JPWO2010095368A1 - 受信回路及び信号受信方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 212
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 69
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 79
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 73
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 2
- 101100489713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND1 gene Proteins 0.000 abstract description 37
- 101100489717 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND2 gene Proteins 0.000 abstract description 33
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 185
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 60
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 23
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 23
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 102100036285 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Human genes 0.000 description 11
- 101000875403 Homo sapiens 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Proteins 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 101100112673 Rattus norvegicus Ccnd2 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
- H04B5/20—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems characterised by the transmission technique; characterised by the transmission medium
- H04B5/22—Capacitive coupling
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01007—Nitrogen [N]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
本発明にかかる受信回路は、受信回路から送信された送信信号を受信するものであって、送信回路の送信方式によって様々な形態を有する。また、本発明にかかる受信回路は、送信回路とは異なる電源系において動作するものであり、異なる電源間で相対的に電源電位が変動することに起因して発生する電源間ノイズを低減する機能を有する。この電源間ノイズを低減する方法について以下の説明では複数の実施の形態において説明する。また、以下の説明では、本発明にかかる受信回路の動作を十分に説明するために、本発明にかかる受信回路を一部に含む信号伝達システムについて説明する。
実施の形態2にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態3にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態4にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態5にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1、4にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1、4にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態6にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1、4、5にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1、4、5にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態7にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1、4〜6にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1、4〜6にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態8にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1、4〜7にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1、4〜7にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態9にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1、4〜8にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1、4〜8にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態10にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1、4〜9にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1、4〜9にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態11にかかる信号伝達システムについて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1、4〜9にかかる信号伝達システムにおいて説明した要素については、実施の形態1、4〜9にかかる信号伝達システムの説明で使用した符号と同一の符号を付して説明を省略する。
2 リード端子
3、4、7 半導体チップ
5、5a、5b 送信回路
6、6a〜6j 受信回路
8 半導体基板
10、10a〜10d トランス
11、11a〜11c コンデンサ
20、23a、23b 送信バッファ
21 低域除去フィルタ
22、25 受信バッファ
24、26 差動増幅器
27〜29 増幅器
31、32〜37 ノイズ除去部
32a〜34a 参照ノイズ生成部
Cc、Cca、Ccb、Ccd、Ch コンデンサ
Cr レプリカコンデンサ
Cp、Cp1、Cp2 寄生容量
Ce1、Ce1a、Ce1b 電極
Ce2、Ce2a、Ce2b 電極
CLK クロック信号
L1、L11、L1d、L21 一次側コイル
L2、L12、L2d、L22 二次側コイル
L3r レプリカコイル
N1〜N3 NMOSトランジスタ
Pd パッド
Q1 パワートランジスタ
R1h、R2h、R3r 抵抗
RL1、RL2 負荷抵抗
W ボンディングワイヤ
Claims (29)
- 第1の電源系に属する第1の電源に基づき動作し、第2の電源系に属する第2の電源に基づき動作する送信回路が出力する送信信号を、交流結合素子を介して受信する受信回路であって、
前記第1の電源と前記第2の電源との電位差に起因して前記交流結合素子において発生する電源間ノイズの信号レベルを低減して伝達用信号を生成するノイズ除去部と、
前記伝達用信号に基づきデータ信号を再生する受信バッファと、
を有する受信回路。 - 前記ノイズ除去部は、前記交流結合素子と前記受信バッファとの間に設けられ、前記受信信号に含まれる前記電源間ノイズを低減して前記伝達用信号を生成する低域除去フィルタを有する請求項1に記載の受信回路。
- 前記ノイズ除去部は、
前記電源間ノイズと同じ位相となる参照ノイズ信号を生成する参照ノイズ生成部と、
前記受信信号と前記参照ノイズ信号との電位差を増幅して前記伝達用信号を生成する差動増幅器と、
を有する請求項1又は2に記載の受信回路。 - 前記交流結合素子は、1つ又は2つの半導体基板上に一次側コイルと二次側コイルとが形成されるトランスであって、
前記参照ノイズ生成部は、前記一次側コイルと前記二次側コイルとの間に形成される寄生容量の容量値に応じた容量値を有し、一方の端子が前記第2の電源に接続されるレプリカコンデンサを有する請求項3に記載の受信回路。 - 前記参照ノイズ生成部は、前記レプリカコンデンサと前記差動増幅器との間に設けられ、前記レプリカコンデンサから得られる信号の信号レベルを調節する第1の前段増幅器を有する請求項4に記載の受信回路。
- 前記参照ノイズ生成部は、前記レプリカコンデンサの他方の端子と前記第1の電源との間に接続され、前記二次側コイルのインダクタンス値に応じたインダクタンス値を有するレプリカコイルを有する請求項4又は5に記載の受信回路。
- 前記参照ノイズ生成部は、前記レプリカコイルと前記差動増幅器との間に設けられ、前記レプリカコイルから得られる信号の信号レベルを調節する第2の前段増幅器を有する請求項6に記載の受信回路。
- 前記前記第1の前段増幅器と前記第2の前段増幅器は、1つの増幅器として構成され、前記増幅器は、前記レプリカコンデンサから得られると前記レプリカコイルから得られる信号とを合成して前記差動増幅器に出力する請求項7に記載の受信回路。
- 前記レプリカコイルは、前記二次側コイルよりも直径が小さい請求項6乃至8のいずれか1項に記載の受信回路。
- 前記参照ノイズ生成部は、前記交流結合素子と同一の素子であって、前記第2の電源に接続される少なくとも1つの送信回路側端子と、前記差動増幅器に前記参照ノイズ信号を与える受信回路側端子と、を有するダミー交流結合素子を有する請求項3に記載の受信回路。
- 前記交流結合素子及び前記ダミー交流結合素子は、一次側コイルと二次側コイルとが形成されるトランスであって、
前記交流結合素子の一次側コイルは、一方の端子が前記第2の電源に接続され、他方の端子が前記送信回路に接続され、
前記交流結合素子の二次側コイルは、一方の端子が前記第1の電源に接続され、他方の端子が前記前記差動増幅器に接続され、
前記ダミー交流結合素子の一次側コイルは、一方の端子が前記第2の電源に接続され、
前記ダミー交流結合素子の二次側コイルは、一方の端子が前記第1の電源に接続され、他方の端子が前記前記差動増幅器に接続される請求項10に記載の受信回路。 - 前記交流結合素子及び前記ダミー交流結合素子は、同一半導体基板上に第1の電極と第2の電極とが形成されるコンデンサであって、
前記交流結合素子の前記第1の電極は、前記送信回路に接続され、
前記交流結合素子の前記第2の電極は、前記差動増幅器に接続され、
前記ダミー交流結合素子の前記第1の電極は、前記第1の電源に接続され、
前記ダミー交流結合素子の前記第2の電極は、前記差動増幅器に接続される請求項10に記載の受信回路。 - 前記ダミー交流結合素子は、複数の前記交流結合素子に対して1つ設けられる請求項10乃至12のいずれか1項に記載の受信回路。
- 前記交流結合素子は、一次側コイルと二次側コイルとが形成されるトランスであって、
前記交流結合素子の一次側コイルは、一方の端子が前記第2の電源に接続され、他方の端子が前記送信回路に接続され、
前記交流結合素子の二次側コイルは、一方の端子が前記第1の電源に接続され、他方の端子が前記差動増幅器に接続され、
前記参照ノイズ生成部は、前記交流結合素子の前記二次側コイルと連続して形成され、一方の端子が前記第1の電源に接続され、他方の端子が前記差動増幅器に接続されるダミー二次側コイルを有し、
前記一次側コイルと前記二次側コイルとの間に形成される寄生容量と、前記一次側コイルと前記ダミー二次側コイルとの間に形成される寄生容量は、容量値が実質的に同じである請求項3に記載の受信回路。 - 前記交流結合素子の前記二次側コイルと前記差動増幅器との間、及び、前記ダミー二次側コイルと前記差動増幅器との間にそれぞれ設けられる低域除去フィルタを有する請求項14に記載の受信回路。
- 前記交流結合素子は、前記送信回路が出力する第1の送信信号を前記受信回路に伝達する第1の交流結合素子と、
前記送信回路が出力し、前記第1の送信信号と相補関係を有する第2の送信信号を前記受信回路に伝達する第2の交流結合素子と、を有し、
前記ノイズ除去部は、前記第1の交流結合素子を介して得られる第1の受信信号と、前記第2の交流結合素子を介して得られる第2の受信信号と、の差電圧を増幅して出力する差動増幅器を有する請求項1又は2に記載の受信回路。 - 前記差動増幅器と前記第1の交流結合素子との間に設けられる第1の低域除去フィルタと、
前記差動増幅器と前記第2の交流結合素子との間に設けられる第2の低域除去フィルタと、
を有する請求項16に記載の受信回路。 - 前記第1、第2の交流結合素子は、それぞれ一次側コイルと二次側コイルとを有するトランスである請求項16又は17に記載の受信回路。
- 前記第1、第2の交流結合素子は、それぞれコンデンサである請求項16又は17に記載の受信回路。
- 前記第1の送信信号は、送信対象データが第1の論理レベルである場合にパルス状の信号波形となり、
前記第2の送信信号は、前記送信対象データが第2の論理レベルである場合にパルス状の信号波形となる請求項16乃至19のいずれか1項に記載の受信回路。 - 前記第1の送信信号と前記第2の送信信号は差動信号である請求項16乃至20のいずれか1項に記載の受信回路。
- 前記低域除去フィルタは、
前記第1の電源のうち高電位側の電圧を供給する高電位側電源配線と、前記第1の電源のうち低電位側の電圧を供給する低電位側電源配線との間に直列に接続される第1、第2の抵抗と、
一方の端子に前記受信信号が入力され、他方の端子が前記第1、第2の抵抗の接続点及び前記受信バッファに接続されるコンデンサと、
を有する請求項2乃至15、及び、17乃至21のいずれか1項に記載の受信回路。 - 前記受信回路は、前記受信バッファが再生した前記データ信号に基づき導通状態が制御されるパワートランジスタQ1を有し、
前記受信回路は、前記パワートランジスタの出力電圧を前記第1の電源として動作する請求項2乃至22のいずれか1項に記載の受信回路。 - 第1の電源系に属する第1の電源に基づき動作し、第2の電源系に属する第2の電源に基づき動作する送信回路が出力する送信信号を、交流結合素子を介して受信する受信回路における信号受信方法、
前記第1の電源と前記第2の電源との電位差に起因して前記交流結合素子において発生する電源間ノイズの信号レベルを低減して伝達用信号を生成し、
前記伝達用信号に基づきデータ信号を再生する信号受信方法。 - 前記電源間ノイズは、前記伝達用信号に重畳されるパルス信号よりも周波数が低い請求項24に記載の信号受信方法。
- 前記伝達用信号は、
前記電源間ノイズと同じ位相となる参照ノイズ信号と、前記電源間ノイズと、の電位差とに基づき生成される請求項24又は25に記載の信号受信方法。 - 前記参照ノイズ信号は、所定の増幅率で振幅を増幅した後に前記伝達用信号の生成に用いられる請求項26に記載の信号受信方法。
- 前記交流結合素子に外部から入力される外来ノイズに対応した参照外来ノイズ信号を生成し、前記電源間ノイズと前記参照外来ノイズ信号との電位差に基づき前記伝達用信号を生成する請求項24乃至27のいずれか1項に記載の信号受信方法。
- 前記交流結合素子は、前記送信回路が出力する第1の送信信号を前記受信回路に伝達する第1の交流結合素子と、
前記送信回路が出力し、前記第1の送信信号と相補関係を有する第2の送信信号を前記受信回路に伝達する第2の交流結合素子と、を有し、
前記伝達用信号は、前記第1の交流結合素子を介して得られる第1の受信信号と、前記第2の交流結合素子を介して得られる第2の受信信号と、の差電圧に基づき生成される請求項24又は25に記載の信号受信方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011500482A JP5582134B2 (ja) | 2009-02-20 | 2010-01-27 | 受信回路及び信号受信方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009038070 | 2009-02-20 | ||
JP2009038070 | 2009-02-20 | ||
JP2011500482A JP5582134B2 (ja) | 2009-02-20 | 2010-01-27 | 受信回路及び信号受信方法 |
PCT/JP2010/000465 WO2010095368A1 (ja) | 2009-02-20 | 2010-01-27 | 受信回路及び信号受信方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010095368A1 true JPWO2010095368A1 (ja) | 2012-08-23 |
JP5582134B2 JP5582134B2 (ja) | 2014-09-03 |
Family
ID=42633659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011500482A Expired - Fee Related JP5582134B2 (ja) | 2009-02-20 | 2010-01-27 | 受信回路及び信号受信方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8710964B2 (ja) |
JP (1) | JP5582134B2 (ja) |
WO (1) | WO2010095368A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5521665B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | コイルユニット、それを用いた送電装置及び受電装置 |
WO2013061899A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | 株式会社村田製作所 | 受電装置、送電装置およびワイヤレス電力伝送システム |
SE536260C2 (sv) * | 2011-12-16 | 2013-07-23 | Kawa Amin | Trådlös närhetsbrytare med målenhet innehållande inverterare |
JP5828768B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2015-12-09 | パナソニック株式会社 | 保護回路 |
US9380705B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-06-28 | Analog Devices, Inc. | Laterally coupled isolator devices |
TWI532351B (zh) * | 2013-11-07 | 2016-05-01 | 國立交通大學 | 寬頻連接結構及其連接方法、傳輸裝置及傳輸寬頻訊號的方法 |
JP6582401B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2019-10-02 | 富士電機株式会社 | 信号伝達装置 |
US10014856B2 (en) | 2015-01-20 | 2018-07-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Signal transmission device |
EP3386106B1 (en) * | 2015-07-08 | 2021-03-24 | Power Integrations Switzerland GmbH | Receiver circuit |
CN107926100B (zh) * | 2015-08-20 | 2020-05-05 | 飞利浦照明控股有限公司 | 用于无线地传输逻辑dali信号的系统、发射机和接收机 |
TWI573315B (zh) * | 2016-01-19 | 2017-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 電隔離器電路 |
KR101728628B1 (ko) * | 2016-01-28 | 2017-04-19 | 숭실대학교산학협력단 | 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기 |
US10164614B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-12-25 | Analog Devices Global Unlimited Company | Tank circuit and frequency hopping for isolators |
US10763037B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-09-01 | Analog Devices, Inc. | EMI rejection for near field links |
JP7051649B2 (ja) | 2018-09-07 | 2022-04-11 | 株式会社東芝 | 磁気結合装置及び通信システム |
US11716117B2 (en) * | 2020-02-14 | 2023-08-01 | Texas Instruments Incorporated | Circuit support structure with integrated isolation circuitry |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6312600Y2 (ja) * | 1981-05-20 | 1988-04-11 | ||
JPS6312600A (ja) | 1986-07-03 | 1988-01-19 | 株式会社豊田自動織機製作所 | リ−チ式フオ−クリフトの安全装置 |
US4697166A (en) * | 1986-08-11 | 1987-09-29 | Nippon Colin Co., Ltd. | Method and apparatus for coupling transceiver to power line carrier system |
US5701037A (en) | 1994-11-15 | 1997-12-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Arrangement for inductive signal transmission between the chip layers of a vertically integrated circuit |
JP2984598B2 (ja) | 1996-06-12 | 1999-11-29 | 埼玉日本電気株式会社 | 信号伝送回路 |
US6873065B2 (en) | 1997-10-23 | 2005-03-29 | Analog Devices, Inc. | Non-optical signal isolator |
US6262600B1 (en) | 2000-02-14 | 2001-07-17 | Analog Devices, Inc. | Isolator for transmitting logic signals across an isolation barrier |
JP2004253999A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Nec Corp | 信号中継回路 |
WO2004100473A2 (en) | 2003-04-30 | 2004-11-18 | Analog Devices, Inc. | Signal isolators using micro-transformers |
JP2005073209A (ja) | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Tdk Corp | 電力線通信ユニットおよびカプラ回路 |
US7302247B2 (en) | 2004-06-03 | 2007-11-27 | Silicon Laboratories Inc. | Spread spectrum isolator |
WO2006013638A1 (ja) | 2004-08-04 | 2006-02-09 | Hitachi, Ltd. | コネクタ、情報処理装置、及び情報伝達システム |
JP2007324787A (ja) | 2006-05-31 | 2007-12-13 | New Japan Radio Co Ltd | 信号処理回路 |
WO2010113383A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
2010
- 2010-01-27 WO PCT/JP2010/000465 patent/WO2010095368A1/ja active Application Filing
- 2010-01-27 JP JP2011500482A patent/JP5582134B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-27 US US13/147,667 patent/US8710964B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110291819A1 (en) | 2011-12-01 |
JP5582134B2 (ja) | 2014-09-03 |
US8710964B2 (en) | 2014-04-29 |
WO2010095368A1 (ja) | 2010-08-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |