JPWO2013018153A1 - グラフェンナノメッシュの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 218
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 172
- 239000002106 nanomesh Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 152
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 5
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/194—After-treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- H01L29/1606—Graphene
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
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- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Abstract
グラフェン（１１）上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子（１２）を堆積する。粒子（１２）の温度が所定の温度以上となるまで加熱して、粒子（１２）に、グラフェン（１１）の当該粒子（１２）下の部分を構成する炭素を吸収させる。粒子（１２）を除去する。このようにして、グラフェンナノメッシュ（１０）が得られる。
Description
本発明は、グラフェンナノメッシュの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
シリコンを用いた大規模集積回路（ＬＳＩ：large scale integration）に代表される半導体デバイスは、微細化により速度、消費電力の面などで性能向上が図られてきた。しかしながら、トランジスタのゲート長が数十ナノメートルになるに至り、微細化の弊害が現れ、必ずしも性能向上に結びつかない状況となりつつある。さらに、ゲート長については、１０ｎｍ程度が物理的な微細化の限界ではないかといわれている。このような状況の中、微細化に頼らず性能向上を図るための１つの手段として、トランジスタのチャネルに、シリコンより電荷の移動度が高い材料を用いることが検討されている。
このような材料の例として、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ：Carbon NanoTube）及びグラフェン（Graphene）が挙げられる。グラフェンは層状の結晶であるグラファイト（Graphite）の１層分であり、炭素（Ｃ）原子が蜂の巣状に結び付いた理想的な２次元材料である。カーボンナノチューブは、グラフェンを筒状にしたものである。カーボンナノチューブ及びグラフェンは共に優れた性質を持つが、グラフェンはその平面的形状から半導体プロセスとより親和性が高い。そして、グラフェンは非常に高い電荷の移動度を有するとともに、高い熱伝導性及び高い機械的強度を有する。
しかしながら、グラフェンにはバンドギャップが存在しないため、グラフェンをそのままチャネルに用いても、オンオフ比が取れない。そこで、グラフェンにバンドギャップを生じさせるいくつかの試みが提案されている。例えば、グラフェンに周期的に孔を空けた構造であるグラフェンナノメッシュが提案されている。グラフェンナノメッシュはアンチドットラティスとよばれることもある。また、グラフェンナノメッシュの形成方法として、ブロックコーポリマーの自己組織化現象を利用してブロックコーポリマーにナノメッシュ構造を作製し、それをマスクとしてグラフェンを加工する方法が提案されている。
しかしながら、従来の方法で製造したグラフェンナノメッシュでは十分なバンドギャップが得られず、それをチャネルに用いても十分なオンオフ比を得ることは困難である。
K. S. Novoselov, et al., "ElectronicField Effect in Atomically Thin Carbon Films", Science, 306, 2004, 666
J. Bai et al., "Graphene Nanomesh", Nature Nanotech5, 2010, 190
D. Kondo et al., "Low-TemperatureSynthesis of Graphene and Fabrication of Top-Gated Field Effect Transistorswithout Using Transfer Process", Applied Physics Express 3, 2010, 025102
X. Liang et al., "Formationof Bandgap and Subbands in Graphene Nanomeshes with Sub-10 nm Ribbon WidthFabricated via Nanoimprint LithographyGraphene Nanomesh", Nano Lett. 10, 2010,2454
本発明は、十分なバンドギャップを得ることができるグラフェンナノメッシュの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
グラフェンナノメッシュの製造方法の一態様では、グラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積し、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させ、前記粒子を除去する。
半導体装置の製造方法の一態様では、基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にソース電極及びドレイン電極が設けられた構造を形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記グラフェンナノメッシュの電位を制御するゲート電極を形成する。前記構造を形成する際に、前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積し、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させ、前記粒子を除去する。
フォトディテクタの製造方法の一態様では、基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にアノード電極及びカソード電極が設けられ、前記グラフェンナノメッシュの前記アノード電極及び前記カソード電極の間の部分にｐｎ接合が存在する構造を形成する。前記構造を形成する際に、前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積し、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させ、前記粒子を除去する。
上記のグラフェンナノメッシュの製造方法等によれば、簡便な方法で十分なバンドギャップを得ることができる。
以下、実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。図１Ａ〜図１Ｃは、第１の実施形態に係るグラフェンナノメッシュの製造方法を工程順に示す図である。
先ず、第１の実施形態について説明する。図１Ａ〜図１Ｃは、第１の実施形態に係るグラフェンナノメッシュの製造方法を工程順に示す図である。
先ず、図１Ａに示すように、基板１４上にグラフェン１１を用意する。例えば、グラファイト結晶から粘着テープで剥離したグラフェン１１を基板１４上に貼り付ける。また、基板１４としてＳｉＣ基板を用い、基板１４をアニールしてその表面にグラフェン１１を形成してもよい。また、化学気相成長（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）法で合成したグラフェンを利用してもよい。なお、グラフェン１１が基板１４と接している必要はなく、例えば、図１Ｄに示すように、基板１４上に設けられた支持部材１５によってグラフェン１１が懸架され、グラフェン１１と基板１４との間に空間が存在していてもよい。
次いで、図１Ｂに示すように、グラフェン１１上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する粒子１２を堆積する。粒子１２の材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、及びＶ等が挙げられる。これら金属の合金を用いてもよい。また、これらのうちで、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅの単体金属又は合金が特に好ましい。これらは、カーボンナノチューブ等の形成の際に触媒として用いられる。粒子１２のサイズは、製造しようとするグラフェンナノメッシュの孔の大きさに応じて決定することが好ましく、例えば、０．５ｎｍ〜１００ｎｍ程度とする。
ここで、粒子１２を堆積する方法の一例について説明する。図２は、粒子１２の堆積に用いられる装置の例を示す図である。この装置を用いた方法では、低圧Ｈｅガス中でのレーザーアブレーションによりナノ粒子を発生する。具体的には、１．９ＳＬＭ（スタンダードリッター毎分）のＨｅガスを生成室６１に導入し、生成室６１の圧力を約１ｋＰａに調整する。そして、生成室６１に設置した金属ターゲット６２、例えばＣｏターゲットをパルスレーザー６３で照射する。ここで、パルスレーザー６３としては、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザーの２倍波（５３２ｎｍ）のものを用い、パワーは２Ｗ、パルスの繰り返し周波数は２０Ｈｚとする。レーザーの照射により金属ターゲット６２から金属蒸気が生成され、この金属蒸気がＨｅガスで急冷されると、粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の粒子が形成される。粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の粒子はナノ粒子とよばれる。そして、粒子はＨｅガスにより微粒子サイズ選別部（インパクタ）６４に送られる。
インパクタ６４は粒子の慣性により、あるサイズ以上の粒子を除去する装置である。ナノ粒子は一般的に凝集などにより時間と共に成長するため、ナノ粒子のサイズには下限が存在する。従って、インパクタ６４によってあるサイズ以上のナノ粒子を除去すれば、インパクタ６４を通過するナノ粒子のサイズが制御される。ここでは、例えば、インパクタ６４を通過するナノ粒子の直径が約４ｎｍとなるような条件でインパクタ６４を使用することとする。インパクタ６４によりサイズ選別されたナノ粒子は、その後、ポンプ６５及び６６を用いた差動排気により、ポンプ６７が繋がれた１０−３Ｐａ程度の圧力の堆積室７０に導かれる。堆積室７０に導かれる過程でナノ粒子はビーム状になり、ステージ６８に置かれた基板６９にほぼ垂直に衝突して堆積される。この方法では、粒子１２は最密充填に配列せずにランダムな配置をとる。図３Ａに、基板に堆積されたナノ粒子の走査型電子顕微鏡像の一例を示し、図３Ｂに、当該ナノ粒子の直径Ｄの分布を示す。
上記の方法はいわゆるドライ法であるが、液相法により粒子１２をグラフェン１１上に堆積してもよい。液相法では、例えば、図４Ａに示すように、粒子１２を分散させた懸濁液２１にグラフェン１１及び基板１４を浸漬し、次いで、図４Ｂに示すように、グラフェン１１及び基板１４を懸濁液２１から引き上げる。
なお、ドライ法と液相法とを比較すると、ドライ法の方が粒子１２の堆積時にグラフェン１１に生じる汚染が抑制される。従って、ドライ法を採用することが好ましい。
粒子１２をグラフェン１１上に堆積した後には、例えばアニール炉内等、粒子１２の温度が、炭素を吸収する温度以上となるまで加熱し、粒子１２にグラフェン１１の当該粒子１２下の部分を構成する炭素を吸収させる。この結果、図１Ｃに示すように、グラフェン１１の炭素を吸収された部分に孔１３が形成される。なお、粒子１２が炭素を吸収する温度はその材料によって異なるが、多くの材料において３００℃以上である。また、粒子１２の温度が７００℃を超えると、グラフェン１１上で粒子１２が表面拡散することがある。このため、粒子１２を加熱する温度は３００℃〜７００℃とすることが好ましい。粒子１２の材料としてＣｏが用いられている場合、加熱温度は例えば４００℃〜５００℃程度とする。また、加熱の時間は、粒子１２の材料及び大きさ、並びに形成しようとする孔１３の大きさに応じて決定することができ、例えば３０分間程度とする。ある時間までは加熱時間が長くなるほど孔１３が大きくなるが、粒子１２が吸収できる炭素の量に上限があるため、それ以上に長い時間の加熱を行っても、孔１３は大きくなりにくい。従って、適切な材料及び大きさの粒子１２を用いれば、加熱時間を厳密に制御せずとも一定の大きさの孔１３を安定して得ることができる。加熱を行う雰囲気は特に限定されないが、例えば、アルゴン及び水素の混合ガスの雰囲気とし、アニール炉内の圧力は約１ｋＰａとする。
次いで、図１Ｃに示すように、炭素を吸収した粒子１２を除去する。粒子１２の除去では、例えば、希塩酸又は塩化鉄水溶液等の酸性溶液中に粒子１２等を浸漬し、粒子１２を溶解させる。浸漬する時間は、例えば１分間程度とする。この結果、グラフェン１１に複数の孔１３が形成されて構成されたグラフェンナノメッシュ１０が得られる。
本実施形態の方法によれば、微細な孔１３を安定して形成することができ、これに伴って、グラフェンナノメッシュ１０のネックの幅も安定して微細なものとすることができる。グラフェンナノメッシュのバンドギャップはネックの幅が狭いほど大きくなるため、大きなバンドギャップを安定して得ることができる。非特許文献４によると、グラフェンナノメッシュのバンドギャップＥｇは、ネックの幅Ｗ（ｎｍ）に反比例するような依存性を示す（Ｅｇ≒０．９５／Ｗ（ｅＶ））。従来の方法によって得られるネック幅は小さくても７ｎｍ程度であるのに対し、本実施形態の方法によれば、５ｎｍ以下のネック幅を得ることができる。この結果、大きなバンドギャップが得られ、大きなオンオフ比を得ることが可能となる。また、粒子１２のサイズ及び密度を制御することにより、バンドギャップの大きさを制御することが可能である。
なお、ネックの幅に比べて孔１３が極端に大きい場合には、大きな電流を流せなくなることがある。このため、孔１３のサイズとネックの幅は同程度とすることが望ましい。例えば、ネックの幅は、孔１３のサイズの±２０％の範囲内にあることが望ましい。
ドライ法で粒子１２をグラフェン１１上に堆積した場合、上述のように、粒子１２は不規則に配列し、形成される孔１３の配列も不規則なものとなり、ネックの幅にばらつきが生じる。従って、ネックの幅を測定することは困難である。しかし、このような場合のバンドギャップは、同一の大きさの孔１３が同一の密度でグラフェンナノメッシュ１０に規則的に配列していると仮定した場合のバンドギャップと同程度となる。このため、孔１３の配列が不規則であっても、そのときのネックの幅は、同一の大きさの孔１３が同一の密度でグラフェンナノメッシュ１０に規則的に配列していると仮定した場合のネックの幅と同程度とみなすことができる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、炭素を吸収した粒子１２のエッチングの方法が第１の実施形態と異なる。すなわち、第２の実施形態では、粒子１２に炭素を吸収させた後、アニール炉を真空に排気し、その後、更に加熱して粒子１２を蒸発させ、温度を下げる。他の構成は第１の実施形態と同様である。なお、更なる加熱では、例えば、５秒間程度で１１００℃程度まで加熱する。また、温度の低下は、例えば、粒子１２の蒸発後に瞬時に行う。
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、炭素を吸収した粒子１２のエッチングの方法が第１の実施形態と異なる。すなわち、第２の実施形態では、粒子１２に炭素を吸収させた後、アニール炉を真空に排気し、その後、更に加熱して粒子１２を蒸発させ、温度を下げる。他の構成は第１の実施形態と同様である。なお、更なる加熱では、例えば、５秒間程度で１１００℃程度まで加熱する。また、温度の低下は、例えば、粒子１２の蒸発後に瞬時に行う。
このような第２の実施形態によれば、ドライプロセスで粒子１２を除去することができる。第１の実施形態のように、ウェットプロセスで粒子１２を除去した場合には、その過程でグラフェン１１にダメージを与える可能性があるが、第２の実施形態によれば、このような可能性を著しく抑制することができる。また、ドライプロセス後に残渣が存在し、この残渣の除去にウェットプロセスを行うとしても、その時間は極めて短くすることができるため、グラフェン１１へのダメージはほとんど生じない。
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。図５Ａ〜図５Ｄは、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
次に、第３の実施形態について説明する。図５Ａ〜図５Ｄは、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
先ず、図５Ａに示すように、基板３１上に設けられた絶縁膜３２上に、チャネルの形状のグラフェンナノメッシュ３０を配置する。グラフェンナノメッシュ３０の配置に当たっては、チャネルの形状に加工しておいたグラフェンナノメッシュ３０を絶縁膜３２上に配置してもよく、チャネルより大きなグラフェンナノメッシュを形成した後に、チャネルの形状に加工してもよい。いずれにしても、グラフェンナノメッシュは、第１又は第２の実施形態の方法で形成する。
次いで、図５Ｂに示すように、グラフェンナノメッシュ３０の両端にソース電極３４及びドレイン電極３５を形成する。ソース電極３４及びドレイン電極３５には、例えば、厚さが１０ｎｍ程度のＴｉ膜及びその上に形成された厚さが５０ｎｍ程度のＡｕ膜が含まれる。ソース電極３４及びドレイン電極３５は、例えばリフトオフ法により形成することができる。この場合、ソース電極３４を形成する予定の領域及びドレイン電極３５を形成する予定の領域を露出するレジストマスクをフォトリソグラフィ又は電子線リソグラフィを利用して形成し、電極材料の真空蒸着を行い、レジストマスクをその上の電極材料と共に除去する。
その後、図５Ｃに示すように、グラフェンナノメッシュ３０、ソース電極３４及びドレイン電極３５を覆うゲート絶縁膜３６を形成する。ゲート絶縁膜３６の形成では、例えば、蒸着法により厚さが２ｎｍ程度のＡｌ膜を堆積し、このＡｌ膜を酸化し、続いて、原子層堆積（ＡＬＤ：atomic layer deposition）法により厚さが１０ｎｍ程度のアルミナ膜を堆積する。
次いで、図５Ｄに示すように、ゲート絶縁膜３６上に、ソース電極３４及びドレイン電極３５間のグラフェンナノメッシュ３０の電位を制御するゲート電極３７を形成する。ゲート電極３７には、例えば、厚さが１０ｎｍ程度のＴｉ膜及びその上に形成された厚さが５０ｎｍ程度のＡｕ膜が含まれる。ゲート電極３７も、例えばリフトオフ法により形成することができる。また、ゲート絶縁膜３６に、ソース電極３４の一部を露出する開口部３４ａ及びドレイン電極３５の一部を露出する開口部３５ｄを形成する。このようにして、グラフェンナノメッシュ３０をチャネルとするトップゲート型の電界効果トランジスタが得られる。
なお、ソース電極３４、ドレイン電極３５及びゲート電極３７の材料は、上記のＡｕ及びＴｉに限定されない。例えば、Ｃｒ膜とその上のＡｕ膜との積層体、Ｎｉ膜、Ｃｏ膜、Ｐｔ膜、Ｐｄ膜及びＳｉ膜等を用いることができる。また、ゲート絶縁膜３６の材料は、上記のものに限定されず、ＨｆＯ２膜及びＳｉＯ２膜等を用いることができる。
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。図６Ａ〜図６Ｃは、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
次に、第４の実施形態について説明する。図６Ａ〜図６Ｃは、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
先ず、図６Ａに示すように、基板３１上に設けられた絶縁膜３２上に、チャネルの形状のグラフェン４１を配置する。グラフェン４１の配置に当たっては、チャネルの形状に加工しておいたグラフェン４１を絶縁膜３２上に配置してもよく、チャネルより大きなグラフェンを形成した後に、チャネルの形状に加工してもよい。次いで、第３の実施形態と同様にして、グラフェン４１の両端にソース電極３４及びドレイン電極３５を形成する。
その後、図６Ｂに示すように、グラフェン４１上に粒子４２を堆積する。粒子４２としては、第１の実施形態における粒子１２と同様のものを用いる。
続いて、粒子４２等を加熱し、粒子４２にグラフェン４１の当該粒子４２直下の部分を構成する炭素を吸収させる。次いで、炭素を吸収した粒子４２を除去する。この結果、図６Ｃに示すように、複数の孔が設けられたグラフェンナノメッシュ３０が得られる。
その後、第３の実施形態と同様にしてゲート絶縁膜３６の形成以降の処理を行い（図５Ｃ、図５Ｄ参照）、半導体装置を完成させる。
第３の実施形態では、ソース電極３４及びドレイン電極３５の形成時にグラフェンナノメッシュ３０にダメージが生じる懸念があるが、このような第４の実施形態によれば、このような懸念を払しょくすることができる。グラフェンナノメッシュ３０を得る前にソース電極３４及びドレイン電極３５を形成しているためである。
なお、第３の実施形態、第４の実施形態の変形例として、図７に示すように、絶縁膜３２に埋め込まれたゲート電極３９及びその上のゲート絶縁膜３８を備えたバックゲート型の電界効果トランジスタを製造してもよい。この場合には、ゲート電極３９の形成及びゲート絶縁膜３８の形成に伴うグラフェンナノメッシュ３０へのダメージを防止することができる。グラフェンナノメッシュ３０を得る前にゲート電極３９及びゲート絶縁膜３８を形成しているためである。
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。図８Ａ〜図８Ｅは、第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
次に、第５の実施形態について説明する。図８Ａ〜図８Ｅは、第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
先ず、図８Ａに示すように、基板３１上に設けられた絶縁膜３２上に、チャネルと同様の平面形状の金属膜４３を形成し、その上にグラフェン４１をＣＶＤ法により形成する。金属膜４３としては、グラフェン４１の形成時に触媒として機能するものを形成する。
次いで、図８Ｂに示すように、金属膜４３及びグラフェン４１の両端に、金属膜４３及びグラフェン４１を上方及び側方から取り囲むようにしてソース電極３４及びドレイン電極３５を形成する。
その後、図８Ｃに示すように、ウェットエッチングにより、ソース電極３４、ドレイン電極３５及びグラフェン４１を残したまま金属膜４３を除去する。この処理を行うため、金属膜４３の材料としては、所定の溶液、例えば塩酸を用いたウェットエッチングにおいて、ソース電極３４及びドレイン電極３５よりも溶解しやすいもの、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ等を用いる。なお、図１Ｄに示す形態は、このような処理により得ることができる。
金属膜４３の除去後には、図８Ｄに示すように、グラフェン４１上に粒子４２を堆積する。続いて、粒子４２等を加熱し、粒子４２にグラフェン４１の当該粒子４２直下の部分を構成する炭素を吸収させる。次いで、炭素を吸収した粒子４２を除去する。この結果、図８Ｅに示すように、複数の孔が設けられたグラフェンナノメッシュ３０が得られる。
その後、第３の実施形態と同様にしてゲート絶縁膜３６の形成以降の処理を行い（図５Ｃ、図５Ｄ参照）、半導体装置を完成させる。
（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。図９Ａ〜図９Ｃは、第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
次に、第６の実施形態について説明する。図９Ａ〜図９Ｃは、第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
先ず、図９Ａに示すように、基板３１上に設けられた絶縁膜３２上に、チャネルと同様の平面形状の金属膜４３を形成し、その上にグラフェンナノメッシュ３０を配置する。グラフェンナノメッシュ３０の配置では、例えば、グラフェンをＣＶＤ法により形成し、その上に粒子１２と同様の粒子を堆積し、加熱によりグラフェンを構成する炭素の一部を当該粒子に吸収させ、当該粒子を除去する。
次いで、図９Ｂに示すように、金属膜４３及びグラフェンナノメッシュ３０の両端に、金属膜４３及びグラフェンナノメッシュ３０を上方及び側方から取り囲むようにしてソース電極３４及びドレイン電極３５を形成する。
その後、図９Ｃに示すように、ウェットエッチングにより、ソース電極３４、ドレイン電極３５及びグラフェンナノメッシュ３０を残したまま金属膜４３を除去する。
その後、第３の実施形態と同様にしてゲート絶縁膜３６の形成以降の処理を行い（図５Ｃ、図５Ｄ参照）、半導体装置を完成させる。
（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態について説明する。図１０は、第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。第７の実施形態では、フォトディテクタを製造する。
次に、第７の実施形態について説明する。図１０は、第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。第７の実施形態では、フォトディテクタを製造する。
先ず、図１０に示すように、透明基板５５上に、受光部の形状のグラフェンナノメッシュ５０を配置する。グラフェンナノメッシュ５０の配置に当たっては、受光部の形状に加工しておいたグラフェンナノメッシュ５０を透明基板５５上に配置してもよく、受光部より大きなグラフェンナノメッシュを形成した後に、受光部の形状に加工してもよい。いずれにしても、グラフェンナノメッシュは、第１又は第２の実施形態の方法で形成する。
次いで、グラフェンナノメッシュ５０の両端にアノード電極５３及びカソードドレイン電極５４を形成し、これらの間において、グラフェンナノメッシュ５０上にＡｌ２Ｏ３膜５１及びＨｆＯ２膜５２を形成する。このとき、Ａｌ２Ｏ３膜５１をＨｆＯ２膜５２よりもアノード電極５３側に位置させる。
グラフェンナノメッシュ５０のＡｌ２Ｏ３膜５１下の部分はｐ型半導体として機能し、ＨｆＯ２膜５２下の部分はｎ型半導体として機能する。従って、グラフェンナノメッシュ５０にｐｎ接合が存在することになる。そして、グラフェンナノメッシュ５０に透明基板５５を介して光が照射すると、光起電力が生じる。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
これらのグラフェンナノメッシュの製造方法等によれば、十分なバンドギャップを持つチャネル材料を得ることができる。
次いで、図５Ｄに示すように、ゲート絶縁膜３６上に、ソース電極３４及びドレイン電極３５間のグラフェンナノメッシュ３０の電位を制御するゲート電極３７を形成する。ゲート電極３７には、例えば、厚さが１０ｎｍ程度のＴｉ膜及びその上に形成された厚さが５０ｎｍ程度のＡｕ膜が含まれる。ゲート電極３７も、例えばリフトオフ法により形成することができる。また、ゲート絶縁膜３６に、ソース電極３４の一部を露出する開口部３４ａ及びドレイン電極３５の一部を露出する開口部３５ａを形成する。このようにして、グラフェンナノメッシュ３０をチャネルとするトップゲート型の電界効果トランジスタが得られる。
次いで、グラフェンナノメッシュ５０の両端にアノード電極５３及びカソード電極５４を形成し、これらの間において、グラフェンナノメッシュ５０上にＡｌ2Ｏ3膜５１及びＨｆＯ2膜５２を形成する。このとき、Ａｌ2Ｏ3膜５１をＨｆＯ2膜５２よりもアノード電極５３側に位置させる。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
グラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とするグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記２）
前記粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、及びＶからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記３）
前記粒子の直径は、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記４）
前記粒子を除去する工程は、前記粒子を酸性溶液に溶解させる工程を有することを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記５）
前記粒子を除去する工程は、昇温により前記粒子を蒸発させる工程を有することを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記６）
前記粒子をドライ法により前記グラフェン上に堆積することを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記７）
前記粒子に炭素を吸収させる際の温度を７００℃以下とすることを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記８）
前記粒子を除去する工程により形成される孔のサイズに対して、ネックの幅を−２０％〜＋２０％の範囲内とすることを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記９）
基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にソース電極及びドレイン電極が設けられた構造を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記グラフェンナノメッシュの電位を制御するゲート電極を形成する工程と、
を有し、
前記構造を形成する工程は、
前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記構造を形成する工程は、前記粒子を除去する工程の後に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記構造を形成する工程は、前記粒子を堆積する工程の前に、前記グラフェンの両端に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
前記構造として、前記グラフェンナノメッシュと前記基板との間に空間が存在するものを形成することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）
前記粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、及びＶからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１４）
前記粒子の直径は、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１５）
前記粒子を除去する工程は、前記粒子を酸性溶液に溶解させる工程を有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１６）
前記粒子を除去する工程は、昇温により前記粒子を蒸発させる工程を有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１７）
前記粒子をドライ法により前記グラフェン上に堆積することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１８）
前記粒子に炭素を吸収させる際の温度を７００℃以下とすることを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１９）
前記粒子を除去する工程により形成される孔のサイズに対して、ネックの幅を−２０％〜＋２０％の範囲内とすることを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記２０）
基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にアノード電極及びカソード電極が設けられ、前記グラフェンナノメッシュの前記アノード電極及び前記カソード電極の間の部分にｐｎ接合が存在する構造を形成する工程を有し、
前記構造を形成する工程は、
前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とするフォトディテクタの製造方法。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
グラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とするグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記２）
前記粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、及びＶからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記３）
前記粒子の直径は、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記４）
前記粒子を除去する工程は、前記粒子を酸性溶液に溶解させる工程を有することを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記５）
前記粒子を除去する工程は、昇温により前記粒子を蒸発させる工程を有することを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記６）
前記粒子をドライ法により前記グラフェン上に堆積することを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記７）
前記粒子に炭素を吸収させる際の温度を７００℃以下とすることを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記８）
前記粒子を除去する工程により形成される孔のサイズに対して、ネックの幅を−２０％〜＋２０％の範囲内とすることを特徴とする付記１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
（付記９）
基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にソース電極及びドレイン電極が設けられた構造を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記グラフェンナノメッシュの電位を制御するゲート電極を形成する工程と、
を有し、
前記構造を形成する工程は、
前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記構造を形成する工程は、前記粒子を除去する工程の後に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記構造を形成する工程は、前記粒子を堆積する工程の前に、前記グラフェンの両端に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
前記構造として、前記グラフェンナノメッシュと前記基板との間に空間が存在するものを形成することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）
前記粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、及びＶからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１４）
前記粒子の直径は、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１５）
前記粒子を除去する工程は、前記粒子を酸性溶液に溶解させる工程を有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１６）
前記粒子を除去する工程は、昇温により前記粒子を蒸発させる工程を有することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１７）
前記粒子をドライ法により前記グラフェン上に堆積することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１８）
前記粒子に炭素を吸収させる際の温度を７００℃以下とすることを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１９）
前記粒子を除去する工程により形成される孔のサイズに対して、ネックの幅を−２０％〜＋２０％の範囲内とすることを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記２０）
基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にアノード電極及びカソード電極が設けられ、前記グラフェンナノメッシュの前記アノード電極及び前記カソード電極の間の部分にｐｎ接合が存在する構造を形成する工程を有し、
前記構造を形成する工程は、
前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とするフォトディテクタの製造方法。
Claims (20)
- グラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とするグラフェンナノメッシュの製造方法。 - 前記粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、及びＶからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
- 前記粒子の直径は、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
- 前記粒子を除去する工程は、前記粒子を酸性溶液に溶解させる工程を有することを特徴とする請求項１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
- 前記粒子を除去する工程は、昇温により前記粒子を蒸発させる工程を有することを特徴とする請求項１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
- 前記粒子をドライ法により前記グラフェン上に堆積することを特徴とする請求項１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
- 前記粒子に炭素を吸収させる際の温度を７００℃以下とすることを特徴とする請求項１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
- 前記粒子を除去する工程により形成される孔のサイズに対して、ネックの幅を−２０％〜＋２０％の範囲内とすることを特徴とする請求項１に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。
- 基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にソース電極及びドレイン電極が設けられた構造を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記グラフェンナノメッシュの電位を制御するゲート電極を形成する工程と、
を有し、
前記構造を形成する工程は、
前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記構造を形成する工程は、前記粒子を除去する工程の後に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記構造を形成する工程は、前記粒子を堆積する工程の前に、前記グラフェンの両端に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記構造として、前記グラフェンナノメッシュと前記基板との間に空間が存在するものを形成することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、及びＶからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記粒子の直径は、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記粒子を除去する工程は、前記粒子を酸性溶液に溶解させる工程を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記粒子を除去する工程は、昇温により前記粒子を蒸発させる工程を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記粒子をドライ法により前記グラフェン上に堆積することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記粒子に炭素を吸収させる際の温度を７００℃以下とすることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記粒子を除去する工程により形成される孔のサイズに対して、ネックの幅を−２０％〜＋２０％の範囲内とすることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にアノード電極及びカソード電極が設けられ、前記グラフェンナノメッシュの前記アノード電極及び前記カソード電極の間の部分にｐｎ接合が存在する構造を形成する工程を有し、
前記構造を形成する工程は、
前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、
前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、
前記粒子を除去する工程と、
を有することを特徴とするフォトディテクタの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2011/067403 WO2013018153A1 (ja) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | グラフェンナノメッシュの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013018153A1 true JPWO2013018153A1 (ja) | 2015-02-23 |
| JP5737405B2 JP5737405B2 (ja) | 2015-06-17 |
Family
ID=47628726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013526621A Active JP5737405B2 (ja) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | グラフェンナノメッシュの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9034687B2 (ja) |
| JP (1) | JP5737405B2 (ja) |
| CN (1) | CN103718296B (ja) |
| WO (1) | WO2013018153A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9102118B2 (en) | 2011-12-05 | 2015-08-11 | International Business Machines Corporation | Forming patterned graphene layers |
| JP6268419B2 (ja) * | 2013-04-03 | 2018-01-31 | 富士通株式会社 | 電子装置及びその製造方法 |
| TWI493739B (zh) * | 2013-06-05 | 2015-07-21 | Univ Nat Taiwan | 熱載子光電轉換裝置及其方法 |
| US10464025B2 (en) | 2014-12-04 | 2019-11-05 | Shinshu University | Method for producing molded filter body |
| CN104409555B (zh) * | 2014-12-05 | 2016-05-25 | 厦门烯成石墨烯科技有限公司 | 一种基于石墨烯的紫外感应器及其制备方法 |
| CN104882507B (zh) * | 2015-04-03 | 2017-01-25 | 三峡大学 | 一种Pt‑GFW/SiO2/n‑Si异质结材料及其制备方法 |
| US10217819B2 (en) | 2015-05-20 | 2019-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including metal-2 dimensional material-semiconductor contact |
| KR102417998B1 (ko) | 2015-07-07 | 2022-07-06 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 나노패턴의 형성방법과 그래핀 함유 소자 및 그 제조방법 |
| KR102434700B1 (ko) | 2015-09-03 | 2022-08-22 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 나노-메쉬 제조방법 |
| KR102437578B1 (ko) | 2015-11-11 | 2022-08-26 | 삼성전자주식회사 | 투명 전극 및 이를 포함하는 소자 |
| KR102522012B1 (ko) | 2015-12-23 | 2023-04-13 | 삼성전자주식회사 | 전도성 소자 및 이를 포함하는 전자 소자 |
| KR102543984B1 (ko) | 2016-03-15 | 2023-06-14 | 삼성전자주식회사 | 도전체, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자 |
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| WO2019138143A1 (es) | 2018-01-12 | 2019-07-18 | Asociación De Investigación Metalúrgica Del Noroeste | Método de obtención de una nanomalla de grafeno |
| WO2019158694A1 (en) | 2018-02-15 | 2019-08-22 | Fundació Institut Català De Nanociència I Nanotecnologia | A nanoporous graphene structure and method for preparation thereof |
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| JP7477766B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-05-02 | 富士通株式会社 | 光検出装置 |
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Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20120034707A1 (en) * | 2008-06-02 | 2012-02-09 | Datta Sujit S | Atomically precise nanoribbons and related methods |
| KR101681950B1 (ko) * | 2009-01-15 | 2016-12-05 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 에지의 화학적 변형 방법 및 이에 의하여 얻어진 그라펜 |
| KR101089851B1 (ko) * | 2009-04-10 | 2011-12-05 | 포항공과대학교 산학협력단 | 그라핀 위에 촉매제를 분포시키는 방법 |
| US8835046B2 (en) * | 2009-08-10 | 2014-09-16 | Battelle Memorial Institute | Self assembled multi-layer nanocomposite of graphene and metal oxide materials |
| US9273398B2 (en) * | 2010-01-16 | 2016-03-01 | Nanoridge Materials, Inc. | Metallized nanotubes |
| WO2011094597A2 (en) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | The Regents Of The University Of California | Graphene nanomesh and method of making the same |
| RU2565336C2 (ru) * | 2010-05-05 | 2015-10-20 | Нэйшнл Юниверсити оф Сингапур | Легирование графена дырками |
| US20120156424A1 (en) * | 2010-12-15 | 2012-06-21 | Academia Sinica | Graphene-silicon carbide-graphene nanosheets |
-
2011
- 2011-07-29 JP JP2013526621A patent/JP5737405B2/ja active Active
- 2011-07-29 CN CN201180072619.8A patent/CN103718296B/zh active Active
- 2011-07-29 WO PCT/JP2011/067403 patent/WO2013018153A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-01-27 US US14/164,694 patent/US9034687B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006190729A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Shinshu Univ | 光センサーおよびその製造方法 |
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| JP2010206176A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-09-16 | Institute Of Physical & Chemical Research | テラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103718296B (zh) | 2016-09-07 |
| CN103718296A (zh) | 2014-04-09 |
| WO2013018153A1 (ja) | 2013-02-07 |
| JP5737405B2 (ja) | 2015-06-17 |
| US20140141581A1 (en) | 2014-05-22 |
| US9034687B2 (en) | 2015-05-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150324 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150406 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5737405 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |