JPWO2012124527A1 - 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置 - Google Patents

半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2012124527A1
JPWO2012124527A1 JP2013504665A JP2013504665A JPWO2012124527A1 JP WO2012124527 A1 JPWO2012124527 A1 JP WO2012124527A1 JP 2013504665 A JP2013504665 A JP 2013504665A JP 2013504665 A JP2013504665 A JP 2013504665A JP WO2012124527 A1 JPWO2012124527 A1 JP WO2012124527A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste composition
resin paste
semiconductor element
component
methacrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013504665A
Other languages
English (en)
Inventor
愉加吏 井上
愉加吏 井上
山田 和彦
和彦 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of JPWO2012124527A1 publication Critical patent/JPWO2012124527A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/06Non-macromolecular additives organic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29499Shape or distribution of the fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/157Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アミン化合物と、アルミニウム粉と、を含有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。

Description

本発明は、IC、LSI等の半導体素子と、リードフレーム、ガラスエポキシ配線板等の支持部材とを接着するのに好適な半導体素子接着用樹脂ペースト組成物、及びこれを用いた半導体装置に関する。
従来、半導体のダイボンディング材としては、Au−Si共晶、半田、樹脂ペースト組成物等が知られているが、作業性及びコストの点から樹脂ペースト組成物が広く使用されている。
一般に、半導体装置は半導体チップなどの素子をダイボンディング材によりリードフレームに接着して製造している。半導体装置の実装方式は高密度実装の点から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行しているが、基板への実装には基板全体を赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いられ、パッケージが200℃以上の高温に加熱されるため、吸湿した水分の急激な膨張によりペースト層の剥離が発生することがある。
そのため、ダイボンディングペーストにはSiチップとリードフレーム間の接着強度が高いことが要求される。また半導体チップなどの素子をリードフレームに接着させるなどのために使用される樹脂ペースト組成物には導電性フィラーとして、例えば金粉、銀粉、銅粉などの金属粉を使用することが考えられるが、金粉ほどの希少価値ではなく、銅粉のように酸化されやすく保存安定性に劣るものでもなく、さらに塗布作業性や機械特性に優れ、樹脂ペースト組成物に要求される諸特性も優れるなどの理由から、現在は銀粉を用いた樹脂ペースト組成物が主に用いられている(特許文献1等参照)。
特開2002−179769号公報
しかしながら、銀粉自体も貴金属であって希少価値が高い材料であることから、ダイボンディング材料としてはより入手の容易な他のフィラー材料を使用したダイボンディング材の開発が望まれる。現在のところ、銀粉にかわる材料を用いつつ、銀粉のみを使った場合と同程度の特性を有する樹脂ペースト組成物は、得られていないのが現状である。
例えば、本発明者らの知見によれば、特許文献1に記載の樹脂ペースト組成物における銀粉の一部をアルミニウム粉に置き換えた場合には、十分なダイシェア強度が得られない。
本発明は、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れたダイシェア強度及び保存安定性を有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を提供することを目的とする。また本発明は、当該半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を用いて製造された半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アミン化合物と、アルミニウム粉と、を含有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物に関する。
本態様において、半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、その組成を上記特定のものとすることにより、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも優れたダイシェア強度及び保存安定性を有する。
本態様において、半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含有しないことが好ましい。
特許文献1に記載の樹脂ペースト組成物における銀粉の一部をアルミニウム粉に置き換えた場合には、十分な電気伝導性(十分に低い体積抵抗率)が得られない。しかしながら、本態様の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物では、実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含まず、且つ、上記特定の組成を有するものとすることで、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れた電気伝導性が実現される。
本態様において、上記可とう化剤はゴム成分であることが好ましい。
また、本態様において、上記アミン化合物は、ジシアンジアミド又はイミダゾール化合物であることが好ましい。
また、本態様において、上記アルミニウム粉の形状は粒状であることが好ましく、上記アルミニウム粉の平均粒径は2〜10μmであることが好ましい。
また、本態様の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、銀粉をさらに含有していてもよい。本態様の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を含有しているため、希少価値が高い銀粉を多量に用いなくとも接着強度、保存安定性などの諸特性を十分に得ることができる。
また、本態様の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物において、上記銀粉の形状はフレーク状であることが好ましく、上記銀粉の平均粒径は1〜5μmであることが好ましい。
また、本態様において、上記銀粉の含有量Cに対する上記アルミニウム粉の含有量Cの比C/Cは、質量比で2/8〜8/2とすることができる。
また、本態様において、上記(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物は(メタ)アクリル酸エステル化合物であることが好ましい。
本発明の他の態様は、支持部材と、半導体素子と、上記支持部材及び上記半導体素子の間に配置され、上記支持部材及び上記半導体素子を接着する接着層と、を備え、上記接着層が、上記半導体素子接着用樹脂ペースト組成物の硬化物を含む、半導体装置に関する。
本態様の半導体装置は、支持部材と半導体素子とが上記半導体素子接着用樹脂ペースト組成物により接着されているため、安価なアルミニウム粉を用いながらも十分な信頼性を有する。
本発明によれば、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れたダイシェア強度及び保存安定性を有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物が提供される。また本発明によれば、当該半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を用いて製造された半導体装置が提供される。
(a)はVA−2000の電子顕微鏡写真を示す図であり、(b)はNo.800Fの電子顕微鏡写真を示す図であり、(c)はNo.500Mの電子顕微鏡写真を示す図である。 (a)は実施例1で得られた樹脂ペースト組成物中のアルミニウム粉及び銀粉の混合粉の電子顕微鏡写真を示す図であり、(b)は参考例1で得られた樹脂ペースト組成物中の銀粉の電子顕微鏡写真を示す図である。 体積抵抗率の測定に用いる試験サンプルの作製方法を示す模式図である。
本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物の好適な実施形態について以下に説明する。なお、本明細書中、「(メタ)アクリル」とは、アクリル又はメタクリルを意味する。すなわち、「(メタ)アクリロイルオキシ基を有する」とは、アクリロイルオキシ基又はメタアクリロイルオキシ基を有することを意味する。
本実施形態に係る半導体素子接着用樹脂ペースト組成物(以下、単に「樹脂ペースト組成物」と称する。)は、(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物(以下、場合により「(A)成分」と称する。)と、重合開始剤(以下、場合により「(B)成分」と称する。)と、可とう化剤(以下、場合により「(C)成分」と称する。)と、アミン化合物(以下、場合により「(D)成分」と称する。)と、アルミニウム粉(以下、場合により「(E)成分」と称する。)と、を含有する。樹脂ペースト組成物は、上記特定の成分を含有するため、優れたダイシェア強度及び保存安定性を有する。
樹脂ペースト組成物は、実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含有しないことが好ましい。従来の樹脂ペーストでは、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いると、体積抵抗率が急激に上昇して十分な電気伝導性が得られない場合があるが、上記特定の成分を含有し且つ実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含有しない樹脂ペースト組成物は、優れた電気伝導性を有する。
ここで「実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含有しない」とは、体積抵抗率の急激な上昇が観測されない程度で、芳香族系エポキシ樹脂が微量に存在してもよいことを意味する。具体的には、芳香族系エポキシ樹脂の含有量が樹脂ペースト組成物の総量基準で0.1質量%以下であればよく、0.05質量%以下であることが好ましい。また、芳香族系エポキシ樹脂を含有しないことがより好ましい。
(A)成分は、アルミニウム粉、銀粉等を分散させるマトリックスともいえる成分であり、1分子中に1個以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する。(A)成分としては、アクリル酸エステル化合物及びメタアクリル酸エステル化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有することが好ましい。アクリル酸エステル化合物及びメタアクリル酸エステル化合物からなる群より選択される少なくとも一種と、アルミニウム粉と、を組み合わせて用いることで、樹脂ペースト組成物は、電気伝導性、保存安定性及びダイシェア強度が一層向上するとともに、塗布作業性及び機械特性が一層向上して、ダイボンディング用として一層好適なものとなる。
(A)成分としては、例えば、1分子中に1個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物(以下、場合により「(A−1)成分」と称する。)、1分子中に2個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物(以下、場合により「(A−2)成分」と称する。)、1分子中に3個以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物(以下、場合により「(A−3)成分」と称する。)が挙げられる。
(A−1)成分の1個のアクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、t−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシルアクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルアクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−8−イルオキシエチルアクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−9−イルオキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、ダイマージオールモノアクリレート、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、2−ブトキシエチルアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、2−フェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、2−ベンゾイルオキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、2−シアノエチルアクリレート、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレ−ト、ジシクロペンタニルアクリレ−ト、ジシクロペンテニルアクリレ−ト、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレート、1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジニルアクリレート、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルアクリレート、アクリロキシエチルホスフェート、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネートが挙げられる。
また、(A−1)成分の1個のメタアクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシルメタクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルメタクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−8−イルオキシエチルメタクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−9−イルオキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ダイマージオールモノメタクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、2−メトキシエチルメタクリレート、2−エトキシエチルメタクリレート、2−ブトキシエチルメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、2−フェノキシエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタクリレート、2−ベンゾイルオキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、2−シアノエチルメタクリレート、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレ−ト、ジシクロペンタニルメタクリレ−ト、ジシクロペンテニルメタクリレ−ト、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジニルメタクリレート、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、メタクリロキシエチルホスフェート、メタクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネートが挙げられる。
(A−1)成分としては、樹脂ペースト組成物を用いて製造した半導体装置におけるダイシェア強度の観点から、下記式(I)で表される化合物が好ましい。
式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、Rは脂環式基又は複素環式基を示し、Xは炭素数1〜5のアルキレン基を示し、nは0〜10の整数を示す。nが2以上の整数であるとき、複数存在するXは互いに同一であっても異なっていてもよい。ここで脂環式基は、炭素原子が環状に結合した構造を有する基であり、複素環式基は、炭素原子とヘテロ原子とが環状に結合した構造を有する基である。
脂環式基としては、下記式(1−1)、(1−2)、(1−3)又は(1−4)で表される基が挙げられる。
式中、R、R及びRはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基を示す。
複素環式基としては、下記式(2−1)、(2−2)、(2−3)又は(2−4)で表される基が挙げられる。
式中、R、R、R、R及びR10はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基を示す。
式(I)で表される化合物としては、例えば、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルアクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−8−イルオキシエチルアクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−9−イルオキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレ−ト、ジシクロペンタニルアクリレ−ト、ジシクロペンテニルアクリレ−ト、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレート、1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジニルアクリレート、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルアクリレートシクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルメタクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−8−イルオキシエチルメタクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−9−イルオキシエチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレ−ト、ジシクロペンタニルメタクリレ−ト、ジシクロペンテニルメタクリレ−ト、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジニルメタクリレート、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルメタクリレートが挙げられる。
(A−2)成分の1分子中に2個のアクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオールジアクリレート、1,3−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ダイマージオールジアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ビス(アクリロキシプロピル)ポリジメチルシロキサン、ビス(アクリロキシプロピル)メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーが挙げられる。また、(A−2)成分としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールAD1モルとグリシジルアクリレート2モルとの反応物;ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールADのポリエチレンオキサイド付加物のジアクリレート;ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールADのポリプロピレンオキサイド付加物のジアクリレート等も挙げられる。
(A−2)成分の1分子中に2個のメタクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジメタクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、1,9−ノナンジオールジメタクリレート、1,3−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ダイマージオールジメタクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、ビス(メタクリロキシプロピル)ポリジメチルシロキサン、ビス(メタクリロキシプロピル)メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーが挙げられる。また、(A−2)成分としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールAD1モルとグリシジルメタクリレート2モルとの反応物;ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールADのポリエチレンオキサイド付加物のジメタクリレート;ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールADのポリプロピレンオキサイド付加物のジメタクリレート等も挙げられる。
(A−2)成分としては、樹脂ペースト組成物を用いて製造した半導体装置におけるダイシェア強度の観点から、下記式(II)で表される化合物が好ましい。
式中、R11及びR12はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、R13及びR14はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基を示し、Y及びYはそれぞれ独立に炭素数1〜5のアルキレン基を示し、p及びqはそれぞれ独立に1〜20の整数を示す。pが2以上の整数であるとき、複数存在するYは互いに同一であっても異なっていてもよい。qが2以上の整数であるとき、複数存在するYは互いに同一であっても異なっていてもよい。
(A−3)成分の1分子中に3個以上のアクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキシド・プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレートが挙げられる。
(A−3)成分の1分子中に3個以上のメタクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレンオキシド・プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、テトラメチロールメタントリメタクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレートが挙げられる。
(A)成分としては、上記の化合物のうち一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。例えば、(A)成分としては、ダイシェア強度及び作業性(粘度)をバランス良く向上できる観点から、(A−1)成分と(A−2)成分とを組み合わせて用いることが好ましい。
(A)成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、5〜25質量%が好ましく、10〜20質量%がより好ましい。(A)成分の含有量が5〜25質量%であると、十分なダイシェア強度が得られるとともに、樹脂ペースト組成物の硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じにくくなる。
(B)成分は、(A)成分を重合させて樹脂ペースト組成物を硬化させるための成分であり、加熱及び/又は光照射によってラジカルを発生する化合物であることが好ましい。(B)成分としては、熱重合開始剤、光重合開始剤が挙げられる。なお、(B)成分は一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
熱重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)等のアゾ系ラジカル開始剤;1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、ジ−t−ブチルパーオキシイソフタレート、t−ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)へキサン等の過酸化物が挙げられる。
光重合開始剤としては、例えば、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン等のアセトフェノン類;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類;アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール類;ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルサルファイド等のベンゾフェノン類;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等のホスフィンオキサイド類が挙げられる。
(B)成分としては、樹脂ペースト組成物の硬化物中におけるボイドと呼ばれる空隙の発生を低減できるため、過酸化物が好ましい。また、樹脂ペースト組成物の硬化性及び粘度安定性が一層向上することから、過酸化物の10時間半減期温度は、60〜170℃であることが好ましい。ここで半減期とは、一定温度における、過酸化物が分解してその活性酸素量が1/2になるまでに要する時間を示し、10時間半減期温度とは、半減期が10時間となる温度を示す。
半減期は、例えば、以下のようにして測定することができる。まず、ラジカルに対して比較的不活性な溶液、例えばベンゼンを主として使用して、0.1mol/l濃度の過酸化物溶液を調製し、窒素置換を行ったガラス管中に密閉する。そして、所定温度にセットした恒温槽に浸し、熱分解させる。一般的に過酸化物の分解は近似的に一次反応として取り扱うことができるので、t時間後までに分解した過酸化物の濃度x、分解速度定数k、時間t、初期過酸化物濃度aとすると、下記式(i)が成り立つ。
dx/dt=k(a−x) (i)
そして、式(i)を変形すると式(ii)になる。
ln a/(a−x)=kt (ii)
半減期は、分解により過酸化物濃度が初期の半分に減ずるまでの時間であるので、半減期をt1/2で示し、式(ii)のxにa/2を代入すると、式(iii)になる。
kt1/2=ln2 (iii)
したがって、ある一定温度で熱分解させ、得られた直線の傾きから分解速度定数kを求め、式(iii)からその温度における半減期(t1/2)を求めることができる。
(B)成分の含有量は、(A)成分の総量100質量部に対して0.1〜10質量部であることが好ましく、2〜8質量部であることがより好ましい。(B)成分の含有量が0.1質量部以上であると樹脂ペースト組成物の硬化性が一層良好となる。また、(B)成分の含有量が10質量部を超えると、樹脂ペースト組成物の硬化時に揮発分が多く発生し、樹脂ペースト組成物の硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じやすくなる傾向がある。(B)成分は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
また、(B)成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、0.1〜5質量%であることが好ましく、0.6〜1質量%であることがより好ましい。(B)成分の含有量が0.1質量%以上であると樹脂ペースト組成物の硬化性が一層良好となる。また、(B)成分の含有量が5質量%を超えると、樹脂ペースト組成物の硬化時に揮発分が多く発生し、樹脂ペースト組成物の硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じやすくなる傾向がある。
(C)成分は、樹脂ペースト組成物の硬化物に可とう性を付与する成分である。樹脂ペースト組成物に(C)成分を配合することによって、熱膨張及び/又は収縮に対する応力緩和の効果が得られる。(C)成分としては、特に制限は無いが、液状ゴム及び熱可塑性樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を用いることが好ましい。
液状ゴムとしては、例えば、ポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、マレイン化ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ基を有するアクリロニトリルブタジエンゴム、アミノ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、ビニル末端アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等のポリブタジエン骨格を有する液状ゴムが挙げられる。
液状ゴムの数平均分子量は、500〜10000であることが好ましく、1000〜5000であることがより好ましい。数平均分子量が500以上であると、可とう化効果に一層優れ、10000以下であると、可とう化剤による樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。なお、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準ポリスチレンの検量線を利用して測定(以下、GPC法という)した値である。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸アルキル等のアクリル樹脂、ε−カプロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイミドが挙げられる。
熱可塑性樹脂の数平均分子量は、10000〜300000であることが好ましく、20000〜200000であることがより好ましい。数平均分子量が10000以上であると、可とう化効果に一層優れ、300000以下であると、可とう化剤による樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。なお、数平均分子量は、GPC法により標準ポリスチレンの検量線を利用して測定した値である。
樹脂ペースト組成物は、硬化物の弾性率をより低減できる観点から、(C)成分としてエポキシ化ポリブタジエンを含有することが好ましい。
エポキシ化ポリブタジエンは、一般に市販されているポリブタジエンを、過酸化水素水、過酸類等によりエポキシ化することによって容易に得ることができる。
エポキシ化ポリブタジエンとしては、例えば、B−1000、B−3000、G−1000、G−3000(以上、日本曹達(株)製)、B−1000、B−2000、B−3000、B−4000(以上、日本石油(株)製)、R−15HT、R−45HT、R−45M(以上、出光石油(株)製)、エポリードPB−3600、エポリードPB−4700(以上、ダイセル化学工業(株)製)が市販品として入手可能である。エポキシ化ポリブタジエンのオキシラン酸素濃度は、3〜18%であることが好ましく、5〜15%であることがより好ましい。
樹脂ペースト組成物は、硬化物の弾性率をより低減できるとともに、ダイシェア強度をより向上できる観点からは、(C)成分としてカルボキシ基を有するアクリロニトリルブタジエンゴムを含有することが好ましい。カルボキシ基を有するアクリロニトリルブタジエンゴムとしては、式(III)で表される化合物が好ましい。
式中、mは5〜50の整数を示し、a及びbはそれぞれ独立に1以上の整数を示す。aとbの比(a/b)は、95/5〜50/50であることが好ましい。
式(III)で表される化合物としては、例えば、Hycar CTBN−2009×162、CTBN−1300×31、CTBN−1300×8、CTBN−1300×13、CTBN−1009SP−S、CTBNX−1300×9(いずれも宇部興産株式会社製)が市販品として入手可能である。
樹脂ペースト組成物は、作業性及び接着強度の観点から、(C)成分としてエポキシ化ポリブタジエンとカルボキシル基を有するアクリロニトリルブタジエンゴムとを併用することが好ましい。
(C)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して10〜200質量部であることが好ましく、20〜100質量部であることがより好ましく、40〜80質量部であることがさらに好ましい。(C)成分の含有量が10質量部以上であると、可とう化効果に一層優れ、200質量部以下であると、可とう化剤による樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。
また、(C)成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、3〜12質量%であることが好ましく、4〜11質量%であることがより好ましい。(C)成分の含有量が3質量%以上であると、可とう化効果に一層優れ、12質量%以下であると、可とう化剤による樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。
(D)成分としては、ジシアンジアミド、下記式(IV)で表される化合物(二塩基ジヒドラジドともいう。)、エポキシ樹脂とアミン化合物との反応物からなるマイクロカプセル型硬化剤、イミダゾール化合物等が挙げられる。(D)成分は一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
式中、R15はアリーレン基又は炭素数2〜12のアルキレン基を示す。アルキレン基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。また、アリーレン基としては、p−フェニレン基、m−フェニレン基等が挙げられる。
イミダゾール化合物としては、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
式(IV)で表される化合物としては、AFH、PFH、SFH(いずれも日本ヒドラジン工業(株)、商品名)等を用いることができ、マイクロカプセル型硬化剤としては、ノバキュア(旭化成工業(株)、商品名)等を用いることができ、イミダゾール化合物としては、キュアゾール、2P4MHZ、C17Z、2PZ−OK(いずれも四国化成(株)製、商品名)等を用いることができる。
硬化物の強度の観点から、樹脂ペースト組成物は、(D)成分としてジシアンジアミド及びイミダゾール化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有することが好ましく、少なくともジシアンジアミドを含有することがより好ましい。
(D)成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、0.05〜1.5質量%であることが好ましく、0.1〜1.0質量%であることがより好ましく、0.1〜0.8質量%とすることもできる。(D)成分の含有量が0.05質量%以上であると、硬化性が一層向上し、1.5質量%以下であると、樹脂ペースト組成物の安定性が一層良好になる。また、(D)成分の含有量が0.8質量%以下であると、電気伝導性が一層向上する傾向がある。
(E)成分のアルミニウム粉は、従来の樹脂ペーストでフィラーとして使用されていた銀粉の一部又は全部を代替する成分である。本実施形態に係る樹脂ペースト組成物においては、上記各成分と組合せることで、銀粉の一部又は全部を(E)成分に代替しても、優れた電気伝導性、保存安定性及びダイシェア強度が実現される。
(E)成分の平均粒径は、10μm以下であることが好ましく、2〜9μmであることがより好ましく、3〜8μmであることがさらに好ましい。平均粒径が10μm以下であると、樹脂ペースト組成物の均一性及び各種物性が一層良好になる。ここで平均粒径は、レーザー光回折法を利用した粒度分布測定装置(例えば、マイクロトラックX100)でメジアン径として求めることができるものである。メジアン径とは個数基準の粒度分布における累積率が50%となる粒子径(D50)の値を示す。
(E)成分の見かけ密度は、0.40〜1.20g/cmが好ましく、0.55〜0.95g/cmであることがより好ましい。(E)成分の形状は、粒状、フレーク状、球状、針状、不規則形等が挙げられるが、粒状であることが好ましい。
(E)成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、10〜50質量%であることが好ましく、15〜40質量%であることがより好ましく、20〜35質量%であることが特に好ましい。(E)成分の含有量が上記範囲内であると、樹脂ペースト組成物の電気伝導性、粘度等の特性がダイボンディング材として一層好適なものとなる。
樹脂ペースト組成物は、上記以外の成分を含有していてもよく、例えば、樹脂ペースト組成物は、銀粉をさらに含有していてもよい。但し、樹脂ペースト組成物は、銀粉の代替成分である(E)成分を含有するものであるため、従来の樹脂ペーストと比較して銀粉の含有量が少ない場合でも、優れた電気伝導性が得られる。
銀粉の平均粒径は、1〜5μmであることが好ましい。ここで平均粒径は、レーザー光回折法を利用した粒度分布測定装置(例えば、マイクロトラックX100)でメジアン径として求めることができるものである。メジアン径とは個数基準の粒度分布における累積率が50%となる粒子径(D50)の値を示す。
銀粉のタップ密度は、3〜6g/cmであることが好ましい。また、銀粉の比表面積は、0.5〜1m/gであることが好ましい。また、銀粉の形状は、粒状、フレーク状、球状、針状、不規則形などが挙げられるが、フレーク状であることが好ましい。このような銀粉を、上記アルミニウム粉と組み合わせて用いることで、電気伝導性、ダイシェア強度、保存安定性、塗布作業性及び機械特性に一層優れる樹脂ペースト組成物が得られる。
銀粉の含有量Cに対する(E)成分であるアルミニウム粉の含有量Cの比C/C(質量比)は、2/8〜8/2であることが好ましく、3/7〜7/3であることがより好ましく、4/6〜6/4であることが特に好ましくい。比C/Cが8/2より大きいと、樹脂ペーストの粘度が増大し、作業性が低下する場合がある。
樹脂ペースト組成物は、(E)成分及び銀粉以外の導電性微粒子をさらに含有していてもよい。このような導電性微粒子としては、平均粒径が10μm未満である導電性微粒子が好ましい。また、導電性微粒子としては、金、銅、ニッケル、鉄、ステンレス等を含む導電性微粒子が挙げられる。
(E)成分、銀粉及び上記導電性微粒子の総含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、60〜85質量%であることが好ましく、65〜80質量%であることがより好ましく、70〜80質量%であることが特に好ましい。(E)成分、銀粉及び上記導電性微粒子の総含有量が上記範囲内であると、樹脂ペースト組成物の電気伝導性、粘度等の特性がダイボンディング材として一層好適なものとなる。
樹脂ペースト組成物は、カップリング剤をさらに含有していてもよい。カップリング剤としては、特に制限はなく、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコネート系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤等の各種のものが用いられる。カップリング剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
シランカップリング剤としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス(2−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ(メタクリロキシエトキシ)シラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−(4,5−ジヒドロイミダゾリル)プロピルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、エトキシシラントリイソシアネート等が挙げられる。
チタネート系カップリング剤としては、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジ−トリデシル)ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピル(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチル・アミノエチル)チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等が挙げられる。
アルミニウム系カップリング剤としては、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピオネート等が挙げられる。
ジルコネート系カップリング剤としては、テトラプロピルジルコネート、テトラブチルジルコネート、テトラ(トリエタノールアミン)ジルコネート、テトライソプロピルジルコネート、ジルコニウムアセチルアセトネートアセチルアセトンジルコニウムブチレート、ステアリン酸ジルコニウムブチレート等が挙げられる。
また、カップリング剤の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、0.5〜6.0質量%であることが好ましく、1.0〜5.0質量%であることがより好ましい。カップリング剤の含有量が0.5質量%以上であると、接着強度が一層向上する傾向がある。また、カップリング剤の含有量が6.0質量%を超えると、樹脂ペースト組成物の硬化時に揮発分が多く発生し、樹脂ペースト組成物の硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じやすくなる傾向がある。
樹脂ペースト組成物は、バインダー樹脂成分としてエポキシ樹脂(芳香族系エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂)、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂などを更に含有していてもよい。
樹脂ペースト組成物は、さらに必要に応じて、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿剤;フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤;シリコーン油等の消泡剤;無機イオン交換体等のイオントラップ剤等を、適宜組み合わせて添加することができる。
樹脂ペースト組成物は、上述した各成分を一括して又は分割して、撹拌器、ハイブリッドミキサー、ライカイ機、3本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせた装置に投入し、必要に応じて加熱して、混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペースト状とすることにより得ることができる。
樹脂ペースト組成物の25℃における粘度は、作業性の観点から、30〜200Pa・sであることが好ましく、50〜150Pa・sであることがより好ましく、50〜80Pa・sであることがさらに好ましい。
本実施形態に係る半導体装置は、支持部材と、半導体素子と、支持部材及び半導体素子の間に配置され、支持部材及び半導体素子を接着する接着層と、を備え、接着層が上記樹脂ペースト組成物の硬化物を含むものである。このような半導体装置は、上記樹脂ペースト組成物の硬化物により、支持部材と半導体素子とが接着されているため、電気伝導性及び信頼性に優れる。
支持部材としては、例えば、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ガラスエポキシ基板(ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板)、BT基板(シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドとからなるBTレジン使用基板)等の有機基板が挙げられる。
樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材上に接着する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
まず、支持部材上に樹脂ペースト組成物をディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等の方法で塗布して、樹脂層を形成する。次いで、樹脂層の支持基材と反対側の面から半導体素子を圧着し、その後、オーブン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて、樹脂層を加熱硬化する。これにより、支持部材上に半導体素子が接着される。
支持部材上に半導体素子を接着した後、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程等を行うことにより、本実施形態に係る半導体装置を得ることができる。なお、ワイヤボンド工程及び封止工程は、従来公知の方法により行うことができる。
上記加熱硬化は、例えば、加熱温度150〜220℃(好ましくは180〜200℃)、加熱時間30秒〜2時間(好ましくは1時間〜1.5時間)の条件で行うことができる。
通常、支持部材として有機基板を用いる場合には、有機基板が吸着した水分が接着時の加熱により蒸発してボイドの原因となるおそれがあるため、組み立て前に有機基板の乾燥を行うことが好ましい。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
本発明は、例えば、(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アミン化合物と、アルミニウム粉と、を含有する組成物の、半導体素子接着用接着剤としての応用、ということができる。
また本発明は、(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アミン化合物と、アルミニウム粉と、を含有する組成物の、半導体素子接着用接着剤の製造のための応用、であってもよい。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
実施例及び比較例で用いた成分を以下に例示する。
(1)(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物((A)成分)
・FA−512M(日立化成工業(株)製、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレートの製品名)((A−1)成分)
・R−712(日本化薬(株)製、ビスフェノ−ルF4モルエチレンオキサイド付加体ジアクリレートの製品名)((A−2)成分)
(2)重合開始剤((B)成分)
・パーヘキサ25B(日本油脂(株)製、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサンの製品名)
(3)可とう化剤((C)成分)
・CTBN1300×31(宇部興産(株)製、カルボキシ基含有アクリロニトリルブタジエン共重合体の商品名)
・エポリードPB4700(ダイセル化学工業(株)製、エポキシ化ポリブタジエンの商品名、数平均分子量:3500)
(4)アミン化合物((D)成分)
・jERキュアDICY7(三菱化学(株)製、ジシアンジアミドの商品名)
・2P4MHZ−PW(四国化成工業(株)製、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールの製品名)
(5)アルミニウム粉((E)成分)
・VA−2000(山石金属(株)製、アルミニウム粉の製品名、形状:粒状、平均粒径=6.7μm)
・No.800F(ミナルコ(株)製、アルミニウム粉の製品名、形状:粒状、平均粒径=3.1μm)
・No.500M(ミナルコ(株)製、アルミニウム粉の製品名、形状:粒状、平均粒径=10.4μm)
なお、図1(a)はVA−2000の電子顕微鏡写真を示す図であり、図1(b)はNo.800Fの電子顕微鏡写真を示す図であり、図1(c)はNo.500Mの電子顕微鏡写真を示す図である。また、各アルミニウム粉の平均粒径については、レーザー光回折法を利用した粒度分布測定装置(例えば、マイクロトラックX100)で粒度分布を測定し、累積50%(個数基準)の値を平均粒径とした。結果を、表1に示す。
(6)銀粉
・AgC−212DH(福田金属箔粉工業(株)製の銀粉の商品名、形状:フレーク状、平均粒径=2.9μm)
・SF−65LV((株)フェロ・ジャパン社製の銀粉の商品名、形状:フレーク状、平均粒径=3.5μm)
(7)カップリング剤
・KBM−403(信越化学工業(株)製のオルガノシランの製品名)
(8)芳香族系エポキシ樹脂
・N−665−EXP(DIC(株)製のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の製品名、エポキシ当量=198〜208)
(実施例1〜8、比較例1、参考例1)
表2又は表3に示す配合割合(質量比)で各成分を混合し、プラネタリミキサを用いて混練した後、666.61Pa(5トル(Torr))以下で10分間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。
得られた樹脂ペースト組成物の特性(粘度及び粘度安定性、ダイシェア接着強度、体積抵抗率)を以下に示す方法で測定した。結果は表2又は表3に示すとおりであった。なお、図2(a)は、実施例1で得られた樹脂ペースト組成物中のアルミニウム粉及び銀粉の混合粉の電子顕微鏡写真を示す図であり、図2(b)は、参考例1で得られた樹脂ペースト組成物中の銀粉の電子顕微鏡写真を示す図である。
(粘度及び粘度安定性の測定)
(a)粘度
EHD型回転粘度計(東京計器社製)を用いて25℃における粘度(Pa・s)を測定した。
(b)粘度安定性
(a)で測定した粘度を初期値とし、サンプリング時間を1日、3日、7日として、EHD型回転粘度計(東京計器社製)を用いて25℃における粘度(Pa・s)を測定した。
(ダイシェア強度の測定)
樹脂ペースト組成物を、Ni/Auメッキ付き銅フレーム(表2中、「Ni/Auメッキ」と略称する。)、Agめっき付き銅リードフレーム(表2中、「Agスポットメッキ」と略称する。)及びAgリングめっき付き銅リードフレーム(表2中、「Agリングメッキ」と略称する。)の各基板上にぞれぞれ約0.5mg塗布し、この上に3mm×3mmのSiチップ(厚さ約0.4mm)を圧着し、さらにオーブンで180℃まで30分で昇温し180℃で1時間硬化させて、試験サンプルを得た。
得られた各試験サンプルについて、自動接着力試験装置(BT4000、Dage社製)を用い、260℃/20秒保持時の剪断接着強度(MPa)を測定した。なおダイシェア強度の測定は、各基板について10個ずつの試験サンプルで行い、その平均値を評価した。
(塗布作業性の測定)
シリンジに樹脂ペースト組成物を充填し、ディスペンス装置(SHOTminiSL、武蔵エンジニアリング(株)製)を用い、21G(内径;570μm)ノズルでガラス基板上に20個吐出を行い塗工した。塗布後のガラス板上の樹脂ペースト組成物の形状を顕微鏡(KH−3000、株式会社ハイロックスジャパン製)で観察した。この時の塗工形状は、角状の突起状になるが、その突起部が倒れて塗工部をはみ出した個数をカウントし、以下の評価基準に従い評価した。
<評価基準>
A:突起部の倒れ数が0個
B:突起部の倒れ数が1個〜3個
C:突起部の倒れ数が4個〜9個
D:突起部の倒れ数が10個以上
(体積抵抗率の測定)
図3は、体積抵抗率の測定に用いる試験サンプルの作製方法を示す模式図である。試験サンプルは、樹脂ペースト組成物、スライドグラス(東京硝子器機(株)製、寸法=76×26mm、厚さ=0.9〜1.2mm)、及び紙テープ(日東電工CSシステム製、No.7210F、寸法幅=18mm、厚さ=0.10mm)を用いて、図3に示すように作製した。作製した試験サンプルについて、デジタルマルチメーター(TR6846、ADVANTEST社製)を用い、体積抵抗率(Ω・cm)を測定した。
なお、試験サンプルは、以下の方法で作製した。まず図3(a)に示すように、スライドグラス1の主面上に、3枚の紙テープ2を紙テープ2同士の間隔が約2mmとなるように貼り付けた。次いで、図3(b)に示すように、樹脂ペースト組成物3を紙テープ2の間で露出したスライドグラス1上に置き、スクイージで伸ばして紙テープの厚みと同じ厚みなるように塗布した。そして、紙テープ2を除去し、オーブンで180℃で1時間加熱して樹脂ペースト組成物3を硬化させ、図3(c)に示す試験サンプル10を作製した。作製した試験サンプル10は、スライドグラス1の主面上に樹脂ペースト組成物の硬化物からなる2mm幅の樹脂層4が設けられた構造を有している。この樹脂層4の体積抵抗率を、上記の方法で測定した。
表2及び表3に記載のとおり、実施例の樹脂ペースト組成物は、いずれの基板に対しても高いダイシェア強度を示し、優れた接着性を有するものであった。また、実施例の樹脂ペースト組成物は、保存安定性も良好であった。また、実施例1〜7の樹脂ペーストでは、希少価値が高い銀を大量に用いずとも、優れた電気伝導性が得られた。
本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れたダイシェア強度及び保存安定性を有しており、半導体素子と支持部材との接着に好適に用いることができる。
1…スライドグラス、2…紙テープ、3…樹脂ペースト組成物、4…樹脂層、10…試験サンプル。

Claims (10)

  1. (メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アミン化合物と、アルミニウム粉と、を含有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  2. 実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含有しない、請求項1に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  3. 前記可とう化剤がゴム成分を含む、請求項1又は2に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  4. 前記アミン化合物が、ジシアンジアミド及び/又はイミダゾール化合物である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  5. 前記アルミニウム粉の形状が粒状であり、
    前記アルミニウム粉の平均粒径が2〜10μmである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  6. 銀粉をさらに含有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  7. 前記銀粉の形状がフレーク状であり、
    前記銀粉の平均粒径が1〜5μmである、請求項6に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  8. 前記銀粉の含有量Cに対する前記アルミニウム粉の含有量Cの比C/Cが、質量比で2/8〜8/2である、請求項6又は7に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  9. 前記(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物が、(メタ)アクリル酸エステル化合物である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。
  10. 支持部材と、半導体素子と、前記支持部材及び前記半導体素子の間に配置され、前記支持部材及び前記半導体素子を接着する接着層と、を備え、
    前記接着層が、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物の硬化物を含む、半導体装置。
JP2013504665A 2011-03-14 2012-03-05 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置 Pending JPWO2012124527A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011055456 2011-03-14
JP2011055456 2011-03-14
PCT/JP2012/055577 WO2012124527A1 (ja) 2011-03-14 2012-03-05 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2012124527A1 true JPWO2012124527A1 (ja) 2014-07-24

Family

ID=46830602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013504665A Pending JPWO2012124527A1 (ja) 2011-03-14 2012-03-05 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPWO2012124527A1 (ja)
KR (1) KR20140018901A (ja)
CN (1) CN103429688A (ja)
SG (1) SG193438A1 (ja)
TW (1) TW201245377A (ja)
WO (1) WO2012124527A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5664673B2 (ja) * 2013-01-28 2015-02-04 日立化成株式会社 樹脂ペースト組成物
JP6405867B2 (ja) * 2013-12-16 2018-10-17 日立化成株式会社 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
KR102040529B1 (ko) * 2016-08-19 2019-11-06 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 다이 어태치 페이스트 및 반도체 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4722960A (en) * 1983-01-18 1988-02-02 Loctite Corporation Aluminum filled compositions
JP3985433B2 (ja) * 2000-06-27 2007-10-03 日立化成工業株式会社 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP4752109B2 (ja) * 2000-12-12 2011-08-17 日立化成工業株式会社 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
EP1758157A1 (en) * 2004-06-18 2007-02-28 Hitachi Chemical Co., Ltd. Resin paste for die bonding and its use
JP4457937B2 (ja) * 2005-03-28 2010-04-28 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5055764B2 (ja) * 2005-12-21 2012-10-24 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012124527A1 (ja) 2012-09-20
SG193438A1 (en) 2013-10-30
TW201245377A (en) 2012-11-16
CN103429688A (zh) 2013-12-04
KR20140018901A (ko) 2014-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6405867B2 (ja) 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JP6056821B2 (ja) 接続材料及び半導体装置
JP4752109B2 (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
US8749076B2 (en) Resin paste composition
JP5664673B2 (ja) 樹脂ペースト組成物
JP6532850B2 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、回路接続体、回路部材の接続方法、接着剤組成物の使用、フィルム状接着剤の使用及び接着シートの使用
JP2012236873A (ja) 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JP5625248B2 (ja) 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JP2009102603A (ja) 接着剤組成物及び半導体装置
JP2013067673A (ja) 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
WO2012124527A1 (ja) 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JP2012072305A (ja) 樹脂ペースト組成物
JP2012188622A (ja) 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JP7384168B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム
JP2012188465A (ja) 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JP2010225312A (ja) 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JP2009102602A (ja) 接着剤組成物及び半導体装置
JP2000239616A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP2010222452A (ja) 樹脂ペースト組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2002012603A (ja) 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP2003335924A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP4600429B2 (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP3985433B2 (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP2010215786A (ja) 樹脂ペースト組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2005154633A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置