JPWO2010098464A1 - ヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法 - Google Patents

ヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2010098464A1
JPWO2010098464A1 JP2011501678A JP2011501678A JPWO2010098464A1 JP WO2010098464 A1 JPWO2010098464 A1 JP WO2010098464A1 JP 2011501678 A JP2011501678 A JP 2011501678A JP 2011501678 A JP2011501678 A JP 2011501678A JP WO2010098464 A1 JPWO2010098464 A1 JP WO2010098464A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type semiconductor
conductive polymer
hetero
inorganic oxide
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011501678A
Other languages
English (en)
Inventor
仁 川喜多
仁 川喜多
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute for Materials Science
Original Assignee
National Institute for Materials Science
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute for Materials Science filed Critical National Institute for Materials Science
Publication of JPWO2010098464A1 publication Critical patent/JPWO2010098464A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/125—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using electrolytic deposition e.g. in-situ electropolymerisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本ヘテロｐｎ接合半導体は、ｐ型半導体である導電性高分子がｎ型半導体である無機酸化物のナノ粒子間に、以下の式１を満たすように充填されてなることを特徴とする。＜式１＞Ｖｐ／Ｖｎ＝Ｘ×σｎ／σｐ（０．１≦Ｘ≦１０）Ｖｐ＝ｐ型半導体である導電性高分子の体積σｐ＝ｐ型半導体である導電性高分子の導電率Ｖｎ＝ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の体積σｎ＝ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の導電率前記のヘテロｐｎ接合半導体は、前記導電性高分子のモノマー中に前記無機酸化物のナノ粒子を混合分散したのち、前記ナノ粒子が正孔を生じる光を照射するとともに、電流密度と電流印加時間の少なくとも一方を制御して定電流を印加し、光電気化学反応により、前記モノマーを重合して導電性高分子とすることにより製造する。

Description

本発明は、ダイオード、太陽電池等に利用可能なｐｎ接合半導体、とりわけｐ型半導体である導電性高分子とｎ型半導体である無機酸化物とにより構成されたヘテロｐｎ接合半導体に関する。
ｐ型半導体である導電性高分子とｎ型半導体である無機酸化物がナノレベルで複合化した材料はヘテロｐｎ接合を有する太陽電池として動作することが期待されている。このため、特許文献１から３に示すような方法により、当該太陽電池を創生することが試みられているが、しかしながら、そのための最適な微細構造や界面構造は明らかになっていない。ちなみに、非特許文献１によると、その光電データは図２７（非特許文献１のｆｉｇ３）に示された程度のものである。さらに、接合構造の一つとして、接触面積を増大させるために、ナノ粒子の凝集構造を用いることが有効であると考えられるが、固相同士を緻密に充填することは難しいので、十分な効果を得られず、構想の段階でしかない。
特許文献４には、発電効率に関して、以下の通りに記載されている。
（式２）
「ｎ＝ｅ（Ｖａ−Ｖｂ）／ｋＴ（ｌｎＩａ−ｌｎＩｂ）」
（ｎ：ダイオードファクター、ｅ：電気素量、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、電流値を対数表示した電流−電圧特性グラフの任意の２点（Ｖａ：電圧，Ｉａ：電流）、（Ｖｂ，Ｉｂ））より算出される。
そして、式２にて、ｎ＝１のとき理想ダイオード式であり、接合の電気挙動が理想的な状態から外れるにつれてｎの値は大きくなる。」
さらに、「このダイオードファクターｎは、主にｐｎ接合界面の接合密度を表しており、接合密度が高いとｎ＝１となり、理想的な界面状態を示している。結合密度が低いと整流性が悪くなる。有機半導体でのｎは従来２〜３の値であった。」とも記載されている。
ここで、ｐｎ接合界面の接合密度は、電解重合により無機粒子表面に密着した導電性高分子の面積（接着面積）とされており、接合密度が高いと光電流が観測されることも記載されている。
光電流は電圧とともに発電効率を決定する因子の一つである。従って、接着面積は、発電効率を左右する重要なファクターである。
特開２００６−０１６５８２ 特開２００３−１４２１６８ 特開２００４−１８２８１９ 特開２００４−０７１６８２
「Solid state dye-sensitized TiO2 solar cell with polypyrrole as hole transport layer.」、「Chemistry Letters Vol.26 No.5」、(1997年)、Murakoshi, Kei、Kogure, Ryuichiro、Wada, Yuji、Yanagida, Shozo著、日本化学会発行、472頁 Fig.3 Photocurrent-voltage characteristics of the solid cell using polypyrrole treated at -300mV(a), and 100mV(b)
本発明は、このような実情に鑑み、従来には得られなかった緻密かつ適切な充填状態で、ｐ型半導体である導電性高分子とｎ型半導体である無機酸化物のナノ粒子とが分散混合しており、よりすぐれた光電変換性能を有するヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法を提供することを目的とする。
発明１のｐ型半導体である導電性高分子とｎ型半導体である無機酸化物とにより構成されたヘテロｐｎ接合半導体であって、前記導電性高分子が前記無機酸化物のナノ粒子間に、以下の式１を満たすように充填されてなることを特徴とする。
＜式１＞
Ｖｐ／Ｖｎ＝Ｘ×σｎ／σｐ（０．１≦Ｘ≦１０）
Ｖｐ＝ｐ型半導体である導電性高分子の体積
σｐ＝ｐ型半導体である導電性高分子の導電率
Ｖｎ＝ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の体積
σｎ＝ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の導電率
発明２は、発明１のヘテロｐｎ接合半導体であって、前記無機酸化物のナノ粒子の平均粒子径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする。
発明３は、発明１または２のヘテロｐｎ接合半導体の製造方法であって、基板上に凝集固着した無機酸化物のナノ粒子の間に前記導電性高分子のモノマーを侵入させ、その後、前記ナノ粒子が正孔を生じる光を照射するとともに、電流密度と電流印加時間の少なくとも一方を制御して定電流を印加し、光電気化学反応により、前記モノマーを重合して導電性高分子とし、ヘテロｐｎ接合半導体を製造することを特徴とする。
発明１，２のヘテロｐｎ接合半導体は、従来には得られなかった緻密かつ適切な充填状態で、ｐ型半導体である導電性高分子とｎ型半導体である無機酸化物のナノ粒子とが分散混合したものであり、得られた生成物に色素が混入することなしに、よりすぐれた光電変換性能を発揮する。
また、発明３の方法によれば、本発明では、無機半導体ナノ粒子の間に導電性高分子の前駆体であるモノマー溶液を浸透させ、前記ナノ粒子が正孔を生じる光を照射するとともに、電流密度と電流印加時間の少なくとも一方を制御して定電流を印加し、光電気化学反応を用いて、モノマー溶液を重合させ、導電性高分子とし、従来には得られなかった緻密かつ適切な充填密度で、ｐ型半導体である導電性高分子とｎ型半導体である無機酸化物のナノ粒子とが分散混合した、よりすぐれた光電変換性能を有するヘテロｐｎ接合半導体を製造することができる。
光電解酸化重合を示すモデル図。 光照射下における分極曲線。 実験Ｎｏ．１の光照射無→光照射有→光照射有＋電流印加を行った際の電位の経時変化 （１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．１の実験後の表面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．１の光学顕微鏡による表面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．１の走査型電子顕微鏡写真による表面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．１の走査型電子顕微鏡写真による断面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．２の光照射無→光照射有→光照射有＋電流印加を行った際の電位の経時変化 （１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．５ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．２の実験後の表面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．５ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．２の光学顕微鏡による表面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．５ｈｏｕｒ。 実験Ｎｏ．２の走査型電子顕微鏡写真による表面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．５ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．２の走査型電子顕微鏡写真による断面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ １．５ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．３の光照射無→光照射有→光照射有＋電流印加を行った際の電位の経時変化 （１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ ２．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．３の実験後の表面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ ２．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．３の一定電流を流した際の電位変化（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ ２．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．３の走査型電子顕微鏡写真による表面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ ２．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．３の走査型電子顕微鏡写真による断面写真（１．２７×１０−２Ａ／ｍ２ ２．０ｈｏｕｒ）。 実験Ｎｏ．８の光照射無→光照射有→光照射有＋電流印加を行った際の電位の経時変化 （１．２７Ａ／ｍ２ １０ｍｉｎ）。 実験Ｎｏ．８の走査型電子顕微鏡写真による表面写真（１．２７Ａ／ｍ２ １０ｍｉｎ）。 実験Ｎｏ．９の光照射無→光照射有→光照射有＋電流印加を行った際の電位の経時変化（１．２７Ａ／ｍ２ ３０ｍｉｎ）。 実施例２の７．５μＡ／ｃｍ２，６０ｍｉｎを印加した後のサンプル表面のＳＥＭ像。（上段：反射電子像、下段：二次電子像） 実施例２の７５μＡ／ｃｍ２，１０ｍｉｎを印加した後のサンプル表面のＳＥＭ像。（上段：反射電子像、下段：二次電子像） 実施例２の０．７５μＡ／ｃｍ２，６０ｍｉｎを印加した後のサンプル表面のＳＥＭ像。（上段：反射電子像、下段：二次電子像） 実施例２のアノード分極による分析結果を示すグラフ。 実施例２のクロノポテンシオメトリー法による解析結果を示すグラフ。 光アノード反応によるポリマーの重合過程を説明する模式図。 非特許文献１のｆｉｇ３。
本発明のへテロｐｎ接合半導体は、次の＜式１＞を満たすように、ｐ型半導体である導電性高分子がｎ型半導体である無機酸化物のナノ粒子間に充填されてなるものである。
＜式１＞
Ｖｐ／Ｖｎ＝Ｘ×σｎ／σｐ（０．１≦Ｘ≦１０）
Ｖｐ＝ｐ型半導体である導電性高分子の体積
σｐ＝ｐ型半導体である導電性高分子の導電率
Ｖｎ＝ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の体積
σｎ＝ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の導電率
Ｘが小さ過ぎると、必要となるｐ型半導体である導電性高分子が少なくて済むことになるが、現実的には導電性高分子が連結した導電経路の確保が困難になる。Ｘが過剰であると、ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の間の空隙をすべてｐ型半導体である導電性高分子で充填したとしても、半導体間における電気抵抗のバランスが著しくずれることになる。したがって、Ｘは上記の範囲であることが望ましい。
この式１において、体積は、例えば得られたヘテロｐｎ接合半導体のＳＥＭ写真の一画面を対象にし、そこに占める無機酸化物ナノ粒子の面積をＶｎとし、導電性高分子の面積をＶｐとして計算することができる。また、各導電率は、ハンドブックや文献値の値を用いてもよい。
前記無機酸化物のナノ粒子の平均粒子径は、小さいほど、良好な結果を得られることより、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下とするのが望ましい。下限は、製造上の観点から５ｎｍ程度である。
ナノ粒子の粒子径の大きさ以上の波長の光、例えば紫外線〜可視光は粒子によって散乱されることなく、透過できることになる。透過された光のうち、バンドギャップエネルギー以上の波長を有するものは吸収される際には光励起反応に寄与することになる。
それ故に、ナノ粒子の直径をできるだけ小さくして透過できる光の波長幅を広く取るのが有効である。
前記ヘテロｐｎ接合半導体は、基板上に凝集固着した無機酸化物のナノ粒子の間に前記導電性高分子のモノマーを侵入させ、その後、前記ナノ粒子が正孔を生じる光を照射するとともに、電流密度と電流印加時間の少なくとも一方を制御して定電流を印加し、光電気化学反応により、前記モノマーを重合して導電性高分子とすることができる。
ここで、光電気化学反応とは、一般に、光励起作用により生じる正孔と電子を利用して酸化・還元反応を行うものであり、特に色素を用いる場合には、光励起状態において生成する正孔を利用して、酸化反応を行うものである。ここではｎ型半導体である前記無機酸化物ナノ粒子が正孔を生じ、ｐ型半導体の前記導電性ポリマーのモノマーから前記ポリマーへの重合反応が相当する。図１にその反応モデルを示す。
下記実施例では、無機酸化物のナノ粒子として、ＴｉＯ２を用いたが、ｎ型半導体となり得る無機粒子としては酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化カドミウム、酸化銀、酸化マンガン、酸化銅、酸化バナジウム、酸化ニオブ、銅インジウム酸化物、銀インジウム酸化物、窒化ガリウムまたはこれらの化合物、ペロブスカイト型酸化物、銅インジウム酸化物、銀インジウム酸化物、窒化ガリウムまたはこれらの化合物も使用可能である。
また、前記導電性高分子を構成するモノマーとしては、以下の実施例ではピロールを用いたが、その他にも、アニリン類、チオフェン類、ピロール類、フラン類、フェニレン類、フェニレンビニレン類、アセン類、チオフェンビニレン類、およびイソチアナフテン類からなる群より選ばれる少なくとも１種を使用することができる。
また、電解質としては、ｐ−トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム（Ｅｔ４ＮＰＴＳ）を以下に例示したが、これに代えてカンファースルホン酸アニオン、ハロゲン化物アニオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロ硼酸イオン、六フッ化ヒ酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、チオシアン酸イオン、六フッ化ケイ酸イオン、燐酸系イオン、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルスルホン酸イオン、ポリアクリル酸イオン、ポリビニルスルホン酸イオン、ポリスチレンスルホン酸イオン、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも１種などが使用可能である。
本発明のヘテロｐｎ接合半導体を製造する場合、まず、例えばガラス基材上に、ｎ型半導体である無機酸化物のナノ粒子を分散媒に分散させたスラリーを塗布法等によりコーティングする。
次に、スラリーがコーティングされたガラス基材を熱処理し、無機酸化物のナノ粒子を凝集固着させる。
その後、コーティング基材を電解液中に浸漬し、光電気化学重合法により反応させる。電解液には導電性高分子のモノマーと支持電解質を溶媒に含有させる。照射光としては、無機酸化物のナノ粒子が正孔を生じさせるような波長、強度のものを用いる。下記の実施例では、波長３６５ｎｍ、照射光強度５０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を用いた。印加する電流の電流密度と電流印加時間は、両者の値に応じて適切に設定されるが、無機酸化物のナノ粒子として酸化チタン、モノマーとしてピロール（Ｐｙ）を用いた下記の実施例では、電流密度１．２７×１０−２〜１．２７Ａ／ｍ２、電流印加時間１０分〜２時間とした。
以上のようにして、目的のヘテロｐｎ接合半導体を得ることができる。
（実験Ｎｏ．１〜１０）
ヘテロｐｎ接合皮膜の作製には光電気化学重合法（Photo electrochemical polymerization、以下ＰＥＰ）を用いた。
まず、ＦＴＯ（フッ素ドープしたスズ酸化物）ガラス基材の表面に、表１に示すスラリーを塗布法により０．１（ｍｌ／ｃｍ２）の塗布量でコーティングした。このスラリーは、一次平均粒径２０ｎｍ、導電率σｎ：１．２５（×１０−５Ω−１・ｃｍ−１）のアナターゼ相酸化チタンのナノ粒子を、分散媒を硝酸として０．２（ｇ／ｍｌ）の含有量で分散させたものである。
コーティング後、加熱速度１５（Ｋ／ｍｉｎ）で７２３（Ｋ）まで加熱した後、３０分間熱処理を行い、基材に粒子嵩密度０．２５（ｇ／ｃｍ３）で凝集させた。
次に、このコーティング基材を表１に示す電解液中に浸漬しＰＥＰを実行した。電解液は、モノマーとして濃度０．１（ｍｏｌ／ｄｍ３）のピロールを用い、支持電解質として濃度０．１（ｍｏｌ／ｄｍ３）のｐ−トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム（Ｅｔ４ＮＰＴＳ）を用い、溶媒として水を用いた。この時、対極には白金板、参照極には（Ａｇ／ＡｇＣｌ／飽和ＫＣｌ）を用いた。
高圧紫外線ランプ（波長３６５（ｎｍ）[最強線］、照射光強度５０（ｍＷ／ｃｍ２））を用いた光照射下における動電位分極測定（スキャン範囲：−１．０〜１．５Ｖ、スキャン速度：２５ｍＶ／ｍｉｎ）、定電流密度（１．２７×１０−２〜１．２７Ａ／ｍ２）における定常アノード分極測定を行った。
また、作製した試料について光学顕微鏡（ＯＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による表面および断面の観察を行った。
その特性を以下のようにして測定した。
粒子径は、Ｘ線回折測定、レーザー回折粒度分布測定及びコールターカウンターを用いて測定した。
粒子（嵩）密度は、断面画像解析、水銀ポロシメータ、ピクノメータ及び重量・膜厚測定を用いて求めた。なお、表１の実験Ｎｏ．６、８〜１０は本発明を明らかにする為に示した比較例である。
光照射下の分極曲線
図２に予備実験で調べた光照射下における分極曲線を示す。これより、酸化電流は−０．８Ｖ付近と０．５Ｖ付近の２段階で上昇していることが分かる。−０．８Ｖからの酸化電流の上昇は酸化チタンにおける光による電子励起により生じた正孔にモノマーから電子が供給されたためと考えられる。他方、０．５Ｖからの酸化電流の上昇については、基材上でのポリピロールの酸化重合の進行によるものと考えられる。
定常アノード分極
光無照射および光照射下における浸漬電位および定常分極下（電流密度が１．２７×１０−２Ａ／ｍ２、１時間（実験Ｎｏ．１））における電位の経時変化を図３に示す。分極後のサンプルの表面接写像を図４に示す。サンプル表面が少し黒色化していることが分かる。また同サンプルの光学顕微鏡による表面写真を図５ａ〜ｃに示す。上記黒色化部分は、酸化チタンによる白色部分とポリピロールによる黒色部分が混在していることが分かる。同サンプル表面の走査型電子顕微鏡写真を図６ａ〜ｃに示す。図６ｂは二次電子像、図６ｃは反射電子像である。ポリピロールによる黒色部分は局在化していることが分かる。同サンプル断面の走査型顕微鏡写真を図７に示す。白色な酸化チタンの間に灰色に見える空隙があり、その一部に黒色のポリピロールが生成していることが分かる。
実験Ｎｏ．１の合成皮膜のσｐは１．９８（×１０−５Ω−１・ｃｍ−１）、粒子嵩密度は０．１２５（ｇ／ｃｍ３）、Ｘは０．７４、接触面積は６．３％であった。この例は、前記式のＸの範囲を満足しており、色素を用いることなく、すぐれた光電変換性能を有するヘテロｐｎ接合皮膜が得られた。
光無照射および光照射下における浸漬電位および定常分極下（電流密度が１．２７×１０−２Ａ／ｍ２、１．５時間（実験Ｎｏ．２））における電位の経時変化を図８に示す。分極後のサンプルの表面接写像を図９に示す。サンプル表面の黒色化部分が図４に比べて増加していることが分かる。また同サンプルの光学顕微鏡による表面写真を図１０ａ〜ｃに示す。上記黒色化部分は、酸化チタンによる白色部分とポリピロールによる黒色部分が混在していることが分かる。同サンプル表面の走査型電子顕微鏡写真を図１１ａ〜ｃに示す。ポリピロールによる黒色部分が図６ｃに比べて増加していることが分かる。同サンプル断面の走査型顕微鏡写真を図１２に示す。白色な酸化チタンの間に灰色に見える空隙があり、その一部に黒色のポリピロールが生成していることが分かる。図７に比べて、黒色面積が増加していることが分かる。
実験Ｎｏ．２の合成皮膜のσｐは１．９８（×１０−５Ω−１・ｃｍ−１）、粒子嵩密度は０．１２５（ｇ／ｃｍ３）、Ｘは１．１１、接触面積は９．５％であった。
光無照射および光照射下における浸漬電位および定常分極下（電流密度が１．２７×１０−２Ａ／ｍ２、２．０時間（実験Ｎｏ．３））における電位の経時変化を図１３に示す。分極後のサンプルの表面接写像を図１４に示す。サンプル表面の黒色化部分が図９に比べて増加していることが分かる。また同サンプルの光学顕微鏡による表面写真を図１５ａ〜ｃに示す。上記黒色化部分は、酸化チタンによる白色部分とポリピロールによる黒色部分が混在していることが分かる。同サンプル表面の走査型電子顕微鏡写真を図１６ａ〜ｃに示す。ポリピロールによる黒色部分が図１１ｃに比べて増加していることが分かる。同サンプル断面の走査型顕微鏡写真を図１７に示す。白色な酸化チタンの間に灰色に見える空隙があり、その一部に黒色のポリピロールが生成していることが分かる。図１２に比べて、黒色面積が増加していることが分かる。
実験Ｎｏ．３の合成皮膜のσｐは１．９８（×１０−５Ω−１・ｃｍ−１）、粒子嵩密度は０．１２５（ｇ／ｃｍ３）、Ｘは１．４８、接触面積は１２．６％であった。
光無照射および光照射下における浸漬電位および定常分極下（電流密度が１．２７Ａ／ｍ２、１０分（実験Ｎｏ．４）における電位の経時変化を図１８に示す。分極後のサンプル表面の走査型電子顕微鏡写真を図１９ａ〜ｂに示す。ポリピロールによる黒色部分が図１６ｃに比べて増加しているおり、ほとんどの部分が黒色に覆われていることが分かる。（例えば図１９ｂ）ことが分かる。
実験Ｎｏ．４の合成皮膜のσｐは１．９８（×１０−５Ω−１・ｃｍ−１）、粒子嵩密度は０．１２５（ｇ／ｃｍ３）、Ｘは１．１８、接触面積は１０％であった。
なお、電流密度が１．２７Ａ／ｍ２の場合には−０．２Ｖ付近までの緩やかな分極電位の上昇後、０．５Ｖ付近まで急激に電位が上昇し、ほぼ一定となった（図２０）。また、分極後のサンプルにおいては、基材付近にポリピロールの析出が観測された。分極曲線の結果と合わせると、−０．２Ｖ付近までは酸化チタン上、０．５Ｖにおいては、基材上でポリピロールの合成が進行したと考えられる。
ＦＴＯガラス上に酸化チタン皮膜を作製した基板を用いて、光電気化学重合法を用いてポリピロールの作製を検討した結果、酸化チタン上におけるポリピロールの析出はその電位に依存することが明らかとなった。また、成長過程は電流密度と電流印加時間に依存することが分かった。
実験Ｎｏ．５〜１０の合成皮膜についても、上記と同様に観察、測定を行った。Ｘ、接触面積の値は表１に示すとおりであった。
電気化学的測定は作用電極を取り付けるための開口部を有する三電極式セルを用いて行った。作用電極については、以下の通り作製した。酸化チタン（アナターゼ、２０ｎｍ）を含む懸濁液を透明電導酸化物（ＴＣＯ）ガラス基材上にコーティングした。７２３Ｋで３０分間熱処理した後、Ｒｕ色素（Ｎ７１９）を含むエタノール溶液に室温で２４時間浸漬した。電解質には、高分子の前駆体であるピロールおよびドーパントとなるｐ−トルエスルホン酸テトラエチルアンモニウムを支持塩として含むポリエチレングリコール（ＰＥＧ。分子量２００）を用いた。
対極には白金板を用い、参照電極にはＡｇ／ＡｇＣｌ／飽和ＫＣｌ溶液を用いた。本実施例においては、作用電極の電位は標準水素電極（ＳＨＥ）電位に対して示す。ソーラーシミュレータを用いて、作用電極の背面より可視光を導入した。
リニアスィープボルタンメトリーを走査速度２５ｍＶ／ｍｉｎで浸漬電位から２．０Ｖまで行った。クロノポテンシオメトリーを電流密度０．７５〜７５μＡ／ｃｍ２において行った。
サンプルの表面観察にはＳＥＭを用いた。図２１はクロノポテンシオメトリーを電流密度０．７５μＡ／ｃｍ２、６０ｍｉｎで行ったサンプル、図２２はクロノポテンシオメトリーを電流密度７．５μＡ／ｃｍ２、６０ｍｉｎで行ったサンプル、図２３はクロノポテンシオメトリーを電流密度７５μＡ／ｃｍ２において１０ｍｉｎで行ったサンプルのＳＥＭ像である。
電気量（＝電流×時間）が大きいほど、ポリピロール（上段の黒色部分）が増加し、重合が進んでいることが分かる。
いくつかの条件下において得られたアノード分極曲線を図２４に示す。光照射下における浸漬電位は暗時のものよりも卑しいであった。浸漬電位からのわずかなアノード分極により、光照射下における電流（光電流）は急激に増加した。これは光励起により生成する正孔がアノード反応を引き起こすためと考えられる。
ピロールが電解質に含まれるとき、−０．２５Ｖまでに観測される光電流はピロールが含まれないときのものよりも大きいことが分かる。また、−０．２５Ｖから１．６Ｖまでの範囲では、ピロールの有無に限らず、光電流の分極電位に対する依存性が同様であることが分かる。従って、−０．２５Ｖから１．６Ｖにおいては、ＰＥＧが光アノード反応に寄与していることが推測される。１．６Ｖ以上では、ピロールが電解液中に存在しないときには光電流はほぼ一定の値を示すのに対し、ピロールが含まれるときには光電流が増加した。この光電流の増加はＴＣＯ基材上におけるピロールの電解酸化重合によるものと考えられる。実際、暗時においては１．３Ｖ以上でアノード電流の急速な増加が観測された。
光照射下におけるクロノポテンシオメトリーの結果（図２５）より、電極電位が分極初期には時間とともに上昇し、その継続時間は電流密度に依存した。７．５μＡ／ｃｍ２で１時間分極した後の作用電極の表面には、有機物の存在が確認された（図２５）。これらの結果より、この継続時間においては色素増感光アノード反応によるＰｙの重合が進行するものと考えられる。また、分極初期の電位上昇の後、２段階の電位平坦部が観測された。低い側の電位においては、光励起により生じた正孔による電解質のアノード反応が進行し、高い側の電位において、ＴＣＯ基材上で電解酸化重合が進行していると推測される。
クロノポテンシオメトリー法の説明を以下に行う。
クロノポテンシオメトリー法とは、一定電流を流したときの電位変化を観測し、反応過程を電気化学的に解析する手法である。
電極電位が分極初期には時間とともに上昇する。この時間においては色素増感光アノード反応によるピロールの重合が進行する。
分極初期の電位上昇の後、２段階の電位平坦部について、低い側の電位においては、光励起により生じた正孔による電解質のアノード反応が進行し、高い側の電位において、ＴＣＯ基材上で電解酸化重合が進行する。
これまでに、無機半導体（酸化チタン）／色素／導電性高分子（ポリピロール）の構造については、報告例がある。しかしながら、その報告例としては光電気化学反応を起こす際に、電位を制御しているのみである。電位は構造内の部位（抵抗）によって変化することから、局所的に電流値（すなわち反応速度）が変わることになる。反応速度とは、すなわち導電性高分子の重合速度であり、いろいろな重合度を有する高分子が生成しまうことが予想される。
本発明では、定常分極（電位−電流）曲線に基づき、電流（反応速度）を一定として、重合を行うため、より均質な導電性高分子を含む構造が得られると考えられる。
なお、光アノード反応によるポリマーの重合過程を図２６を参照して以下に説明する。
以下の式に従って、モノマーは電子を放出し、ポリマーへと重合していく。
電荷のバランスを合わせるために、ドーパントがポリマー中へと取り込まれる。
モノマー→ポリマー＋電子
（酸化反応＝重合反応）
（Ｐ）導電性高分子（黒色の部分）
（Ｎ）ナノ粒子（白色の部分）
（Ｈ）導電性高分子が充填できなかった穴（黒色で奥行きが見える部分。）

Claims (3)

  1. ｐ型半導体である導電性高分子とｎ型半導体である無機酸化物とにより構成されたヘテロｐｎ接合半導体であって、前記導電性高分子が前記無機酸化物のナノ粒子間に、以下の式１を満たすように充填されてなることを特徴とするヘテロｐｎ接合半導体。
    ＜式１＞
    Ｖｐ／Ｖｎ＝Ｘ×σｎ／σｐ（０．１≦Ｘ≦１０）
    Ｖｐ＝ｐ型半導体である導電性高分子の体積
    σｐ＝ｐ型半導体である導電性高分子の導電率
    Ｖｎ＝ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の体積
    σｎ＝ｎ型半導体である無機酸化物ナノ粒子の導電率
  2. 請求項１に記載のヘテロｐｎ接合半導体であって、前記無機酸化物のナノ粒子の平均粒子径が２００ｎｍ以下であることを特徴とするヘテロｐｎ接合半導体。
  3. 請求項１または２に記載のヘテロｐｎ接合半導体の製造方法であって、基板上に凝集固着した無機酸化物のナノ粒子の間に前記導電性高分子のモノマーを侵入させ、その後、前記ナノ粒子が正孔を生じる光を照射するとともに、電流密度と電流印加時間の少なくとも一方を制御して定電流を印加し、光電気化学反応により、前記モノマーを重合して導電性高分子とし、ヘテロｐｎ接合半導体を製造することを特徴とするヘテロｐｎ接合半導体の製造方法。
JP2011501678A 2009-02-27 2010-02-26 ヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法 Pending JPWO2010098464A1 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009045406 2009-02-27
JP2009045406 2009-02-27
JP2009132693 2009-06-02
JP2009132693 2009-06-02
PCT/JP2010/053152 WO2010098464A1 (ja) 2009-02-27 2010-02-26 ヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2010098464A1 true JPWO2010098464A1 (ja) 2012-09-06

Family

ID=42665668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011501678A Pending JPWO2010098464A1 (ja) 2009-02-27 2010-02-26 ヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8563975B2 (ja)
EP (1) EP2403006A4 (ja)
JP (1) JPWO2010098464A1 (ja)
WO (1) WO2010098464A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2826070A4 (en) * 2012-03-14 2015-11-04 Univ Princeton HOLDER STOPPING SILICON / TITANIUM OXIDE HETEROUS BOND FOR SILICONE PHOTOVOLTAIC ELEMENTS
WO2014151522A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Hunt Energy Enterprises, L.L.C. Perovskite and other solar cell materials
US8889909B2 (en) 2013-03-15 2014-11-18 Hunt Energy Enterprises, Llc Tunable photoactive compounds
WO2015001984A1 (ja) * 2013-07-01 2015-01-08 コニカミノルタ株式会社 光電変換素子モジュールおよびその製造方法
JP5960921B2 (ja) * 2013-08-30 2016-08-02 積水化学工業株式会社 色素増感太陽電池の対極活物質の再活性化方法、色素増感太陽電池の再生方法、触媒層、対極及び色素増感太陽電池
US9136408B2 (en) 2013-11-26 2015-09-15 Hunt Energy Enterprises, Llc Perovskite and other solar cell materials

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999025028A1 (en) * 1997-11-11 1999-05-20 Universiteit Van Utrecht Polymer-nanocrystal photo device and method for making the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4320138B2 (ja) 2001-10-31 2009-08-26 独立行政法人科学技術振興機構 高分子固体電解質を正孔輸送層とする色素増感型太陽電池の対極を電子伝導性材料と高分子電解質からなる材料で形成した固体型色素増感型太陽電池
JP2004071682A (ja) 2002-08-02 2004-03-04 Casio Electronics Co Ltd 無機−有機薄膜複合材料
JP2004182819A (ja) 2002-12-02 2004-07-02 Achilles Corp 導電性ポリマーの製造方法および該導電性ポリマーを含有してなる導電性塗料
JP2006016582A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Katsumi Yamada 多光子吸収増感反応による導電性高分子の微小パターン形成法
CN101432904B (zh) * 2006-05-02 2012-03-21 三菱化学株式会社 有机光电转换元件的制造方法和有机光电转换元件
US20100147365A1 (en) * 2006-05-09 2010-06-17 The University Of North Carolina At Chapel Hill High fidelity nano-structures and arrays for photovoltaics and methods of making the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999025028A1 (en) * 1997-11-11 1999-05-20 Universiteit Van Utrecht Polymer-nanocrystal photo device and method for making the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20120032166A1 (en) 2012-02-09
EP2403006A1 (en) 2012-01-04
WO2010098464A1 (ja) 2010-09-02
EP2403006A4 (en) 2014-04-02
US8563975B2 (en) 2013-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Shaner et al. Stabilization of Si microwire arrays for solar-driven H 2 O oxidation to O 2 (g) in 1.0 M KOH (aq) using conformal coatings of amorphous TiO 2
Hou et al. Electrochemical method for synthesis of a ZnFe2O4/TiO2 composite nanotube array modified electrode with enhanced photoelectrochemical activity
Gurudayal et al. Improving the efficiency of hematite nanorods for photoelectrochemical water splitting by doping with manganese
Kavan et al. Electrochemical characterization of TiO2 blocking layers for dye-sensitized solar cells
Wu et al. Non-noble bimetallic NiMoO4 nanosheets integrated Si photoanodes for highly efficient and stable solar water splitting
Xie et al. Remarkable photoelectrochemical performance of carbon dots sensitized TiO 2 under visible light irradiation
Paulo et al. Carbon quantum dots as new hole transport material for perovskite solar cells
Cho et al. Polyaniline porous counter-electrodes for high performance dye-sensitized solar cells
Radich et al. Cu2S reduced graphene oxide composite for high-efficiency quantum dot solar cells. Overcoming the redox limitations of S2–/S n 2–at the counter electrode
Tsui et al. Modification of TiO2 nanotubes by Cu2O for photoelectrochemical, photocatalytic, and photovoltaic devices
JP2006108064A (ja) 染料感応太陽電池用高効率対向電極及びその製造方法
WO2010098464A1 (ja) ヘテロｐｎ接合半導体とその製造方法
Silipigni et al. Template electrochemical growth and properties of Mo oxide nanostructures
Zeng et al. Graphite powder film-supported Cu 2 S counter electrodes for quantum dot-sensitized solar cells
Kolay et al. New antimony selenide/nickel oxide photocathode boosts the efficiency of graphene quantum-dot co-sensitized solar cells
Habelhames et al. Synthesis and characterisation of polypyrrole–indium phosphide composite film
Bhat et al. All-solution-processed BiVO4/TiO2 photoanode with NiCo2O4 nanofiber cocatalyst for enhanced solar water oxidation
Braiek et al. Impact of In2S3 shells thickness on the electrochemical and optical properties of oriented ZnO/In2S3 core/shell nanowires
JP2006351289A (ja) 多孔性材料の製造方法、及び得られた多孔性材料を用いた製品
Dehaudt et al. Facile route to prepare film of poly (3, 4-ethylene dioxythiophene)-TiO2 nanohybrid for solar cell application
Narayanan et al. A CdS/Bi2S3 bilayer and a poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)/S2− interface control quantum dot solar cell performance
Park et al. Surface‐Passivated Vertically Oriented Sb2S3 Nanorods Photoanode Enabling Efficient Unbiased Solar Fuel Production
Al Katrib et al. Optimizing perovskite solar cell architecture in multistep routes including electrodeposition
Macherzynski et al. Electrochemical preparation of photosensitive porous n-type Si electrodes, modified with Pt and Ru nanoparticles
Sutthana et al. Enhancement of ZnO dye-sensitized solar cell performance by modifying photoelectrode using two-steps coating-etching process

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131007

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140204