JPWO2010084717A1 - 冷却装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の冷却装置は、電子部品(2)を支持する第1面(1A)と、第1面(1A)の反対側の第2面(1B)とを有する基板(1)と、基板(1)の第2面(1B)との間で空間(20)を形成可能な容器(5)と、基板(1)に支持された電子部品(2)と熱的に接続され、少なくとも一部が空間(20)内の液体と接触するように空間(20)に配置され、電子部品(2)が発する熱に基づいて、液体(6)の少なくとも一部を気体に相変化させる蒸発部(4)とを備える。
Description
本発明は、冷却装置に関する。
コンピュータ等の電子機器において、LSI、IC等の電子部品(半導体チップ)が使用される。発熱によって電子部品の温度が上昇すると、高速且つ安定した動作を実現することが困難になる可能性がある。そのため、下記特許文献に開示されているような、電子部品を冷却する技術が案出されている。
近年における電子部品の集積度の向上等により、電子部品の発熱量(発熱密度)の増大は著しい。しかし、発熱量が大きい電子部品をヒートシンク等の冷却装置を用いて所望の温度に冷却しようとする場合、冷却装置を大型化する必要が生じる可能性がある。その結果、電子機器が大型化する可能性がある。
本発明は、大型化を抑制でき、電子部品を効率良く冷却できる冷却装置を提供することを目的の一例とする。
本発明の一態様に従えば、電子部品を支持する第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する基板と、前記基板の第2面との間で空間を形成可能な容器と、前記基板に支持された前記電子部品と熱的に接続され、少なくとも一部が空間内の液体と接触するように前記空間に配置され、前記電子部品が発する熱に基づいて、前記液体の少なくとも一部を気体に相変化させる蒸発部と、を備えた冷却装置が提供される。
本発明によれば、大型化を抑制でき、電子部品を効率良く冷却できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定する。このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向と設定する。水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向と設定する。X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(鉛直方向、上下方向)をZ軸方向と設定する。X軸、Y軸及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY及びθZ方向と設定する。
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る冷却装置100の一例を示す組立図である。図2は、第1実施形態に係る冷却装置100の一例を示す側断面図である。
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る冷却装置100の一例を示す組立図である。図2は、第1実施形態に係る冷却装置100の一例を示す側断面図である。
図1及び図2に示すように、冷却装置100は、基板1と、容器5と、蒸発部4とを備えている。基板1は、電子部品2を支持する第1面1Aと、第1面1Aの反対側の面である第2面1Bとを有する。容器5は、基板1の第2面1Bとの間で空間20を形成できる。蒸発部4は、基板1に支持された電子部品2と熱的に接続されている。蒸発部4は、少なくとも一部が空間20内の液体6と接触するように空間20に配置される。蒸発部4は、電子部品2が発する熱に基づいて、液体6の少なくとも一部を気体に相変化させる。
冷却装置100は、凝縮部8をさらに備えている。凝縮部8は、少なくとも一部が空間20内の液体6及び気体の少なくとも一方と接触するように空間20に配置される。凝縮部8は、その空間20内の気体の熱を奪って、気体の少なくとも一部を液体に相変化させる。
冷却装置100は、凝縮部8と熱的に接続され、凝縮部8からの熱を放散するヒートシンク7をさらに備えている。
本実施形態において、電子部品2は、LSI、IC等の半導体素子(半導体チップ)である。電子部品2は、駆動されることによって、発熱する。
基板1は、電子部品2を支持する第1面1Aと、第1面1Aの逆方向を向く第2面1Bとを有する。図1及び図2において、第1面1Aは、−X方向を向き、第2面1Bは、+X方向を向いている。第2面1Bは、空間20に面する。
電子部品2は、第1面1Aの第1位置に配置される。本実施形態において、基板1は、複数の電子部品2を支持する。本実施形態において、基板1は、3つの電子部品2を支持する。複数(3つ)の電子部品2は、第1面1Aの異なる複数の第1位置のそれぞれに、間隔を開けて配置されている。
容器5は、基板1を支持可能である。本実施形態において、容器5は、基板1の第2面1Bと対向し、その第2面1Bの少なくとも一部を支持する。空間20は、容器5と、容器5に支持された基板1との間に形成される。
本実施形態において、容器5は、凹部51と、凹部51の周囲に配置され、基板1の第2面1Bの少なくとも一部を支持する支持面52とを有する。基板1の第2面1Bが容器5の支持面52に支持されることによって、容器5の凹部51と基板1の第2面1Bとの間に空間20が形成される。
本実施形態においては、容器5は、金属で形成されている。金属製の容器5は、熱伝導性が良好である(熱伝導率が高い)。容器5が、合成樹脂で形成されてもよい。合成樹脂は成型し易いので、合成樹脂製の容器5は円滑に製造することができる。
本実施形態においては、基板1と容器5とは、雄ネジ12によって接続され、固定される。基板1は、複数の位置に、雄ネジ12を配置可能な貫通孔1Hを有する。容器5は、支持面52の複数の位置に雌ネジ溝53を有する。雌ネジ溝53は、貫通孔1Hに対応するように形成され、雄ネジ12と接続される。貫通孔1Hと雌ネジ溝53とが位置合わせされ、容器5の支持面52と基板1の第2面1Bとが接触した状態で、雄ネジ12が貫通孔1H及び雌ネジ溝53に配置される。この構成により、基板1と容器5とが接続され、固定される。
本実施形態においては、冷却装置100は、基板1の第2面1Bと容器5の支持面52との間に配置されたシール部材11をさらに有する。シール部材11は、例えば、Oリングである。シール部材11により、空間20は、略密閉される。また、シール部材11によって、空間20の液体6の漏出が抑制される。
空間20は、液体6を保持可能である。液体6は、電子部品2を冷却するための冷媒である。液体6は、低い沸点を有することが望ましい。本実施形態においては、液体6として、ハイドロフロロエーテルを用いる。液体6は、ハイドロフロロカーボンでもよい。液体6は、ハイドロフロロエーテル及びハイドロフロロカーボンの両方を含んでもよい。ハイドロフロロエーテル及びハイドロフロロカーボンの沸点は低い。ハイドロフロロエーテル及びハイドロフロロカーボンは、絶縁性であり、不活性である。
蒸発部4は、基板1の第2面1Bに配置されている。本実施形態において、蒸発部4は、基板1の第2面1Bに支持された第1部材41で構成されている。本実施形態において、第1部材41は、第2面1Bに接続されるプレート部材41Aと、プレート部材41Bに配置されたフィン部材41Bとを含む。第2面1Bに配置された第1部材41は、第1面1Aに配置された電子部品2と、熱的に接続される。
第1部材41は、熱伝導性が良好な材料で形成されている。本実施形態において、第1部材41は、金属で形成されている。本実施形態において、第1部材41は、銅で形成されている。第1部材41は、アルミニウムで形成されてもよい。また、第1部材41は、銅及びアルミニウムの両方で形成されていてもよいし、銅及びアルミニウム以外の材料(例えば鉄等の他の金属)で形成されてもよい。プレート部材41Aとフィン部材41Bとが、異なる材料で形成されてもよい。
本実施形態において、基板1は、第1面1Aと第2面1Bとを結ぶように形成されたサーマルビア3を有する。サーマルビア3は、第1面1Aと第2面1Bとを結ぶように形成された貫通孔と、その貫通孔の内面に形成された金属膜とを含む。金属膜は、貫通孔の内面に、めっき処理を施すことによって形成される。本実施形態においては、貫通孔の内面に、銅めっき処理が施されている。
本実施形態においては、電子部品2と第1部材41(蒸発部4)とは、基板1に形成されたサーマルビア3を介して接続されている。電子部品2は、第1面1A側において、サーマルビア3と対向するように配置される。第1部材41は、第2面1B側において、サーマルビア3と対向するように配置される。電子部品2は、サーマルビア3の少なくとも一部と接続される。第1部材41は、サーマルビア3の少なくとも一部と接続される。電子部品2は、少なくとも一部がサーマルビア3と接触するように、基板1の第1面1Aに支持される。第1部材41は、少なくとも一部がサーマルビア3と接触するように、基板1の第2面1Bに支持される。
本実施形態において、電子部品2は、ピンを有する。ピンは、例えば信号ピン、あるいは電源ピンを含む。電子部品2のピンは、サーマルビア3に配置可能である。本実施形態においては、電子部品2のピンがサーマルビア3に配置された状態(すなわち、電子部品2のピンがサーマルビア3に挿入された状態)で、ピンとサーマルビア3とが半田によって接続される。また、第1部材41とサーマルビア3とが半田によって接続される。この構成により、電子部品2及び第1部材41が基板1に固定され、電子部品2と第1部材41(蒸発部4)とがサーマルビア3を介して熱的に接続される。サーマルビア3が、例えば電源のグランドピンを兼ねてもよい。第1部材41とサーマルビア3(基板1)とが、熱伝導性が良好な接着材で接続されてもよい。
本実施形態において、空間20に面する第1部材41(蒸発部4)の表面は、粗い。本実施形態において、第1部材41(蒸発部4)の表面は、粗面処理されており、所定の表面粗さを有する。本実施形態においては、第1部材41(蒸発部4)の表面は、サンドブラスト等によって、表面粗さが数10μmから数100μm程度になるように、粗らされている。
ヒートシンク7は、基板1の第1面1Aに支持されている。ヒートシンク7は、電子部品2が配置される第1面1Aの第1位置とは異なる第1面1Aの第2位置に配置されている。ヒートシンク7は、電子部品2の熱を、周囲の雰囲気(大気空間)に放散することができる。
凝縮部8は、基板1の第2面1Bに配置されている。凝縮部8は、蒸発部4が配置される第2面1Bの第3位置とは異なる第2面1Bの第4位置に配置されている。
本実施形態において、凝縮部8は、基板1の第2面1Bに支持された第2部材81で構成されている。本実施形態において、第2部材81は、第2面1Bに接続されたプレート部材81Aを含む。第2面1Bに配置された第2部材81は、第1面1Aに配置されたヒートシンク7と、熱的に接続される。
第2部材81は、熱伝導性が良好な材料で形成されている。本実施形態において、第2部材81は、金属で形成されている。本実施形態において、第2部材81は、銅で形成されている。第2部材81は、アルミニウムで形成されてもよい。第2部材81は、銅及びアルミニウムの両方で形成されていてもよいし、銅及びアルミニウム以外の材料(例えば鉄等の他の金属)で形成されてもよい。
本実施形態においては、ヒートシンク7と第2部材81(凝縮部8)とは、基板1に形成されたサーマルビア3を介して接続されている。ヒートシンク7は、第1面1A側において、サーマルビア3と対向するように配置される。第2部材81は、第2面1B側において、サーマルビア3と対向するように配置される。ヒートシンク7は、サーマルビア3の少なくとも一部と接続され、第2部材81は、サーマルビア3の少なくとも一部と接続される。ヒートシンク7は、少なくとも一部がサーマルビア3と接触するように、基板1の第1面1Aに支持される。第2部材81は、少なくとも一部がサーマルビア3と接触するように、基板1の第2面1Bに支持される。
本実施形態においては、ヒートシンク7とサーマルビア3とが半田によって接続される。第2部材81とサーマルビア3とが半田によって接続される。この構成により、ヒートシンク7及び第2部材81が基板1に固定され、ヒートシンク7と第2部材81(凝縮部8)とがサーマルビア3を介して熱的に接続される。第2部材81とサーマルビア3(基板1)とが、熱伝導性が良好な接着材で接続されてもよい。ヒートシンク7が、熱伝導性が良好な放熱グリース、あるいは放熱シートを介して、基板1に接続されてもよい。
本実施形態において、空間20に面する第2部材81(凝縮部8)の表面は、粗い。本実施形態において、第2部材81(凝縮部8)の表面は、粗面処理されており、所定の表面粗さを有する。本実施形態においては、第2部材81(凝縮部8)の表面は、サンドブラスト等によって、表面粗さが数10μmから数100μm程度になるように、粗らされている。第2部材81(凝縮部8)の表面が、粗面処理されていなくてもよい。
第1部材41と同様、第2部材81(凝縮部8)が、プレート部材と、そのプレート部材に接続されたフィン部材とを含んでもよい。プレート部材及びフィン部材を含む第2部材81(凝縮部8)の表面が、粗面処理されていてもよい。プレート部材及びフィン部材を含む第2部材81(凝縮部8)の表面が、粗面処理されていなくてもよい。
本実施形態において、冷却装置100は、容器5に配置され、空間20に液体6を供給する供給口13を備えている。供給口13より空間20に液体6が供給されることによって、その空間20に液体6が保持される。
本実施形態においては、空間20の圧力は、空間20内の液体6の沸点が略常温(例えば23℃)になるように調整されている。本実施形態において、空間20の圧力は、少なくとも大気圧より低い。
次に、空間20に液体6を供給する方法の一例について説明する。基板1と容器5とが雄ネジ12を用いて接続され、空間20が形成された後、液体6が供給口13から空間20に供給される。空間20には、所定量の液体LQが供給される。
空間20に所定量の液体6が供給された後、供給口13に真空ポンプ等の吸引装置がチューブを介して接続される。そして吸引装置が作動され、空間20の圧力が低下される。吸引装置は、少なくとも大気圧より低くなるように、空間20の圧力を調整する。空間20の圧力が低下することによって、空間20内の液体6の沸点が低下する。本実施形態においては、空間20内の液体6の沸点が、ほぼ常温になるように、空間20の圧力が調整される。
吸引装置を用いて空間20の圧力が低下された後、供給口13が閉じられる。例えば、供給口13にシール部材が配置されることによって、供給口13が閉じられ、空間20の圧力が低下された状態が維持される。なお、供給口13を閉じるために、例えば供給口13を開閉可能なバルブ機構を用いることもできる。
空間20の圧力が低下することによって、基板1の第1面1A側の圧力(大気圧)と、第2面1B側の圧力(空間20の圧力)との圧力差によって、基板1が変形する可能性がある。空間20の内側に、例えばリム部材を配置することによって、基板1の変形を抑制することができる。
次に、図3を参照しながら、本実施形態に係る冷却装置100の動作の一例について説明する。本実施形態においては、図3に示すように、第1面1A及び第2面1BがYZ平面と平行となるように冷却装置100を配置した状態で、電子部品2が駆動される。
図3に示すように、本実施形態においては、Z軸方向に関して、空間20内の液体6の表面の位置(高さ)が、電子部品2の位置(高さ)より高くなるように、空間20に所定量の液体6が保持されている。
電子部品2が駆動され、発熱すると、その電子部品2の熱は、基板1の第2面1B側に伝達される。本実施形態において、電子部品2が発する熱は、サーマルビア3を介して、第1部材41(蒸発部4)に伝達される。これにより、第1部材41(蒸発部4)の温度が上昇する。
蒸発部4の温度が上昇することによって、その蒸発部4に接触する空間20内の液体6の少なくとも一部が加熱され、気体に相変化する。すなわち、電子部品2が発する熱に基づいて蒸発部4の温度が上昇し、その蒸発部4に接触する空間20内の液体6の少なくとも一部の温度が、その液体6の沸点以上に上昇する場合、液体6の少なくとも一部は、気体に相変化する。これにより、蒸発部4の近傍において、気泡が発生する。
本実施形態においては、空間20内の液体6の沸点がほぼ常温になるように、空間20の圧力が調整されている。よって、電子部品2が発する熱によって、その電子部品2に熱的に接続されている蒸発部4に接触した液体6の少なくとも一部を、円滑に、気体に相変化させることができる。
本実施形態においては、蒸発部4の表面が粗いので、その蒸発部4に接触した液体6から、気体を円滑に発生させることができる。すなわち、蒸発部4の表面が粗いので、気泡が発生する核の数を増やすことができる。その結果、液体6を円滑に気体に相変化させることができる。
蒸発部4で発生した気体は、液体6中を+Z方向に移動する(すなわち、蒸発部4で発生した気体は、上昇する)。気体が液体6中を+Z方向に移動することによって、その気体(気泡)の体積は増大する(すなわち、気体(気泡)の体積は膨張する)。
空間20中には、図3中、例えば矢印9で示すような液体6の流れが生成され、蒸発部4で発生した気体は、ヒートシンク7に熱的に接続されている凝縮部8へ向かって移動する。すなわち、蒸発部4で発生した気体は、矢印9で示すように流れる液体6とともに、凝縮部8に向かって移動する。
蒸発部4で発生した気体(気泡)が、凝縮部8に向かって円滑に移動できるように、すなわち、蒸発部4で発生した気体(気泡)が、フィン部材41Bに邪魔されないように、フィン部41Bの間隔は、約1mmから数mm程度であることが望ましい。
凝縮部8に移動した液体6及び気体(気泡)と凝縮部8とが接触することによって、その液体6及び気体の熱が、凝縮部8に奪われる。気体の熱が凝縮部8に奪われることによって、その気体の少なくとも一部は、液体6に相変化する。
気体から熱を奪った凝縮部8の熱は、サーマルビア3を介して、ヒートシンク7に伝達され、そのヒートシンク7を介して、周囲の雰囲気に放散される。
凝縮部8で気体から相変化された液体6、あるいは凝縮部8近傍の液体6は、重力の作用によって下方に移動する。また、空間20中には、図3中、例えば矢印10で示すような液体6の流れが生成され、凝縮部8で生成された液体6、あるいは凝縮部6近傍の液体6は、蒸発部4に向かって移動する。
このように、本実施形態においては、液体6が保持された空間20において、蒸発部7における液体6の気化(蒸発)と、凝縮部8における気体の液化(凝縮)とが実行される。すなわち、空間20において、蒸発と凝縮との循環サイクルが生成される。
この蒸発と凝縮との循環サイクルは、温度上昇を伴わない潜熱によって行われる。したがって、この循環サイクルの熱輸送能力は、例えば銅の熱伝導に比べ、数倍から数10倍にも達する。
本実施形態の冷却装置100は、その外形が平板状であり、上述の循環サイクルで電子部品2を冷却可能な平板沸騰冷却器を構成する。
以上説明したように、本実施形態によれば、液体6と基板1とを直接接触させた状態で、その液体6及び気体の流れを、重力の作用によって発生させることができる。すなわち、液体6に対流を発生させることができる。したがって、その基板1に支持された電子部品2を効率良く冷却することができる。
また、蒸発部4が設けられているので、発熱量が大きい電子部品2であっても、その電子部品2を効率良く冷却することができる。また、電子部品2が発する熱を効率良く奪うことができるので、冷却装置100の小型化(薄型化)、ひいてはその電子部品2及び冷却装置100が搭載される電子機器の小型化を図ることができる。また、電子部品2として、高速なプロセッサの搭載も可能となる。
また、本実施形態においては、発熱源である電子部品2が複数存在する場合でも、それら電子部品2を支持する基板1及びその基板1に接触する液体6を用いて、各電子部品2が発する熱を拡散してから、その熱に基づいて発生した気体を凝縮部8に移動させる。よって、凝縮部8及びその凝縮部8に熱的に接続されるヒートシンク7の数の増大を抑制しつつ、高い冷却効率を得ることができる。すなわち、電子部品2のレイアウトに依存することなく、複数の電子部品2を効率良く冷却することができる。例えば、基板1上で局所的に発熱密度が大きくなっても、対流する液体6によって、複数の電子部品2のそれぞれを冷却することができる。
また、ヒートシンク7にファン装置を設ける場合にも、そのファン装置の数の増大を抑制できる。したがって、冷却装置100の大型化を抑制でき、騒音のレベルも抑えることができる。また、そのファン装置の消費電力を抑制することができる。
また、本実施形態においては、液体6として、絶縁性を有し、かつ基板1の腐食等の発生を抑制できる不活性な液体(ハイドロフロロエーテル、ハイドロフロロカーボン等)が使用される。したがって、冷却装置100の劣化を抑制することができる。
また、本実施形態においては、所定の大きさを有する空間20内で液体6を流す構成である。そのため、使用する液体6の選択の自由度を高めることができる。例えば、表面張力が小さい液体6を用いた場合でも、その液体6を空間20内で円滑に流して、電子部品2を冷却することができる。
また、本実施形態においては、冷却装置100の構造がシンプルであり、基板1の第1面1Aの広い領域を冷却することができる。したがって、電子部品2のレイアウトの自由度の低下を抑制することができる。
また、本実施形態においては、容器5に支持された基板1の第1面1Aに、異なる形状及び大きさの電子部品2を、汎用的に配置することができる。また、基板1の第1面1Aに、入出力のインターフェースのコネクタ、ケーブルを配置することができる。
また、本実施形態においては、空間20は、基板1と容器5の間に形成され、基板1と容器5とは分離可能である。したがって、例えば、基板1に電子部品2を配置する作業等、各種の作業を円滑に実行することができる。また、基板1及び容器5のそれぞれに汎用性を持たせることができる。
本実施形態においては、第1部材41と電子部品2とがサーマルビア3を介して接続される場合を例にして説明した。しかしながら、サーマルビア3を設けなくてもよい。その場合、電子部品2の熱は、基板1を介して、第2面1Bに配置された第1部材41に伝達される。例えば、基板1の熱伝達性が良好であれば、電子部品2の熱は、基板1を介して、第1部材41に良好に伝達される。基板1の第2面1Bに半田パッドを設けて、第1部材41と基板1とを半田パッドを介して接続してもよい。
同様に、ヒートシンク7と第2部材81との間のサーマルビア3を省略してもよい。その場合、第2部材81の熱は、基板1を介して、第1面1Aに配置されたヒートシンク7に伝達される。基板1の第2面1Bに半田パッドを設けて、第2部材81と基板1とを半田パッドを介して接続してもよい。
本実施形態において、第1部材41を省略してもよい。その場合、基板1の第2面1Bの少なくとも一部が、蒸発部として機能する。
本実施形態において、第2部材81を省略してもよい。その場合、基板1の第2面1Bの少なくとも一部が、凝縮部として機能する。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図4は、第2実施形態に係る冷却装置100Bの一例を示す図である。図4に示すように、冷却装置100Bは、蒸発部4として機能する第1部材41を有する。本実施形態においては、第1部材41は、フィン部材を含まず、プレート部材41Aによって構成される。プレート部材41Aの表面は、粗面処理されている。
このように、蒸発部4が、フィン部材を備えていなくてもよい。
本実施形態において、第1部材41にフィン部材を配置せず、第2部材81にフィン部材を配置してもよい。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図5及び図6は、第3実施形態に係る冷却装置100Cの一例を示す図である。図5に示すように、冷却装置100Cは、基板1と、容器5と、蒸発部4と、凝縮部8と、ヒートシンク7とを備えている。
基板1は、電子部品2を支持する第1面1Aと、第1面1Aの反対側の第2面1Bとを有する。容器5は、基板1の第2面1Bとの間で空間20を形成できる。蒸発部4は、基板1に支持された電子部品2と熱的に接続される。蒸発部4の少なくとも一部が空間20内の液体6と接触するように空間20に配置される。蒸発部4は、電子部品2が発する熱に基づいて、液体6の少なくとも一部を気体に相変化させる。凝縮部8は、少なくとも一部が空間20内の液体6及び気体の少なくとも一方と接触するように空間20に配置される。凝縮部8は、その気体の熱を奪って、気体の少なくとも一部を液体6に相変化させる。ヒートシンク7は、凝縮部8と熱的に接続され、凝縮部8からの熱を放散する。
基板1は、電子部品2を支持する第1面1Aと、第1面1Aの反対側の第2面1Bとを有する。容器5は、基板1の第2面1Bとの間で空間20を形成できる。蒸発部4は、基板1に支持された電子部品2と熱的に接続される。蒸発部4の少なくとも一部が空間20内の液体6と接触するように空間20に配置される。蒸発部4は、電子部品2が発する熱に基づいて、液体6の少なくとも一部を気体に相変化させる。凝縮部8は、少なくとも一部が空間20内の液体6及び気体の少なくとも一方と接触するように空間20に配置される。凝縮部8は、その気体の熱を奪って、気体の少なくとも一部を液体6に相変化させる。ヒートシンク7は、凝縮部8と熱的に接続され、凝縮部8からの熱を放散する。
本実施形態において、ヒートシンク7は、容器5に配置されている。本実施形態において、ヒートシンク7は、容器5と一体である。ヒートシンク7と容器5とが別体でもよい。ヒートシンク7と容器5とを別体とした場合、ヒートシンク7と容器5とは、熱伝導性が良好な放熱グリース、放熱シート等を介して熱的に接続される。
本実施形態においても、電子部品2を効率良く冷却できる。
上述の各実施形態においては、冷却装置100,100B,100Cが、電子部品2として、半導体素子(半導体チップ)を冷却する場合を例にして説明した。しかしながら、半導体素子以外の、発熱する電子部品を冷却する場合にも、上述の各実施形態の冷却装置を適用することができる。また、サーバールームの空調関係の設備等にも各実施形態の冷却装置を適用可能である。
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
この出願は、2009年1月23日に出願された日本出願特願2009−013038を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
本発明は、冷却装置に適用できる。この冷却装置によれば、大型化を抑制でき、電子部品を効率良く冷却できる。
1 基板
1A 第1面
1B 第2面
2 電子部品
3 サーマルビア
4 蒸発部
5 容器
6 液体
7 ヒートシンク
8 凝縮部
13 供給口
100,100B,100C 冷却装置
1A 第1面
1B 第2面
2 電子部品
3 サーマルビア
4 蒸発部
5 容器
6 液体
7 ヒートシンク
8 凝縮部
13 供給口
100,100B,100C 冷却装置
Claims (15)
- 電子部品を支持する第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する基板と、
前記基板の第2面との間で空間を形成可能な容器と、
前記基板に支持された前記電子部品と熱的に接続され、少なくとも一部が空間内の液体と接触するように前記空間に配置され、前記電子部品が発する熱に基づいて、前記液体の少なくとも一部を気体に相変化させる蒸発部と、を備えた冷却装置。 - 前記蒸発部は、前記第2面に配置され、
前記電子部品と前記蒸発部とは、前記基板に形成されたサーマルビアを介して接続される請求項1記載の冷却装置。 - 前記蒸発部の表面は、粗面処理されている請求項1又は2記載の冷却装置。
- 前記蒸発部は、フィン部材を含む請求項1〜3のいずれか一項記載の冷却装置。
- 少なくとも一部が前記空間内の液体及び気体の少なくとも一方と接触するように前記空間に配置され、前記気体の熱を奪って、前記気体の少なくとも一部を液体に相変化させる凝縮部をさらに備える請求項1〜4のいずれか一項記載の冷却装置。
- 前記凝縮部と熱的に接続され、前記凝縮部からの熱を放散するヒートシンクをさらに備える請求項5記載の冷却装置。
- 前記ヒートシンクは、前記電子部品が配置される前記第1面の第1位置とは異なる前記第1面の第2位置に配置される請求項6記載の冷却装置。
- 前記ヒートシンクは、前記容器に配置される請求項6記載の冷却装置。
- 前記凝縮部は、前記第2面に配置され、
前記ヒートシンクと前記凝縮部とは、前記基板に形成されたサーマルビアを介して接続される請求項6又は7記載の冷却装置。 - 前記凝縮部の表面は、粗面処理されている請求項6〜9のいずれか一項記載の冷却装置。
- 前記凝縮部は、フィン部材を含む請求項6〜10のいずれか一項記載の冷却装置。
- 前記容器は、凹部と、前記凹部の周囲に配置され、前記第2面の少なくとも一部を支持する支持面とを有し、
前記第2面と前記支持面との間に配置されたシール部材を有する請求項1〜11のいずれか一項記載の冷却装置。 - 前記空間は、略密閉されている請求項1〜12のいずれか一項記載の冷却装置。
- 前記空間の圧力は、前記液体の沸点が略常温になるように調整されている請求項1〜13のいずれか一項記載の冷却装置。
- 前記容器に配置され、前記空間に前記液体を供給する供給口をさらに備える請求項1〜14のいずれか一項記載の冷却装置。
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