JPWO2013168774A1 - 薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ - Google Patents
薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013168774A1 JPWO2013168774A1 JP2014514749A JP2014514749A JPWO2013168774A1 JP WO2013168774 A1 JPWO2013168774 A1 JP WO2013168774A1 JP 2014514749 A JP2014514749 A JP 2014514749A JP 2014514749 A JP2014514749 A JP 2014514749A JP WO2013168774 A1 JPWO2013168774 A1 JP WO2013168774A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- film transistor
- active layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 178
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 42
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1h-pyrrolo[2,3-c]pyridine-2-carboxylic acid Chemical compound BrC1=NC=C2NC(C(=O)O)=CC2=C1 NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002574 CR-39 Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Natural products OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002734 clay mineral Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002650 laminated plastic Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
IGZOはその組成がInリッチ、すなわちInの組成比が高くなるほど電子移動度が高くなることが知られており、上記要求に対してInリッチなIGZOを用いたTFTへの期待が高まっている(例えば、Appl.Phys.Lett.,90(2007) 242114.およびJ.Non−Cryst.Solid,352(2006) 851.参照)。
例えば特開2011−103402号公報では、Inの組成比が高い、すなわちInリッチなIGZO層を用いたTFTにおいてIGZO層の膜厚を薄くすることで高い移動度と小さな閾値電圧を実現することが提案されている。
また、実際にはInリッチなIGZOの膜厚だけで閾値電圧を制御することは極めて困難であり、生産性、再現性、均一性等の観点から実用的な手法ではない。
<1> 活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、前記活性層が金属元素として少なくともInを含む非晶質酸化物半導体層であり、前記活性層において、前記活性層に含まれる全金属元素に対するInの組成比が50%以上であり、前記活性層の厚みが25nm以下であり、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々が2以上の層を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々において、厚さ方向において前記活性層に最も近い層が金属元素として少なくともGaを含む酸化物層であり、前記酸化物層において、前記酸化物層に含まれる全金属元素に対するGaの組成比が30%以上である、薄膜トランジスタ。
<3> 前記酸化物層において、前記酸化物層に含まれる全金属元素に対するGaの組成比が50%以上である<1>又は<2>に記載の薄膜トランジスタ。
<4> 前記酸化物層がIn、Ga、Zn、及びOを含む<1>〜<3>のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
<5> 前記酸化物層が非晶質である<1>〜<4>のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
<6> 前記酸化物層の厚みが10nm以上100nm以下である<1>〜<5>のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
<7> 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で露出する前記活性層の表面に保護層が形成されている<1>〜<6>のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
<8> 前記活性層がスパッタリングによって形成されたものである<1>〜<7>のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
<10> <1>〜<8>のいずれかに記載の薄膜トランジスタを備えているイメージセンサ。
<11> <1>〜<8>のいずれかに記載の薄膜トランジスタを備えているX線センサ。
トップゲート型とは、ゲート絶縁膜の上側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の下側に活性層が形成された形態であり、ボトムゲート型とは、ゲート絶縁膜の下側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の上側に活性層が形成された形態である。また、ボトムコンタクト型とは、ソース・ドレイン電極が活性層よりも先に形成されて活性層の下面がソース・ドレイン電極に接触する形態であり、トップコンタクト型とは、活性層がソース・ドレイン電極よりも先に形成されて活性層の上面がソース・ドレイン電極に接触する形態である。
また、本実施形態に係るTFTは、上記以外にも、様々な構成をとることが可能であり、適宜、活性層14上に保護層や基板上に絶縁層等を備える構成であってもよい。
本発明の薄膜トランジスタ10が形成される基板12の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。基板12の構造は単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
基板12の材質として、例えばガラス、YSZ(イットリウム安定化ジルコニウム)等の無機基板、樹脂基板や、その複合材料等を用いることができる。
中でも軽量である点、可撓性を有する点から樹脂基板及びその複合材料が好ましい。具体的には、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズアゾール、ポリフェニレンサルファイド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂、液晶ポリマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、シアネート樹脂、架橋フマル酸ジエステル、環状ポリオレフィン、芳香族エーテル、マレイミド−オレフィン、セルロース、エピスルフィド化合物等の合成樹脂基板、酸化珪素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子、無機酸化物ナノ粒子、無機窒化物ナノ粒子等との複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフレーク、ガラスファイバー、ガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1つの接合界面を有する積層プラスチック材料、無機層と有機層を交互に積層することで、少なくとも1つ以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス基板或いはステンレスと異種金属を積層した金属多層基板、アルミニウム基板或いは表面に酸化処理(例えば陽極酸化処理)を施すことで表面の絶縁性を向上させた酸化皮膜付きのアルミニウム基板等を用いることができる。
なお、樹脂基板は耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。樹脂基板は、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層や、樹脂基板の平坦性や下部電極との密着性を向上するためのアンダーコート層等を備えていてもよい。
活性層14は、金属元素として少なくともInを含む非晶質酸化物半導体層であり、活性層14に含まれる全金属元素に対するInの組成比(原子数比)が50%以上であり、厚みが25nm以下である。活性層14はソース・ドレイン電極16,18と接してソース・ドレイン電極16,18間(S−D間)を導通可能にする。
なお、活性層14は、高い伝達特性を得る観点から、金属元素として、Inと、Zn、Ga、及びSnから選ばれる少なくとも1種の元素とを含むことが好ましい。
なお、活性層14における全金属元素に対するInの組成比は、非晶質膜が得られやすい観点から、90%以下であることが好ましい。90%以上の場合、膜が結晶化しやすくなり、結晶粒界密度による素子特性ばらつきが大きくなりやすい。
また、酸化物半導体層14上にはソース・ドレイン電極16,18の成膜時及びエッチング時に酸化物半導体層14のソース・ドレイン電極16,18間で露出する面を保護するための保護層(不図示)を形成することが好ましい。
保護層の成膜方法は特に限定はなく、酸化物半導体層14の成膜と連続して保護層の成膜を行ってもよいし、酸化物半導体層14のパターニング後に保護層を成膜してもよく、気相成膜でも液相成膜でも構わない。
保護層としては金属酸化物層であってもよく、樹脂等の有機材料で形成してもよい。また、保護層はソース・ドレイン電極形成後に除去しても構わない。
保護層の厚みは特に限定されず、例えば、5nm以上200nm以下である。
ソース電極16及びドレイン電極18は酸化物半導体層14を介して導通可能に配置されている。ソース・ドレイン電極16,18は各々2層以上の積層構造を有し、それぞれ厚さ方向において酸化物半導体層14に最も近い層、すなわち、図1Aに示すTFT10では酸化物半導体層14に接する層16A,18Aは、金属元素として少なくともGaを含む酸化物層であり、Gaを含めた全金属元素に対するGaの組成比(原子数比)が30%以上である。
各酸化物層16A,18Aの膜厚は、TFTにした際にノーマリーオフ駆動を得やすくする観点から、10nm以上100nm以下であることが好ましく、30nm以上70nm以下であることがより好ましい。
なお、活性層14や酸化物層16A,18Aが非晶質であるかどうかは、X線回折測定により確認することができる。すなわち、X線回折測定により、結晶構造を示す明確なピークが検出されなかった場合は、その酸化物層16A,18Aは非晶質であると判断することができる。
なお、ソース・ドレイン電極16,18はそれぞれ2層以上の積層構造を有し、3層以上とすることもできるが、製造コスト等の観点から、2層構造とすることが好ましい。
ゲート絶縁膜20は、活性層14及びソース・ドレイン電極16,18をゲート電極22から隔てるように配置されている。ゲート絶縁膜20は高い絶縁性を有するものが好ましく、例えばSiO2、SiNx、SiON、Al2O3、Y2O3、Ta2O5、HfO2等の絶縁膜、又はこれらの化合物を2種以上含む絶縁膜としてもよい。
ソース・ドレイン電極16,18及び酸化物半導体層14を覆うようにゲート絶縁膜20を成膜後、フォトリソグラフィー及びエッチングによって所定の形状にパターニングされる。
ゲート電極22は、ゲート絶縁膜20を介して活性層14と対向するように配置されている。ゲート電極22は高い導電性を有する材料によって構成される。例えば、Al,Mo,Cr,Ta,Ti,Au,Ag等の金属、Al−Nd、Ag合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)、IGZO等の金属酸化物の導電膜等を用いて形成することができる。ゲート電極22としてはこれらの導電膜を単層構造又は2層以上の積層構造にして用いることができる。
ポストアニール処理は、酸化物半導体層の成膜後であれば、特に順序は限定されず、例えば、酸化物半導体層の成膜直後に行ってもよいし、電極、絶縁膜の成膜及びパターニングが全て終わった後に行ってもよい。
ポストアニール温度は、電気特性のバラツキを抑えるために100℃以上500℃以下であることが好ましく、可撓性基板として樹脂基板を用いる場合は、100℃以上300℃以下であることがより好ましい。
ポストアニール中の雰囲気は不活性雰囲気又は酸化性雰囲気にすることが好ましい。還元性雰囲気中でポストアニールを施すと酸化物半導体層14中の酸素が抜け、余剰キャリアが発生し、電気特性のバラツキが起こり易い。
なお、図1B及び図1Dに示すボトムコンタクト型よりも図1A及び図1Cに示すトップコンタクト型の方がソース・ドレイン電極16,18の形成が容易であり、製造コストを低く抑えることができる。
更に本発明の薄膜トランジスタは、樹脂基板を用いた低温プロセスで作製可能なデバイス(例えばフレキシブルディスプレイ等)に特に好適であり、X線センサ等の各種センサ、MEMS(Micro Electro Mechanical System)等、種々の電子デバイスにおける駆動素子(駆動回路)として、好適に用いられるものである。
本発明の電気光学装置は、前述の本発明の薄膜トランジスタを備えて構成される。
電気光学装置の例としては、表示装置(例えば液晶表示装置、有機EL(Electro Luminescence)表示装置、無機EL表示装置、等)がある。
センサの例としては、CCD(Charge Coupled Device)又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサや、X線センサ等が好適である。
図2に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置の電気配線の概略構成図を示し、図3に、その一部分の概略断面図を示す。
液晶表示装置100は、互いに平行な複数のゲート配線112と、該ゲート配線112と交差する、互いに平行なデータ配線114とを備えている。ここでゲート配線112とデータ配線114は電気的に絶縁されている。ゲート配線112とデータ配線114との交差部付近には、本発明の薄膜トランジスタ10が備えられている。
薄膜トランジスタ10のゲート電極22はゲート配線112に接続されており、薄膜トランジスタ10のソース電極16はデータ配線114に接続されている。また、薄膜トランジスタ10のドレイン電極18はコンタクトホール116を介して画素電極104に接続されており、該画素電極104と対向電極106との間には液晶108が保持されている。更に該画素電極104は、接地された対向電極106とともにキャパシタを構成している。また、TFT10の基板12側およびRGBカラーフィルタ110上にそれぞれ偏光板112a,112bを備えている。
本発明の薄膜トランジスタは電子移動度が非常に高いことから、液晶表示装置における大画面化、高精細化、3D応用に適している。また、可視光に対して鈍感であることから、透明ディスプレイ用駆動素子にも適している。また、本発明のTFTは、低温でのアニール処理によって高い移動度と光安定性を有することから、基板12としては樹脂基板(プラスチック基板)を用いることができ、高精細、大面積で、透明なフレキシブル液晶表示装置を提供できる。
図4に、本発明の電気光学装置の一例であるアクティブマトリックス方式の有機EL表示装置の電気配線の概略構成図を示し、図5に、その一部分の概略断面図を示す。
図6に、本発明の薄膜トランジスタを備えたセンサの一例であるX線センサの概略構成図を示し、図7に、本発明のセンサの一例であるX線センサの一部を拡大した概略断面図を示す。
X線センサ300は、互いに平行な複数のゲート配線320と、該ゲート配線320と交差する、互いに平行なデータ配線322とを備えている。ゲート配線320とデータ配線322は電気的に絶縁されている。ゲート配線320とデータ配線322との交差部付近には、本発明の薄膜トランジスタ10が備えられている。
薄膜トランジスタ10のゲート電極は、ゲート配線320に接続されており、薄膜トランジスタ10のソース電極16はデータ配線322に接続されている。また、薄膜トランジスタ10のドレイン電極18は電荷収集用電極302に接続されており、更に該電荷収集用電極302は、接地されたキャパシタ用下部電極312とともにキャパシタ310を構成している。
電荷収集用電極302は、キャパシタ310におけるキャパシタ用上部電極314上に設けられており、該キャパシタ用上部電極314に接している。
X線変換層304はアモルファスセレンからなる層であり、薄膜トランジスタ10及びキャパシタ310を覆うように設けられている。
上部電極306はX線変換層304上に設けられており、X線変換層304に接している。
以下のような試料を作製し、評価を行った。
図8Aは実施例及び比較例で作製した簡易型TFTの平面図であり、図8Bは図8Aに示すTFTのA−A線矢視断面図である。
熱酸化膜604付p型Si基板602(1インチ角)上に活性層としてInリッチなIGZO膜606を以下の条件でスパッタ成膜した。成膜の際にはメタルマスクを用い、3mm×4mmのパターン成膜を行った。成膜は、In2O3ターゲット、Ga2O3ターゲット、ZnOターゲットを用いた共スパッタ(co−sputter)により行い、組成比の調整は各ターゲットに投入する電力比を変化させることで行った。
・カチオン組成比 In:Ga:Zn=1.5:0.5:1.0
・膜厚 25nm
・成膜時圧力 4.4×10−1Pa
・Ar流量 30sccm
・O2流量 2sccm
具体的には、InリッチIGZO膜606上にIGZO電極層608A,610A(In:Ga:Zn=0.5:1.5:1.0、成膜時圧力:4.4×10−1Pa、Ar流量:30sccm、O2流量:2sccm)を膜厚50nmで成膜後、IGZO電極層608A,610A上に、それぞれMo層608B,610Bを膜厚40nmで成膜した。
ソース・ドレイン電極608,610の平面視サイズは各々1mm角とし、電極間距離は0.2mmとした。
実施例1と同様の手法で、下記表1に示すようにInリッチ活性層の金属組成比及び膜厚、電極層(GaリッチなIGZO層)の有無及び金属組成比が異なる簡易型TFTを作製した。
Vg−Id特性の測定は、ドレイン電圧(Vd)を+10Vに固定し、ゲート電圧(Vg)を−30V〜+30Vの範囲内で変化させ、各ゲート電圧(Vg)におけるドレイン電流(Id)を測定することにより行った。また、モノクロ光源の照射強度は10μW/cm2、波長λの範囲を360〜700nmとし、モノクロ光非照射時のVg−Id特性と、10分間モノクロ光を照射した時のVg−Id特性を比較することでΔVthを求め、光照射安定性を評価した。
一方、活性層の膜厚が厚い比較例1,2では移動度は高いもののモノクロ光照射時のΔVthが大きく、光に対して不安定な特性を示し、Vg=0のIdも高くなり、ノーマリーオフは実現されなかった。
IGZO電極層を配置しなかった比較例3においては、移動度は高く、光に対する安定性も良好だが、Vg=0でのIdが高く、ノーマリーオフ駆動が実現されなかった。
IGZO電極層の組成がInリッチな組成の層を用いた場合の比較例4においては、やはりノーマリーオフ駆動が実現しなかった。
また、一般的な組成であるIn:Ga:Zn=1:1:1の活性層を用いた比較例5,6ではノーマリーオフと高い光安定性を示す一方、移動度は低くなった。
活性層の組成比及び活性層に接するIGZO電極層の組成比を表3に示すように変更して実施例1と同様にしてTFTを作製した。作製したTFTについて、実施例1と同様にしてTFT特性を測定し、結果を表4に示した。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
Claims (11)
- 活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、
前記活性層が金属元素として少なくともInを含む非晶質酸化物半導体層であり、
前記活性層において、前記活性層に含まれる全金属元素に対するInの組成比が50%以上であり、
前記活性層の厚みが25nm以下であり、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々が2以上の層を含み、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々において、厚さ方向において前記活性層に最も近い層が金属元素として少なくともGaを含む酸化物層であり、
前記酸化物層において、前記酸化物層に含まれる全金属元素に対するGaの組成比が30%以上である、
薄膜トランジスタ。 - 前記活性層が、金属元素として、Inと、Zn、Ga、及びSnから選ばれる少なくとも1種の元素とを含む請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物層において、前記酸化物層に含まれる全金属元素に対するGaの組成比が50%以上である請求項1又は請求項2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物層がIn、Ga、Zn、及びOを含む請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物層が非晶質である請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物層の厚みが10nm以上100nm以下である請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で露出する前記活性層の表面に保護層が形成されている請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記活性層がスパッタリングによって形成されたものである請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを備えている表示装置。
- 請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを備えているイメージセンサ。
- 請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを備えているX線センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014514749A JP5869110B2 (ja) | 2012-05-10 | 2013-05-09 | 薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012108512 | 2012-05-10 | ||
JP2012108512 | 2012-05-10 | ||
JP2014514749A JP5869110B2 (ja) | 2012-05-10 | 2013-05-09 | 薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ |
PCT/JP2013/063067 WO2013168774A1 (ja) | 2012-05-10 | 2013-05-09 | 薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013168774A1 true JPWO2013168774A1 (ja) | 2016-01-07 |
JP5869110B2 JP5869110B2 (ja) | 2016-02-24 |
Family
ID=49550806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014514749A Active JP5869110B2 (ja) | 2012-05-10 | 2013-05-09 | 薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5869110B2 (ja) |
KR (1) | KR101851428B1 (ja) |
WO (1) | WO2013168774A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9722090B2 (en) * | 2014-06-23 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate |
KR101829970B1 (ko) * | 2016-02-01 | 2018-02-19 | 연세대학교 산학협력단 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
WO2017150275A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
CN111370445A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 陕西坤同半导体科技有限公司 | 柔性显示屏及其制作方法和应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010028021A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2010093240A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011103402A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物半導体を用いた、高移動度の電界効果型トランジスタ |
JP2011243745A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、x線センサー及びx線デジタル撮影装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5258475B2 (ja) | 2008-09-22 | 2013-08-07 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
-
2013
- 2013-05-09 KR KR1020147031366A patent/KR101851428B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-09 WO PCT/JP2013/063067 patent/WO2013168774A1/ja active Application Filing
- 2013-05-09 JP JP2014514749A patent/JP5869110B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010028021A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2010093240A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011103402A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物半導体を用いた、高移動度の電界効果型トランジスタ |
JP2011243745A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、x線センサー及びx線デジタル撮影装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150005598A (ko) | 2015-01-14 |
JP5869110B2 (ja) | 2016-02-24 |
WO2013168774A1 (ja) | 2013-11-14 |
KR101851428B1 (ko) | 2018-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5606787B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、x線センサー及びx線デジタル撮影装置 | |
JP5615744B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ、表示装置、センサ及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
JP5626978B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 | |
JP4982620B1 (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法、並びに、電界効果型トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ | |
JP5497417B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 | |
US9236454B2 (en) | Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, sensor, and digital X-ray image-capturing apparatus | |
JP5525380B2 (ja) | 酸化物半導体薄膜の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5795551B2 (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法 | |
WO2013024646A1 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置、イメージセンサー、x線センサー並びにx線デジタル撮影装置 | |
KR101687468B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 표시 장치, 이미지 센서, x 선 센서 그리고 x 선 디지털 촬영 장치 | |
JP5869110B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ | |
JP5701539B2 (ja) | 酸化物半導体薄膜およびその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを備えた装置 | |
KR101717336B1 (ko) | 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
TWI518791B (zh) | 氧化物半導體薄膜之製造方法及由該製造方法所製造之氧化物半導體薄膜、薄膜電晶體、以及具備薄膜電晶體之裝置 | |
JP5657434B2 (ja) | 酸化物半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置及びセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5869110 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |