JPWO2014034615A1 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の液晶表示装置は、第1基板および第2基板と、第1基板および第2基板の間に配置された液晶層と、第2基板の主面上に配置された複数のゲート配線および複数のソース配線と、複数のゲート配線および複数のソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第1直線部、第1直線部に対して傾斜した第2直線部および第1直線部と第2直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、画素領域に位置した、画素領域を囲む2個のソース配線のうち一方のソース配線と信号電極との間に位置する第1部位と、他方のソース配線と信号電極との間に位置する第2部位と、信号電極の屈曲部と重なっている、第1部位と第2部位とを接続する第3部位とを有したシールド電極を備えており、シールド電極は共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
Description
本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
横電界方式の液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板と、一対の基板間に介在する液晶層とを備える。この一対の基板のうち一方の基板の主面上には、薄膜トランジスタと、複数のゲート配線と、複数のゲート配線に交差するように配置された複数のソース配線と、薄膜トランジスタと、複数のゲート配線および複数のソース配線を覆うように配置された絶縁膜と、この絶縁膜上に配置された信号電極および共通電極とが形成されている。
この液晶表示装置では、信号電極と共通電極とが同一平面上に交互に配列しており、この信号電極および共通電極に対して電圧を印加することで、信号電極と共通電極との間で電界を発生させ、この電界によって液晶層中の液晶分子の方向を制御する。この横電界によって液晶分子の方向を制御することで広視野角化を実現できる(例えば、特開2000−275664号公報参照)。
近年では、液晶表示装置に対してさらなる広視野角化が求められている。この要望に対し、信号電極を屈曲させて画素領域を複数の領域に分割し、各々の領域での液晶分子の配向を変える(マルチドメイン技術と呼ばれる)ことによって、さらなる広視野角化を実現させている。
このような横電界方式の液晶表示装置では、ソース配線と信号電極との間に生じるカップリング容量を通して、信号電極の電圧がソース配線の電圧変動に影響を受けて変動しやすくなり、表示品位に影響を与える問題点があった。
従来、この問題点に対し、平面視してソース配線と重なるようにシールド電極を配置することで、ソース配線の電圧の変動による信号電極への影響を抑制していた。しかしながら、シールド電極をソース配線と重ねて配置した場合、ソース配線とシールド電極との間の寄生容量が増大してしまい、ソース配線に与える負荷が大きくなる可能性があるという問題点があった。
一方、近年の液晶表示装置はタッチパネルなどと組み合わせて使用される場合が多く、ユーザーがタッチパネルを押圧することで、液晶表示装置に対して外力が加わる頻度が高くなっている。そのため、表示領域に外力が加わると、外力が加わった領域に位置する液晶分子の配向が変化してしまい、この液晶分子の配向が変化した領域(リバースツイストドメインと呼ばれる)で液晶分子の配向がそのまま戻らなくなる場合がある。この場合には、リバースツイストドメインと他の領域とでは透過率が異なってしまい、リバースツイストドメインが斑として見えてしまい、表示品位が低下する可能性があるという問題点もある。
この問題点に対して、信号電極および共通電極が位置する絶縁膜と一方の基板の主面との間に共通電極に電気的に接続された下層電極を配置し、下層電極と上層に位置する信号電極との間で電界を発生させることで、リバースツイストドメインの発生を抑制していた。しかしながら、下層電極を配置するだけでは、下層電極によって光源装置からの光が遮られ、開口率が低下し、光の透過率が低下する可能性があるという問題点があった。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、シールド電極によるソース配線への負荷の増加を抑制するとともに、リバースツイストドメインによる表示品位の低下を抑制しつつ、画素領域の開口率の低下を抑制することができる液晶表示装置を提供することである。
本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第1基板および第2基板と、前記第1基板および前記第2基板の間に配置された液晶層と、前記第2基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第2基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第2基板の前記主面上に配置された絶縁膜と、該絶縁膜上のうち複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第1直線部、該第1直線部に対して傾斜した第2直線部および前記第1直線部と前記第2直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、該信号電極と重ならないように前記絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、前記画素領域に位置した、該画素領域を囲む2個の前記ソース配線のうち一方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第1部位と、他方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第2部位と、前記信号電極の前記屈曲部と重なっている、前記第1部位と前記第2部位とを接続する第3部位とを有したシールド電極を備えており、該シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態における液晶表示装置1について、図1〜図5を参照しながら説明する。
本発明の第1の実施形態における液晶表示装置1について、図1〜図5を参照しながら説明する。
液晶表示装置1は、複数の画素領域Pからなる表示領域EDを有する液晶パネル2と、液晶パネル2に向けて光を出射する光源装置3と、液晶パネル2上に配置される第1偏光板4と、液晶パネル2と光源装置3との間に配置される第2偏光板5とを備えている。
液晶パネル2では、第1基板21と第2基板22とが対向配置され、第1基板21と第2基板22との間に液晶層23が配置されているとともに、この液晶層23を取り囲むように第1基板21と第2基板22とを接合するシール材24が設けられている。
第1基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第1主面21aと、第1主面21aとは反対側に位置する第2主面21bとを有している。第1基板21は、例えばガラス、プラスチックなどによって形成される。
第1基板21の第2主面21b上には、複数のカラーフィルタ211が配置されている。
カラーフィルタ211は、可視光のうち特定の波長光のみを透過させる機能を有する。複数のカラーフィルタ211は、第1基板21の第2主面21b上に位置している。また、各カラーフィルタ211は画素領域Pごとに配置されている。各カラーフィルタ211は、赤、緑および青のいずれかの色を有している。また、例えば、黄色、白色などのカラーフィルタ211を配置してもよい。カラーフィルタ211の材料としては、例えば染料または顔料を添加した樹脂が挙げられる。なお、本実施形態ではカラーフィルタ211を配置しているが、これに限定されない。例えばモノクロの画像を表示する場合はカラーフィルタ211を配置しなくてもよい。
また、複数のカラーフィルタ211上には、例えばオーバーコート層および配向膜(不図示)などが配置される。
第2基板22は、第1基板21の第2主面21bに対向する第1主面22aと、第1主面22aの反対側に位置する第2主面22bとを有している。なお、第2基板22は第1基板21と同様の材料で形成できる。
図3〜図5を参照して、第2基板22の第1主面22a上の各部材について説明する。
第2基板22の第1主面22a上には、複数のゲート配線221および補助容量配線222が配置されており、複数のゲート配線221および補助容量配線222を覆うようにゲート絶縁膜223が配置されている。ゲート絶縁膜223上には複数のソース配線224が配置されている。また、複数のソース配線224を覆うようにゲート絶縁膜223上には第1層間絶縁膜225が配置されている。この第1層間絶縁膜225上には複数のシールド電極Sが配置されている。また、第1層間絶縁膜225上には、複数のシールド電極Sを覆うように第2層間絶縁膜226が配置されている。この第2層間絶縁膜226上には遮光膜BMが配置されている。また、第2層間絶縁膜226上には遮光膜BMを覆うように平坦化膜227が配置されており、この平坦化膜227上には共通電極228および信号電極229が位置している。
複数のゲート配線221は、駆動IC(図示せず)から供給される電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図3に示すように、複数のゲート配線221は第2基板22の第1主面22a上に位置しているとともに、X方向に延在している。また、複数のゲート配線221はY方向に沿って配列されている。ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。
まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、第2基板22の第1主面22aに膜を形成する。この膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、この膜をエッチング液でエッチングして、膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、成膜およびパターニングを行なうことで複数のゲート配線221を形成できる。
補助容量配線222は第2基板22の第1主面22aに配置されている。補助容量配線222は複数のゲート配線221と同じ面(第1主面22a)に位置している。図3に示すように、補助容量配線222はX方向に延在している。また、補助容量配線222は、ゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。なお、本実施形態では、補助容量配線222がゲート配線221と同じ面に配置されているが、これに限られない。すなわち、補助容量配線222はゲート配線221と異なる層に配置されていてもよい。
ゲート絶縁膜223は、複数のゲート配線221および補助容量配線222を覆うように第1主面22a上に配置されている。ゲート絶縁膜223は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁性を有する材料によって形成される。なお、ゲート絶縁膜223は、上記のスパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法などによって第2基板22の第1主面22a上に形成できる。
複数のソース配線224は、薄膜トランジスタTFTを介して駆動ICから供給される信号電圧を信号電極229に印加する機能を有する。図3に示すように、複数のソース配線224はY方向に屈曲して延在している。また、複数のソース配線224はゲート絶縁膜223上に配置されているとともに、X方向に沿って配列されている。ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲート配線221と同様の方法によって形成できる。
図3に示すように、ソース配線224は、互いに異なる角度で傾斜する2個の直線部224a,224bと、これら直線部224a,224bを接続する屈曲部224cとを有している。すなわち、ソース配線224はY方向に屈曲して延在している。なお、本実施形態のソース配線224は1個の屈曲部224cを有しているが、これには限られない。すなわち、ソース配線224は複数の屈曲部224cを有してもよいし、ソース配線224が複数回に屈曲してY方向に延在してもよい。
複数の薄膜トランジスタTFTは、アモルファスシリコン、ポリシリコンまたは酸化物半導体などの半導体層と、この半導体層上に配置されるとともに、ソース配線224に接続されたソース電極と、ドレイン電極とを有する。複数の薄膜トランジスタTFTは各画素領域Pごとに配置されている。また、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極は、ドレイン配線DおよびコンタクトホールCを介して信号電極229に接続されている。
薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗を変化させることで、信号電極229への画像信号の書き込みまたは非書き込みが制御される。
第1層間絶縁膜225は、複数のソース配線224を覆うようにゲート絶縁膜223上に配置されている。第1層間絶縁膜225はゲート絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。
複数のシールド電極Sは、ソース配線224に印加される電圧から生じる電界を遮蔽する機能を有する。なお、図3では、シールド電極Sの形成領域が斜線(実線)で示されている。
シールド電極Sは、コンタクトホールCを介して共通電極228に電気的に接続されている。また、シールド電極Sは共通電極228に加えて補助容量配線222に接続されていてもよい。図3に示すように、本実施形態におけるシールド電極Sは、画素領域P内に位置するコンタクトホールCで共通電極228に接続されているが、これには限定されない。すなわち、画素領域P外で、シールド電極Sが別途形成される共通配線または補助容量配線222に接続されていてもよい。
複数のシールド電極Sは第1層間絶縁膜225上に配置されている。また、各々のシールド電極Sは画素領域P内に位置している。すなわち、シールド電極Sはゲート配線221およびソース配線224に重ならないように位置している。また、図3に示すように、シールド電極Sは、画素領域Pに隣接する2個のソース配線224のうち一方のソース配線224と信号電極229との間に位置する第1部位S1と、画素領域Pに隣接する他方のソース配線224と信号電極229との間に位置する第2部位S2と、信号電極229の屈曲部229cと重なっているとともに、第1部位S1と第2部位S2とを接続する第3部位S3とを有している。
シールド電極Sの第1部位S1は、画素領域P内で一方のソース配線224に近接するとともに、Y方向に屈曲して延在している。すなわち、シールド電極Sの第1部位S1は、互いに異なる角度で傾斜する2個の直線部S1a,S1bと、これら直線部S1a,S1bを接続する屈曲部S1cとを有している。
シールド電極Sの第2部位S2は、画素領域P内で他方のソース配線224に近接するとともに、Y方向に屈曲して延在している。すなわち、シールド電極Sの第2部位S2は、互いに異なる角度で傾斜する2個の直線部S2a,S2bと、これら直線部S2a,S2bを接続する屈曲部S2cとを有している。
なお、シールド電極Sの第1部位S1と一方のソース配線224との距離およびシールド電極Sの第2部位S2と他方のソース配線224との距離は、例えば0.5μm〜5μmに設定できる。
シールド電極Sの第3部位S3は、画素領域P内に位置するとともに、X方向に延在している。シールド電極Sの第3部位S3の一部は信号電極229および共通電極228に重なっている。また、シールド電極Sの第3部位S3は、第1部位S1の屈曲部S1cと第2部位S2の屈曲部S2cとを接続することで、第1部位S1と第2部位S2とを接続している。
シールド電極Sの材料は、導電性を有する材料によって形成される。シールド電極Sの材料は、例えばITO(Indium Tin Oxide)、ATO(Antimony Tin Oxide)、AZO(Al-Doped Zinc Oxide)、酸化錫、酸化亜鉛等の透光性材料、またはアルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅等またはこれらを含む合金の不透光性材料が挙げられるが、導電性を有する材料であれば、これらに限定されない。ここで、シールド電極Sに透光性材料を採用すると、シールド電極Sによる光源装置3からの光の遮光を低減できるので、画素領域Pの開口率の低下を抑制できる。
また、シールド電極Sの第1部位S1および第2部位S2は、平面視して遮光膜BMの形成領域内に位置している。これによって、シールド電極Sの第1部位S1および第2部位S2による遮光が低減され、画素領域Pの開口率の低減を抑制できる。また、シールド電極Sに透光性材料を採用すれば、遮光膜BMの形成領域外に位置するシールド電極Sの第3部位S3による遮光も低減できる。
第2層間絶縁膜226は、複数のシールド電極Sと遮光膜BMとを電気的に絶縁する機能を有する。第2層間絶縁膜226は、複数のシールド電極Sを覆うように第1層間絶縁膜225上に配置されている。第2層間絶縁膜226はゲート絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。
第2層間絶縁膜226がシールド電極Sと遮光膜BMとの間に位置し、シールド電極Sと遮光膜BMとを電気的に絶縁しているので、遮光膜BMが導電性を有する場合であっても、ソース配線224とシールド電極Sとの間の寄生容量の増大によってソース配線224へ与える負荷が大きくなることを抑制できる。
遮光膜BMは光を遮光する機能を有する。遮光膜BMは、第2層間絶縁膜226上に配置されているとともに、ゲート配線221、補助容量配線222、ソース配線224および共通電極228の一部に重なるように位置している。さらに、遮光膜BMはシールド電極Sを覆うように配置されている。なお、図3では、遮光膜BMの形成領域が斜線(破線)で示されている。
遮光膜BMは複数のゲート配線221、複数のソース配線224および補助容量配線222を覆うように第2基板22側に配置されているので、遮光膜BMが第1基板21側に配置されている場合に比べて、ゲート配線221、補助容量配線222およびソース配線224を精度よく遮光することができる。なお、本実施形態では、遮光膜BMが第2基板22側に配置されているが、これには限定されない。すなわち、遮光膜BMが第1基板21側に配置されていてもよい。
遮光膜BMは、例えば、遮光性の高い色(例えば黒色)の染料もしくは顔料が添加された樹脂、クロムなどの金属または合金などの材料で形成される。
平坦化膜227は、遮光膜BMを覆うように第2層間絶縁膜226上に配置されている。平坦化膜227は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などの有機材料によって形成される。なお、平坦化膜227の膜厚は例えば1μm〜5μmの範囲で設定されている。
共通電極228は、駆動ICから印加された電圧によって信号電極229との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極228は平坦化膜227上に配置されている。図3に示すように、共通電極228は、Y方向に延在する部位と、X方向に延在する部位とを有している。また、図3に示すように、共通電極228のY方向に延在する部位はソース配線224に対応して屈曲している。
共通電極228のY方向に延在する部位は、互いに異なる角度で傾斜する2個の直線部228a,228bと、これら直線部228a,228bを接続する屈曲部228cを有している。すなわち、共通電極228のY方向に延在する部位は屈曲して延在している。なお、ソース配線224と同様に、共通電極228のY方向に延在する部位は複数回に屈曲してもよい。
共通電極228は、導電性を有する透光性材料によって形成され、例えばITO、ATO、AZO、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
信号電極229は、駆動ICから印加された電圧によって共通電極228との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極229は平坦化膜227上に配置されており、X方向に沿って配列している。また、X方向における信号電極229の両側には共通電極228(Y方向に延在する部位)が配置されている。すなわち、信号電極229と共通電極228とはX方向に交互に配置されている。
また、図3に示すように、信号電極229はソース配線224に対応させて屈曲している。すなわち、信号電極229は、互いに異なる角度で傾斜する2個の直線部229a,229bと、これら直線部229a,229bを接続する1個の屈曲部229cとを有している。すなわち、信号電極229はY方向に屈曲して延在している。なお、ソース配線224と同様に信号電極229は複数回に屈曲してもよい。
信号電極229の幅は例えば2μm〜5μmの範囲に設定されている。信号電極229と共通電極228との間隔は例えば5μm〜20μmの範囲に設定されている。
液晶表示装置1では、シールド電極Sが、画素領域Pに隣接する2個のソース配線224のうち一方のソース配線224と信号電極229との間に位置する第1部位S1と、画素領域Pに隣接する他方のソース配線224と信号電極229との間に位置する第2部位S2とを有しているので、シールド電極Sが一方および他方のソース配線224から生じる電界を遮蔽し、ソース配線224の電圧の変動による信号電極229の電圧への影響を低減できる。
また、共通電極228に電気的に接続されているシールド電極Sは、信号電極229に重なるとともに、第1部位S1と第2部位S2とを接続した第3部位S3を有している。これによって、信号電極229の下層に位置するシールド電極Sの第3部位S3から信号電極229に向けて電界が発生する。この電界によって、白表示の際に表示領域EDに外力が加わった場合であっても、信号電極229と共通電極228との間の領域での液晶分子の配向の乱れが低減されるので、リバースツイストドメインの発生による表示品位の低下を抑制できる。
加えて、シールド電極Sの第1部位S1、第2部位S2および第3部位S3は画素領域P内に位置している。すなわち、シールド電極Sがソース配線224に重ならないように配置されているので、シールド電極Sとソース配線224との間での寄生容量の増大を抑制でき、ソース配線224へ与える負荷を低減することができる。
さらに、シールド電極Sの第3部位S3は信号電極229の屈曲部229cと重なるように位置している。ここで、シールド電極Sの第1部位S1と第2部位S2とを接続するために、第3部位S3は画素領域Pを横切ることになるので、第3部位S3によって光源装置3からの光が遮光されやすく、第3部位S3を配置することで画素領域Pの開口率が低下しやすくなる。一方、信号電極229の屈曲部229c近傍の領域は、液晶分子の配向が乱れやすいため、光の透過率が低下しやすく、画像表示に寄与しにくい領域である。そのため、シールド電極Sの第3部位S3が信号電極229を横切って配置される場合に、第3部位S3を信号電極229の直線部229a,229bではなく屈曲部229cと重ねることで、第3部位S3が画素領域Pの開口率へ与える影響を低減できる。
また、シールド電極Sの第3部位S3は、共通電極228の屈曲部228cと重なるようにも位置している。ここで、シールド電極Sの第1部位S1と第2部位S2とを接続するために、第3部位S3は画素領域Pを横切るので、第3部位S3によって光源装置3からの光が遮られやすく、第3部位S3を配置することで画素領域Pの開口率が低下しやすくなる。一方、信号電極229と同様に、共通電極228の屈曲部228c近傍の領域は、液晶分子の配向が乱れやすいため、光の透過率が低下しやすく、画像表示に寄与しにくい領域である。そのため、シールド電極Sの第3部位S3が共通電極228を横切って配置される場合に、第3部位S3を共通電極228の直線部228a,228bではなく屈曲部228cと重ねることで、第3部位S3が画素領域Pの開口率へ与える影響を低減できる。
液晶層23は、第1基板21と第2基板22との間に配置されている。液晶層23は、ネマティック液晶などの液晶分子を含んでいる。
シール材24は、第1基板21と第2基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は、平面視して表示領域EDを取り囲むようにして第1基板21と第2基板22との間に配置されている。このシール材24はエポキシ樹脂などによって形成される。
光源装置3は、液晶パネル2の表示領域EDに向けて光を出射する機能を有する。光源装置3は、光源31および導光板32を有している。なお、本実施形態における光源装置3では、光源31にLEDなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
第1偏光板4は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第1偏光板4は、液晶パネル2の第1基板21の第1主面21aに対向するように配置されている。
第2偏光板5は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第2偏光板5は、第2基板22の第2主面22bに対向するように配置されている。
[第2の実施形態]
図6および図7は、第2の実施形態における液晶表示装置1Aの要部を示す図である。
図6および図7は、第2の実施形態における液晶表示装置1Aの要部を示す図である。
液晶表示装置1Aは、第1の実施形態における液晶表示装置1に比べて、シールド電極Sがゲート絶縁膜223上に配置されている点で異なる。
液晶表示装置1Aでは、シールド電極Sがソース配線224と同じ面上に配置されているので、シールド電極Sとソース配線224との距離を小さくすることができ、ソース配線224から発生する電界の遮蔽効果を向上させることができる。
また、シールド電極Sがソース配線224と同じ面上に配置されていることで、シールド電極Sの材料にソース配線224と同じ材料を採用すれば、ソース配線224とシールド電極Sとを同じの成膜工程およびパターニング工程で形成できる。さらに、シールド電極Sがソース配線224と同じ面上に形成されていることで、シールド電極Sとソース配線224とを異なる層に形成した場合に比べて、シールド電極Sとソース配線224との形成位置にずれが生じることを低減できる。したがって、液晶表示装置1Aの製造工程を簡略化できるとともに、不良の発生を低減できる。
本発明は上記の第1および第2の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更および改良が可能である。
液晶表示装置1,1Aでは、シールド電極Sがソース配線224に比べて上層に位置するか、またはソース配線224と同じ層に位置しているが、これには限定されない。すなわち、図7に示すように、シールド電極Sはソース配線224に比べて下層に位置してもよい。
本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第1基板および第2基板と、前記第1基板および前記第2基板の間に配置された液晶層と、前記第2基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第2基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第2基板の前記主面上に配置された絶縁膜と、該絶縁膜上のうち複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第1直線部、該第1直線部に対して傾斜した第2直線部および前記第1直線部と前記第2直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、該信号電極と重ならないように前記絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、前記画素領域に位置した、該画素領域を囲む2個の前記ソース配線のうち一方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第1部位と、他方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第2部位と、前記信号電極の前記屈曲部と重なっている、前記第1部位と前記第2部位とを接続する第3部位とを有したシールド電極を備えており、該シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されているとともに、前記ソース配線以上であって前記共通電極より下方で且つ前記ソース配線と重ならないことを特徴とする。
Claims (3)
- 主面同士を対向させて配置された第1基板および第2基板と、前記第1基板および前記第2基板の間に配置された液晶層と、前記第2基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第2基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第2基板の前記主面上に配置された絶縁膜と、該絶縁膜上のうち複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第1直線部、該第1直線部に対して傾斜した第2直線部および前記第1直線部と前記第2直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、該信号電極と重ならないように前記絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、
前記画素領域に位置した、該画素領域を囲む2個の前記ソース配線のうち一方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第1部位と、他方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第2部位と、前記信号電極の前記屈曲部と重なっている、前記第1部位と前記第2部位とを接続する第3部位とを有したシールド電極を備えており、
該シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記シールド電極は複数の前記ソース配線と同じ面上にある請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記シールド電極は透光性材料からなる請求項1または2に記載の液晶表示装置。
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