JP5404232B2 - 切削工具 - Google Patents
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Description
る厚みをtrL、逃げ面における厚みをtfL、前記上層のすくい面における厚みをtrU、逃げ面における厚みをtfUとしたとき、trL<tfL、かつtrU>tfUであるとともに、前記下層の前記すくい面と前記逃げ面との交差稜線部に形成される切刃における厚みをt cL 、前記上層の前記切刃における厚みをt cU としたとき、0.9≦t cU /t cL ≦1.1であることを特徴とする。
重要である。
切削方法:溝入れ加工
被削材 :SNCM439
切削速度:200m/分
送り :0.1mm/rev
切込み :2.0mm
切削状態:湿式
評価方法:150分間切削した後で切刃の状態を確認し、逃げ面摩耗量を測定した。
結果は表3に示した。
切削方法:穴あけ(ドリル加工)
被削材 :SCM440H
切削速度:150m/分
送り :0.1mm/刃
切り込み:穴径20mm、穴深さ20mm
切削状態:湿式
評価方法:800穴について切削加工を行った後、外刃について切刃の状態と逃げ面摩耗量を測定した。結果は表6に示した。
切削方法: 溝入れ加工
被削材 : A7075(アルミニウム合金)
切削速度: 170m/分
送り : 0.02mm
切り込み: 3.0mm
切削状態: 湿式
評価方法: 約20分間切削する毎に、切刃の状態と逃げ面摩耗量を測定した。結果は表9に示した。
2、10 基体
3、12 被覆層
3L、12L 下層
3U、12U 上層
5、13 すくい面
6、11 逃げ面
7、9 切刃
8 エンドミル
20 アークイオンプレーティング成膜装置(AIP装置)
21 真空チャンバ
22 ガス導入口
23 カソード電極
24 アノード電極
25 ターゲット
26 試料支持治具
27 タワー
28 試料支持部
29 ヒータ
30 ガス排出口
31 バイアス電源
trL 下層のすくい面における厚み
tfL 逃げ面における厚み
trU 上層のすくい面における厚み
tfU 逃げ面における厚み
Claims (5)
- 基体の表面に2層以上の被覆層が形成された切削工具であって、複数の前記被覆層のうちの厚みが厚い2層について、前記基体側に形成された被覆層を下層、前記基体から遠い側に形成された被覆層を上層と特定し、前記下層のすくい面における厚みをtrL、逃げ面における厚みをtfL、前記上層のすくい面における厚みをtrU、逃げ面における厚みをtfUとしたとき、trL<tfL、かつtrU>tfUであるとともに、前記下層の前記すくい面と前記逃げ面との交差稜線部に形成される切刃における厚みをt cL 、前記上層の前記切刃における厚みをt cU としたとき、0.9≦t cU /t cL ≦1.1である切削工具。
- 0.8≦(trL+trU)/(tfL+tfU)≦1.2である請求項1記載の切削工具。
- 前記下層および前記上層はともにTi成分とAl成分とを含有し、Ti成分とAl成分との合計含有量に対して、前記下層は前記上層よりもTi成分の含有量が多く、かつ前記上層は前記下層よりもAl成分の含有量が多い請求項1または2記載の切削工具。
- 前記下層が(TixAl1−x)C1−zNz(0.2≦x≦0.7、0≦z<1)からなり、前記上層が(TiyCr1−y)C1−zNz(0.2≦y≦0.7、0≦z<1)からなる請求項1または2記載の切削工具。
- 前記下層が(TixAl1−x)C1−zNz(0.2≦x≦0.7、0≦z<1)からなり、前記上層がダイヤモンドライクカーボン(DLC)からなる請求項1または2記載の切削工具。
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2009
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