JPWO2011018912A1 - プラズマcvd装置、プラズマ電極および半導体膜の製造方法 - Google Patents
プラズマcvd装置、プラズマ電極および半導体膜の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
実施の形態1.
実施の形態2.
実施の形態3.
実施の形態4.
1a 第1プロセスガス導入孔
3 高周波絶縁部材
5 胴部
5a 排気口
7 底板部
9 排気管接続部
DS ガス拡散空間
10 成膜室
20 ステージ部
21 主電極部
21a 第2プロセスガス導入孔
21b 冷媒の流路
23 ガスシャワープレート部
23a ガス吐出孔
25 ガス拡散板
25a ガス流通孔
27 伝熱ピラー部
30 プラズマ電極
40 プラズマCVD装置
50 被成膜基板
60 高周波電源
S1、S1´、S2 固定具
F1、F2 ふた
70、83 ザグリ
71、84 貫通穴
72 ネジ穴
73 窪み
81 ネジ
82 ナット
Claims (7)
- 成膜室と、該成膜室に配設された被成膜基板載置用のステージ部と、該ステージ部と対向するように前記成膜室に配設されたプラズマ電極とを備えたプラズマCVD装置であって、
前記プラズマ電極は、
プロセスガス導入孔が設けられた主電極部と、
プロセスガスを前記ステージ部側に吐出するための複数のガス吐出孔を有し、前記主電極部での前記ステージ部側に取り付けられて該主電極部との間にガス拡散空間を形成するガスシャワープレート部と、
前記プロセスガスが流通するための複数のガス流通孔を有し、前記ガスシャワープレート部と互いに対向するように前記ガス拡散空間内に配置されたガス拡散板と、
前記ガス拡散空間内に配置され、ガス流通孔を通って前記ガスシャワープレート部と前記主電極部とを熱的に接続する複数の伝熱ピラー部と、
を有し、前記ガス流通孔の内壁と該ガス流通孔を通る前記伝熱ピラー部の周面との間には空隙が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 前記主電極部と前記伝熱ピラー部とは、1つの材料から一体成形されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 前記主電極部の内部には、冷媒を流して該主電極部を冷却するための流路が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記伝熱ピラーとシャワープレートはネジで固定され、前記ネジはシャワープレートのステージ側表面に設けたザグリに沈めて取り付け且つ、前記ザグリにふたを設けたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置。
- プロセスガス導入孔が設けられた主電極部と、
前記主電極部との間にガス拡散空間が形成されるように前記主電極部に対向配置され、前記プロセスガス導入孔を介して前記ガス拡散空間に流入したプロセスガスを吐出する複数のガス吐出孔が設けられたガスシャワープレート部と、
前記ガスシャワープレート部と対向するように前記ガス拡散空間内に配置され、前記プロセスガスを流通させる複数のガス流通孔が設けられたガス拡散板と、
前記ガス流通孔を通して前記ガスシャワープレート部と前記主電極部とを熱的に接続し、前記ガス流通孔との間に隙間が空けられた複数の伝熱ピラー部とを備えることを特徴とするプラズマ電極。 - 前記ガス流通孔と前記隙間とは平面視上互いに重ならないように配置されていることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ電極。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置を用いた半導体膜の製造方法であって、
前記ガスシャワープレート部と基板との間隔を10mm以下となるように前記ステージ部に基板を載置してシリコン薄膜を前記基板上に堆積することを特徴とする半導体膜の製造方法。
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