JPWO2008013244A1 - 有機ルテニウム錯体及び当該ルテニウム錯体を用いたルテニウム薄膜の製造法 - Google Patents
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Abstract
Description
で示される、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする、有機ルテニウム錯体。
で示される、β-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体又はその溶媒溶液であるルテニウム供給源と水素源とを用いることを特徴とする、化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜の製造法。
1B マスフローコントローラー
2 ストップバルブ
3 気化器
4 反応器
5 圧力計
6 バルブ
7 トラップ
10A 予熱器
10B 気化器ヒータ
10C 反応器ヒータ
20 原料有機ルテニウム錯体融液
21 基板
本発明の第1の実施形態である、前記の一般式(1−1)で示される、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体、及び当該ルテニウム錯体を用いたルテニウム含有薄膜の製造法について説明する。この有機ルテニウム錯体は、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、CVD法による成膜に適したものである。又、この有機ルテニウム錯体をルテニウム供給源として用いた化学気相蒸着法により、酸化ルテニウムの混入がない、金属ルテニウム含有薄膜を製造することができる。
本発明の第2の実施形態である、前記の式(2−1)で示されるビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム、及び当該ルテニウム錯体を用いたルテニウム含有薄膜の製造法について説明する。このルテニウム錯体をルテニウム供給源として用いた化学気相蒸着法により、酸化ルテニウムの混入がない、金属ルテニウム含有薄膜を製造することができる。
本発明の第3の実施形態である、前記の式(3−1)で示されるビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウム、及び当該ルテニウム錯体を用いたルテニウム含有薄膜の製造法について説明する。このルテニウム錯体をルテニウム供給源として用いた化学気相蒸着法により、酸化ルテニウムの混入がない、金属ルテニウム含有薄膜を製造することができる。
本発明の第4の実施形態である、前記の一般式(4−1)で示される、β-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体と水素源とを用いた、化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜の製造法について説明する。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積200mlのフラスコに、ナトリウムアミド5.15g(132mmol)を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン80mlを加えた。次いで、水冷下、3-メチル-2-ブタノン12.0g(139.3mmol)をゆるやかに滴下して15分間攪拌した後、参考例1−1と同様な方法で合成した2-メトキシプロピオン酸メチル5.65g(47.8mmol)を滴下して、攪拌しながら30分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水50mlを加えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層をエーテルで抽出した後、エーテル抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留(41℃、27Pa)し、無色液体として、2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオン4.25gを得た(単離収率:52%)。
IR(neat(cm-1));2976、2936、1607(br)、1462、1366、1328、1210、1120、910、805
(なお、1607cm-1のピークは、β-ジケトン特有のピークである。)
MS(m/e);142、113、59、43
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、三塩化ルテニウム三水和物3.61g(13.8mmol)、1,5-シクロオクタジエン2.95g(27.3mmol)及びイソプロプロピルアルコール25mlを加え、攪拌しながら3時間還流させた。その後、2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオン7.17g(41.6mmol)及び水酸化ナトリウム1.67g(41.8mmol)を混合した水溶液を滴下し、攪拌しながら0.5時間反応させた。反応終了後、メチルシクロヘキサン40ml及び水30mlを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留(190℃、49Pa)し、黄褐色の粘性液体を得た。得られた液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=9/1(容量比))し、黄褐色粘性液体として、ビス(2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオナト)(1,5-シクロオクタジエン)ルテニウム(II)4.57gを得た(単離収率:60%)。
(β-ジケトン特有のピーク(1607cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1570cm-1)が観察された)
元素分析(C26H42O6Ru);炭素:56.9%、水素:7.78%、ルテニウム:18,1%
(理論値;炭素:56.6%、水素:7.67%、ルテニウム:18.3%)
MS(m/e);552、444、59
実施例1−1において、1,5-シクロオクタジエンの代わりに、ノルボルナジエン2.51g(27.3mmol)を用いたこと以外は、実施例1−1と同様にして反応を行った。その結果、黄褐色粘性液体として、ビス(2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオナト)(ノルボルナジエン)ルテニウム(II)3.85gを得た(単離収率:52%)。
(β-ジケトン特有のピーク(1607cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1571cm-1)が観察された)
元素分析(C25H38O6Ru);炭素:56.4%、水素:7.22%、ルテニウム:18.8%
(理論値;炭素:56.1%、水素:7.15%、ルテニウム:18.9%)
MS(m/e);536、444、193、59
実施例1−1において、1,5-シクロオクタジエンの代わりに、1,5-ヘキサジエン2.24g(27.3mmol)を用いたこと以外は、実施例1−1と同様にして反応を行った。その結果、黄褐色粘性液体として、ビス(2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム(II)3.05gを得た(単離収率:42%)。
(β-ジケトン特有のピーク(1607cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1566cm-1)が観察された)
元素分析(C24H40O6Ru);炭素:56.4%、水素:7.22%、ルテニウム:18.8%
(理論値;炭素:54.8%、水素:7.67%、ルテニウム:19.2%)
MS(m/e);526、444、59
実施例1−1において、1,5-シクロオクタジエンの代わりに、4-ビニル-1-シクロヘキセン2.95g(27.3mmol)を用いたこと以外は、実施例1−1と同様にして反応を行った。その結果、黄褐色粘性液体として、ビス(2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオナト)(4-ビニル-1-シクロヘキセン)ルテニウム(II)4.27gを得た(単離収率:56%)。
(β-ジケトン特有のピーク(1607cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1568cm-1)が観察された)
元素分析(C26H42O6Ru);炭素:56.9%、水素:7.73%、ルテニウム:18.2%
(理論値;炭素:56.6%、水素:7.67%、ルテニウム:18.3%)
MS(m/e);552、444、113、59
実施例1−1において、1,5-シクロオクタジエンの代わりに、1,3-ペンタジエン1.86g(27.3mmol)を用いたこと以外は、実施例1−1と同様にして反応を行った。その結果、黄褐色粘性液体として、ビス(2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウム(II)2.68gを得た(単離収率:38%)。
(β-ジケトン特有のピーク(1607cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1564cm-1)が観察された)
元素分析(C23H38O6Ru);炭素:54.5%、水素:7.51%、ルテニウム:19.6%
(理論値;炭素:54.0%、水素:7.49%、ルテニウム:19.8%)
MS(m/e);512、444、59
実施例1−1〜1−5で得られた有機ルテニウム錯体([Ru(mopd)2(cod)]、[Ru(mopd)2(nbd)]、[Ru(mopd)2(hd)]、[Ru(mopd)2(vch)]及び[Ru(mopd)2(pd)])を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、三塩化ルテニウム三水和物8.87g(33.9mmol)、1,5-ヘキサジエン6.12g(74.5mmol)及びイソプロプロピルアルコール60mlを加え、攪拌しながら70℃で4時間反応させた後、アセチルアセトン10.6g(106mmol)及び水酸化ナトリウム4.22g(106mmol)を混合した水溶液を滴下し、攪拌しながら0.5時間反応させた。反応終了後、メチルシクロヘキサン60ml及び水30mlを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留(140℃、39Pa)し、黄褐色の粘性液体を得た。得られた液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=9/1(容量比))し、黄褐色粘性液体として、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム(II)10.3gを得た(単離収率:80%)。
(β-ジケトン特有のピーク(1622cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1576cm-1)が観察された)
元素分析(C16H24O4Ru);炭素:50.2%、水素:6.45%、ルテニウム:26.3%
(理論値;炭素:50.4%、水素:6.34%、ルテニウム:26.5%)
MS(m/e);382、300、43
実施例2−1で得られた有機ルテニウム錯体([Ru(acac)2(hd)])を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、三塩化ルテニウム三水和物5.52g(21.1mmol)、1,3-ペンタジエン4.03g(59.2mmol)及びイソプロプロピルアルコール60mlを加え、攪拌しながら50℃で6時間反応させた後、アセチルアセトン6.64g(66.3mmol)及び水酸化ナトリウム2.60g(65mmol)を混合した水溶液を滴下し、攪拌しながら0.5時間反応させた。反応終了後、メチルシクロヘキサン30ml及び水10mlを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留(140℃、41Pa)し、黄褐色の粘性液体を得た。得られた液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=9/1(容量比))し、黄褐色粘性液体として、ビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウム(II)2.33gを得た(単離収率:30%)。
(β-ジケトン特有のピーク(1622cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1574cm-1)が観察された)
元素分析(C15H22O4Ru);炭素:49.1%、水素:6.10%、ルテニウム:27.6%
(理論値;炭素:49.0%、水素:6.04%、ルテニウム:27.5%)
MS(m/e);368、300、43
実施例3−1で得られた有機ルテニウム錯体([Ru(acac)2(pd)])を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、三塩化ルテニウム三水和物3.23g(12.4mmol)、1,5-ヘキサジエン3.00g(36.5mmol)及びイソプロプロピルアルコール20mlを加え、60℃で4時間攪拌させた。次いで、6-メチル-2,4-ヘプタンジオン5.55g(39.0mmol)及び水酸化ナトリウム1.51g(37.8mmol)を混合した水溶液を滴下し、攪拌しながら0.5時間反応させた。反応終了後、ヘキサン30ml及び水30mlを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留(170℃、45Pa)し、黄褐色の粘性液体を得た。得られた液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=9/1(容量比))し、黄褐色粘性液体として、ビス(6-メチル-2,4-ヘプタンジオナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム(II)2.30gを得た(単離収率:40%)。
(6-メチル-2,4-ヘプタンジオンのβ-ジケトン特有のピーク(1614cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1574cm-1)が観察された)
元素分析(C22H36O4Ru);炭素:56.9%、水素:7.80%、ルテニウム:21.6%
(理論値;炭素:56.8%、水素:7.79%、ルテニウム:21.7%)
参考例4−1で得られた有機ルテニウム錯体([Ru(mhd)2(hd)])を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
又、本発明により、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム、ビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウム、及び当該ルテニウム錯体を用いた化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜の製造法を提供することができる。
更に、本発明により、β-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体を用いた化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜の製造法を提供することができる。
Claims (32)
- 少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物が、1,5-ヘキサジエン、1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、4-ビニル-1-シクロヘキセン又は1,3-ペンタジエンである請求項1記載の有機ルテニウム錯体。
- 請求項1に記載の有機ルテニウム錯体又は有機ルテニウム錯体の溶媒溶液をルテニウム供給源として用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 請求項1に記載の有機ルテニウム錯体又は有機ルテニウム錯体の溶媒溶液と水素源とを用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 水素源が水素ガスである請求項4記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 請求項1に記載の有機ルテニウム錯体又は有機ルテニウム錯体の溶媒溶液と酸素源とを用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 酸素源が酸素ガスである請求項6記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 製造されるルテニウム含有薄膜が実質的に酸素原子を含まない金属ルテニウム膜である請求項6記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒である請求項3〜8のいずれかに記載の化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜製造用ルテニウム錯体である請求項10記載のビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム。
- 請求項10に記載のビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム又はビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウムの溶媒溶液をルテニウム供給源として用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 請求項10に記載のビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム又はビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウムの溶媒溶液と水素源とを用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 水素源が水素ガスである請求項13記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 請求項10に記載のビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム又はビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウムの溶媒溶液と酸素源とを用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 酸素源が酸素ガスである請求項15記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 製造されるルテニウム含有薄膜が実質的に酸素原子を含まない金属ルテニウム膜である請求項15記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒である請求項12〜17のいずれかに記載の化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜製造用ルテニウム錯体である請求項19記載のビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウム。
- 請求項19に記載のビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウム又はビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウムの溶媒溶液をルテニウム供給源として用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 請求項19に記載のビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウム又はビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウムの溶媒溶液と水素源とを用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 水素源が水素ガスである請求項22記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 請求項19に記載のビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウム又はビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウムの溶媒溶液と酸素源とを用いた、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 酸素源が酸素ガスである請求項24記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒である請求項21〜25のいずれかに記載の化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物が、1,5-ヘキサジエン、1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、4-ビニル-1-シクロヘキセン又は1,3-ペンタジエンである請求項27記載の化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜の製造法。
- 水素源が水素ガスである請求項27記載の化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜の製造法。
- 上記一般式(4−1)で示される、β-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体又はその溶媒溶液であるルテニウム供給源と酸素源とを用いることを特徴とする、化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
- 酸素源が酸素ガスである請求項30記載のルテニウム含有薄膜の製造法。
- 使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒である請求項27〜31のいずれかに記載の化学気相蒸着法によるルテニウム含有薄膜の製造法。
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