JPWO2008105287A1 - 蒸着源、蒸着装置、有機薄膜の成膜方法 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 228
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 title 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 139
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 127
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 37
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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Abstract
Description
図5の符号203は、従来技術の蒸着装置であり、真空槽211の内部に蒸着容器212が配置されている。蒸着容器212は、容器本体221を有しており、該容器本体221の上部は、一乃至複数個の放出口224が形成された蓋部222で塞がれている。
蒸着容器212の側面と底面にはヒータ223が配置されており、真空槽211内を真空排気系215により真空排気し、ヒータ223が発熱すると蒸着容器212が昇温し、蒸着容器212内の有機蒸着材料200が加熱される。
放出口224の上方には、基板搬送装置214が配置されており、ホルダ210に基板205を保持させ基板搬送装置214を動作させると、基板205は、放出口224の真上位置を通り、放出口224から放出された有機材料蒸気が基板205表面に到達し、ホール注入層やホール輸送層等の有機薄膜が形成される。
本発明は蒸着源であって、前記蒸発室にはレーザー光を透過する窓部が設けられ、前記加熱装置は、前記窓部を通して、前記蒸発室内部に前記レーザー光を照射するように構成された蒸着源である。
本発明は蒸着源であって、前記供給装置は前記蒸着材料が配置される供給室と、一端が前記供給室に接続され、他端が前記蒸発室に接続されたパイプと、前記パイプに挿通された回転軸と、前記回転軸を中心軸線を中心として回転させる回転手段とを有し、前記回転軸の側面には、螺旋状の溝が形成された蒸着源である。
本発明は蒸着源であって、前記蒸着容器を加熱する加熱手段を有する蒸着源である。
本発明は蒸着装置であって、真空槽と、蒸着源とを有し、前記蒸着源は、内部で蒸着材料の蒸気を蒸発させる蒸発室と、前記蒸着材料の蒸気を放出する放出口を有する蒸着容器と、前記蒸着容器の内部空間と前記蒸発室の内部空間とを接続する孔と、前記蒸発室に接続され、前記蒸発室の内部に蒸着材料を供給する供給装置と、前記蒸発室に供給された前記蒸着材料を加熱し、蒸発させる加熱装置とを有し、前記蒸着容器には、内部空間を前記真空槽の内部空間に接続する放出口が設けられた蒸着装置である。
本発明は蒸着装置であって、前記真空槽内には、成膜対象物を保持し、前記蒸着容器の前記放出口と対面する位置を通過させる搬送機構が配置された蒸着装置である。
本発明は、真空槽内部に有機材料の蒸気を放出させ、前記真空槽内部に配置された基板表面に有機材料の薄膜を成膜する有機薄膜の成膜方法であって、蒸着容器及び蒸発室と、前記蒸着容器の内部空間と前記蒸発室の内部空間とを接続する孔とを有する蒸着源の、前記蒸発室内部で有機材料の蒸気を発生させ、前記蒸着容器に設けられた放出口から、前記蒸気を前記真空槽内部に放出させる有機薄膜の成膜方法である。
本発明は有機薄膜の成膜方法であって、前記蒸発室内部に供給された前記有機材料にレーザー光を照射し、前記蒸気を発生させる有機薄膜の成膜方法である。
従って、レーザー光を用いた蒸着法は、有機EL材料(電荷移動材料、発光材料、電子移動材料等)のように、加熱による化学変性が起こりやすい材料を蒸発させるのに特に適しており、有機EL材料の変性が少なく、発光量の高い有機EL装置を製造することができる。
蒸発室に蒸着材料の供給装置を接続し、所定枚数の成膜に必要な量を、必要になる度に供給するようにすれば、多数の基板を連続成膜する場合であっても、大量の蒸着材料が長時間加熱されることがないので、蒸着材料が変性しない。
この蒸着装置1は、真空槽11と、蒸着源3とを有している(図1では真空槽11は省略してある)。
真空槽11には真空排気系9が接続されており、真空排気系9を動作させると真空槽11の内部が真空排気される。
供給装置30は、供給室31と、パイプ32と、回転軸35とを有している。供給室31は蒸発室15の上方に配置されている。
パイプ32は蒸発室15の天井に気密に挿通され、その下端が蒸発室15内部に露出し、上端が供給室31の内部に接続されている。
回転軸35は、上端が供給室31とパイプ32の接続部分よりも上方に突き出るように、パイプ32に挿入されている。
溝の下端は蒸発室15の内部空間に接続されており、蒸着材料16が下方に押し込められると蒸発室15内部に落下する。
ここでは、真空槽11と、蒸発室15と、蒸着容器21と、供給室31にはそれぞれ真空排気系9が接続されており、真空槽11と、蒸発室15と、蒸着容器21と、供給室31をそれぞれ真空排気し、所定圧力の真空雰囲気を形成した後真空槽11の真空排気は続けたまま、蒸発室15と、蒸着容器21と、供給室31の真空排気を停止する。
一枚の基板の成膜に必要な蒸着材料16の量は予め分かっており、真空槽11の真空排気を続けたまま、一枚以上の基板の成膜に必要な量の蒸着材料16を供給装置30から蒸発室15に供給し、蒸発室15と、パイプ26と、蒸着容器21を加熱手段で蒸着材料16の蒸気が析出しない温度(例えば150℃〜450℃)に保温しながら、レーザー光を蒸着材料16に照射し、蒸発させる。
真空槽11の真空排気が続けられ、所定圧力の真空雰囲気(例えば10-7Torr)にされているので、蒸気は蒸着容器21から真空槽11に引き出される。従って、蒸着容器21の内部の圧力は蒸発室15よりも常に低くなる。
蒸発室15と供給装置30を真空槽11の外部に配置することもできる。この場合、真空槽11に窓部4を設ける必要はない。
例えば、図4の符号70に示す第三例の蒸着装置のように、細長の蒸着容器21を、長手方向を鉛直下方に向けて配置してもよい。この蒸着装置70には、図1、2の蒸着装置1と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
本発明は蒸着源であって、前記蒸発室にはレーザー光を透過する窓部が設けられ、前記加熱装置は、前記窓部を通して、前記蒸発室内部に前記レーザー光を照射するように構成された蒸着源である。
本発明は蒸着源であって、前記供給装置は前記蒸着材料が配置される供給室と、一端が前記供給室に接続され、他端が前記蒸発室に接続されたパイプと、前記パイプに挿通された回転軸と、前記回転軸を中心軸線を中心として回転させる回転手段とを有し、前記回転軸の側面には、螺旋状の溝が形成され、前記回転軸は垂直に設置され、前記回転軸の回転数と前記蒸発室への前記有機材料の供給量が関連付けられている、蒸着源である。
本発明は蒸着源であって、前記蒸着容器を加熱する加熱手段を有する蒸着源である。
本発明は蒸着装置であって、真空槽と、蒸着源とを有し、前記蒸着源は、内部で蒸着材料の蒸気を蒸発させる蒸発室と、前記蒸着材料の蒸気を放出する放出口を有する蒸着容器と、前記蒸着容器の内部空間と前記蒸発室の内部空間とを接続する孔と、前記蒸発室に接続され、前記蒸発室の内部に蒸着材料を供給する供給装置と、前記蒸発室に供給された前記蒸着材料を加熱し、蒸発させる加熱装置とを有し、前記供給装置は前記蒸発室の上部に設置され、前記供給装置から前記蒸発室内に前記蒸着材料を落下させ、前記蒸着容器には、内部空間を前記真空槽の内部空間に接続する放出口が設けられた蒸着装置である。
本発明は蒸着装置であって、前記真空槽内には、成膜対象物を保持し、前記蒸着容器の前記放出口と対面する位置を通過させる搬送機構が配置された蒸着装置である。
本発明は、真空槽内部に有機材料の蒸気を放出させ、前記真空槽内部に配置された基板表面に有機材料の薄膜を成膜する有機薄膜の成膜方法であって、蒸発室内に有機材料を上方から落下させて供給し、前記蒸発室内で前記有機材料を加熱して蒸気を発生させ、前記蒸気を蒸着容器に導入し、前記蒸着容器に設けられた放出口から、前記蒸気を前記真空槽内部に放出させる有機薄膜の成膜方法である。
本発明は有機薄膜の成膜方法であって、前記蒸発室内部に供給された前記有機材料にレーザー光を照射し、前記蒸気を発生させる有機薄膜の成膜方法である。
本発明は有機薄膜の成膜方法であって、螺旋状の溝が形成された回転軸を回転させて前記蒸発室内に前記有機材料を落下させる有機薄膜の成膜方法である。
本発明は有機薄膜の成膜方法であって、前記回転軸の回転数と前記蒸発室への前記有機材料の供給量が関連付けられている有機薄膜の成膜方法である。
Claims (8)
- 内部で蒸着材料の蒸気を蒸発させる蒸発室と、
前記蒸着材料の蒸気を放出する放出口を有する蒸着容器と、
前記蒸着容器の内部空間と前記蒸発室の内部空間とを接続する孔と、
前記蒸発室に接続され、前記蒸発室の内部に蒸着材料を供給する供給装置と、
前記蒸発室に供給された前記蒸着材料を加熱し、蒸発させる加熱装置とを有する蒸着源。 - 前記蒸発室にはレーザー光を透過する窓部が設けられ、
前記加熱装置は、前記窓部を通して、前記蒸発室内部に前記レーザー光を照射するように構成された請求項1記載の蒸着源。 - 前記供給装置は前記蒸着材料が配置される供給室と、
一端が前記供給室に接続され、他端が前記蒸発室に接続されたパイプと、
前記パイプに挿通された回転軸と、
前記回転軸を中心軸線を中心として回転させる回転手段とを有し、
前記回転軸の側面には、螺旋状の溝が形成された請求項1記載の蒸着源。 - 前記蒸着容器を加熱する加熱手段を有する請求項1記載の蒸着源。
- 真空槽と、蒸着源とを有し、
前記蒸着源は、内部で蒸着材料の蒸気を蒸発させる蒸発室と、
前記蒸着材料の蒸気を放出する放出口を有する蒸着容器と、
前記蒸着容器の内部空間と前記蒸発室の内部空間とを接続する孔と、
前記蒸発室に接続され、前記蒸発室の内部に蒸着材料を供給する供給装置と、
前記蒸発室に供給された前記蒸着材料を加熱し、蒸発させる加熱装置とを有し、
前記蒸着容器には、内部空間を前記真空槽の内部空間に接続する放出口が設けられた蒸着装置。 - 前記真空槽内には、成膜対象物を保持し、前記蒸着容器の前記放出口と対面する位置を通過させる搬送機構が配置された請求項5記載の蒸着装置。
- 真空槽内部に有機材料の蒸気を放出させ、前記真空槽内部に配置された基板表面に有機材料の薄膜を成膜する有機薄膜の成膜方法であって、
蒸着容器及び蒸発室と、
前記蒸着容器の内部空間と前記蒸発室の内部空間とを接続する孔とを有する蒸着源の、
前記蒸発室内部で有機材料の蒸気を発生させ、
前記蒸着容器に設けられた放出口から、前記蒸気を前記真空槽内部に放出させる有機薄膜の成膜方法。 - 前記蒸発室内部に供給された前記有機材料にレーザー光を照射し、前記蒸気を発生させる請求項7記載の有機薄膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009501194A JP5282025B2 (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-20 | 蒸着源、蒸着装置、有機薄膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007049906 | 2007-02-28 | ||
JP2007049906 | 2007-02-28 | ||
JP2009501194A JP5282025B2 (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-20 | 蒸着源、蒸着装置、有機薄膜の成膜方法 |
PCT/JP2008/052822 WO2008105287A1 (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-20 | 蒸着源、蒸着装置、有機薄膜の成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008105287A1 true JPWO2008105287A1 (ja) | 2010-06-03 |
JP5282025B2 JP5282025B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=39721122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009501194A Active JP5282025B2 (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-20 | 蒸着源、蒸着装置、有機薄膜の成膜方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100015361A1 (ja) |
EP (1) | EP2116629A4 (ja) |
JP (1) | JP5282025B2 (ja) |
CN (1) | CN101622372B (ja) |
TW (1) | TWI428459B (ja) |
WO (1) | WO2008105287A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7945344B2 (en) * | 2008-06-20 | 2011-05-17 | SAKT13, Inc. | Computational method for design and manufacture of electrochemical systems |
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JP2010159454A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置、成膜方法 |
JP5186591B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-04-17 | 株式会社アルバック | 有機化合物蒸気発生装置及び有機薄膜製造装置 |
CN102414339A (zh) * | 2009-04-24 | 2012-04-11 | 东京毅力科创株式会社 | 蒸镀处理装置和蒸镀处理方法 |
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US8357464B2 (en) | 2011-04-01 | 2013-01-22 | Sakti3, Inc. | Electric vehicle propulsion system and method utilizing solid-state rechargeable electrochemical cells |
KR100977374B1 (ko) | 2009-08-03 | 2010-08-20 | 텔리오솔라 테크놀로지스 인크 | 대면적 박막형 cigs 태양전지 고속증착 및 양산장비, 그 공정방법 |
KR101207719B1 (ko) | 2010-12-27 | 2012-12-03 | 주식회사 포스코 | 건식 코팅 장치 |
US10770745B2 (en) | 2011-11-09 | 2020-09-08 | Sakti3, Inc. | Monolithically integrated thin-film solid state lithium battery device having multiple layers of lithium electrochemical cells |
TW201245474A (en) * | 2011-05-12 | 2012-11-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Evaporation source device and a coating method using the same |
KR101168706B1 (ko) | 2011-05-13 | 2012-07-30 | 주식회사 제이몬 | Cigs 박막 성장을 위한 셀렌화 공정 장치 |
US8301285B2 (en) | 2011-10-31 | 2012-10-30 | Sakti3, Inc. | Computer aided solid state battery design method and manufacture of same using selected combinations of characteristics |
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KR101416589B1 (ko) | 2012-10-17 | 2014-07-08 | 주식회사 선익시스템 | 공정 중 도가니의 교체가 가능한 하향식 증발원 및 이를 구비하는 박막 증착장치 |
TWI490362B (zh) * | 2013-02-04 | 2015-07-01 | Adpv Technology Ltd Intetrust | Window having self-cleaning of the vapor deposition apparatus |
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Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6086266A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-15 | Hitachi Ltd | 有機薄膜形成方法 |
EP0794266B1 (de) * | 1996-03-06 | 2000-12-06 | Alusuisse Technology & Management AG | Vorrichtung zum Beschichten einer Substratfläche |
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-
2008
- 2008-02-20 WO PCT/JP2008/052822 patent/WO2008105287A1/ja active Application Filing
- 2008-02-20 CN CN200880006232.0A patent/CN101622372B/zh active Active
- 2008-02-20 EP EP08711628A patent/EP2116629A4/en not_active Withdrawn
- 2008-02-20 JP JP2009501194A patent/JP5282025B2/ja active Active
- 2008-02-27 TW TW097106851A patent/TWI428459B/zh active
-
2009
- 2009-08-26 US US12/547,676 patent/US20100015361A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008105287A1 (ja) | 2008-09-04 |
CN101622372A (zh) | 2010-01-06 |
CN101622372B (zh) | 2013-06-19 |
JP5282025B2 (ja) | 2013-09-04 |
US20100015361A1 (en) | 2010-01-21 |
EP2116629A4 (en) | 2010-11-24 |
EP2116629A1 (en) | 2009-11-11 |
TWI428459B (zh) | 2014-03-01 |
TW200904998A (en) | 2009-02-01 |
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