JPWO2012090321A1 - エネルギービーム加工装置及びエネルギービーム加工方法 - Google Patents

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Abstract

配線にエネルギービーム３５を走査しながら照射することにより、配線を切断するエネルギービーム加工装置であって、配線にエネルギービームを走査しながら照射する照射部３６と、配線の抵抗値を測定する測定部３２と、照射部によるエネルギービームの走査及び照射を制御する制御部１０であって、エネルギービームの走査速度及び照射強度の少なくとも一方を測定部により測定された抵抗値に応じて制御し、測定部により測定された抵抗値が所定値を超えた際に照射部に対してエネルギービームの照射を停止させる制御を行う制御部とを有している。エネルギービームの走査速度及び照射強度の少なくとも一方を配線の抵抗値に応じて制御するため、信頼性を損なうことなく、高いスループットで配線を切断することができる。

Description

本発明は、エネルギービーム加工装置及びエネルギービーム加工方法に関する。
半導体装置に不具合があった場合には、半導体装置の回路の改修等が行われる場合がある。
半導体装置の回路の改修等を行う際には、配線の切断等が適宜行われる。
例えば集束イオンビームを照射するＦＩＢ（Focused Ion Beam）装置等を用い、配線に集束イオンビームを照射することにより、配線の切断が行われる。
背景技術としては以下のようなものがある。
特開昭６２−１５８３３号公報 特開２００５−１６６７２６号公報 特開２０００−１５０４０７号公報
しかしながら、配線が切断されたことを正確に判断することは必ずしも容易ではなく、切断不足や下層配線の誤切断等が生じてしまう場合がある。
本発明の目的は、信頼性を損なうことなく、高いスループットで配線を切断し得るエネルギービーム加工装置及びエネルギービーム加工方法を提供することにある。
実施形態の一観点によれば、配線にエネルギービームを走査しながら照射することにより、前記配線を切断するエネルギービーム加工装置であって、配線にエネルギービームを走査しながら照射する照射部と、前記配線の抵抗値を測定する測定部と、前記照射部による前記エネルギービームの走査及び照射を制御する制御部であって、前記エネルギービームの走査速度及び照射強度の少なくとも一方を前記測定部により測定された抵抗値に応じて制御し、前記測定部により測定された抵抗値が所定値を超えた際に前記照射部に対して前記エネルギービームの照射を停止させる制御を行う制御部とを有することを特徴とするエネルギービーム加工装置が提供される。
実施形態の他の観点によれば、配線にエネルギービームを走査しながら照射することにより前記配線を切断するエネルギービーム加工方法であって、エネルギービームの走査速度及び照射強度の少なくとも一方を配線の抵抗値に応じて制御しつつ、前記配線に、前記エネルギービームを走査しながら照射するステップと、前記配線の抵抗値が所定値を超えた際に前記エネルギービームの照射を停止するステップとを有することを特徴とするエネルギービーム加工方法が提供される。
開示のエネルギービーム加工装置によれば、配線の抵抗値に応じてエネルギービームの走査速度や照射強度を設定する。配線の抵抗値が低い段階において、走査速度を遅くし、又は、照射強度を強くすれば、配線の切断を促進することができる。一方、配線の抵抗値が大きくなるに伴って、走査速度を速くし、又は、照射強度を低くすれば、下層配線にダメージが加わることや、下層配線の誤切断等を防止することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性を損なうことなく、高いスループットで配線を切断することができる。
図１は、第１実施形態によるエネルギービーム加工装置を示す概略図である。 図２は、第１実施形態によるエネルギービーム加工装置の一部を拡大して示した斜視図である。 図３は、第１実施形態によるエネルギービーム加工方法を示すフローチャートである。 図４は、照射領域及び部分領域の例を示す平面図（その１）である。 図５は、照射領域及び部分領域の例を示す平面図（その２）である。 図６は、第１実施形態における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。 図７は、第１実施形態におけるイオンビームの照射を示すタイムチャート（その１）である。 図８は、第１実施形態におけるイオンビームの照射を示すタイムチャート（その２）である。 図９は、配線の抵抗値と走査速度との関係を示すグラフである。 図１０は、配線の抵抗値と待ち時間との関係を示すグラフである。 図１１は、第１実施形態の変形例（その１）における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。 図１２は、第１実施形態の変形例（その２）における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。 図１３は、第２実施形態によるエネルギービーム加工方法を示すフローチャートである。 図１４は、第２実施形態における各段階の閾値及び照射強度を示すテーブルである。 図１５は、第２実施形態におけるイオンビームの照射を示すタイムチャート（その１）である。 図１６は、第２実施形態におけるイオンビームの照射を示すタイムチャート（その２）である。 図１７は、配線の抵抗値と照射強度との関係を示すグラフである。 図１８は、第３実施形態によるエネルギービーム加工方法を示すフローチャートである。 図１９は、第３実施形態における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。 図２０は、第３実施形態におけるイオンビームの照射を示すタイムチャート（その１）である。 図２０は、第３実施形態におけるイオンビームの照射を示すタイムチャート（その２）である。 図２２は、第３実施形態の変形例（その１）における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。 図２３は、第３実施形態の変形例（その２）における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。
［第１実施形態］
第１実施形態によるエネルギービーム加工装置及び加工方法を図１乃至図１０を用いて説明する。図１は、本実施形態によるエネルギービーム加工装置を示す概略図である。図２は、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の一部を拡大して示した斜視図である。
まず、本実施形態によるエネルギービーム加工装置について図１及び図２を用いて説明する。
本実施形態によるエネルギービーム加工装置は、集束イオンビームを照射するＦＩＢ（Focused Ion Beam）装置を用いたものである。
本実施形態によるエネルギービーム加工装置は、制御処理部１０、入力部１２、記憶部１４、チャンバ１６、載置台２０、プローブ２２ａ、２２ｂ、プローブポジショナ２４ａ、２４ｂ、二次電子検出器２６、測定部３２、照射部３６、表示部４０等を有している。
制御処理部（制御部）１０は、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の全体を制御するとともに、所定の処理を行うものである。制御処理部１０としては、例えばパーソナルコンピュータ等が用いられている。
制御処理部１０には、操作者が命令を入力するための入力部１２が接続されている。入力部１２としては、例えば、キーボードやマウス等を用いることができる。
制御処理部１０には、記憶部１４が接続されている。記憶部１４には、測定結果等の様々なデータが一時的又は継続的に記憶される。記憶部１４には、制御処理部１０に所定の制御や処理を行わせるためのプログラムがインストールされている。
チャンバ１６内には、加工対象である半導体装置１８を載置する載置台２０と、プローブ２２ａ、２２ｂと、プローブ２２ａ、２２ｂを支持するプローブポジショナ２４ａ、２４ｂと、二次電子検出器２６とが設けられている。プローブ２２ａ、２２ｂは、切断すべき配線４２ｃ（図２参照）の抵抗値を測定するためのものである。プローブポジショナ２４ａ、２４ｂは、プローブ２２ａ、２２ｂを支持するとともに、プローブ２２ａ、２２ｂの位置合わせを行う。プローブポジショナ２４ａ、２４ｂは、制御部１０により制御される。
チャンバ１６には、フィードスルー２８が設けられている。プローブ２２ａ、２２ｂに接続された配線３０ａ、３０ｂは、フィードスルー２８を介してチャンバ１６の外部に引き出され、測定部（マルチメータ）３２に接続されている。測定部３２は、切断すべき配線４２ｃの抵抗値を測定するためのものである。測定部３２の一方の入力端子は、配線３０ａを介して一方のプローブ２２ａに電気的に接続されている。測定部３２の他方の入力端子は、配線３０ｂを介して他方のプローブ２２ｂに電気的に接続されている。
チャンバ１６には、チャンバ１６内を真空状態にするための真空排気装置３４が接続されている。
載置台２０の上方には、集束イオンビーム３５を照射する照射部（鏡筒）３６が設けられている。照射部３６には、イオン源（イオン銃）３８、レンズ系（図示せず）、走査コイル（図示せず）、及び、ブランキング機構（図示せず）等が設けられている。イオン源３８はイオンビーム３５を発生するものであり、例えばガリウムイオン源等が用いられている。レンズ系は、イオン源３８からのイオンビーム３５を集束させるためのものである。走査コイル（偏光器）は、イオンビーム３５の照射位置を制御し、イオンビーム３５を走査するためのものである。ブランキング機構は、イオンビーム３５のオン・オフを行うためのものである。イオンビーム３５のビーム径は、適宜設定し得る。ここでは、イオンビーム３５のビーム径を、例えば５ｎｍ程度とする。照射部３６は、切断すべき配線４２ｃの一部にイオンビーム３５を走査しながら照射することにより、スパッタリング効果により配線４２ｃの一部を薄く削っていき、配線４２ｃを切断する。
制御処理部１０は、切断すべき配線４２ｃの抵抗値に応じて、イオンビーム３５の走査速度を決定する。制御処理部１０により決定された走査速度に関する情報は、照射部３６に出力される。照射部３６は、制御処理部１０により決定された走査速度でイオンビーム３５を走査する。
また、制御処理部１０は、切断すべき配線４２ｃの抵抗値に応じて、一の走査が完了してから次の走査が行われるまでの待ち時間（待機時間）を決定する。制御処理部１０により決定された待ち時間に関する情報は、照射部３６に出力される。照射部３６は、一の走査が完了した後、制御処理部１０により予め決定された待ち時間だけ待ってから、次の走査を行う。
照射部３６によるイオンビーム３５の走査と、制御処理部１０による走査速度及び待ち時間の決定とは同期していない。このため、照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に、制御処理部１０による走査速度及び待ち時間の変更が行われる場合がある。照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に制御処理部１０による走査速度及び待ち時間の変更が行われた場合、照射部３６は、当該走査において走査速度を変更してもよいし、次の走査から走査速度を変更してもよい。また、照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に制御処理部１０による待ち時間の変更が行われた場合、照射部３６は、当該走査が完了した後、制御部１０により変更された新たな待ち時間だけ待って、次の走査を行う。
また、制御処理部１０は、照射部３６によりイオンビーム３５を走査する際における照射強度を決定する。制御処理部１０により決定された照射強度に関する情報は、照射部３６に出力される。本実施形態では、イオンビーム３５を走査する際における照射強度は、一定値とする。イオンビーム３５の照射強度は、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最低照射強度に対して例えば５倍の強度とする。なお、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの間は、イオンビーム３５の照射は行わない。
制御処理部１０には、後述する配線の抵抗値や加工の進行状況等を表示する表示部４０が接続されている。表示部４０としては、例えばＣＲＴや液晶ディスプレイ等が用いられる。
制御処理部１０は、二次電子検出器２６を用いて二次電子像を取得することも可能である。取得された二次電子像は、表示部４０に表示することが可能である。
こうして本実施形態によるエネルギービーム加工装置が形成されている。
次に、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の動作及び本実施形態によるエネルギービーム加工方法について図１乃至図１０を用いて説明する。図３は、本実施形態によるエネルギービーム加工方法を示すフローチャートである。
まず、載置台２０上に加工対象である半導体装置１８を載置する（ステップＳ１）。図２に示すように、半導体装置には、配線４２ａ〜４２ｅが形成されている。配線４２ａ〜４２ｅのうちの切断すべき配線は、例えば配線４２ｃである。配線４２ａ〜４２ｅの材料としては、例えばＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム）等が用いられている。
次に、図２に示すように、切断すべき配線４２ｃにプローブ２２ａ、２２ｂを接続する（ステップＳ２）。具体的には、配線４２ｃの切断すべき箇所の一方の側に一方のプローブ２２ａを接続し、配線４２ｃの切断すべき箇所の他方の側に他方のプローブ２２ｂを接続する。
次に、イオンビーム３５を照射する照射領域（加工領域、加工枠）４４を決定する（ステップＳ３）。図４は、照射領域及び部分領域の例を示す平面図（その１）である。図５は、照射領域及び部分領域の例を示す平面図（その２）である。図４及び図５において、照射領域４４は、一点鎖線を用いて示されている。配線４２ｃの幅方向における照射領域４４の寸法は、配線４２ｃの幅と等しくてもよいし、配線４２ｃの幅より大きくてもよい。ただし、配線４２ｃを確実に切断するためには、配線４２ｃの幅方向における照射領域４４の寸法が、配線４２ｃの幅より大きいことが好ましい。ここでは、配線４２ｃの幅方向における照射領域４４の寸法を、配線４２ｃの幅より大きく設定している。照射領域４４は、配線４２ｃの切断すべき箇所（被切断領域、被切断箇所）を含むように設定される。照射領域４４には、複数の部分領域（走査領域）４６ａ〜４６ｆが含まれる。図４及び図５において、各々の部分領域４６ａ〜４６ｆは、破線を用いて示されている。各々の部分領域４６ａ〜４６ｆは、１回の走査においてイオンビーム３５が照射される領域である。図４の場合には、部分領域４６ａ〜４６ｆの長手方向は、配線４２ｃの長手方向に沿っている。図５の場合には、部分領域４６ａ〜４６ｆの長手方向は、配線４２ｃの長手方向に対して交差する方向、より具体的には、配線４２ｃの長手方向に対して垂直な方向となっている。
次に、切断すべき配線４２ｃの抵抗値の測定を開始する（ステップＳ４）。配線４２ｃの抵抗値の測定は、測定部３２を用いて行われる。配線４２ｃの抵抗値の測定は、配線４２ｃの切断が完了するまで、継続的に行われる。
次に、制御処理部１０は、イオンビーム３５の走査速度を初期値に設定する（ステップＳ５）。イオンビーム３５の走査速度の初期値は、例えば、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最大走査速度の例えば５％の値とする（図６参照）。また、制御処理部１０は、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの待ち時間の値を、初期値に設定する（ステップＳ５）。待ち時間の初期値は、例えば、所定時間の１０分の１の時間とする（図６参照）。ここで、所定時間は、制御処理部１０が測定部３２により配線４２ｃの抵抗値を取得してから、制御処理部１０が照射部３６に対してイオンビーム３５の照射停止の命令を出力するまでに要する時間である。具体的には、制御処理部１０が抵抗値を取得するのに要する時間、取得した抵抗値と閾値とを比較するのに要する時間、及び、イオンビームを停止させる処理を行うのに要する時間等が、かかる所定時間に含まれる。また、制御処理部１０は、後述する閾値を初期値に設定する（ステップＳ５）。閾値の初期値、即ち、第１段階の閾値は、例えば１０Ωとする（図６参照）。制御処理部１０は、設定した閾値を、例えば、記憶部１４内に設けられた閾値メモリ（図示せず）に記憶する。
次に、制御処理部１０は、照射部３６に対して、照射領域４４へのイオンビーム３５の照射を開始させる（ステップＳ６）。照射領域４４へのイオンビーム３５の照射は以下のようにして行われる。
照射部３６は、まず、照射領域４４に含まれる複数の部分領域４６ａ〜４６ｆのうちの第１の部分領域４６ａに対してイオンビーム３５を照射する（図４及び図５参照）。具体的には、第１の部分領域４６ａにおける走査の始点においてイオンビーム３５の照射を開始し、走査の終点に向かってイオンビーム３５の照射箇所を徐々に移動させる。そして、イオンビーム３５の照射箇所が第１の部分領域４６ａにおける走査の終点に達した際に、イオンビーム３５の照射を停止する。図４及び図５における矢印は、走査方向を示している。走査速度は、予め制御処理部１０により決定された走査速度とする。なお、初期段階においては、走査速度は初期値となっている。
照射部３６は、第１の部分領域４６ａに対するイオンビーム３５の走査が完了すると、イオンビーム３５の照射を停止し、制御処理部１０により予め決定された待ち時間だけ待機する。
照射部３６は、制御処理部１０により予め決定された待ち時間を経た後、第１の部分領域４６ａに隣接する第２の部分領域４６ｂに対して、イオンビーム３５の走査を行う。具体的には、第２の部分領域４６ｂにおける走査の始点においてイオンビーム３５の照射を開始し、走査の終点に向かってイオンビーム３５の照射箇所を徐々に移動させる。そして、イオンビーム３５の照射箇所が第２の部分領域４６ｂにおける走査の終点に達した際に、イオンビーム３５の照射を停止する。
照射部３６は、第２の部分領域４６ｂに対するイオンビーム３５の走査が完了すると、イオンビーム３５の照射を停止し、制御部１０により予め決定された待ち時間だけ待機する。
照射部３６は、制御処理部１０により予め決定された待ち時間を経た後、第２の部分領域４６ｂに隣接する第３の部分領域４６ｃに対して、イオンビーム３５の走査を行う。具体的には、第３の部分領域４６ｃにおける走査の始点においてイオンビーム３５の照射を開始し、走査の終点に向かってイオンビーム３５の照射箇所を徐々に移動させる。そして、イオンビーム３５の照射箇所が第３の部分領域４６ｃにおける走査の終点に達した際に、イオンビーム３５の照射を停止する。
この後、同様にして、照射領域４４に含まれる他の部分領域４６ｄ〜４６ｆに対してもイオンビーム３５の走査が順次行われる。
照射領域４４に含まれる全ての部分領域４６ａ〜４６ｆに対してイオンビーム３５の走査が一通り行われた後には、再度、同様にして複数の部分領域４６ａ〜４６ｆの各々に対してイオンビーム３５の走査が順次行われる。なお、ここでは、照射領域４４に含まれる部分領域４６ａ〜４６ｆが６個である場合を例に説明するが、照射領域４４に含まれる部分領域は６個に限定されるものではない。配線４２ｃの幅とイオンビーム３５のビーム径とに応じて、部分領域の数を適宜設定すればよい。照射領域４４に含まれる部分領域がｎ個である場合、ｎ番目の部分領域に対して走査が完了した後には、１番目の部分領域に戻り、１番目の部分領域から順に走査が行われる。
各部分領域４６ａ〜４６ｆに対して順次行われるイオンビーム３５の走査は、配線４２ｃが切断されるまで繰り返し行われる。
照射部３６によりイオンビーム３５の走査が開始された後、即ち、ステップＳ６より後においては、制御処理部１０は、以下のような処理を行う。
即ち、制御処理部１０は、測定部３２により測定された配線４２ｃの抵抗値と予め設定された閾値とを比較する（ステップＳ７）。予め設定した閾値は、例えば、記憶部１４内に設けられた閾値メモリ（図示せず）に記憶されている。
図６は、各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。
図６に示すように、第１段階の閾値は、初期段階の閾値、即ち、初期値であり、例えば１０Ωである。また、第２段階の閾値は、例えば１００Ωである。また、第３段階の閾値は、例えば１ｋΩである。また、第４段階の閾値は、例えば１０ｋΩである。また、第５段階の閾値は、例えば１００ｋΩである。また、第６段階の閾値は、最終段階の閾値であり、例えば１ＭΩである。
図６に示すテーブルは、例えば記憶部１４に記憶されている。
配線４２ｃの抵抗値が予め設定された閾値より小さい場合には（ステップＳ８）、ステップＳ７に戻る。
配線４２ｃの抵抗値が予め設定された閾値以上である場合には（ステップＳ８）、制御処理部１０は、当該閾値が最終段階の閾値であるか否かを確認する（ステップＳ９）。
当該閾値が最終段階の閾値でない場合には、制御処理部１０は、測定された配線４２ｃの抵抗値に基づいて、以下のようにして閾値、走査速度及び待ち時間を更新する（ステップＳ１０）。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第１段階の閾値より大きく、第２段階の閾値以下である場合には、制御処理部１０は、閾値を、第２段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、走査速度を、第２段階の走査速度に設定する。第２段階の走査速度は、図６に示すように、例えば、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最大走査速度の例えば３５％の速度とする。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第２段階の待ち時間に設定する。第２段階の待ち時間は、図６に示すように、例えば、上述した所定時間の例えば５分の１の時間とする。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第２段階の閾値より大きく、第３段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第３段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、走査速度を、第３段階の走査速度に設定する。第３段階の走査速度は、図６に示すように、例えば、エネルギービーム加工装置の最大走査速度の例えば５０％の速度とする。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第３段階の待ち時間に設定する。第３段階の待ち時間は、図６に示すように、例えば、上述した所定時間の例えば３分の１の時間とする。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第３段階の閾値より大きく、第４段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第４段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部は、走査速度を、第４段階の走査速度に設定する。第４段階の走査速度は、図６に示すように、例えば、エネルギービーム加工装置の最大走査速度の例えば７０％とする。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第４段階の待ち時間に設定する。第４段階の待ち時間は、図６に示すように、例えば、上述した所定時間の例えば２分の１の時間とする。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第４段階の閾値より大きく、第５段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第５段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、走査速度を、第５段階の走査速度に設定する。第５段階の走査速度は、図６に示すように、例えば、エネルギービーム加工装置の最大走査速度の例えば９０％の速度とする。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第５段階の待ち時間に設定する。第５段階の待ち時間は、図６に示すように、例えば、上述した所定時間とする。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第５段階の閾値より大きく、第６の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第６段階の閾値、即ち、最終段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、走査速度を、第６段階の走査速度に設定する。第６段階の走査速度は、図６に示すように、例えば、エネルギービーム加工装置の最大走査速度とする。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第６段階の待ち時間に設定する。第６段階の待ち時間は、図６に示すように、例えば、上述した所定時間とする。
制御処理部１０は、このようにして決定した閾値を、例えば、記憶部１４内に設けられた閾値メモリ（図示せず）に記憶する。制御処理部１０は、決定した走査速度及び待ち時間に関する情報を、照射部３６に対して出力する。走査速度及び待ち時間が制御処理部１０により更新された場合には、照射部３６は、更新された走査速度及び待ち時間でエネルギービーム３５の走査を行うこととなる。
図７及び図８は、イオンビームの照射を示すタイムチャートである。図７及び図８における横軸は、時間を示しており、図７及び図８における縦軸は、イオンビームの照射強度を示している。図７（ａ）は、第１段階の場合を示している。図７（ｂ）は、第２段階の場合を示している。図７（ｃ）は、第３段階の場合を示している。図７（ｄ）は、第４段階の場合を示している。図８（ａ）は、第５段階の場合を示している。図８（ｂ）は、第６段階の場合を示している。
図９は、配線の抵抗値と走査速度との関係を示すグラフである。図９における横軸は、配線の抵抗値を示している。図９における縦軸は、走査速度を示している。なお、図９においては、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最高走査速度を１．０としている。
図９に示すように、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きくなるほど走査速度が速くなる。
図１０は、配線の抵抗値と待ち時間との関係を示すグラフである。図１０における横軸は、配線の抵抗値を示している。図１０における縦軸は、待ち時間を示している。なお、図９においては、上述した所定時間の長さを１．０としている。
図１０に示すように、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きくなるほど待ち時間が長くなる。
閾値、走査速度及び待ち時間を更新した後、即ち、ステップＳ１０の後には、制御処理部１０は、ステップＳ７以降の処理を繰り返し行う。
なお、測定された配線４２ｃの抵抗値が小さいほど走査速度を遅くするのは、以下のような理由によるものである。即ち、走査速度が遅いほど、当該走査において配線４２ｃが薄くなるのが早い。このため、走査速度を遅くすることは、配線４２ｃの切断におけるスループットの向上に寄与する。一方、配線４２ｃの抵抗値が小さいうちは、当該走査によって配線４２ｃが切断されるに至る可能性は低い。このため、遅い速度で走査を行っても、当該走査においてイオンビームの過剰な照射が半導体装置１８に対して行われてしまう可能性は低い。このような理由により、測定された配線４２ｃの抵抗値が小さいほど走査速度を遅く設定している。
また、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きいほど走査速度を速く設定するのは、以下のような理由によるものである。即ち、配線４２ｃの抵抗値が大きくなると、当該走査によって配線４２ｃが切断されるに至る可能性が高くなる。速い速度で走査を行うことは、当該走査によって配線４２ｃが切断された際に半導体装置１８に対してダメージが加わるのを低減するのに寄与する。このような理由により、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きいほど走査速度を速く設定している。
また、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの待ち時間を、測定された配線４２ｃの抵抗値が小さいほど短く設定するのは、以下のような理由によるものである。即ち、配線４２ｃの抵抗値が小さいうちは、当該走査によって配線４２ｃが切断されるに至る可能性は低い。このため、短い待ち時間で次の走査を開始したとしても、半導体装置１８に対して大きなダメージが加わってしまう可能性は低い。一方、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの待ち時間を短く設定することは、スループットの向上に寄与する。このような理由により、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの待ち時間を、測定された配線４２ｃの抵抗値が小さいほど短く設定している。
また、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの待ち時間を、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きくなるほど長く設定するのは、以下のような理由によるものである。即ち、配線４２ｃの抵抗値が大きくなっている場合には、当該走査によって配線４２ｃが切断されるに至る可能性は高い。一の走査が完了した段階で配線４２ｃが切断されているにもかかわらず、次の走査を行った場合には、下層配線等にダメージが加わってしまう虞がある。一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの待ち時間を、配線４２ｃの抵抗値が大きくなるほど長くすれば、配線４２ｃが既に切断されているにもかかわらず次の走査が行われるのを防止し得る。このような理由により、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの待ち時間を、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きいほど長く設定している。
測定された配線４２ｃの抵抗値が第６段階の閾値、即ち、最終段階の閾値を超えた場合には（ステップＳ９）、制御処理部１０は、配線４２ｃの切断が完了したと判断する。この場合には、制御処理部１０は、照射部３６に対して、イオンビーム３５の照射を停止させる制御を行う（ステップＳ１１）。こうして、照射領域４４に対するイオンビーム３５の照射が終了する。
次に、測定部３２による配線４２ｃの抵抗値の測定を終了する（ステップＳ１２）。
次に、プローブ２２ａ、２２ｂと配線４２ｃとの接続を解除する（ステップＳ１３）。
こうして、本実施形態によるエネルギービーム加工方法が完了する。
このように、本実施形態によれば、配線４２ｃの抵抗値に応じて走査速度や待ち時間を設定する。配線４２ｃの抵抗値が低い段階においては、走査速度が遅いため、配線４２ｃの切断を促進することができる。また、配線４２ｃの抵抗値が低い段階においては、待ち時間が短いため、高いスループットを得ることができる。一方、配線４２ｃの抵抗値が大きくなった段階においては、走査速度が速いため、下層配線等にダメージが加わるのを抑制することができる。また、配線４２ｃの抵抗値が大きくなった段階においては、待ち時間が長いため、一の走査で配線４２ｃの切断が完了したにもかかわらず次の走査が行われるのを防止することができる。このため、下層配線の誤切断や下層配線にダメージが加わるのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性を損なうことなく、高いスループットで配線４２ｃを切断することができる。
（変形例（その１））
次に、本実施形態による変形例（その１）におけるエネルギービーム加工装置及び加工方法について図１１を用いて説明する。図１１は、本変形例における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。
図１１に示すように、本変形例では、各段階における閾値については、図６を用いて上述した第１実施形態の場合と同様に設定されている。また、各段階における走査速度についても、図６を用いて上述した第１実施形態の場合と同様に設定されている。
一方、本変形例では、待ち時間については、２種類となっている。即ち、第１段階と第２段階の照射においては、待ち時間は、上述した所定時間の例えば１０分の１の時間としている。また、第３段階から第６段階の照射においては、上述した所定時間とする。
図１１に示すテーブルは、例えば記憶部１４に記憶されている。
各段階における閾値、走査速度及び待ち時間の組み合わせを、本変形例のように設定してもよい。
（変形例（その２））
次に、本実施形態による変形例（その２）におけるエネルギービーム加工装置及び加工方法について図１２を用いて説明する。図１２は、本変形例における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。
図１２に示すように、本変形例では、各段階における閾値については、図６を用いて上述した第１実施形態の場合と同様に設定されている。また、各段階における走査速度についても、図６を用いて上述した第１実施形態の場合と同様に設定されている。
一方、本変形例では、待ち時間については、２種類となっている。即ち、第１段階から第３段階の照射までは、待ち時間は、上述した所定時間の例えば５分の１の時間としている。また、第４段階から第６段階の照射までは、上述した所定時間とする。
図１２に示すテーブルは、例えば記憶部１４に記憶されている。
各段階における閾値、走査速度及び待ち時間の組み合わせを、本変形例のように設定してもよい。
［第２実施形態］
第２実施形態によるエネルギービーム加工装置及び加工方法を図１、図１３乃至図１７を用いて説明する。図１３は、本実施形態によるエネルギービーム加工方法を示すフローチャートである。図１至図１２に示す第１実施形態によるエネルギービーム加工装置及び加工方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本実施形態によるエネルギービーム加工装置は、測定された配線４２ｃの抵抗値に応じて、イオンビーム３５の照射強度を変化させることに主な特徴がある。
制御処理部１０は、切断すべき配線４２ｃの抵抗値に応じて、イオンビーム３５の照射強度を決定する。制御処理部１０により決定された照射強度に関する情報は、照射部３６に出力される。照射部３６は、制御処理部１０により決定された照射強度でイオンビーム３５を走査する。照射部３６によるイオンビーム３５の走査と、制御処理部１５による照射強度の決定とは同期していない。このため、照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に、制御処理部１０による照射強度の変更が行われる場合もある。照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に制御処理部１０による照射強度の変更が行われた場合、照射部３６は、当該走査において照射強度を変更してもよいし、次の走査から照射強度を変更してもよい。なお、第１実施形態によるエネルギービーム加工装置と同様に、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの間は、イオンビーム３５の照射は行わない。
また、制御処理部１０は、照射部３６によりイオンビーム３５を走査する際における走査速度を決定する。制御処理部１０により決定された走査速度に関する情報は、照射部３６に出力される。本実施形態では、イオンビーム３５を走査する際における走査速度は、一定値（固定値）とする。具体的には、イオンビーム３５の走査速度は、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最高走査速度に対して、例えば５０％の速度とする。
また、制御処理部１０は、一の走査が完了してから次の走査が行われるまでの待ち時間を決定する。制御処理部１０により決定された待ち時間に関する情報は、照射部３６に出力される。照射部３６は、一の走査が完了した後、制御処理部１０により予め決定された待ち時間だけ待ってから、次の走査を行う。本実施形態では、待ち時間は、一定値（固定値）とする。具体的には、本実施形態では、待ち時間は、例えば上述した所定時間とする。
こうして本実施形態によるエネルギービーム加工装置が形成されている。
次に、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の動作及び本実施形態によるエネルギービーム加工方法について図１、図２、図１３乃至図１７を用いて説明する。図１３は、本実施形態によるエネルギービーム加工方法を示すフローチャートである。
まず、半導体装置１８を載置する工程（ステップＳ２１）から配線４２ｃの抵抗値の測定を開始するステップ（ステップＳ２４）までは、図３を用いて上述した第１実施形態によるエネルギービーム加工方法のステップＳ１〜Ｓ４と同様であるので、説明を省略する。
次に、制御処理部１０は、イオンビーム３５の照射強度を初期値に設定する（ステップＳ２５）。イオンビーム３５の照射強度の初期値は、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最低照射強度の例えば５倍の値とする（図１４参照）。また、制御処理部１０は、閾値を初期値に設定する（ステップＳ２５）。閾値の初期値、即ち、第１段階の閾値は、例えば１０Ωとする（図１４参照）。制御処理部１０は、設定した閾値を、例えば、記憶部１４内に設けられた閾値メモリ（図示せず）に記憶する。
次に、図３を用いて上述した第１実施形態によるエネルギービーム加工方法のステップＳ６と同様にして、制御処理部１０は、照射部３６に対して、照射領域４４へのイオンビーム３５の照射を開始させる（ステップＳ２６）。
照射部３６によりイオンビーム３５の照射が開始された後、即ち、ステップＳ２６より後においては、制御処理部１０は、以下のような処理を行う。
即ち、図３を用いて上述した第１実施形態によるエネルギービーム加工方法のステップＳ７と同様に、制御処理部１０は、測定部３２により測定された配線４２ｃの抵抗値と予め設定された閾値とを比較する（ステップＳ２７）。
図１４は、各段階の閾値及び照射強度を示すテーブルである。
図１４に示すように、各段階の閾値は、図６を用いて上述した第１実施形態によるエネルギービーム加工方法における各段階の閾値と同様である。
配線４２ｃの抵抗値が予め設定された閾値より小さい場合には（ステップＳ２８）、ステップＳ２７に戻る。
一方、配線４２ｃの抵抗値が予め設定された閾値以上である場合には（ステップＳ２８）、制御処理部１０は、当該閾値が最終段階の閾値であるか否かを確認する（ステップＳ２９）。
当該閾値が最終段階の閾値でない場合には、制御処理部１０は、測定された配線４２ｃの抵抗値に基づいて、以下のようにして閾値を更新する（ステップＳ３０）。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第１段階の閾値より大きく、第２段階の閾値以下である場合には、制御処理部１０は、閾値を、第２段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第２段階の照射強度に設定する。第２段階の照射強度は、図１４に示すように、例えば、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最低照射強度の例えば４倍の強度とする。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第２段階の閾値より大きく、第３段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第３段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第３段階の照射強度に設定する。第３段階の照射強度は、図１４に示すように、例えば、エネルギービーム加工装置の最低照射強度の３倍の強度とする。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第３段階の閾値より大きく、第４段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第４段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部は、エネルギービーム３５の照射強度を、第４段階の照射強度に設定する。第４段階の照射強度は、図１４に示すように、例えば、エネルギービーム加工装置の最低照射強度の例えば２倍とする。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第４段階の閾値より大きく、第５段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第５段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第５段階の照射強度に設定する。第５段階の照射強度は、図１４に示すように、例えば、エネルギービーム加工装置の最低照射強度の例えば１．５倍の強度とする。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第５段階の閾値より大きく、第６の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第６段階の閾値、即ち、最終段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第６段階の照射強度に設定する。第６段階の照射強度は、図１４に示すように、例えば、エネルギービーム加工装置の最低照射強度とする。
制御処理部１０は、このようにして決定した閾値を、例えば、記憶部１４内に設けられた閾値メモリ（図示せず）に記憶する。制御処理部１０は、決定した照射強度に関する情報を、照射部３６に対して出力する。照射強度が制御処理部１０により更新された場合には、照射部３６は、更新された照射強度でエネルギービーム３５の走査を行うこととなる。
図１５及び図１６は、イオンビームの照射を示すタイムチャートである。図１５及び図１６における横軸は、時間を示しており、図１５及び図１６における縦軸は、イオンビームの照射強度を示している。図１５（ａ）は、第１段階の場合を示している。図１５（ｂ）は、第２段階の場合を示している。図１５（ｃ）は、第３段階の場合を示している。図１５（ｄ）は、第４段階の場合を示している。図１６（ａ）は、第５段階の場合を示している。図１６（ｂ）は、第６段階の場合を示している。
図１７は、配線の抵抗値と照射強度との関係を示すグラフである。図１７における横軸は、配線の抵抗値を示している。図１７における縦軸は、照射強度を示している。なお、図１７においては、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最低照射強度を１．０としている。
図１７に示すように、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きくなるほど照射強度が低くなる。
閾値及び照射強度を更新した後、即ち、ステップＳ３０の後には、制御処理部１０は、ステップＳ２７以降の処理を繰り返し行う。
なお、測定された配線４２ｃの抵抗値が小さいほど照射強度を強くするのは、以下のような理由によるものである。即ち、照射強度が強いほど、当該走査において配線４２ｃが薄くなるのが早い。このため、照射強度を強くすることは、スループットの向上に寄与する。一方、配線４２ｃの抵抗値が小さいうちは、当該走査によって配線４２ｃが切断されるに至る可能性は低い。このため、強い照射強度で照射を行っても、当該走査において半導体装置１８に対してイオンビームの過剰な照射を行ってしまう可能性は低い。このような理由により、測定された配線４２ｃの抵抗値が小さいほど照射強度を強く設定している。
また、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きいほど照射強度を低く設定するのは、以下のような理由によるものである。即ち、配線４２ｃの抵抗値が大きくなると、当該走査によって配線４２ｃが切断されるに至る可能性は高くなる。弱い照射強度で照射を行うことは、当該走査によって配線４２ｃが切断された際に半導体装置１８に対してダメージが加わるのを低減するのに寄与する。このような理由により、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きいほど照射強度を弱く設定している。
測定された配線４２ｃの抵抗値が第６段階の閾値、即ち、最終段階の閾値を超えた場合には（ステップＳ２９）、制御処理部１０は、配線４２ｃの切断が完了したと判断する。この場合には、制御処理部１０は、照射部３６に対して、イオンビーム３５の照射を停止させる制御を行う（ステップＳ３１）。こうして、照射領域４４に対するイオンビーム３５の照射が終了する。
次に、測定部３２による配線４２ｃの抵抗値の測定を終了する（ステップＳ３２）。
次に、プローブ２２ａ、２２ｂと配線４２ｃとの接続を解除する（ステップＳ３３）。
こうして、本実施形態によるエネルギービーム加工方法が完了する。
このように、本実施形態によれば、配線４２ｃの抵抗値に応じてイオンビーム３５の照射強度を設定する。配線４２ｃの抵抗値が低い段階においては、イオンビーム３５の照射強度が強いため、配線４２ｃの切断を促進することができる。一方、配線４２ｃの抵抗値が大きくなった段階においては、照射強度が低いため、下層配線にダメージが加わることや下層配線の誤切断等を防止することができる。このため、本実施形態によっても、信頼性を損なうことなく、高いスループットで配線４２ｃを切断することができる。
［第３実施形態］
第３実施形態によるエネルギービーム加工装置及び加工方法を図１、図１８乃至図２１を用いて説明する。図１８は、本実施形態によるエネルギービーム加工方法を示すフローチャートである。図１至図１７に示す第１実施形態によるエネルギービーム加工装置及び加工方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本実施形態によるエネルギービーム加工装置は、測定された配線４２ｃの抵抗値に応じて、イオンビーム３５の走査速度、待ち時間及び照射強度を変化させることに主な特徴がある。
制御処理部１０は、切断すべき配線４２ｃの抵抗値に応じて、イオンビーム３５の走査速度を決定する。制御処理部１０により決定された走査速度に関する情報は、照射部３６に出力される。照射部３６は、制御処理部１０により決定された走査速度でイオンビーム３５を走査する。
また、制御処理部１０は、切断すべき配線４２ｃの抵抗値に応じて、イオンビーム３５の照射強度を決定する。制御処理部１０により決定された照射強度に関する情報は、照射部３６に出力される。照射部３６は、制御処理部１０により決定された照射強度でイオンビーム３５を走査する。
また、制御処理部１０は、切断すべき配線４２ｃの抵抗値に応じて、一の走査が完了してから次の走査が行われるまでの待ち時間（待機時間）を決定する。制御処理部１０により決定された待ち時間に関する情報は、照射部３６に出力される。照射部３６は、一の走査が完了した後、制御処理部１０により予め決定された待ち時間だけ待ってから、次の走査を行う。
照射部３６によるイオンビーム３５の走査と、制御処理部１０による走査速度、照射強度及び待ち時間の決定とは同期していない。このため、照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に、制御処理部１０による走査速度、照射強度及び待ち時間の変更が行われる場合がある。照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に制御処理部１０による走査速度の変更が行われた場合、照射部３６は、当該走査において走査速度を変更してもよいし、次の走査から走査速度を変更してもよい。また、照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に制御処理部１０による照射強度の変更が行われた場合、照射部３６は、当該走査において照射強度を変更してもよいし、次の走査から照射強度を変更してもよい。また、照射部３６がイオンビーム３５を走査している最中に制御処理部１０による待ち時間の変更が行われた場合、照射部３６は、当該走査が完了した後、制御部１０により変更された新たな待ち時間だけ待って、次の走査を行う。
なお、第１実施形態によるエネルギービーム加工装置と同様に、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの間は、イオンビーム３５の照射は行わない。
こうして本実施形態によるエネルギービーム加工装置が形成されている。
次に、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の動作及び本実施形態によるエネルギービーム加工方法について図１、図２、図９、図１０、図１７、図１８乃至図２１を用いて説明する。図１８は、本実施形態によるエネルギービーム加工方法を示すフローチャートである。
まず、半導体装置１８を載置する工程（ステップＳ４１）から配線４２ｃの抵抗値の測定を開始するステップ（ステップＳ４４）までは、図３を用いて上述した第１実施形態によるエネルギービーム加工方法のステップＳ１〜Ｓ４と同様であるので、説明を省略する。
次に、制御処理部１０は、閾値を初期値に設定する（ステップＳ４５）。閾値の初期値、即ち、第１段階の閾値は、例えば１０Ωとする（図１９参照）。制御処理部１０は、設定した閾値を、例えば、記憶部１４内に設けられた閾値メモリ（図示せず）に記憶する。また、制御処理部１０は、イオンビーム３５の走査速度を初期値に設定する（ステップＳ４５）。イオンビーム３５の走査速度の初期値は、例えば、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最大走査速度の例えば５％の値とする（図１９参照）。また、制御処理部１０は、一の走査が完了してから次の走査が開始されるまでの待ち時間の値を、初期値に設定する（ステップＳ４５）。待ち時間の初期値は、例えば、上述した所定時間の１０分の１の時間とする（図１９参照）。また、制御処理部１０は、イオンビーム３５の照射強度を初期値に設定する（ステップＳ４５）。イオンビーム３５の照射強度の初期値は、本実施形態によるエネルギービーム加工装置の最低照射強度の例えば５倍の値とする（図１９参照）。
次に、図３を用いて上述した第１実施形態によるエネルギービーム加工方法のステップＳ６と同様にして、制御処理部１０は、照射部３６に対して、照射領域４４へのイオンビーム３５の照射を開始させる（ステップＳ４６）。
照射部３６によりイオンビーム３５の照射が開始された後、即ち、ステップＳ４６より後においては、制御処理部１０は、以下のような処理を行う。
即ち、図３を用いて上述した第１実施形態によるエネルギービーム加工方法のステップＳ７と同様に、制御処理部１０は、測定部３２により測定された配線４２ｃの抵抗値と予め設定された閾値とを比較する（ステップＳ４７）。
図１９は、各段階の閾値、走査速度、待ち時間及び照射強度を示すテーブルである。
図１９に示すように、各段階の閾値は、図６及び図１４を用いて上述した第１及び第２実施形態によるエネルギービーム加工方法における各段階の閾値と同様である。また、図１９に示すように、各段階の走査速度及び待ち時間は、図６を用いて上述した第１実施形態によるエネルギービーム加工方法における各段階の走査速度及び待ち時間と同様である。また、図１９に示すように、各段階の照射強度は、図１４を用いて上述した第２実施形態によるエネルギービーム加工方法における各段階の照射強度と同様である。
図１９に示すテーブルは、例えば記憶部１４に記憶されている。
配線４２ｃの抵抗値が予め設定された閾値より小さい場合には（ステップＳ４８）、ステップＳ４７に戻る。
一方、配線４２ｃの抵抗値が予め設定された閾値以上である場合には（ステップＳ４８）、制御処理部１０は、当該閾値が最終段階の閾値であるか否かを確認する（ステップＳ４９）。
当該閾値が最終段階の閾値でない場合には、制御処理部１０は、測定された配線４２ｃの抵抗値に基づいて、以下のようにして閾値、走査速度、待ち時間及び照射強度を更新する（ステップＳ５０）。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第１段階の閾値より大きく、第２段階の閾値以下である場合には、制御処理部１０は、閾値を、第２段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、走査速度を、第２段階の走査速度に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第２段階の待ち時間に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第２段階の照射強度に設定する。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第２段階の閾値より大きく、第３段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を、第３段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、走査速度を、第３段階の走査速度に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第３段階の待ち時間に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第３段階の照射強度に設定する。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第３段階の閾値より大きく、第４段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第４段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部は、走査速度を、第４段階の走査速度に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第４段階の待ち時間に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第４段階の照射強度に設定する。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第４段階の閾値より大きく、第５段階の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第５段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、走査速度を、第５段階の走査速度に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第５段階の待ち時間に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第５段階の照射強度に設定する。
測定された配線４２ｃの抵抗値が、第５段階の閾値より大きく、第６の閾値以下の場合には、制御処理部１０は、閾値を第６段階の閾値、即ち、最終段階の閾値に設定する。この場合、制御処理部１０は、走査速度を、第６段階の走査速度に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、待ち時間を、第６段階の待ち時間に設定する。また、この場合、制御処理部１０は、エネルギービーム３５の照射強度を、第６段階の照射強度に設定する。
制御処理部１０は、このようにして決定した閾値を、例えば、記憶部１４内に設けられた閾値メモリ（図示せず）に記憶する。制御処理部１０は、決定した走査速度、待ち時間及び照射強度に関する情報を、照射部３６に対して出力する。走査速度、待ち時間及び照射強度が制御処理部１０により更新された場合には、照射部３６は、更新された走査速度、待ち時間及び照射強度でエネルギービーム３５の走査を行うこととなる。
図２０及び図２１は、イオンビームの照射を示すタイムチャートである。図２０及び図２１における横軸は、時間を示しており、図２０及び図２１における縦軸は、イオンビームの照射強度を示している。図２０（ａ）は、第１段階の場合を示している。図２０（ｂ）は、第２段階の場合を示している。図２０（ｃ）は、第３段階の場合を示している。図２０（ｄ）は、第４段階の場合を示している。図２１（ａ）は、第５段階の場合を示している。図２１（ｂ）は、第６段階の場合を示している。
本実施形態では、第１実施形態の場合と同様に、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きくなるほど走査速度が速くなる（図９参照）。
また、本実施形態では、第１実施形態の場合と同様に、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きくなるほど待ち時間が長くなる（図１０参照）。
また、本実施形態では、第２実施形態の場合と同様に、測定された配線４２ｃの抵抗値が大きくなるほど照射強度が低くなる（図１７参照）。
閾値、走査速度、待ち時間及び照射強度を更新した後、即ち、ステップＳ５０の後には、制御処理部１０は、ステップＳ４７以降の処理を繰り返し行う。
測定された配線４２ｃの抵抗値が第６段階の閾値、即ち、最終段階の閾値を超えた場合には（ステップＳ４９）、制御処理部１０は、配線４２ｃの切断が完了したと判断する。この場合には、制御処理部１０は、照射部３６に対して、イオンビーム３５の照射を停止させる制御を行う（ステップＳ５１）。こうして、照射領域４４に対するイオンビーム３５の照射が終了する。
次に、測定部３２による配線４２ｃの抵抗値の測定を終了する（ステップＳ５２）。
次に、プローブ２２ａ、２２ｂと配線４２ｃとの接続を解除する（ステップＳ５３）。
こうして、本実施形態によるエネルギービーム加工方法が完了する。
このように、本実施形態によれば、配線４２ｃの抵抗値に応じてイオンビーム３５の走査速度、待ち時間及び照射強度を設定する。配線４２ｃの抵抗値が低い段階においては、走査速度が遅いため、配線４２ｃの切断を促進することができる。また、配線４２ｃの抵抗値が低い段階においては、待ち時間が短いため、高いスループットを得ることができる。一方、配線４２ｃの抵抗値が大きくなった段階においては、走査速度が速いため、下層配線等にダメージが加わるのを抑制することができる。また、配線４２ｃの抵抗値が大きくなった段階においては、待ち時間が長いため、一の走査で配線４２ｃの切断が完了したにもかかわらず次の走査が行われるのを防止することができ、ひいては、下層配線等にダメージが加わるのを防止することができる。また、配線４２ｃの抵抗値が低い段階においては、イオンビーム３５の照射強度が強いため、配線４２ｃの切断を促進することができる。一方、配線４２ｃの抵抗値が大きくなった段階においては、照射強度が低いため、下層配線にダメージが加わることや下層配線の誤切断等を抑制することができる。本実施形態によれば、信頼性が損なわれるのを更に抑制しつつ、高いスループットで配線４２ｃを切断することができる。
（変形例（その１））
次に、本実施形態による変形例（その１）におけるエネルギービーム加工装置及び加工方法について図２２を用いて説明する。図２２は、本変形例における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。
図２２に示すように、本変形例では、各段階における閾値については、図１９を用いて上述した第３実施形態の場合と同様に設定されている。また、各段階における走査速度についても、図１９を用いて上述した第３実施形態の場合と同様に設定されている。また、各段階における照射強度についても、図１９を用いて上述した第３実施形態の場合と同様に設定されている。
一方、本変形例では、待ち時間については、２種類となっている。即ち、第１段階と第２段階の照射においては、待ち時間は、上述した所定時間の例えば１０分の１の時間としている。また、第３段階から第６段階の照射においては、上述した所定時間としている。
図２２に示すテーブルは、例えば記憶部１４に記憶されている。
各段階における閾値、走査速度及び待ち時間の組み合わせを、本変形例のように設定してもよい。
（変形例（その２））
次に、本実施形態による変形例（その２）におけるエネルギービーム加工装置及び加工方法について図２３を用いて説明する。図２３は、本変形例における各段階の閾値、走査速度及び待ち時間を示すテーブルである。
図２３に示すように、本変形例では、各段階における閾値については、図１９を用いて上述した第３実施形態の場合と同様に設定されている。また、各段階における走査速度についても、図１９を用いて上述した第３実施形態の場合と同様に設定されている。また、各段階における照射強度についても、図１９を用いて上述した第３実施形態の場合と同様に設定されている。
一方、本変形例では、待ち時間については、２種類となっている。即ち、第１段階から第３段階の照射までは、待ち時間は、上述した所定時間の例えば５分の１の時間としている。また、第４段階から第６段階の照射までは、上述した所定時間としてする。
図２３に示すテーブルは、例えば記憶部１４に記憶されている。
各段階における閾値、走査速度及び待ち時間の組み合わせを、本変形例のように設定してもよい。
[変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、切断すべき配線４２ｃに照射するエネルギービームとしてイオンビームを用いる場合を例に説明したが、エネルギービームはイオンビームに限定されるものではない。例えば、エネルギービームとして、レーザビームや電子ビーム等を用いるようにしてもよい。
また、第２実施形態では、測定された配線４２ｃの抵抗値に基づいてイオンビーム３５の照射強度のみを変化させる場合を例に説明したが、イオンビーム３５の照射強度のみならず、走査速度をも変化させるようにしてもよい。この場合には、各段階における走査速度を、例えば第１実施形態と同様に設定すればよい。
また、第２実施形態では、測定された配線４２ｃの抵抗値に基づいてイオンビーム３５の照射強度のみを変化させる場合を例に説明したが、イオンビーム３５の照射強度のみならず、待ち時間をも変化させるようにしてもよい。この場合には、各段階における待ち時間を、例えば第１実施形態と同様に設定すればよい。
本発明によるエネルギービーム加工装置及びエネルギービーム加工方法は、信頼性を損なうことなく、高いスループットで配線を切断するのに有用である。
１０…制御処理部
１２…入力部
１４…記憶部
１６…チャンバ
１８…半導体装置
２０…載置台
２２ａ、２２ｂ…プローブ
２４ａ、２４ｂ…プローブポジショナ
２６…二次電子検出器
２８…フィードスルー
３０ａ、３０ｂ…配線
３２…測定部
３４…真空排気装置
３５…イオンビーム
３６…照射部
３８…イオン源
４０…表示部
４２ａ〜４２ｅ…配線
４４…照射領域
４６ａ〜４６ｆ…部分領域
実施形態の一観点によれば、配線にエネルギービームを走査しながら照射することにより、前記配線を切断するエネルギービーム加工装置であって、配線にエネルギービームを走査しながら照射する照射部と、配線の抵抗値を測定する測定部と、前記照射部による前記エネルギービームの走査及び照射を制御する制御部であって、前記エネルギービームの走査速度及び照射強度の少なくとも一方を前記測定部により測定された抵抗値に応じて制御し、前記測定部により測定された抵抗値が所定値を超えた際に前記照射部に対して前記エネルギービームの照射を停止させる制御を行う制御部とを有し、前記照射部は、前記配線の複数の部分領域を順次走査し、前記制御部は、一の前記部分領域に対しての走査が完了してから前記一の部分領域に隣接する他の前記部分領域に対しての走査が開始されるまでの待ち時間を、前記測定部により測定された抵抗値に応じて設定することを特徴とするエネルギービーム加工装置が提供される。
実施形態の他の観点によれば、配線にエネルギービームを走査しながら照射することにより前記配線を切断するエネルギービーム加工方法であって、エネルギービームの走査速度及び照射強度の少なくとも一方を配線の抵抗値に応じて制御しつつ、前記配線に、前記エネルギービームを走査しながら照射するステップと、前記配線の抵抗値が所定値を超えた際に前記エネルギービームの照射を停止するステップとを有し、前記エネルギービームを走査しながら照射するステップでは、前記配線の複数の部分領域を順次走査し、一の前記部分領域に対しての走査が完了してから前記一の部分領域に隣接する他の前記部分領域に対しての走査が開始されるまでの待ち時間を、前記配線の抵抗値に応じて設定することを特徴とするエネルギービーム加工方法が提供される。

Claims (11)

  1. 配線にエネルギービームを走査しながら照射することにより、前記配線を切断するエネルギービーム加工装置であって、
    配線にエネルギービームを走査しながら照射する照射部と、
    配線の抵抗値を測定する測定部と、
    前記照射部による前記エネルギービームの走査及び照射を制御する制御部であって、前記エネルギービームの走査速度及び照射強度の少なくとも一方を前記測定部により測定された抵抗値に応じて制御し、前記測定部により測定された抵抗値が所定値を超えた際に前記照射部に対して前記エネルギービームの照射を停止させる制御を行う制御部と
    を有することを特徴とするエネルギービーム加工装置。
  2. 請求項１記載のエネルギービーム加工装置において、
    前記制御部は、前記測定部により測定された抵抗値が大きくなるに従って、前記照射部に対して、前記エネルギービームの走査速度を速くさせる制御を行う
    ことを特徴とするエネルギービーム加工装置。
  3. 請求項１又は２記載のエネルギービーム加工装置において、
    前記制御部は、前記測定部により測定された抵抗値が大きくなるに従って、前記照射部に対して、前記エネルギービームの照射強度を低くさせる制御を行う
    ことを特徴とするエネルギービーム加工装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエネルギービーム加工装置において、
    前記照射部は、前記配線の複数の部分領域を順次走査し、
    前記制御部は、一の前記部分領域に対しての走査が完了してから前記一の部分領域に隣接する他の前記部分領域に対しての走査が開始されるまでの待ち時間を、前記測定部により測定された抵抗値に応じて設定する
    ことを特徴とするエネルギービーム加工装置。
  5. 請求項４記載のエネルギービーム加工装置において、
    前記制御部は、前記測定部により測定された抵抗値が大きくなるに従って、前記待ち時間を長くする
    ことを特徴とするエネルギービーム加工装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のエネルギービーム加工装置において、
    前記エネルギービームは、イオンビームである
    ことを特徴とするエネルギービーム加工装置。
  7. 配線にエネルギービームを走査しながら照射することにより前記配線を切断するエネルギービーム加工方法であって、
    エネルギービームの走査速度及び照射強度の少なくとも一方を配線の抵抗値に応じて制御しつつ、前記配線に、前記エネルギービームを走査しながら照射するステップと、
    前記配線の抵抗値が所定値を超えた際に前記エネルギービームの照射を停止するステップと
    を有することを特徴とするエネルギービーム加工方法。
  8. 請求項７記載のエネルギービーム加工方法において、
    前記エネルギービームを走査しながら照射するステップでは、前記配線の抵抗値が大きくなるに従って、前記エネルギービームの走査速度を速くする
    ことを特徴とするエネルギービーム加工方法。
  9. 請求項７又は８記載のエネルギービーム加工方法において、
    前記エネルギービームを走査しながら照射するステップでは、前記配線の抵抗値が大きくなるに従って、前記エネルギービームの照射強度を低くする
    ことを特徴とするエネルギービーム加工方法。
  10. 請求項７乃至９のいずれか１項に記載のエネルギービーム加工方法において、
    前記エネルギービームを走査しながら照射するステップでは、前記配線の複数の部分領域を順次走査し、一の前記部分領域に対しての走査が完了してから前記一の部分領域に隣接する他の前記部分領域に対しての走査が開始されるまでの待ち時間を、前記配線の抵抗値に応じて設定する
    ことを特徴とするエネルギービーム加工方法。
  11. 請求項１０記載のエネルギービーム加工方法において、
    前記エネルギービームを走査しながら照射するステップでは、前記配線の抵抗値が大きくなるに従って、前記待ち時間を長くする
    ことを特徴とするエネルギービーム加工方法。
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