JPWO2010044237A1 - スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記真空槽は、真空状態を維持する。
上記支持部は、上記真空槽の内部に配置され、上記基板を支持する。
上記搬送機構は、上記真空槽の内部に配置され、上記支持部を、上記被処理面と平行な搬送面に沿って直線的に搬送する。
上記第1のターゲットは、上記搬送面と第1の間隔を空けて対向する。
上記第2のターゲットは、上記第1のターゲットよりも上記基板の搬送方向下流側に配置され、上記搬送面と、上記第1の間隔よりも小さい第2の間隔を空けて対向する。
上記スパッタ手段は、上記第1のターゲット及び上記第2のターゲットをスパッタする。
上記基板は第1の位置から第2の位置に搬送される。
上記被処理面は、上記第1の位置で、第1のターゲットをスパッタすることで斜め方向に出射されたスパッタ粒子のみにより、成膜される。
上記被処理面は、上記第2の位置で、第2のターゲットをスパッタすることで垂直方向に出射されたスパッタ粒子により、成膜される。
上記基板は、In−Ga−Zn−O系組成を有し基板の搬送面に対して第1の間隔を空けて対向する第1のターゲットと、In−Ga−Zn−O系組成を有し基板の搬送面に対して上記第1の間隔よりも小さい第2の間隔を空けて対向する第2のターゲットとが設けられた真空槽内に配置される。
上記基板は、第1の位置から第2の位置に搬送される。
上記被処理面は、上記第1の位置で、第1のターゲットをスパッタすることで斜め方向に出射されたスパッタ粒子のみにより成膜され、上記第2の位置で、第2のターゲットをスパッタすることで垂直方向に出射されたスパッタ粒子により成膜され、活性層を形成する。
上記真空槽は、真空状態を維持する。
上記支持部は、上記真空槽の内部に配置され、上記基板を支持する。
上記搬送機構は、上記真空槽の内部に配置され、上記支持部を、上記被処理面と平行な搬送面に沿って直線的に搬送する。
上記第1のターゲットは、上記搬送面と第1の間隔を空けて対向する。
上記第2のターゲットは、上記第1のターゲットよりも上記基板の搬送方向下流側に配置され、上記搬送面と、上記第1の間隔よりも小さい第2の間隔を空けて対向する。
上記スパッタ手段は、上記第1のターゲット及び上記第2のターゲットをスパッタする。
上記スパッタリング装置は、第1のターゲットから斜め方向に出射されたスパッタ粒子を、基板の被処理面に垂直に入射させることが可能である。
上記基板は第1の位置から第2の位置に搬送される。
上記被処理面は、上記第1の位置で、第1のターゲットをスパッタすることで斜め方向に出射されたスパッタ粒子のみにより、成膜される。
上記被処理面は、上記第2の位置で、第2のターゲットをスパッタすることで垂直方向に出射されたスパッタ粒子により、成膜される。
上記基板は、In−Ga−Zn−O系組成を有し基板の搬送面に対して第1の間隔を空けて対向する第1のターゲットと、In−Ga−Zn−O系組成を有し基板の搬送面に対して上記第1の間隔よりも小さい第2の間隔を空けて対向する第2のターゲットとが設けられた真空槽内に配置される。
上記基板は、第1の位置から第2の位置に搬送される
上記被処理面は、上記第1の位置で、第1のターゲットをスパッタすることで斜め方向に出射されたスパッタ粒子のみにより成膜され、上記第2の位置で、第2のターゲットをスパッタすることで垂直方向に出射されたスパッタ粒子により成膜され、活性層を形成する。
図1は、真空処理装置100を示す模式的な平面図である。
それぞれのターゲット部Tc1〜Tc5は、ターゲット板81と、バッキングプレート82と、マグネット83とを有する。
搬送機構は、基板10が第1の位置と第2の位置を通過するように支持部93を搬送する。第1の位置は、ターゲット部Tc1と基板10が対向(正対)する位置よりも上流側である。この位置は、ターゲット部Tc1から斜め方向に出射されたスパッタ粒子のみが基板10の被処理面に到達する位置である。第2の位置は、最下流側のターゲット部(本実施の形態ではターゲット部Tc5)と基板10が対向する位置である。この位置は、ターゲット部Tc5から垂直方向に出射されたスパッタ粒子が基板10の被処理面に到達する位置である。なお、第2の位置では、隣接するターゲット部Tc4から斜め方向に出射されたスパッタ粒子が到達していてもよい。搬送機構は、少なくとも第1の位置の上流側から第2の位置の下流側まで支持部93(基板10)を搬送する。
第1の位置、あるいは第1の位置より上流側の位置で停止される。第1のスパッタ室61には、所定流量のスパッタガス(アルゴンガスと酸素ガス等)がそれぞれ導入される。上述したように、スパッタガスに電場と磁場が印加され、プラズマが形成されることで、各ターゲット部Tc1、Tc2、Tc3、Tc4及びTc5のスパッタが開始される。なお、各ターゲット部Tc1、Tc2、Tc3、Tc4及びTc5は、基板10の搬送開始前にその全てのスパッタが開始されずともよく、搬送の進行にともなって、基板の搬送方向Aに沿って順にスパッタが開始されてもよい。
図4(A)は基板10が第1の位置にある状態、図4(C)は基板10が第2の位置にある状態、図4(B)は基板10が第1の位置及び第2の位置の中間の位置にある状態を示し、スパッタは図4(A)、(B)、(C)の順に進行する。
これらの図に示すように、基板10(支持部93)は搬送機構によって搬送されながら、成膜されていく。なお、搬送は、連続的であってもよく、段階的(搬送と停止を繰り返す)であってもよい。
図4(B)に示すように、基板10はさらに搬送され、他のターゲット部Tc2、Tc3、Tc4及びTc5のそれぞれから出射されたスパッタ粒子により成膜されていく。基板10は事前に被処理面との間隔が大きく、成膜面積が大きいターゲット部Tc1によって成膜されている。これにより、間隔が小さく、より大きい入射エネルギーを有するターゲット部Tc2、Tc3、Tc4及びTc5から出射されたスパッタ粒子が、成膜されていない(新規な)被処理面に直接到達することはない。
第2の実施形態に係る真空処理装置について説明する。
以下の説明では、上述の実施形態の構成と同様な構成を有する部分に関しては説明を簡略化する。
図12は、第2の実施形態に係る第1のスパッタ室261を示す模式的な平面図である。
各スパッタカソードTdは、ターゲット板281と、バッキングプレート282と、マグネット283とを含む。
第1の実施形態に係るスパッタと同様に、印加された電場及び磁場によりスパッタガスがプラズマ化される。
本実施形態に係るスパッタにおいては、ターゲット部Td1が傾いているため、入射エネルギーが低い、斜め方向に出射されたスパッタ粒子を基板210に垂直に入射させると共に、ターゲット部から垂直に出射されたスパッタ粒子を基板210に距離を置いて入射させることが可能である。
11 ターゲット
13 マグネット
61 第1のスパッタ室
71 保持機構
81 ターゲット板
83 マグネット
93 支持部
100 真空処理装置
210 基板
261 第1のスパッタ室
281 ターゲット板
283 マグネット
293 支持部
Tc スパッタリングカソード
Td スパッタリングカソード
Claims (6)
- 基板の被処理面に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、
真空状態を維持可能な真空槽と、
前記真空槽の内部に配置され、前記基板を支持する支持部と、
前記真空槽の内部に配置され、前記支持部を、前記被処理面と平行な搬送面に沿って直線的に搬送する搬送機構と、
前記搬送面と第1の間隔を空けて対向する第1のターゲットと、
前記第1のターゲットよりも前記基板の搬送方向下流側に配置され、前記搬送面と、前記第1の間隔よりも小さい第2の間隔を空けて対向する第2のターゲットと
前記第1のターゲット及び前記第2のターゲットをスパッタするスパッタ手段と、
を具備するスパッタリング装置。 - 請求項1に記載のスパッタリング装置であって、
前記搬送機構は、第1の位置と第2の位置を順に通って前記基板を搬送し、
前記第1の位置は、前記被処理面に、前記第1のターゲットから斜め方向に出射されたスパッタ粒子のみが到達する位置であり、
前記第2の位置は、前記被処理面に、前記第2のターゲットから垂直方向に出射されたスパッタ粒子が到達する位置である
スパッタリング装置。 - 請求項2に記載のスパッタリング装置であって、
前記第1のターゲットの被スパッタ面は、前記搬送面に平行に配置されている
スパッタリング装置。 - 請求項2に記載のスパッタリング装置であって、
前記第1のターゲットの被スパッタ面は、前記第2の位置側に配向されている
スパッタリング装置。 - 被処理面を有する基板を、基板の搬送面に対して第1の間隔を空けて対向する第1のターゲットと、基板の搬送面に対して前記第1の間隔よりも小さい第2の間隔を空けて対向する第2のターゲットとが設けられた真空槽内に配置し、
第1の位置から第2の位置に前記基板を搬送し、
前記第1の位置で、第1のターゲットをスパッタすることで斜め方向に出射されたスパッタ粒子のみにより、前記被処理面を成膜し、
前記第2の位置で、第2のターゲットをスパッタすることで垂直方向に出射されたスパッタ粒子により、前記被処理面を成膜する
薄膜形成方法。 - 基板の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記基板を、In−Ga−Zn−O系組成を有し基板の搬送面に対して第1の間隔を空けて対向する第1のターゲットと、In−Ga−Zn−O系組成を有し基板の搬送面に対して前記第1の間隔よりも小さい第2の間隔を空けて対向する第2のターゲットとが設けられた真空槽内に配置し、
第1の位置から第2の位置に基板を搬送し、
前記第1の位置で、第1のターゲットをスパッタすることで斜め方向に出射されたスパッタ粒子のみにより前記被処理面を成膜し、前記第2の位置で、第2のターゲットをスパッタすることで垂直方向に出射されたスパッタ粒子により前記被処理面上を成膜して、活性層を形成する
電界効果型トランジスタの製造方法。
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