JPWO2011104963A1 - 発光素子搭載用基板および発光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 224
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 159
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 33
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 16
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 claims description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 14
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 9
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 9
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 7
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 3
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000004803 Di-2ethylhexylphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- -1 if necessary Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
Description
しかし、上記のように2ワイヤタイプの複数の発光素子を並列接続となるように搭載する形態の、基板上に反射膜と複数の配線導体を有するLTCC基板において、反射膜と配線導体の配置等の構成を変えることにより反射膜を効率よく用いて、発光装置とした際の光取り出し効率を上げようとする試みについては、未だ知られていない。
無機材料粉末の焼結体からなり、部分的に発光素子が搭載される搭載部となる搭載面を有する基板本体と、前記基板本体の搭載面に、前記各発光素子が有する一対の電極のそれぞれとワイヤボンディングにより1対1の関係で接続されるように、かつ前記発光素子間から外れた位置に設けられた少なくとも前記発光素子数の倍数個の配線導体と、前記配線導体およびその周囲近傍を除く搭載面に形成された反射膜と、前記反射膜の端縁を含む全体を覆いかつ前記配線導体およびその周囲近傍を除くように搭載面に設けられたオーバーコートガラス膜と、を有することを特徴とする。
前記無機材料粉末の焼結体が、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体、またはアルミナ粉末と焼結助剤とを含むアルミナセラミックス組成物の焼結体である。
本発明の発光素子搭載用基板は、2ワイヤタイプの発光素子の複数個を電気的に並列に接続するように搭載する構成の発光装置であれば特に制限なく適用されるが、2ワイヤタイプの発光素子を2個搭載し、搭載面が略長方形であって、発光素子の搭載部が前記搭載面をその短辺に平行する線で二等分した各領域における略中央部である構成の発光装置に好適に使用される。この場合、前記配線導体は、2個の発光素子がそれぞれ有する一対の電極に1対1で接続されるように4箇所に配設されるが、反射膜を搭載面上により大面積で設けることができるようにするために、搭載面の四隅に配設されることが好ましい。
本発明の発光素子搭載用基板は、2ワイヤタイプの発光素子の複数個を電気的に並列に接続するように搭載するための発光素子搭載用基板であって、無機材料粉末の焼結体からなり、部分的に発光素子が搭載される搭載部となる搭載面を有する基板本体と、前記基板本体の搭載面に、前記各発光素子が有する一対の電極のそれぞれとワイヤボンディングにより1対1の関係で接続されるように、かつ前記発光素子間から外れた位置に設けられた少なくとも前記発光素子数の倍数個の配線導体と、前記配線導体およびその周囲近傍を除く搭載面に形成された反射膜と、前記反射膜の端縁を含む全体を覆いかつ前記配線導体およびその周囲近傍を除くように搭載面に設けられたオーバーコートガラス膜と、を有することを特徴とする。前記無機材料粉末の焼結体は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体であるLTCC基板や、アルミナ粉末と焼結助剤とを含むアルミナセラミックス組成物の焼結体であるアルミナ基板が使用できる。
図1は、2個の発光素子を搭載するための搭載面を略長方形に構成した本発明の発光素子搭載用基板の一実施形態を上から見た平面図である。図2は図1に示す発光素子搭載用基板の実施形態の図1におけるX−X’線に相当する部分の断面図である。
<LTCC基板を基板本体に使用した場合>
本発明の1実施形態に係る発光素子搭載用基板は、たとえば、以下の(A)工程〜(E)工程を含む製造方法により製造される。より具体的には、以下の(A)工程〜(E)工程をこの順に従って本発明に係る発光素子搭載用基板を製造するのが好ましい。なお、以下の説明では、その製造に用いる部材、形成される層等について、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。
(B)前記基板本体2の略長方形の搭載面21の四隅に配線導体ペースト層、配線導体ペースト層と下記非搭載面23に形成される外部電極端子用導体ペースト層を電気的に接続するための貫通導体用ペースト層、および非搭載面23に配線導体ペースト層と貫通導体用ペースト層を介して発光素子11を電気的に並列に接続するための外部電極端子用導体ペースト層を形成する工程(以下、「導体ペースト層形成工程」という)、
(C)前記配線導体ペースト層およびその周囲近傍を除く搭載面21にスクリーン印刷により反射膜用ペースト層を形成する工程(以下、「反射膜用ペースト層形成工程」という)、
(D)前記反射膜用ペースト層の端縁を含む全体を覆いかつ前記配線導体ペースト層およびその周囲近傍を除くように前記搭載面21にオーバーコートガラスペースト層を形成し未焼結発光素子搭載用基板を得る工程(以下、「オーバーコートガラスペースト層形成工程」という)、
(E)前記未焼結発光素子搭載用基板を800〜930℃で焼成する工程(以下、焼成工程という)。
(A)本体用グリーンシート作製工程
本体用グリーンシート2は、ガラス粉末(基板本体用ガラス粉末)とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させ製造する。なお、図2に示すように最終的に基板本体2が上面にキャビティを有し、その底面が略長方形の搭載面21を形成するように、必要に応じて複数枚のグリーンシートを積層するなどの方法により本体用グリーンシート2とする。
このようにして得られたスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させ、必要に応じて複数枚のグリーンシートを積層する等の作業手順で、上面にキャビティを有し該キャビティ底面が搭載面21として略長方形である本体用グリーンシート2を製造する。
次いで、このようにして得られた本体用グリーンシート2の略長方形の搭載面21の四隅に配線導体ペースト層3、および、この4箇所の配線導体ペースト層3と下記非搭載面23に形成される外部電極端子用導体ペースト層4を電気的に接続するための貫通導体用ペースト層6、および非搭載面23に配線導体ペースト層3と貫通導体用ペースト層6を介して、搭載部22に搭載される2個の発光素子を電気的に並列に接続するための外部電極端子用導体ペースト層4を所定の大きさ、形状で形成する。以下、このように各種導体ペースト層が形成された本体用グリーンシートを導体ペースト層付き本体用グリーンシート2という。
(C)反射膜用ペースト層形成工程においては、上記工程(B)で得られた導体ペースト層付き本体用グリーンシート2の、略長方形の搭載面21の配線導体ペースト層3が形成された領域およびその周囲近傍を除くようにスクリーン印刷により反射膜7となる反射性を有する材料を含む反射膜用ペースト層7を形成させる。なお、(C)反射膜用ペースト層形成工程は、例えば、配線導体ペーストと反射膜用ペーストが同じペースト材料で構成される場合などには、上記(B)工程の配線導体ペースト層3の形成と同時に行うことも可能である。
(D)オーバーコートガラスペースト層形成工程においては、上記搭載面21上に、上記(C)工程で形成された反射膜用ペースト層7の端縁を含む全体を覆い、かつ上記(B)工程で形成された配線導体ペースト層3およびその周囲近傍を除くように、スクリーン印刷によりオーバーコートガラスペースト層8が形成される。これにより、未焼結発光素子搭載用基板1が得られる。
上記(D)工程後、得られた未焼結発光素子搭載用基板1について、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成を行って発光素子搭載用基板1とする。
本発明の他の実施形態に係る発光素子搭載用基板は、たとえば、以下の(a)工程〜(f)工程を含む製造方法により製造される。より具体的には、以下の(a)工程〜(f)工程をこの順に従って本発明に係る発光素子搭載用基板を製造するのが好ましい。なお、以下の説明では、その製造に用いる部材、形成される層等について、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。
(a)アルミナ粉末と焼結助剤とを含むアルミナセラミックス組成物を用いて、前記発光素子搭載用基板1の基板本体2を構成する、部分的に発光素子11の搭載される搭載部22となる略長方形の搭載面21を有する本体用グリーンシートを作製する工程(本体用グリーンシート作製工程)、
(b)この本体用グリーンシートを1400〜1600℃で焼成する工程(第1の焼成工程)、
(c)焼成後の基板本体2の略長方形の搭載面21の四隅に配線導体ペースト層を電気的に接続するための端通導体用ペースト層、および非搭載面23に配線導体ペースト層と貫通導体用ペースト層を介して発光素子11を電気的に並列に接続するための外部電極端子用導体ペーストを形成する工程(導体ペースト層形成工程)、
(d)前記配線導体ペースト層およびその周囲近傍を除く搭載面21にスクリーン印刷により反射膜用ペースト層を形成する工程(反射膜用ペースト層形成工程)、
(e)前記反射膜用ペースト層の端縁を含む全体を覆いかつ前記配線導体ペースト層およびその周囲近傍を除くように前記搭載面21にオーバーコートガラスペースト層を形成し発光素子搭載用基板前駆体を得る工程(オーバーコートガラスペースト層形成工程)、
(f)この発光素子搭載用基板前駆体を850〜900℃で焼成する工程(第2の焼成工程)。
(a)本体用グリーンシート作製工程
本体用グリーンシート2は、アルミナ粉末と焼結助剤とを含むアルミナセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させ製造する。
アルミナ粉末の50%粒径(D50)は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。アルミナ粉末のD50が0.5μm未満の場合には、アルミナ粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、D50が2μmを超える場合には、焼結不足が発生するおそれがある。
焼結助剤としては、従来からセラミックス基板の製造に使われるものが使用できる。例えば、SiO2とアルカリ土類金属酸化物の混合物を好適に使用できる。焼結助剤のD50は、0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。
このようなアルミナ粉末と焼結助剤とを、例えばアルミナ粉末が80質量%以上99質量%以下、焼結助剤が1質量%以上20質量%以下となるように配合し、混合し、アルミナセラミックス組成物を得ることができる。このアルミナセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等の添加によりスラリーとする。
バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に使用できる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を使用できる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を使用できる。さらに、分散剤やレベリング剤を併用することもできる。
このようにして得られたスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させ、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して所定の寸法角に切断し、同時に所定位置に層間接続用のビアホールを打抜き形成し、本体用グリーンシート2を製造する。
未焼成の本体用グリーンシート2を、500℃以上600℃以下の温度で加熱することにより、グリーンシートに含まれる樹脂等のバインダーを分解・除去する脱脂を行う。複数枚の未焼成の本体用グリーンシート2を積層する場合には、位置合わせしつつ複数枚重ねて加熱および加圧して一体化した後、上記した脱脂を行う。その後、さらに1400〜1600℃程度の温度で加熱し、本体用グリーンシートを構成するアルミナセラミックス組成物を焼成し、基板本体としてのアルミナ基板2とする。
次いで、このようにして得られたアルミナ基板2の略長方形の搭載面21の四隅に、配線導体ペースト層3、および、この4箇所の配線導体ペースト層3と下記非搭載面23に形成される外部電極端子用導体ペースト層4を電気的に接続するための貫通導体用ペースト層6、および非搭載面23に配線導体ペースト層3と貫通導体用ペースト層6を介して、搭載部22に搭載される2個の発光素子を電気的に並列に接続するための外部電極端子用導体ペースト層4を所定の大きさ、形状で形成する。以下、このように各種導体ペースト層が形成されたアルミナ基板2を導体ペースト層付きアルミナ基板2という。
配線導体ペースト層3、外部電極端子用導体ペースト層4、および貫通導体用ペースト層6の形成方法としては、スクリーン印刷法により導体ペーストを塗布、充填する方法が挙げられる。形成される配線導体ペースト層3、外部電極端子用導体ペースト層4の膜厚は、最終的に得られる配線導体、外部電極端子等の膜厚が所定の膜厚となるように調整される。
導体ペーストとしては、例えば銅、銀、金等を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。なお、上記金属粉末としては、銀からなる金属粉末、銀と白金、または銀とパラジウムからなる金属粉末が好ましく用いられる。なお、金属粉末とアルミナ基板との接着力を十分に確保するために、少量のガラスフリットを配合した導体ペーストを使用してもよい。
(d)反射膜用ペースト層形成工程においては、上記工程(c)で得られた導体ペースト層付きアルミナ基板2の、略長方形の搭載面21の配線導体ペースト層3が形成された領域およびその周囲近傍を除くようにスクリーン印刷により反射膜7となる反射性を有する材料を含む反射膜用ペースト層7を形成させる。なお、(d)反射膜用ペースト層形成工程は、例えば、配線導体ペーストと反射膜用ペーストが同じペースト材料で構成される場合などには、上記(c)工程の配線導体ペースト層3の形成と同時に行うことも可能である。
上記スクリーン印刷に用いる反射膜用ペーストは、反射膜7を構成する反射性を有する材料を含有するペーストである。このような材料としては、上記の通り、銀、銀パラジウム混合物、銀パラジウム合金、銀白金混合物、銀白金合金等が挙げられるが、高反射率を有することから銀を95%以上含有する銀ペーストが好ましく用いられる。密着強度を向上させるためガラスフリットを5%以下含むこともできる。反射膜用ペーストとしては、このような材料を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。形成される反射膜用ペースト層7の膜厚は、最終的に得られる反射膜7の膜厚が上記所望の膜厚となるように調整される。
(e)オーバーコートガラスペースト層形成工程においては、上記搭載面21上に、上記(d)工程で形成された反射膜用ペースト層7の端縁を含む全体を覆いかつ上記(c)工程で形成された配線導体ペースト層3およびその周囲近傍を除くように、スクリーン印刷によりオーバーコートガラスペースト層8が形成される。これにより、発光素子搭載用基板前駆体1が得られる。
上記(e)工程で得た発光素子搭載基板用前駆体1を、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、アルミナ基板内部(ビアホール)および表裏面に形成された各種ペースト層を焼結させるための焼成を行い、配線導体3、反射膜7およびオーバーコートガラス膜8が形成された発光素子搭載用基板1とする。
脱脂は、例えば500℃以上600℃以下の温度で1時間以上10時間以下保持することにより行う。脱脂温度が500℃未満もしくは脱脂時間が1時間未満の場合、バインダー等を十分に除去できないおそれがある。一方、脱脂温度は600℃程度、脱脂時間は10時間程度とすれば、十分にバインダー等を除去でき、これを超えるとかえって生産性等が低下するおそれがある。
このようにして、発光素子搭載用基板1が得られるが、焼成後、必要に応じて配線導体3全体を被覆するように、金メッキ等の通常、発光素子搭載用基板において導体保護に用いられる導電性保護膜を配設することも可能である。
[実施例1]
以下に説明する方法で、図3および図4に示した発光素子搭載用基板と同様の構造の試験用発光素子搭載用基板及びこの基板を使用した試験用発光装置を作製した。なお、以下の実施例の説明においても、その製造に用いる部材、形成される層等について、焼成の前後で部材、層等に用いる符号は同じものを用いた。
まず、発光素子搭載用基板1の本体基板2を作製するための本体用グリーンシート2を作製した。本体用グリーンシート2を製造するためのガラス粉末としては、ガラス組成として、下記酸化物換算のmol%表示で、SiO2が60.4mol%、B2O3が15.6mol%、Al2O3が6mol%、CaOが15mol%、K2Oが1mol%、Na2Oが2mol%となるようにガラス原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
一方、導電性粉末(銀粉末、大研化学工業社製、商品名:S550)、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比85:15の割合で配合し、固形分が85質量%となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って金属ペーストを製造した。
さらに封止剤(信越化学工業株式会社、商品名:SCR−1016A)を用いて図4に示すモールド材14を構成するように封止した。封止剤には蛍光体(化成オプトニクス株式会社製、商品名P46−Y3)を封止剤に対して20質量%含有したものを用いた。
実施例1と同様のガラス粉末を用い、このガラス粉末が38質量%、アルミナフィラー(昭和電工社製、商品名:AL−45H)が38質量%、ジルコニアフィラー(第一稀元素化学工業社製、商品名:HSY−3F−J)が24質量%となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。他は実施例1と略同様にして発光素子搭載用基板を作製し、発光ダイオード素子を接続し封止材を用いて封止した。
全光束の測定は、スペクトラコープ社製LED全光束測定装置「SOLIDLAMBDA・CCD・LED・MONITOR・PLUS」を用いて行った。積分球は6インチ、電圧/電流発生器としてはアドバンテスト社製R6243を用いた。またLED素子には35mAを印加して測定した。
図5および図6に示すように、略長方形の搭載面上の2個の発光素子11間に配線導体3が2箇所形成され、さらに2つの短辺の一方に接するように1箇所、および他方の短辺に接して2箇所に配線導体3が形成された以外は、上記実施例1と同様の発光素子搭載用基板を用いた従来の構成の試験用発光装置を作製した。なお、配線導体3は、貫通導体6および外部電極端子導体4と同様の材料を用いて作製した。発光装置に搭載した2個の2ワイヤタイプの発光ダイオード素子についても実施例1と同様のものを用いたが、搭載の方向は以下に説明するボンディングワイヤの長さが最短となるように、発光ダイオード素子の基板に搭載される面の短辺が、基板の搭載面の短辺と平行になるように搭載した。従来の発光装置10において、2個の発光ダイオード素子が電気的に並列に接続され、ツェナーダイオード15もその回路に電気的に並列に接続されるように、ボンディングワイヤ13によって、発光ダイオード素子の各電極12およびツェナーダイオード15と、配線導体3とを接続した。
なお、2010年2月5日に出願された日本特許出願2010−039850号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
Claims (8)
- 一対の電極がともにワイヤボンディングにより基板に接続される形態の発光素子の複数個を電気的に並列に接続するように搭載するための発光素子搭載用基板であって、
無機材料粉末の焼結体からなり、部分的に発光素子が搭載される搭載部となる搭載面を有する基板本体と、
前記基板本体の搭載面に、前記各発光素子が有する一対の電極のそれぞれとワイヤボンディングにより1対1の関係で接続されるように、かつ前記発光素子間から外れた位置に設けられた少なくとも前記発光素子数の倍数個の配線導体と、
前記配線導体およびその周囲近傍を除く搭載面に形成された反射膜と、
前記反射膜の端縁を含む全体を覆いかつ前記配線導体およびその周囲近傍を除くように搭載面に設けられたオーバーコートガラス膜と、
を有することを特徴とする発光素子搭載用基板。 - 前記無機材料粉末の焼結体が、ガラス粉末とセラミックフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体である請求項1記載の発光素子搭載用基板。
- 前記無機材料粉末の焼結体が、アルミナ粉末と焼結助剤とを含むアルミナセラミックス組成物の焼結体である請求項1記載の発光素子搭載用基板。
- 前記発光素子の個数が2個配されるようにされており、前記搭載面が略長方形であり、かつ前記搭載部が前記搭載面をその短辺に平行する線で二等分した各領域における略中央部であって、前記配線導体が前記搭載面の四隅に配設されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記配線導体のいずれかひとつがツェナーダイオード搭載用として他の配線導体より大面積に形成されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記反射膜が実質的に銀からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板と、前記発光素子搭載用基板の搭載部に一対の電極がともにワイヤボンディングにより基板に接続される形態の発光素子の複数個を電気的に並列に接続するように搭載した発光装置であって、前記各発光素子が有する一対の電極のそれぞれと前記配線導体がワイヤボンディングにより1対1の関係で接続された発光装置。
- 前記複数の発光素子が、基板に搭載される面が略長方形である略直方体の2個の発光素子であり、前記基板の搭載面が略長方形であって、前記発光素子を、該発光素子の搭載される面の長辺が前記基板の搭載面の短辺と平行になるように、かつ前記基板の搭載面をその短辺に平行する線で二等分した各領域の略中央部にそれぞれ搭載したことを特徴とする請求項7記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012501646A JP5729375B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-11-29 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010039850 | 2010-02-25 | ||
JP2010039850 | 2010-02-25 | ||
PCT/JP2010/071298 WO2011104963A1 (ja) | 2010-02-25 | 2010-11-29 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
JP2012501646A JP5729375B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-11-29 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011104963A1 true JPWO2011104963A1 (ja) | 2013-06-17 |
JP5729375B2 JP5729375B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=44506400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012501646A Active JP5729375B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-11-29 | 発光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120313122A1 (ja) |
EP (1) | EP2541629A1 (ja) |
JP (1) | JP5729375B2 (ja) |
KR (1) | KR20130007538A (ja) |
CN (1) | CN102770977A (ja) |
TW (1) | TW201143167A (ja) |
WO (1) | WO2011104963A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012036132A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | 旭硝子株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
JP2013110179A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
US20150091029A1 (en) * | 2012-04-06 | 2015-04-02 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Led light emitting apparatus |
KR101957884B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치 |
US20150187993A1 (en) | 2012-06-14 | 2015-07-02 | Sang Jeong An | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
WO2014017871A2 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | An Sang Jeong | 반도체 발광소자 |
JP6183195B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-08-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
FR3003081A1 (fr) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | Saint Gobain Rech | Support de monte en vitroceramique pour led |
DE102013013296B4 (de) * | 2013-08-12 | 2020-08-06 | Schott Ag | Konverter-Kühlkörperverbund mit metallischer Lotverbindung und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP6736256B2 (ja) | 2015-03-23 | 2020-08-05 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
DE102015112967A1 (de) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
KR102471944B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2022-11-30 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 |
DE102019104436A1 (de) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10326910A (ja) | 1997-05-19 | 1998-12-08 | Song-Jae Lee | 発光ダイオードとこれを適用した発光ダイオードアレイランプ |
JP2005109212A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP3956965B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2007-08-08 | 日立エーアイシー株式会社 | チップ部品型発光装置及びそのための配線基板 |
JP4619080B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2011-01-26 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
JP2008034513A (ja) | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子搭載用基板とその製造方法 |
WO2009128354A1 (ja) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | 旭硝子株式会社 | 発光ダイオードパッケージ |
JP2009272378A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Nichia Corp | 半導体装置 |
JP2009295892A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP5345363B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-11-20 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP2010039850A (ja) | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 無線送受信装置及び無線送受信方法 |
-
2010
- 2010-11-29 EP EP10846626A patent/EP2541629A1/en not_active Withdrawn
- 2010-11-29 KR KR1020127014591A patent/KR20130007538A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-11-29 JP JP2012501646A patent/JP5729375B2/ja active Active
- 2010-11-29 WO PCT/JP2010/071298 patent/WO2011104963A1/ja active Application Filing
- 2010-11-29 CN CN201080064649XA patent/CN102770977A/zh active Pending
- 2010-11-30 TW TW099141419A patent/TW201143167A/zh unknown
-
2012
- 2012-08-23 US US13/592,762 patent/US20120313122A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102770977A (zh) | 2012-11-07 |
US20120313122A1 (en) | 2012-12-13 |
KR20130007538A (ko) | 2013-01-18 |
TW201143167A (en) | 2011-12-01 |
JP5729375B2 (ja) | 2015-06-03 |
WO2011104963A1 (ja) | 2011-09-01 |
EP2541629A1 (en) | 2013-01-02 |
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