WO2009148155A1 - 薄膜太陽電池製造装置 - Google Patents

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WO2009148155A1
WO2009148155A1 PCT/JP2009/060356 JP2009060356W WO2009148155A1 WO 2009148155 A1 WO2009148155 A1 WO 2009148155A1 JP 2009060356 W JP2009060356 W JP 2009060356W WO 2009148155 A1 WO2009148155 A1 WO 2009148155A1
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cathode
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solar cell
film formation
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康男 清水
英之 小形
松本　浩一
恭史 野口
洋介 神保
智彦 岡山
和 森岡
哲康 杉山
貴司 重田
広行 栗原
征典 橋本
貞次 若松
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株式会社アルバック
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Definitions

  • the present invention relates to a thin-film solar cell manufacturing apparatus.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2008-149937 filed on June 6, 2008, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • the plasma CVD apparatus has a film formation chamber.
  • a substrate on which a film is formed is accommodated in the film formation chamber, and after the pressure in the film formation chamber is reduced to a vacuum, a film formation gas is supplied into the film formation chamber. It is configured.
  • a high-frequency electrode (cathode) that generates plasma of a deposition gas is installed in the deposition chamber. Then, when the film formation gas (radical) decomposed by the plasma reaches the film formation surface (surface on which the film is formed) of the substrate, a desired film is formed on the film formation surface of the heated substrate.
  • the high frequency electrode is connected to a high frequency power source via a matching circuit.
  • the high frequency power supply has an oscillation circuit or an amplifier circuit, and receives AC or DC input and outputs high frequency power.
  • the matching circuit is a circuit for matching a high-frequency power source and a high-frequency electrode, and a desired high-frequency power is input to the high-frequency electrode by the matching circuit (see, for example, Patent Document 1).
  • a feeding point for inputting high-frequency power is often provided at approximately one center in the plane of the high-frequency electrode.
  • the feeding point By disposing the feeding point at the center of the high-frequency electrode, it becomes easy to supply power having the same potential to the entire high-frequency electrode, whereby a uniform film can be formed on the entire film-forming surface of the substrate.
  • the high-frequency electrode when the high-frequency electrode is enlarged, a potential difference is generated between the central portion and the side surface portion (outer peripheral portion) of the high-frequency electrode only by providing one feeding point at the approximate center of the plane of the high-frequency electrode. There is a problem that it is difficult to form a uniform film on the entire film formation surface of the substrate. In addition, even if the entire high-frequency electrode can be made to have the same potential, the film is uniformly formed on the entire film formation surface of the substrate depending on the conditions at the time of film formation, such as when the temperature of the substrate is not uniform at all locations. There is a problem that it is difficult to form.
  • the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and even if the high-frequency electrode is enlarged or the conditions for film formation are changed, a uniform film is formed on the film formation surface of the substrate.
  • a thin-film solar cell manufacturing apparatus that can be formed is provided.
  • the inventors of the present invention provide a cathode unit having a discharge surface (cathode) on both sides in order to achieve high productivity while obtaining a high quality film quality, and dispose the anodes on both sides of the cathode unit.
  • Thin film solar cell manufacturing apparatuses are being studied.
  • plasma CVD apparatus discharge spaces are formed on both sides of the cathode unit. When the impedance balance between the two discharge spaces is lost, the discharge is biased to either direction, and plasma may be generated non-uniformly. In order to avoid this, there is a problem that severe adjustment such as electrode spacing is necessary.
  • the substrate is disposed so that the film formation surface of the substrate is substantially parallel to the direction of gravity, and a desired film is formed on the film formation surface by a CVD method.
  • the potential of the entire cathode can be set uniformly even when the cathode is enlarged.
  • the potential applied to each power feeding point can be adjusted while checking the quality of the film formed on the substrate. For this reason, for example, even when the temperature of the substrate is not uniform at all locations, a uniform film can be formed on the film formation surface of the substrate.
  • the anode is disposed so as to face both surfaces of each cathode, it is possible to form a film on two substrates at the same time in a space in which space saving is realized.
  • the substrate is disposed so that the film formation surface of the substrate is substantially parallel to the direction of gravity, and a desired film is formed on the film formation surface by a CVD method.
  • the stray capacitance is provided by inserting a dielectric (insulating member) between the two cathodes. ) Mutual interference can be suppressed.
  • the substrate is disposed so that the film formation surface of the substrate is substantially parallel to the direction of gravity, and a desired film is formed on the film formation surface by a CVD method.
  • the voltages applied to the pair of cathodes can be applied to the pair of cathodes without interfering with each other. For this reason, the discharge in the two film formation spaces is performed without interfering with each other, and uniform and stable film formation can be achieved.
  • the substrate is disposed so that the film formation surface of the substrate is substantially parallel to the direction of gravity, and a desired film is formed on the film formation surface by a CVD method.
  • a film forming space; a cathode to which a voltage is applied; a cathode intermediate member in which the cathode is installed on both sides thereof and two or more power supply points are arranged on the side surfaces thereof;
  • the cathode intermediate member on which the cathodes are installed on both sides has a feeding point, and has two or more feeding points. There is no need to provide a feeding point, and a voltage having the same potential and the same phase can be applied.
  • the potential of the entire cathode can be set uniformly even when the cathode is enlarged.
  • FIG. 1 It is a schematic sectional drawing which shows the thin film solar cell in 1st embodiment of this invention. It is a schematic block diagram which shows the thin film solar cell manufacturing apparatus in 1st embodiment of this invention. It is a perspective view which shows the film-forming chamber in 1st embodiment of this invention. It is the perspective view which looked at the film-forming chamber in 1st embodiment of this invention from another angle. It is a side view which shows the film-forming chamber in 1st embodiment of this invention. It is a perspective view which shows the electrode unit in 1st embodiment of this invention. It is the perspective view which looked at the electrode unit in 1st embodiment of this invention from another angle. It is a disassembled perspective view which shows the electrode unit in 1st embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a push-pull mechanism in a first embodiment of the present invention. It is a perspective view which shows schematic structure of the board
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a thin film solar cell 100 manufactured by the thin film solar cell manufacturing apparatus of the present invention.
  • a thin film solar cell 100 comprises a substrate W made of glass; a top electrode 101 made of a transparent conductive film provided on the substrate W; and a top cell made of amorphous silicon. 102; intermediate electrode 103 made of a transparent conductive film provided between top cell 102 and bottom cell 104 described later; bottom cell 104 made of microcrystalline silicon; buffer layer 105 made of transparent conductive film; metal film
  • the back electrode 106 which consists of is laminated
  • the thin film solar cell 100 is an a-Si / microcrystal Si tandem solar cell.
  • power generation efficiency can be improved by absorbing short wavelength light by the top cell 102 and absorbing long wavelength light by the bottom cell 104.
  • the three-layer structure of the p layer (102p), i layer (102i), and n layer (102n) of the top cell 102 is formed of amorphous silicon.
  • the three-layer structure of the p layer (104p), i layer (104i), and n layer (104n) of the bottom cell 104 is made of microcrystalline silicon.
  • the thin film solar cell 100 having such a configuration, when energetic particles called photons contained in sunlight hit the i layer, electrons and holes are generated by the photovoltaic effect, and the electrons are in the n layer. The holes move toward the p layer while moving toward the p layer. By extracting electrons / holes generated by the photovoltaic effect by the upper electrode 101 and the back electrode 106, light energy can be converted into electric energy.
  • the intermediate electrode 103 between the top cell 102 and the bottom cell 104, a part of the light that passes through the top cell 102 and reaches the bottom cell 104 is reflected by the intermediate electrode 103 and is incident on the top cell 102 again. Therefore, the sensitivity characteristic of the cell is improved, which contributes to the improvement of power generation efficiency.
  • Sunlight incident on the substrate W is reflected by the back electrode 106 after passing through each layer.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a thin-film solar cell manufacturing apparatus.
  • the thin-film solar cell manufacturing apparatus 10 includes a film formation chamber 11, a preparation / removal chamber 13, a substrate removal chamber 15, a substrate removal robot 17, and a substrate storage cassette 19.
  • the film forming chamber 11 forms a bottom cell 104 (semiconductor layer) made of microcrystalline silicon on a plurality of substrates W at the same time.
  • the preparation / removal chamber 13 simultaneously accommodates the unprocessed substrate W ⁇ b> 1 carried into the film forming chamber 11 and the post-processed substrate W ⁇ b> 2 unloaded from the film forming chamber 11.
  • pre-treatment substrate means a substrate before film formation
  • post-treatment substrate means a substrate after film formation.
  • the unprocessed substrate W ⁇ b> 1 is attached to the carrier 21 (see FIG. 10), and the processed substrate W ⁇ b> 2 is removed from the carrier 21.
  • the substrate removal robot 17 attaches or removes the substrate W to / from the carrier 21.
  • the substrate accommodation cassette 19 is used when the substrate W is transported to a different processing chamber different from the thin film solar cell manufacturing apparatus 10 and accommodates the substrate W.
  • the substrate film forming lines 16 each including a film forming chamber 11, a preparation / removal chamber 13, and a substrate desorption chamber 15 are provided. Further, the substrate removal robot 17 can move on the rail 18 laid on the floor surface, and the transfer process of the substrate W to all the substrate deposition lines 16 is performed by one substrate removal robot 17. Further, the substrate film forming module 14 is formed by integrating the film forming chamber 11 and the loading / unloading chamber 13 and has a size that can be loaded on a transporting truck.
  • FIGS. 3A to 3C are schematic configuration diagrams of the film forming chamber 11, in which FIG. 3A is a perspective view, FIG. 3B is a perspective view seen from an angle different from FIG. 3A, and FIG. 3C is a side view.
  • the film forming chamber 11 is formed in a box shape.
  • the carrier loading / unloading port 24 is provided with a shutter 25 that opens and closes the carrier loading / unloading port 24.
  • the carrier carry-in / out port 24 is closed while ensuring airtightness.
  • Three electrode units 31 for forming a film on the substrate W are attached to the side surface 27 facing the side surface 23.
  • the electrode unit 31 is configured to be detachable from the film forming chamber 11. Further, an exhaust pipe 29 for reducing the pressure so that the inside of the film forming chamber 11 becomes a vacuum atmosphere is connected to the lower side surface 28 of the film forming chamber 11, and a vacuum pump 30 is connected to the exhaust pipe 29. .
  • FIG. 4A to 4D are schematic configuration diagrams of the electrode unit 31, FIG. 4A is a perspective view, FIG. 4B is a perspective view from a different angle from FIG. 4A, and FIG. 4C is a perspective view showing a modification of the electrode unit 31.
  • FIG. 4D is a sectional view partially showing the cathode unit and the anode (counter electrode).
  • FIG. 5 is a plan view of the cathode.
  • the electrode unit 31 can be attached to and detached from three openings 26 formed on the side surface 27 of the film forming chamber 11 (see FIG. 3B).
  • the electrode unit 31 is provided with one wheel 61 at each of the lower four corners, and is movable on the floor surface.
  • the bottom plate portion 62 with the wheels 61 may be a carriage 62A that can be separated from and connected to the electrode unit 31.
  • the carriage 62 ⁇ / b> A can be separated from the electrode unit 31 after the electrode unit 31 is connected to the film forming chamber 11.
  • each of the electrode units 31 can be moved using the carriage 62A in common without using a plurality of carriages.
  • the side plate portion 63 forms a part of the wall surface of the film forming chamber 11.
  • An anode 67 and a cathode unit 68 positioned on both surfaces of the substrate W are provided on one surface (surface facing the inside of the film forming chamber 11, the first surface) 65 of the side plate portion 63 when performing the film forming process.
  • the electrode unit 31 of the first embodiment includes a pair of anodes 67 that are spaced apart on both sides of the cathode unit 68 with the cathode unit 68 interposed therebetween. In this electrode unit 31, two substrates W can be formed simultaneously using one electrode unit 31.
  • each substrate W during the film forming process is disposed on both sides of the cathode unit 68 so as to be substantially parallel to the gravity direction (vertical direction) and to face the cathode unit 68.
  • the two anodes 67 are arranged on the outer side in the thickness direction of each substrate W in a state of facing each substrate W.
  • the anode 67 incorporates a heater H as a temperature control unit that adjusts the temperature of the substrate W. Further, the two anodes 67 and 67 can be moved in a direction (horizontal direction) approaching and separating from each other by a drive mechanism 71 provided on the side plate portion 63, and the distance between each substrate W and the cathode unit 68 can be set. It can be controlled. Specifically, when the film formation of the substrate W is performed, the two anodes 67 and 67 move in the direction of the cathode unit 68 and come into contact with the substrate W, and further move in the direction close to the cathode unit 68. Thus, the distance between the substrate W and the cathode unit 68 is adjusted as desired.
  • the anodes 67 and 67 are moved away from each other.
  • the drive mechanism 71 since the drive mechanism 71 is provided, the substrate W can be easily taken out from the electrode unit 31.
  • the anode 67 is attached to the drive mechanism 71 via a hinge (not shown), and a surface 67A of the anode 67 facing the cathode unit 68 is a side plate in a state where the electrode unit 31 is pulled out from the film forming chamber 11. It can be rotated (opened) until it is substantially parallel to one surface 65 of the part 63. That is, the anode 67 is configured to be able to rotate by approximately 90 ° when viewed from the vertical direction of the bottom plate portion 62 (see FIG. 4A).
  • shower plates 75 are disposed on the cathode unit 68 on the opposite side of the cathode 67 and on both sides of the cathode unit 68.
  • a plurality of small holes are formed in the shower plate 75, and a film forming gas is ejected toward the substrate W.
  • the shower plates 75 and 75 are cathodes (high frequency electrodes) connected to the matching box.
  • a cathode intermediate member 76 connected to the matching box is provided between the two shower plates 75 and 75.
  • the shower plate 75 is arranged on both sides of the cathode intermediate member 76 in contact with the cathode intermediate member 76.
  • the cathode intermediate member 76 and the shower plate (cathode) 75 are formed of a conductor, and the high frequency is applied to the shower plate (cathode) 75 via the cathode intermediate member 76. For this reason, a voltage having the same potential and the same phase for generating plasma is applied to the two shower plates 75 and 75.
  • the cathode intermediate member 76 is formed of a single flat plate and is connected to a high-frequency power source (not shown) via a matching box 72.
  • the matching box 72 is a device used to obtain impedance matching between the cathode intermediate member 76 and the high frequency power source, and is provided on the other surface 69 (second surface) of the side plate portion 63 of the electrode unit 31.
  • a total of two feeding points 88 are disposed, one on each of the upper and lower side surfaces (upper side surface and lower side surface or upper and lower sides) in the height direction of the cathode intermediate member 76 (longitudinal direction of the side plate portion 63). ing.
  • the voltage supplied from the high-frequency power source via the matching box 72 is applied to the cathode intermediate member 76 through the feeding point 88. Between these feed point 88 and the matching box 72, a wiring 87 for electrically connecting the two 88 and 72 is routed.
  • the wiring 87 extends from the matching box 72 and is routed along the outer periphery of the cathode intermediate member 76 to the power feeding points 88 and 88.
  • the outer periphery of the cathode intermediate member 76, the power feeding point 88, and the wiring 87 are surrounded by an insulating member 89 made of alumina or quartz, for example.
  • the cathode intermediate member 76 and the shower plate (cathode) 75 are formed of a conductor, and the high frequency is applied to the shower plate (cathode) 75 via the cathode intermediate member 76. For this reason, a voltage having the same potential and the same phase for generating plasma is applied to the two shower plates 75 and 75.
  • a space 77 is formed between the cathode intermediate member 76 and the shower plate 75.
  • the space 77 is separated by the cathode intermediate member 76 and formed separately corresponding to each shower plate 75, 75. That is, the cathode unit 68 is formed with a pair of space portions 77.
  • a film forming gas is introduced into each of the spaces 77 from a gas supply device (not shown), the gas is released from the shower plates 75 and 75. That is, the space 77 has a role of a gas supply path.
  • the cathode unit 68 has two gas supply paths. Accordingly, the type of gas, the gas flow rate, the gas mixing ratio, and the like are controlled independently for each system.
  • a hollow exhaust duct 79 is provided on the peripheral edge of the cathode unit 68 over substantially the entire circumference.
  • the exhaust duct 79 is formed with an exhaust port 80 for sucking and removing (exhausting) the film forming gas or the reaction product (powder) in the film forming space 81.
  • an exhaust port 80 is formed so as to communicate with a film formation space 81 formed between the substrate W and the shower plate 75 when performing film formation.
  • a plurality of the exhaust ports 80 are formed along the peripheral edge of the cathode unit 68, and are configured so that the film forming gas or the reaction product (powder) can be sucked and removed almost uniformly over the entire periphery. .
  • an opening (not shown) is formed in a surface of the exhaust duct 79 facing the inside of the film forming chamber 11 at the lower part of the cathode unit 68.
  • the film forming gas and the like removed through the exhaust port 80 can be discharged into the film forming chamber 11 through this opening.
  • the gas discharged into the film forming chamber 11 is exhausted to the outside through an exhaust pipe 29 provided at the lower side surface 28 of the film forming chamber 11.
  • a stray capacitance body 82 having a dielectric and / or a laminated space is provided between the exhaust duct 79 and the cathode intermediate member 76.
  • the exhaust duct 79 is connected to the ground potential.
  • the exhaust duct 79 also functions as a shield frame for preventing abnormal discharge from the cathode 75 and the cathode intermediate member 76.
  • a mask 78 is provided on the peripheral portion of the cathode unit 68 so as to cover a portion from the outer peripheral portion of the exhaust duct 79 to the outer peripheral portion of the shower plate 75.
  • the mask 78 covers a clamping piece 59A (see FIGS. 10 and 22) of a clamping part 59 (described later) provided on the carrier 21, and is integrated with the clamping piece 59A when film formation is performed.
  • a gas flow path R for guiding the film forming gas or reaction product (powder) to the exhaust duct 79 is formed. That is, the gas flow path R is formed between the mask 78 covering the carrier 21 (the sandwiching piece 59 ⁇ / b> A), the shower plate 75, and the exhaust duct 79.
  • the movable rail 37 is formed in the film forming chamber so that the carrier 21 can move between the film forming chamber 11 and the preparation / removal chamber 13 and between the preparation / removal chamber 13 and the substrate desorption chamber 15. 11 and the substrate removal chamber 15.
  • the moving rail 37 is separated between the film forming chamber 11 and the loading / unloading chamber 13, and the carrier carry-in / out port 24 can be sealed by closing the shutter 25.
  • FIGS. 6A and 6B are schematic configuration diagrams of the preparation / removal chamber 13, FIG. 6A is a perspective view, and FIG. 6B is a perspective view from a different angle from FIG. 6A.
  • the preparation / removal chamber 13 is formed in a box shape.
  • the side surface 33 is connected to the side surface 23 of the film forming chamber 11 while ensuring airtightness.
  • An opening 32 through which three carriers 21 can be inserted is formed on the side surface 33.
  • a side surface 34 facing the side surface 33 is connected to the substrate desorption chamber 15.
  • three carrier carry-in / out ports 35 through which the carrier 21 on which the substrate W is mounted can pass are formed.
  • the carrier carry-in / out port 35 is provided with a shutter 36 that can ensure airtightness.
  • the moving rail 37 is separated between the loading / unloading chamber 13 and the substrate detaching chamber 15, and the carrier carry-in / out port 35 can be sealed by closing the shutter 36.
  • the preparation / removal chamber 13 is provided with a push-pull mechanism 38 for moving the carrier 21 between the film formation chamber 11 and the preparation / removal chamber 13 along the moving rail 37.
  • the push-pull mechanism 38 includes a locking portion 48 for locking the carrier 21; a pair provided at both ends of the locking portion 48 and disposed substantially parallel to the moving rail 37.
  • the carrier 21 is viewed in plan view (the surface on which the preparation / removal chamber 13 is installed is viewed from the vertical direction) in order to simultaneously accommodate the pre-processing substrate W 1 and the post-processing substrate W 2.
  • a moving mechanism (not shown) for moving a predetermined distance in a direction substantially orthogonal to the laying direction of the moving rail 37 is provided.
  • An exhaust pipe 42 is connected to the lower side surface 41 of the preparation / removal chamber 13 for reducing the pressure so that the inside of the preparation / removal chamber 13 becomes a vacuum atmosphere.
  • a vacuum pump 43 is connected to the exhaust pipe 42. Has been.
  • FIGS. 8A and 8B are schematic configuration diagrams of the substrate desorption chamber, FIG. 8A is a perspective view, and FIG. 8B is a front view.
  • the substrate removal chamber 15 is formed in a frame shape and connected to the side surface 34 of the preparation / removal chamber 13.
  • the unprocessed substrate W ⁇ b> 1 can be attached to the carrier 21 disposed on the moving rail 37, and the processed substrate W ⁇ b> 2 can be detached from the carrier 21.
  • the substrate removal chamber 15 is configured so that three carriers 21 can be arranged in parallel.
  • the substrate removal robot 17 has a drive arm 45 (see FIG. 2), and has a suction unit that sucks the substrate W at the tip of the drive arm 45.
  • the drive arm 45 drives between the carrier 21 disposed in the substrate removal chamber 15 and the substrate storage cassette 19. Specifically, the drive arm 45 can take out the unprocessed substrate W1 from the substrate storage cassette 19 and attach the unprocessed substrate W1 to the carrier 21 disposed in the substrate removal chamber 15, and remove the processed substrate W2 from the substrate. It can be removed from the carrier 21 returned to the chamber 15 and transported to the substrate storage cassette 19.
  • FIG. 9 is a perspective view of the substrate storage cassette.
  • the substrate storage cassette 19 is formed in a box shape and has a size capable of storing a plurality of substrates W.
  • a plurality of substrates W are stacked and stored in the vertical direction with the film formation surface of the substrate W being horizontal.
  • a caster 47 is provided at the lower part of the substrate housing cassette 19 and can be moved to another processing apparatus different from the thin film solar cell manufacturing apparatus 10.
  • FIG. 10 is a perspective view of the carrier 21.
  • the carrier 21 is used for transporting the substrate W, and has two frame-like frames 51 to which the substrate W can be attached. That is, two substrates W can be attached to one carrier 21.
  • the two frames 51 and 51 are integrated by a connecting member 52 at the upper part thereof.
  • a wheel 53 placed on the moving rail 37 is provided above the connecting member 52.
  • a frame holder 54 is provided below the frame 51 in order to suppress the shaking of the substrate W when the carrier 21 moves.
  • the front end of the frame holder 54 is fitted to a rail member 55 (see FIG.
  • the rail member 55 is arranged in a direction along the moving rail 37 in a plan view (when the surface on which the rail member 55 is installed is viewed from the vertical direction). Further, if the frame holder 54 is composed of a plurality of rollers, the carrier 21 can be transported more stably.
  • Each of the frames 51 has an opening 56, a peripheral edge 57, and a clamping part 59.
  • the film formation surface of the substrate W is exposed at the opening 56.
  • both surfaces of the substrate W are sandwiched between the peripheral portion 57 of the opening 56 and the sandwiching portion 59, and the substrate W is fixed to the frame 51.
  • An urging force by a spring or the like is applied to the clamping part 59 that clamps the substrate W.
  • the clamping unit 59 has clamping pieces 59A and 59B that come into contact with the front surface WO (film formation surface) and the back surface WU (back surface) of the substrate W (see FIG. 22).
  • the separation distance of the sandwiching pieces 59A and 59B can be changed via a spring or the like, that is, the sandwiching piece 59A can move along the direction of approaching / separating from the sandwiching piece 59B according to the movement of the anode 67. (Details will be described later).
  • one carrier 21 is mounted on one moving rail 37. That is, one carrier 21 that can hold a pair (two) of substrates is mounted on one moving rail 37. That is, in one set of thin film solar cell manufacturing apparatus 10, three carriers 21 are attached, that is, three pairs (six) of substrates are held.
  • the thin-film solar cell manufacturing apparatus 10 In the thin-film solar cell manufacturing apparatus 10 according to the first embodiment, four substrate film forming lines 16 each including the film forming chamber 11, the loading / unloading chamber 13, and the substrate desorbing chamber 15 are arranged (see FIG. 2). ) Since three carriers 21 are accommodated in one film formation chamber (see FIGS. 3A and 3B), 24 substrates W can be formed almost simultaneously.
  • a method for forming a film on the substrate W using the thin-film solar cell manufacturing apparatus 10 of the first embodiment will be described.
  • the description will be made with reference to the drawing of one substrate film forming line 16, but the other three substrate film forming lines 16 are also formed on the substrate by a substantially similar method.
  • a substrate storage cassette 19 that stores a plurality of pre-processed substrates W1 is disposed at a predetermined position.
  • the drive arm 45 of the substrate removal robot 17 is moved to take out one pre-treatment substrate W1 from the substrate accommodation cassette 19, and the pre-treatment substrate W1 is placed in the substrate removal chamber 15. Attach to the carrier 21.
  • the arrangement direction of the pre-processing substrate W1 arranged in the horizontal direction in the substrate accommodating cassette 19 changes to the vertical direction, and the pre-processing substrate W1 is attached to the carrier 21.
  • This operation is repeated once, and two pre-processing substrates W1 are attached to one carrier 21. Further, this operation is repeated to attach the unprocessed substrates W1 to the remaining two carriers 21 installed in the substrate removal chamber 15 respectively. That is, six pre-treatment substrates W1 are attached at this stage.
  • the three carriers 21 to which the unprocessed substrate W ⁇ b> 1 is attached move substantially simultaneously along the moving rail 37 and are accommodated in the preparation / removal chamber 13.
  • the shutter 36 of the carrier carry-in / out port 35 of the preparation / removal chamber 13 is closed.
  • the inside of the preparation / removal chamber 13 is kept in a vacuum state using the vacuum pump 43.
  • the three carriers 21 are arranged in a direction orthogonal to the direction in which the moving rail 37 is laid in a plan view (when the surface on which the preparation / removal chamber 13 is installed is viewed from the vertical direction). Each is moved by a predetermined distance using a moving mechanism.
  • the shutter 25 of the film forming chamber 11 is opened, and the carrier 21A attached with the processed substrate W2 after the film formation is completed in the film forming chamber 11 is pushed into the loading / unloading chamber 13.
  • the pull mechanism 38 is used for movement.
  • the carrier 21 to which the pre-processing substrate W1 is attached and the carrier 21A to which the post-processing substrate W2 is attached are arranged in parallel in a plan view. Then, by maintaining this state for a predetermined time, the heat stored in the post-processing substrate W2 is transferred to the pre-processing substrate W1. That is, the pre-deposition substrate W1 is heated.
  • the movement of the push-pull mechanism 38 will be described.
  • the movement when the carrier 21A located in the film formation chamber 11 is moved to the preparation / removal chamber 13 will be described.
  • the carrier 21A to which the processed substrate W2 is attached is locked to the locking portion 48 of the push-pull mechanism 38.
  • the moving arm 58 of the moving device 50 attached to the locking portion 48 is swung.
  • the length of the moving arm 58 is variable.
  • the locking portion 48 with which the carrier 21A is locked moves while being guided by the guide member 49, and moves into the preparation / removal chamber 13 as shown in FIG. 16B.
  • the carrier 21 ⁇ / b> A is moved from the film formation chamber 11 to the preparation / removal chamber 13. According to such a configuration, it is not necessary to provide a driving source (driving mechanism) for driving the carrier 21 ⁇ / b> A in the film forming chamber 11.
  • the carrier 21 and the carrier 21 ⁇ / b> A are moved in a direction orthogonal to the moving rail 37 by the moving mechanism, and each carrier 21 holding the pre-processing substrate W ⁇ b> 1 is moved to the position of each moving rail 37.
  • the carrier 21 holding the unprocessed substrate W1 is moved to the film forming chamber 11 using the push-pull mechanism 38, and the shutter 25 is closed after the movement is completed.
  • the inside of the film forming chamber 11 is maintained in a vacuum state.
  • the unprocessed substrate W1 attached to the carrier 21 moves along a direction parallel to the surface, and the surface WO is in the direction of gravity between the anode 67 and the cathode unit 68 in the film forming chamber 11. And is inserted in a state along the vertical direction so as to be substantially parallel to (see FIG. 19).
  • the drive mechanism 71 moves the anode 67 in the direction in which the two anodes 67 of the electrode unit 31 are close to each other, so that the anode 67 and the back surface of the pre-treatment substrate W ⁇ b> 1. Contact the WU.
  • the unprocessed substrate W ⁇ b> 1 moves toward the cathode unit 68 so as to be pushed by the anode 67. Further, the unprocessed substrate W1 is moved until the gap between the unprocessed substrate W1 and the shower plate 75 of the cathode unit 68 reaches a predetermined distance (film formation distance).
  • the gap (film formation distance) between the pre-process substrate W1 and the shower plate 75 of the cathode unit 68 is 5 to 15 mm, for example, about 5 mm.
  • the holding piece 59A of the holding part 59 of the carrier 21 that is in contact with the surface WO of the pre-processing substrate W1 moves away from the holding piece 59B in accordance with the movement of the pre-processing substrate W1 (movement of the anode 67). Displace.
  • the pre-deposition substrate W1 is sandwiched between the anode 67 and the sandwiching piece 59A.
  • a restoring force such as a spring acts on the sandwiching piece 59A, so that the sandwiching piece 59A is displaced toward the sandwiching piece 59B.
  • the mask 78 covers the surface of the sandwiching piece 59 ⁇ / b> A and the outer edge portion of the substrate W, and is formed so as to be in close contact with the sandwiching piece 59 ⁇ / b> A or the outer edge portion of the substrate W.
  • the film formation space 81 is formed by the mask 78, the shower plate 75 of the cathode unit 68, and the pre-processing substrate W1 (substrate W).
  • the mask 78 covers the exposed surface 85 exposed to the film forming space 81 among the holding pieces 59 ⁇ / b> A of the carrier 21, thereby shielding the holding piece 59 ⁇ / b> A so as not to be exposed to the film forming space 81.
  • the mating surface (contact surface) between the mask 78 and the sandwiching piece 59 ⁇ / b> A and the mating surface (contact surface) between the mask 78 and the outer edge portion of the substrate W function as the seal portion 86. This prevents the deposition gas from leaking between the mask 78 and the sandwiching piece 59A or between the mask 78 and the outer edge of the substrate W.
  • the movement of the pre-processing substrate W1 is stopped when the holding piece 59A or the outer edge of the substrate W comes into contact with the mask 78, so that the gap between the mask 78 and the shower plate 75, and the mask 78 and the exhaust duct 79 are moved.
  • the gap that is, the height of the gas flow path R in the thickness direction (perpendicular to the plane of the shower plate 75) is set so that the gap between the pre-treatment substrate W1 and the cathode unit 68 is a predetermined distance. Is set.
  • the mask 78 and the substrate W are in contact with each other has been described.
  • the mask 78 and the substrate W may be arranged with a minute interval that restricts the passage of the deposition gas. .
  • the phases of the voltages at the two feeding points 88 are matched by the matching box 72. By matching the phase of the voltage at each feeding point 88, the potential of the entire shower plate (cathode) 75 can be set uniformly.
  • a voltage is applied to the shower plate (cathode) 75 of the cathode unit 68 to form a film on the surface WO of the unprocessed substrate W1.
  • the pre-processing substrate W1 is heated to a desired temperature by the heater H built in the anode 67.
  • the anode 67 stops heating when the pre-treatment substrate W1 reaches a desired temperature.
  • the pre-treatment substrate W1 When a voltage is applied to the shower plate 75, plasma is generated in the film formation space 81. Due to heat input from the plasma over time, the temperature of the pre-treatment substrate W1 may rise above a desired temperature even if heating of the anode 67 is stopped. In this case, the anode 67 can also function as a heat radiating plate for cooling the unprocessed substrate W1 whose temperature has increased excessively. Therefore, the pre-processing substrate W1 is adjusted to a desired temperature regardless of the elapsed time of the film forming processing time. Note that a plurality of layers can be deposited on the substrate W in a single deposition process step by switching the deposition gas material supplied from the shower plate 75 at predetermined intervals.
  • the gas or reaction product (powder) in the film formation space 81 is sucked and removed (exhaust) through the exhaust port 80 formed in the peripheral portion of the cathode unit 68.
  • the gas or reaction product in the film formation space 81 is exhausted to the exhaust duct 79 at the peripheral edge of the cathode unit 68 via the gas flow path R and the exhaust port 80.
  • the gas or the reaction product passes through an opening formed on a surface of the exhaust duct 79 in the lower portion of the cathode unit 68 facing the film forming chamber 11.
  • the gas or the reaction product is exhausted to the outside of the film forming chamber 11 through an exhaust pipe 29 provided at the lower side surface 28 of the film forming chamber 11.
  • the reaction product (powder) generated during film formation is deposited and deposited on the inner wall surface of the exhaust duct 79, whereby the reaction product is recovered and disposed of. Since all the electrode units 31 in the film forming chamber 11 perform the same process as described above, it is possible to form films on six substrates simultaneously.
  • the drive mechanism 71 moves the anode 67 in the direction in which the two anodes 67 are separated from each other, and returns the processed substrate W2 and the frame 51 (holding piece 59A) to their original positions (FIG. 20, (See FIG. 22). That is, when the film formation is completed and the carrier 21 is moved, the mask 78 is detached from the exposed surface 85 of the sandwiching piece 59A. Further, by moving the anode 67 in the direction in which the two anodes 67 are separated from each other, the processed substrate W2 is separated from the anode 67 (see FIG. 19).
  • the shutter 25 of the film formation chamber 11 is opened, and the carrier 21 is moved to the preparation / removal chamber 13 using a push-pull mechanism 38.
  • the inside of the preparation / removal chamber 13 is maintained in a vacuum state, and the carrier 21B to which the unprocessed substrate W1 to be formed next is attached.
  • the heat stored in the processed substrate W2 in the preparation / removal chamber 13 is transferred to the unprocessed substrate W1, and the temperature of the processed substrate W2 is lowered.
  • each carrier 21 ⁇ / b> B is moved into the film forming chamber 11
  • each carrier 21 is returned to the position of the moving rail 37 by the above moving mechanism.
  • the processed substrate W ⁇ b> 2 is removed from the carrier 21 by the substrate removal robot 17 and transferred to the substrate storage cassette 19.
  • the film forming process is completed by moving the substrate storage cassette 19 to a place (apparatus) where the next process is performed.
  • the film on the processed substrate W2 is not uniformly formed as a whole, that is, for example, because the plasma in the two film formation spaces is non-uniform or unstable.
  • the use condition of the matching box 72 provided in the cathode unit 68 is adjusted, so that one feeding point 88 in the cathode intermediate member 76 is adjusted.
  • the phase of the input voltage may be shifted from the phase of the voltage input to the other feeding point 88.
  • the number of matching boxes 72 provided in the electrode unit 31 may be set to two or more according to the usage status of the matching box 72.
  • the cathode intermediate member 76 has been described in which two feeding points 88 are disposed, one on each of the upper and lower side surfaces in the height direction. For this reason, for example, when a film having a non-uniform quality is formed on the processed substrate W2 so as to correspond to the position of the power supply point 88 disposed on the cathode intermediate member 76, one power supply point 88 is By shifting the phase of the input voltage and the phase of the voltage input to the other feeding point 88, the quality of the film formed on the processed substrate W2 can be adjusted separately.
  • the use condition of the matching box 72 is provided by providing two or more feeding points 88 on the cathode intermediate member 76.
  • the potential of the entire shower plate (cathode 75) can be set uniformly by adjusting the phase of the voltage at the plurality of feeding points 88.
  • disposing the anodes 67 on both sides of the cathode intermediate member 76 so as to face each other a film can be formed on two substrates W at the same time in a space where space saving is realized.
  • the thin film solar cell manufacturing apparatus 10 can form a bottom cell 104 (semiconductor layer) made of microcrystalline silicon simultaneously on a plurality of substrates W; 11 is a loading / unloading chamber 13 that can simultaneously store the unprocessed substrate W1 carried into the film 11 and the processed substrate W2 unloaded from the film forming chamber 11; the unprocessed substrate W1 and the processed substrate W2 as carriers 21; A substrate detaching chamber 15 for detaching; a substrate detaching robot 17 for detaching the substrate W from the carrier 21; and a substrate accommodation cassette 19 for accommodating the substrate W for transport to another processing chamber.
  • a substrate detaching chamber 15 for detaching
  • a substrate detaching robot 17 for detaching the substrate W from the carrier 21
  • a substrate accommodation cassette 19 for accommodating the substrate W for transport to another processing chamber.
  • the electrode unit 31 is detachably provided in the film forming chamber 11; the heater H is built in the anode 67 of the electrode unit 31; A drive mechanism 71 for driving the de 67, the basic configuration of such a point where the matching box 72 is attached, (same in the following embodiments) which is the same as the first embodiment described above.
  • the cathode unit 118 of the second embodiment is disposed between two anodes 67 and 67 (anode units 90 and 90), and the thickness direction of the cathode unit 118 (perpendicular to the plane of the shower plate 75).
  • the insulating member 120 is installed between the pair of shower plates 75.
  • a pair of RF application members 119 are disposed substantially in parallel with each other with the insulating member 120 interposed therebetween.
  • the insulating member 120 is made of alumina or quartz, for example.
  • the pair of RF application members 119 are members formed in a flat plate shape.
  • a shower plate 75 is arranged to face each RF applying member 119.
  • Each shower plate 75 is disposed between the RF application member 119 and the anode 67 and is in contact with the surface of the RF application member 119.
  • Each shower plate 75 and the RF application member 119 are connected on the outer periphery of the RF application member 119.
  • a space 77 for introducing a film forming gas is formed between each shower plate 75 and each RF applying member 119.
  • Each RF application member 119 has a feeding point 88 to which a voltage of a high frequency power supply is applied via the matching box 72, and upper and lower side surfaces (upper side surface and lower side surface or upper and lower sides) in the height direction of the RF application member 119. A total of two are arranged one by one. Between these feed point 88 and the matching box 72, a wiring 87 for electrically connecting the two 88 and 72 is routed. The periphery of the feeding point 88 and the wiring 87 is surrounded by an insulating member 121 made of alumina or quartz, for example (see FIG. 5). In addition, as shown in FIG. 27, the feeding point 88 of each of the two RF application members 119 is covered with an insulating member 121. The potential of the power feeding unit 88 is the same on the upper side surface and the lower side surface of the RF application member 119 (the same potential).
  • the stray capacitance is provided by inserting the dielectric (insulating member 120) between the two cathodes. Therefore, the mutual interference between the two electrodes (cathodes) can be suppressed by this stray capacitance.
  • a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the differences between the cathode unit 128 of the third embodiment and the cathode unit 118 of the second embodiment described above are as follows. That is, in the cathode unit 118 of the second embodiment described above, the pair of RF applying members 119 are arranged substantially in parallel with the insulating member 120 interposed therebetween, whereas the cathode unit of the third embodiment is arranged. In 128, a pair of cathode RF application members 119 are arranged substantially parallel to each other with an intervening mechanism 130 interposed between them.
  • the inhibition mechanism 130 includes a flat ground plate 131 and a pair of shield portions 132 and 132.
  • the ground plate 131 is disposed substantially at the center in the thickness direction of the inhibition mechanism 130 (perpendicular to the plane of the shower plate 75).
  • the shield parts 132 and 132 are arranged on both sides of the ground plate 131.
  • the ground plate 131 is interposed between the RF applying members 119 and 119.
  • the RF applying members 119 and 119 and the shield portions 132 and 132 are separated on the left side and the right side by the ground plate 131. That is, the cathode unit 128 is electrically divided into both sides in the thickness direction by the ground plate 131.
  • the pair of shield portions 132 and 132 are interposed between the ground plate 131 and the RF applying member 119, respectively.
  • To do. As a method of forming a stray capacitance between each of the two RF applying members 119 and 119 and the ground plate, (A) a method of sandwiching a dielectric or (B) a method of forming a space of about 1 to 29 mm can be given. It is done. Examples of the method for forming the space include (1) a method of stacking electrically floating metal plates with a space provided, and (2) a method of stacking insulating plates with a space provided.
  • the inhibition mechanism 130 that inhibits electrical conduction is provided between the pair of RF application members 119. Therefore, the voltage applied to the pair of RF applying members 119 can be applied without interfering with each other. For this reason, plasma can be generated in the two film formation spaces 81 without the discharges interfering with each other.
  • the film formation conditions in the film formation spaces 81 and 81 formed between the shower plate (cathode) 75 and the substrate W can be set separately, and the two substrates W can be individually set. The substrate W can be formed under the film formation conditions tuned to the above. Therefore, uniform and stable film formation is performed.
  • the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention. That is, the specific shapes, configurations, and the like given in the embodiments are merely examples, and can be changed as appropriate. Further, in the above-described embodiment, the cathode intermediate member 76 and the RF applying member 119 have one feeding point 88 to which a voltage from a high-frequency power source is applied via the matching box 72 on the upper and lower side surfaces in the height direction. The case where two are arranged in total has been described.
  • the present invention is not limited to this, and two or more feeding points 88 may be provided according to the size of the cathode intermediate member 76 and the RF applying member 119 and the conditions for performing film formation.
  • the configurations of the cathode intermediate member 76 and the RF applying member 119 in which two feeding points 88 are arranged have been described, but the number of feeding points 88 is not limited.
  • Three or more feeding points 88 may be provided.
  • power supply points 88 may be provided at four locations of the cathode intermediate member 76 and the RF application member 119 so as to correspond to the four sides of the substrate W.
  • power supply points 88 may be provided at four locations of the cathode intermediate member 76 and the RF application member 119 so as to correspond to the four corners of the substrate W.
  • the number of the power feeding points 88 and the position where the power feeding points 88 are installed are appropriately adjusted according to the quality of the film formed on the processed substrate W2.
  • the shower plate (cathode) 75 and the cathode intermediate member 76 are independent members, and the configuration in which these members are incorporated in the cathode unit 68 has been described.
  • the configuration is not limited to this, and a configuration in which the shower plate (cathode) 75 and the cathode intermediate member 76 are integrally formed may be employed.
  • the shower plate (cathode) 75 and the RF application member 119 are independent members, and the configuration in which these members are incorporated in the cathode unit 68 has been described.
  • the present invention is not limited to this configuration, and a configuration in which the shower plate (cathode) 75 and the RF application member 119 are integrally formed may be employed.
  • the present invention is a thin film solar that can form a uniform film on the film formation surface of the substrate even if the high-frequency electrode is enlarged or the conditions for film formation are changed. Useful for battery manufacturing equipment.

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Abstract

　この薄膜太陽電池製造装置は、基板（Ｗ）の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板（Ｗ）が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間（８１）と；電圧が印加されるカソード（７５）と、２つ以上の給電ポイント（８８）とを有し、前記カソード（７５）が両側に配置されたカソードユニット（６８，１１８，１２８）と；前記カソードユニット（６８，１１８，１２８）の両側に配置された前記カソード（７５）と離間して対向するように配置されるアノード（６７）と；を含む。

Description

薄膜太陽電池製造装置
　本発明は、薄膜太陽電池製造装置に関する。
　本願は、２００８年６月６日に出願された特願２００８－１４９９３７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　現在の太陽電池に用いられている材料においては、単結晶Ｓｉ型および多結晶Ｓｉ型の材料により大半が占められており、Ｓｉの材料不足などが懸念されている。
　そこで、近年では、製造コストが低く、材料不足のリスクが小さい薄膜Ｓｉ層が形成された薄膜太陽電池の需要が高まっている。
　さらに、従来型のａ－Ｓｉ（アモルファスシリコン）層のみを有する従来の薄膜太陽電池に加えて、最近ではａ－Ｓｉ層とμｃ－Ｓｉ（マイクロクリスタルシリコン）層とを積層することにより変換効率の向上を図るタンデム型薄膜太陽電池の需要が高まっている。
　この薄膜太陽電池の薄膜Ｓｉ層（半導体層）を成膜する装置としては、プラズマＣＶＤ装置が用いられることが多い。
　プラズマＣＶＤ装置は、成膜室を有しており、膜が形成される基板をこの成膜室内に収容し、成膜室内を真空に減圧した後、成膜ガスを成膜室内に供給するように構成されている。
　また、成膜室内には、成膜ガスのプラズマを発生する高周波電極（カソード）が設置されている。
　そして、プラズマによって分解された成膜ガス（ラジカル）が基板の成膜面（膜が形成される面）に到達することにより、加熱された基板の成膜面に所望の膜が形成される。
　高周波電極は、高周波電源にマッチング回路を介して接続されている。
　高周波電源は、発振回路又は増幅回路を有しており、交流又は直流の入力を受けて高周波電力を出力する。
　マッチング回路は、高周波電源と高周波電極とのマッチングを図る回路であって、このマッチング回路によって高周波電極に所望の高周波電力が入力される（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５－１５８９８０号公報
　ところで、上述のＣＶＤ装置の高周波電極においては、高周波電力を入力するための給電ポイントを高周波電極の平面の略中央に１箇所設ける場合が多い。
　給電ポイントを高周波電極の中央に配置することで、高周波電極全体に同電位の電力を供給しやすくなり、これにより、基板の成膜面全体に均一な膜を形成することができる。
　しかしながら、高周波電極が大型化すると、この高周波電極における平面の略中央に給電ポイントを１箇所設けただけでは、高周波電極の中央部と側面部（外周部）との間で電位差が生じてしまい、基板の成膜面全体に均一な膜が形成され難いという課題がある。
　また、たとえ高周波電極全体を均一に同電位にできたとしても、基板の温度が全ての箇所で均一にならない場合など、成膜を施す際の条件によって基板の成膜面全体に均一に膜が形成され難いという課題がある。
　そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、高周波電極が大型化したり、成膜を施す際の条件が変化したりしても、基板の成膜面に均一な膜を形成することが可能な薄膜太陽電池製造装置を提供する。
　本件の発明者らにより、高品質の膜質を得つつ高い生産性を実現するため両面に放電面（カソード）を持つカソードユニットを中央に設けて、カソードユニットの両面にアノードを離間して配置する薄膜太陽電池製造装置が検討されている。
　このような平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、カソードユニットの両側に放電空間が形成される。
　この２つの放電空間のインピーダンスのバランスが崩れたとき、放電がどちらかに偏り、プラズマが不均一に発生する恐れがある。
　これを回避するためには電極間隔などのシビアな調整が必要であるという課題がある。
　本発明の第１態様の薄膜太陽電池製造装置は、基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間と；電圧が印加されるカソードと、２つ以上の給電ポイントとを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと；前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと；を含む。
　本発明の第１態様の薄膜太陽電池製造装置においては、カソードに給電ポイントを２つ以上設けることによって、カソードが大型化した場合であっても、カソード全体の電位を均一に設定することができる。
　また、基板に形成される膜の品質を確認しながら各給電ポイントに印加される電位を調整することが可能になる。
　このため、例えば、基板の温度が全ての箇所で均一にならない場合などがあっても、基板の成膜面に均一な膜を形成することができる。
　さらに、カソードの各々の両面に対向するように、アノードが配置されているので、省スペースが実現された空間で、同時に２枚の基板に膜を形成することが可能になる。
　本発明の第２態様の薄膜太陽電池製造装置は、基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間と；同電位が印加される２つ以上の給電ポイントを有して電圧が印加されるカソードと、一対の前記カソードの間に設置される絶縁部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと；前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと；を含む。
　本発明の第２態様の薄膜太陽電池製造装置においては、２つのカソードの間に誘電体（絶縁部材）を挿入することにより浮遊容量が設けられているので、この浮遊容量によって２つの電極（カソード）間の相互干渉を抑えることができる。
　本発明の第３態様の薄膜太陽電池製造装置は、基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間と；互いに異なる電位が印加される２つ以上の給電ポイントを有して電圧が印加されるカソードと、一対の前記カソードの間に設置される接地電位のシールド部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと；前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと；を含む。
　本発明の第３態様の薄膜太陽電池製造装置においては、一対のカソードに印加される電圧が互いに干渉することなく、電圧を一対のカソードに印加することが可能になる。
　このため、２つの成膜空間の放電が相互に干渉することなく行われ、均一で安定した成膜することができる。
　本発明の第４態様の薄膜太陽電池製造装置は、基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間と；電圧が印加されるカソードと、前記カソードがその両側に設置され、かつ、その側面に２つ以上の給電ポイントが配置されたカソード中間部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと；前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するアノードと；を含む。
　本発明の第４態様の薄膜太陽電池製造装置においては、カソードが両面に設置されるカソード中間部材が給電ポイントを有し、かつ、２つ以上の給電ポイントを有しているので、カソード毎に給電ポイントを設ける必要がなく、かつ、同電位・同位相の電圧が印加することが可能となる。
　本発明によれば、カソードに給電ポイントを２つ以上設けることによって、カソードが大型化した場合であっても、カソード全体の電位を均一に設定することができる。
　また、本発明では、基板に形成される膜の品質を確認しながら各給電ポイントに印加される電位を調整することが可能になる。
　このため、例えば、両電極のインピーダンスが異なる場合であっても、安定な放電を発生することが可能となり、基板の成膜面に均一な膜を形成することができる。
本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池を示す概略断面図である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池製造装置を示す概略構成図である。 本発明の第一実施形態における成膜室を示す斜視図である。 本発明の第一実施形態における成膜室を別の角度から見た斜視図である。 本発明の第一実施形態における成膜室を示す側面図である。 本発明の第一実施形態における電極ユニットを示す斜視図である。 本発明の第一実施形態における電極ユニットを別の角度から見た斜視図である。 本発明の第一実施形態における電極ユニットを示す分解斜視図である。 本発明の第一実施形態における電極ユニットのカソードユニットおよびアノードユニットの一部分を示す断面図である。 本発明の第一実施形態におけるカソードを示す平面図である。 本発明の第一実施形態における仕込・取出室を示す斜視図である。 本発明の第一実施形態における仕込・取出室を別の角度から見た斜視図である。 本発明の第一実施形態におけるプッシュ－プル機構を示す概略構成図である。 本発明の第一実施形態における基板脱着室の概略構成を示す斜視図である。 本発明の第一実施形態における基板脱着室の概略構成を示す正面図である。 本発明の第一実施形態における基板収容カセットを示す斜視図である。 本発明の第一実施形態におけるキャリアを示す斜視図である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（１）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（２）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（３）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（４）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（５）である。 本発明の第一実施形態におけるプッシュ－プル機構の動きを示す説明図である。 本発明の第一実施形態におけるプッシュ－プル機構の動きを示す説明図である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（６）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（７）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（８）であり、基板が電極ユニットに挿入されたときの概略構成を示す断面図である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（９）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（１０）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（１１）であり、基板が電極ユニットにセットされた構成を部分的に示す断面図である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（１２）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（１３）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（１４）である。 本発明の第一実施形態における薄膜太陽電池の製造方法の過程を示す説明図（１５）である。 本発明の第二実施形態におけるカソードユニットおよびアノードの一部を示す断面図である。 本発明の第三実施形態におけるカソードユニットおよびアノードの一部を示す断面図である。
　本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池製造装置について、図１～図２８に基づいて説明する。
（薄膜太陽電池）
　図１は、本発明の薄膜太陽電池製造装置によって製造される薄膜太陽電池１００の概略断面図である。
　図１に示すように、薄膜太陽電池１００は、その表面を構成し、ガラスからなる基板Ｗと；この基板Ｗ上に設けられた透明導電膜からなる上部電極１０１と；アモルファスシリコンからなるトップセル１０２と；このトップセル１０２と後述するボトムセル１０４との間に設けられた透明導電膜からなる中間電極１０３と；マイクロクリスタルシリコンからなるボトムセル１０４と；透明導電膜からなるバッファ層１０５と；金属膜からなる裏面電極１０６とが積層されている。
　つまり、薄膜太陽電池１００は、ａ－Ｓｉ／マイクロクリスタルＳｉタンデム型太陽電池である。
　このようなタンデム構造を有する薄膜太陽電池１００では、短波長光をトップセル１０２で吸収するとともに、長波長光をボトムセル１０４で吸収することで発電効率の向上を図ることができる。
　トップセル１０２のｐ層（１０２ｐ）、ｉ層（１０２ｉ）、ｎ層（１０２ｎ）の３層構造は、アモルファスシリコンで形成されている。
　また、ボトムセル１０４のｐ層（１０４ｐ）、ｉ層（１０４ｉ）、ｎ層（１０４ｎ）の３層構造は、マイクロクリスタルシリコンで構成されている。
　このような構成を有する薄膜太陽電池１００においては、太陽光に含まれる光子というエネルギー粒子がｉ層に当たると、光起電力効果により、電子と正孔（ｈｏｌｅ）が発生し、電子はｎ層に向かって移動するとともに、正孔はｐ層に向かって移動する。
　この光起電力効果により発生した電子／正孔を上部電極１０１と裏面電極１０６とにより取り出すことで、光エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。
　また、トップセル１０２とボトムセル１０４との間に中間電極１０３を設けることにより、トップセル１０２を通過してボトムセル１０４に到達する光の一部が中間電極１０３で反射して再びトップセル１０２に入射するため、セルの感度特性が向上し、発電効率の向上に寄与する。
　また、基板Ｗに入射した太陽光は、各層を通過した後、裏面電極１０６によって反射される。
　薄膜太陽電池１００においては、光エネルギーの変換効率を向上させるために、また、上部電極１０１に入射した太陽光の光路を伸ばすプリズム効果と、光の閉じ込め効果を得るために形成されたテクスチャ構造を採用している。
（第一実施形態）
　次に、本発明の薄膜太陽電池製造装置について説明する。
（薄膜太陽電池製造装置）
　図２は薄膜太陽電池製造装置の概略構成図である。
　図２に示すように、薄膜太陽電池製造装置１０は、成膜室１１と、仕込・取出室１３と、基板脱着室１５と、基板脱着ロボット１７と、基板収容カセット１９と、を含む。
　成膜室１１は、複数の基板Ｗに対して同時にマイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル１０４（半導体層）を成膜する。
　仕込・取出室１３は、成膜室１１に搬入される処理前基板Ｗ１と、成膜室１１から搬出された処理後基板Ｗ２とを同時に収容する。
　以下の説明において「処理前基板」とは、成膜処理が施される前の基板を意味し、「処理後基板」とは、成膜処理が施された後の基板を意味する。
　基板脱着室１５おいては、処理前基板Ｗ１がキャリア２１（図１０参照）に取り付けられたり、処理後基板Ｗ２がキャリア２１から取り外されたりする。
　基板脱着ロボット１７は、基板Ｗをキャリア２１に取り付けたり、キャリア２１から取り外したりする。
　基板収容カセット１９は、薄膜太陽電池製造装置１０とは異なる別の処理室に基板Ｗを搬送する際に用いられ、基板Ｗを収容する。
　なお、第一実施形態の薄膜太陽電池製造装置１０においては、成膜室１１、仕込・取出室１３および基板脱着室１５によって構成される基板成膜ライン１６が４つ設けられている。
　また、基板脱着ロボット１７は床面に敷設されたレール１８上を移動可能であり、全ての基板成膜ライン１６への基板Ｗの受け渡し工程を１台の基板脱着ロボット１７によって行なう。
　さらに、基板成膜モジュール１４は、成膜室１１と仕込・取出室１３とが一体化して構成されており、運搬用のトラックに積載可能な大きさを有する。
　図３Ａ～図３Ｃは、成膜室１１の概略構成図であり、図３Ａは斜視図、図３Ｂは図３Ａとは別の角度から見た斜視図、図３Ｃは側面図である。
　図３Ａ～図３Ｃに示すように、成膜室１１は箱型に形成されている。成膜室１１の仕込・取出室１３に接続される側面２３には、基板Ｗが搭載されたキャリア２１が通過可能なキャリア搬出入口２４が３箇所形成されている。キャリア搬出入口２４にはキャリア搬出入口２４を開閉するシャッタ２５が設けられている。シャッタ２５を閉止した時には、キャリア搬出入口２４は気密性を確保して閉止される。側面２３と対向する側面２７には、基板Ｗに成膜を施すための電極ユニット３１が３基取り付けられている。電極ユニット３１は、成膜室１１から着脱可能に構成されている。また、成膜室１１の側面下部２８には成膜室１１内が真空雰囲気となるように減圧するための排気管２９が接続されており、排気管２９には真空ポンプ３０が接続されている。
　図４Ａ～図４Ｄは、電極ユニット３１の概略構成図であり、図４Ａは斜視図、図４Ｂは図４Ａとは別の角度からの斜視図、図４Ｃは電極ユニット３１の変形例を示す斜視図、図４Ｄはカソードユニットおよびアノード（対向電極）を部分的に示した断面図である。また、図５はカソードの平面図である。電極ユニット３１は、成膜室１１の側面２７に形成された３箇所の開口部２６に着脱可能である（図３Ｂ参照）。電極ユニット３１は、下部の四隅に車輪６１が１つずつ設けられており、床面上を移動可能である。車輪６１が取り付けられた底板部６２上には、側板部６３が鉛直方向に立設されている。この側板部６３は、成膜室１１の側面２７の開口部２６を閉塞する大きさを有している。図４Ｃの変形例に示すように、車輪６１付の底板部６２は、電極ユニット３１と分離・接続可能な台車６２Ａであってもよい。この場合、電極ユニット３１を成膜室１１に接続した後に、電極ユニット３１から台車６２Ａを分離することができる。これにより、複数の台車を用いずに、台車６２Ａを共通に用いて、電極ユニット３１の各々を移動することができる。
　側板部６３は、成膜室１１の壁面の一部を成している。
　側板部６３の一方の面（成膜室１１の内部に向く面、第１面）６５には、成膜処理時に施す際に基板Ｗの両面に位置するアノード６７とカソードユニット６８とが設けられている。第一実施形態の電極ユニット３１は、カソードユニット６８を間に挟み、カソードユニット６８の両側に離間して配置された一対のアノード６７を含む。この電極ユニット３１においては、一つの電極ユニット３１を用いて２枚の基板Ｗを同時に成膜できる。したがって、成膜処理時の各基板Ｗは、重力方向（鉛直方向）と略並行となるように、かつ、カソードユニット６８と対向するように、カソードユニット６８の両側に配置されている。２枚のアノード６７は、各基板Ｗに対向した状態で、各基板Ｗの厚さ方向外側に配置されている。
　また、側板部６３の他方の面６９（第２面）には、アノード６７を駆動させるための駆動機構７１と、成膜を施す際にカソードユニット６８に給電するためのマッチングボックス７２と、が取り付けられている。さらに、側板部６３には、カソードユニット６８に成膜ガスを供給する配管用の接続部（不図示）が形成されている。
　アノード６７には、基板Ｗの温度を調整する温度制御部として、ヒータＨが内蔵されている。また、２枚のアノード６７，６７は、側板部６３に設けられた駆動機構７１により、互いに近接・離間する方向（水平方向）に移動可能であり、各基板Ｗとカソードユニット６８との距離を制御可能である。具体的には、基板Ｗの成膜を施す際には２枚のアノード６７，６７がカソードユニット６８の方向に移動して基板Ｗと当接し、さらに、カソードユニット６８に近接する方向に移動して基板Ｗとカソードユニット６８との距離を所望に調節する。その後、成膜を行い、成膜終了後にアノード６７，６７が、互いに離間する方向に移動する。このように、駆動機構７１が設けられているので、基板Ｗを電極ユニット３１から容易に取り出すことができる。さらに、アノード６７は、駆動機構７１にヒンジ（不図示）を介して取りつけられており、電極ユニット３１を成膜室１１から引き抜いた状態で、アノード６７のカソードユニット６８に対向する面６７Ａが側板部６３の一方の面６５と略平行になるまで回動できる（開く）。
　つまり、アノード６７は、底板部６２の鉛直方向から見て略９０°回動できるように構成されている（図４Ａ参照）。
　カソードユニット６８は、シャワープレート７５（＝カソード）、カソード中間部材７６、排気ダクト７９、浮遊容量体８２、及び給電ポイント８８を有している。カソードユニット６８には、アノード６７と対向する面であって、カソードユニット６８の両側に、シャワープレート７５が配置されている。シャワープレート７５には、小孔（不図示）が複数形成されており、成膜ガスを基板Ｗに向かって噴出する。さらに、シャワープレート７５，７５は、マッチングボックスと接続されたカソード（高周波電極）である。２枚のシャワープレート７５，７５の間には、マッチングボックスと接続されたカソード中間部材７６が設けられている。すなわち、シャワープレート７５は、カソード中間部材７６の両側に、このカソード中間部材７６と接した状態で配置されている。カソード中間部材７６とシャワープレート（カソード）７５とは導電体で形成され、高周波はカソード中間部材７６を介してシャワープレート（カソード）７５に印加される。このため、２枚のシャワープレート７５，７５には、プラズマを発生するための同電位・同位相の電圧が印加される。
　ここで、図４Ｄ、図５に示すように、カソード中間部材７６は１枚の平板からなり、不図示の高周波電源にマッチングボックス７２を介して接続されている。
　マッチングボックス７２は、カソード中間部材７６と高周波電源とのインピーダンス・マッチングを得るために用いられる装置であって、電極ユニット３１の側板部６３の他方の面６９（第２面）に１つ設けられている。
　また、給電ポイント８８は、カソード中間部材７６の高さ方向（側板部６３の長手方向）における上下の側面（上側面及び下側面或いは上部及び下部）に各１つずつ、合計２つ配設されている。これにより、マッチングボックス７２を介して高周波電源から供給された電圧は、給電ポイント８８を通じて、カソード中間部材７６に印加される。
　これら給電ポイント８８とマッチングボックス７２との間には、両者８８，７２を電気的に接続するための配線８７が配索されている。
　配線８７は、マッチングボックス７２から延出し、カソード中間部材７６の外周に沿って、各給電ポイント８８，８８に至るまで配索されている。
　なお、カソード中間部材７６の外周および、給電ポイント８８および配線８７は、例えばアルミナ又は石英などで構成される絶縁部材８９によって周囲が取り囲まれている。
　カソード中間部材７６とシャワープレート（カソード）７５は導電体で形成され、高周波はカソード中間部材７６を介してシャワープレート（カソード）７５に印加される。
　このため、２枚のシャワープレート７５，７５には、プラズマを発生するための同電位・同位相の電圧が印加される。
　また、カソード中間部材７６とシャワープレート７５との間には空間部７７が形成されている。空間部７７は、カソード中間部材７６で分離され、それぞれのシャワープレート７５、７５毎に対応して別々に形成されている。即ち、カソードユニット６８には、一対の空間部７７が形成されている。　
　ガス供給装置（不図示）から空間部７７の各々に成膜ガスが導入されると、各シャワープレート７５、７５からガスが放出される。すなわち、空間部７７は、ガス供給路の役割を有している。
　この第一実施形態においては、空間部７７がそれぞれのシャワープレート７５、７５毎に対応して別々に形成されているので、カソードユニット６８は、２系統のガス供給路を有している。これによって、ガスの種類、ガスの流量、ガスの混合比等が系統毎に独立して制御される。
　さらに、カソードユニット６８の周縁部には略全周に亘って中空状の排気ダクト７９が設けられている。
　排気ダクト７９には、成膜空間８１の成膜ガス又は反応生成物（パウダー）を吸引して除去する（排気する）ための排気口８０が形成されている。
　具体的には、成膜を施す際の基板Ｗとシャワープレート７５との間に形成される成膜空間８１に連通するように排気口８０が形成されている。
　排気口８０は、カソードユニット６８の周縁部に沿って複数形成されており、全周に亘って略均等に成膜ガス又は反応生成物（パウダー）を吸引して除去できるように構成されている。
　また、カソードユニット６８の下部における排気ダクト７９の成膜室１１内へ向いた面には開口部（不図示）が形成されている。排気口８０を通じて除去された成膜ガス等は、この開口部を介して成膜室１１内へ排出することができる。
　成膜室１１内へ排出されたガスは、成膜室１１の側面下部２８に設けられた排気管２９より外部へ排気される。
　また、排気ダクト７９とカソード中間部材７６の間には、誘電体および／もしくは積層空間を有する浮遊容量体８２が設けられている。排気ダクト７９は、接地電位に接続されている。排気ダクト７９は、カソード７５およびカソード中間部材７６からの異常放電を防止するためのシールド枠としても機能する。
　さらに、カソードユニット６８の周縁部には、排気ダクト７９の外周部からシャワープレート７５の外周部に至る部位を覆うようにマスク７８が設けられている。
　このマスク７８は、キャリア２１に設けられた後述する挟持部５９の挟持片５９Ａ（図１０、図２２参照）を被覆すると共に、成膜を施す際に挟持片５９Ａと一体となって空間部７７の成膜ガス又は反応生成物（パウダー）を排気ダクト７９に導くためのガス流路Ｒを形成している。
　すなわち、キャリア２１（挟持片５９Ａ）を被覆するマスク７８とシャワープレート７５との間、および排気ダクト７９との間にガス流路Ｒが形成されている。
　図２に戻り、成膜室１１と仕込・取出室１３との間、および、仕込・取出室１３と基板脱着室１５との間をキャリア２１が移動できるように、移動レール３７が成膜室１１と基板脱着室１５との間に敷設されている。
　なお、移動レール３７は、成膜室１１と仕込・取出室１３との間で分離され、キャリア搬出入口２４はシャッタ２５を閉じることで密閉可能である。
　図６Ａ及び図６Ｂは、仕込・取出室１３の概略構成図であり、図６Ａは斜視図、図６Ｂは図６Ａとは別の角度からの斜視図である。
　図６Ａ及び図６Ｂに示すように、仕込・取出室１３は、箱型に形成されている。
　側面３３は成膜室１１の側面２３と気密性を確保して接続されている。
　側面３３には３つのキャリア２１が挿通可能な開口部３２が形成されている。
　側面３３と対向する側面３４は基板脱着室１５に接続されている。
　側面３４には基板Ｗが搭載されたキャリア２１が通過可能なキャリア搬出入口３５が３箇所形成されている。
　キャリア搬出入口３５には気密性を確保できるシャッタ３６が設けられている。なお、移動レール３７は仕込・取出室１３と基板脱着室１５の間で分離され、キャリア搬出入口３５はシャッタ３６を閉じることで密閉可能である。
　また、仕込・取出室１３には、移動レール３７に沿って成膜室１１と仕込・取出室１３との間でキャリア２１を移動させるためのプッシュ－プル機構３８が設けられている。
　図７に示すように、このプッシュ－プル機構３８は、キャリア２１を係止するための係止部４８と；係止部４８の両端に設けられ、移動レール３７と略平行に配された一対のガイド部材４９と；係止部４８を両ガイド部材４９に沿って移動させるための移動装置５０と；を含む。
　さらに、仕込・取出室１３内においては、処理前基板Ｗ１および処理後基板Ｗ２を同時に収容するために、キャリア２１を平面視（仕込・取出室１３が設置される面を鉛直方向から見て）において移動レール３７の敷設方向と略直交する方向に所定距離移動させるための移動機構（不図示）が設けられている。
　そして、仕込・取出室１３の側面下部４１には、仕込・取出室１３内が真空雰囲気となるように減圧するための排気管４２が接続されており、排気管４２には真空ポンプ４３が接続されている。
　図８Ａ及び図８Ｂは基板脱着室の概略構成図であり、図８Ａは斜視図、図８Ｂは正面図である。
　図８Ａ及び図８Ｂに示すように、基板脱着室１５は、枠状に形成されており、仕込・取出室１３の側面３４に接続されている。
　基板脱着室１５においては、移動レール３７に配されているキャリア２１に対して処理前基板Ｗ１を取り付けることができ、処理後基板Ｗ２をキャリア２１から取り外すことができる。
　基板脱着室１５には、３体のキャリア２１が並列して配置できるように構成されている。
　基板脱着ロボット１７は、駆動アーム４５を有しており（図２参照）、駆動アーム４５の先端に基板Ｗを吸着する吸着部を有する。
　また、駆動アーム４５は、基板脱着室１５に配されたキャリア２１と基板収容カセット１９との間を駆動する。具体的に、駆動アーム４５は、基板収容カセット１９から処理前基板Ｗ１を取り出して、基板脱着室１５に配されたキャリア２１に処理前基板Ｗ１を取り付けることができ、処理後基板Ｗ２を基板脱着室１５に戻ってきたキャリア２１から取り外し、基板収容カセット１９へ搬送することができる。
　図９は基板収容カセットの斜視図である。
　図９に示すように、基板収容カセット１９は、箱型に形成されており、基板Ｗを複数枚収容可能な大きさを有している。
　基板収容カセット１９内においては、基板Ｗの成膜面を水平にした状態で、上下方向に基板Ｗが複数枚積層して収容される。
　また、基板収容カセット１９の下部にはキャスター４７が設けられており、薄膜太陽電池製造装置１０とは異なる別の処理装置へと移動することができる。
　図１０は、キャリア２１の斜視図である。図１０に示すように、キャリア２１は、基板Ｗを搬送するために用いられ、基板Ｗを取り付けることができる額縁状のフレーム５１を２つ有する。つまり、一つのキャリア２１において、基板Ｗを２枚取り付けることができる。２つのフレーム５１，５１は、その上部において連結部材５２により一体化されている。
　また、連結部材５２の上方には、移動レール３７に載置される車輪５３が設けられている。移動レール３７上を車輪５３が転がることにより、キャリア２１が移動レール３７に沿って移動可能である。
　また、フレーム５１の下部には、キャリア２１が移動する際に基板Ｗの揺れを抑制するためにフレームホルダ５４が設けられている。フレームホルダ５４の先端は各室の底面上に設けられた断面凹状のレール部材５５（図１９参照）に嵌合されている。なお、レール部材５５は平面視（レール部材５５が設置される面を鉛直方向から見て）において移動レール３７に沿う方向に配されている。
　また、フレームホルダ５４が複数のローラで構成されていれば、更に安定してキャリア２１を搬送することが可能となる。
　フレーム５１はそれぞれ、開口部５６と、周縁部５７と、挟持部５９とを有している。フレーム５１に基板Ｗが搭載された場合に、開口部５６においては基板Ｗの成膜面が露出される。また、開口部５６の周縁部５７と、挟持部５９とによって、基板Ｗの両面が挟持され、基板Ｗはフレーム５１に固定される。そして、基板Ｗを挟持している挟持部５９には、バネなどによる付勢力が働いている。
　また、挟持部５９は、基板Ｗの表面ＷＯ（成膜面）および裏面ＷＵ（背面）に当接する挟持片５９Ａ，５９Ｂを有している（図２２参照）。この挟持片５９Ａ，５９Ｂの離隔距離は、バネなどを介して可変可能、つまり、アノード６７の移動に応じて挟持片５９Ａが挟持片５９Ｂに対して近接・離間する方向に沿って移動可能に構成されている（詳細は後述する）。
　ここで、一つの移動レール３７上には、１体のキャリア２１が取り付けられている。即ち、一対（２枚）の基板を保持できる１体のキャリア２１が、一つの移動レール３７上に取り付けられている。つまり、一組の薄膜太陽電池製造装置１０においては、３体のキャリア２１が取り付けられ、即ち、３対（６枚）の基板が保持される。
　第一実施形態の薄膜太陽電池製造装置１０では、上述した成膜室１１，仕込・取出室１３，及び基板脱着室１５によって構成される基板成膜ライン１６が４つ配置構成され（図２参照）、一つの成膜室に３つのキャリア２１が収容されるため（図３Ａ及び図３Ｂ参照）、２４枚の基板Ｗを略同時に成膜することができる。
（薄膜太陽電池の製造方法）
　次に、第一実施形態の薄膜太陽電池製造装置１０を用いて、基板Ｗに成膜する方法を説明する。なお、この説明においては、一つの基板成膜ライン１６の図面を用いて説明するが、他の三つの基板成膜ライン１６においても略同様に方法により基板に成膜する。
　まず、図１１に示すように、処理前基板Ｗ１を複数枚収容した基板収容カセット１９を所定の位置に配置する。
　次に、図１２に示すように、基板脱着ロボット１７の駆動アーム４５を動かして、基板収容カセット１９から処理前基板Ｗ１を一枚取り出し、処理前基板Ｗ１を基板脱着室１５内に設置されていたキャリア２１に取り付ける。この時、基板収容カセット１９において水平方向に配置された処理前基板Ｗ１の配置方向は、鉛直方向に変わり、処理前基板Ｗ１がキャリア２１に取り付けられる。この動作をもう一度繰り返し、一つのキャリア２１に２枚の処理前基板Ｗ１を取り付ける。
　さらに、この動作を繰り返して、基板脱着室１５に設置されている残り二つのキャリア２１にも処理前基板Ｗ１をそれぞれ取り付ける。つまり、この段階で処理前基板Ｗ１が６枚取り付けられる。
　続いて、図１３に示すように、処理前基板Ｗ１が取り付けられた３個のキャリア２１は、移動レール３７に沿って略同時に移動し、仕込・取出室１３内に収容される。仕込・取出室１３にキャリア２１が収容された後、仕込・取出室１３のキャリア搬出入口３５のシャッタ３６が閉じる。
　その後、仕込・取出室１３の内部を、真空ポンプ４３を用いて真空状態に保持する。
　その後、図１４に示すように、平面視（仕込・取出室１３が設置される面を鉛直方向から見て）において、３個のキャリア２１を移動レール３７が敷設された方向と直交する方向に移動機構を用いてそれぞれ所定距離移動させる。
　次に、図１５に示すように、成膜室１１のシャッタ２５を開き、成膜室１１で成膜が終了した処理後基板Ｗ２が取り付けられたキャリア２１Ａを仕込・取出室１３内にプッシュ－プル機構３８を用いて移動させる。
　この時、処理前基板Ｗ１が取り付けられたキャリア２１と、処理後基板Ｗ２が取り付けられたキャリア２１Ａとが平面視において並列して配置される。
　そして、この状態を所定時間保持することで、処理後基板Ｗ２に蓄熱されている熱が処理前基板Ｗ１に伝熱される。つまり、成膜前基板Ｗ１が加熱される。
　ここで、プッシュ－プル機構３８の動きを説明する。なお、ここでは成膜室１１内に位置しているキャリア２１Ａを仕込・取出室１３へ移動させる際の動きを説明する。
　図１６Ａに示すように、プッシュ－プル機構３８の係止部４８に、処理後基板Ｗ２が取り付けられたキャリア２１Ａを係止する。そして、係止部４８に取り付けられている移動装置５０の移動アーム５８を揺動させる。この時、移動アーム５８の長さは可変する。すると、キャリア２１Ａが係止された係止部４８は、ガイド部材４９に案内されながら移動し、図１６Ｂに示すように、仕込・取出室１３内へと移動する。つまり、キャリア２１Ａは、成膜室１１から仕込・取出室１３へと移動される。
　このような構成によれば、キャリア２１Ａを駆動させるための駆動源（駆動機構）を成膜室１１内に設けることが不要になる。
　次に、図１７に示すように、キャリア２１およびキャリア２１Ａを移動機構により移動レール３７と直交する方向に移動させ、処理前基板Ｗ１を保持した各キャリア２１を各々の移動レール３７の位置まで移動させる。
　続いて、図１８に示すように、プッシュ－プル機構３８を用いて処理前基板Ｗ１を保持したキャリア２１を成膜室１１に移動させ、移動完了後に、シャッタ２５を閉める。なお、成膜室１１内は、真空状態に保持されている。
　この時、キャリア２１に取り付けられた処理前基板Ｗ１は、その面に平行な方向に沿って移動し、成膜室１１内において、アノード６７とカソードユニット６８との間に、表面ＷＯが重力方向と略並行となるように鉛直方向に沿った状態で挿入される（図１９参照）。
　次に、図１９から図２０に示すように、駆動機構７１により、電極ユニット３１の２枚のアノード６７が互いに近接する方向に、アノード６７を移動させて、アノード６７と処理前基板Ｗ１の裏面ＷＵとを当接させる。
　更に、図２１に示すように、駆動機構７１を駆動させると、アノード６７に押されるように処理前基板Ｗ１がカソードユニット６８に向かって移動する。
　更に、処理前基板Ｗ１とカソードユニット６８のシャワープレート７５との隙間が所定距離（成膜距離）になるまで、処理前基板Ｗ１を移動させる。
　なお、この処理前基板Ｗ１とカソードユニット６８のシャワープレート７５との隙間（成膜距離）は５～１５ｍｍで、例えば５ｍｍ程度である。
　この時、処理前基板Ｗ１の表面ＷＯに当接しているキャリア２１の挟持部５９の挟持片５９Ａは、処理前基板Ｗ１の移動（アノード６７の移動）に伴って、挟持片５９Ｂから離れる方向に変位する。この時、成膜前基板Ｗ１は、アノード６７と挟持片５９Ａとによって挟持される。なお、アノード６７がカソードユニット６８から離れる方向に移動した際に、挟持片５９Ａにはバネなどの復元力が作用するため、挟持片５９Ａは、挟持片５９Ｂに向かって変位する。
　処理前基板Ｗ１がカソードユニット６８に向かって移動すると、挟持片５９Ａがマスク７８に当接し、この時点でアノード６７の移動が停止する（図２２参照）。
　図２２に示すように、マスク７８は、挟持片５９Ａの表面と基板Ｗの外縁部とを覆うと共に、挟持片５９Ａもしくは基板Ｗの外縁部と密接するように形成されている。成膜空間８１は、マスク７８と、カソードユニット６８のシャワープレート７５と、処理前基板Ｗ１（基板Ｗ）とにより形成される。
　すなわち、マスク７８は、キャリア２１の挟持片５９Ａのうち、成膜空間８１に露呈する露出面８５を被覆することで、成膜空間８１に対して露出しないように挟持片５９Ａを遮蔽する。
　さらに、マスク７８と挟持片５９Ａとの合わせ面（当接面）及びマスク７８と基板Ｗの外縁部との合わせ面（当接面）は、シール部８６として機能する。これにより、マスク７８と挟持片５９Ａとの間又はマスク７８と基板Ｗの外縁部との間から成膜ガスが漏れることが防止されている。
　また、処理前基板Ｗ１の移動は、挟持片５９Ａもしくは基板Ｗの外縁部がマスク７８に当接することによって停止するので、マスク７８とシャワープレート７５との間隙、及びマスク７８と排気ダクト７９との間隙、つまり、ガス流路Ｒの厚さ方向（シャワープレート７５の平面に対して鉛直方向）の流路高さは、処理前基板Ｗ１とカソードユニット６８との隙間が所定の距離となるように設定されている。
　また、第一実施形態の変形例として、マスクを排気ダクト７９に弾性体を介して取り付けることによって、基板とシャワープレート７５（＝カソード）との距離を駆動機構７１のストロークによって任意に変更する構造を採用することができる。
　上記の実施形態では、マスク７８と基板Ｗとが当接する場合を述べたが、成膜ガス通過の通過を制限するような微少な間隔を空けてマスク７８と基板Ｗとが配置されてもよい。
　続いて、カソードユニット６８のシャワープレート７５から成膜ガスを噴出させるとともに、マッチングボックス７２を起動させて高周波電源からの電圧をマッチングボックス７２とカソードユニット６８のカソード中間部材７６を介してシャワープレート（＝カソード）７５に印加する。この時、マッチングボックス７２によって、２つの給電ポイント８８における各々の電圧の位相を合わせる。
　各給電ポイント８８における電圧の位相が合うことによって、シャワープレート（カソード）７５全体の電位を均一に設定することができる。
　そして、カソードユニット６８のシャワープレート（カソード）７５に電圧を印加することで処理前基板Ｗ１の表面ＷＯに成膜を施す。
　なお、アノード６７に内蔵されているヒータＨにより、処理前基板Ｗ１が所望の温度に加熱される。
　アノード６７は、処理前基板Ｗ１が所望の温度に達すると加熱を停止する。
　シャワープレート７５に電圧が印加されることによって、成膜空間８１内にプラズマが発生する。時間の経過に伴うプラズマからの入熱により、アノード６７の加熱を停止しても処理前基板Ｗ１の温度が所望の温度よりも上昇してしまうおそれがある。この場合、アノード６７は、温度上昇しすぎた処理前基板Ｗ１を冷却するための放熱板として機能させることもできる。したがって、処理前基板Ｗ１は、成膜処理時間の時間経過に関わらず所望の温度に調整される。
　なお、シャワープレート７５から供給される成膜ガス材料を所定時間毎に切り替えることにより、一度の成膜処理工程において複数の層を基板Ｗ上に成膜することができる。
　また、成膜中および成膜後に、カソードユニット６８の周縁部に形成された排気口８０を通じて、成膜空間８１内のガス又は反応生成物（パウダー）は吸引され除去される（排気）。具体的には、成膜空間８１内のガス又は反応生成物は、ガス流路Ｒと排気口８０とを介して、カソードユニット６８の周縁部の排気ダクト７９に排気される。その後、ガス又は反応生成物は、カソードユニット６８の下部における排気ダクト７９の成膜室１１内へ向いた面に形成された開口部を通過する。更に、ガス又は反応生成物は、成膜室１１の側面下部２８に設けられた排気管２９から成膜室１１の外部へと排気される。
　なお、成膜を施す際に発生した反応生成物（パウダー）を排気ダクト７９の内壁面に付着・堆積させることにより、この反応生成物は、回収及び処分される。
　成膜室１１内の全ての電極ユニット３１において、上述した処理と同じ処理が実行されるため、６枚の基板に対して同時に成膜することができる。
　そして、成膜が終了したら、駆動機構７１により２枚のアノード６７が互いに離れる方向にアノード６７を移動させ、処理後基板Ｗ２およびフレーム５１（挟持片５９Ａ）を元の位置に戻す（図２０、図２２参照）。即ち、成膜が終了し、キャリア２１を移動する段階になると、挟持片５９Ａの露出面８５からマスク７８が外れる。更に、２枚のアノード６７が互いに離れる方向にアノード６７を移動させることで、処理後基板Ｗ２がアノード６７から離れる（図１９参照）。
　次に、図２３に示すように、成膜室１１のシャッタ２５を開き、キャリア２１を仕込・取出室１３へプッシュ－プル機構３８を用いて移動させる。
　このとき仕込・取出室１３内は、真空状態に維持されており、次に成膜される処理前基板Ｗ１を取り付けたキャリア２１Ｂが既に配置されている。
　そして、仕込・取出室１３内で処理後基板Ｗ２に蓄熱されている熱を処理前基板Ｗ１へ伝熱し、処理後基板Ｗ２の温度を下げる。
　続いて、図２４に示すように、各キャリア２１Ｂが成膜室１１内に移動された後、上記の移動機構により、各キャリア２１を移動レール３７の位置に戻す。
　次に、図２５に示すように、シャッタ２５を閉じた後、シャッタ３６を開いて、キャリア２１を基板脱着室１５へと移動させる。
　次に、図２６に示すように、基板脱着室１５において、処理後基板Ｗ２を基板脱着ロボット１７によりキャリア２１から取り外し、基板収容カセット１９へと搬送する。
　全ての処理後基板Ｗ２の取り外しが完了したら、基板収容カセット１９を次工程が行なわれる場所（装置）まで移動させることで、成膜処理が終了する。
　上記の成膜処理において、処理後基板Ｗ２上の膜が全体で均一に形成されていなかった場合、つまり、例えば、２つの成膜空間のプラズマが不均一または不安定であったことに起因して、処理後基板Ｗ２に膜が不均一に形成されてしまった場合、カソードユニット６８に設けられているマッチングボックス７２の使用条件を調整することによって、カソード中間部材７６における一方の給電ポイント８８に入力される電圧の位相と、他方の給電ポイント８８に入力される電圧の位相とをずらしてもよい。この場合、マッチングボックス７２の使用状況に応じて、電極ユニット３１に設けられているマッチングボックス７２の設置個数を２個以上にしてもよい。
　上記の第一実施形態においては、カソード中間部材７６に、給電ポイント８８が高さ方向における上下の側面に各１つずつ、合計２つ配設されている構成について述べた。
　このため、例えば、カソード中間部材７６に配設された給電ポイント８８の位置に対応するように不均一な品質を有する膜が処理後基板Ｗ２に形成される場合には、一方の給電ポイント８８に入力される電圧の位相と、他方の給電ポイント８８に入力される電圧の位相とをずらすことによって、処理後基板Ｗ２に形成される膜の品質を別々に調整することができる。
　したがって、上述の第一実施形態によれば、シャワープレート（カソード７５）が大型化した場合であっても、カソード中間部材７６に給電ポイント８８を２つ以上設けることによって、マッチングボックス７２の使用条件を調整することによって、複数の給電ポイント８８における電圧の位相を調整することによって、シャワープレート（カソード７５）全体の電位を均一に設定することができる。
　また、処理後基板Ｗ２に形成される膜の品質を確認しながら、各給電ポイント８８，８８に印加される電圧の位相を調整することが可能になる。
　さらに、カソード中間部材７６の両側に、アノード６７の各々が対向するように配置させることにより、省スペースが実現された空間で、同時に２枚の基板Ｗに膜を形成することが可能になる。
（第二実施形態）
　次に、上記の図５を援用し、かつ、図２７に基づいて、本発明の第二実施形態を説明する。なお、第一実施形態と同一部材には、同一符号を付して説明する（以下の実施形態でも同様）。
　この第二実施形態において、薄膜太陽電池製造装置１０が、複数の基板Ｗに対して同時にマイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル１０４（半導体層）を成膜可能な成膜室１１と；成膜室１１に搬入される処理前基板Ｗ１と、成膜室１１から搬出された処理後基板Ｗ２と、を同時に収容可能な仕込・取出室１３と；処理前基板Ｗ１および処理後基板Ｗ２をキャリア２１に脱着する基板脱着室１５と；基板Ｗをキャリア２１から脱着するための基板脱着ロボット１７と；基板Ｗを別の処理室との搬送のために収容する基板収容カセット１９と；を備えている点、成膜室１１に電極ユニット３１が着脱可能に設けられている点；電極ユニット３１のアノード６７にヒータＨが内蔵されている点；電極ユニット３１の側板部６３に、アノード６７を駆動させるための駆動機構７１と、マッチングボックス７２とが取り付けられている点等の基本的構成は、前述の第一実施形態と同様である（以下の実施形態でも同様）。
　第二実施形態のカソードユニット１１８は、２枚のアノード６７，６７（アノードユニット９０，９０）の間に配置されており、カソードユニット１１８の厚さ方向（シャワープレート７５の平面に対して鉛直方向）において略中央に配された平板状の絶縁部材１２０を有する。絶縁部材１２０は、一対のシャワープレート７５の間に設置されている。カソードユニット１１８においては、この絶縁部材１２０を間に介在させて１対のＲＦ印加部材１１９が互いに略並行に配置されている。絶縁部材１２０は、例えば、アルミナ又は石英などで形成されている。
　１対のＲＦ印加部材１１９は、それぞれ平板状に形成された部材である。各ＲＦ印加部材１１９と対向するように、シャワープレート７５が配置されている。
　各シャワープレート７５は、ＲＦ印加部材１１９とアノード６７との間に配置され、ＲＦ印加部材１１９の面と接触している。各シャワープレート７５と、ＲＦ印加部材１１９とは、ＲＦ印加部材１１９の外周において接続されている。各シャワープレート７５と各ＲＦ印加部材１１９との間には、成膜ガスを導入するための空間部７７が形成されている。
　各ＲＦ印加部材１１９には、マッチングボックス７２を介して高周波電源の電圧が印加される給電ポイント８８が、ＲＦ印加部材１１９の高さ方向における上下の側面（上側面及び下側面或いは上部及び下部）に各１つずつ、合計２つ配設されている。これら給電ポイント８８とマッチングボックス７２との間には、両者８８，７２を電気的に接続するための配線８７が配索されている。
　給電ポイント８８及び配線８７の周囲は、例えばアルミナ又は石英などで構成される絶縁部材１２１によって取り囲まれている（図５参照）。また、図２７に示されているように、２つのＲＦ印加部材１１９の各々の給電ポイント８８は、絶縁部材１２１によって覆われている。給電部８８の電位は、ＲＦ印加部材１１９の上側面及び下側面において同じである（同電位）。
　したがって、上述の第二実施形態によれば、前述の第一実施形態と同様の効果に加え、２つのカソードの間に誘電体（絶縁部材１２０）を挿入することにより浮遊容量が設けられているので、この浮遊容量によって２つの電極（カソード）間の相互干渉を抑えることができる。
（第三実施形態）
　次に、本発明の第三実施形態を図２８に基づいて説明する。
　第三実施形態のカソードユニット１２８と、前述の第二実施形態のカソードユニット１１８との相違点は、次の通りである。即ち、前述の第二実施形態のカソードユニット１１８においては１対のＲＦ印加部材１１９が絶縁部材１２０をその間に介在させて互いに略並行に配置されているのに対し、第三実施形態のカソードユニット１２８においては、１対のカソードＲＦ印加部材１１９が電気的な導通を阻害する阻害機構１３０をその間に介在させて互いに略並行に配置されている。
　阻害機構１３０は、平板状のアース板１３１と、１対のシールド部１３２，１３２とにより構成されている。アース板１３１は、阻害機構１３０の厚さ方向（シャワープレート７５の平面に対して鉛直方向）において略中央に配されている。シールド部１３２，１３２は、アース板１３１の両側に配置されている。アース板１３１は、各ＲＦ印加部材１１９，１１９の間に介在している。アース板１３１により、ＲＦ印加部材１１９，１１９とシールド部１３２、１３２とが左側及び右側に分離されている。すなわち、カソードユニット１２８は、アース板１３１によって厚さ方向において両側に電気的に区分けされている。１対のシールド部１３２，１３２は、それぞれアース板１３１とＲＦ印加部材１１９との間に介在している。２つのＲＦ印加部材１１９，１１９各々とこのアース板との間に設置されるシールド部１３２，１３２にある一定の浮遊容量を設けることにより、２つのＲＦ印加部材１１９，１１９間の相互干渉を防止する。
　２つのＲＦ印加部材１１９，１１９の各々とアース板との間に浮遊容量を形成する方法として、（Ａ）誘電体を挟む方法、又は（Ｂ）１～２９ｍｍ程度の空間を形成する方法が挙げられる。また、空間を形成する方法としては、（１）電気的にフローティングな金属板を間隔を設けて重ねる方法、又は（２）絶縁板を間隔を設けて重ねる方法が挙げられる。
　したがって、上述の第三実施形態によれば、前述の第一実施形態と同様の効果に加え、１対のＲＦ印加部材１１９の間に電気的な導通を阻害する阻害機構１３０が設けられているので、１対のＲＦ印加部材１１９に印加される電圧が互いに干渉することなく印加することが可能になる。このため、２つの成膜空間８１においては、放電が相互に干渉することなく、プラズマを発生することができる。
　また、シャワープレート（カソード）７５と基板Ｗとの間に形成される成膜空間８１，８１における成膜条件をそれぞれ別個に設定することが可能になり、２枚の基板Ｗに対してそれぞれ個別にチューニングされた成膜条件で基板Ｗを成膜することができる。よって、均一で安定な成膜が行われる。
　なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な形状や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。
　また、上述の実施形態では、カソード中間部材７６、ＲＦ印加部材１１９には、マッチングボックス７２を介して高周波電源からの電圧が印加される給電ポイント８８が高さ方向の上下の側面に各１つずつ、合計２つ配設されている場合について説明した。
　しかしながら、これに限られるものではなく、カソード中間部材７６、ＲＦ印加部材１１９の大きさや成膜を施す際の条件に応じて給電ポイント８８を２つ以上設けてもよい。
　上記の実施形態においては、給電ポイント８８が２つ配設されているカソード中間部材７６及びＲＦ印加部材１１９の構成について述べたが、給電ポイント８８の個数は限定されない。３つ以上の給電ポイント８８を設けてもよい。例えば、基板Ｗの４辺に対応するように、カソード中間部材７６及びＲＦ印加部材１１９の４箇所に給電ポイント８８を設けてもよい。また、基板Ｗの４隅に対応するように、カソード中間部材７６及びＲＦ印加部材１１９の４箇所に給電ポイント８８を設けてもよい。給電ポイント８８の個数及び給電ポイント８８が設置される位置は、処理後基板Ｗ２に形成される膜の品質に応じて適宜調整される。
　さらに、上述の第一実施形態においては、シャワープレート（カソード）７５及びカソード中間部材７６が独立した部材であり、これらの部材がカソードユニット６８に組み込まれた構成について説明した。しかしながら、この構成に限らず、シャワープレート（カソード）７５とカソード中間部材７６とが一体に形成された構成を採用してもよい。
　上述の第二実施形態及び第三実施形態では、シャワープレート（カソード）７５及びＲＦ印加部材１１９が独立した部材であり、これらの部材がカソードユニット６８に組み込まれた構成について説明した。しかしながら、この構成に限らず、シャワープレート（カソード）７５とＲＦ印加部材１１９とが一体に形成された構成を採用してもよい。
　以上詳述したように、本発明は、高周波電極が大型化したり、成膜を施す際の条件が変化したりしても、基板の成膜面に均一な膜を形成することができる薄膜太陽電池製造装置に有用である。
　１０…薄膜太陽電池製造装置　１１…成膜室　６７…アノード　６８，１１８，１２８…カソードユニット　７５…シャワープレート（カソード）７６…カソード中間部材　１１９…ＲＦ印加部材　８１…成膜空間　８８…給電ポイント　９０…アノードユニット　１０２…トップセル（膜）　１０４…ボトムセル（膜）　１２０…絶縁部材　１３０…阻害機構（機構）　１３１…アース板　１３２…シールド部（シールド部材）　Ｈ…ヒータ（温度制御部）Ｒ…ガス流路　Ｗ…基板　Ｗ１…処理前基板　Ｗ２…処理後基板　ＷＯ…表面（成膜面）　ＷＵ…裏面（背面）

Claims (4)

  1. 　薄膜太陽電池製造装置であって、
    　基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間と；
    　電圧が印加されるカソードと、２つ以上の給電ポイントとを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと；
    　前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと；
    　を含むことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。
  2. 　薄膜太陽電池製造装置であって、
    　基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間と；
    　同電位が印加される２つ以上の給電ポイントを有して電圧が印加されるカソードと、一対の前記カソードの間に設置される絶縁部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと；
    　前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと；
    　を含むことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。
  3. 　薄膜太陽電池製造装置であって、
    　基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間と；
    　互いに異なる電位が印加される２つ以上の給電ポイントを有して電圧が印加されるカソードと、一対の前記カソードの間に設置される接地電位のシールド部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと；
    　前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するように配置されるアノードと；
    　を含むことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。
  4. 　薄膜太陽電池製造装置であって、
    　基板の成膜面と重力方向とが略並行となるように前記基板が配置され、前記成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜空間と；
    　電圧が印加されるカソードと、前記カソードがその両側に設置され、かつ、その側面に２つ以上の給電ポイントが配置されたカソード中間部材とを有し、前記カソードが両側に配置されたカソードユニットと；
    　前記カソードユニットの両側に配置された前記カソードと離間して対向するアノードと； 
    　を含むことを特徴とする薄膜太陽電池製造装置。
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