JPWO2010044312A1 - アレイ型超音波振動子 - Google Patents

アレイ型超音波振動子 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2010044312A1
JPWO2010044312A1 JP2009552964A JP2009552964A JPWO2010044312A1 JP WO2010044312 A1 JPWO2010044312 A1 JP WO2010044312A1 JP 2009552964 A JP2009552964 A JP 2009552964A JP 2009552964 A JP2009552964 A JP 2009552964A JP WO2010044312 A1 JPWO2010044312 A1 JP WO2010044312A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultrasonic transducer
type ultrasonic
array
acoustic matching
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009552964A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4524719B2 (ja
Inventor
一睦 佐藤
一睦 佐藤
広瀬 悟
悟 広瀬
雅己 浅野
雅己 浅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Original Assignee
Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Medical and Graphic Inc filed Critical Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Application granted granted Critical
Publication of JP4524719B2 publication Critical patent/JP4524719B2/ja
Publication of JPWO2010044312A1 publication Critical patent/JPWO2010044312A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06BMETHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0607Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
    • B06B1/0622Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
    • B06B1/0629Square array
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/44Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
    • A61B8/4483Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S15/00Systems using the reflection or reradiation of acoustic waves, e.g. sonar systems
    • G01S15/88Sonar systems specially adapted for specific applications
    • G01S15/89Sonar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
    • G01S15/8906Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques
    • G01S15/8909Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration
    • G01S15/8915Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration using a transducer array
    • G01S15/8927Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration using a transducer array using simultaneously or sequentially two or more subarrays or subapertures
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/13Tomography
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S15/00Systems using the reflection or reradiation of acoustic waves, e.g. sonar systems
    • G01S15/88Sonar systems specially adapted for specific applications
    • G01S15/89Sonar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
    • G01S15/8906Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques
    • G01S15/8909Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration
    • G01S15/8915Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration using a transducer array
    • G01S15/8925Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration using a transducer array the array being a two-dimensional transducer configuration, i.e. matrix or orthogonal linear arrays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Gynecology & Obstetrics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

本発明にかかるアレイ型超音波振動子は、複数の圧電素子よりも音響インピーダンスが低い材料の板状体を有する音響整合層を備え、この音響整合層の板状体に信号配線が形成される。このため、本発明にかかるアレイ型超音波振動子は、別途に部品を用いることなく、簡単に信号配線を形成することができる。

Description

本発明は、超音波診断装置等に用いられるアレイ型超音波振動子に関し、特に圧電素子が2次元配列されたものや、有機圧電素子と無機圧電素子との積層構造を有するものに好適に用いられるものに関する。
超音波診断装置は、生体などの被検体の断層画像を無侵襲に得ることができ、広く使用されている。そして、近年では、圧電素子が2次元配列されたものや、ハーモニックイメージング(Harmonic Imaging)と称される技術を用いることで、高解像な画像を得るものが登場している。このハーモニックイメージングは、超音波探触子から被検体内へ送信された超音波の周波数(基本波)成分ではなく、超音波が被検体を伝播する際に該被検体の非線形性によって発生した歪み成分から抽出された高調波成分によって、該被検体の内部状態の画像を作成するものである。このため、このハーモニックイメージング用に適した圧電素子として、特許文献1には、大パワー送信が可能な無機(セラミック)圧電層(チタン酸ジルコン酸鉛(lead zirconium titanate;PZT))上に、前記高調波の高周波な信号を高感度に受信することができる有機圧電層(ポリフッ化ビニリデン(PolyVinylidine DiFluoride;PVDF)の薄膜を積層したものが提案されている。このような有機無機の積層構造や、圧電素子の2次元配列では、各圧電素子への個別の信号線数が膨大になり、信号線の引回しには工夫を要する。
図14には、従来技術による2次元に配列された圧電素子アレイにおける信号線の引回しの様子を示す。各圧電素子は、バッキング層1上に、個別電極2および圧電層3が積層された後、個別に切離され(素子分離され)、素子間には充填剤4が充填されて平坦になった上に、共通(GND)電極5および複数の音響整合層6,7が積層される。そして、前記各個別電極2への個別の信号線8は、バッキング層1中を貫通して配置され、該バッキング層1の下側に配置される図示しない配線基板と接続される。
このバッキング層1は、一般に、超音波送信後の圧電層3の振動を減衰させ、さらに後方に放射されてしまった送信超音波を吸収することで、反射などによる送信超音波の乱れを抑え、送信超音波のパルスを短くするためのものであり、所定の厚さを要する。したがって、圧電素子アレイのピッチが狭くなると、信号線8のための貫通孔のアスペクト比が大きくなり、加工が困難になる。また、2次元アレイのように素子が微細化すると、各圧電素子からの出力インピーダンスは大きくなり、配線容量等で伝送損失が大きくなる。
このような問題に対応するために、特許文献2では、バッキング層と圧電層との間に、超音波が透過できるように薄く形成した集積回路が介在され、線数の削減が図られ、さらに信号線がアレイ側部に引き出されている。
一方、特許文献3には、音響整合層として、シリコンを用いることが開示されている。
しかしながら、前記特許文献2に開示の技術では、別途に集積回路基板をバッキング層と圧電層との間に設けなければならない。
また、前記特許文献3に開示の技術では、単に、音響整合層の材料としてシリコンが採用されているだけであり、圧電素子への信号配線には、バッキング層の側面が利用されている。このため、前記特許文献3に開示の技術を、圧電素子が例えば2次元配列されたものや有機圧電素子と無機圧電素子との積層構造を有するものに、適用することは、困難である。
特開2004−208918号公報 特表2007−513563号公報 特開2003−125494号公報
本発明は、上述の事情に鑑みて為された発明であり、その目的は、別途に部品を用いることなく、簡単に信号配線を形成することができるアレイ型超音波振動子を提供することである。
本発明にかかるアレイ型超音波振動子は、複数の圧電素子よりも音響インピーダンスが低い材料の板状体を有する音響整合層を備え、この音響整合層の板状体に信号配線が形成される。このため、本発明にかかるアレイ型超音波振動子は、別途に部品を用いることなく、簡単に信号配線を形成することができる。
上記並びにその他の本発明の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な記載と添付図面から明らかになるであろう。
本発明の第1の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子の構造例を示す分解斜視図である。 図1に示すアレイ型超音波振動子の縦断面図である。 図1に示すアレイ型超音波振動子における音響整合層の底面図である。 本発明の第2の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子の構造例を示す分解斜視図である。 図4に示すアレイ型超音波振動子の縦断面図である。 本発明の第3の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 アレイ型超音波振動子を超音波探触子に用いる超音波診断装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第4の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第4の実施形態にかかる別のアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第4の実施形態にかかるさらに別のアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第5の実施形態に係るアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第5の実施形態に係る別のアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第5の実施形態に係るさらに別のアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 従来技術による2次元に配列された圧電素子アレイにおける信号線の引回しの様子を示す。 参考例として、有機無機積層構造の圧電素子アレイに考えられる信号線の引き回しの様子を示す図である。
以下、本発明にかかる実施の一形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、適宜、その説明を省略する。
[実施の形態1]
図1は、本発明の第1の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子31の構造例を示す分解斜視図であり、図2は、その縦断面図である。このアレイ型超音波振動子31は、大略的に、バッキング層32上に、セラミック(例えば、チタン酸ジルコン酸鉛:PZT)を有して構成される複数の圧電素子33を介して、2層の音響整合層34,35が略音軸方向に積層されている。複数の圧電素子33は、図1に示す例では2次元配列されており、例えば、図示しない支持基板上に、前記セラミックの圧電層33bを固定し、これを切断して素子分離した後に素子間に充填剤36を充填し、そして、その上に共通(GND)電極33aを形成してからバッキング層32上に固定した後に前記支持基板を剥離し、さらに個別電極33cを積層することによって、形成される。また、複数の圧電素子33は、圧電素子33側に共通(GND)電極33aを形成する代わりに、バッキング層32上に共通(GND)電極33aを形成し、導電性接着剤で圧電層33b上に接着されるように製造してもよい。
本実施の形態では、圧電素子33側の音響整合層34は、圧電素子33よりも音響インピーダンスが低いシリコン基板を備えて形成されており、その圧電素子33側の表面に、例えば図3で示す各圧電素子33のための個別信号配線34aが形成されている。図3は、音響整合層34の底面図である。個別信号配線34aは、図2に示すように音響整合層34の左右に引出され、それぞれフレキシブルプリント基板37に形成された、対応する個別信号配線と接続される。音響整合層34は、個別電極33cに対応したバンプ34bを有し、個別信号配線34aにおいて、バンプ34b以外の部分は、絶縁被覆で覆われている。なお、音響整合層34は、フレキシブルプリント基板37が接続された後に、圧電素子33に貼り合わせられるようにされてもよい。
音響整合層34上には、音響整合層34よりも音響インピーダンスが低く、且つ、被検体である人体よりも音響インピーダンスが高いもう1層の音響整合層35が積層されている。このアレイ型超音波振動子31は、例えば、後述するような集積回路からの多数のケーブルと接続され、放熱の施された筐体に収容されることによって、超音波診断装置の超音波探触子が作成される。なお、音響整合層34が1層だけで人体とのインピーダンス整合を行うことができる場合には、もう1層の音響整合層35は、設けられなくてもよい。
本実施形態のアレイ型超音波振動子31において、通常、シリコンの音響インピーダンスは、略20Mraylである。これに対して、PZTは、略35Mrayl、人体は、略1.6Mraylである。このため、シリコンを備えて構成された音響整合層34は、圧電素子33と人体との間の音響インピーダンスを整合することができる。そして、送信超音波の周波数を、たとえば4MHzとすると、シリコン中での超音波の波長は、大凡2mmとなるので、前記音響整合層34の厚みは、1/4波長に対応する0.5mmに形成すればよい。同様に、もう1層の音響整合層35も、音響整合層34と人体との間の音響インピーダンスを有し、またその中の超音波の波長の、1/4波長に対応する厚みに形成されればよい。
各圧電素子33は、たとえば200μmピッチで設けられ、64×64素子が2次元配列されている。この場合、個別信号配線34aのL/S(線幅/間隔)は、3μm/3μm程度であり、シリコン基板に信号配線を形成した、いわゆるシリコンインターポーザーの限界1μm/1μmに比べて余裕があり、個別信号配線34aを一方の表面に形成することができる。
このように、音響整合層34として圧電素子33に接着される板状体を用い、該板状体に各圧電素子33のための個別信号配線34aを形成することによって、個別信号配線34aをバッキング層32に形成したり、別途に部品を用いることなく、簡単に該個別信号配線34aを形成することができる。これによって、低コスト化や、高精細化(素子数の増加)に対応することができる。
また、音響整合層34の板体としてシリコン基板が用いられている。このため、個別信号配線34aの形成が容易であり、また個別信号線34aを微細な配線とすることが可能で、高精細化(素子数の増加)に好適である。
音響整合層34として圧電素子33に接着される板状体は、シリコン基板に限らず、ガラス基板に蒸着や転写によって個別信号配線34aを形成したものや、音響インピーダンスに合わせて厚みが適切に調整されたフレキシブルプリント基板などを用いることができる。たとえば、ガラスの場合で、音響インピーダンスは、略12Mraylである。ここで、各圧電素子33が、たとえば500μmピッチで、32×32素子の場合でも、個別信号配線34aのL/S(線幅/間隔)は、15μm/15μm程度となり、フレキシブルプリント基板の限界に近く、それ以上に素子数が増加したり、ピッチが狭くなったりすると、多層基板にしなければならず、シリコン基板を用いることが、高精細化(素子数の増加)に好適である。一方、圧電層33bには、音響インピーダンスが略30MraylのBaTiO(チタン酸バリウム)なども用いることができる。
ここで、有機圧電素子と無機圧電素子とを積層したアレイ型超音波振動子における信号線の引き回しの参考例について説明する。図15は、この参考例のアレイ型超音波振動子を示す図である。図15において、バッキング層11上に、個別電極12および無機圧電層13が積層された後に個別に切離され(素子分離され)、素子間には充填剤14が充填されて平坦になった上に、共通(GND)電極15が積層されて無機圧電素子が形成される。この無機圧電素子上に音響整合層16が積層された後に、さらに個別電極17がパターン形成され、有機圧電層18および共通(GND)電極19が積層されて有機圧電素子が形成される。そして、無機圧電層13の各個別電極12への個別の信号線20は、バッキング層11中を貫通して配置される一方、有機圧電層18の各個別電極17への個別の信号線21は、充填剤14からバッキング層11中を貫通して配置される。
したがって、この参考例の構造では、信号線の引き回しのために、図14を用いて説明したようなバッキング層11の貫通だけでなく、音響整合層16から充填剤14中を貫通することも必要となる。このため、有機圧電素子と無機圧電素子とを積層したアレイ型超音波振動子では、信号線の配線がより困難である。
以下に説明する本発明の実施形態は、この参考例のような有機圧電素子と無機圧電素子とを積層したアレイ型超音波振動子における信号配線の課題を解決できるものである。
[実施の形態2]
図4は、本発明の第2の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子41の構造例を示す分解斜視図であり、図5は、その縦断面図である。この実施形態では、アレイ型超音波振動子41は、バッキング層42上に、大パワーの送信が可能なセラミック(例えばPZT)を有して構成される複数の無機圧電素子43と、高周波の信号を高感度に受信可能な薄膜の有機材料(例えばポリフッ化ビニリデン:PVDF)の圧電素子44とが積層されている。そして、有機圧電素子44で受信された高調波成分によって、ハーモニックイメージングが行われる。
無機圧電素子43では、バッキング層42上に、該バッキング層42内を貫通した個別信号配線47にそれぞれ接続される個別電極43aおよびセラミックから成る無機圧電層43bが積層された後に個別に切離され(素子分離され)、素子間には充填剤45が充填されて平坦になった上に共通(GND)電極43cが積層される。その上には、音響整合層46が積層されている。この音響整合層46は、無機圧電層43bよりも音響インピーダンスが低く、有機圧電層44bよりも音響インピーダンスが高いシリコン基板を有して構成され、その無機圧電層43bとは反対側の表面に、各有機圧電素子44のための個別信号配線46aが形成されている。なお、個別信号配線46aは、この図4に示す例では、図3に示す個別信号配線34aと同様のものである。
音響整合層46上には、有機圧電素子44が設けられる。各有機圧電素子44は、これら各素子44のために形成された個別電極44aと、その上のPVDFを有して構成される有機圧電層44bと、共通(GND)電極44cとが略音軸方向に積層されている。この有機圧電素子44は、シート状の有機圧電層44bの表裏両面に、電極44a,44cを形成して構成されてもよい。その後、音響整合層46に、フレキシブルプリント基板48が、それぞれの個別信号配線が一致するように接続される。
このようにして各圧電素子が、大パワー送信が可能な無機圧電層43b上に、高調波帯域の高周波の信号を高感度に受信可能な有機圧電層44bが積層されて構成される場合に、困難になる個別信号配線47,46aの引回しの問題を解消することができる。なお、本実施形態では、バッキング層42を貫通して無機圧電層43bの個別信号配線47を形成すると共に、圧電層43b,44b間の音響整合層46上には有機圧電層44bのための個別信号配線46aを形成したけれども、被検体側の音響整合層に有機圧電層44bの個別信号配線を形成可能な場合には、圧電層43b,44b間の音響整合層46に、無機圧電層43bの個別信号配線を形成するように、アレイ型超音波振動子41が構成されてもよい。また、有機圧電層44bは、PVDFに限らず、ポリフッ化ビニリデン3フッ化エチレン共重合体(P(VDF−TrFE)やポリウレアなども、音響インピーダンスが3〜5Mrayl程度で、使用することができる。
本実施形態の構成では、無機圧電層と有機圧電層とが積層されて構成されている場合に、音響インピーダンスがそれらの間となる音響整合層が両圧電層間に設けられ、その音響整合層に有機圧電素子のための個別信号配線が形成される。このように構成することにより、積層型超音波振動子において、個別信号配線の引回しをより簡単に行うことができ、低コスト化を実現することができる。
[実施の形態3]
図6は、本発明の第3の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子51の構造例を示す縦断面図である。このアレイ型超音波振動子51は、前述のアレイ型超音波振動子31,41に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。本実施形態のアレイ型超音波振動子51では、音響整合層52がシリコンの両面基板によって構成されており、その表裏各面に、有機圧電層44bの個別信号配線46aおよび無機圧電層33bの個別信号配線34aがそれぞれ形成されるとともに、集積回路のパターンが形成されている。このため、バッキング層32には、個別信号配線47が設けられておらず、また有機圧電層44bの被検体側にも個別信号配線が設けられていない。
この音響整合層52の厚みは、無機圧電素子33での送信波長の1/4に形成される。なお、図6では、音響整合層52を両面基板としているが、個別信号配線46a,34aを片面にしか形成するこができない場合は、2枚の貼り合せ基板が用いられてもよい。その際は、接着剤層の厚みは、送信超音波の波長に比べて充分薄く、音響整合に影響を与えないものとする。また、2枚を貼り合せて、前記接着剤層を含めての厚さが、送信波長の1/4に形成される。
また、音響整合層52に形成される集積回路は、各無機圧電素子33を駆動する駆動回路、もしくは各有機圧電素子44で受信された信号を増幅するバッファ回路またはその増幅された信号をビーム形成するビームフォーミング回路の少なくとも1つとされる。図7は、上述のようなアレイ型超音波振動子51を超音波探触子61に用いる超音波診断装置71の概略構成を示すブロック図である。前記超音波探触子61は、ケーブル72で超音波診断装置本体73に接続される。なお、後述するように、超音波診断装置本体73に設けられた機能ブロックの一部は、アレイ型超音波振動子51に内蔵される場合がある。
超音波診断装置本体73は、送受信制御部74による制御に基づいて、駆動回路75から送信パルスを発生し、無機圧電素子33に与える。送信ビームフォーマーとなる駆動回路75は、送受信制御部74からの送信信号に応答して、駆動信号発生回路75aが、各列の遅延時間の調整されたパルスを順次に発生する。そのパルスが駆動素子75bで増幅されて各圧電素子33に与えられることによって、被検体に対して、所望の深さや所望の走査位置に対応したフォーカルポイントに向けた送信ビームが生成される。
一方、被検体から来た超音波(反射波および高調波)は、各有機圧電素子44で受信され、超音波に応じた信号がバッファ回路76でインピーダンス変換され、また必要に応じて増幅される。その後、受信ビームフォーマーとなるビームフォーミング回路77に順次に入力され、各列の遅延回路77aで遅延時間が調整されて加算回路77bで整相加算され、送信ビームに対応した受信ビームが生成される。その受信ビームは、デジタルシグナルプロセッサなどで実現される信号処理回路78に入力されて被検体の断層画像が作成され、表示部79によって画像表示される。
この超音波診断装置71において、駆動回路75、もしくはバッファ回路76またはビームフォーミング回路77の少なくとも1つを、個別信号配線34a,46aとともに、シリコン基板を備えて構成される音響整合層52に形成される集積回路に実装することによって、該シリコン基板からおよび該シリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができる。
特に、バッファ回路76およびビームフォーミング回路77を音響整合層52のシリコン基板の集積回路に実装すれば、圧電素子数がたとえば32×32=1024としても、信号配線を1本(GNDを含めると2本)とすることができ、非常に効果が大きい。また、受信の圧電素子44が有機系の場合、誘電率が小さいので、出力インピーダンスが非常に大きくなり、配線容量による伝送損失が非常に大きい。一般に伝送損失を低減するには、シールドドライブという手法が効果的であるが、個々の信号線にシールドが必要になるので、配線の構造が複雑になり、実際、線数は2倍以上となる。そこで、音響整合層52の集積回路としてバッファ回路76を形成すると、個々の圧電素子44の近傍に受信用のバッファ回路があるので、複雑なシールド構造は不要で、配線容量による伝送損失を低減でき、線数は素子数と同じでよくなり、効果的である。
なお、圧電素子数が多くなると、標的(フォーカルポイント)に近い素子と遠い素子とで遅延時間に大きな差が生じるので、近傍の複数の素子をサブアレイとして纏め、そのサブアレイ毎に遅延時間を調整してサブアレイビームフォーミングを行い、後段で各サブアレイ間の遅延時間を調整してメインのビームフォーミングを行うように、ビームフォーミング回路77が構成されてもよい。この場合、遅延回路77aでの遅延時間の調整は、サブアレイ内での調整となり、該遅延回路77aの回路規模を小さくすることができる。しかしながら、信号配線はサブアレイ数倍となり、16個でサブアレイを構成した場合、1024/16=64本となる。
本実施形態では、音響整合層52を構成する板状体がシリコン基板から成ることを利用して、シリコン基板上に、個別信号線とともに、集積回路のパターンが形成される。したがって、シリコン基板からおよびシリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができる。
[実施の形態4]
図8〜図10は、本発明の第4の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子81,91,101の構造例を示す縦断面図である。先ず、図8で示すアレイ型超音波振動子81は、前述のアレイ型超音波振動子31に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。この図8に示すアレイ型超音波振動子81では、シリコンの単層基板である音響整合層34に代えて、送信超音波の1/4波長の厚さ内で複数積層され、少なくとも1層(図8では各層82〜84)に集積回路のパターンが形成されたシリコンの多層基板である音響整合層82〜84が設けられている。
このように構成することで、集積度の影響で集積できない場合や、プロセスが異なる場合などで単一の基板に集積できない場合に、集積回路を分割して実装することができる。たとえば、最も上層の音響整合層82に送受信の切換え回路に前述のバッファ回路76が実装され、次の層の音響整合層83に前述のビームフォーミング回路77が実装され、最下層の音響整合層84に前述の駆動回路75が実装される。各音響整合層82〜84間は、貫通電極によって接続されており、最も大きな音響整合層82にフレキシブルプリント基板37が接続され、各音響整合層83,84の集積回路は、音響整合層82を介して外部と接続される。こうして、アレイ型超音波振動子に、それに関連する多くの回路を内蔵することができる。
同様に、図9に示すアレイ型超音波振動子91は、前述のアレイ型超音波振動子41に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。図9に示すアレイ型超音波振動子91では、シリコンの単層基板である音響整合層46に代えて、送信超音波の1/4波長の厚さ内で複数積層され、各層に集積回路のパターンが形成されたシリコンの多層基板である音響整合層92,93が設けられている。たとえば、上層側の音響整合層93にはバッファ回路76が実装され、下層側の音響整合層92にはビームフォーミング回路77が実装される。
また、図10で示すアレイ型超音波振動子101は、前述のアレイ型超音波振動子51に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。図10に示すアレイ型超音波振動子101では、音響整合層52に代えて、送信超音波の1/4波長の厚さ内で複数積層され、各層に集積回路がパターン形成されたシリコンの多層基板である音響整合層102〜105が設けられている。表裏両面の音響整合層52の代わりには、貼り合わせの音響整合層102,103となり、それに多層化の音響整合層104,105がそれぞれ積層されている。そして、送信用の無機圧電素子33側の音響整合層102,104には送信に関する回路が、受信用の有機圧電素子44側の音響整合層103,105には受信に関する回路がそれぞれ実装される。
本実施形態の構成によれば、シリコン基板は、送受信に影響を与えない送信超音波の1/4波長の厚さで複数積層される多層基板とされ、少なくとも1層に、駆動回路、バッファ回路およびビームフォーミング回路などの機能別に集積回路がパターン形成される。したがって、アレイ型の圧電素子に、それに関連する多くの回路を内蔵することができる。
[実施の形態5]
図11〜図13は、本発明の第5の実施形態に係るアレイ型超音波振動子111,121,131の構造例を示す縦断面図である。先ず、図11で示すアレイ型超音波振動子111は、前述のアレイ型超音波振動子31に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。図11に示すアレイ型超音波振動子111では、音響整合層34に代えて、同じシリコン基板によって構成されており、アレイ型の圧電素子33よりも幅広に形成される音響整合層112が用いられ、そのはみ出した部分に、集積回路チップ115が搭載されている。すなわち、シリコン基板には、個別信号配線112aが形成されるだけで、集積回路はチップ115で別付けとなっている。したがって、シリコン基板からおよび該シリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができるとともに、駆動回路75、バッファ回路76およびビームフォーミング回路77の総てを備える大規模な回路をシリコン基板上に実装することができる。また、それぞれのチップ115を最適なプロセスで作成したり、仕向け地に応じて載せ替えるなどの細かな変更に容易に対応することができる。
同様に、図12に示すアレイ型超音波振動子121は、前述のアレイ型超音波振動子41に類似している。このアレイ型超音波振動子121では、音響整合層46に代えて、大きい幅の音響整合層122が用いられ、はみ出した部分に、集積回路チップ115が搭載される。また、図13に示すアレイ型超音波振動子131は、アレイ型超音波振動子51に類似している。このアレイ型超音波振動子131では、音響整合層52に代えて、大きい幅の音響整合層132が用いられ、はみ出した部分に、集積回路チップ115が搭載される。
本実施形態のアレイ型超音波振動子では、シリコン基板は、アレイ型の圧電素子が占める領域よりも幅広に形成され、シリコン基板のその領域外に集積回路チップが搭載されている。
この構成によれば、音響整合層を構成する板状体がシリコン基板から成ることを利用して、シリコン基板がアレイ型の圧電素子よりも幅広に形成され、シリコン基板上に個別信号配線が形成されるとともに、圧電素子からはみ出した部分に、集積回路チップが搭載される。したがって、シリコン基板からおよびシリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができるとともに、駆動回路、バッファ回路およびビームフォーミング回路の総てを備える大規模な回路をシリコン基板上に実装することができる。
本明細書は、上記のように様々な態様の技術を開示しているが、そのうち主な技術を以下に纏める。
第1態様では、アレイ型超音波振動子は、バッキング層と、このバッキング層の上に配列された複数の圧電素子と、これら複数の圧電素子の上に設けられ、前記複数の圧電素子よりも音響インピーダンスが低い材料の板状体で構成された音響整合層と、前記音響整合層の板状体に形成された信号配線とを備える。そして、好ましくは、前記複数の圧電素子は、2次元に配列されている。また、好ましくは、前記信号配線は、前記複数の圧電素子に個別に接続されているものである。
このような構成のアレイ型超音波振動子では、信号配線をバッキング層に形成したり、別途に部品を用いることなく、簡単に信号配線を形成することができる。これによって、低コスト化や、高精細化(素子数の増加)に対応することができる。
また、第2態様では、上述のアレイ型超音波振動子において、前記複数の圧電素子は、それぞれ無機圧電素子であり、前記音響整合層の上に配列された複数の有機圧電素子を備え、前記信号配線は、前記複数の有機圧電素子に個別に接続されているものである。
この構成によれば、個別信号配線の引回しが困難な積層構造の圧電素子に好適である。
また、第3態様では、これら上述のアレイ型超音波振動子において、前記板状体は、シリコン基板である。
この構成によれば、個別信号配線の形成が容易であり、また個別信号配線を微細な配線にすることができ、前記高精細化(素子数の増加)に好適である。
また、第4態様では、上述のアレイ型超音波振動子において、前記シリコン基板には、集積回路が形成されている。
この構成によれば、シリコン基板からおよび該シリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができる。
また、第5態様では、上述のアレイ型超音波振動子において、前記集積回路は、前記各圧電素子を駆動する駆動回路、もしくは前記各圧電素子で受信された信号を増幅するバッファ回路またはその増幅された信号をビーム形成するビームフォーミング回路の少なくとも1つである。
この構成によれば、この集積回路を搭載しておくことによって、シリコン基板への信号配線を大幅に削減することができる。
また、第6態様では、これら上述のアレイ型超音波振動子において、前記シリコン基板は、複数積層され、少なくとも1層に前記集積回路が形成された多層基板である。そして、好ましくは、送受信に影響を与えないように、前記シリコン基板は、送信超音波の1/4波長の厚さで複数積層される。
この構成によれば、アレイ型の圧電素子に、それに関連する多くの回路を内蔵することができる。
また、第7態様では、これら上述のアレイ型超音波振動子において、前記シリコン基板は、前記複数の圧電素子が占める領域よりも幅広に形成され、前記シリコン基板の前記領域外には集積回路チップが搭載されている。
この構成によれば、シリコン基板からおよび該シリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができるとともに、駆動回路、バッファ回路およびビームフォーミング回路の総てを備える大規模な回路をシリコン基板上に実装することができる。
この出願は、2008年10月17日に出願された日本国特許出願特願2008−268344を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。
本発明を表現するために、上述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切且つ十分に説明したが、当業者であれば上述の実施形態を変更および/または改良することは容易に為し得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態または改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態または当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。
本発明によれば、アレイ型超音波振動子を提供することができる。
本発明は、超音波診断装置等に用いられるアレイ型超音波振動子に関し、特に圧電素子が2次元配列されたものや、有機圧電素子と無機圧電素子との積層構造を有するものに好適に用いられるものに関する。
超音波診断装置は、生体などの被検体の断層画像を無侵襲に得ることができ、広く使用されている。そして、近年では、圧電素子が2次元配列されたものや、ハーモニックイメージング(Harmonic Imaging)と称される技術を用いることで、高解像な画像を得るものが登場している。このハーモニックイメージングは、超音波探触子から被検体内へ送信された超音波の周波数(基本波)成分ではなく、超音波が被検体を伝播する際に該被検体の非線形性によって発生した歪み成分から抽出された高調波成分によって、該被検体の内部状態の画像を作成するものである。このため、このハーモニックイメージング用に適した圧電素子として、特許文献1には、大パワー送信が可能な無機(セラミック)圧電層(チタン酸ジルコン酸鉛(lead zirconium titanate;PZT))上に、前記高調波の高周波な信号を高感度に受信することができる有機圧電層(ポリフッ化ビニリデン(PolyVinylidine DiFluoride;PVDF)の薄膜を積層したものが提案されている。このような有機無機の積層構造や、圧電素子の2次元配列では、各圧電素子への個別の信号線数が膨大になり、信号線の引回しには工夫を要する。
図14には、従来技術による2次元に配列された圧電素子アレイにおける信号線の引回しの様子を示す。各圧電素子は、バッキング層1上に、個別電極2および圧電層3が積層された後、個別に切離され(素子分離され)、素子間には充填剤4が充填されて平坦になった上に、共通(GND)電極5および複数の音響整合層6,7が積層される。そして、前記各個別電極2への個別の信号線8は、バッキング層1中を貫通して配置され、該バッキング層1の下側に配置される図示しない配線基板と接続される。
このバッキング層1は、一般に、超音波送信後の圧電層3の振動を減衰させ、さらに後方に放射されてしまった送信超音波を吸収することで、反射などによる送信超音波の乱れを抑え、送信超音波のパルスを短くするためのものであり、所定の厚さを要する。したがって、圧電素子アレイのピッチが狭くなると、信号線8のための貫通孔のアスペクト比が大きくなり、加工が困難になる。また、2次元アレイのように素子が微細化すると、各圧電素子からの出力インピーダンスは大きくなり、配線容量等で伝送損失が大きくなる。
このような問題に対応するために、特許文献2では、バッキング層と圧電層との間に、超音波が透過できるように薄く形成した集積回路が介在され、線数の削減が図られ、さらに信号線がアレイ側部に引き出されている。
一方、特許文献3には、音響整合層として、シリコンを用いることが開示されている。
しかしながら、前記特許文献2に開示の技術では、別途に集積回路基板をバッキング層と圧電層との間に設けなければならない。
また、前記特許文献3に開示の技術では、単に、音響整合層の材料としてシリコンが採用されているだけであり、圧電素子への信号配線には、バッキング層の側面が利用されている。このため、前記特許文献3に開示の技術を、圧電素子が例えば2次元配列されたものや有機圧電素子と無機圧電素子との積層構造を有するものに、適用することは、困難である。
特開2004−208918号公報 特表2007−513563号公報 特開2003−125494号公報
本発明は、上述の事情に鑑みて為された発明であり、その目的は、別途に部品を用いることなく、簡単に信号配線を形成することができるアレイ型超音波振動子を提供することである。
本発明にかかるアレイ型超音波振動子は、複数の圧電素子よりも音響インピーダンスが低い材料の板状体を有する音響整合層を備え、この音響整合層の板状体に信号配線が形成される。そして、前記板状体は、前記複数の圧電素子が占める領域よりも幅広に形成されたシリコン基板であって、このシリコン基板の前記領域外には集積回路チップが搭載されている。このため、本発明にかかるアレイ型超音波振動子は、別途に部品を用いることなく、簡単に信号配線を形成することができる。
上記並びにその他の本発明の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な記載と添付図面から明らかになるであろう。
本発明の第1の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子の構造例を示す分解斜視図である。 図1に示すアレイ型超音波振動子の縦断面図である。 図1に示すアレイ型超音波振動子における音響整合層の底面図である。 本発明の第2の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子の構造例を示す分解斜視図である。 図4に示すアレイ型超音波振動子の縦断面図である。 本発明の第3の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 アレイ型超音波振動子を超音波探触子に用いる超音波診断装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第4の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第4の実施形態にかかる別のアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第4の実施形態にかかるさらに別のアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第5の実施形態に係るアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第5の実施形態に係る別のアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 本発明の第5の実施形態に係るさらに別のアレイ型超音波振動子の構造例を示す縦断面図である。 従来技術による2次元に配列された圧電素子アレイにおける信号線の引回しの様子を示す。 参考例として、有機無機積層構造の圧電素子アレイに考えられる信号線の引き回しの様子を示す図である。
以下、本発明にかかる実施の一形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、適宜、その説明を省略する。
[実施の形態1]
図1は、本発明の第1の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子31の構造例を示す分解斜視図であり、図2は、その縦断面図である。このアレイ型超音波振動子31は、大略的に、バッキング層32上に、セラミック(例えば、チタン酸ジルコン酸鉛:PZT)を有して構成される複数の圧電素子33を介して、2層の音響整合層34,35が略音軸方向に積層されている。複数の圧電素子33は、図1に示す例では2次元配列されており、例えば、図示しない支持基板上に、前記セラミックの圧電層33bを固定し、これを切断して素子分離した後に素子間に充填剤36を充填し、そして、その上に共通(GND)電極33aを形成してからバッキング層32上に固定した後に前記支持基板を剥離し、さらに個別電極33cを積層することによって、形成される。また、複数の圧電素子33は、圧電素子33側に共通(GND)電極33aを形成する代わりに、バッキング層32上に共通(GND)電極33aを形成し、導電性接着剤で圧電層33b上に接着されるように製造してもよい。
本実施の形態では、圧電素子33側の音響整合層34は、圧電素子33よりも音響インピーダンスが低いシリコン基板を備えて形成されており、その圧電素子33側の表面に、例えば図3で示す各圧電素子33のための個別信号配線34aが形成されている。図3は、音響整合層34の底面図である。個別信号配線34aは、図2に示すように音響整合層34の左右に引出され、それぞれフレキシブルプリント基板37に形成された、対応する個別信号配線と接続される。音響整合層34は、個別電極33cに対応したバンプ34bを有し、個別信号配線34aにおいて、バンプ34b以外の部分は、絶縁被覆で覆われている。なお、音響整合層34は、フレキシブルプリント基板37が接続された後に、圧電素子33に貼り合わせられるようにされてもよい。
音響整合層34上には、音響整合層34よりも音響インピーダンスが低く、且つ、被検体である人体よりも音響インピーダンスが高いもう1層の音響整合層35が積層されている。このアレイ型超音波振動子31は、例えば、後述するような集積回路からの多数のケーブルと接続され、放熱の施された筐体に収容されることによって、超音波診断装置の超音波探触子が作成される。なお、音響整合層34が1層だけで人体とのインピーダンス整合を行うことができる場合には、もう1層の音響整合層35は、設けられなくてもよい。
本実施形態のアレイ型超音波振動子31において、通常、シリコンの音響インピーダンスは、略20Mraylである。これに対して、PZTは、略35Mrayl、人体は、略1.6Mraylである。このため、シリコンを備えて構成された音響整合層34は、圧電素子33と人体との間の音響インピーダンスを整合することができる。そして、送信超音波の周波数を、たとえば4MHzとすると、シリコン中での超音波の波長は、大凡2mmとなるので、前記音響整合層34の厚みは、1/4波長に対応する0.5mmに形成すればよい。同様に、もう1層の音響整合層35も、音響整合層34と人体との間の音響インピーダンスを有し、またその中の超音波の波長の、1/4波長に対応する厚みに形成されればよい。
各圧電素子33は、たとえば200μmピッチで設けられ、64×64素子が2次元配列されている。この場合、個別信号配線34aのL/S(線幅/間隔)は、3μm/3μm程度であり、シリコン基板に信号配線を形成した、いわゆるシリコンインターポーザーの限界1μm/1μmに比べて余裕があり、個別信号配線34aを一方の表面に形成することができる。
このように、音響整合層34として圧電素子33に接着される板状体を用い、該板状体に各圧電素子33のための個別信号配線34aを形成することによって、個別信号配線34aをバッキング層32に形成したり、別途に部品を用いることなく、簡単に該個別信号配線34aを形成することができる。これによって、低コスト化や、高精細化(素子数の増加)に対応することができる。
また、音響整合層34の板体としてシリコン基板が用いられている。このため、個別信号配線34aの形成が容易であり、また個別信号線34aを微細な配線とすることが可能で、高精細化(素子数の増加)に好適である。
音響整合層34として圧電素子33に接着される板状体は、シリコン基板に限らず、ガラス基板に蒸着や転写によって個別信号配線34aを形成したものや、音響インピーダンスに合わせて厚みが適切に調整されたフレキシブルプリント基板などを用いることができる。たとえば、ガラスの場合で、音響インピーダンスは、略12Mraylである。ここで、各圧電素子33が、たとえば500μmピッチで、32×32素子の場合でも、個別信号配線34aのL/S(線幅/間隔)は、15μm/15μm程度となり、フレキシブルプリント基板の限界に近く、それ以上に素子数が増加したり、ピッチが狭くなったりすると、多層基板にしなければならず、シリコン基板を用いることが、高精細化(素子数の増加)に好適である。一方、圧電層33bには、音響インピーダンスが略30MraylのBaTiO(チタン酸バリウム)なども用いることができる。
ここで、有機圧電素子と無機圧電素子とを積層したアレイ型超音波振動子における信号線の引き回しの参考例について説明する。図15は、この参考例のアレイ型超音波振動子を示す図である。図15において、バッキング層11上に、個別電極12および無機圧電層13が積層された後に個別に切離され(素子分離され)、素子間には充填剤14が充填されて平坦になった上に、共通(GND)電極15が積層されて無機圧電素子が形成される。この無機圧電素子上に音響整合層16が積層された後に、さらに個別電極17がパターン形成され、有機圧電層18および共通(GND)電極19が積層されて有機圧電素子が形成される。そして、無機圧電層13の各個別電極12への個別の信号線20は、バッキング層11中を貫通して配置される一方、有機圧電層18の各個別電極17への個別の信号線21は、充填剤14からバッキング層11中を貫通して配置される。
したがって、この参考例の構造では、信号線の引き回しのために、図14を用いて説明したようなバッキング層11の貫通だけでなく、音響整合層16から充填剤14中を貫通することも必要となる。このため、有機圧電素子と無機圧電素子とを積層したアレイ型超音波振動子では、信号線の配線がより困難である。
以下に説明する本発明の実施形態は、この参考例のような有機圧電素子と無機圧電素子とを積層したアレイ型超音波振動子における信号配線の課題を解決できるものである。
[実施の形態2]
図4は、本発明の第2の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子41の構造例を示す分解斜視図であり、図5は、その縦断面図である。この実施形態では、アレイ型超音波振動子41は、バッキング層42上に、大パワーの送信が可能なセラミック(例えばPZT)を有して構成される複数の無機圧電素子43と、高周波の信号を高感度に受信可能な薄膜の有機材料(例えばポリフッ化ビニリデン:PVDF)の圧電素子44とが積層されている。そして、有機圧電素子44で受信された高調波成分によって、ハーモニックイメージングが行われる。
無機圧電素子43では、バッキング層42上に、該バッキング層42内を貫通した個別信号配線47にそれぞれ接続される個別電極43aおよびセラミックから成る無機圧電層43bが積層された後に個別に切離され(素子分離され)、素子間には充填剤45が充填されて平坦になった上に共通(GND)電極43cが積層される。その上には、音響整合層46が積層されている。この音響整合層46は、無機圧電層43bよりも音響インピーダンスが低く、有機圧電層44bよりも音響インピーダンスが高いシリコン基板を有して構成され、その無機圧電層43bとは反対側の表面に、各有機圧電素子44のための個別信号配線46aが形成されている。なお、個別信号配線46aは、この図4に示す例では、図3に示す個別信号配線34aと同様のものである。
音響整合層46上には、有機圧電素子44が設けられる。各有機圧電素子44は、これら各素子44のために形成された個別電極44aと、その上のPVDFを有して構成される有機圧電層44bと、共通(GND)電極44cとが略音軸方向に積層されている。この有機圧電素子44は、シート状の有機圧電層44bの表裏両面に、電極44a,44cを形成して構成されてもよい。その後、音響整合層46に、フレキシブルプリント基板48が、それぞれの個別信号配線が一致するように接続される。
このようにして各圧電素子が、大パワー送信が可能な無機圧電層43b上に、高調波帯域の高周波の信号を高感度に受信可能な有機圧電層44bが積層されて構成される場合に、困難になる個別信号配線47,46aの引回しの問題を解消することができる。なお、本実施形態では、バッキング層42を貫通して無機圧電層43bの個別信号配線47を形成すると共に、圧電層43b,44b間の音響整合層46上には有機圧電層44bのための個別信号配線46aを形成したけれども、被検体側の音響整合層に有機圧電層44bの個別信号配線を形成可能な場合には、圧電層43b,44b間の音響整合層46に、無機圧電層43bの個別信号配線を形成するように、アレイ型超音波振動子41が構成されてもよい。また、有機圧電層44bは、PVDFに限らず、ポリフッ化ビニリデン3フッ化エチレン共重合体(P(VDF−TrFE)やポリウレアなども、音響インピーダンスが3〜5Mrayl程度で、使用することができる。
本実施形態の構成では、無機圧電層と有機圧電層とが積層されて構成されている場合に、音響インピーダンスがそれらの間となる音響整合層が両圧電層間に設けられ、その音響整合層に有機圧電素子のための個別信号配線が形成される。このように構成することにより、積層型超音波振動子において、個別信号配線の引回しをより簡単に行うことができ、低コスト化を実現することができる。
[実施の形態3]
図6は、本発明の第3の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子51の構造例を示す縦断面図である。このアレイ型超音波振動子51は、前述のアレイ型超音波振動子31,41に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。本実施形態のアレイ型超音波振動子51では、音響整合層52がシリコンの両面基板によって構成されており、その表裏各面に、有機圧電層44bの個別信号配線46aおよび無機圧電層33bの個別信号配線34aがそれぞれ形成されるとともに、集積回路のパターンが形成されている。このため、バッキング層32には、個別信号配線47が設けられておらず、また有機圧電層44bの被検体側にも個別信号配線が設けられていない。
この音響整合層52の厚みは、無機圧電素子33での送信波長の1/4に形成される。なお、図6では、音響整合層52を両面基板としているが、個別信号配線46a,34aを片面にしか形成するこができない場合は、2枚の貼り合せ基板が用いられてもよい。その際は、接着剤層の厚みは、送信超音波の波長に比べて充分薄く、音響整合に影響を与えないものとする。また、2枚を貼り合せて、前記接着剤層を含めての厚さが、送信波長の1/4に形成される。
また、音響整合層52に形成される集積回路は、各無機圧電素子33を駆動する駆動回路、もしくは各有機圧電素子44で受信された信号を増幅するバッファ回路またはその増幅された信号をビーム形成するビームフォーミング回路の少なくとも1つとされる。図7は、上述のようなアレイ型超音波振動子51を超音波探触子61に用いる超音波診断装置71の概略構成を示すブロック図である。前記超音波探触子61は、ケーブル72で超音波診断装置本体73に接続される。なお、後述するように、超音波診断装置本体73に設けられた機能ブロックの一部は、アレイ型超音波振動子51に内蔵される場合がある。
超音波診断装置本体73は、送受信制御部74による制御に基づいて、駆動回路75から送信パルスを発生し、無機圧電素子33に与える。送信ビームフォーマーとなる駆動回路75は、送受信制御部74からの送信信号に応答して、駆動信号発生回路75aが、各列の遅延時間の調整されたパルスを順次に発生する。そのパルスが駆動素子75bで増幅されて各圧電素子33に与えられることによって、被検体に対して、所望の深さや所望の走査位置に対応したフォーカルポイントに向けた送信ビームが生成される。
一方、被検体から来た超音波(反射波および高調波)は、各有機圧電素子44で受信され、超音波に応じた信号がバッファ回路76でインピーダンス変換され、また必要に応じて増幅される。その後、受信ビームフォーマーとなるビームフォーミング回路77に順次に入力され、各列の遅延回路77aで遅延時間が調整されて加算回路77bで整相加算され、送信ビームに対応した受信ビームが生成される。その受信ビームは、デジタルシグナルプロセッサなどで実現される信号処理回路78に入力されて被検体の断層画像が作成され、表示部79によって画像表示される。
この超音波診断装置71において、駆動回路75、もしくはバッファ回路76またはビームフォーミング回路77の少なくとも1つを、個別信号配線34a,46aとともに、シリコン基板を備えて構成される音響整合層52に形成される集積回路に実装することによって、該シリコン基板からおよび該シリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができる。
特に、バッファ回路76およびビームフォーミング回路77を音響整合層52のシリコン基板の集積回路に実装すれば、圧電素子数がたとえば32×32=1024としても、信号配線を1本(GNDを含めると2本)とすることができ、非常に効果が大きい。また、受信の圧電素子44が有機系の場合、誘電率が小さいので、出力インピーダンスが非常に大きくなり、配線容量による伝送損失が非常に大きい。一般に伝送損失を低減するには、シールドドライブという手法が効果的であるが、個々の信号線にシールドが必要になるので、配線の構造が複雑になり、実際、線数は2倍以上となる。そこで、音響整合層52の集積回路としてバッファ回路76を形成すると、個々の圧電素子44の近傍に受信用のバッファ回路があるので、複雑なシールド構造は不要で、配線容量による伝送損失を低減でき、線数は素子数と同じでよくなり、効果的である。
なお、圧電素子数が多くなると、標的(フォーカルポイント)に近い素子と遠い素子とで遅延時間に大きな差が生じるので、近傍の複数の素子をサブアレイとして纏め、そのサブアレイ毎に遅延時間を調整してサブアレイビームフォーミングを行い、後段で各サブアレイ間の遅延時間を調整してメインのビームフォーミングを行うように、ビームフォーミング回路77が構成されてもよい。この場合、遅延回路77aでの遅延時間の調整は、サブアレイ内での調整となり、該遅延回路77aの回路規模を小さくすることができる。しかしながら、信号配線はサブアレイ数倍となり、16個でサブアレイを構成した場合、1024/16=64本となる。
本実施形態では、音響整合層52を構成する板状体がシリコン基板から成ることを利用して、シリコン基板上に、個別信号線とともに、集積回路のパターンが形成される。したがって、シリコン基板からおよびシリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができる。
[実施の形態4]
図8〜図10は、本発明の第4の実施形態にかかるアレイ型超音波振動子81,91,101の構造例を示す縦断面図である。先ず、図8で示すアレイ型超音波振動子81は、前述のアレイ型超音波振動子31に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。この図8に示すアレイ型超音波振動子81では、シリコンの単層基板である音響整合層34に代えて、送信超音波の1/4波長の厚さ内で複数積層され、少なくとも1層(図8では各層82〜84)に集積回路のパターンが形成されたシリコンの多層基板である音響整合層82〜84が設けられている。
このように構成することで、集積度の影響で集積できない場合や、プロセスが異なる場合などで単一の基板に集積できない場合に、集積回路を分割して実装することができる。たとえば、最も上層の音響整合層82に送受信の切換え回路に前述のバッファ回路76が実装され、次の層の音響整合層83に前述のビームフォーミング回路77が実装され、最下層の音響整合層84に前述の駆動回路75が実装される。各音響整合層82〜84間は、貫通電極によって接続されており、最も大きな音響整合層82にフレキシブルプリント基板37が接続され、各音響整合層83,84の集積回路は、音響整合層82を介して外部と接続される。こうして、アレイ型超音波振動子に、それに関連する多くの回路を内蔵することができる。
同様に、図9に示すアレイ型超音波振動子91は、前述のアレイ型超音波振動子41に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。図9に示すアレイ型超音波振動子91では、シリコンの単層基板である音響整合層46に代えて、送信超音波の1/4波長の厚さ内で複数積層され、各層に集積回路のパターンが形成されたシリコンの多層基板である音響整合層92,93が設けられている。たとえば、上層側の音響整合層93にはバッファ回路76が実装され、下層側の音響整合層92にはビームフォーミング回路77が実装される。
また、図10で示すアレイ型超音波振動子101は、前述のアレイ型超音波振動子51に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。図10に示すアレイ型超音波振動子101では、音響整合層52に代えて、送信超音波の1/4波長の厚さ内で複数積層され、各層に集積回路がパターン形成されたシリコンの多層基板である音響整合層102〜105が設けられている。表裏両面の音響整合層52の代わりには、貼り合わせの音響整合層102,103となり、それに多層化の音響整合層104,105がそれぞれ積層されている。そして、送信用の無機圧電素子33側の音響整合層102,104には送信に関する回路が、受信用の有機圧電素子44側の音響整合層103,105には受信に関する回路がそれぞれ実装される。
本実施形態の構成によれば、シリコン基板は、送受信に影響を与えない送信超音波の1/4波長の厚さで複数積層される多層基板とされ、少なくとも1層に、駆動回路、バッファ回路およびビームフォーミング回路などの機能別に集積回路がパターン形成される。したがって、アレイ型の圧電素子に、それに関連する多くの回路を内蔵することができる。
[実施の形態5]
図11〜図13は、本発明の第5の実施形態に係るアレイ型超音波振動子111,121,131の構造例を示す縦断面図である。先ず、図11で示すアレイ型超音波振動子111は、前述のアレイ型超音波振動子31に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。図11に示すアレイ型超音波振動子111では、音響整合層34に代えて、同じシリコン基板によって構成されており、アレイ型の圧電素子33よりも幅広に形成される音響整合層112が用いられ、そのはみ出した部分に、集積回路チップ115が搭載されている。すなわち、シリコン基板には、個別信号配線112aが形成されるだけで、集積回路はチップ115で別付けとなっている。したがって、シリコン基板からおよび該シリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができるとともに、駆動回路75、バッファ回路76およびビームフォーミング回路77の総てを備える大規模な回路をシリコン基板上に実装することができる。また、それぞれのチップ115を最適なプロセスで作成したり、仕向け地に応じて載せ替えるなどの細かな変更に容易に対応することができる。
同様に、図12に示すアレイ型超音波振動子121は、前述のアレイ型超音波振動子41に類似している。このアレイ型超音波振動子121では、音響整合層46に代えて、大きい幅の音響整合層122が用いられ、はみ出した部分に、集積回路チップ115が搭載される。また、図13に示すアレイ型超音波振動子131は、アレイ型超音波振動子51に類似している。このアレイ型超音波振動子131では、音響整合層52に代えて、大きい幅の音響整合層132が用いられ、はみ出した部分に、集積回路チップ115が搭載される。
本実施形態のアレイ型超音波振動子では、シリコン基板は、アレイ型の圧電素子が占める領域よりも幅広に形成され、シリコン基板のその領域外に集積回路チップが搭載されている。
この構成によれば、音響整合層を構成する板状体がシリコン基板から成ることを利用して、シリコン基板がアレイ型の圧電素子よりも幅広に形成され、シリコン基板上に個別信号配線が形成されるとともに、圧電素子からはみ出した部分に、集積回路チップが搭載される。したがって、シリコン基板からおよびシリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができるとともに、駆動回路、バッファ回路およびビームフォーミング回路の総てを備える大規模な回路をシリコン基板上に実装することができる。
本明細書は、上記のように様々な態様の技術を開示しているが、そのうち主な技術を以下に纏める。
第1態様では、アレイ型超音波振動子は、バッキング層と、このバッキング層の上に配列された複数の圧電素子と、これら複数の圧電素子の上に設けられ、前記複数の圧電素子よりも音響インピーダンスが低い材料の板状体で構成された音響整合層と、前記音響整合層の板状体に形成された信号配線とを備える。そして、好ましくは、前記複数の圧電素子は、2次元に配列されている。また、好ましくは、前記信号配線は、前記複数の圧電素子に個別に接続されているものである。
このような構成のアレイ型超音波振動子では、信号配線をバッキング層に形成したり、別途に部品を用いることなく、簡単に信号配線を形成することができる。これによって、低コスト化や、高精細化(素子数の増加)に対応することができる。
また、第2態様では、上述のアレイ型超音波振動子において、前記複数の圧電素子は、それぞれ無機圧電素子であり、前記音響整合層の上に配列された複数の有機圧電素子を備え、前記信号配線は、前記複数の有機圧電素子に個別に接続されているものである。
この構成によれば、個別信号配線の引回しが困難な積層構造の圧電素子に好適である。
また、第3態様では、これら上述のアレイ型超音波振動子において、前記板状体は、シリコン基板である。
この構成によれば、個別信号配線の形成が容易であり、また個別信号配線を微細な配線にすることができ、前記高精細化(素子数の増加)に好適である。
また、第4態様では、上述のアレイ型超音波振動子において、前記シリコン基板には、集積回路が形成されている。
この構成によれば、シリコン基板からおよび該シリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができる。
また、第5態様では、上述のアレイ型超音波振動子において、前記集積回路は、前記各圧電素子を駆動する駆動回路、もしくは前記各圧電素子で受信された信号を増幅するバッファ回路またはその増幅された信号をビーム形成するビームフォーミング回路の少なくとも1つである。
この構成によれば、この集積回路を搭載しておくことによって、シリコン基板への信号配線を大幅に削減することができる。
また、第6態様では、これら上述のアレイ型超音波振動子において、前記シリコン基板は、複数積層され、少なくとも1層に前記集積回路が形成された多層基板である。そして、好ましくは、送受信に影響を与えないように、前記シリコン基板は、送信超音波の1/4波長の厚さで複数積層される。
この構成によれば、アレイ型の圧電素子に、それに関連する多くの回路を内蔵することができる。
また、第7態様では、これら上述のアレイ型超音波振動子において、前記シリコン基板は、前記複数の圧電素子が占める領域よりも幅広に形成され、前記シリコン基板の前記領域外には集積回路チップが搭載されている。
この構成によれば、シリコン基板からおよび該シリコン基板への信号配線の数を大幅に削減することができるとともに、駆動回路、バッファ回路およびビームフォーミング回路の総てを備える大規模な回路をシリコン基板上に実装することができる。
この出願は、2008年10月17日に出願された日本国特許出願特願2008−268344を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。
本発明を表現するために、上述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切且つ十分に説明したが、当業者であれば上述の実施形態を変更および/または改良することは容易に為し得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態または改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態または当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。
本発明によれば、アレイ型超音波振動子を提供することができる。

Claims (9)

  1. アレイ型超音波振動子であって、
    バッキング層と、
    このバッキング層の上に配列された複数の圧電素子と、
    これら複数の圧電素子の上に設けられ、前記複数の圧電素子よりも音響インピーダンスが低い材料の板状体で構成された音響整合層と、
    前記音響整合層の板状体に形成された信号配線とを備えること
    を特徴とするアレイ型超音波振動子。
  2. 前記複数の圧電素子は、2次元に配列されていること
    を特徴とする請求項1に記載のアレイ型超音波振動子。
  3. 前記信号配線は、前記複数の圧電素子に個別に接続されているものであること
    を特徴とする請求項1または請求項2に記載のアレイ型超音波振動子。
  4. 前記複数の圧電素子は、それぞれ無機圧電素子であり、
    前記音響整合層の上に配列された複数の有機圧電素子を備え、
    前記信号配線は、前記複数の有機圧電素子に個別に接続されているものであること
    を特徴とする請求項1または2記載のアレイ型超音波振動子。
  5. 前記板状体は、シリコン基板であること
    を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のアレイ型超音波振動子。
  6. 前記シリコン基板には、集積回路が形成されていること
    を特徴とする請求項5に記載のアレイ型超音波振動子。
  7. 前記集積回路は、前記各圧電素子を駆動する駆動回路、もしくは前記各圧電素子で受信された信号を増幅するバッファ回路またはその増幅された信号をビーム形成するビームフォーミング回路の少なくとも1つであること
    を特徴とする請求項6に記載のアレイ型超音波振動子。
  8. 前記シリコン基板は、複数積層され、少なくとも1層に前記集積回路が形成された多層基板であること
    を特徴とする請求項6または請求項7に記載のアレイ型超音波振動子。
  9. 前記シリコン基板は、前記複数の圧電素子が占める領域よりも幅広に形成され、前記シリコン基板の前記領域外には集積回路チップが搭載されていること
    を特徴とする請求項5に記載のアレイ型超音波振動子。
JP2009552964A 2008-10-17 2009-08-21 アレイ型超音波振動子 Expired - Fee Related JP4524719B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008268344 2008-10-17
JP2008268344 2008-10-17
PCT/JP2009/064618 WO2010044312A1 (ja) 2008-10-17 2009-08-21 アレイ型超音波振動子

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010089387A Division JP4992995B2 (ja) 2008-10-17 2010-04-08 アレイ型超音波振動子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP4524719B2 JP4524719B2 (ja) 2010-08-18
JPWO2010044312A1 true JPWO2010044312A1 (ja) 2012-03-15

Family

ID=42106479

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009552964A Expired - Fee Related JP4524719B2 (ja) 2008-10-17 2009-08-21 アレイ型超音波振動子
JP2010089387A Expired - Fee Related JP4992995B2 (ja) 2008-10-17 2010-04-08 アレイ型超音波振動子

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010089387A Expired - Fee Related JP4992995B2 (ja) 2008-10-17 2010-04-08 アレイ型超音波振動子

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8531089B2 (ja)
JP (2) JP4524719B2 (ja)
WO (1) WO2010044312A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010044312A1 (ja) 2008-10-17 2010-04-22 コニカミノルタエムジー株式会社 アレイ型超音波振動子
US8232705B2 (en) * 2010-07-09 2012-07-31 General Electric Company Thermal transfer and acoustic matching layers for ultrasound transducer
JP5480863B2 (ja) * 2011-09-27 2014-04-23 富士フイルム株式会社 超音波探触子およびその製造方法
US9056333B2 (en) 2011-09-27 2015-06-16 Fujifilm Corporation Ultrasound probe and method of producing the same
JP6029731B2 (ja) * 2012-02-07 2016-11-24 富士フイルム株式会社 超音波探触子
JP5881582B2 (ja) * 2012-02-07 2016-03-09 富士フイルム株式会社 超音波探触子の製造方法
JP5990930B2 (ja) * 2012-02-24 2016-09-14 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP5990929B2 (ja) 2012-02-24 2016-09-14 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
CN204706588U (zh) * 2012-12-19 2015-10-14 株式会社村田制作所 压电变压器装置
JP2015000288A (ja) * 2013-06-18 2015-01-05 キヤノン株式会社 被検体情報取得装置およびその制御方法ならびに音響信号取得装置およびその制御方法
JP2015023995A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 セイコーエプソン株式会社 超音波測定装置、超音波ヘッドユニット、超音波プローブ及び超音波画像装置
FR3020231B1 (fr) 2014-04-18 2016-05-06 Akoustic Arts Enceinte sonore unidirectionnelle
CN106456130B (zh) * 2014-05-06 2019-11-19 皇家飞利浦有限公司 超声换能器芯片组件、超声探针、超声成像系统以及超声组件和探针的制造方法
CN106573274B (zh) 2014-07-11 2021-02-05 微创医学科技有限公司 多胞元换能器
JP6723727B2 (ja) * 2014-11-28 2020-07-15 キヤノン株式会社 プローブ、及び被検体情報取得装置
JP6776074B2 (ja) * 2016-09-16 2020-10-28 株式会社東芝 圧電デバイスおよび超音波装置
US10846501B2 (en) * 2017-04-28 2020-11-24 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Acoustic biometric touch scanner
US10489627B2 (en) 2017-04-28 2019-11-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Acoustic biometric touch scanner
EP3685309A4 (en) * 2017-09-22 2021-03-17 Fingerprint Cards AB ULTRASONIC TRANSDUCER DEVICE, ACOUSTIC BIOMETRIC IMAGING SYSTEM AND MANUFACTURING PROCESS
US11169265B2 (en) * 2018-05-03 2021-11-09 Fujifilm Sonosite, Inc. Dual frequency ultrasound transducer
WO2022104683A1 (zh) * 2020-11-20 2022-05-27 深圳先进技术研究院 一种阵列式超声换能器及其制作方法
JP2024003919A (ja) * 2022-06-28 2024-01-16 シリコン アンド システム カンパニー、リミテッド 音響素子

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11155863A (ja) * 1997-11-27 1999-06-15 Toin Gakuen 超音波探触子
JP2004208918A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Hitachi Medical Corp 超音波診断装置
JP2005229098A (ja) * 2003-12-12 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2007513563A (ja) * 2003-12-04 2007-05-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高減衰バッキングを備えたic取り付けセンサを実装する装置及び方法
JP2007172632A (ja) * 2002-12-27 2007-07-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Icカード及び前記icカードを用いた記帳システム
JP2008244859A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Toshiba Corp アレイ式超音波プローブおよび超音波診断装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4701659A (en) * 1984-09-26 1987-10-20 Terumo Corp. Piezoelectric ultrasonic transducer with flexible electrodes adhered using an adhesive having anisotropic electrical conductivity
DE3501808A1 (de) * 1985-01-21 1986-07-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Ultraschallwandler
JPH03274899A (ja) 1990-03-24 1991-12-05 Hitachi Ltd 超音波変換器
JPH04218765A (ja) 1990-03-26 1992-08-10 Toshiba Corp 超音波プローブ
US5327895A (en) * 1991-07-10 1994-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultrasonic probe and ultrasonic diagnosing system using ultrasonic probe
JP3310764B2 (ja) * 1994-03-18 2002-08-05 株式会社日立製作所 超音波送受波器
US6894425B1 (en) * 1999-03-31 2005-05-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensional ultrasound phased array transducer
JP3614075B2 (ja) * 2000-03-16 2005-01-26 松下電器産業株式会社 超音波プローブ
EP1396172A2 (en) * 2001-01-05 2004-03-10 ANGELSEN, Bjorn A. J. Wideband transducer
US6666825B2 (en) 2001-07-05 2003-12-23 General Electric Company Ultrasound transducer for improving resolution in imaging system
US6551248B2 (en) 2001-07-31 2003-04-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. System for attaching an acoustic element to an integrated circuit
WO2003064980A1 (fr) * 2002-01-28 2003-08-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Couche d'adaptation acoustique, emetteur/recepteur ultrasonore, leurs procedes de fabrication, et debitmetre ultrasonore
US7109642B2 (en) * 2003-11-29 2006-09-19 Walter Guy Scott Composite piezoelectric apparatus and method
EP1542005B1 (en) * 2003-12-09 2007-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultrasonic probe with conductive acoustic matching layer
JP4583901B2 (ja) 2004-12-13 2010-11-17 富士フイルム株式会社 体腔内診断用超音波プローブ、および体腔内診断用超音波プローブの作製方法
DE602005025257D1 (de) * 2005-01-18 2011-01-20 Esaote Spa Ultraschallsonde, insbesondere zur diagnostischen Bilderzeugung
JP4301298B2 (ja) * 2007-01-29 2009-07-22 株式会社デンソー 超音波センサ及び超音波センサの製造方法
JP5038865B2 (ja) * 2007-11-22 2012-10-03 株式会社東芝 超音波探触子、超音波診断装置、及び超音波探触子の製造方法
WO2010044312A1 (ja) 2008-10-17 2010-04-22 コニカミノルタエムジー株式会社 アレイ型超音波振動子

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11155863A (ja) * 1997-11-27 1999-06-15 Toin Gakuen 超音波探触子
JP2004208918A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Hitachi Medical Corp 超音波診断装置
JP2007172632A (ja) * 2002-12-27 2007-07-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Icカード及び前記icカードを用いた記帳システム
JP2007513563A (ja) * 2003-12-04 2007-05-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高減衰バッキングを備えたic取り付けセンサを実装する装置及び方法
JP2005229098A (ja) * 2003-12-12 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2008244859A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Toshiba Corp アレイ式超音波プローブおよび超音波診断装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4524719B2 (ja) 2010-08-18
JP2010233224A (ja) 2010-10-14
US8531089B2 (en) 2013-09-10
WO2010044312A1 (ja) 2010-04-22
JP4992995B2 (ja) 2012-08-08
US20110198968A1 (en) 2011-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4524719B2 (ja) アレイ型超音波振動子
US9692524B2 (en) Ultrasonic transducer device, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device
US8604671B2 (en) Ultrasound transducer, ultrasound probe, and a method for manufacturing ultrasound transducers
CN1294075C (zh) 微加工的超声换能器阵列
JP2020513291A (ja) 直接相互接続機能をもつ低電圧、低電力memsトランスデューサ
JP6102284B2 (ja) 超音波測定装置、超音波ヘッドユニット、超音波プローブ及び超音波画像装置
CN112118791A (zh) 集成超声换能器
JP2009044718A (ja) 貫通ビア相互接続構造を有する超音波システム
JP2011223468A (ja) 超音波トランスデューサおよび超音波プローブ
JP2008079909A (ja) 超音波用探触子及び超音波撮像装置
US20140088431A1 (en) Integrated circuit apparatus, ultrasound measuring apparatus, ultrasound probe and ultrasound diagnosis apparatus
US9246077B2 (en) Ultrasonic transducer device, head unit, probe, and ultrasonic imaging apparatus
US20170128047A1 (en) Ultrasonic transducer device, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device
KR102044705B1 (ko) 복합 구조의 정합층을 가진 초음파 트랜스듀서 및 그 제조방법
JP5026770B2 (ja) 超音波探触子及び超音波診断装置
JP3399415B2 (ja) センサアレイ、センサアレイの製造方法および超音波診断装置
JP2008048276A (ja) 超音波トランスデューサ及び超音波トランスデューサアレイ
US9252352B2 (en) Ultrasonic transducer device, head unit, probe, and ultrasonic imaging apparatus
WO2010092907A1 (ja) 超音波探触子、および超音波診断装置
TW202319023A (zh) 多傳感器晶片超音波裝置
JP2010219774A (ja) 超音波トランスデューサ、超音波プローブおよび超音波診断装置
JP5349141B2 (ja) 超音波プローブ
EP3545565B1 (en) 2d ultrasound transducer array methods of making the same
JP4605320B1 (ja) 超音波振動子およびそれを用いた超音波診断装置
KR20160096935A (ko) 음향특성 및 열특성을 향상시키는 초음파 트랜스듀서

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100506

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100519

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4524719

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees