法について説明する。
まず、工具形状の基体を従来公知の方法を用いて作製する。次に、基体の表面に、被覆層を成膜する。被覆層の成膜方法として、イオンプレーティング法やスパッタリング法等の物理蒸着(PVD)法が好適に適応可能である。成膜方法の一例についての詳細について説明すると、被覆層をアークイオンプレーティング法で作製する場合には、金属シリコン(Si)、および所定の金属M(ただし、MはTi、Al、Cr、W、Mo、Ta、Hf、Nb、ZrおよびYから選ばれる少なくとも1種以上)をそれぞれ独立に含有する金属ターゲット、複合化した合金ターゲットまたは焼結体ターゲットをチャンバの側壁面位置にセットする。本実施態様では、Siを多く含有する第1ターゲットと、Siを含有しないかまたはSi含有量が少ない第2ターゲットとの2種類のターゲットを用いて成膜する。
このとき、ターゲットの周囲には、ターゲットの裏面の中央側に位置するようにセンター磁石が設置されている。本発明によれば、この磁石の磁力の強さを制御することによって、上記実施態様の切削工具を作製することができる。すなわち、第1ターゲットに併設されるセンター磁石の磁力を強くし、第2ターゲットのセンター磁石の磁力を弱くする。これによって、各ターゲットから発生する金属イオンの拡散状態を変えて、チャンバ内に存在する金属イオンの分布状態を変化させる。その結果、基体の表面に成膜される被覆層中の各金属の比率、およびドロップレットの存在状態を変化させることができる。
成膜条件としては、これらのターゲットを用いて、アーク放電やグロー放電などにより金属源を蒸発させイオン化すると同時に、窒素源の窒素(N2)ガスや炭素源のメタン(CH4)/アセチレン(C2H2)ガスと反応させるイオンプレーティング法またはスパッタリング法によって被覆層を成膜する。このとき、基体のセット位置は逃げ面がチャンバの側面とほぼ平行に、かつすくい面がチャンバの上面とほぼ平行な向きにセットする。この時、センター磁石には2〜8Tの磁力を印加して成膜するが、第1ターゲットに併設されるセンター磁石に印加する磁力を、第2ターゲットに併設されるセンター磁石に印加する磁力よりも高くして成膜する。
なお、上記被覆層を成膜する際には、被覆層の結晶構造を考慮して高硬度な被覆層を作製できるとともに基体との密着性を高めるために、本実施態様では、35〜200Vのバイアス電圧を印加する。
また、チャンバ内にセットする試料を、チャンバ内で回転させながら成膜することによて、試料と2種類のターゲットとの距離が周期的に変化するので、第1層と第2層との交互積層構造からなる被覆層を成膜することができる。
平均粒径0.8μmの炭化タングステン(WC)粉末を主成分として、平均粒径1.2μmの金属コバルト(Co)粉末を10質量%、平均粒径1.0μmの炭化バナジウム(VC)粉末を0.1質量%、平均粒径1.0μmの炭化クロム(Cr3C2)粉末を0.3質量%の割合で添加し混合して、プレス成形により京セラ製切削工具BDMT11T308TR−JT形状のスローアウェイチップ形状に成形した後、脱バインダ処理を施し、0.01Paの真空中、1450℃で1時間焼成して超硬合金を作製した。また、各試料のすくい面の表面をブラスト加工、ブラシ加工等によって研磨加工した。さらに、作製した超硬合金にブラシ加工にて刃先処理(ホーニング)を施した。
このようにして作製した基体に対して、チャンバ内の第1ターゲット、第2ターゲットに対して表1に示す磁力のセンター磁石をセットして、表1に示すバイアス電圧を印加し、アーク電流150Aをそれぞれ流し、成膜温度540℃として表2〜3に示す組成の被覆層を成膜した。なお、被覆層の組成は下記方法にて全体組成を測定した。
得られたスローアウェイチップに対して、被覆層の表面から、切刃、すくい面及び逃げ面の被覆層の各位置の任意3箇所およびすくい面および逃げ面の表面上に形成されたドロップレットを走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察し、各位置での組成を分析した。切刃、すくい面、逃げ面における3か所の平均組成を、被覆層の切刃、すくい面、逃げ面の組成として表記した。また、1視野における10μm×10μmの任意領域における直径0.2μm以上のドロップレットの個数を測定し、測定箇所5箇所における平均個数を算出した。さらに、ドロップレット各10個の組成をエネルギー分散分光分析(EDS)(アメテック社製EDAX)によって測定し、これらの平均値を被覆層のすくい面、逃げ面および各表面上のドロップレットの組成として算出した。表中、すくい面に形成されたドロップレットについてSi,Ti,Alの平均含有量(原子%)をそれぞれSiDR、TiDR、AlDR、逃げ面に形成されたドロップレットについてSi,Ti,Alの平均含有量(原子%)をそれぞれSiDF、TiDF、AlDFと表記した。さらに、各試料の被覆層を含む断面についてSEM観察を行い、切刃、すくい面および逃げ面の各位置における被覆層の厚みを測定し、厚み比を求めた。結果は表2〜4に示した。
次に、得られたスローアウェイチップを用いて以下の切削条件にて切削試験を行った。結果は表4に示した。
切削方法:ミリング加工
被削材 :金型鋼(SKD11)
切削速度:150m/分
送り :0.12mm/rev
切り込み:2.0mm
切削状態:乾式
評価方法:200個加工後の切削工具を観察して切刃状態を確認した。また、工具寿命まで加工できた加工数を確認した。
切削方法:ミリング加工
被削材 :金型鋼(SKD11)
切削速度:150m/分
送り :0.12mm/rev
切り込み:2.0mm
切削状態:乾式
評価方法:200個加工後の切削工具を観察して切刃状態を確認した。また、工具寿命まで加工できた加工数を確認した。
表1〜4に示す結果より、切刃とすくい面との被覆層のSi含有比率が同じ試料No.9、および、切刃よりもすくい面において被覆層のSi含有比率が低い試料No.8では、切刃においてチッピングが発生しやすく、かつ、すくい面におけるクレータ摩耗が進行して早期に寿命となった。
これに対して、本発明の範囲内である試料No.1〜7では、いずれも切刃におけるチッピングの発生が少なく、かつすくい面におけるクレータ摩耗の進行が遅くて加工数が多く、良好な切削性能を発揮した。
実施例1の基体に対して、第1ターゲット、第2ターゲットに対して表5に示す磁力のセンター磁石をセットして、表5に示すバイアス電圧を印加し、アーク電流150Aをそれぞれ流し、成膜温度540℃として表6〜8に示す組成の被覆層を成膜した。なお、被覆層の組成は、実施例1と同様にして、全体組成を測定した。
また、得られた試料に対して、実施例1と同様に、切刃、すくい面及び逃げ面の被覆層の表面のドロップレットの個数と、ドロップレット中のSi,Al,Tiの平均含有量(原子%)、各位置における被覆層の厚みを測定した。結果は表6〜7に示した。
なお、各被覆層を透過型電子顕微鏡(TEM)にて観察したところ、第1層と第2層とが交互に積層した構造からなることがわかった。連続する10層(第1層と第2層の5層ずつ)について第1層と第2層の厚みを測定し、その平均値を算出したところ、いずれも平均厚み10nmであった。また、TEM装置に付随のエネルギー分散型X線分析(EDS)にて、連続する5層ずつについて第1層および第2層の組成を分析した。結果は表6〜9に示した。さらに、実施例1と同じ条件で切削性能を評価した。結果は表10に示した。
表5〜10に示す結果より、試料No.10〜12のいずれも、切刃におけるチッピングの発生が少なく、かつすくい面におけるクレータ摩耗の進行が遅くて加工数が多かった。特に、被覆層が、第1層または第2層のいずれか一方が、SiaTibAlcNbdWe(C1−x1Nx1)(ただし、0.01≦a≦0.80、0.1≦b≦0.80、0≦c≦0.80、0≦d≦0.50、0≦e≦0.50、a+b+c+d+e=1、0≦x1≦1)からなり、第2層または第1層の他方が、SigAlhCri(C1−x2Nx2)(ただし、0≦g≦0.30、0.30≦h≦0.90、0.05≦i≦0.70、0≦x2≦1)からなる試料No.10、11では、さらに良好な切削性能を発揮した。
1 切削工具
2 基体
3 すくい面
4 逃げ面
5 切刃
6 被覆層
7 ドロップレット
2 基体
3 すくい面
4 逃げ面
5 切刃
6 被覆層
7 ドロップレット
Claims (6)
- 基体の表面に、平均組成が、SiaM1−a(C1−xNx)(ただし、MはTi、Al、Cr、W、Mo、Ta、Hf、Nb、ZrおよびYから選ばれる少なくとも1種、0.01≦a≦0.4、0≦x≦1)からなる被覆層を被覆してなるとともに、すくい面と逃げ面との交差稜線に切刃を有しており、前記すくい面における前記被覆層中のSi含有比率が、前記切刃における前記被覆層中のSi含有比率よりも高い切削工具。
- 前記切刃における前記被覆層中のSi含有比率が、前記逃げ面における前記被覆層中のSi含有比率よりも高い請求項1記載の切削工具。
- 前記すくい面における前記被覆層の厚みtrに対する前記切刃における前記被覆層の厚みtcの比(tc/tr)が1.1〜3である請求項1または2記載の切削工具。
- 前記すくい面の表面に形成されるドロップレットにおけるSiの含有比率が、前記逃げ面の表面に形成されるドロップレットにおけるSiの含有比率よりも高い請求項1乃至3のいずれか記載の切削工具。
- 前記被覆層が、組成の異なる少なくとも第1層と第2層とが、合計で10層以上繰り返し交互に積層された構成からなる請求項1乃至4のいずれか記載の切削工具。
- 前記第1層または前記第2層のいずれか一方が、SiaTibAlcNbdWe(C1−x1Nx1)(ただし、0.01≦a≦0.80、0.1≦b≦0.80、0≦c≦0.80、0≦d≦0.50、0≦e≦0.50、a+b+c+d+e=1、0≦x1≦1)からなり、前記第1層または前記第2層のいずれか他方が、SigAlhCri(C1−x2Nx2)(ただし、0≦g≦0.30、0.30≦h≦0.90、0.05≦i≦0.70、0≦x2≦1)からなる請求項5記載の切削工具。
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