JPWO2010119647A1 - 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置 - Google Patents

感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2010119647A1
JPWO2010119647A1 JP2011509200A JP2011509200A JPWO2010119647A1 JP WO2010119647 A1 JPWO2010119647 A1 JP WO2010119647A1 JP 2011509200 A JP2011509200 A JP 2011509200A JP 2011509200 A JP2011509200 A JP 2011509200A JP WO2010119647 A1 JPWO2010119647 A1 JP WO2010119647A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
group
weight
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011509200A
Other languages
English (en)
Inventor
敏寛 佐藤
敏寛 佐藤
川田 政和
政和 川田
正洋 米山
正洋 米山
高橋 豊誠
高橋  豊誠
裕久 出島
裕久 出島
白石 史広
史広 白石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Publication of JPWO2010119647A1 publication Critical patent/JPWO2010119647A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本発明の目的は、感光性樹脂組成物、感光性樹脂組成物からなる接着フィルムおよび接着フィルムで形成される受光装置において、露光および現像によるパターニング後の樹脂残渣が少なく、高温高湿の環境下で半導体ウエハと透明基板との間に発生する結露を低減することができる、感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置を提供することにある。本発明の感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂(A)と、光重合開始剤(B)と、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)と、を含む。

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置に関する。
近年、半導体ウエハ等に感光性フィルムを接着し、露光、現像によりパターンを形成した後、ガラス等の透明基板と圧着できるような接着フィルムの要求がある(例えば、特許文献1参照)。このような感光性フィルムを用いた場合、パターンニング後の感光性フィルムは半導体ウエハと透明基板との間のスペーサーの作用を有することになる。
特開2006−323089号公報
ところが、従来の接着フィルムでは、露光および現像によるパターニング後の樹脂残渣を低減することと、半導体ウエハと透明基板との間のスペーサーとして使用した場合、高温高湿の環境下で半導体ウエハと透明基板との間に発生する結露の低減することを両立することが困難であり、高信頼性の半導体装置を作製することが容易ではなかった。
本発明の目的は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、露光および現像によるパターニング後の樹脂残渣が少なく、また、半導体ウエハと透明基板との間のスペーサーとして使用した場合、高温高湿の環境下で半導体ウエハと透明基板との間に発生する結露を低減することができる感光性樹脂組成物を提供することにある。
このような目的は、下記[1]〜[14]に記載の本発明により達成される。
[1] アルカリ可溶性樹脂(A)と、光重合開始剤(B)と、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)と、を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
[2] 前記フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)が、下記一般式(1)ないし(3)のいずれかで示される化合物を含むものである、[1]に記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2010119647
一般式(1)中のm、nは1〜3の整数で、Rは有機基を示すものである。一般式(1)中の芳香環は、水酸基以外に、他の置換基を有していてもよい。
Figure 2010119647
一般式(2)中のp、qは1〜5の整数であり、p+q=6である。一般式(2)中の芳香環は、水酸基またはカルボキシル基以外に、他の置換基を有していてもよい。
Figure 2010119647
一般式(3)中のr、sは1〜3の整数であり、Rは有機基、単結合、−O−、−S−、または−SO−を示すものである。一般式(3)中の芳香環は、水酸基またはカルボキシル基以外に、他の置換基を有していてもよい。
[3] 前記フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)の重量平均分子量が、100〜5000である、[1]または[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[4] 前記フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)の含有量が、0.1〜30重量%である、[1]ないし[3]のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
[5] さらに、熱硬化性樹脂(D)を含む、[1]ないし[4]のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
[6] 前記熱硬化性樹脂(D)の含有量が、10〜70重量%である、[5]に記載の感光性樹脂組成物。
[7] 前記熱硬化性樹脂(D)が、エポキシ樹脂を含むものである、[5]または[6]に記載の感光性樹脂組成物。
[8] 前記エポキシ樹脂が、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含む、[7]に記載の感光性樹脂組成物。
[9] 前記アルカリ可溶性樹脂(A)とは異なる光重合性化合物(E)をさらに含む、[1]ないし[8]のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
[10] 前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂である、[1]ないし[9]のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
[11] 前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、(メタ)アクリロイル変性フェノール樹脂である、[1]ないし[10]のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
[12] 半導体素子搭載基板と、前記半導体素子搭載基板と対向する位置に配置された透明基板と、前記半導体素子搭載基板と前記透明基板との間に設けられたスペーサーと、を備える受光装置のスペーサーを構成するために用いられるものである[1]ないし[11]のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物。
[13] [1]ないし[11]のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物で構成されることを特徴とする接着フィルム。
[14] 半導体素子搭載基板と、前記半導体素子搭載基板と対向する位置に配置された透明基板と、前記半導体素子搭載基板と前記透明基板との間に設けられたスペーサーと、を備え、前記スペーサーが、[1]ないし[11]のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする受光装置。
本発明によれば、露光および現像によるパターニング後の樹脂残渣が少なく、また、半導体ウエハと透明基板との間のスペーサーとして使用した場合、高温高湿の環境下で半導体ウエハと透明基板との間に発生する結露を低減することができる感光性樹脂組成物を提供できる。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
本発明の受光装置の一例を示す断面図である。
以下、本発明の感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置の好適な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(感光性樹脂組成物)
本発明の感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂(A)を含む。これにより、光照射により選択的にパターニングすることが可能となる。
アルカリ可溶性樹脂(A)としては、例えば、クレゾール型、フェノール型、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、カテコール型、レゾルシノール型、ピロガロール型等のノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、水酸基、カルボキシル基等を含む環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂(具体的には、ポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル基またはエステル基を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂等)等が挙げられる。
また、アルカリ可溶性樹脂(A)としては、より好ましくはアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂が挙げられる。
前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂としては、例えば光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂を挙げることができる。
前記アルカリ可溶性基としては、例えば水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。このアルカリ可溶性基は熱硬化反応に寄与することもできる。
このような樹脂としては、例えばアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基等の光反応基を有する熱硬化性樹脂や、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、酸無水物基等の熱反応基を有する光硬化性樹脂等が挙げられる。
前記光硬化性樹脂は、さらにエポキシ基、アミノ基、シアネート基等の熱反応基を有していてもよい。具体的には、(メタ)アクリル変性フェノール樹脂、(メタ)アクリロイル基含有アクリル酸重合体、カルボキシル基含有(エポキシ)アクリレート等が挙げられる。また、カルボキシル基含有アクリル樹脂、水酸基またはカルボキシル基含有ポリイミド樹脂のような熱可塑性樹脂であっても構わない。これらの中でも(メタ)アクリル変性フェノール樹脂が好ましい。アルカリ可溶性基を含む樹脂を用いることにより、現像液として通常用いられる有機溶剤の代わりに、環境に対する負荷のより少ないアルカリ水溶液を適用することができると共に、二重結合部分が硬化反応に寄与することから感光性樹脂組成物の耐熱性を維持することができる。
ここで、光反応基を有する熱硬化性樹脂を用いる場合、前記光反応基の変性率(置換率)は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の反応基全体の20〜80%が好ましく、特に30〜70%が好ましい。光反応基の変性率を上記の範囲とすることで、特に解像性に優れる感光性樹脂組成物を提供することができる。
一方、熱反応基を有する光硬化性樹脂を用いる場合、前記熱反応基の変性率(置換率)は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の反応基全体の20〜80%が好ましく、特に30〜70%が好ましい。熱反応基の変性率を上記の範囲とすることで、特に解像性に優れる感光性樹脂組成物を提供することができる。
前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、300,000以下であることが好ましく、特に5,000〜150,000が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、半導体装置におけるスペーサーを形成する際の製膜性に特に優れる。ここで、重量平均分子量は、例えばGPC(ゲル浸透クロマトグラム)を用いて評価でき、予め、スチレン標準物質を用いて作成された検量線により重量平均分子量を算出することができる。なお、測定溶媒としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、40℃の温度条件下で測定した。
アルカリ可溶性樹脂(A)の含有量は、特に限定されないが、本発明の感光性樹脂組成物全体の10〜80重量%が好ましく、特に20〜70重量%が好ましい。アルカリ可溶性樹脂(A)の含有量を前記下限値以上とすることにより、感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を高めることができる。一方、前記上限値以下とすることにより、現像性またはフォトリソグラフィ技術による接着層のパターニングの解像性を良好にできる。また、アルカリ可溶性樹脂(A)の含有量または感光性樹脂組成物中の液状成分量を上記の範囲とすることで、フォトリソグラフィ法により樹脂をパターニングしたあと、熱圧着できるという機能を有することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、光重合開始剤(B)を含む。これにより、パターニング性をより向上することができる。
光重合開始剤(B)としては、特には限定されないが、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。これらの中でも、パターニング性に優れる観点から、ベンゾフェノン、ベンジルジメチルケタールが好ましい。
光重合開始剤(B)の含有量は、特に限定されないが、本発明の感光性樹脂組成物全体の0.5〜10重量%が好ましく、特に1〜5重量%が好ましい。光重合開始剤の含有量を前記下限値以上とすることにより、光重合を開始する効果が高めることができる。一方、前記上限値以下とすることにより、適度な反応性が得られ、使用前における感光性樹脂組成物の保存性や上記のパターニング後の解像性を良好にできる。したがって、光重合開始剤(B)を上記の範囲とすることで、両者のバランスに優れた感光性樹脂組成物を提供することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)を含む。これにより、アルカリ現像液との親和性を高めること、および、樹脂組成物を構成する他の成分との相溶性を高めることができる。ここで、1分子中のカルボキシル基濃度を高めた方が、アルカリ現像液に対する親和性は向上するが、濃度を高くしすぎると、分子の結晶性が向上してしまい、感光性樹脂組成物を構成する他の成分との相溶性が低下してしまう傾向がある。そのため、本発明の感光性樹脂組成物は、カルボキシル基に加えて、カルボキシル基ほどではないがアルカリ現像液に対する親和性を有するフェノール性水酸基を導入することにより、アルカリ現像液に対する親和性と感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を両立することができる。このことにより、露光および現像によりパターニングした後の残渣を低減することができる。
また、本発明の感光性樹脂組成物は、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)を含むことにより、感光性樹脂組成物で構成される接着フィルムの硬化物をスペーサーとして用い、半導体素子搭載基板と透明基板を接着し、中空構造を有する半導体装置を作製した場合、中空部位に存在する水分を外部へ逃がす効果を高めることができる。このことにより、半導体装置の結露を低減することができる。これは、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物が、嵩高い構造を有しているため、接着フィルムの透湿率を高めることができ、中空部位の水分を外部へ逃がすことができるためと考えられる。
フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)の重量平均分子量は、特に限定されないが、100以上が好ましく、150以上がより好ましく、200以上がさらに好ましい。これにより、アルカリ現像液に対する親和性と感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を高めることができる。一方、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)の重量平均分子量は、5,000以下、3,000以下、2,000以下の順に好ましく、さらに500以下、350以下の順に好ましい。これにより、アルカリ現像液に対する親和性と感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性をより確実に両立することができる。ここで、重量平均分子量は、前述と同様の方法で測定することができる。
フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)は、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、下記一般式(1)〜(3)で示される化合物等が挙げられる。一般式(1)〜(3)で示される化合物を適用することにより露光および現像によるパターニング後の残渣を低減させる効果、また、高温高湿の環境下で半導体ウエハと透明基板との間に発生する結露を低減させる効果をさらに高めることができる。
Figure 2010119647
一般式(1)中のm、nは1〜3の整数で、Rは有機基を示すものである。一般式(1)中の芳香環は、水酸基以外に、他の置換基を有していてもよい。
一般式(1)中のm、nは、特に限定されるものではないが、m=1、n=2が好ましく、mおよびnを前記数値とすることで、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減できる効果および感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を両立することができる。
また、Rは有機基であれば、特に限定されるものではなく、単結合、炭素数1〜20の直鎖状または分岐状の炭化水素基が挙げられ、より好ましくは、芳香族以外である。また、nが1の場合、具体的な例示としては、メチレン、エチレン、n−プロピレン、i−プロピレン、i−ペンチレン、sec−ペンチレン、t−ペンチレン、メチルブチル、1,1,ジメチルプロピレン、n−ヘキシレン、1−メチルペンチレン、2−メチルペンチレン、3−メチルペンチレン、4−メチルペンチレン、1−エチルブチレン、2−エチルブチレン、3−エチルブチレン、1,1−ジメチルブチレン、2,2−ジメチルブチレン、3,3−ジメチルブチレン、1−エチル−1−メチルプロピレン、n−ヘプチレン、1−メチルヘキシレン、2−メチルヘキシレン、3−メチルヘキシレン、4−メチルヘキシレン、5−メチルヘキシレン、1−エチルペンチレン、2−エチルペンチレン、3−エチルペンチレン、4−エチルペンチレン、1,1−ジメチルペンチレン、2,2−ジメチルペンチレン、3,3−ジメチルペンチレン、4,4−ジメチルペンチレン、1−プロピルブチレン、n−オクチレン、1−メチルヘプチレン、2−メチルヘプチレン、3−メチルヘプチレン、4−メチルヘプチレン、5−メチルヘプチレン、6−メチルヘプチレン、1−エチルヘキシレン、2−エチルヘキシレン、3−エチルヘキシレン、4−エチルヘキシレン、5−エチルヘキシレン、6−エチルヘキシレン、1,1−ジメチルヘキシレン、2,2−ジメチルヘキシレン、3,3,−ジメチルヘキシレン、4,4−ジメチルヘキレン、5,5−ジメチルヘキシレン、1−プロピルペンチレン、2−プロピルペンチレン等が挙げられるが、炭素数1〜6の直鎖状または分岐状の基が好ましい。炭素数を上記範囲とすることで、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減できる効果および感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を向上させることができる。
また、一般式(1)中のnが2の場合、具体的な例示としては、下記一般式(4)で示される基が例示される。
Figure 2010119647
(一般式(4)中、RおよびRは、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖状アルキレン基(末端はカルボキシル基)、カルボキシル基を示し、※には一般式(1)中のフェノール性水酸基を有するベンゼン環が結合する。但し、RまたはRの両方が、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基であることはなく、RまたはRの一方が水素原子、炭素数1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基である場合、他方は炭素数1〜20の直鎖状アルキレン基(末端はカルボキシル基)またはカルボキシル基である。)
上記一般式(4)中のR、Rの少なくとも一方は、炭素数1〜10の直鎖または分岐状のアルキレン基(末端はカルボキシル基)が好ましく、炭素数1〜6の直鎖または分岐状のアルキレン基(末端はカルボキシル基)が特に好ましい。炭素数を上記範囲とすることで、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減できる効果および感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を向上させることができる。
また、一般式(1)中のnが3の場合、具体的な例示としては、下記一般式(5)で示される基が例示される。
Figure 2010119647
(一般式(5)中、Rは、炭素数1〜20の直鎖または分岐状のアルキレン基(末端はカルボキシル基)、カルボキシル基を示し、※には、一般式(1)中のフェノール性水酸基を有するベンゼン環が結合する。)
一般式(5)中のRは、炭素数1〜10の直鎖または分岐状のアルキレン基(末端はカルボキシル基)が好ましく、炭素数1〜6の直鎖または分岐状のアルキレン基(末端はカルボキシル基)が特に好ましい。炭素数を上記範囲とすることで、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減できる効果および感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を向上させることができる。
また、一般式(1)中の芳香環は、水酸基以外に、他の置換基を有していてもよい。置換基としては、特に限定されるものではなく、炭素数1〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数1〜10の線状または分岐状のアルキロール基、アルコキシシリル基、アリール基、フェニル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ニトロ基、スルホン基、シアノ基、ハロゲン基、エステル基、水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。また、置換基が複数ある場合、置換基は同一でも異なっていてもよい。
Figure 2010119647
一般式(2)中のp、qは1〜5の整数であり、p+q=6である。一般式(2)中の芳香環は、水酸基またはカルボキシル基以外に、他の置換基を有していてもよい。
上記置換基としては、特に限定されるものではなく、炭素数1〜10の直鎖または分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数1〜10の線状または分岐状のアルキロール基、アルコキシシリル基、アリール基、フェニル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ニトロ基、スルホン基、シアノ基、ハロゲン基、エステル基等が挙げられる。また、置換基が複数ある場合、置換基は同一でも異なっていてもよい。
一般式(2)で示される化合物としては、特に限定されるものではなく、2−ヒドロキシ安息香酸、3−ヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシ安息香酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸、2,4,6−トリヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシイソフタル酸、5−ヒドロキシイソフタル酸等が挙げられる。この中でも、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減できる効果および感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を、より向上させることができる観点から、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸、2,4,6−トリヒドロキシ安息香酸が好ましい。
Figure 2010119647
一般式(3)中のr、sは1〜3の整数であり、Rは有機基、単結合、−O−、−S−、または−SO−を示すものである。一般式(3)中の芳香環は、水酸基またはカルボキシル基以外に、他の置換基を有していてもよい。
一般式(3)中のr、sは、特に限定されるものではないが、r=1、s=2が好ましく、rおよびsを前記数値とすることで、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減できる効果および感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を向上させることができる。
また、一般式(3)中のRは、有機基、単結合、−O−、−S−、または−SO−であれば、特に限定されるものではなく、例えば、−CO−、−NHCO−、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状または分岐状の炭化水素基が挙げられ、より好ましくは、芳香族以外である。さらに、炭素数1〜10の直鎖状または分岐状の炭化水素基がより好ましく、炭素数1〜6の直鎖または分岐状の炭化水素基が特に好ましい。炭素数を上記範囲とすることで、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減できる効果および感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を高めることができる。
また、一般式(3)中の芳香環は、水酸基またはカルボキシル基以外に、他の置換基を有していてもよい。置換基としては、特に限定されるものではなく、炭素数1〜10の直鎖または分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、炭素数1〜10の線状または分岐状のアルキロール基、アルコキシシリル基、アリール基、フェニル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ニトロ基、スルホン基、シアノ基、ハロゲン基、エステル基、水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。また、置換基が複数ある場合、置換基は同一でも異なっていてもよい。
一般式(3)で示される化合物としては、特に限定されるものではなく、フェノールフタリン、フェノールフタリンの誘導体等を例示することができる。その中でも、フェノールフタリンが好ましく、これにより、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減できる効果および感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を向上させる効果を高めることができる。
フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)の含有量は、特に限定されるものではないが、感光性樹脂組成物の露光および現像によるパターニング後の残渣を低減し、またパターンの寸法安定性(露光部の膜減り抑制)の観点から、0.1重量%以上が好ましく、0.3重量%以上がより好ましく、0.5重量%以上がさらに好ましい。一方、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)の含有量は、30重量%以下が好ましく、20重量%以下がより好ましく、15重量%が特に好ましい。これにより、パターニング後の残渣を低減しつつ、感光性樹脂組成物を構成する他の樹脂成分との相溶性を確保でき、またスペーサーとして良好に用いることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、さらに熱硬化性樹脂(D)を含むことができる。熱硬化性樹脂(D)を含むことにより、感光性樹脂組成物で構成される接着フィルムの硬化物をスペーサーとして用い半導体素子搭載基板と透明基板を接着した際の、接着性を向上することができる。
熱硬化性樹脂(D)としては、特に限定されるものではなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。この中でも、感光性樹脂組成物で構成される接着フィルムの硬化物の自由体積を大きくすることができ、硬化物の透湿率を向上させることができる観点から、エポキシ樹脂が好ましい。より具体的には、接着フィルムの硬化物の吸水率を下げることができ、さらに、透湿率を高めることができる観点から、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂が好ましい。
熱硬化性樹脂(D)の含有量は、特に限定されるわけではないが、10〜70重量%が好ましく、15〜65重量%がさらに好ましく、20〜60重量%が特に好ましい。含有量を前記範囲とすることで、接着性をより高めることができ、さらに、感光性樹脂組成物で構成される接着フィルムの硬化物の機械特性をより向上させることができる。
また、熱硬化性樹脂(D)としてエポキシ樹脂を適用する場合、感光性樹脂組成物は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物を添加してもよい。エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物としては、特に限定されるものではなく、フェノール誘導体、カルボン酸誘導体、イミダゾール類等が挙げられる。この中でも、露光および現像によるパターニングの際に、溶解促進剤としての作用を有し、さらに、感光性樹脂組成物で構成される接着フィルムの硬化物の機械特性に優れる観点から、フェノール誘導体が好ましい。
前記フェノール誘導体としては、フェノールノボラック樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、トリスフェニルメタン型フェノール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、α−ナフトールアラルキル型フェノール樹脂、β−ナフトールアラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でもフェノールノボラック樹脂が好ましい。これにより、露光および現像によるパターニングの際の残渣をより低減することができる。
また、本発明の感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂(A)とは異なる光重合性化合物(E)を含んでもよい。これにより、感光性樹脂組成物の感光性を良好にできる。
光重合性化合物(E)は、親水性基を有する第1光重合性化合物であってもよい。これにより、露光および現像によりパターンニング処理した後の残渣を低減することができる。この理由としては、親水性基を付与することで水との親和性が上がる為、感光性樹脂組成物がアルカリ現像液に溶解しやすくなると考えられる。
前記親水性基を有する第1光重合性化合物としては、例えば水酸基を有するアクリル系化合物、エチレングリコールを有するアクリル系化合物等が挙げられる。これらの中でも水酸基を有するアクリル系化合物が好ましい。これにより、パターニング性(現像性)を向上することができる。
前記水酸基を有するアクリル系化合物としては、エポキシ化合物の(メタ)アクリル酸系付加物が好ましい。具体的には、エチレングリコールジグリシジルエーテルとメタクリル酸付加物、プロピレングリコールジグリシジルエーテルとアクリル酸付加物、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテルとアクリル酸付加物、ビスフェノールAジグリシジルエーテルとメタクリル酸付加物等が挙げられる。
前記エポキシ化合物としては、芳香環を有するエポキシ化合物を含むものであることが好ましい。これにより、形状保持性も優れる。これらの中でも下記式(6)の中から選ばれる1種以上の化合物が好ましい。これにより、残渣の低減効果に加えて、半導体装置のスペーサーとしての形状保持性にも優れる。
Figure 2010119647
前記親水性基を有する第1光重合性化合物の含有量は、特に限定されないが、本発明の感光性樹脂組成物全体の1〜20重量%が好ましく、特に2〜8重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に残渣の低減効果と、半導体装置のスペーサーの形状保持性の両立効果に優れる。
また、光重合性化合物(E)は、第1光重合性化合物と異なる第2光重合性化合物であってもよい。これにより、アルカリ可溶性樹脂(A)と共にパターニング性をより向上することができる。なお、第1光重合性化合物と異なるとは、構造、分子量等が異なることを意味する。
第2光重合性化合物としては、例えばグリセリンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリストールトリアクリレート、ペンタエリストールテトラアクリレート、ジペンタエリストールヘキサアクリレート等が挙げられる。
このような第2光重合性化合物の中でも、2官能以上の第2光重合性化合物が好ましく、特に3官能以上の第2光重合性化合物が特に好ましい。これにより、フィラーを実質的に含まない場合であっても、半導体装置のスペーサーとしての形状保持性に優れる。
このような3官能以上の第2光重合性化合物としては、例えばトリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリストールトリアクリレート等が挙げられる。このように、特に3官能以上の第2光重合性化合物を用いると、フィラーを実質的に含まない場合であっても半導体装置のスペーサーの形状保持性に優れる理由は、3次元的に光架橋が起こり、光架橋密度が高くなり、熱時弾性率が低くならないためと考えられる。
ここで、第2光重合性化合物の含有量は、特に限定されないが、本発明の感光性樹脂組成物全体の5〜50重量%が好ましく、特に10〜40重量%が好ましい。含有量が前記上限値を超えると密着強度が低下する場合があり、前記下限値未満であると形状保持性が低下する場合がある。
特に、光重合性化合物(E)として、親水性基を有する第1光重合性化合物と、第2光重合性化合物(特に、3官能以上の第2光重合性化合物)とを併用することにより、半導体装置のスペーサーを形成する際の残渣の低減効果およびスペーサーの形状保持性効果の両方に優れる感光性樹脂組成物を得ることができる。
第1光重合性化合物と、第2光重合性化合物との併用割合は、特に限定されないが、0.05〜1.5(第1光重合性化合物の含有量/第2光重合性化合物の含有量)が好ましく、特に0.1〜1.0が好ましい。併用割合が前記範囲内であると、上述の残渣低減効果および形状保持性効果に加えて、作業性、微細加工性、信頼性にも優れる。
本発明の感光性樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で紫外線吸収剤、レベリング剤等の添加剤を添加することができる。
また、特にパターニング処理後の残渣の低減が要求される場合には、本発明の感光性樹脂組成物は、無機充填材を含有しない、または無機充填材の含有量が感光性樹脂組成物全体の5重量%以下であることが好ましい。
一方、耐熱性や、寸法安定性、耐湿性等の特性が特に要求される場合には、本発明の感光性樹脂組成物に、さらに無機充填材を含有してもよい。また、後述する接着フィルムとして用いた場合の保護フィルムに対する剥離性を向上させることができる。
このような無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ(溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ)、結晶シリカ等のシリカ粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。これら無機充填材は、単独でも混合して使用してもよい。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に球状溶融シリカが好ましい。
無機充填剤を本発明の感光性樹脂組成物に含めることにより、感光性樹脂組成物を硬化させた後耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができ、また、接着フィルムとして用いた場合の保護フィルムに対する剥離性を向上させることができる。なお、無機充填材の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましく、これにより、特性に異方性の無い接着フィルムの接着層として好適な感光性樹脂組成物を提供することができる。
また、無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、5〜50nmが好ましく、特に10〜30nmが好ましい。この平均粒子径が前記下限値未満であると無機充填材が凝集しやすくなった結果、強度が低下する場合があり、前記上限値を超えると露光およびフォトリソグラフィ技術による接着層のパターニングの解像性が低下する場合がある。
(接着フィルム)
本発明の感光性樹脂組成物は、接着フィルムとして用いることもできる。例えば、本発明の感光性樹脂組成物を適当な有機溶剤(例えばN−メチル−2−ピロリドン、アニソール、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチル等)の中で混合して、例えば支持フィルム等に塗布・乾燥して接着フィルムを得ることができる。
(受光装置)
図1は、本発明の受光装置の一例を示す断面図である。
図1に示すように受光装置100は、半導体素子11を搭載する半導体素子搭載基板1と、半導体素子搭載基板1と、対向する位置に配置される透明基板2とを有し、この半導体素子搭載基板1と透明基板2との間に設けられるスペーサー4を備えている。スペーサー4により、半導体素子搭載基板1と透明基板2との間に間隙3が形成される。半導体素子11は、受光部111を有しており、半導体素子11と半導体素子搭載基板1とは、ボンディングワイヤ13で電気的に接続されている。このスペーサー4は、本発明の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている。
本発明の感光性樹脂組成物を、例えばスペーサー4として用いる場合、ペースト状の感光性樹脂組成物を塗布する方法、フィルム状の感光性樹脂組成物をラミネートする方法等が挙げられる。これらの中でもフィルム状の感光性樹脂組成物をラミネートする方法が好ましい。これにより、微細加工性に優れる。さらに、スペーサー4の厚さを一定に保持することが容易となる。
本発明の感光性樹脂組成物を用いて、図1に示すような受光装置100のスペーサー4を形成した場合、スペーサー4が寸法安定性(Z方向の高さの安定性)に優れているので、撮像性(画像のゆがみ)に優れる受光装置100を得ることができる。また、スペーサー4は、気密性(中空内部に埃、ゴミなどの異物が入り込まない)にも優れているので、撮像性(画像の欠点(黒点)の防止)にも優れる受光装置100を得ることができる。本発明の感光性樹脂組成物は、光硬化後の熱接着性を有し、スペーサー4の要求特性の一つを満たすことができる。
上述したような受光装置100は、例えばCCDイメージセンサー、CMOSイメージセンサー、圧力センサー、圧電センサー、加速度センサー等に好適に用いられるものである。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(実施例1)
1.アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂(光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂:メタクリル変性ビスフェノールA型フェノールノボラック樹脂:MPN001)の合成;
ビスフェノールA型ノボラック樹脂(フェノライトLF−4871、大日本インキ化学社製)の固形分60%MEK溶液500gを、2Lフラスコ中に投入し、これに触媒としてトリブチルアミン1.5g、および重合禁止剤としてハイドロキノン0.15gを添加し、100℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート180.9gを30分間で滴下し、100℃で5時間攪拌反応させることにより、不揮発分74%のメタクリル変性ビスフェノールA型フェノールノボラック樹脂(メタクリル変性率50%)を得た。
2.樹脂ワニスの調製;
アルカリ可溶性樹脂として上記のメタクリル変性ビスフェノールA型フェノールノボラック樹脂(MPN)40.0重量%と、光重合開始剤としてイルガキュア651(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製)3.0重量%と、フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物として4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量286)2.0重量%と、エポキシ樹脂としてEP−1001(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)30.0重量%と、エポキシ樹脂としてシリコーンエポキシ樹脂(東レ・ダウコーニング・シリコーン社製、BY16−115)5.0重量%と、親水性基を有する第1光重合性化合物としてビスフェノールAプロピレンオキサイド2mol付加物のジグリシジルエーテルとメタクリル酸付加物(共栄社化学株式会社製、エポキシエステル3002M)5.0重量%と、第2光重合性化合物として3官能の光重合性化合物であるトリメチロールプロパントリメタクリレート(共栄社化学株式会社製、ライトエステルTMP)15.0重量%とを、メチルエチルケトン(MEK、大伸化学社製)に溶解して、樹脂ワニスを得た。
3.接着フィルムの調製;
上述の樹脂ワニスをコンマコーターで支持基材ポリエステルフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、RL−07、厚さ38μm)に塗布し、70℃、10分間乾燥して膜厚50μmの接着フィルムを得た。
4.受光装置の製造;
マイクロレンズアレイが形成されたベース基板を用い、60℃に設定されたラミネータを使用して、この6インチウエハー上に上記接着フィルムを貼り付けた。そして、ネガ型のマスクと露光機を用いて、露光し、現像することによりパターニングサンプルを作製した。パターニング形状ならびに配置は各個体撮像素子上の受光部を幅100μmでフレーム状に囲う配置とした。なお、露光は、波長365nmの光が700mJ/cm照射されるように露光し、現像は、3%TMAH(テトラアンモニウムハイドロオキサイド)を用いて、スプレー圧0.2MPa、60秒間の条件で行った。得られたパターニングサンプルを個片化し、ガラス基板(5mm×4mm×0.5mm)を加熱圧着(温度80℃、時間5秒、圧力0.2MPa)により貼り合せた。このサンプルを180℃で2時間硬化し、評価用基板にのせ、接続することにより評価用サンプル(受光装置)を得た。
(実施例2)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)の配合量を2.0重量%から7.0重量%へ、また、EP−1001(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)の配合量を30.0重量%から25.0重量%へ変更した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例1と同様に行った。
(実施例3)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から2,4,6,−トリヒドロキシ安息香酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量170)2.0重量%へ変更した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例1と同様に行った。
(実施例4)
2,4,6,−トリヒドロキシ安息香酸(東京化成工業株式会社製)の配合量を2.0重量%から7.0重量%へ、また、EP−1001(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)の配合量を30.0重量%から25.0重量%へ変更した以外は、実施例3と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例3と同様に行った。
(実施例5)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%からフェノールフタリン(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量320)2.0重量%へ変更した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例1と同様に行った。
(実施例6)
EP−1001(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)30.0重量%からEP−1032H(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)30.0重量%へ変更した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例1と同様に行った。
(実施例7)
EP−1001(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)30.0重量%からYDCN800−70(東都化成株式会社製)30.0重量%へ変更した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例1と同様に行った。
(実施例8)
メタクリル変性ビスフェノールA型フェノールノボラック樹脂(MPN001)の配合量を40.0重量%から35.0重量%へ、EP−1001(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)30.0重量%からEP−1032H(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)30.0重量%へ、さらに、フェノールノボラック樹脂としてPR53467(住友ベークライト株式会社製)5.0重量%を添加した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例1と同様に行った。
(実施例9)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から4−ヒドロキシ安息香酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量138)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例10)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から3,4−ジヒドロキシ安息香酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量154)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例11)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から3−ヒドロキシ−p−トルイル酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量152)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例12)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から3,4−ジヒドロキシマンデル酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量184)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例13)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から3−フェニルサリチル酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量214)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例14)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から4−ヒドロキシフェニル酢酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量152)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例15)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から3、4−ジヒドロキシフェニル酢酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量168)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例16)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から2−(4−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量166)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例17)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から3−(4−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量166)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例18)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から4−(4−ヒドロキシフェニル)安息香酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量214)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例19)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から4−(4−ヒドロキシフェノキシ)安息香酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量230)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例20)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%からメチレンジサリチル酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量288)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例21)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から4−(2−ヒドロキシエトキシ)サリチル酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量198)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例22)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から2,6−ジヒドロキシ−4−メチル安息香酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量168)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例23)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から5−ヒドロキシイソフタル酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量182)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例24)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から5,5'−チオジサリチル酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量306)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例25)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から2−ヒドロキシ−5−スルホベンゾイック酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量218)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(実施例26)
4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)2.0重量%から6−ヒドロキシ−1−ナフトエ酸(東京化成工業株式会社製、重量平均分子量188)2.0重量%へ変更した以外は、実施例6と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例6と同様に行った。
(比較例1)
EP−1001(ジャパン・エポキシレジン株式会社製)の配合量を30.0重量%から32.0重量%へ、さらに、4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)バレリン酸(東京化成工業株式会社製)の配合量を2.0重量%から0重量%へ変更した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスの調製、接着フィルムの調製、受光装置の製造を実施例1と同様に行った。
各実施例および比較例で得られた接着フィルムおよび受光装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を、表1〜3に示す。
1.透湿率評価
60℃に設定されたラミネータを用いて、各実施例および比較例で得られた接着フィルムを貼り合せ、膜厚100μmの接着フィルムを作製し、露光機を用いて、露光量750mJ/cm(波長365nm)照射したあとに、120℃/1時間、180℃/1時間熱硬化する。得られた硬化後の接着フィルムを透湿カップ法(JIS Z0208)に準じて、40℃/90%RHの環境下で評価し、透湿率を求めた。
2.吸水率評価
60℃に設定されたラミネータを用いて、各実施例および比較例で得られた接着フィルムを貼り合せ、膜厚100μmの接着フィルムを作製し、180℃/2時間熱硬化する。得られた硬化後の接着フィルムを約5mm角に粉砕し、約10mg精秤する。次に、精秤したサンプルを、85℃、10分熱処理をし、サンプルの重量を精秤する(この時の重量をaとする。)。次に、サンプルを85℃、85%RH、10分間熱処理し、10分後の重量を精秤する(この時の重量をbとする。)。以下の式により、吸水率を算出する。
吸水率(%)={(b−a)/a}×100
3.現像後残渣評価
現像性は、半導体ウエハ上に接着フィルムをラミネート(温度60℃、速度0.3m/分)し、パターンマスクを用いて格子状に樹脂スペーサーが残るように露光(露光量:700mJ/cm)し、2.3%TMAHを用いて現像(現像圧力:0.2MPa、現像時間:150秒間)した。得られた格子パターン部分を光学顕微鏡で観察(1,000倍)し、残渣の有無を評価した。各符号は、以下の通りである。
AA:残渣が全く確認されず、実用上全く問題無かった。
BB:残渣が若干確認できるが、実用上問題ないレベルであった。
CC:残渣が若干確認され、実用不可のレベルであった。
DD:残渣が多数確認され、実用レベルでは無かった。
なお、パターンマスクは、樹脂幅1.2mm、間隔5mmの格子状とした。
4.受光装置の結露評価
得られた受光装置を高温高湿処理槽で、85℃、85%、500時間および1000時間処理する。所定時間処理後に高温高湿槽より受光装置を取り出し、直後に、受光装置の中空内部のガラス面に結露(水滴、曇り)が発生しているかを、顕微鏡(50倍)にて観察する。
AA:処理時間1000時間でも結露がない
BB:処理時間500時間で結露がないが、処理時間1000時間で結露が発生する。
DD:処理時間500時間で結露が発生する。
5.受光装置の信頼性評価
得られた受光装置を、−55℃で1時間、125度で1時間処理するサイクルを繰り返す温度サイクル試験を1000サイクル行い(n=10)、クラックおよび剥離の観察を電子顕微鏡(5,000倍)で実施した。各符号は以下の通りである。
AA:全サンプルでクラックおよび剥離が無く、実用上全く問題無かった。
DD:3個以上のサンプルでクラックおよび剥離が観察され、実用レベルでは無かった。
Figure 2010119647
Figure 2010119647
Figure 2010119647
表1〜3から明らかなように、実施例1〜26の接着フィルムは、透湿率が高く、吸水率が低く、また、現像性に優れていた。さらに、受光装置の結露および信頼性に関しても良好であった。
この出願は、2009年4月14日に出願された日本出願特願2009−97696を基礎とする優先権を主張し、その開示のすべてをここに取り込む。

Claims (14)

  1. アルカリ可溶性樹脂(A)と、
    光重合開始剤(B)と、
    フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)と、
    を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
  2. 前記フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)が、下記一般式(1)ないし(3)のいずれかで示される化合物を含むものである、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure 2010119647
    一般式(1)中のm、nは1〜3の整数で、Rは有機基を示すものである。一般式(1)中の芳香環は、水酸基以外に、他の置換基を有していてもよい。
    Figure 2010119647
    一般式(2)中のp、qは1〜5の整数であり、p+q=6である。一般式(2)中の芳香環は、水酸基またはカルボキシル基以外に、他の置換基を有していてもよい。
    Figure 2010119647
    一般式(3)中のr、sは1〜3の整数であり、Rは有機基、単結合、−O−、−S−、または−SO−を示すものである。一般式(3)中の芳香環は、水酸基またはカルボキシル基以外に、他の置換基を有していてもよい。
  3. 前記フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)の重量平均分子量が、100〜5000である、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 前記フェノール性水酸基とカルボキシル基を有する化合物(C)の含有量が、0.1〜30重量%である、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  5. さらに、熱硬化性樹脂(D)を含む、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  6. 前記熱硬化性樹脂(D)の含有量が、10〜70重量%である、請求項5に記載の感光性樹脂組成物。
  7. 前記熱硬化性樹脂(D)が、エポキシ樹脂を含むものである、請求項5または6に記載の感光性樹脂組成物。
  8. 前記エポキシ樹脂が、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含む、請求項7に記載の感光性樹脂組成物。
  9. 前記アルカリ可溶性樹脂(A)とは異なる光重合性化合物(E)をさらに含む、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  10. 前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂である、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  11. 前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、(メタ)アクリロイル変性フェノール樹脂である、請求項1ないし10のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  12. 半導体素子搭載基板と、
    前記半導体素子搭載基板と対向する位置に配置された透明基板と、
    前記半導体素子搭載基板と前記透明基板との間に設けられたスペーサーと、
    を備える受光装置のスペーサーを構成するために用いられるものである請求項1ないし11のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  13. 請求項1ないし11のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物で構成されることを特徴とする接着フィルム。
  14. 半導体素子搭載基板と、
    前記半導体素子搭載基板と対向する位置に配置された透明基板と、
    前記半導体素子搭載基板と前記透明基板との間に設けられたスペーサーと、
    を備え、
    前記スペーサーが、請求項1ないし11のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする受光装置。
JP2011509200A 2009-04-14 2010-04-08 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置 Pending JPWO2010119647A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009097696 2009-04-14
JP2009097696 2009-04-14
PCT/JP2010/002562 WO2010119647A1 (ja) 2009-04-14 2010-04-08 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2010119647A1 true JPWO2010119647A1 (ja) 2012-10-22

Family

ID=42982322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011509200A Pending JPWO2010119647A1 (ja) 2009-04-14 2010-04-08 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110316116A1 (ja)
EP (1) EP2420889A1 (ja)
JP (1) JPWO2010119647A1 (ja)
KR (1) KR20120022898A (ja)
CN (1) CN102369481A (ja)
SG (1) SG174576A1 (ja)
TW (1) TW201042382A (ja)
WO (1) WO2010119647A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011118488A1 (ja) * 2010-03-24 2011-09-29 積水化学工業株式会社 接着剤組成物及び接着テープ
KR20130018229A (ko) * 2010-03-26 2013-02-20 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 수광 장치
JP6073626B2 (ja) * 2012-09-28 2017-02-01 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物
JP2014081617A (ja) * 2012-09-28 2014-05-08 Nlt Technologies Ltd 空間結像素子及びその製造方法、表示装置および端末機
JP6471745B2 (ja) 2014-03-20 2019-02-20 日本ゼオン株式会社 感放射線樹脂組成物及び電子部品
JP6740615B2 (ja) * 2016-01-14 2020-08-19 Jsr株式会社 樹脂組成物および感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、ならびにタッチパネル部材
KR101655947B1 (ko) * 2016-03-22 2016-09-09 영창케미칼 주식회사 고해상도 및 고아스펙트비를 갖는 KrF 레이저용 네가티브형 포토레지스트 조성물
JP7221578B2 (ja) * 2020-01-24 2023-02-14 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
JP2020079408A (ja) * 2020-02-06 2020-05-28 Jsr株式会社 樹脂組成物および感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、ならびにタッチパネル部材
CN113809509B (zh) * 2020-06-11 2023-07-18 华为技术有限公司 一种天线成型方法、盖板组件及终端设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3638743B2 (ja) * 1996-12-26 2005-04-13 東京応化工業株式会社 化学増幅型ネガ型レジスト組成物
US6042988A (en) * 1996-12-26 2000-03-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-amplification-type negative resist composition
WO2002019035A1 (en) * 2000-08-30 2002-03-07 Macdermid, Incorporated Photosensitive resin composition for flexographic printing plates
JP2006220790A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Taiyo Ink Mfg Ltd 表示パネル用感光性樹脂組成物、及びその硬化物並びに表示パネル用スペーサー
JP2006323089A (ja) 2005-05-18 2006-11-30 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フィルム
JP4932414B2 (ja) * 2005-11-01 2012-05-16 富士フイルム株式会社 ネガ型染料含有感放射線性硬化性組成物、カラーフィルタおよびその製造方法
TWI407250B (zh) * 2005-11-01 2013-09-01 Fujifilm Corp 負型含染料之硬化性組成物、彩色濾光片及其製法
JP4959627B2 (ja) * 2007-05-25 2012-06-27 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、樹脂スペーサ用フィルムおよび半導体装置
JP2009009110A (ja) * 2007-05-30 2009-01-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性接着剤樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置
JP2009097696A (ja) 2007-10-19 2009-05-07 Aisin Aw Co Ltd 自動変速機の油圧制御装置
JP2008297540A (ja) * 2008-04-14 2008-12-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性接着剤樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010119647A1 (ja) 2010-10-21
KR20120022898A (ko) 2012-03-12
TW201042382A (en) 2010-12-01
EP2420889A1 (en) 2012-02-22
CN102369481A (zh) 2012-03-07
SG174576A1 (en) 2011-10-28
US20110316116A1 (en) 2011-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010119647A1 (ja) 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置
JP4959627B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂スペーサ用フィルムおよび半導体装置
US20100297439A1 (en) Photosensitive adhesive resin composition, adhesive film and light-receiving device
WO2010113759A1 (ja) 樹脂スペーサー用フィルム、受光装置及びその製造方法、並びにmemsデバイス及びその製造方法
JP4091969B1 (ja) 受光装置および受光装置の製造方法
JP5228909B2 (ja) 受光装置の製造方法
WO2010053207A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性接着フィルムおよび受光装置
WO2011046181A1 (ja) 樹脂組成物、半導体ウエハー接合体および半導体装置
EP2273314B1 (en) Photosensitive resin composition, film for photosensitive resin spacer, and semiconductor device
WO2010095593A1 (ja) 半導体ウエハー接合体、半導体ウエハー接合体の製造方法および半導体装置
JP5136239B2 (ja) 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置
WO2009144951A1 (ja) 受光装置、受光装置の製造方法
WO2011034025A1 (ja) スペーサ形成用フィルム、半導体ウエハー接合体の製造方法、半導体ウエハー接合体および半導体装置
WO2010095592A1 (ja) 半導体ウエハー接合体の製造方法、半導体ウエハー接合体および半導体装置
JP2011084658A (ja) 樹脂組成物、半導体ウエハー接合体および半導体装置
JP2008022001A (ja) 受光装置および受光装置の製造方法
WO2011118600A1 (ja) 半導体ウエハー接合体の製造方法、半導体ウエハー接合体および半導体装置
WO2010103903A1 (ja) スペーサ形成用フィルム、半導体ウエハーおよび半導体装置
JP2011066167A (ja) スペーサ形成用フィルム、半導体ウエハー接合体の製造方法、半導体ウエハー接合体および半導体装置
JP2008091399A (ja) 受光装置の製造方法
JP2011086779A (ja) 樹脂組成物、半導体ウエハー接合体および半導体装置