JPWO2009148155A1 - 薄膜太陽電池製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2008年6月6日に出願された特願2008−149937号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
そこで、近年では、製造コストが低く、材料不足のリスクが小さい薄膜Si層が形成された薄膜太陽電池の需要が高まっている。
さらに、従来型のa−Si(アモルファスシリコン)層のみを有する従来の薄膜太陽電池に加えて、最近ではa−Si層とμc−Si(マイクロクリスタルシリコン)層とを積層することにより変換効率の向上を図るタンデム型薄膜太陽電池の需要が高まっている。
この薄膜太陽電池の薄膜Si層(半導体層)を成膜する装置としては、プラズマCVD装置が用いられることが多い。
また、成膜室内には、成膜ガスのプラズマを発生する高周波電極(カソード)が設置されている。
そして、プラズマによって分解された成膜ガス(ラジカル)が基板の成膜面(膜が形成される面)に到達することにより、加熱された基板の成膜面に所望の膜が形成される。
高周波電極は、高周波電源にマッチング回路を介して接続されている。
高周波電源は、発振回路又は増幅回路を有しており、交流又は直流の入力を受けて高周波電力を出力する。
マッチング回路は、高周波電源と高周波電極とのマッチングを図る回路であって、このマッチング回路によって高周波電極に所望の高周波電力が入力される(例えば、特許文献1参照)。
給電ポイントを高周波電極の中央に配置することで、高周波電極全体に同電位の電力を供給しやすくなり、これにより、基板の成膜面全体に均一な膜を形成することができる。
また、たとえ高周波電極全体を均一に同電位にできたとしても、基板の温度が全ての箇所で均一にならない場合など、成膜を施す際の条件によって基板の成膜面全体に均一に膜が形成され難いという課題がある。
このような平行平板型プラズマCVD装置において、カソードユニットの両側に放電空間が形成される。
この2つの放電空間のインピーダンスのバランスが崩れたとき、放電がどちらかに偏り、プラズマが不均一に発生する恐れがある。
これを回避するためには電極間隔などのシビアな調整が必要であるという課題がある。
また、基板に形成される膜の品質を確認しながら各給電ポイントに印加される電位を調整することが可能になる。
このため、例えば、基板の温度が全ての箇所で均一にならない場合などがあっても、基板の成膜面に均一な膜を形成することができる。
さらに、カソードの各々の両面に対向するように、アノードが配置されているので、省スペースが実現された空間で、同時に2枚の基板に膜を形成することが可能になる。
このため、2つの成膜空間の放電が相互に干渉することなく行われ、均一で安定した成膜することができる。
また、本発明では、基板に形成される膜の品質を確認しながら各給電ポイントに印加される電位を調整することが可能になる。
このため、例えば、両電極のインピーダンスが異なる場合であっても、安定な放電を発生することが可能となり、基板の成膜面に均一な膜を形成することができる。
(薄膜太陽電池)
図1は、本発明の薄膜太陽電池製造装置によって製造される薄膜太陽電池100の概略断面図である。
図1に示すように、薄膜太陽電池100は、その表面を構成し、ガラスからなる基板Wと;この基板W上に設けられた透明導電膜からなる上部電極101と;アモルファスシリコンからなるトップセル102と;このトップセル102と後述するボトムセル104との間に設けられた透明導電膜からなる中間電極103と;マイクロクリスタルシリコンからなるボトムセル104と;透明導電膜からなるバッファ層105と;金属膜からなる裏面電極106とが積層されている。
つまり、薄膜太陽電池100は、a−Si/マイクロクリスタルSiタンデム型太陽電池である。
このようなタンデム構造を有する薄膜太陽電池100では、短波長光をトップセル102で吸収するとともに、長波長光をボトムセル104で吸収することで発電効率の向上を図ることができる。
また、ボトムセル104のp層(104p)、i層(104i)、n層(104n)の3層構造は、マイクロクリスタルシリコンで構成されている。
この光起電力効果により発生した電子/正孔を上部電極101と裏面電極106とにより取り出すことで、光エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。
薄膜太陽電池100においては、光エネルギーの変換効率を向上させるために、また、上部電極101に入射した太陽光の光路を伸ばすプリズム効果と、光の閉じ込め効果を得るために形成されたテクスチャ構造を採用している。
次に、本発明の薄膜太陽電池製造装置について説明する。
(薄膜太陽電池製造装置)
図2は薄膜太陽電池製造装置の概略構成図である。
図2に示すように、薄膜太陽電池製造装置10は、成膜室11と、仕込・取出室13と、基板脱着室15と、基板脱着ロボット17と、基板収容カセット19と、を含む。
成膜室11は、複数の基板Wに対して同時にマイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル104(半導体層)を成膜する。
仕込・取出室13は、成膜室11に搬入される処理前基板W1と、成膜室11から搬出された処理後基板W2とを同時に収容する。
以下の説明において「処理前基板」とは、成膜処理が施される前の基板を意味し、「処理後基板」とは、成膜処理が施された後の基板を意味する。
基板脱着室15おいては、処理前基板W1がキャリア21(図10参照)に取り付けられたり、処理後基板W2がキャリア21から取り外されたりする。
基板脱着ロボット17は、基板Wをキャリア21に取り付けたり、キャリア21から取り外したりする。
基板収容カセット19は、薄膜太陽電池製造装置10とは異なる別の処理室に基板Wを搬送する際に用いられ、基板Wを収容する。
なお、第一実施形態の薄膜太陽電池製造装置10においては、成膜室11、仕込・取出室13および基板脱着室15によって構成される基板成膜ライン16が4つ設けられている。
また、基板脱着ロボット17は床面に敷設されたレール18上を移動可能であり、全ての基板成膜ライン16への基板Wの受け渡し工程を1台の基板脱着ロボット17によって行なう。
さらに、基板成膜モジュール14は、成膜室11と仕込・取出室13とが一体化して構成されており、運搬用のトラックに積載可能な大きさを有する。
図3A〜図3Cに示すように、成膜室11は箱型に形成されている。成膜室11の仕込・取出室13に接続される側面23には、基板Wが搭載されたキャリア21が通過可能なキャリア搬出入口24が3箇所形成されている。キャリア搬出入口24にはキャリア搬出入口24を開閉するシャッタ25が設けられている。シャッタ25を閉止した時には、キャリア搬出入口24は気密性を確保して閉止される。側面23と対向する側面27には、基板Wに成膜を施すための電極ユニット31が3基取り付けられている。電極ユニット31は、成膜室11から着脱可能に構成されている。また、成膜室11の側面下部28には成膜室11内が真空雰囲気となるように減圧するための排気管29が接続されており、排気管29には真空ポンプ30が接続されている。
側板部63の一方の面(成膜室11の内部に向く面、第1面)65には、成膜処理時に施す際に基板Wの両面に位置するアノード67とカソードユニット68とが設けられている。第一実施形態の電極ユニット31は、カソードユニット68を間に挟み、カソードユニット68の両側に離間して配置された一対のアノード67を含む。この電極ユニット31においては、一つの電極ユニット31を用いて2枚の基板Wを同時に成膜できる。したがって、成膜処理時の各基板Wは、重力方向(鉛直方向)と略並行となるように、かつ、カソードユニット68と対向するように、カソードユニット68の両側に配置されている。2枚のアノード67は、各基板Wに対向した状態で、各基板Wの厚さ方向外側に配置されている。
つまり、アノード67は、底板部62の鉛直方向から見て略90°回動できるように構成されている(図4A参照)。
マッチングボックス72は、カソード中間部材76と高周波電源とのインピーダンス・マッチングを得るために用いられる装置であって、電極ユニット31の側板部63の他方の面69(第2面)に1つ設けられている。
また、給電ポイント88は、カソード中間部材76の高さ方向(側板部63の長手方向)における上下の側面(上側面及び下側面或いは上部及び下部)に各1つずつ、合計2つ配設されている。これにより、マッチングボックス72を介して高周波電源から供給された電圧は、給電ポイント88を通じて、カソード中間部材76に印加される。
これら給電ポイント88とマッチングボックス72との間には、両者88,72を電気的に接続するための配線87が配索されている。
なお、カソード中間部材76の外周および、給電ポイント88および配線87は、例えばアルミナ又は石英などで構成される絶縁部材89によって周囲が取り囲まれている。
カソード中間部材76とシャワープレート(カソード)75は導電体で形成され、高周波はカソード中間部材76を介してシャワープレート(カソード)75に印加される。
このため、2枚のシャワープレート75,75には、プラズマを発生するための同電位・同位相の電圧が印加される。
ガス供給装置(不図示)から空間部77の各々に成膜ガスが導入されると、各シャワープレート75、75からガスが放出される。すなわち、空間部77は、ガス供給路の役割を有している。
この第一実施形態においては、空間部77がそれぞれのシャワープレート75、75毎に対応して別々に形成されているので、カソードユニット68は、2系統のガス供給路を有している。これによって、ガスの種類、ガスの流量、ガスの混合比等が系統毎に独立して制御される。
排気ダクト79には、成膜空間81の成膜ガス又は反応生成物(パウダー)を吸引して除去する(排気する)ための排気口80が形成されている。
具体的には、成膜を施す際の基板Wとシャワープレート75との間に形成される成膜空間81に連通するように排気口80が形成されている。
排気口80は、カソードユニット68の周縁部に沿って複数形成されており、全周に亘って略均等に成膜ガス又は反応生成物(パウダー)を吸引して除去できるように構成されている。
また、カソードユニット68の下部における排気ダクト79の成膜室11内へ向いた面には開口部(不図示)が形成されている。排気口80を通じて除去された成膜ガス等は、この開口部を介して成膜室11内へ排出することができる。
成膜室11内へ排出されたガスは、成膜室11の側面下部28に設けられた排気管29より外部へ排気される。
また、排気ダクト79とカソード中間部材76の間には、誘電体および/もしくは積層空間を有する浮遊容量体82が設けられている。排気ダクト79は、接地電位に接続されている。排気ダクト79は、カソード75およびカソード中間部材76からの異常放電を防止するためのシールド枠としても機能する。
このマスク78は、キャリア21に設けられた後述する挟持部59の挟持片59A(図10、図22参照)を被覆すると共に、成膜を施す際に挟持片59Aと一体となって空間部77の成膜ガス又は反応生成物(パウダー)を排気ダクト79に導くためのガス流路Rを形成している。
すなわち、キャリア21(挟持片59A)を被覆するマスク78とシャワープレート75との間、および排気ダクト79との間にガス流路Rが形成されている。
なお、移動レール37は、成膜室11と仕込・取出室13との間で分離され、キャリア搬出入口24はシャッタ25を閉じることで密閉可能である。
図6A及び図6Bに示すように、仕込・取出室13は、箱型に形成されている。
側面33は成膜室11の側面23と気密性を確保して接続されている。
側面33には3つのキャリア21が挿通可能な開口部32が形成されている。
側面33と対向する側面34は基板脱着室15に接続されている。
側面34には基板Wが搭載されたキャリア21が通過可能なキャリア搬出入口35が3箇所形成されている。
キャリア搬出入口35には気密性を確保できるシャッタ36が設けられている。なお、移動レール37は仕込・取出室13と基板脱着室15の間で分離され、キャリア搬出入口35はシャッタ36を閉じることで密閉可能である。
図7に示すように、このプッシュ−プル機構38は、キャリア21を係止するための係止部48と;係止部48の両端に設けられ、移動レール37と略平行に配された一対のガイド部材49と;係止部48を両ガイド部材49に沿って移動させるための移動装置50と;を含む。
そして、仕込・取出室13の側面下部41には、仕込・取出室13内が真空雰囲気となるように減圧するための排気管42が接続されており、排気管42には真空ポンプ43が接続されている。
図8A及び図8Bに示すように、基板脱着室15は、枠状に形成されており、仕込・取出室13の側面34に接続されている。
基板脱着室15においては、移動レール37に配されているキャリア21に対して処理前基板W1を取り付けることができ、処理後基板W2をキャリア21から取り外すことができる。
基板脱着室15には、3体のキャリア21が並列して配置できるように構成されている。
また、駆動アーム45は、基板脱着室15に配されたキャリア21と基板収容カセット19との間を駆動する。具体的に、駆動アーム45は、基板収容カセット19から処理前基板W1を取り出して、基板脱着室15に配されたキャリア21に処理前基板W1を取り付けることができ、処理後基板W2を基板脱着室15に戻ってきたキャリア21から取り外し、基板収容カセット19へ搬送することができる。
図9に示すように、基板収容カセット19は、箱型に形成されており、基板Wを複数枚収容可能な大きさを有している。
基板収容カセット19内においては、基板Wの成膜面を水平にした状態で、上下方向に基板Wが複数枚積層して収容される。
また、基板収容カセット19の下部にはキャスター47が設けられており、薄膜太陽電池製造装置10とは異なる別の処理装置へと移動することができる。
また、連結部材52の上方には、移動レール37に載置される車輪53が設けられている。移動レール37上を車輪53が転がることにより、キャリア21が移動レール37に沿って移動可能である。
また、フレーム51の下部には、キャリア21が移動する際に基板Wの揺れを抑制するためにフレームホルダ54が設けられている。フレームホルダ54の先端は各室の底面上に設けられた断面凹状のレール部材55(図19参照)に嵌合されている。なお、レール部材55は平面視(レール部材55が設置される面を鉛直方向から見て)において移動レール37に沿う方向に配されている。
また、フレームホルダ54が複数のローラで構成されていれば、更に安定してキャリア21を搬送することが可能となる。
また、挟持部59は、基板Wの表面WO(成膜面)および裏面WU(背面)に当接する挟持片59A,59Bを有している(図22参照)。この挟持片59A,59Bの離隔距離は、バネなどを介して可変可能、つまり、アノード67の移動に応じて挟持片59Aが挟持片59Bに対して近接・離間する方向に沿って移動可能に構成されている(詳細は後述する)。
ここで、一つの移動レール37上には、1体のキャリア21が取り付けられている。即ち、一対(2枚)の基板を保持できる1体のキャリア21が、一つの移動レール37上に取り付けられている。つまり、一組の薄膜太陽電池製造装置10においては、3体のキャリア21が取り付けられ、即ち、3対(6枚)の基板が保持される。
次に、第一実施形態の薄膜太陽電池製造装置10を用いて、基板Wに成膜する方法を説明する。なお、この説明においては、一つの基板成膜ライン16の図面を用いて説明するが、他の三つの基板成膜ライン16においても略同様に方法により基板に成膜する。
まず、図11に示すように、処理前基板W1を複数枚収容した基板収容カセット19を所定の位置に配置する。
さらに、この動作を繰り返して、基板脱着室15に設置されている残り二つのキャリア21にも処理前基板W1をそれぞれ取り付ける。つまり、この段階で処理前基板W1が6枚取り付けられる。
その後、仕込・取出室13の内部を、真空ポンプ43を用いて真空状態に保持する。
この時、処理前基板W1が取り付けられたキャリア21と、処理後基板W2が取り付けられたキャリア21Aとが平面視において並列して配置される。
そして、この状態を所定時間保持することで、処理後基板W2に蓄熱されている熱が処理前基板W1に伝熱される。つまり、成膜前基板W1が加熱される。
図16Aに示すように、プッシュ−プル機構38の係止部48に、処理後基板W2が取り付けられたキャリア21Aを係止する。そして、係止部48に取り付けられている移動装置50の移動アーム58を揺動させる。この時、移動アーム58の長さは可変する。すると、キャリア21Aが係止された係止部48は、ガイド部材49に案内されながら移動し、図16Bに示すように、仕込・取出室13内へと移動する。つまり、キャリア21Aは、成膜室11から仕込・取出室13へと移動される。
このような構成によれば、キャリア21Aを駆動させるための駆動源(駆動機構)を成膜室11内に設けることが不要になる。
この時、キャリア21に取り付けられた処理前基板W1は、その面に平行な方向に沿って移動し、成膜室11内において、アノード67とカソードユニット68との間に、表面WOが重力方向と略並行となるように鉛直方向に沿った状態で挿入される(図19参照)。
更に、処理前基板W1とカソードユニット68のシャワープレート75との隙間が所定距離(成膜距離)になるまで、処理前基板W1を移動させる。
なお、この処理前基板W1とカソードユニット68のシャワープレート75との隙間(成膜距離)は5〜15mmで、例えば5mm程度である。
図22に示すように、マスク78は、挟持片59Aの表面と基板Wの外縁部とを覆うと共に、挟持片59Aもしくは基板Wの外縁部と密接するように形成されている。成膜空間81は、マスク78と、カソードユニット68のシャワープレート75と、処理前基板W1(基板W)とにより形成される。
すなわち、マスク78は、キャリア21の挟持片59Aのうち、成膜空間81に露呈する露出面85を被覆することで、成膜空間81に対して露出しないように挟持片59Aを遮蔽する。
さらに、マスク78と挟持片59Aとの合わせ面(当接面)及びマスク78と基板Wの外縁部との合わせ面(当接面)は、シール部86として機能する。これにより、マスク78と挟持片59Aとの間又はマスク78と基板Wの外縁部との間から成膜ガスが漏れることが防止されている。
また、第一実施形態の変形例として、マスクを排気ダクト79に弾性体を介して取り付けることによって、基板とシャワープレート75(=カソード)との距離を駆動機構71のストロークによって任意に変更する構造を採用することができる。
上記の実施形態では、マスク78と基板Wとが当接する場合を述べたが、成膜ガス通過の通過を制限するような微少な間隔を空けてマスク78と基板Wとが配置されてもよい。
各給電ポイント88における電圧の位相が合うことによって、シャワープレート(カソード)75全体の電位を均一に設定することができる。
そして、カソードユニット68のシャワープレート(カソード)75に電圧を印加することで処理前基板W1の表面WOに成膜を施す。
なお、アノード67に内蔵されているヒータHにより、処理前基板W1が所望の温度に加熱される。
アノード67は、処理前基板W1が所望の温度に達すると加熱を停止する。
なお、シャワープレート75から供給される成膜ガス材料を所定時間毎に切り替えることにより、一度の成膜処理工程において複数の層を基板W上に成膜することができる。
なお、成膜を施す際に発生した反応生成物(パウダー)を排気ダクト79の内壁面に付着・堆積させることにより、この反応生成物は、回収及び処分される。
成膜室11内の全ての電極ユニット31において、上述した処理と同じ処理が実行されるため、6枚の基板に対して同時に成膜することができる。
このとき仕込・取出室13内は、真空状態に維持されており、次に成膜される処理前基板W1を取り付けたキャリア21Bが既に配置されている。
そして、仕込・取出室13内で処理後基板W2に蓄熱されている熱を処理前基板W1へ伝熱し、処理後基板W2の温度を下げる。
全ての処理後基板W2の取り外しが完了したら、基板収容カセット19を次工程が行なわれる場所(装置)まで移動させることで、成膜処理が終了する。
上記の第一実施形態においては、カソード中間部材76に、給電ポイント88が高さ方向における上下の側面に各1つずつ、合計2つ配設されている構成について述べた。
このため、例えば、カソード中間部材76に配設された給電ポイント88の位置に対応するように不均一な品質を有する膜が処理後基板W2に形成される場合には、一方の給電ポイント88に入力される電圧の位相と、他方の給電ポイント88に入力される電圧の位相とをずらすことによって、処理後基板W2に形成される膜の品質を別々に調整することができる。
また、処理後基板W2に形成される膜の品質を確認しながら、各給電ポイント88,88に印加される電圧の位相を調整することが可能になる。
さらに、カソード中間部材76の両側に、アノード67の各々が対向するように配置させることにより、省スペースが実現された空間で、同時に2枚の基板Wに膜を形成することが可能になる。
次に、上記の図5を援用し、かつ、図27に基づいて、本発明の第二実施形態を説明する。なお、第一実施形態と同一部材には、同一符号を付して説明する(以下の実施形態でも同様)。
この第二実施形態において、薄膜太陽電池製造装置10が、複数の基板Wに対して同時にマイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル104(半導体層)を成膜可能な成膜室11と;成膜室11に搬入される処理前基板W1と、成膜室11から搬出された処理後基板W2と、を同時に収容可能な仕込・取出室13と;処理前基板W1および処理後基板W2をキャリア21に脱着する基板脱着室15と;基板Wをキャリア21から脱着するための基板脱着ロボット17と;基板Wを別の処理室との搬送のために収容する基板収容カセット19と;を備えている点、成膜室11に電極ユニット31が着脱可能に設けられている点;電極ユニット31のアノード67にヒータHが内蔵されている点;電極ユニット31の側板部63に、アノード67を駆動させるための駆動機構71と、マッチングボックス72とが取り付けられている点等の基本的構成は、前述の第一実施形態と同様である(以下の実施形態でも同様)。
1対のRF印加部材119は、それぞれ平板状に形成された部材である。各RF印加部材119と対向するように、シャワープレート75が配置されている。
各シャワープレート75は、RF印加部材119とアノード67との間に配置され、RF印加部材119の面と接触している。各シャワープレート75と、RF印加部材119とは、RF印加部材119の外周において接続されている。各シャワープレート75と各RF印加部材119との間には、成膜ガスを導入するための空間部77が形成されている。
給電ポイント88及び配線87の周囲は、例えばアルミナ又は石英などで構成される絶縁部材121によって取り囲まれている(図5参照)。また、図27に示されているように、2つのRF印加部材119の各々の給電ポイント88は、絶縁部材121によって覆われている。給電部88の電位は、RF印加部材119の上側面及び下側面において同じである(同電位)。
次に、本発明の第三実施形態を図28に基づいて説明する。
第三実施形態のカソードユニット128と、前述の第二実施形態のカソードユニット118との相違点は、次の通りである。即ち、前述の第二実施形態のカソードユニット118においては1対のRF印加部材119が絶縁部材120をその間に介在させて互いに略並行に配置されているのに対し、第三実施形態のカソードユニット128においては、1対のカソードRF印加部材119が電気的な導通を阻害する阻害機構130をその間に介在させて互いに略並行に配置されている。
2つのRF印加部材119,119の各々とアース板との間に浮遊容量を形成する方法として、(A)誘電体を挟む方法、又は(B)1〜29mm程度の空間を形成する方法が挙げられる。また、空間を形成する方法としては、(1)電気的にフローティングな金属板を間隔を設けて重ねる方法、又は(2)絶縁板を間隔を設けて重ねる方法が挙げられる。
また、シャワープレート(カソード)75と基板Wとの間に形成される成膜空間81,81における成膜条件をそれぞれ別個に設定することが可能になり、2枚の基板Wに対してそれぞれ個別にチューニングされた成膜条件で基板Wを成膜することができる。よって、均一で安定な成膜が行われる。
また、上述の実施形態では、カソード中間部材76、RF印加部材119には、マッチングボックス72を介して高周波電源からの電圧が印加される給電ポイント88が高さ方向の上下の側面に各1つずつ、合計2つ配設されている場合について説明した。
しかしながら、これに限られるものではなく、カソード中間部材76、RF印加部材119の大きさや成膜を施す際の条件に応じて給電ポイント88を2つ以上設けてもよい。
上記の実施形態においては、給電ポイント88が2つ配設されているカソード中間部材76及びRF印加部材119の構成について述べたが、給電ポイント88の個数は限定されない。3つ以上の給電ポイント88を設けてもよい。例えば、基板Wの4辺に対応するように、カソード中間部材76及びRF印加部材119の4箇所に給電ポイント88を設けてもよい。また、基板Wの4隅に対応するように、カソード中間部材76及びRF印加部材119の4箇所に給電ポイント88を設けてもよい。給電ポイント88の個数及び給電ポイント88が設置される位置は、処理後基板W2に形成される膜の品質に応じて適宜調整される。
上述の第二実施形態及び第三実施形態では、シャワープレート(カソード)75及びRF印加部材119が独立した部材であり、これらの部材がカソードユニット68に組み込まれた構成について説明した。しかしながら、この構成に限らず、シャワープレート(カソード)75とRF印加部材119とが一体に形成された構成を採用してもよい。
前記給電ポイントは、前記カソードユニットの上下の側面、上側面及び下側面、或いは上部及び下部に各1つずつ配置されている。
Claims (4)
- 薄膜太陽電池製造装置であって、
基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にCVD法により所望の膜を形成する成膜空間と;
電圧が印加されるカソードと、2つ以上の給電ポイントとを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと;
前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと;
を含むことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。 - 薄膜太陽電池製造装置であって、
基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にCVD法により所望の膜を形成する成膜空間と;
同電位が印加される2つ以上の給電ポイントを有して電圧が印加されるカソードと、一対の前記カソードの間に設置される絶縁部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと;
前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと;
を含むことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。 - 薄膜太陽電池製造装置であって、
基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にCVD法により所望の膜を形成する成膜空間と;
互いに異なる電位が印加される2つ以上の給電ポイントを有して電圧が印加されるカソードと、一対の前記カソードの間に設置される接地電位のシールド部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと;
前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと;
を含むことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。 - 薄膜太陽電池製造装置であって、
基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にCVD法により所望の膜を形成する成膜空間と;
電圧が印加されるカソードと、前記カソードがその両側に設置され、かつ、その側面に2つ以上の給電ポイントが配置されたカソード中間部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと;
前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するアノードと;
を含むことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。
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