JPWO2012132273A1 - Appearance inspection method and apparatus - Google Patents

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Abstract

被検査対象物の形成物の外観検査装置のステージ上でのステージ座標と形成物アドレスを関係づけて保持するため、外観検査装置の低倍率レンズを用いて、プレスキャン工程として、得られた撮像画像を用いてステージ座標に関連付けて形成物アドレスを付与し、実検査工程時には、形成物アドレスを用いて、被検査対象物の探索時間を削減し、検査準備工程と実検査の総和の検査タクトタイムの短縮を図る。Imaging obtained as a pre-scan process using a low-power lens of an appearance inspection apparatus in order to hold the relationship between the stage coordinates on the stage of the appearance inspection apparatus and the formed object address of the formation of the object to be inspected Using the image, the formation address is assigned in association with the stage coordinates. During the actual inspection process, the formation address is used to reduce the search time for the object to be inspected, and the inspection tact is the sum of the inspection preparation process and the actual inspection. Reduce time.

Description

本発明は、被検査対象物上に微細なパターンが形成された形成物の外観検査方法およびその装置に関する。特に、ウエハー(例えば、半導体ウエハーやLEDのウエハー)をダイシング加工した後に、エキスパンド工程で多数のチップに分断したとき、被検査対象物である半導体チップ上の形成物の配置や回転角度に統一性が無い場合であっても高速で行える外観検査方法およびその装置に関する。   The present invention relates to an appearance inspection method and apparatus for a formed object in which a fine pattern is formed on an object to be inspected. In particular, when a wafer (for example, a semiconductor wafer or LED wafer) is diced and then divided into a large number of chips in an expanding process, the arrangement and rotation angle of the formation on the semiconductor chip, which is the object to be inspected, is uniform. The present invention relates to a visual inspection method and apparatus that can be performed at a high speed even when there is no screen.

最近、被検査対象物上の形成物の外観検査方法および/または装置においては、所定のパターンが形成された被検査対象物上の形成物に各微細なパターンが凝縮されて被検査対象物上に配置されているものが多い。また、当該被検査対象物の外観検査においては、ダイシング加工後のエキスパンド工程において当該所定の形状物の土台となるウエハーシートを延伸し、個々の形状物を分離した後に、外観検査をおこなうというニーズが増えてきた。   Recently, in the appearance inspection method and / or apparatus for the formed object on the inspection object, each minute pattern is condensed on the formation on the inspection object on which the predetermined pattern is formed. There are many that are arranged in. In addition, in the appearance inspection of the object to be inspected, there is a need to perform an appearance inspection after stretching the wafer sheet that becomes the base of the predetermined shape object in the expanding process after dicing and separating the individual shape objects. Has increased.

さらに、最近では、該形状物の個々のサイズが益々微小になり、一つの被検査対象物上に2万個ないし多い物は10万個の形状物が配置されている。したがって、検査時間も増大し、外観検査のタクトタイムが上昇してきている。   Furthermore, recently, the individual sizes of the shaped objects have become increasingly smaller, and 20,000 to 100,000 objects are arranged on one object to be inspected. Therefore, the inspection time is also increased, and the tact time of the appearance inspection is increasing.

ところで、本願に関係する公知技術について、特許文献1には、被検査対象物の内面傾斜角を求め該角度に対応して回転補正を行う外観検査処理に関する発明が記載されている。   By the way, with respect to known techniques related to the present application, Patent Document 1 describes an invention relating to an appearance inspection process in which an inner surface inclination angle of an object to be inspected is obtained and rotation correction is performed in accordance with the angle.

また、特許文献2には、参照画像および被検査画像の着目画素のうち近傍画素値の空間的変化量の小さい方が許容画素として選択されると共に他方がターゲット画素として選択され、許容画素について許容範囲が設定される。そして、その許容範囲内の任意の値は許容画素の値と見なされて、ターゲット画素と許容画素とが比較されることにより、それらの画素の差分値が算出される。その差分値に基づき被検査画像と参照画像との差異を示す差分マップが作成されることに関する発明が記載されている。   Further, in Patent Document 2, the pixel of interest in the reference image and the image to be inspected having the smaller spatial change in the neighboring pixel value is selected as the allowable pixel and the other is selected as the target pixel, and the allowable pixel A range is set. An arbitrary value within the allowable range is regarded as the value of the allowable pixel, and the target pixel and the allowable pixel are compared to calculate a difference value between these pixels. An invention relating to the creation of a difference map indicating the difference between the image to be inspected and the reference image based on the difference value is described.

さらに、特許文献3には、次の発明が記載されている。被検査対象物の集合体として多数個形成された被検査対象物の欠陥を検出する外観検査を行う。その際、検査レシピ条件に沿って、照明の種類や角度その他撮像の倍率が変わる回数だけ何回も検査する必要がある。その各々の被検査対象物の角度が基準となる水平な角度とずれている量を補正データとして格納する。次回からの繰り返しの検査においては、当該格納された情報を呼び出し、補正した後に外観検査を行う。したがって、その都度の位置や回転角度の測定作業を回避することにより、外観検査時間を短縮している。   Furthermore, Patent Document 3 describes the following invention. An appearance inspection is performed to detect defects in a large number of inspection objects formed as a collection of inspection objects. At that time, it is necessary to inspect as many times as the number of illuminations, the angle, and other imaging magnifications change in accordance with the inspection recipe conditions. The amount by which the angle of each object to be inspected deviates from the reference horizontal angle is stored as correction data. In repeated inspections from the next time, the stored information is called and corrected for appearance inspection. Therefore, the appearance inspection time is shortened by avoiding the measurement work of the position and rotation angle in each case.

特開2004−069645号JP 2004-0669645 A 特開2003−057019号JP 2003-057019 A 特開2011−012971号JP2011-012971A

前記背景技術に記載のように、被検査対象物上の多数の形状物をダイシング加工後にエキスパンド工程を経て個々に分離して後、全形状物の外観検査をおこなうに際し、形状物の数が多いだけに、形状物を見落として検査されずに検査工程が完了してしまうなどの問題が生じ、該問題の回避策が望まれている。   As described in the background art, a large number of shape objects on the object to be inspected are separated after being subjected to an expanding process after dicing, and then the appearance inspection of all the shape objects is performed with only a large number of shape objects. There is a problem that the inspection process is completed without being overlooked by overlooking the shape object, and a workaround for the problem is desired.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本願発明に係る発明は、ステージ上に載置された形状物を有するダイシング加工後にエキスパンド工程を経たシートに保持されている被検査対象物を撮像工程にて撮像した撮像画像を用いての前記被検査対象物の外観検査方法であって、
前記被検査対象物を撮像した撮像画像を形状物ごとに事前に設定した閾値に基づいて2値化処理を行い、当該結果に基づいて抽出された個々の形状物の位置を前記ステージの予め決めたステージ座標と対応させて設定するステージ座標設定工程と、
前記形状物間の前記エキスパンド工程における前記シートの伸び率を考慮して、所定の形状物の隣にあるべき他の形状物の範囲に対し、当該所定の形状物のステージ座標を用いて他の形状物探索する探索過程と、
前記探索過程において見つかった他の形状物に対して、所定の形状物を基準にして他の形状物に形状物アドレスを付すとともに、当該形状物アドレスとステージ座標を形状物ごとに関連付ける工程とを備え、
前記形状物のステージ座標と形状物アドレスの関連付ける工程終了後に、前記形状物アドレスに基づいて実検査を行うことを特徴とする。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to the present invention uses a captured image obtained by capturing an object to be inspected held in a sheet that has undergone an expanding process after dicing processing having a shaped object placed on a stage in an imaging process. A method for inspecting the appearance of the inspection object,
A binarization process is performed on a captured image obtained by imaging the object to be inspected based on a threshold value set in advance for each shape object, and positions of individual shape objects extracted based on the result are determined in advance on the stage. A stage coordinate setting process for setting corresponding to the stage coordinates,
In consideration of the elongation percentage of the sheet in the expanding step between the shaped objects, other range using the stage coordinates of the predetermined shaped object for the other shaped object range that should be next to the predetermined shaped object Search process to search for shape objects,
A step of assigning a shape object address to another shape object with respect to another shape object found in the search process, and associating the shape object address with stage coordinates for each shape object; Prepared,
After the step of associating the stage coordinates of the shaped object with the shaped object address, an actual inspection is performed based on the shaped object address.

上記方法において、前記被検査対象物は半導体ウエハーであり、形状物は半導体チップであり、
前記形状物のステージ座標は、前記撮像画像の2値化処理を行い、当該2値画像で抽出した半導体チップの重心座標を求め、
前記重心座標から予め決まっている半導体チップのコーナまでの相対距離分ずれた座標に設定することが好ましい。
In the above method, the object to be inspected is a semiconductor wafer, and the shape object is a semiconductor chip.
The stage coordinates of the shaped object are obtained by performing binarization processing of the captured image, obtaining the barycentric coordinates of the semiconductor chip extracted from the binary image,
It is preferable to set the coordinates shifted by a relative distance from the center of gravity coordinates to a predetermined corner of the semiconductor chip.

また、上記方法において、形状物アドレスは、前記ステージ座標を用いて、設定した基準形状物から四方向の形状物を順次探索し、前記被検査対象物全域の前記ステージ座標と前記形状物アドレスを設定し関連付ける処理を繰り返して得る。   Further, in the above method, the shape object address is obtained by sequentially searching for shape objects in four directions from the set reference shape object using the stage coordinates, and the stage coordinates and the shape object address of the entire area to be inspected. Repeat the process of setting and associating.

また、上記方法において、、前記ステージ座標設定工程の前に、予め設定された半導体ウエハー上で離間された基準となる2個の半導体チップを探索して個々に撮像し、当該半導体チップの位置座標から半導体ウエハーの傾きを求め、当該結果に応じて当該半導体ウエハーの位置合わせするメインアライメント工程を備えることが好ましい。。   Further, in the above method, before the stage coordinate setting step, two semiconductor chips serving as a reference separated on a preset semiconductor wafer are searched and individually imaged, and the position coordinates of the semiconductor chip are detected. It is preferable to provide a main alignment step of obtaining the inclination of the semiconductor wafer from the above and aligning the semiconductor wafer according to the result. .

さらに、上記方法において、メインアライメント工程の前に、メインアライメント時よりも低倍率で撮像した半導体ウエハーの複数枚の撮像画像を2値化処理した後に、当該2値画像に基づいて当連続配列された複数個の半導体チップの整列状態から当該半導体ウエハーの傾きを求め、当該結果に基づいて半導体ウエハーを位置合わせするサブアライメント工程を備えることが好ましい。   Furthermore, in the above method, before the main alignment step, after binarizing the plurality of captured images of the semiconductor wafer imaged at a lower magnification than in the main alignment, the continuous alignment is performed based on the binary image. It is preferable to provide a sub-alignment step of obtaining the inclination of the semiconductor wafer from the alignment state of the plurality of semiconductor chips and aligning the semiconductor wafer based on the result.

また、本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成を採る。
ステージ上に載置された形状物を有するダイシング加工後にエキスパンド工程を経たシートに保持されている被検査対象物を撮像手段にて撮像した撮像画像を用いての前記被検査対象物の検査を行う外観検査装置であって、
前記被検査対象物を撮像した撮像画像を形状物ごとに事前に設定した閾値に基づいて2値化処理を行い、当該結果に基づいて抽出された個々の形状物の位置を前記ステージの予め決めたステージ座標と対応させて設定するステージ座標設定手段と、
前記形状物間の前記エキスパンド工程における前記シートの伸び率を考慮して、所定の形状物の隣にあるべき他の形状物の範囲に対し、当該所定の形状物のステージ座標を用いて他の形状物探索し、前記探索過程において見つかった他の形状物に対して、所定の形状物を基準にして他の形状物に形状物アドレスを付すとともに、当該形状物アドレスとステージ座標を形状物ごとに関連付ける手段とを備え、
前記形状物のステージ座標と形状物アドレスの関連付けの終了後に、前記形状物アドレスに基づいて実検査を行うことを特徴とする。
Moreover, in order to achieve such an object, the present invention adopts the following configuration.
Inspecting the object to be inspected using a picked-up image obtained by picking up the object to be inspected held on a sheet that has undergone an expanding process after dicing processing having a shape object placed on the stage using an image pickup means An appearance inspection device,
A binarization process is performed on a captured image obtained by imaging the object to be inspected based on a threshold value set in advance for each shape object, and positions of individual shape objects extracted based on the result are determined in advance on the stage. Stage coordinate setting means for setting corresponding to the stage coordinates,
In consideration of the elongation percentage of the sheet in the expanding step between the shaped objects, other range using the stage coordinates of the predetermined shaped object for the other shaped object range that should be next to the predetermined shaped object A shape object is searched, and other shape objects found in the search process are given a shape object address to another shape object based on a predetermined shape object, and the shape object address and stage coordinates are assigned to each shape object. And means for associating with
An actual inspection is performed based on the shape object address after the association between the stage coordinates of the shape object and the shape object address.

当該構成によれば、上記第1の方法発明を好適に実施することができる。   According to the said structure, the said 1st method invention can be implemented suitably.

本発明では、ダイシング加工後、特に、エキスパンド工程を経た被検査対象物(例えばウエハー)上の多数の形状物(例えば半導体チップ)の実検査をする前段階として、低倍率レンズでの撮像画像を用いて、被検査対象物の概略位置を事前に計測することにより、多数の形状物である全半導体チップの位置および存在を事前に把握する。本発明により、エキスパンド工程時のウエハーシートの延伸にともなう位置ズレなどによる高倍率レンズを用いての撮像での形状物の実検査時見落としを回避することができ、被検査対象物上の全ての形状物の見落としの無い実検査を可能にする。また、被検査対象物上の形状物が不在な位置についての判別も可能にする。   In the present invention, after the dicing process, in particular, as a stage before actual inspection of a large number of objects (for example, semiconductor chips) on an object to be inspected (for example, a wafer) that has undergone an expanding process, a captured image with a low-power lens is obtained. The position and presence of all the semiconductor chips that are a large number of shapes are grasped in advance by measuring the approximate position of the object to be inspected in advance. According to the present invention, it is possible to avoid oversight at the time of an actual inspection of a shape object in imaging using a high magnification lens due to a positional deviation associated with the stretching of a wafer sheet during an expanding process, and Enables actual inspection without oversight of shapes. In addition, it is possible to determine the position where the shape object on the inspection object is absent.

また、本発明により、ダイシング加工後、特に、エキスパンド工程を経たウエハー上の半導体チップを検査する場合、ウエハーそのものが拡張されていることに起因するウエハー内の離れた位置の検査対象である半導体チップの見落としを未然に防ぐことができる。   In addition, according to the present invention, after inspecting a semiconductor chip on a wafer that has undergone an expanding process after dicing, the semiconductor chip that is an inspection object at a distant position in the wafer due to the expansion of the wafer itself Can be overlooked.

後工程の実検査工程では、被検査対象物の形状物のサーチ範囲を全域に広げることにより検査タクトが遅くなるが、本発明に記載のプレスキャン工程で事前に各半導体チップの位置を大局的に把握することで、被検査対象物の形状物のサーチ範囲を狭める事ができ、検査タクトの短縮が図れる。また、形状物の見落とし防止にも効果的である。プレスキャン工程では低倍率のレンズを用いることにより撮像時それぞれ広範囲を撮像することができるので、プレスキャン工程の実行によるタクトタイムの増加は、前記検査対象物の形状物のサーチ範囲を狭める事により抑制される。   In the post-inspection actual inspection process, the inspection tact is slowed by expanding the search range of the object to be inspected to the entire area, but the position of each semiconductor chip is preliminarily determined in advance in the prescan process described in the present invention. This makes it possible to narrow the search range of the object to be inspected and shorten the inspection tact. It is also effective in preventing overlooked shapes. In the prescan process, a wide range of images can be captured by using a low-magnification lens. Therefore, an increase in tact time due to the execution of the prescan process can be achieved by narrowing the search range of the object to be inspected. It is suppressed.

当該タクトタイム短縮の要因は、ウエハーの検査時、本発明のプレスキャン工程を実施した場合、ウエハー上のすべての半導体チップに対しステージ座標と対応するチップアドレスが事前に設定されるので、検査時登録されている該当する半導体チップのチップアドレスから半導体チップの実位置に対応するステージ座標が求まり位置決めする際のステージ移動距離が短くなり、すべての半導体チップのサーチを短時間で行うことができ、トータル的に検査時間を短縮できるという効果が得られる。   The cause of the tact time reduction is that, when the pre-scan process of the present invention is performed during wafer inspection, the chip addresses corresponding to the stage coordinates are set in advance for all semiconductor chips on the wafer. The stage coordinate corresponding to the actual position of the semiconductor chip is obtained from the chip address of the corresponding semiconductor chip registered, the stage moving distance when positioning is shortened, and all semiconductor chips can be searched in a short time, The effect that the inspection time can be shortened in total is obtained.

本発明の実施の形態を説明する外観検査装置全体構成概要図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The external appearance inspection apparatus whole structure schematic diagram explaining embodiment of this invention. 本発明の被検査対象物の基準となる補正角度の抽出を説明する図。The figure explaining extraction of the correction angle used as the standard of the inspection subject of the present invention. 本発明の被検査対象物および形状物を説明する図。The figure explaining the to-be-inspected target object and shaped object of this invention. 本発明の実施例1に記載の外観検査準備工程の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of the external appearance inspection preparation process as described in Example 1 of this invention. 本発明の外観検査装置の撮像視野について説明する図。The figure explaining the imaging visual field of the external appearance inspection apparatus of this invention. 本発明の被検査対象物の2値化、重心計測、ステージ座標設定過程を説明する図。The figure explaining the binarization of the to-be-inspected object of this invention, a gravity center measurement, and a stage coordinate setting process. 本発明の被検査対象物内の半導体チップのステージ座標からチップアドレスの割り当てを説明する図。The figure explaining assignment of a chip address from the stage coordinates of a semiconductor chip in a test subject of the present invention. 本発明の実施例2に記載の外観検査準備工程の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of the external appearance inspection preparation process as described in Example 2 of this invention.

1 被検査対象物
10 基準線
11 形状物(半導体チップ)
12 ウエハー
13 ウエハーシート
15 基準チップ
16 パッド(電極)
151 NO.1チップ
152 NO.2チップ
122 形状物アドレス(チップアドレス)
2 コンピュータ
21 パターン抽出部
22 補正量算出部
23 位置補正・回転補正部
24 外観検査データ処理部
5 外観検査装置
51 フレーム
52 ステージ
521 ステージ座標
52X X方向相対距離
52Y Y方向相対距離
53 対物レンズ
54 撮像装置
55 撮像視野
56 撮像画像
57 広範囲撮像視野
58 ベース
6 補正角度
1 Object to be inspected 10 Reference line 11 Shaped object (semiconductor chip)
12 Wafer 13 Wafer Sheet 15 Reference Chip 16 Pad (Electrode)
151 NO. 1 chip 152 NO. 2-chip 122 shape object address (chip address)
2 Computer 21 Pattern Extraction Unit 22 Correction Amount Calculation Unit 23 Position Correction / Rotation Correction Unit 24 Appearance Inspection Data Processing Unit 5 Appearance Inspection Device 51 Frame 52 Stage 521 Stage Coordinates 52X X Direction Relative Distance 52 Y Y Direction Relative Distance 53 Objective Lens 54 Imaging Device 55 Imaging field of view 56 Captured image 57 Wide-range imaging field of view 58 Base 6 Correction angle

以下本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

[外観検査装置について]
図1は本発明の実施の形態を説明する装置の全体概要図である。外観検査装置5は、ベース58上にステージ52が備えられている。被検査対象物1(以下具体例としてウエハー12と記載する。)に該当するウエハー12に形成された形状物(以下、具体例として半導体チップ11と記載する。)をステージ52上に載置し、対物レンズ53を用いて画像を取り込み、フレーム51の上部に設置した撮像装置54を用いて撮像する。撮像した撮像画像データは、ケーブルで結合された演算処理機能を有するコンピュータ2に送られ、ウエハー12上の個々の半導体チップ11の情報として記憶される。なお、当該コンピュータ2は、抽出部21、補正量算出部22、位置補正・回転補正部23および外観検査データ処理部24からなり、前述の撮像画像データについてもコンピュータ2の外観検査データ処理部24を通じて記憶部としてのDBデータファイル25に送られ格納される。ここで、コンピュータ2は、本発明のステージ座標設定手段およびステージ座標と形状物アドレスを関連付ける手段として機能する。
[Appearance inspection equipment]
FIG. 1 is an overall schematic diagram of an apparatus for explaining an embodiment of the present invention. The appearance inspection apparatus 5 includes a stage 52 on a base 58. A shaped object (hereinafter, described as a semiconductor chip 11 as a specific example) formed on the wafer 12 corresponding to the inspection object 1 (hereinafter, described as a specific example as a wafer 12) is placed on the stage 52. Then, the objective lens 53 is used to capture an image, and the imaging device 54 installed on the frame 51 is used to capture an image. The captured image data is sent to a computer 2 having an arithmetic processing function coupled by a cable, and stored as information of individual semiconductor chips 11 on the wafer 12. The computer 2 includes an extraction unit 21, a correction amount calculation unit 22, a position correction / rotation correction unit 23, and an appearance inspection data processing unit 24. The appearance inspection data processing unit 24 of the computer 2 also includes the above-described captured image data. And sent to a DB data file 25 as a storage unit. Here, the computer 2 functions as stage coordinate setting means and means for associating the stage coordinates with the shape object address of the present invention.

〔ウエハー12〕
次に、ウエハー12について説明する。具体性を持たせるために、例を用いて示す。例えば、図3(a)に示すウエハー12について、ダイシング加工を経たウエハーシートを介して保持されたウエハー12をエキスパンド工程によりウエハーシートを引き延ばし、取り扱い易くした状態の半導体チップ11の模式図を図3(b)に示した。
[Wafer 12]
Next, the wafer 12 will be described. In order to give concreteness, an example is used. For example, with respect to the wafer 12 shown in FIG. 3A, a schematic diagram of the semiconductor chip 11 in a state in which the wafer 12 held through the wafer sheet that has undergone the dicing process is extended by an expanding process to facilitate handling is shown in FIG. Shown in (b).

〔外観検査準備工程の開始〕
次に、外観検査装置5とウエハー12に関して、図4のフローチャートを用いて、一連の外観検査準備工程について説明する。
[Start of appearance inspection preparation process]
Next, with respect to the appearance inspection apparatus 5 and the wafer 12, a series of appearance inspection preparation steps will be described using the flowchart of FIG.

〔準備工程1〕
まず、図3(a)に示すダイシング加工後のウエハー12にエキスパンド工程を施した後、外観検査装置5のステージ52上に載置する。
[Preparation process 1]
First, the wafer 12 after dicing shown in FIG. 3A is subjected to an expanding process, and then placed on the stage 52 of the appearance inspection apparatus 5.

〔準備工程2〕
最初にステージ52上のウエハー12の位置決めとして、後述するように、アライメントを行う。すなわち、図3(a)に示すような形態のウエハー12が、外観検査装置5のステージ52上に載置される場合、図5に示されるように、外観検査装置5の画像の撮像視野55は通常の顕微鏡と同じように、円形の撮像視野55の画像が得られる。
[Preparation process 2]
First, as described later, alignment is performed as positioning of the wafer 12 on the stage 52. That is, when the wafer 12 having the form shown in FIG. 3A is placed on the stage 52 of the appearance inspection apparatus 5, as shown in FIG. As in a normal microscope, an image of a circular imaging field of view 55 is obtained.

しかし、図2に示すように、電子データとして、撮像装置54を用いて撮像された場合の撮像画像56は矩形である。該撮像画像56を順次撮像するに当たって、外観検査装置5のステージ52上の撮像画像56を取得しながらステージ52の移動を進めて撮像を繰り返す。例えば、図3(a)の上部第1段目左端半導体チップ11からの撮像が開始され、続いて右横方向へ撮像を進め繰り返される。なお、当該撮像画像56の倍率は、後述するプレスキャン撮像時の撮像画像倍率よりも狭い範囲に相当する撮像画像倍率を用い、後述する実検査工程で再度用いられる撮像画像56の倍率に概ね匹敵する。   However, as illustrated in FIG. 2, the captured image 56 when captured as electronic data using the imaging device 54 is rectangular. When the captured images 56 are sequentially captured, the stage 52 is moved while the captured images 56 on the stage 52 of the appearance inspection apparatus 5 are acquired, and the imaging is repeated. For example, imaging from the upper first stage leftmost semiconductor chip 11 in FIG. 3A is started, and then imaging is repeated in the right lateral direction and repeated. Note that the magnification of the captured image 56 is approximately the same as the magnification of the captured image 56 that is used again in the actual inspection process, which will be described later, using a captured image magnification corresponding to a range narrower than the captured image magnification at the time of prescan imaging, which will be described later. To do.

次に、1行目の撮像が完了すると一段下がって逆に左横方向へ順次検査する半導体チップ11の画像の撮像が行われる。上記のように、ステージ52の移動を進めて、半導体チップ11の撮像画像56を取得して行くにあたり、配列されている半導体チップ11の並びが左端から右端へステージ52が移動する間、ウエハー12上の半導体チップ11の撮像装置54で得られる画像が撮像装置54の撮像視野55内に収まるように、ウエハー12を概略正しい位置に位置決めする必要がある。   Next, when imaging of the first row is completed, an image of the semiconductor chip 11 to be inspected sequentially in the left lateral direction is taken down by one step. As described above, when the stage 52 is moved and the captured image 56 of the semiconductor chip 11 is acquired, while the stage 52 moves from the left end to the right end of the array of the semiconductor chips 11 arranged, the wafer 12 It is necessary to position the wafer 12 at a substantially correct position so that an image obtained by the imaging device 54 of the upper semiconductor chip 11 is within the imaging visual field 55 of the imaging device 54.

〔準備工程3〕
前記ウエハー12を概略正しい位置に位置決めする方法として、グローバルアライメント手法を用いる。なお、当該グローバルアライメントは、本発明のメインアライメント工程に相当する。
[Preparation process 3]
A global alignment method is used as a method of positioning the wafer 12 at a substantially correct position. The global alignment corresponds to the main alignment process of the present invention.

すなわち、外観検査準備工程の前に作成されたレシピによってグローバルアライメントに利用する基準となる2個の半導体チップ11が決められている。   That is, two semiconductor chips 11 serving as a reference used for global alignment are determined by a recipe created before the appearance inspection preparation process.

両半導体チップ11は、図2に示すように、ステージ52上のウエハー12上に並ぶ半導体チップ11の同列の中央と最右端の同列上の撮像画像56、あるいは、図示していないが縦方向に中央と最下段の撮像画像56など同じ行又は列にあるできるだけ離れた位置の半導体チップ11に設定されている。   As shown in FIG. 2, the two semiconductor chips 11 are either in the center of the same row of the semiconductor chips 11 arranged on the wafer 12 on the stage 52 and the captured image 56 on the rightmost row in the same row, or in the vertical direction (not shown). The semiconductor chip 11 is set as far as possible in the same row or column, such as the captured image 56 at the center and the bottom.

レシピに基づいて基準となる半導体チップ11のあるべき領域ごとに分け、撮像装置54を高倍率に設定して撮像する。抽出部21は、当該撮像画像と基準画像のパターンマッチングによって基準とのなる半導体チップ11(NO.1チップ151、NO.2チップ152)を抽出する。取得画像中にNO.1チップ151、NO.2チップ152が見つからない場合、近隣領域の画像を取得し、トライ・アンド・エラーを繰り返して両半導体チップ11を抽出する。   Based on the recipe, the semiconductor chip 11 serving as a reference is divided for each region, and the imaging device 54 is set to a high magnification and images are taken. The extraction unit 21 extracts the semiconductor chip 11 (NO.1 chip 151, NO.2 chip 152) serving as a reference by pattern matching between the captured image and the reference image. No. in the acquired image. 1 chip 151, NO. When the two chips 152 are not found, an image of the neighboring area is acquired, and both semiconductor chips 11 are extracted by repeating the trial and error.

当該NO.1チップ151、NO.2チップ152を利用して、行方向に撮像を進める間、撮像装置54で得られる撮像画像56が行方向にステージ52を移動して撮像する場合に撮像視野55の枠内に収まるように外観検査装置5のステージ52上のウエハー12の載置位置を、ステージ52を回転して調整するために当該グローバルアライメントを行う。具体的に当該グローバルアライメント手法は、図2に示すように、前記選択している2つのNO.1チップ151、NO.2チップ152の半導体チップ11の共通しているパターン内の特定のポイントを登録しておき、画像処理にてサーチをおこない基準線10を見出して、前記2つの半導体チップ11の位置関係に基づいて補正量算出部22が補正角度6を算出し、当該補正角度に基づいて位置補正・回転補正部23によってステージ52が操作されてウエハー12の角度補正をおこなう。   The NO. 1 chip 151, NO. Appearance so that the captured image 56 obtained by the imaging device 54 moves within the frame of the imaging visual field 55 when the stage 52 is moved in the row direction while imaging is performed in the row direction using the two chips 152. The global alignment is performed in order to adjust the mounting position of the wafer 12 on the stage 52 of the inspection apparatus 5 by rotating the stage 52. Specifically, as shown in FIG. 2, the global alignment method includes two selected NO. 1 chip 151, NO. A specific point in a common pattern of the semiconductor chips 11 of the two chips 152 is registered, a search is performed by image processing to find the reference line 10, and based on the positional relationship between the two semiconductor chips 11. The correction amount calculation unit 22 calculates the correction angle 6 and the stage 52 is operated by the position correction / rotation correction unit 23 based on the correction angle to correct the angle of the wafer 12.

〔準備工程4〕(プレスキャン工程の開始)
次に、対物レンズ53をグローバルアライメント時よりも低倍率のレンズに調整し、ウエハー12のエキスパンド工程後の広範囲撮像視野57内の広範囲ごとの画像の撮像を開始し、撮像画像56をコンピュータ2の外観検査データ処理24を通じてDBデータファイル25に送られ格納する。当該ウエハー12は、既にエキスパンド工程を経た後の状態なので、ウエハー12上の半導体チップ11全てを撮像するために、エキスパンド工程でのウエハーシートの伸びを考慮してエキスパンド工程前のウエハー12より広範囲に半導体チップ11が存在する可能性の拡張範囲を加味した広範囲撮像視野57を撮像する。
[Preparation process 4] (Start of pre-scan process)
Next, the objective lens 53 is adjusted to a lens having a lower magnification than that at the time of global alignment, and the imaging of the wide range imaging visual field 57 after the expanding process of the wafer 12 is started. It is sent to the DB data file 25 through the appearance inspection data processing 24 and stored. Since the wafer 12 has already undergone the expanding process, in order to image all the semiconductor chips 11 on the wafer 12, the wafer 12 in the expanding process is taken into account in a wider range than the wafer 12 before the expanding process in consideration of the elongation of the wafer sheet. The wide-range imaging visual field 57 is imaged in consideration of the extended range of the possibility that the semiconductor chip 11 exists.

実際には、低倍率の対物レンズ53を用いての広範囲撮像視野57は広いと云えども、ウエハー12全体の広範囲撮像視野57を一画像では撮像仕切れないので、ウエハー12全体をカバーするように、ステージ52を移動し、複数の撮像画像56を撮像装置54により繰り返し撮像し、コンピュータ2の外観検査データ処理24を通じてDBデータファイル25に送られ格納される。   Actually, the wide imaging field 57 using the low-magnification objective lens 53 is wide, but the wide imaging field 57 of the entire wafer 12 cannot be partitioned by one image, so that the entire wafer 12 is covered. The stage 52 is moved, and a plurality of picked-up images 56 are picked up repeatedly by the image pickup device 54 and sent to the DB data file 25 through the appearance inspection data processing 24 of the computer 2 and stored therein.

例えば、事前に設定されたエキスパンド工程の一方向のウエハーシートの伸び率を最小0.8ないし最大1.4と設定した場合、ウエハー12全体の最大の領域をカバーするためには、ウエハー12の寸法が3インチの場合、半導体チップ11の見落としを防ぐためにも、最大の1.4倍に広がった範囲に半導体チップ11が存在する可能性があるので、当該広範囲撮像視野57の領域としてプレスキャン工程としての撮像を行う必要がある。また、前記伸び率については、ダイシング加工後エキスパンド工程を経た場合の加工前のウエハー12の寸法に比べダイシング加工時半導体チップ11の寸法が小さくなることにより、エキスパンド工程のウエハーシートの伸び率が微小な場合、半導体チップ間距離が当初のウエハー12寸法より小さくなる場合があり得るので、エキスパンド工程後といえども、ウエハーシートの伸び率は、1.0より小さくなる場合があり得る。   For example, when the expansion rate of the wafer sheet in one direction of the expansion process set in advance is set to a minimum of 0.8 to a maximum of 1.4, in order to cover the maximum area of the entire wafer 12, When the size is 3 inches, the semiconductor chip 11 may exist in a range expanded 1.4 times at the maximum in order to prevent the semiconductor chip 11 from being overlooked. It is necessary to perform imaging as a process. Further, the elongation rate of the wafer sheet in the expanding process is very small because the dimension of the semiconductor chip 11 during dicing is smaller than the dimension of the wafer 12 before processing when the expanding process after dicing is performed. In such a case, since the distance between the semiconductor chips may be smaller than the original dimension of the wafer 12, even after the expanding process, the elongation percentage of the wafer sheet may be smaller than 1.0.

〔準備工程5〕(2値化処理)
ウエハー12の全画像の撮像が完了した後、抽出部21が各撮像画像56を2値化処理するために事前に設定済みの輝度値(0〜255段階)に分化し、同じく事前に設定済みの閾値を用いて、画像の輝度値を閾値以上と以下の輝度値を持つ領域に2分し各領域の必要箇所を抽出する。
[Preparation process 5] (binarization process)
After all the images on the wafer 12 have been captured, the extraction unit 21 divides each captured image 56 into previously set luminance values (0 to 255 levels) for binarization, and is also set in advance. The threshold value of the image is used to divide the luminance value of the image into regions having luminance values that are equal to or higher than the threshold value and extract necessary portions of each region.

上記設定した閾値で2値化処理した場合、ウエハー12上の半導体チップ11は、大部分グレー色である。当該グレー色部分は黒エリアとなり、半導体チップ11のステージ座標521の認識を必要とするエリアは基本的には白地の部分である。2値化で得られた白地の部分だけを認識して抽出すれば、後述する実検査で必要な箇所のステージ座標521を把握することができる。   When binarization processing is performed with the set threshold value, the semiconductor chip 11 on the wafer 12 is mostly gray. The gray color portion is a black area, and the area that needs to recognize the stage coordinates 521 of the semiconductor chip 11 is basically a white background portion. If only the white background obtained by binarization is recognized and extracted, it is possible to grasp the stage coordinates 521 at a location necessary for the actual inspection described later.

具体的には、ウエハー12の画像を2値化処理すると、輝度値0の部分は「黒」になり、「黒」と「白」の間の「グレー」部分は、該当部分の個々の輝度の段階を経た輝度値が設定され、最後に輝度値255の部分は「白」くなる。一般に、半導体チップ11の実検査に用いる部分は、パッド(電極)16部分であり通常色は白色に近い。図6に記載されているように、2値化工程にて白い部分であるパッド(電極)16部分が抽出される。   Specifically, when the image of the wafer 12 is binarized, a portion with a luminance value of 0 becomes “black”, and a “gray” portion between “black” and “white” indicates the individual luminance of the corresponding portion. The luminance value after the stage is set, and finally the portion of the luminance value 255 becomes “white”. Generally, the part used for the actual inspection of the semiconductor chip 11 is a pad (electrode) 16 part, and the normal color is close to white. As shown in FIG. 6, a pad (electrode) 16 portion which is a white portion is extracted in the binarization process.

尚、当該選択基準の輝度値は、実際に用いられるウエハー12に左右されるため、操作者が設定する。前記2値化操作は撮像済みの撮像画像56すべてに対して行う。前記ウエハー12のエキスパンド工程を経て分割して撮像された撮像画像56の個々の画像を用いて、前記抽出された箇所の大きさをピクセル単位(=コンピュータが扱うデジタル画像〔画素〕を構成する単位)で測定した画素数を「面積」と換算して求める。具体的には、上記2値化工程にて抽出された個々の白い部分であるパッド(電極)16部分の面積を求める。前記面積に対し、予め最大最小の面積の範囲を設定しておき、その範囲内の面積のものを実検査対象とする。設定した面積範囲の画像を抽出する理由は、当該範囲を越えるデータは、半導体チップ11のパッド(電極)16には該当しないゴミや、その他実検査に不要な画像と経験的に云えるからである。   The brightness value of the selection criterion depends on the wafer 12 that is actually used, and is set by the operator. The binarization operation is performed on all captured images 56 that have been captured. Using the individual images of the picked-up images 56 obtained by dividing the wafer 12 through the expanding process, the size of the extracted portion is expressed in units of pixels (= unit constituting a digital image [pixel] handled by a computer). ) Is obtained by converting the number of pixels measured in (1) into “area”. Specifically, the area of the pad (electrode) 16 portion which is an individual white portion extracted in the binarization step is obtained. A range of the maximum and minimum areas is set in advance for the area, and an area within the range is set as an actual inspection target. The reason why the image of the set area range is extracted is that data exceeding the range can be empirically regarded as dust that does not correspond to the pads (electrodes) 16 of the semiconductor chip 11 and other images unnecessary for actual inspection. is there.

〔準備工程6〕
以下の工程は、外観検査データ処理部24によって行われる。図6に記載のように、前記工程で抽出した実検査対象物である半導体チップのパッド(電極)16がペアとして存在する場合は当該各ペアを検出し、ペア毎に前記面積単位で2箇所のパッド(電極)16を合わせてペア毎の重心を計測し、ペアとしての重心座標とする。
[Preparation process 6]
The following steps are performed by the appearance inspection data processing unit 24. As shown in FIG. 6, when the pads (electrodes) 16 of the semiconductor chip, which is the actual inspection object extracted in the step, exist as a pair, each pair is detected, and two locations in the area unit for each pair. The center of gravity of each pair is measured by combining the pads (electrodes) 16 and set as the center of gravity coordinates as a pair.

各半導体チップ11のステージ座標521は、前記計測された重心座標に基づいて、予め設定された、X方向相対距離52X、Y方向相対距離52Yだけ相対距離分をシフトした位置に設定される。本実施例における相対距離は、半導体チップ11の外形から予め決まるコーナの座標と求めた重心との距離である。   The stage coordinate 521 of each semiconductor chip 11 is set to a position shifted by the relative distance by the X-direction relative distance 52X and the Y-direction relative distance 52Y, which are set in advance based on the measured barycentric coordinates. The relative distance in this embodiment is the distance between the corner coordinates determined in advance from the outer shape of the semiconductor chip 11 and the calculated center of gravity.

したがって、前記計測された重心座標に対して、事前に設定されたX方向相対距離52XとY方向相対距離52YだけX方向およびY方向の相対距離分をシフトした座標を各半導体チップ11のステージ座標521と設定し、同様に繰り返して、測定するウエハー12上のすべての半導体チップ11毎のステージ座標521を設定する。   Accordingly, the coordinates obtained by shifting the relative distances in the X direction and the Y direction by the X direction relative distance 52X and the Y direction relative distance 52Y set in advance with respect to the measured barycentric coordinates are the stage coordinates of each semiconductor chip 11. In the same manner, the stage coordinates 521 for all the semiconductor chips 11 on the wafer 12 to be measured are set.

〔準備工程7〕
すべての半導体チップ11のステージ座標521の中で、前記グローバルアライメント工程で得られたウエハー12を回転補正するために選ばれ、且つ、ステージ座標521およびチップアドレス122を事前設定しているNO.1チップ151を基準チップ15とし、当該基準チップ15のステージ座標521(X,Y)のアドレスを基準チップアドレス122と定め割り当てる。
[Preparation process 7]
Among the stage coordinates 521 of all the semiconductor chips 11, NO. Is selected for rotationally correcting the wafer 12 obtained in the global alignment process, and the stage coordinates 521 and the chip address 122 are preset. One chip 151 is set as the reference chip 15, and the address of the stage coordinates 521 (X, Y) of the reference chip 15 is determined and assigned as the reference chip address 122.

〔準備工程8〕
本願の主旨であるウエハー12上のすべての半導体チップ11をもれなく見出すための
手順について説明する。図7(a)に示すように、ウエハー12の中央に最も近いNO.1チップ151を基準チップ15とし、該基準チップ15のチップアドレス122を(m,n)と設定する。次に、図7(b)に示すように、前記基準チップ15の周囲の半導体チップ11をウエハーシートのエキスパンドの伸び率を考慮して、あるべき範囲にある周辺の半導体チップ11のステージ座標を探索する。前記基準チップ15のステージ座標が(X,Y)且つチップアドレス122が(m,n)の場合、当該基準チップ15の周囲四方向の半導体チップのステージ座標521に対応するチップアドレス122は、基準チップ15の上隣りを(m,〔n−1〕)、左隣りを(〔m−1〕、n)、右隣りを(〔m+1〕、n)および下隣りを(m、〔n+1〕)に設定される。これにより、周囲四方向の各半導体チップ11のステージ座標521とチップアドレス122を関連付けることができる。
[Preparation process 8]
A procedure for finding all the semiconductor chips 11 on the wafer 12 which is the gist of the present application will be described. As shown in FIG. 7A, the NO. One chip 151 is set as the reference chip 15 and the chip address 122 of the reference chip 15 is set to (m, n). Next, as shown in FIG. 7B, the stage coordinates of the peripheral semiconductor chips 11 in the desired range are determined for the semiconductor chips 11 around the reference chip 15 in consideration of the expansion rate of the wafer sheet. Explore. When the stage coordinates of the reference chip 15 are (X, Y) and the chip address 122 is (m, n), the chip address 122 corresponding to the stage coordinates 521 of the semiconductor chip in the four directions around the reference chip 15 is the reference address. The upper neighbor of the chip 15 is (m, [n-1]), the left neighbor is ([m-1], n), the right neighbor is ([m + 1], n), and the lower neighbor is (m, [n + 1]). Set to Thereby, the stage coordinates 521 and the chip address 122 of each semiconductor chip 11 in the surrounding four directions can be associated with each other.

さらに、図7(c)に示すように、図7(b)で設定した周囲四方向のチップアドレス122とステージ座標521を関連付けた半導体チップ11を基軸に、更に三方向の半導体チップ11を検索して、新たな半導体チップ11のステージ座標521とチップアドレス122を求めて関連付ける。当該作業を繰り返し、ウエハー12全体にある半導体チップ11のチップアドレス122とステージ座標521を求めて関連付ける。同様にして、他のチップアドレス122とステージ座標521が関連付けされた半導体チップ11に対し、ウエハー12全域の探索が完了するまで行う。これにより、すべてのウエハー12上の半導体チップ11に対し、ステージ座標521とチップアドレス122の関連付けが確定でき、それらの情報はすべて、コンピュータ2の外観検査データ処理部24を通じてDBファイル25に格納される。   Further, as shown in FIG. 7C, the semiconductor chip 11 in the three directions is further searched based on the semiconductor chip 11 in which the peripheral four-direction chip address 122 and the stage coordinates 521 set in FIG. Then, the stage coordinates 521 of the new semiconductor chip 11 and the chip address 122 are obtained and associated. This operation is repeated, and the chip address 122 of the semiconductor chip 11 on the entire wafer 12 and the stage coordinates 521 are obtained and associated. Similarly, the semiconductor chip 11 associated with the other chip address 122 and the stage coordinates 521 is repeated until the search of the entire area of the wafer 12 is completed. Thereby, the association between the stage coordinates 521 and the chip address 122 can be determined for the semiconductor chips 11 on all the wafers 12, and all of the information is stored in the DB file 25 through the appearance inspection data processing unit 24 of the computer 2. The

〔外観検査準備工程終了〕
以上記載のように、ウエハー12上のすべての半導体チップ11に対し、ステージ座標521とそれに応じたチップアドレス122とが関連付けされ、実検査工程に移る。ここで、実検査工程では、対象となる半導体チップ11にはすべてチップアドレス122が確定されている。対象となる半導体チップ11がどこにあるかは、前記プレスキャン工程で、ステージ座標521とチップアドレス122との関連付けがなされているので、外観検査装置5のステージ52を実検査対象の半導体チップ11に該当するアドレス順に移動し、当該アドレスに対応するステージ座標521に位置合わせすることにより、実検査を高速かつ検査もれなしに効率良く行うことが可能となる。以上が図4に基づく本発明のプレスキャン工程の説明である。
[End of visual inspection preparation process]
As described above, the stage coordinates 521 and the corresponding chip address 122 are associated with all the semiconductor chips 11 on the wafer 12, and the actual inspection process is started. Here, in the actual inspection process, the chip address 122 is determined for all the target semiconductor chips 11. Where the target semiconductor chip 11 is located is because the stage coordinates 521 and the chip address 122 are associated with each other in the pre-scanning step, the stage 52 of the appearance inspection apparatus 5 is changed to the semiconductor chip 11 to be actually inspected. By moving in the order of the corresponding addresses and aligning with the stage coordinates 521 corresponding to the addresses, the actual inspection can be performed efficiently at high speed and without inspection leakage. The above is the description of the pre-scan process of the present invention based on FIG.

比較例Comparative example

実際に被検査対象物1の外観検査準備工程としてプレスキャンをおこなった場合の時間的短縮の実績について示す。   Actual results of time reduction when pre-scanning is actually performed as an appearance inspection preparation process of the inspection object 1 will be described.

ダイシング加工後のエキスパンド工程を経た外径4インチのウエハー12を従来方法および当該発明に基づくプレスキャン工程を施した場合についてのタクトタイムの差異を記載する。ここで従来方法は、上記グローバルアライメントを実行した後に実検査を実行した場合である。
従来方法にて、検査を実施した場合:7分34秒であった。
本発明によるプレスキャンを施した場合:1分49秒であった(プレスキャン時間:9秒、実検査時間:1分40秒)。
The difference in tact time when a wafer 12 having an outer diameter of 4 inches that has undergone an expanding process after dicing is subjected to a pre-scan process based on the conventional method and the present invention will be described. Here, the conventional method is a case where an actual inspection is performed after the global alignment is performed.
When inspection was performed by the conventional method: 7 minutes 34 seconds.
When the pre-scan according to the present invention was performed, it was 1 minute 49 seconds (pre-scan time: 9 seconds, actual inspection time: 1 minute 40 seconds).

これにより、本発明によるプレスキャン工程を用いてのウエハー12の検査時間の場合、5分45秒の短縮効果が得られている。当該タクトタイム時間短縮の要因は、ウエハー12の検査時、当該発明のプレスキャン工程を実施した場合、ウエハー12上のすべての半導体チップ11に対しチップアドレス122が既に設定されているので、実検査時登録されている該当する半導体チップ11のチップアドレス122をサーチする際のサーチ範囲が狭くなり、短時間ですべての該当半導体チップ11の位置に到達でき、総合的に検査時間が短縮されたという効果が得られる。   Thereby, in the case of the inspection time of the wafer 12 using the pre-scan process according to the present invention, an effect of shortening 5 minutes 45 seconds is obtained. The factor of shortening the tact time is that when the wafer 12 is inspected, when the pre-scan process of the present invention is performed, the chip addresses 122 are already set for all the semiconductor chips 11 on the wafer 12, so that the actual inspection is performed. The search range when searching for the chip address 122 of the corresponding semiconductor chip 11 registered at the time is narrowed, the positions of all the corresponding semiconductor chips 11 can be reached in a short time, and the inspection time is shortened overall. An effect is obtained.

本実施例は、上記実施例1の装置を利用し、図4のフローチャートに記載のグローバルアライメント工程に含まれる〔準備工程2〕および〔準備工程3〕をプリスキャン工程の途中で行うものである。したがって、同一の処理工程については、その説明を簡略化し異なる部分について詳述する。以下、図8に示すフローチャートに沿って説明する。   In the present embodiment, using the apparatus of the first embodiment, [Preparation Step 2] and [Preparation Step 3] included in the global alignment step described in the flowchart of FIG. 4 are performed in the middle of the pre-scanning step. . Therefore, the description of the same processing steps will be simplified and different parts will be described in detail. In the following, description will be given along the flowchart shown in FIG.

〔準備工程〕
まず、図3(a)に示すダイシング加工後のウエハー12にエキスパンド工程を施した後、外観検査装置5のステージ52上に載置する。
[Preparation process]
First, the wafer 12 after dicing shown in FIG. 3A is subjected to an expanding process, and then placed on the stage 52 of the appearance inspection apparatus 5.

〔プレスキャン開始〕
次に、対物レンズ53を低倍率のレンズに調整し、ウエハー12のエキスパンド工程後の広範囲撮像視野57内の広範囲ごとの画像を、ステージ52を移動させながら撮像を開始し、撮像画像56をコンピュータ2の外観検査データ処理部24を通じてDBデータファイル25に送られ格納する。当該ウエハー12は、既にエキスパンド工程を経た後の状態なので、ウエハー12上の半導体チップ11全てを撮像するために、エキスパンド工程でのウエハーシートの伸びを考慮してエキスパンド工程前のウエハー12より広範囲に半導体チップ11が存在する可能性の拡張範囲を加味した広範囲撮像視野57を撮像する。
[Start prescan]
Next, the objective lens 53 is adjusted to a low-magnification lens, and the image of each wide area in the wide-range imaging visual field 57 after the expanding process of the wafer 12 is started while moving the stage 52, and the captured image 56 is converted into a computer. 2 is sent to the DB data file 25 through the appearance inspection data processing unit 24 and stored. Since the wafer 12 has already undergone the expanding process, in order to image all the semiconductor chips 11 on the wafer 12, the wafer 12 in the expanding process is taken into account in a wider range than the wafer 12 before the expanding process in consideration of the elongation of the wafer sheet. The wide-range imaging visual field 57 is imaged in consideration of the extended range of the possibility that the semiconductor chip 11 exists.

〔2値化処理〕
ウエハー12の全画像の撮像が完了した後、抽出部21が事前に設定済みの閾値を用いて、画像の輝度値を閾値以上と以下の輝度値を持つ領域に2分し半導体チップ11およびパッド16を抽出する。
[Binarization processing]
After the imaging of all the images on the wafer 12 is completed, the extraction unit 21 divides the luminance value of the image into regions having luminance values equal to or higher than the threshold value and using the threshold value set in advance, the semiconductor chip 11 and the pad 16 is extracted.

〔重心座標の算出〕
図6に示すように、抽出した半導体チップのパッド16がペアとして存在する場合は当該各ペアを半導体チップ11ごとに繰り返し検出し、ペア毎に前記面積単位で2箇所のパッド16を合わせてペア毎の重心座標を求める。
[Calculation of barycentric coordinates]
As shown in FIG. 6, when the extracted semiconductor chip pads 16 exist as pairs, each pair is repeatedly detected for each semiconductor chip 11, and two pads 16 are combined for each pair in the area unit for each pair. Find the barycentric coordinates for each.

〔基準チップの推定〕
各半導体チップ11の重心が求まると、取得した複数枚の画像中に含まれる重心座標の個数に基づいて半導体チップ11が最も多く含まれる画像を選択する。ここで、補正量算出部22が、例えば図3に示す縦方向または横方向いずれか一軸に沿った半導体チップ11の重心座標を隣接する半導体チップ11ごとに比較し、そのズレ量からウエハー12の傾きを算出する。
[Estimation of reference chip]
When the center of gravity of each semiconductor chip 11 is obtained, an image containing the largest number of semiconductor chips 11 is selected based on the number of center-of-gravity coordinates included in the acquired plurality of images. Here, for example, the correction amount calculation unit 22 compares the barycentric coordinates of the semiconductor chip 11 along one axis in either the vertical direction or the horizontal direction shown in FIG. Calculate the slope.

外観検査データ処理部24が、2値化処理して求めた全撮像画像に含まれる半導体チップ11の外形とウエハーの傾きを利用し、予めレシピによって設定されている基準チップ15であるNO.1チップ151およびNO.2チップ152の位置を推定する。   The appearance inspection data processing unit 24 uses the outer shape of the semiconductor chip 11 and the inclination of the wafer included in all captured images obtained by the binarization process, and the NO. 1 chip 151 and NO. The position of the two chips 152 is estimated.

NO.1チップ151およびNO.2チップ152の推定が完了すると、算出された傾き分だけステージ52を回転させ、補正後のNO.1チップ151およびNO.2チップ152の重心座標を算出する。なお、以上の工程が、本発明のサブアライメント工程に相当する。   NO. 1 chip 151 and NO. When the estimation of the two chips 152 is completed, the stage 52 is rotated by the calculated inclination, and the corrected NO. 1 chip 151 and NO. The barycentric coordinates of the two chips 152 are calculated. The above process corresponds to the sub-alignment process of the present invention.

〔グローバルアライメント〕
プレスキャン時よりも対物レンズ53の倍率を上げる。推定されたNO.1チップ151およびNO.2チップ152の重心座標のそれぞれが撮像視野に収まるようにステージ52を移動させる。各位置でウエハー12を撮像する。その後、図2に示すように、補正量算出部22が取得した2画像に基準線10を設定し、NO.1チップ151およびNO.2チップ152の位置関係から補正角度6を算出する。当該補正角度に基づいて、位置補正・回転補正部23がステージ52を回転させてウエハー12の角度補正をおこなう。
[Global alignment]
The magnification of the objective lens 53 is increased as compared with the prescan. Estimated NO. 1 chip 151 and NO. The stage 52 is moved so that each of the center-of-gravity coordinates of the two chips 152 falls within the imaging field of view. The wafer 12 is imaged at each position. Thereafter, as shown in FIG. 2, the reference line 10 is set to the two images acquired by the correction amount calculation unit 22, and NO. 1 chip 151 and NO. The correction angle 6 is calculated from the positional relationship between the two chips 152. Based on the correction angle, the position correction / rotation correction unit 23 rotates the stage 52 to correct the angle of the wafer 12.

〔重心座標の補正〕
グローバルアライメントにより回転補正されたウエハー12上の全ての半導体チップ11に対し、回転量に応じて重心座標を補正する。
[Correction of barycentric coordinates]
The center-of-gravity coordinates are corrected according to the amount of rotation for all the semiconductor chips 11 on the wafer 12 whose rotation is corrected by the global alignment.

〔ステージ座標の算出〕
以下の処理は、外観検査データ処理部24が行う。各半導体チップ11のステージ座標521は、補正後の重心座標に基づいて、予め設定された、X方向相対距離52X、Y方向相対距離52Yだけ相対距離分をシフトした位置に設定される。上記実施例1と同様に相対距離は、半導体チップ11の外形から予め決まるコーナの座標と求めた重心との距離である。
[Calculation of stage coordinates]
The following processing is performed by the appearance inspection data processing unit 24. The stage coordinates 521 of each semiconductor chip 11 are set based on the corrected center-of-gravity coordinates, which are set in advance by shifting the relative distance by the X-direction relative distance 52X and the Y-direction relative distance 52Y. Similar to the first embodiment, the relative distance is the distance between the corner coordinates determined in advance from the outer shape of the semiconductor chip 11 and the calculated center of gravity.

〔基準チップ(No.1チップ)のアドレス設定〕
グローバルアライメントにより回転補正された後のNO.1チップ151のステージ座標を抽出し、アドレスを設定する。すなわち、NO.1チップ151を基準チップ15とし、当該基準チップ15のステージ座標521(X,Y)のアドレスを基準チップアドレス122と定め割当る。
[Address setting for reference chip (No. 1 chip)]
NO. After rotation correction by global alignment The stage coordinates of one chip 151 are extracted and an address is set. That is, NO. One chip 151 is set as the reference chip 15, and the address of the stage coordinates 521 (X, Y) of the reference chip 15 is determined as the reference chip address 122 and assigned.

〔半導体チップへのアドレス割当〕
上記実施例1と同様に以下のようにして各半導体チップ11にアドレスが割り当てられる。図7(a)に示すように、ウエハー12の中央に最も近いNO.1チップ151を基準チップ15とし、該基準チップ15のチップアドレス122を(m,n)と設定する。次に、図7(b)に示すように、前記基準チップ15の周囲の半導体チップ11をウエハーシートのエキスパンドの伸び率を考慮して、あるべき範囲にある周辺の半導体チップ11のステージ座標を探索する。前記基準チップ15のステージ座標が(X,Y)且つチップアドレス122が(m,n)の場合、当該基準チップ15の周囲四方向の半導体チップのステージ座標521に対応するチップアドレス122は、基準チップ15の上隣りを(m,〔n−1〕)、左隣りを(〔m−1〕、n)、右隣りを(〔m+1〕、n)および下隣りを(m、〔n+1〕)に設定される。これにより、周囲四方向の各半導体チップ11のステージ座標521とチップアドレス122を関連付けることができる。
[Address assignment to semiconductor chip]
As in the first embodiment, an address is assigned to each semiconductor chip 11 as follows. As shown in FIG. 7A, the NO. One chip 151 is set as the reference chip 15 and the chip address 122 of the reference chip 15 is set to (m, n). Next, as shown in FIG. 7B, the stage coordinates of the peripheral semiconductor chips 11 in the desired range are determined for the semiconductor chips 11 around the reference chip 15 in consideration of the expansion rate of the wafer sheet. Explore. When the stage coordinates of the reference chip 15 are (X, Y) and the chip address 122 is (m, n), the chip address 122 corresponding to the stage coordinates 521 of the semiconductor chip in the four directions around the reference chip 15 is the reference address. The upper neighbor of the chip 15 is (m, [n-1]), the left neighbor is ([m-1], n), the right neighbor is ([m + 1], n), and the lower neighbor is (m, [n + 1]). Set to Thereby, the stage coordinates 521 and the chip address 122 of each semiconductor chip 11 in the surrounding four directions can be associated with each other.

さらに、図7(c)に示すように、図7(b)で設定した周囲四方向のチップアドレス122とステージ座標521を関連付けた半導体チップ11を基軸に、更に三方向の半導体チップ11を検索して、新たな半導体チップ11のステージ座標521とチップアドレス122を求めて関連付ける。当該作業を繰り返す。   Further, as shown in FIG. 7C, the semiconductor chip 11 in the three directions is further searched based on the semiconductor chip 11 in which the peripheral four-direction chip address 122 and the stage coordinates 521 set in FIG. Then, the stage coordinates 521 of the new semiconductor chip 11 and the chip address 122 are obtained and associated. Repeat the operation.

〔未設定アドレスの判別〕
一定方向に半導体チップ11を探索し、チップアドレス122の割当が完了すると、アドレスの割当てられていないステージ座標の有無を判別する。アドレス割当のないステージ座標が存在しない場合、外観検査基準工程が終了する。アドレス割当のないステージ座標が存在する場合、アドレスの推定割当を行う。
[Determination of unset address]
When the semiconductor chip 11 is searched in a certain direction and the assignment of the chip address 122 is completed, it is determined whether there is a stage coordinate to which no address is assigned. If there are no stage coordinates without address assignment, the appearance inspection reference process is terminated. If there are stage coordinates without address assignment, address assignment is performed.

〔アドレス推定割当〕
基軸となる半導体チップ11に隣接する他の半導体チップ11が、所定距離を超えて存在している場合に探索エラーとなり、他の半導体チップ11にチップアドレスが割当られない。そこで、例えば、次のようにして他の半導体チップ11のチップアドレスを推定して割当る。チップアドレス未設定の他の半導体チップ11に対して最も近い位置にあるアチップドレス登録済みの半導体チップ11(以下、「基準半導体チップ11」という)を抽出する。距離が同じ場合にはいずれか1個を選択する。両半導体チップ11のステージ座標間の距離および基準半導体チップ11から他の半導体チップ11の存在する方向を求める。基準半導体チップ11から当該方向および距離の所定範囲内でステージ座標と関連付けされていない近似するチップアドレスを当該他のチップアドレスとして推定して割当る。
[Address estimation allocation]
When another semiconductor chip 11 adjacent to the semiconductor chip 11 serving as the base axis exists beyond a predetermined distance, a search error occurs, and no chip address is assigned to the other semiconductor chip 11. Therefore, for example, the chip addresses of other semiconductor chips 11 are estimated and assigned as follows. The semiconductor chip 11 that has been registered with an address at the closest position to another semiconductor chip 11 for which no chip address is set (hereinafter referred to as “reference semiconductor chip 11”) is extracted. If the distance is the same, either one is selected. The distance between the stage coordinates of both semiconductor chips 11 and the direction in which another semiconductor chip 11 exists is obtained from the reference semiconductor chip 11. An approximate chip address that is not associated with the stage coordinates within a predetermined range of the direction and distance from the reference semiconductor chip 11 is estimated and assigned as the other chip address.

全ての未設定の半導体チップ1に対してチップアドレスを推定して割当る。ウエハー12全体にある半導体チップ11のチップアドレスとステージ座標を求めて関連付ける。当該関連付けが確定すると、それらの情報はすべて、コンピュータ2の外観検査データ処理部24を通じてDBファイル25に格納される。   Chip addresses are estimated and assigned to all unconfigured semiconductor chips 1. The chip address of the semiconductor chip 11 on the entire wafer 12 and the stage coordinates are obtained and correlated. When the association is confirmed, all the information is stored in the DB file 25 through the appearance inspection data processing unit 24 of the computer 2.

〔外観検査準備工程終了〕
以上のように、ウエハー12上のすべての半導体チップ11に対し、ステージ座標521とそれに応じたチップアドレス122とが関連付けされ、実検査工程に移る。
[End of visual inspection preparation process]
As described above, the stage coordinates 521 and the corresponding chip address 122 are associated with all the semiconductor chips 11 on the wafer 12, and the actual inspection process is started.

当該実施例によれは、プレスキャンによって広範囲撮像視野57でウエハー12上の全ての半導体チップ11を撮像し、サブアライメント工程において、当該撮像画像の半導体チップ11の整列状態からウエハー12の傾きが求められる。当該傾きを補正することにより、半導体チップ11の外形を適正な位置に戻すことができる。したがって、レシピで設定された基準チップ15の位置情報に基づく1回の撮像で確実に基準チップ15の含まれる撮像画像を取得することができる。したがって、実施例1のように、グローバルアライメントを先に実施する際に生じる基準チップ15を求めるためのトライ・アンド・エラーによる繰り返し処理が解消され、タクトタイムを短縮することができる。   According to this embodiment, all the semiconductor chips 11 on the wafer 12 are imaged in the wide imaging field 57 by pre-scanning, and the tilt of the wafer 12 is obtained from the alignment state of the semiconductor chips 11 in the captured image in the sub-alignment process. It is done. By correcting the inclination, the outer shape of the semiconductor chip 11 can be returned to an appropriate position. Therefore, a captured image including the reference chip 15 can be reliably acquired by one imaging based on the position information of the reference chip 15 set in the recipe. Therefore, as in the first embodiment, iterative processing by trial and error for obtaining the reference chip 15 that occurs when the global alignment is performed first is eliminated, and the tact time can be shortened.

なお、本発明は以下のような形態で実施することも可能である。   The present invention can also be implemented in the following forms.

上記両実施例では、半導体チップ11の重心を2個の電極のパッド16を利用して求めていたが、半導体チップ11の外形やその角部の座標などを利用しても算出することができる。   In both the above embodiments, the center of gravity of the semiconductor chip 11 is obtained by using the pads 16 of the two electrodes. However, the center of gravity can also be calculated by using the outer shape of the semiconductor chip 11 and the coordinates of its corners. .

また、上記実施例では、半導体ウエハー12を例にとって説明したが、当該実施形態に限定されず、例えばLEDのウエハーにも適用することができる。   Moreover, in the said Example, although demonstrated taking the semiconductor wafer 12 as an example, it is not limited to the said embodiment, For example, it can apply also to the wafer of LED.

各種被検査対象物の形状物に現れる撮像画像を検査して該形状物の欠陥を検出する外観検査装置を用いて検査をおこなう場合に、最近の傾向として、各種被検査対象物すなわち主ウエハーをダイシング加工を経てエキスパンド工程をおこなった後にウエハー内の形状物すなわち主に半導体チップの検査をおこないたいとの要望が高くなって来ている。   When inspecting a picked-up image appearing on a shape object of various objects to be inspected and performing an inspection using an appearance inspection apparatus that detects defects in the shape object, as a recent trend, various objects to be inspected, that is, main wafers are After the dicing process and the expanding process, there is an increasing demand for inspection of the shape in the wafer, that is, mainly the semiconductor chip.

また、近年ウエハーの外径の拡大、ウエハー内の各半導体チップの数の増大、さらには微細化や緻密化により、ウエハー一枚ごとの検査時間が増大しており、該ウエハーの検査のタクトタイムの短縮が望まれている。また、ウエハーをすでにダイシング加工を経てエキスパンド工程をおこなった後に検査をおこなうことを要望される場合も増している。従い、前記状況の中、ウエハーの検査のタクトタイム短縮は急務であり、本発明で提唱するプレスキャン機能を利用することによるウエハーの検査のタクトタイム短縮の一手法としての利用価値は高い。   In recent years, the inspection time for each wafer has increased due to the increase in the outer diameter of the wafer, the increase in the number of semiconductor chips in the wafer, and further miniaturization and densification. It is desired to shorten this. In addition, there is an increasing number of cases where it is desired to inspect a wafer after it has already undergone dicing and an expanding process. Accordingly, shortening the tact time for wafer inspection in the above situation is urgent, and the utility value as a method for reducing the tact time for wafer inspection by using the pre-scan function proposed in the present invention is high.

Claims (6)

ステージ上に載置された形状物を有するダイシング加工後にエキスパンド工程を経たシートに保持されている被検査対象物を撮像工程にて撮像した撮像画像を用いての前記被検査対象物の外観検査方法であって、
前記被検査対象物を撮像した撮像画像を形状物ごとに事前に設定した閾値に基づいて2値化処理を行い、当該結果に基づいて抽出された個々の形状物の位置を前記ステージの予め決めたステージ座標と対応させて設定するステージ座標設定工程と、
前記形状物間の前記エキスパンド工程における前記シートの伸び率を考慮して、所定の形状物の隣にあるべき他の形状物の範囲に対し、当該所定の形状物のステージ座標を用いて他の形状物探索する探索過程と、
前記探索過程において見つかった他の形状物に対して、所定の形状物を基準にして他の形状物に形状物アドレスを付すとともに、当該形状物アドレスとステージ座標を形状物ごとに関連付ける工程とを備え、
前記形状物のステージ座標と形状物アドレスの関連付ける工程終了後に、前記形状物アドレスに基づいて実検査を行うことを特徴とする外観検査方法。
Method for inspecting appearance of object to be inspected using picked-up image obtained by picking up image of object to be inspected held in sheet after expanded process after dicing process having shape object placed on stage Because
A binarization process is performed on a captured image obtained by imaging the object to be inspected based on a threshold value set in advance for each shape object, and positions of individual shape objects extracted based on the result are determined in advance on the stage. A stage coordinate setting process for setting corresponding to the stage coordinates,
In consideration of the elongation percentage of the sheet in the expanding step between the shaped objects, other range using the stage coordinates of the predetermined shaped object for the other shaped object range that should be next to the predetermined shaped object Search process to search for shape objects,
A step of assigning a shape object address to another shape object with respect to another shape object found in the search process, and associating the shape object address with stage coordinates for each shape object; Prepared,
An appearance inspection method comprising: performing an actual inspection based on the shape object address after the step of associating the stage coordinates of the shape object with the shape object address.
前記被検査対象物は半導体ウエハーであり、形状物は半導体チップであり、
前記形状物のステージ座標は、前記撮像画像の2値化処理を行い、当該2値画像で抽出した半導体チップの重心座標を求め、
前記重心座標から予め決まっている半導体チップのコーナまでの相対距離分ずれた座標に設定することを特徴とする請求項1に記載の外観検査方法。
The inspection object is a semiconductor wafer, and the shape object is a semiconductor chip,
The stage coordinates of the shaped object are obtained by performing binarization processing of the captured image, obtaining the barycentric coordinates of the semiconductor chip extracted from the binary image,
The appearance inspection method according to claim 1, wherein the coordinates are set to be shifted by a relative distance from the center-of-gravity coordinates to a predetermined corner of the semiconductor chip.
前記形状物アドレスは、前記ステージ座標を用いて、設定した基準形状物から四方向の形状物を順次探索し、前記被検査対象物全域の前記ステージ座標と前記形状物アドレスを設定し関連付ける処理を繰り返して得ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の外観検査方法。   The shape object address is a process of sequentially searching for shape objects in four directions from the set reference shape object using the stage coordinates, and setting and associating the stage coordinates and the shape object address of the entire inspection object. 3. An appearance inspection method according to claim 1, wherein the appearance inspection method is obtained repeatedly. 前記ステージ座標設定工程の前に、予め設定された半導体ウエハー上で離間された基準となる2個の半導体チップを探索して個々に撮像し、当該半導体チップの位置座標から半導体ウエハーの傾きを求め、当該結果に応じて当該半導体ウエハーの位置合わせするメインアライメント工程を備えたことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の外観検査方法。   Before the stage coordinate setting step, two reference semiconductor chips separated on a preset semiconductor wafer are searched and individually imaged, and the inclination of the semiconductor wafer is obtained from the position coordinates of the semiconductor chip. 4. The appearance inspection method according to claim 2, further comprising a main alignment step of aligning the semiconductor wafer according to the result. 前記メインアライメント工程の前に、メインアライメント時よりも低倍率で撮像した半導体ウエハーの複数枚の撮像画像を2値化処理した後に、当該2値画像に基づいて当連続配列された複数個の半導体チップの整列状態から当該半導体ウエハーの傾きを求め、当該結果に基づいて半導体ウエハーを位置合わせするサブアライメント工程を備えたことを特徴とする請求項4に記載の外観検査方法。   Before the main alignment step, a plurality of captured images of a semiconductor wafer imaged at a lower magnification than that at the time of main alignment are binarized, and then a plurality of semiconductors arranged in succession based on the binary image. 5. The appearance inspection method according to claim 4, further comprising a sub-alignment step of obtaining an inclination of the semiconductor wafer from the chip alignment state and aligning the semiconductor wafer based on the result. ステージ上に載置された形状物を有するダイシング加工後にエキスパンド工程を経たシートに保持されている被検査対象物を撮像手段にて撮像した撮像画像を用いての前記被検査対象物の検査を行う外観検査装置であって、
前記被検査対象物を撮像した撮像画像を形状物ごとに事前に設定した閾値に基づいて2値化処理を行い、当該結果に基づいて抽出された個々の形状物の位置を前記ステージの予め決めたステージ座標と対応させて設定するステージ座標設定手段と、
前記形状物間の前記エキスパンド工程における前記シートの伸び率を考慮して、所定の形状物の隣にあるべき他の形状物の範囲に対し、当該所定の形状物のステージ座標を用いて他の形状物探索し、前記探索過程において見つかった他の形状物に対して、所定の形状物を基準にして他の形状物に形状物アドレスを付すとともに、当該形状物アドレスとステージ座標を形状物ごとに関連付ける手段とを備え、
前記形状物のステージ座標と形状物アドレスの関連付けの終了後に、前記形状物アドレスに基づいて実検査を行うことを特徴とする外観検査装置。
Inspecting the object to be inspected using a picked-up image obtained by picking up the object to be inspected held on a sheet that has undergone an expanding process after dicing processing having a shape object placed on the stage using an image pickup means An appearance inspection device,
A binarization process is performed on a captured image obtained by imaging the object to be inspected based on a threshold value set in advance for each shape object, and positions of individual shape objects extracted based on the result are determined in advance on the stage. Stage coordinate setting means for setting corresponding to the stage coordinates,
In consideration of the elongation percentage of the sheet in the expanding step between the shaped objects, other range using the stage coordinates of the predetermined shaped object for the other shaped object range that should be next to the predetermined shaped object A shape object is searched, and other shape objects found in the search process are given a shape object address to another shape object based on a predetermined shape object, and the shape object address and stage coordinates are assigned to each shape object. And means for associating with
An appearance inspection apparatus that performs an actual inspection based on the shape object address after the association between the stage coordinates of the shape object and the shape object address.
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