JPWO2008108339A1 - 半導体装置 - Google Patents
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 37
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 4
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
- H01L21/823807—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7842—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate
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Abstract
半導体装置では、ゲート長方向に並んだＭＩＳＦＥＴ群（１１）を覆う、応力を有するコンタクトのストッパー膜（１５）が形成される。ストッパー膜は、ＭＩＳＦＥＴ群（１１）の最端部のＭＩＳＦＥＴのゲート電極（１４）からＬ＝１μｍ以上外側に延長された延長部分（１２）を有する。【選択図】図１Ａ
Description
本発明は、半導体装置に関し、更に詳しくは、チャネル領域に歪みを与える応力具有膜が形成されたＭＩＳＦＥＴを備える半導体装置の構造に関する。
近年、情報通信機器の発達に伴いＬＳＩに要求される処理能力はますます高いものになっており、トランジスタの高速化が図られている。従来、この高速化は主として構造の微細化によって進められてきたが、リソグラフィー技術の限界からゲート長を短くすることが困難になり、また、物理的な要因からゲート絶縁膜の薄膜化が困難になっている。このため、微細化以外の新しい高性能化技術が必要となっている。そのような技術の１つとして、電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）のチャネルに応力を加えることによって、チャネルを歪ませて移動度を向上させるという、ピエゾ抵抗効果を利用する手法が提案されている。
ＭＩＳＦＥＴのチャネルと平行な方向に引っ張り応力（圧縮応力）を加えて歪ませると、電子の移動度は向上（劣化）し、正孔の移動度は劣化（向上）する。この現象を利用した技術として、例えば、特開２００２−１９８３６８号公報では、コンタクトのストッパー膜として窒化膜を用い、この窒化膜に強い引っ張り応力を持たせることでチャネルを歪ませることによって、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの移動度を向上させている。また、特開２００３−０８６７０８号公報では、コンタクトのストッパー膜として、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴでは引っ張り応力を有する窒化膜を、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴでは圧縮応力を有する窒化膜をそれぞれ用いて、ｎチャネル型及びｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの双方の移動度を向上させている。
特開２００３−０８６７０８号公報に記載されたような、ｎ型チャネルＭＩＳＦＥＴに引っ張り応力の窒化膜を、ｐ型チャネルＭＩＳＦＥＴに圧縮応力の窒化膜をそれぞれ用いる半導体装置では、ｎ型チャネルＭＩＳＦＥＴとｐ型チャネルＭＩＳＦＥＴとが隣接して配設される領域では、各トランジスタの近くに応力極性が逆な窒化膜が存在して、チャネルに与えられる応力が相殺されるという問題が生じる。
特開２００３−０８６７０８号公報に記載された方法を採用することによって、単体のトランジスタの移動度を向上させ、その性能の向上が可能である。しかし、単に特開２００３−０８６７０８号公報に記載された方法のみによっては、全てのＭＩＳＦＥＴのチャネルに有効な応力を与え、それによって回路レベル全体の性能を向上させることは困難なことがある。
上記に鑑み、本発明の目的は、ＭＩＳＦＥＴのチャネルに応力を与える応力具有膜を有する半導体装置を改良し、もって回路全体のＭＩＳＦＥＴのチャネルに有効な応力を与えることが出来るように改良された応力具有膜を備える半導体装置を提供することにある。
本発明は、応力具有膜で覆われた複数のＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置であって、前記複数のＭＩＳＦＥＴがゲート長方向に並ぶＭＩＳＦＥＴ群（ＭＩＳＦＥＴアレイ）を含み、該ＭＩＳＦＥＴ群のゲート長の端部は、前記応力具有膜が前記ＭＩＳＦＥＴ群の外側に１μｍ以上延びる延長部分が配置されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
本発明の上記、及び、他の目的、特徴及び利益は、図面を参照する以下の説明により明らかになる。
以下、図面を参照して本発明の例示的な実施形態例について詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１Ａ及び１Ｂはそれぞれ、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す平面図、及び，その断面図である。同図では、形成されるＭＩＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）の内でゲート長方向に並ぶＭＩＳＦＥＴ群の端部構造を、コンタクトストッパー膜のレイアウトと共に示す。各ＭＩＳＦＥＴは、ソース・ドレイン拡散層１３、及び、ゲート電極１４を有し、ゲート長方向に並んでＭＩＳＦＥＴ群１１を構成している。本明細書では、用語「ゲート長方向」とは、ＭＩＳＦＥＴのチャネルの延在方向と同義である。コンタクトのストッパー膜１５は、内部応力を持ち、ＭＩＳＦＥＴ群１１を覆い、各ＭＩＳＦＥＴのチャネルに応力を与える。ストッパー膜１５は、シリコン窒化膜を含む応力具有膜として構成され、ＭＩＳＦＥＴ群１１の最端部のＭＩＳＦＥＴのゲート電極１４の側壁からの距離でＬ１＝１μｍ以上外側に延びる応力具有膜延長部分１２を有している。つまり、応力具有膜は、前記ＭＩＳＦＥＴ群の外側に１μｍ以上延びる延長部分１２を有している。なお、ストッパ膜１５は、厚さが例えば数十ｎｍ程度であり、同様にサイドウオールの幅も数十ｎｍであるため、延長部分の距離１μｍ以上として、ゲート側壁からの距離、又は、ゲートの端部からの距離の何れを採用しても、実質的な違いはない。
（第１の実施の形態）
図１Ａ及び１Ｂはそれぞれ、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す平面図、及び，その断面図である。同図では、形成されるＭＩＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）の内でゲート長方向に並ぶＭＩＳＦＥＴ群の端部構造を、コンタクトストッパー膜のレイアウトと共に示す。各ＭＩＳＦＥＴは、ソース・ドレイン拡散層１３、及び、ゲート電極１４を有し、ゲート長方向に並んでＭＩＳＦＥＴ群１１を構成している。本明細書では、用語「ゲート長方向」とは、ＭＩＳＦＥＴのチャネルの延在方向と同義である。コンタクトのストッパー膜１５は、内部応力を持ち、ＭＩＳＦＥＴ群１１を覆い、各ＭＩＳＦＥＴのチャネルに応力を与える。ストッパー膜１５は、シリコン窒化膜を含む応力具有膜として構成され、ＭＩＳＦＥＴ群１１の最端部のＭＩＳＦＥＴのゲート電極１４の側壁からの距離でＬ１＝１μｍ以上外側に延びる応力具有膜延長部分１２を有している。つまり、応力具有膜は、前記ＭＩＳＦＥＴ群の外側に１μｍ以上延びる延長部分１２を有している。なお、ストッパ膜１５は、厚さが例えば数十ｎｍ程度であり、同様にサイドウオールの幅も数十ｎｍであるため、延長部分の距離１μｍ以上として、ゲート側壁からの距離、又は、ゲートの端部からの距離の何れを採用しても、実質的な違いはない。
上記構造を採用することによる作用効果について、図４〜図６を参照して説明する。図４は、チャネルからどのくらい離れたところまで窒化膜がチャネル応力に寄与しているかを示す計算結果である。この計算には、２次元応力シミュレータを用いた。図５は、ｎ型チャネルＭＩＳＦＥＴの構造を断面で示している。ｎ型チャネルＭＩＳＦＥＴは、シリコン基板１０１上に形成されており、素子分離絶縁膜１０２によって互いに区画されている。ＭＩＳＦＥＴは、シリコン基板１０内に形成されたソース・ドレイン拡散層１０３、ソース・ドレイン拡張領域１０８、ゲート絶縁膜１０５、ゲート電極１０６、及び、サイドウォール１０４から構成され、その上には引っ張り応力を有する窒化膜１０７が形成されている。
図５の構造は、引っ張り応力を有する窒化膜１０７を採用する。図４に示した横軸の窒化膜長さとは、図５に示すように、サイドウォール１０４を覆って形成された窒化膜１０７の側部表面から、チャネル方向に沿ってその端部まで計測した窒化膜１０７の長さＬ１である。また、縦軸のチャネル応力は、引っ張り応力を正として示してある。図４から、チャネルに窒化膜の応力を十分に享受させるには、窒化膜が５μｍ程度の長さを必要とすることが理解できる。
ヤング率の高い窒化膜は、チャネルを歪ませることで、窒化膜自身ではその内部応力が緩和する。特に、ゲート電極近傍の窒化膜の部分は、内部応力が大きく緩和してチャネルを歪ませる力を失う。このため、ゲート電極から離れた、応力が緩和していない窒化膜の部分がチャネル応力に寄与するようになる。このようにして、比較的に遠くにある窒化膜の部分、つまり、図４のグラフでは、窒化膜の側部表面から５μｍ程度離れた部分も、チャネル応力に寄与することになる。図６は、これに関連し、チャネルからどのくらい離れたところまで窒化膜がチャネル応力に寄与しているかについて実験した結果を示す。横軸の定義は図４と同じであり、縦軸は、規格化されたＭＩＳＦＥＴのオン電流を示す。図６からは、窒化膜の長さ（Ｌ１）が１μｍ以下になると、オン電流が大きく劣化することが理解できる。この結果は、定性的には図４の計算結果を再現している。
図１Ａ及び１Ｂに示した実施形態では、ゲート長方向に並ぶＭＩＳＦＥＴ群１１のゲート長方向の外側に、応力を有するストッパー膜１５が十分な長さだけ延びている。このため、ＭＩＳＦＥＴ群のゲート長方向（列方向）の端部に位置するＭＩＳＦＥＴにも充分な応力が印加される。また、仮に列方向の隣に逆の応力を有するストッパー膜に覆われた、反対導電型のＭＩＳＦＥＴ群が存在したとしても、図４に示されるようにチャネル応力が減衰するということはなく、その結果、図６に示されるようにオン電流が劣化するということもない。従って、回路全体のＭＩＳＦＥＴのチャネルに所望の応力が得られる。このため、回路全体でオン電流の高いＭＩＳＦＥＴの実現が可能である。
なお、コンタクトのストッパー膜１５としては、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴでは、引っ張り応力を有する応力具有膜が、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴでは、圧縮応力を有する応力具有膜が、それぞれＭＩＳＦＥＴの性能向上に有効である。これは、引っ張り応力を有する膜は、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのチャネルに引っ張り歪みを与えて、電子の移動度を向上させ、圧縮応力を有する膜は、ｐ型チャネルのＭＩＳＦＥＴのチャネルに圧縮歪みを与えて、正孔の移動度を向上させるためである。
なお、本実施の形態における試料での効果は、例えば、特開２０００−９６６４号公報に記載されているように、収束電子回折法を用いて確認が可能である。この方法は、収束した電子を試料中に照射し、得られた回折図形から歪み量を求めるもので、約１０ｎｍの空間分解能で特定部位の歪みを測定することができる。本実施の形態における試料において、ＭＩＳＦＥＴ群の中央にあるＭＩＳＦＥＴと、末端にあるＭＩＳＦＥＴとの間で、収束電子回折法により測定した歪み量を比較することで、本実施の形態における実試料での効果を確認することができる。
次に、本実施の形態に係わる半導体装置の製造方法について説明する。コンタクトのストッパー膜を成膜するまでは通常のＭＩＳＦＥＴと作製方法が同じであるため、ここでは説明を省略する。コンタクトのストッパー膜として、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴに引っ張り応力膜、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴに圧縮応力膜を用いる半導体装置の製造方法は、基本的には、例えば、特開２００３−６００７６号公報に記載されているような方法で作製することができるので、ここでは説明を省略する。
コンタクトのストッパー膜として、引っ張り応力を有する膜は主として、熱化学気相成長法又は原子層堆積法によって成膜された窒化珪素膜で、圧縮応力を有する膜は主として、プラズマ化学気相成長法によって成膜された窒化珪素膜である。その他の膜として、例えば、窒化珪素を代表とする、炭素、水素、酸素、窒素のいずれかを含有する珪素化合物、或いは、酸化珪素を代表とする、アルミニウム、ハフニウム、タンタル、ジルコニウム、珪素、窒素のいずれかを含有する酸化物などが挙げられる。基本的には、ＭＩＳＦＥＴの配置、及び、ストッパー膜の配置のみを変更すれば、本実施の形態に係わる半導体装置の製造が可能である。
図２は、上記実施の形態の変形例を示す。この変形例では、コンタクトのストッパー膜２５の延長部分１２には、ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層２３及びゲート電極２４とそれぞれ同様な構造を有するダミー拡散層及びダミーゲートを形成したダミー構造２６を配置する。ここで、ダミー拡散層及びダミーゲートとは、回路中に、正規の拡散層やゲートと同様な構造として存在はするが、配線が引きまわされておらず、他のＭＩＳＦＥＴの回路とは電気的に完全に独立している構造をいう。ダミー拡散層やダミーゲートの存在により、ＭＩＳＦＥＴ群２１の端部にあるＭＩＳＦＥＴの応力に起因する特性ばらつきを低減することができる。
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す。本実施形態では、半導体装置は、ＣＭＯＳ半導体装置として構成され、ゲート長方向に並んだｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３１、及び、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３２を有し、これらＭＯＳＦＥＴ群３１、３２は互いに隣接している。ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴは、ソース・ドレイン３５、及び、ゲート電極３６を有し、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴは、ソース・ドレイン拡散層３７、及び、ゲート電極３８を有する。引っ張り応力を有するコンタクトのストッパー膜３９が、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３１を、圧縮応力を有するストッパー膜４０が、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３２を覆う。また、双方のストッパー膜３９、４０は、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３１及びｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３２の最端部のＭＯＳＦＥＴのゲート電極の側壁から１μｍ以上外部に延長された延長部分３３、３４を有する。
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す。本実施形態では、半導体装置は、ＣＭＯＳ半導体装置として構成され、ゲート長方向に並んだｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３１、及び、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３２を有し、これらＭＯＳＦＥＴ群３１、３２は互いに隣接している。ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴは、ソース・ドレイン３５、及び、ゲート電極３６を有し、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴは、ソース・ドレイン拡散層３７、及び、ゲート電極３８を有する。引っ張り応力を有するコンタクトのストッパー膜３９が、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３１を、圧縮応力を有するストッパー膜４０が、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３２を覆う。また、双方のストッパー膜３９、４０は、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３１及びｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３２の最端部のＭＯＳＦＥＴのゲート電極の側壁から１μｍ以上外部に延長された延長部分３３、３４を有する。
本実施の形態では、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３１の外側に引っ張り応力を有するストッパー膜３９が十分な長さだけ延長されているので、仮に隣に圧縮応力を有するストッパー膜に覆われたＭＯＳＦＥＴ群が存在したとしても、第１の実施の形態と同様に、図４に見られるようにチャネル応力が減衰するということはなく、その結果、図６に見られるようにオン電流が劣化するということもない。同様に、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ群３２の外側に圧縮応力を有するストッパー膜４０が十分な長さだけ延長されているので、仮に隣に引っ張り応力を有するストッパー膜に覆われたＭＯＳＦＥＴ群が存在したとしても、第１の実施の形態と同様に、図４に見られるようにチャネル応力が減衰するということはなく、その結果、図６に見られるようにオン電流が劣化するということもない。従って、回路全体に亘ってＣＭＯＳＦＥＴに所望の応力がかかるので、オン電流の高いＣＭＯＳＦＥＴの実現が可能である。
上記のように、コンタクトのストッパー膜３９、４０としては、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴでは引っ張り応力を有する膜が、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴでは圧縮応力を有する膜が、ＭＯＳＦＥＴの性能向上に有効である。これは、引っ張り応力を有する膜はＭＯＳＦＥＴのチャネルに引っ張り歪みを与え、電子（ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）の移動度を向上させ、圧縮応力を有する膜はＭＯＳＦＥＴのチャネルに圧縮歪みを与え、正孔（ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）の移動度を向上させるためである。
次に、本実施の形態に係わる半導体装置の製造方法について説明する。コンタクトのストッパー膜を成膜するまでは、通常のＣＭＯＳＦＥＴと作製方法が同じであるため、ここでは説明を省略する。コンタクトのストッパー膜として、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴに引っ張り応力膜を、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴに圧縮応力膜をそれぞれ用いる。このような構造の半導体装置の製造方法は、基本的には、例えば、特開２００３−６００７６号公報に記載されているような方法で作製することができるので、ここでは説明を省略する。
コンタクトのストッパー膜として、引っ張り応力を有する膜は主として、熱化学気相成長法又は原子層堆積法によって成膜された窒化珪素膜で構成する。圧縮応力を有する膜は主として、プラズマ化学気相成長法によって成膜された窒化珪素膜で構成する。その他の膜として、例えば、窒化珪素を代表とする、炭素、水素、酸素、窒素のいずれかを含有する珪素化合物、或いは、酸化珪素を代表とする、アルミニウム、ハフニウム、タンタル、ジルコニウム、珪素、窒素の酸化物などが挙げられる。基本的には、ＭＯＳＦＥＴの配置とストッパー膜の配置のみを変更すれば、本実施の形態に係わる半導体装置の製造が可能である。
また、本実施の形態の変形例として、第１の実施の形態の変形例と同様に、コンタクトのストッパー膜延長部分にダミー拡散層やダミーゲートを配置することも可能である。ダミー拡散層やダミーゲートの存在により、ＭＯＳＦＥＴ群の端部にあるＭＯＳＦＥＴの応力に起因する特性ばらつきを低減することができる。
上記実施形態に係る半導体装置では、回路全体のＭＩＳＦＥＴのチャネルに所望の応力を与えることが容易になり、オン電流が高く且つ特性が揃ったＭＩＳＦＥＴの実現が可能である。より詳細には、半導体装置では、ＭＩＳＦＥＴ群の端部においても、応力具有膜の応力がチャネルに有効に印加されるため、半導体装置の回路全体に亘ってオン電流が高いｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ及び／又はｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの実現が可能である。
以上、説明したように本発明は、以下の態様の採用が可能である。
本発明の半導体装置では、前記ＭＩＳＦＥＴがｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴであり、前記応力具有膜が引っ張り応力を有する構成が採用できる。この場合、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴに引っ張り応力が加わり、移動度及びオン電流が向上する。
また、前記ＭＩＳＦＥＴがｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴであり、前記応力具有膜が圧縮応力を有する構成も採用できる。この場合、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴに圧縮応力が加わり、移動度及びオン電流が向上する。
また、前記応力具有膜延長部分には、ダミー拡散層又はダミーゲートが配置される構成も採用できる。これにより、前記ＭＩＳＦＥＴ群の端部にあるＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきを低減することができる。
また、前記応力具有膜を絶縁膜とすることが好ましく、この場合には、前記絶縁膜が、炭化水素、水素化珪素、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、及び、酸化窒素から選択される少なくとも１種の化合物を含む構成が採用できる。
また、前記ＭＩＳＦＥＴ群が、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群、及び、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群を含み、該ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群、及び、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群のそれぞれの端部に、前記応力具有膜延長部分が形成される構成も採用できる。この場合、ｐチャネル型及びｎチャネル型の各ＭＩＳＦＥＴ群の端部においてストッパー膜の応力がチャネルに有効にかかるため、回路全体に亘ってオン電流が高いｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ及びｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの実現が可能である。
上記の場合には、前記ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群を覆う応力具有膜が引っ張り応力を有し、前記ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群を覆う応力具有膜が圧縮応力を有する構成が採用できる。この場合、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群に引っ張り応力が加わり、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群に圧縮応力が加わり、双方のＭＩＳＦＥＴ群の移動度及びオン電流が向上する。
上記構成の場合には、前記ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群、及び、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群の各応力具有膜延長部分には、ダミー拡散層又はダミーゲートが配置される構成が採用できる。この場合には、各ＭＩＳＦＥＴ群の端部にあるＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきを低減することができる。
本発明を特別に示し且つ例示的な実施形態を参照して説明したが、本発明は、その実施形態及びその変形に限定されるものではない。当業者に明らかなように、本発明は、添付のクレームに規定される本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、種々の変更が可能である。
本出願は、２００７年３月５日出願に係る日本特許出願２００７−０５４０３７号を基礎とし且つその優先権を主張するものであり、引用によってその開示の内容の全てを本出願の明細書中に加入する。
Claims (9)
- 応力具有膜で覆われた複数のＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置であって、前記複数のＭＩＳＦＥＴがゲート長方向に並ぶＭＩＳＦＥＴ群を含み、該ＭＩＳＦＥＴ群の前記ゲート長方向の端部には、前記応力具有膜が前記ＭＩＳＦＥＴ群の外側に１μｍ以上延びる延長部分が配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１に記載の半導体装置において、前記ＭＩＳＦＥＴがｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴであり、前記応力具有膜が引っ張り応力を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項１に記載の半導体装置において、前記ＭＩＳＦＥＴがｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴであり、前記応力具有膜が圧縮応力を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項１から３の何れか一に記載の半導体装置において、前記応力具有膜延長部分には、ダミー拡散層又はダミーゲートが配置されることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１から４の何れか一に記載の半導体装置において、前記応力具有膜が絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項５に記載の半導体装置において、前記絶縁膜が、炭化水素、水素化珪素、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、及び、酸化窒素から選択される少なくとも１種の化合物を含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項１に記載の半導体装置において、前記ＭＩＳＦＥＴ群が、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群、及び、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群を含み、該ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群、及び、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群のそれぞれの端部に、前記応力具有膜延長部分が形成されることを特徴とする半導体装置。
- 請求項７に記載の半導体装置において、前記ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群を覆う応力具有膜が引っ張り応力を有し、前記ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群を覆う応力具有膜が圧縮応力を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項７又は８に記載の半導体装置において、前記ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群、及び、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ群の各応力具有膜延長部分には、ダミー拡散層又はダミーゲートが配置されることを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007054037 | 2007-03-05 | ||
| JP2007054037 | 2007-03-05 | ||
| PCT/JP2008/053780 WO2008108339A1 (ja) | 2007-03-05 | 2008-03-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2008108339A1 true JPWO2008108339A1 (ja) | 2010-06-17 |
Family
ID=39738217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009502575A Pending JPWO2008108339A1 (ja) | 2007-03-05 | 2008-03-03 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100019325A1 (ja) |
| JP (1) | JPWO2008108339A1 (ja) |
| WO (1) | WO2008108339A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8350330B2 (en) * | 2008-05-08 | 2013-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dummy pattern design for reducing device performance drift |
| US7932563B2 (en) | 2009-01-30 | 2011-04-26 | Xilinx, Inc. | Techniques for improving transistor-to-transistor stress uniformity |
| US8470655B1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-06-25 | United Microelectronics Corp. | Method for designing stressor pattern |
| CN110945786B (zh) * | 2017-08-25 | 2021-02-19 | 日本碍子株式会社 | 接合体及弹性波元件 |
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| JP2007036194A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | デバイス性能の不整合低減方法および半導体回路 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3759924B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2006-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
| US7176522B2 (en) * | 2003-11-25 | 2007-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device having high drive current and method of manufacturing thereof |
| JP2007123442A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体回路装置、その製造方法及びそのシミュレーション方法 |
| US7183613B1 (en) * | 2005-11-15 | 2007-02-27 | International Business Machines Corporation | Method and structure for enhancing both NMOSFET and PMOSFET performance with a stressed film |
| JP2006140539A (ja) * | 2006-02-15 | 2006-06-01 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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-
2008
- 2008-03-03 JP JP2009502575A patent/JPWO2008108339A1/ja active Pending
- 2008-03-03 US US12/529,879 patent/US20100019325A1/en not_active Abandoned
- 2008-03-03 WO PCT/JP2008/053780 patent/WO2008108339A1/ja active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100019325A1 (en) | 2010-01-28 |
| WO2008108339A1 (ja) | 2008-09-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100618 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120925 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130205 |