JPWO2012144112A1 - 部材を配置する方法 - Google Patents

部材を配置する方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2012144112A1
JPWO2012144112A1 JP2012517029A JP2012517029A JPWO2012144112A1 JP WO2012144112 A1 JPWO2012144112 A1 JP WO2012144112A1 JP 2012517029 A JP2012517029 A JP 2012517029A JP 2012517029 A JP2012517029 A JP 2012517029A JP WO2012144112 A1 JPWO2012144112 A1 JP WO2012144112A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hydrophilic
liquid
substrate
body region
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012517029A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5087720B1 (ja
Inventor
荒瀬 秀和
秀和 荒瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2012517029A priority Critical patent/JP5087720B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5087720B1 publication Critical patent/JP5087720B1/ja
Publication of JPWO2012144112A1 publication Critical patent/JPWO2012144112A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13613Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit the semiconductor element being formed on a first substrate and thereafter transferred to the final cell substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95143Passive alignment, i.e. self alignment, e.g. using surface energy, chemical reactions, thermal equilibrium
    • H01L2224/95145Electrostatic alignment, i.e. polarity alignment with Coulomb charges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本発明は、部材を基板(100)上に配置する方法であって、以下の工程を具備する:基板(100)、第1の液体、および部材分散液を準備する工程(a)、第1の液体を基板(100)に連続的に+X方向に沿って塗布して、第1の液体を、親水性ライン(112)および親水性本体領域(111)に交互に+X方向に沿って配置する工程(b)、親水性本体領域(111)に配置された第1の液体に部材分散液を接触させる工程(c)、および基板(100)から、第1の液体および第2の液体を除去することによって、部材を親水性本体領域(111)に配置する工程(d)。

Description

本発明は、部材を配置する方法に関する。
アクティブ型液晶表示素子および有機エレクトロルミネッセンス表示素子はガラス基板上に形成されている。基板上にマトリックス状に配置された画素は、当該画素の近傍に配置された薄膜トランジスタによって制御される。現在の技術を用いても、結晶半導体から構成される薄膜トランジスタはガラス基板上に形成され得ない。そのため、アモルファスシリコンまたはポリシリコン薄膜を用いる薄膜トランジスタが画素の制御に用いられている。薄膜トランジスタは大面積の基板上に安価に作製され得る。しかし、薄膜トランジスタは、結晶性シリコンよりも低い移動度のために高速で動作することが阻害されるという欠点を有する。この欠点を克服するため、あらかじめシリコンウェハ上に多数のトランジスタが作製された後、ウェハから切り出されて、そして基板上に配置される。
特許文献1は、図10Aに示すように、複数の親水性領域11と、当該親水性領域11を囲む撥水性領域12とを具備した基板10を準備することを開示している。次に、図10Bに示すように、基板に配置される部材40が水に実質的に溶解しない溶媒30に分散され、部材分散液60を準備する。図10Bは、容器70に入れられた部材分散液60を模式的に示す。部材40の一つの面は親水性であって基板10と接合し、この面以外の部材40の面は撥水性である。
次に、図10Cに示されるように、第1のスキージ51を用いて複数の親水性領域11に水20が配置される。その後、図10Dに示すように、第2のスキージ52を用いて、部材分散液60が塗布され、部材分散液60を親水性領域11に配置された水21と接触させる。この過程において、部材40は親水性領域11に配置された水21の中に移動する。その後、水21および部材分散液60に含まれる溶媒が除去され、親水性領域11に部材40を固定する。なお、参照符号61は、親水性領域11に配置された部材分散液60を指し示す。
米国特許第7730610号公報(特許第4149507号公報に対応) 特許第4531862号公報
特許文献1に記載の方法は、部材40を基板10に配置する優れた方法である。
本発明の目的は、部材が親水性領域に配置される確率を向上させる方法を提供することである。
本発明は、部材を基板上に配置する方法であって、以下の工程を具備する:
前記基板、第1の液体、および部材分散液を準備する工程(a)、ここで、
前記基板は、撥水性領域および複数の親水性領域を具備し、
前記撥水性領域は、前記複数の親水性領域を囲んでおり、
各前記親水性領域は、親水性本体領域および親水性ラインを具備し、
前記親水性ラインは、互いに平行に配置され、
Y方向は、前記複数の親水性ラインの平行方向であり、
Z方向は、前記基板の法線の方向であり、
+X方向は、前記Y方向および前記Z方向のいずれにも直交する方向であり、
−X方向は、前記+X方向の逆方向であり、
前記複数の親水性領域が、前記+X方向および前記Y方向に沿って配置されており、
各前記親水性領域に含まれる前記親水性ラインおよび前記親水性本体領域が前記+X方向に沿ってこの順で配置されており、
前記親水性本体領域および前記親水性ラインは、前記+X方向に沿って交互に配置されており、
D1は、各前記親水性領域に含まれる前記親水性本体領域および前記親水性ラインの間の前記+X方向に沿った間隔を表し、
D2は、前記親水性本体領域の前記Y方向に沿った長さを表し、
D3は、前記親水性ラインの前記Y方向に沿った長さを表し、
D4は、前記親水性ラインの幅を表し、
D5は、前記Y方向に沿って配置された2つの隣接する前記親水性ラインの間の間隔を表し、
D1/D2の値は0.1以上1.2以下であり、
D3の値は、5マイクロメートル以上であり、
D4の値は、前記部材の最小長よりも小さく、
D5の値は、10マイクロメートル以上であり、
前記第1の液体は親水性であり、
前記部材分散液は、前記部材および第2の液体を含有し、
前記第2の液体は、前記第1の液体に溶解せず、
前記部材は親水性の表面を具備しており、
前記第1の液体を前記基板に連続的に前記+X方向に沿って塗布して、前記第1の液体を、前記親水性ラインおよび前記親水性本体領域に交互に前記+X方向に沿って配置する工程(b)、
前記親水性本体領域に配置された前記第1の液体に前記部材分散液を接触させる工程(c)、および
前記基板から、前記第1の液体および前記第2の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性本体領域に配置する工程(d)。
本明細書における用語「配置」は「実装」を含む。本明細書における「部材」の例は、電子部品である。
本発明は、部材が親水性領域に配置される確率を向上させる。
図1Aは、親水性本体領域111、親水性ライン112、および撥水性領域120を具備する基板100を示す。 図1Bは、親水性本体領域111、親水性ライン112、および撥水性領域120を具備する基板100を示す。 図2Aは、D1〜D5の値を説明するための上面図である。 図2Bは、D1〜D5の値を説明するための上面図である。 図3Aは、D1〜D5の値を説明するための上面図である。 図3Bは、D1〜D5の値を説明するための上面図である。 図3Cは、D1〜D5の値を説明するための上面図である。 図4は、部材400を含有する部材分散液600を模式的に示す。 図5Aは、部材の最小長を説明するための斜視図である。 図5Bは、部材の最小長を説明するための斜視図である。 図5Cは、部材の最小長を説明するための斜視図である。 図5Dは、部材の最小長を説明するための斜視図である。 図6Aは、図6Bおよび図6Cと共に、撥水性領域121に塗布された第1の液体200が基板100上を移動する様子を示す。 図6Bは、図6Aおよび図6Cと共に、撥水性領域121に塗布された第1の液体200が基板100上を移動する様子を示す。 図6Cは、図6Aおよび図6Bと共に、撥水性領域121に塗布された第1の液体200が基板100上を移動する様子を示す。 図7Aは、部材400が配置される前の基板100を示す。 図7Bは、工程(b)を示す。 図7Cは、工程(c)を示す。 図7Dは、部材400が配置された後の基板100を示す。 図8は、第1のスキージ510が基板100を移動する様子を示す上面図である。 図9Aは、比較例5による部材を配置する方法を説明するための上面図である。 図9Bは、比較例11による部材を配置する方法を説明するための上面図である。 図10Aは、図10B〜図10Dと共に、特許文献1に記載された方法を示す。 図10Bは、図10A、図10B、および図10Cと共に、特許文献1に記載された方法を示す。 図10Cは、図10A、図10B、および図10Dと共に、特許文献1に記載された方法を示す。 図10Dは、図10A〜図10Cと共に、特許文献1に記載された方法を示す。
本発明の実施の形態が、以下、図面を参照しながら説明される。図面においては、本明細書の理解を促進するため、ハッチングが省略され得る。
(工程(a))
工程(a)では、基板100、第1の液体200、および部材分散液600が準備される。
図1Aおよび図1Bは、基板100を示す。基板100は、親水性領域110および撥水性領域120を表面に具備する。撥水性領域120は、親水性領域110を囲んでいる。
図1Aおよび図1Bに示されるように、+X方向、−X方向、Y方向、およびZ方向が定義される。すなわち、Y方向は、親水性ライン112の長さ方向である。Z方向は、基板100の法線の方向である。+X方向は、+Y方向および+Z方向のいずれにも直交する方向である。−X方向は、+X方向の逆方向である。親水性ライン112および親水性本体領域111は、+X方向に沿ってこの順で配置されている。
本発明では、複数の親水性領域110が設けられる。図1A、図1B、および図8に示されるように、正確に言えば、4以上の親水性領域110が+X方向およびY方向に沿って配置される。より正確に言えば、+X方向には2以上の親水性領域110が設けられ、かつY方向にも2以上の親水性領域110が設けられる。
各親水性領域110は、親水性本体領域111および親水性ライン112を具備する。各親水性領域110に含まれる親水性ライン112および親水性本体領域111は+X方向に沿ってこの順で配置されている。+X方向には2以上の親水性領域110が設けられるので、親水性本体領域111および親水性ライン112は、+X方向に沿って交互に配置される。
親水性ライン112は互いに平行に配置される。図2Aに示されるように、Y方向に沿って隣接する複数の親水性領域110に含まれる親水性ライン112は、Y方向に平行な1本の想像線804に含まれる。
親水性本体領域111および親水性ライン112の水に対するぬれ性は、撥水性領域120の水に対するぬれ性よりも高い。
次に、D1〜D5の値が説明される。
(D1)
図2A〜図3Cに示されるように、D1は、親水性ライン112および親水性本体領域111の間の+X方向に沿った間隔を表す。正確には、図2Aおよび図2Bに示されるように、D1は、図2Aおよび図2Bに示される想像線803に沿った、親水性ライン112および親水性本体領域111の間の間隔を意味する。想像線803は、親水性本体領域111の重心801と、親水性ライン112の重心802との間を結ぶ。
(D2)
図2A〜図3Cに示されるように、D2は、親水性本体領域111のY方向に沿った長さを表す。D3は、親水性ライン112のY方向に沿った長さを表す。
(D1/D2の値)
本発明者は、D1/D2の値は、0.1以上1.2以下の範囲であることが必要であることを見出した。D1/D2の値が0.1未満である場合には、部材400が親水性本体領域111に配置される確率が低下し得る(後述される比較例1を参照)。言い換えれば、(部材400が配置された親水性本体領域111の数Np)/(親水性本体領域111の数)の値が小さく、これは低効率を意味する。同様に、D1/D2の値が1.2を超える場合も、部材400が親水性本体領域111に配置される確率が低下し得る(後述される比較例2〜4を参照)。
(D3の値)
本発明者はD3の値は、5μm以上であることが必要であることを見出した。D3の値が5μm未満であると、部材400が親水性本体領域111に配置される確率が低下し得る(後述する比較例6〜9を参照)。D3の値は1000μm以下であることが好ましい。
(D4の値)
本発明では、親水性ライン112の幅を表すD4の値は、部材400の最小長よりも短いことが必要である。D4が部材400の最小長と同じまたはそれ以上である場合には、親水性ライン112に部材400が配置され得る。好ましくは、D4の値は部材400の最小値の2分の1以下である。
ここで、「部材400の最小長」が、図5A〜図5Dを用いて、詳細に説明される。
図5Aに示されるように、部材400が、2つの面(P1)と、面積が面(P1)以上である2つの面(P2)と、面積が面(P2)よりも大きい2つの面(P3)とを備える直方体である場合において、各辺の長さを(L1)、(L2)、および(L3)とする。親水性本体領域111の形状および大きさが面(P3)の形状および大きさと同一である場合、部材400の1つの面(P3)が、基板100の親水性本体領域111が設けられている面に対向するように配置される。この場合、「部材400の最小長」とは、マウントされる面である面(P3)を構成する辺の長さ(L1)と辺の長さ(L2)のうち、短い辺の長さ(L1)のことをいう。なお、本明細書における「形状および大きさが同一」の意味については、後述する。
図5Bに示されるように、部材400を構成する面のうち、基板100の親水性本体領域111に対向して配置する面(P3)の形状が三角形の場合、「部材400の最小長」とは、三角形を構成する辺(L1)、辺(L2)、辺(L3)のうち、その長さが最も短い辺の長さ(L1)のことをいう。
図5Cに示されるように、部材400を構成する面のうち、基板100の親水性本体領域111に対向して配置する面(P3)の形状が六角形の場合、「部材400の最小長」とは、六角形を構成する辺(L1)〜辺(L6)のうち、その長さが最も短い辺の長さ(L1)のことをいう。
図5Dに示されるように、部材400を構成する面のうち、基板100の親水性本体領域111に対向して配置する面(P3)の形状が円形の場合、「部材400の最小長」とは、面(P3)の直径の長さ(L1)のことをいう。楕円の場合には短径をいう。
マウントされる部材400の最小長は、10μm以上であることが好ましい。また、部材400が、前記面(P1)、前記面(P2)および前記面(P3)を備えた直方体である場合、マウントされる面である面(P3)の長辺(図5Aでは長さ(L2)の辺)は、1000μm以下であることが好ましい。
(D5の値)
図2A〜図3Cに示されるように、D5は、Y方向に沿って配置された2つの隣接する親水性ライン112の間の間隔を表す。本発明者は、D5の値は10μm以上であることが必要であることを見出した。D5の値が10μm未満であると、部材400が親水性本体領域111に配置される確率が低下し得る(後述する比較例11を参照)。図2Aおよび図2Bに示されるように、複数の親水性ライン112がY方向に平行に描かれた1本の想像線804に含まれるように、複数の親水性ライン112は配置される。想像線804の幅はD4に等しい。
工程(a)では第1の液体が準備される。第1の液体は、第2の液体と共に、後に詳細に説明される。
工程(a)では、部材分散液600を準備する。部材分散液600は、部材400および第2の液体300を含有する。図4は、部材分散液600を模式的に示す断面図である。図4は、容器700に入れられた部材分散液600を模式的に示す。部材分散液600は、第2の液体300および第2の液体300中に分散させた部材400を含有する。第2の液体300には、水が実質的に溶解しない。具体的な第2の液体300はヘキサンである。第2の液体300の他の具体例は後述される。本明細書における用語「分散」とは、部材400が第2の液体300中で凝集していない状態を意味する。部材400を分散させるために部材分散液600は攪拌され得る。
第1の液体200および第2の液体300は、第1の液体200と第2の液体300との間の界面に働く界面張力、および、部材400の表面に対する第1の液体200と第2の液体300に対するそれぞれのぬれ性を考慮して、適切に選択され得る。
第1の液体200は第2の液体300に実質的に溶解しないことを必要とする。第1の液体200が第2の液体300に実質的に溶解しないので、第1の液体200に第2の液体300が接触したときに、第1の液体200は親水性本体領域111に安定にとどまる。そして、界面張力により部材400は第1の液体200の中に移動する。「実質的に溶解しない」とは、第2の液体100ml中に溶解する第1の液体の重量によって定義される溶解度が10g以下、より好ましくは1g以下であることを意味する。
第1の液体200および第2の液体300の組み合わせは、例えば、第1の液体200として極性が大きい液体、および第2の液体300として第1の液体200よりも極性の小さい液体の組み合わせである。すなわち、第1の液体200は親水性であり、かつ第2の液体300は疎水性である。
第1の液体200の例は、水である。水に代え、メタノール、エタノール、エチレングリコールおよびグリセリンのようなアルコール、水とアルコールとの混合液が用いられ得る。水は、大きい表面張力を有しており、従って、部材400を親水性本体領域111に強固に保持することができるため、より好ましい。
第2の液体300の例は、
ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカンのようなアルカン、
トルエン、ベンゼン、キシレンのような芳香族炭化水素類、
クロロメタン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、モノクロロブタン、ジクロロブタン、モノクロロペンタンおよびジクロロペンタンのような塩素系溶媒、
ジエチルエーテル、石油エーテルのようなエーテル、
酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、
シリコーンオイル、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、または、
これらの混合液
である。
第2の液体300は、塩素系溶媒であることが望ましい。
基板100の材質は限定されない。無機材料、高分子樹脂材料、または、無機材料と高分子樹脂材料との複合材料から形成される基板が用いられ得る。無機材料として、アルミナのようなセラミックス、シリコンおよびガラスが使用され得る。高分子樹脂材料として、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、およびポリカーボネート樹脂が使用され得る。無機材料と高分子樹脂材料との複合材料として、例えば、ガラス、セラミックスまたは金属からなるファイバーと高分子樹脂材料とを含む複合材料が使用され得る。SOI基板および化合物半導体基板も使用され得る。
公知の方法を用いて部材400および部材分散液600が調製され得る。特許文献1は、当該公知の方法を開示している。
第1の液体200として水のような大きい極性を有する液体が用いられる場合、部材400は高い表面エネルギーを有することが好ましい。より具体的には、当該表面エネルギーは40mJ/m以上である。
部材400が小さい表面エネルギーを有する場合、部材400の表面を処理して、その表面エネルギーを増大することが好ましい。部材400が表面にシリコンを有する場合には、オゾン雰囲気中で紫外線を当該表面に照射し、その表面エネルギーを増大する。
部材400の表面に、第1の液体200に対して親和性を有する薄膜を形成し、部材400の表面エネルギーを増大させ得る。第1の液体200が水である場合には、当該薄膜の例は、親水膜である。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸化チタンの親水膜が、真空スパッタリング法または熱CVD法によって部材400の表面に形成され得る。親水膜が形成された後、部材400の表面にオゾン雰囲気で紫外線が照射され得る。末端にアミノ基、カルボキシル基、または水酸基を有するシランカップリング剤で部材400の表面が修飾され、部材400の表面エネルギーを増大し得る。部材400の表面が金属を有する場合には、末端にアミノ基、カルボキシル基または水酸基を有するチオールで表面が修飾され得る。
図1Aおよび図1Bに示されるように、親水性ライン112は、直線状でもよいし、曲線状であってもよい。
親水性本体領域111の形状は、その親水性本体領域111にマウントされる部材400の形状に依存して決定され得る。親水性本体領域111の形状は、例えば、三角形、四角形、六角形のような多角形、円形、楕円形である。親水性本体領域111は、マウントされる部材400の面(すなわち、基板100にマウントされた状態で基板100と対向する部材400の面)の形状と同一の形状を有していることが好ましい。「同一の形状」とは、親水性本体領域111の形状およびマウントされる部材400の面(基板100にマウントされた状態で基板100と対向する面)が、数学的概念における合同または相似関係にあることを意味する。
S1は、基板に配置されたときに、部材400の基板と対向する表面の面積と定義される。S2は、1つの親水性本体領域111の面積と定義される。S2/S1の値は、0.64以上1.44以下の値を有することが好ましい。S2/S1の値が、0.64よりも小さい場合、親水性本体領域111が著しく少ない水を有するため、部材400が配置される確率が小さくなり得る。S2/S1の値が1.44よりも大きい場合、親水性本体領域111が著しく多くの水を有する。そのため、1つの親水性本体領域111に複数の部材400が配置され得る。
親水性本体領域111、親水性ライン112、および撥水性領域120は、例えば、フォトリソグラフィー法により、親水性の基板に選択的に撥水膜を形成することによって作製され得る。親水性本体領域111、親水性ライン112、および撥水性領域120を形成する方法は、国際公開第2010/058516号公報(これは、米国特許出願番号12/827,255に対応する。この特許出願は本願に援用される)の段落番号0049〜0057に記載されている方法を読んだ当業者にとって明らかであろう。
本実施の形態では、親水性本体領域111は、親水性ライン112と同じ表面エネルギーを有していることが好ましい。しかし、撥水性領域120の表面エネルギーが、親水性本体領域111の表面エネルギーおよび親水性ライン112の表面エネルギーのいずれよりも低い限り、親水性本体領域111は、親水性ライン112とは異なる表面エネルギーを有し得る。
固体表面に対する水のぬれ性は、固体の表面エネルギーだけでなく、水の表面張力も関係する。親水性の固体の表面エネルギーの具体的な値は、40mJ/m2以上であることが好ましい。60mJ/m2以上1000mJ/m2以下であることがより好ましい。撥水性の固体の表面エネルギーの具体的な値は、5mJ/m2以上40mJ/m2未満であることが好ましい。5mJ/m2以上25mJ/m2以下であることがより好ましい。
(工程(b))
工程(b)においては、図6A〜図6Cおよび図7に示されるように、第1の液体200を基板100に+X方向に沿って連続的に塗布する。このようにして、第1の液体200を親水性ライン112および親水性本体領域111に交互に配置する。第1の液体200は先に親水性ライン112に配置され、次に親水性本体領域111に配置される。参照符号211は、親水性本体領域111に配置された第1の液体200を指し示す。参照符号212は、親水性ライン112に配置された第1の液体200を指し示す。具体的には、第1のスキージ510が用いられる。この第1のスキージ510は、+X方向に沿って移動する。
撥水性領域120は親水性本体領域111および親水性ライン112を囲んでいるので、工程(b)において親水性本体領域111および親水性ライン112に配置された親水性の第1の液体200(例えば、水)は、はみ出さない。
ここで、工程(b)が、さらに詳細に説明される。
図6A〜図6Cは、工程(b)を模式的に示した上面図である。図6Aに示されるように、第1のスキージ510が基板100の一端側(図6Aの左側)から他端側(図6Aの右側)に移動する。この過程で、水は、親水性ライン112および親水性本体領域111のいずれにも配置される。加えて、水は、親水性ライン112と親水性本体領域111に挟まれた、撥水性領域121にも一時的に配置される。なぜなら、基板100に水は連続的に塗布されるからである。撥水性領域121は、図6Aにおいて円で囲まれた領域である。その後、図6Bおよび図6Cに示されるように、撥水性領域121に配置された水は移動し、親水性本体領域111に配置される。撥水性領域121の水に対する低いぬれ性が、水の移動を生じさせる。図6Cにおける矢印は、水の移動方向を模式的に指し示す。
この結果、親水性本体領域111に配置される水の体積は、増大し得る。親水性本体領域111に配置される水の体積の増大は、部材400が親水性本体領域111に配置される確率を向上させる。
上記の説明から明らかなように、第1の液体200(水)は撥水性領域121に一時的に配置されるため、第1の液体200(水)は基板100の表面に連続的に塗布されることが必要である。
一方、図10A〜図10Dに示されるように、親水性ライン112が形成されていない基板10が用いられる場合でも、第1の液体(水)は撥水性領域12上にもぬり広げられる。しかし、部材が親水性領域11に配置される確率は、本実施の形態による方法よりも低い(後述される比較例6を参照)。
(工程(c))
次に、工程(c)を説明する。
図7Bは、本実施形態のマウント方法を実施するためのマウント装置の構成および動作を模式的に示す。図7Bに示されるように、マウント装置は、第1のスキージ510および第2のスキージ520を具備する。工程(b)において、第1のスキージ510により、基板100が第1の液体200に曝され、親水性ライン112および親水性本体領域111上に第1の液体211〜212を配置する。
次に、工程(c)において、親水性本体領域111に配置された第1の液体211に部材分散液600を接触させる。図7Bおよび図7Cに示されるように、第2のスキージ520により、基板100が部材分散液600に曝される。好ましくは、第1のスキージ510および第2のスキージ520は、その間隔を維持しながら基板100上を+X方向に沿って移動する。スキージを固定する手段および移動する手段は図示されていない。第2のスキージ520を用いることに代え、工程(b)の後、基板100を部材分散液600に浸漬し、基板100を部材分散液600に曝され得る。
第1の液体200(水)は、第2の液体300に実質的に溶解しないので、第1の液体(水)211〜212は、親水性本体領域111および親水性ライン112上に安定にとどまる。この過程で、部材400に働く界面張力のため、部材400は、親水性本体領域111に配置された水211の内部に移動する。あるいは、部材400は、第2の液体300と水211とが形成する界面に移動する。なお、参照符号611は、親水性本体領域111に配置された部材分散液600を指し示す。参照符号612は親水性ライン112に配置された部材分散液600を指し示す。
図7Bおよび図7Cにおいては、第1のスキージ510および第2のスキージ520が+X方向に沿って移動し、基板100は移動しない。しかし、第1のスキージ510および第2のスキージ520が移動せず、基板100が−X方向に沿って移動し得る。または、第1のスキージ510および第2のスキージ520が+X方向に沿って移動し、かつ基板100が−X方向に沿って移動し得る。工程(b)では、基板100の一端に第1の液体200を配置される。その後、基板100を傾け、第1の液体200を親水性本体領域111および親水性ライン112に順に配置し得る。
(工程(d))
最後に、工程(d)を説明する。
基板100から、第1の液体(水)211〜212および第2の液体300が除去され、図7Dに示されるように、部材400を親水性本体領域111に配置する。水211〜212および第2の液体300は、公知の乾燥方法により除去される。例えば、自然乾燥、真空デシケータによる乾燥、空気またはガスを吹き付けての乾燥、あるいは加熱および/または減圧による乾燥のような周知の乾燥方法から選択される適切な乾燥方法が用いられ得る。乾燥の前に基板100は洗浄され得る。
(実施例)
以下の実施例は、本発明による配置方法をさらに詳細に説明する。
(実施例1)
実施例1では、本発明による配置方法を用いて酸化シリコンプレートが基板に配置された。
<基板の作製>
まず、撥水性領域120に囲まれた複数の親水性本体領域111および複数の親水性ライン112が、シリコンからなる基板100に以下のように形成された。
525μmの厚みおよび4インチの直径を有するシリコンからなる基板100が酸素雰囲気下においてプラズマ処理に曝され、基板100の表面を酸化した。これにより、基板100の全面が親水性となった。続いて、フォトリソグラフィー法により、親水性本体領域111および親水性ライン112に相当するポジ型レジストパターンが形成された。
乾燥雰囲気において、レジストパターンを有する基板100が、1vol%の濃度のCF3(CF2724SiCl3(以下、FS−17と略す)を含有するパーフルオロオクタン溶液に、20分間浸漬された。その後、基板100が純粋なパーフルオロオクタン中で洗浄され、次いで溶媒が除去された。さらにレジストパターンがアセトンにより除去された。
このようにして、撥水性領域120に囲まれた親水性本体領域111および親水性ライン112がシリコン基板100上に形成された。
実施例1において形成された親水性本体領域111は、以下に詳細に記述される。
形状: 長方形(図2A参照)
X方向に沿った幅: 40μm
Y方向に沿った長さ(D2): 20μm
X方向に沿って隣接する2つの親水性本体領域111の間の間隔: 120μm
Y方向に沿って隣接する2つの親水性本体領域111の間の間隔: 120μm
実施例1において形成された親水性ライン112は、以下に詳細に記述される。
形状: 長方形(図2A参照)
X方向に沿った幅(D4): 5μm
Y方向に沿った長さ(D3): 20μm
D1: 2μm
D5: 100μm
<部材分散液>
酸化シリコンプレートを含有する部材分散液600は、以下の方法によって調製された。
まず、525μmの厚みを有するシリコン基板の表面に、電子ビーム蒸着法により、100nmの厚みを有するアルミニウム薄膜が形成された。続いて、プラズマCVD法により200nmの酸化シリコン薄膜が形成された。
レジストパターンをマスクとして利用するドライエッチングにより、酸化シリコン薄膜の一部が除去された。酸素プラズマアッシャー処理によってレジストパターンが剥離され、複数の酸化シリコンプレートを形成した。各酸化シリコンプレートは、縦20μm×横40μm×高さ0.2μmの大きさを有していた。続いて、50℃のリン酸および硝酸の混合液(以下、「熱リン酸」)により、アルミニウム薄膜がエッチングされ、酸化シリコンプレートをリフトオフした。
次に、熱リン酸に分散した酸化シリコンプレートがフィルターを用いて吸引ろ過された。酸化シリコンプレートが付着したフィルターが、乾燥雰囲気において終夜、乾燥された。その後、1vol%の1−クロロエチルトリクロロシランを含有する1,4−ジクロロブタン溶液中に、フィルターが2時間浸漬された。酸化シリコンプレートは溶液中に分散した。乾燥窒素雰囲気においてフィルターを用いてシリコン酸化プレートは吸引ろ過された。未反応の1−クロロエチルトリクロロシランを洗浄により除去し、化学修飾された表面を有する酸化シリコンプレートをフィルター上に得た。フィルターは1,4−ジクロロブタン中に浸漬され、超音波が印加された。超音波の印加は、フィルターに付着した酸化シリコンプレートが1,4−ジクロロブタン中に分散することをもたらした。このようにして、部材分散液が調製された。
<スキージ>
第1のスキージ510の下面は、長さ20mm、幅0.5mmのスリットを具備していた。水を安定に保持するために、水を含む脱脂綿がスリット内に入れられた。
第2のスキージ520は、ポリエチレン製のナイフであった。
<配置方法>
図7Bに示すように、第1のスキージ510および第2のスキージ520が基板100の一端側に配置された。第2のスキージ520の前方に、およそ50μLの体積を有する部材分散液600がガラスピペットにより配置された。
第1のスキージ510の下面と基板100との間隔は、およそ0.2mmに維持された。
第2のスキージ520の下面と基板100との間隔も、およそ0.2mmに維持された。
第1のスキージ510と第2のスキージ520との間隔は1mmに維持された。
その後、速度10mm/秒で第1のスキージ510および第2のスキージ520を+X方向に移動させた。この操作が10回繰り返された。
基板100への酸化シリコンプレートの配置状態が顕微鏡で観察された。具体的には、42カ所の親水性本体領域111が選択された。選択された42箇所の親水性本体領域111の中から、1個の酸化シリコンプレートが正確に配置された親水性本体領域の数(Np)が数えられた。さらに、複数の酸化シリコンプレートが配置した親水性本体領域の数(N1)が数えられた。1つの酸化シリコンプレートが歪んで配置された親水性本体領域の数(N2)も数えられた。NcはN1およびN2の和である。後述される表1を参照せよ。
(実施例2〜実施例5、および比較例1〜比較例6)
D1/D2の値の範囲を決定するために、実施例2〜5および比較例1〜比較例6は実施された。
実施例2〜実施例5および比較例1〜4では、表1に示されたD1の値を有する親水性本体領域111および親水性ライン112が形成されたこと以外は、実施例1と同様の実験が行われた。比較例5では、特許文献2に記載の方法に従って実施例1と同様の実験が行われた。(図9Aを参照せよ。参照符号113は親水性本体領域を指し示す。参照符号114は親水性ラインを指し示す。)比較例6は、親水性ライン112が形成されなかったこと以外は、実施例1と同様の実験が行われた。
表1は、実施例1〜5および比較例1〜6におけるNpおよびNcの値を示す。
表1に示されるように、実施例1〜5によるNpの値は20〜28であった。
一方、比較例1〜6のNpの値は、10〜15であった。これは、親水性ライン112が設けられ、かつD1/D2の値が0.10以上1.20以下である場合、部材400が親水性本体領域111に配置される確率が向上することを意味する。
(実施例6〜実施例21、および比較例7〜比較例15)
D3およびD5の値を決定するために、実施例6〜実施例21、および比較例7〜比較例15は実施された。実施例6〜実施例21および比較例7〜15では、表2に示されたD1〜D5の値を有する親水性本体領域111および親水性ライン112が形成されたこと以外は、実施例1と同様の実験が行われた。比較例11では、図9Bに示されるように、D5の値は0であった。
表2に示されるように、実施例6〜21によるNpは20〜25であった。
一方、比較例7〜15のNpは、8〜14であった。これは、D3が5μm以上であり、かつD5が10μm以上であり、かつD1/D2の値が0.10以上1.20以下である場合、部材400が親水性本体領域111に配置される確率が向上することを意味する。
本発明の部材配置方法は、電子素子を含む部材をマウントすること、および微小な柱形状の部材をマウントするために用いられ得る。本発明の部材のマウント方法は、電子機器または電子素子を製造するために用いられ得る。具体的には、本発明は、回路基板およびそれを含む電子機器を製造するために用いられ得る。さらに、本発明は回路基板およびそれを含む電子機器が修理されることを可能にする。

Claims (5)

  1. 部材を基板上に配置する方法であって、以下の工程を具備する:
    前記基板、第1の液体、および部材分散液を準備する工程(a)、ここで、
    前記基板は、撥水性領域および複数の親水性領域を具備し、
    前記撥水性領域は、前記複数の親水性領域を囲んでおり、
    各前記親水性領域は、親水性本体領域および親水性ラインを具備し、
    前記親水性ラインは、互いに平行に配置され、
    Y方向は、前記複数の親水性ラインの平行方向であり、
    Z方向は、前記基板の法線の方向であり、
    +X方向は、前記Y方向および前記Z方向のいずれにも直交する方向であり、
    −X方向は、前記+X方向の逆方向であり、
    前記複数の親水性領域が、前記+X方向および前記Y方向に沿って配置されており、
    各前記親水性領域に含まれる前記親水性ラインおよび前記親水性本体領域が前記+X方向に沿ってこの順で配置されており、
    前記親水性本体領域および前記親水性ラインは、前記+X方向に沿って交互に配置されており、
    D1は、各前記親水性領域に含まれる前記親水性本体領域および前記親水性ラインの間の前記+X方向に沿った間隔を表し、
    D2は、前記親水性本体領域の前記Y方向に沿った長さを表し、
    D3は、前記親水性ラインの前記Y方向に沿った長さを表し、
    D4は、前記親水性ラインの幅を表し、
    D5は、前記Y方向に沿って配置された2つの隣接する前記親水性ラインの間の間隔を表し、
    D1/D2の値は0.1以上1.2以下であり、
    D3の値は、5マイクロメートル以上であり、
    D4の値は、前記部材の最小長よりも小さく、
    D5の値は、10マイクロメートル以上であり、
    前記第1の液体は親水性であり、
    前記部材分散液は、前記部材および第2の液体を含有し、
    前記第2の液体は、前記第1の液体に溶解せず、
    前記部材は親水性の表面を具備しており、
    前記第1の液体を前記基板に連続的に前記+X方向に沿って塗布して、前記第1の液体を、前記親水性ラインおよび前記親水性本体領域に交互に前記+X方向に沿って配置する工程(b)、
    前記親水性本体領域に配置された前記第1の液体に前記部材分散液を接触させる工程(c)、および
    前記基板から、前記第1の液体および前記第2の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性本体領域に配置する工程(d)。
  2. 請求項1に記載の方法であって、
    前記工程(b)において、第1のスキージを用いて前記第1の液体を前記基板に連続的に塗布しながら、前記第1のスキージを前記+X方向に沿って移動させる。
  3. 請求項1に記載の方法であって、
    前記工程(b)において、第1のスキージを用いて前記第1の液体を前記基板に連続的に塗布しながら、前記基板を前記−X方向に沿って移動させる。
  4. 請求項2に記載の方法であって、
    前記工程(b)において、前記基板を前記−X方向に沿って移動させる。
  5. 請求項1に記載の方法であって、
    前記第1の液体は水である。
JP2012517029A 2011-04-18 2012-01-04 部材を配置する方法 Expired - Fee Related JP5087720B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012517029A JP5087720B1 (ja) 2011-04-18 2012-01-04 部材を配置する方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011091667 2011-04-18
JP2011091667 2011-04-18
PCT/JP2012/000011 WO2012144112A1 (ja) 2011-04-18 2012-01-04 部材を配置する方法
JP2012517029A JP5087720B1 (ja) 2011-04-18 2012-01-04 部材を配置する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5087720B1 JP5087720B1 (ja) 2012-12-05
JPWO2012144112A1 true JPWO2012144112A1 (ja) 2014-07-28

Family

ID=47041249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012517029A Expired - Fee Related JP5087720B1 (ja) 2011-04-18 2012-01-04 部材を配置する方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5087720B1 (ja)
CN (1) CN103238209A (ja)
WO (1) WO2012144112A1 (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010058516A1 (ja) * 2008-11-18 2010-05-27 パナソニック株式会社 部材のマウント方法
WO2011043019A1 (ja) * 2009-10-06 2011-04-14 パナソニック株式会社 部材をマウントする方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012144112A1 (ja) 2012-10-26
JP5087720B1 (ja) 2012-12-05
CN103238209A (zh) 2013-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4531862B2 (ja) 部材のマウント方法
JP4149507B2 (ja) 電子回路構成部材のマウント方法およびマウント装置
US8419962B2 (en) Method for disposing a microstructure
JP4388138B2 (ja) 2種類の物質を基板の表面に選択的に配置する方法
WO2007105405A1 (ja) 異方性形状部材のマウント方法およびマウント装置と、電子デバイスの製造方法と、電子デバイスと、表示装置
CN1577913A (zh) 有机薄膜晶体管及其制造方法
JP4733786B2 (ja) 部材をマウントする方法
US8394458B2 (en) Method for disposing a component
JP5036910B1 (ja) 部材のマウント方法
JP5087720B1 (ja) 部材を配置する方法
US8414976B2 (en) Method for disposing a component
JP5000015B2 (ja) 部材の配置方法
JP5000014B2 (ja) 部材の配置方法
US8178154B2 (en) Method for disposing a component
US8187667B2 (en) Method for disposing a component
JP2010145441A (ja) 部材のマウント方法
JP4534491B2 (ja) 電子応用装置の製造方法およびマイクロロッドトランジスタのアッセンブリ方法
JP2005197611A (ja) 微小機能素子およびその製造方法ならびに回路基板およびその製造方法ならびに電子応用装置およびその製造方法
JP2010135667A (ja) 電子素子の実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120821

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120910

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5087720

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees