JPWO2010016116A1 - ハロゲン化水素、水素およびハロゲン化ケイ素を含む混合ガスから水素ガスを生産する方法、その水素ガスを用いたケイ素化合物の生産方法、およびその方法のためのプラント - Google Patents
ハロゲン化水素、水素およびハロゲン化ケイ素を含む混合ガスから水素ガスを生産する方法、その水素ガスを用いたケイ素化合物の生産方法、およびその方法のためのプラント Download PDFInfo
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Abstract
Description
Si+3SiCl4+2H2→4SiHCl3・・・(2)
2:リボイラー
3:凝縮器
4:原料供給導管
5:調節弁
6:凝縮器
7:捕集貯槽
8:調節弁
9:蒸発槽
10:ポンプ
11:凝縮器
12:貯槽
13:補給管
21:SiCl4蒸発器
22:ヒーター
23:反応器
24:電気炉
25:取り出し管
26:凝縮器
27:サンプル口
100:プラント
102:洗浄塔
104:スラリー貯留槽
106:フィルタープレス
108:塩酸スクラバー
110:放散塔
112:水洗塔
114;除去塔
116:水分除去装置
本明細書および請求の範囲において、「最小値〜最大値」という表記は、最小値以上かつ最大値以下の数値範囲を意味するものとする。また、「%」という表記は、特に断りのない限り、体積%(v/v)を意味するものとする。
本明細書および請求の範囲において、ハロゲン化ケイ素とは、ハロゲン化されたケイ素を意味し、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Clなどのクロルシラン類の化合物を含む概念である。なお、クロルシラン類の化合物以外にも、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3Fや、SiBr4、SiHBr3、SiH2Br2、SiH3Brや、SiI4、SiHI3、SiH2I2、SiH3Iも含む概念である。
物質名 化学式 沸点
テトラクロルシラン(四塩化ケイ素) SiCl4 57℃
トリクロルシラン SiHCl3 32℃
ジクロルシラン SiH2Cl2 8℃
モノクロルシラン SiH3Cl 30℃
なお、上記のトリクロルシランは、消防法危険物(第三類)に分類されている。
モノシラン(SiH4)は、沸点−112℃の化合物であり、特殊高圧ガス(自然発火性)に分類されている。モノシランは、半導体、液晶パネル、太陽電池等の製造に用いられる特殊材料ガスである。近年、需要は順調に拡大し、エレクトロニクス分野で広く使用されるCVD材料として、今後も伸びが期待されている。
本明細書および請求の範囲において、ケイ素化合物とは、ケイ素および他の元素を含む化合物を意味する。ケイ素化合物には、ハロゲン化ケイ素(テトラクロルシラン、トリクロルシラン、ジクロルシラン、モノクロルシラン)およびモノシランが含まれる。
本明細書および請求の範囲において、ハロゲン化ケイ素を還元するとは、ハロゲン化ケイ素に水素ガスなどのような還元物質を反応させて、より還元度の高い(ハロゲン化度の低い)物質に変換することを意味する。例えば、クロルシラン類の化合物の還元の場合には、下記の順番でハロゲン化ケイ素を還元することを意味する。
SiCl4→SiHCl3→SiH2Cl2→SiH3Cl→SiH4
本明細書および請求の範囲において、ハロゲン化水素とは、第17族元素の水素化物を意味する。水素とは1対1で結合する化合物しか知られておらず、ハロゲン化水素一般を表す略号としてHXと書き表されることがある。例えば、フッ化水素(HF、沸点19.5℃)、塩化水素(HCl、沸点−85.1℃)、臭化水素(HBr、沸点−67.1℃)、ヨウ化水素(HI、沸点−35.1℃)が含まれる。フッ化水素酸以外のハロゲン化水素は水中では完全電離するものの、そのもの自体はそれほど強い極性物質ではない。そして塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素の水溶液は完全電離して強酸性を示し、酸の強度はHCl<HBr<HIの順である。これらの中で、最も産業上よく用いられるのは、塩酸(塩化水素、HCl)である。
本明細書および請求の範囲において、水素とは、水素の単体である水素分子(水素ガス)H2を示すものとする。水素分子は常温では無色無臭の気体で、沸点−252.6°Cであり、軽く、非常に燃えやすい。一般に、アンモニアの製造(ハーバー・ボッシュ法)の他、最も安価でクリーンな還元剤として、トリクロルシラン、ジクロルシラン、モノクロルシランおよびモノシランの製造プロセスをはじめ、塩酸の製造、金属鉱石の還元、油脂の改質、脱硫など、多方面に利用されている。
本明細書および請求の範囲において、水性溶媒とは、水、水溶液、極性溶媒を含む概念であるとする。なお、本明細書および請求の範囲において、水とは、純度100%のH2Oのみからなるものに限定するわけではなく、多少の不純物等を含む水溶液、水懸濁液であっても、水と記載することとする。また、極性溶媒には、プロトン性極性溶媒と非プロトン性極性溶媒とが含まれる。プロトン性溶媒としては、例えば、水(H2O)、エタノール(CH3CH2OH)、メタノール(CH3OH)、酢酸(CH3C(=O)OH)などが例として挙げられる。
本明細書および請求の範囲において、懸濁液(Suspension)とは、少なくとも1マイクロメートル以上の、コロイドより大きい粒子と液体との混合物を意味する。コロイド溶液とは異なり、懸濁液は時間がたつと定常状態に落ち着く。懸濁液の一例は、シリカおよび水(または塩酸水溶液)を含むスラリーである。懸濁する粒子は顕微鏡で見ることができ、静かな場所に置くと時間の経過に連れて沈静化する。
本明細書および請求の範囲において、スクラバー(洗浄集じん装置)とは、排ガスに含まれる有害物質除去装置の一種であり、水などの液体を洗浄液として、排ガス中の粒子等の不純物を洗浄液の液滴や液膜中に捕集して分離をする装置で、洗浄集じん装置(湿式スクラバー、ウェットスクラバー)を意味するものとする。この種の装置には、液滴によるダストの分離を有効にするため、液滴、液膜等の形成と洗浄方法に種々の工夫がされている。溜水中に排ガスをくぐらせることにより集じんする方法(溜水式)、排ガスの流れに加圧水を噴射する方法(加圧水式)、プラスチック・磁器などの充てん物に噴霧した洗浄液の水膜に排ガスを接触させて集じんする方法(充てん層式)、洗浄液を回転体で分散させて排ガスを接触させる方法(回転式)などがある。
本明細書および請求の範囲において、フィルタープレス(filter press)とは、加圧濾過を行う代表的な方法であり、金属や樹脂製の凹凸のある中心に穴のあいた濾板に濾布を張ったものを直列に密着させたもので、スラリー(シリカ、汚泥、掘削土、セメントなどが水中にまざったもの)をポンプでろ板中心の穴から加圧圧入する装置を意味する。圧入されたスラリーは、その圧力で、水分のみが2枚の濾板の隙間で濾布の目から外へ排出され、濾板間(実際には濾布と濾布の間)に脱水ケーキが形成される。脱水完了後、濾板を開板し、ケーキを排出する。最近の製品は、ケーキの排出を自動化したものが主流である。
図1は、本実施形態に係る水素ガスの生産プロセスの設備について説明するための図である。図1に示す水素ガスの生産プロセスでは、塩化水素、水素およびクロルシランを含む混合ガスから水素を分離して、水素ガスを生産する。
本実施形態に係る水素ガスの生産プラント100は、塩化水素、水素およびクロルシランを含む混合ガスから水素を分離して、水素ガスを生産するプラント100である。そして、この生産プラント100は、混合ガスおよび塩酸シリカスラリーを接触させることによって、クロルシランおよび塩酸シリカスラリーに含まれる水を反応させ、混合ガスからクロルシランの少なくとも一部を除去してなる第一の精製ガスを得るための洗浄塔102を備える。また、この生産プラント100は、第一の精製ガスおよび塩酸水溶液を接触させることによって、塩化水素を塩酸水溶液中に吸収させ、第一の精製ガスから塩化水素の少なくとも一部を除去してなる第二の精製ガスを得るための塩酸スクラバー108を備える。
実施形態1に係る水素ガスの生産プラント100は、ジクロルシラン、モノクロルシラン、モノシランの製造プロセスに組み込んで好適に用いることができる。なお、既に実施形態1で説明した内容については、本実施形態では繰り返さない。
2SiHCl3⇔SiCl4+SiH2Cl2
2SiH2Cl2⇔SiHCl3+SiH3Cl
2SiH3Cl⇔SiH2Cl2+SiH4
下記のような塩酸の離脱反応が起きて水素ガスが発生する場合があるためである。
SiH4+HCl→SiH3Cl+H2
SiH3Cl+HCl→SiH2Cl2+H2
SiH2Cl2+HCl→SiHCl3+H2
SiHCl3+HCl→SiCl4+H2
実施形態1に係る水素ガスの生産プラント100は、トリクロルシランの製造プロセスに組み込んで好適に用いることができる。なお、既に実施形態1および2で説明した内容については、本変形例では繰り返さない。
図1に示すように、洗浄塔102(スラリー貯留槽104も付属)、塩酸スクラバー108、フィルター除去装置(不図示、フィルタープレス106も付属)、放散塔110、水洗塔112、除去塔114(水分除去装置116も付属)を用いた水素ガスの生産プロセスのプラント100を構築した。そして、このプラント100の通常運転条件における洗浄塔102の入口組成および塩酸スクラバー108の出口組成について、本実施例では検討した。
実施例1のプラント100の通常運転条件における放散塔110の出口組成について、本実施例では検討した。
実施例1のプラント100の通常運転条件における水洗塔112の出口組成について、本実施例では検討した。
実施例1から塩酸スクラバー108を除いた場合について、本実施例では検討した。
上記の実施例および比較例の実験結果から、洗浄塔102および塩酸スクラバー108は、塩化水素および微量クロルシランの吸収を担うことのできる装置であることがわかる。また、放散塔110を追加することによって、塩化水素および微量クロルシランをより効率よく吸収することができることがわかる。そして、水洗塔112を追加すれば、塩化水素および微量クロルシランをさらに一層効率よく吸収することができることがわかる。
Claims (20)
- ハロゲン化水素、水素およびハロゲン化ケイ素を含む混合ガスから水素を分離して、水素ガスを生産する方法であって、
前記混合ガスおよび第一の水性溶媒を接触させることによって、前記ハロゲン化ケイ素および前記第一の水性溶媒を反応させ、前記混合ガスから前記ハロゲン化ケイ素の少なくとも一部を除去してなる第一の精製ガスを得る工程と、
前記第一の精製ガスおよび第二の水性溶媒を接触させることによって、前記ハロゲン化水素を前記第二の水性溶媒中に吸収させ、前記第一の精製ガスから前記ハロゲン化水素の少なくとも一部を除去してなる第二の精製ガスを得る工程と、
を含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項1記載の水素ガスの生産方法において、
ハロゲン化ケイ素の不均斉化反応によって、前記ハロゲン化ケイ素を還元する際に排出されるガスを、前記混合ガスとして回収する工程を、
さらに含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項1記載の水素ガスの生産方法において、
水素およびハロゲン化ケイ素を原料として、前記ハロゲン化ケイ素を還元する際に排出されるガスを、前記混合ガスとして回収する工程を、
さらに含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項1記載の水素ガスの生産方法において、
前記ハロゲン化ケイ素および前記第一の水性溶媒の反応によって生成する二酸化ケイ素を、前記第一の水性溶媒中から除去する工程を、
さらに含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項4記載の水素ガスの生産方法において、
前記除去された二酸化ケイ素を含む懸濁液を固液分離して、前記懸濁液から前記ハロゲン化水素を含む液体を回収する工程を、
さらに含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項5に記載の水素ガスの生産方法において、
前記回収されたハロゲン化水素を含む液体を放散することによって、
ハロゲン化水素濃度99%以上のハロゲン化水素ガスと、
ハロゲン化水素を含む液体と、
に気液分離する工程を、
さらに含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項1記載の水素ガスの生産方法において、
前記第二の精製ガスおよび第三の水性溶媒を接触させることによって、前記第二の精製ガス中に残存するハロゲン化ケイ素および前記第三の水性溶媒を反応させ、前記第二の精製ガス中に残存するハロゲン化水素を前記第三の水性溶媒中に吸収させ、前記第二の精製ガスから前記ハロゲン化ケイ素および前記ハロゲン化水素の少なくとも一部を除去してなる、第三の精製ガスを得る工程を、
さらに含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項7記載の水素ガスの生産方法において、
前記第三の精製ガスおよびアルカリ性の水性溶媒を接触させることによって、前記第三の精製ガス中に残存するハロゲン化水素および前記アルカリ性の水性溶媒を反応させ、前記第三の精製ガスから前記ハロゲン化水素の少なくとも一部を除去してなる第四の精製ガスを得る工程を、
さらに含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項8記載の水素ガスの生産方法において、
前記第四の精製ガスから水分を除去して、水分含有率が0.5%以下である第五の精製ガスを得る工程を、
さらに含む、水素ガスの生産方法。 - 請求項1記載の水素ガスの生産方法において、
前記ハロゲン化水素は、塩化水素であり、
前記ハロゲン化ケイ素は、クロルシランである、
水素ガスの生産方法。 - 請求項10に記載の水素ガスの生産方法において、
前記第一の水性溶媒は、塩酸シリカスラリーであり、
前記第二の水性溶媒は、塩酸水溶液である、
水素ガスの生産方法。 - ハロゲン化ケイ素を還元して、前記ハロゲン化ケイ素よりもハロゲン化度の低いケイ素化合物を生産する方法であって、
ハロゲン化水素ガスを用いたハロゲン化ケイ素の不均斉化反応によって、前記ハロゲン化ケイ素を還元する工程と、
前記ハロゲン化ケイ素を還元する際に排出される混合ガスを回収する工程と、
請求項6記載の水素ガスの生産方法によって、前記混合ガスからハロゲン化水素ガスを分離する工程と、
前記分離されたハロゲン化水素ガスを、再度、前記ハロゲン化ケイ素を還元する工程に供給する工程と、
を含む、ケイ素化合物の生産方法。 - ハロゲン化ケイ素を還元して、前記ハロゲン化ケイ素よりもハロゲン化度の低いケイ素化合物を生産する方法であって、
水素およびハロゲン化ケイ素を原料として、前記ハロゲン化ケイ素を還元する工程と、
前記ハロゲン化ケイ素を還元する際に排出される混合ガスを回収する工程と、
請求項1記載の水素ガスの生産方法によって、前記混合ガスから水素を分離して、水素ガスを生産する工程と、
前記生産された水素ガスを、再度、前記ハロゲン化ケイ素を還元する工程に原料として供給する工程と、
を含む、ケイ素化合物の生産方法。 - ハロゲン化水素、水素およびハロゲン化ケイ素を含む混合ガスから水素を分離して、水素ガスを生産するプラントであって、
前記混合ガスおよび第一の水性溶媒を接触させることによって、前記ハロゲン化ケイ素および前記第一の水性溶媒を反応させ、前記混合ガスから前記ハロゲン化ケイ素の少なくとも一部を除去してなる第一の精製ガスを得るための反応装置と、
前記第一の精製ガスおよび第二の水性溶媒を接触させることによって、前記ハロゲン化水素を前記第二の水性溶媒中に吸収させ、前記第一の精製ガスから前記ハロゲン化水素の少なくとも一部を除去してなる第二の精製ガスを得るための吸収装置と、
を備える、水素ガスの生産プラント。 - 請求項14記載の水素ガスの生産プラントにおいて、
前記ハロゲン化ケイ素および前記第一の水性溶媒の反応によって生成する二酸化ケイ素を、前記第一の水性溶媒中から除去するための除去装置を、
さらに備える、水素ガスの生産プラント。 - 請求項15記載の水素ガスの生産プラントにおいて、
前記除去された二酸化ケイ素を含む懸濁液を固液分離して、前記懸濁液から前記ハロゲン化水素を含む液体を回収する固液分離装置を、
さらに備える、水素ガスの生産プラント。 - 請求項16に記載の水素ガスの生産プラントにおいて、
前記回収されたハロゲン化水素を含む液体を放散することによって、
ハロゲン化水素濃度99%以上のハロゲン化水素ガスと、
ハロゲン化水素を含む液体と、
に気液分離する気液分離装置を、
さらに備える、水素ガスの生産プラント。 - 請求項14記載の水素ガスの生産プラントにおいて、
前記第二の精製ガスおよび第三の水性溶媒を接触させることによって、前記第二の精製ガス中に残存するハロゲン化ケイ素および前記第三の水性溶媒を反応させ、前記第二の精製ガス中に残存するハロゲン化水素を前記第三の水性溶媒中に吸収させ、前記第二の精製ガスから前記ハロゲン化ケイ素および前記ハロゲン化水素の少なくとも一部を除去してなる、第三の精製ガスを得るための反応吸収装置を、
さらに備える、水素ガスの生産プラント。 - 請求項18記載の水素ガスの生産プラントにおいて、
前記第三の精製ガスおよびアルカリ性の水性溶媒を接触させることによって、前記第三の精製ガス中に残存するハロゲン化水素および前記アルカリ性の水性溶媒を反応させ、前記第三の精製ガスから前記ハロゲン化水素の少なくとも一部を除去してなる第四の精製ガスを得るための酸アルカリ反応装置を、
さらに備える、水素ガスの生産プラント。 - 請求項19記載の水素ガスの生産プラントにおいて、
前記第四の精製ガスから水分を除去して、水分含有率が0.5%以下である第五の精製ガスを得るための水分除去装置を、
さらに備える、水素ガスの生産プラント。
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