JPWO2007142264A1 - Substrate cleaving device, substrate cleaving method, and cleaving substrate cleaved using this device or method - Google Patents
Substrate cleaving device, substrate cleaving method, and cleaving substrate cleaved using this device or method Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2007142264A1 JPWO2007142264A1 JP2008520602A JP2008520602A JPWO2007142264A1 JP WO2007142264 A1 JPWO2007142264 A1 JP WO2007142264A1 JP 2008520602 A JP2008520602 A JP 2008520602A JP 2008520602 A JP2008520602 A JP 2008520602A JP WO2007142264 A1 JPWO2007142264 A1 JP WO2007142264A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- scribe line
- cleaving
- cut
- bending moment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
- C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
- C03B33/033—Apparatus for opening score lines in glass sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
- B65G2249/04—Arrangements of vacuum systems or suction cups
Abstract
【課題】生産効率の向上を図ることができると共に、被割断基板への負荷が小さくて済む基板割断装置及び基板割断方法を提供する。【課題手段】本発明に係る基板割断装置10は、被割断基板Kにおける割断予定線J上にスクライブ線SBを形成するスクライブ線形成手段40,50と、スクライブ線形成手段40,50によるスクライブ線SBの形成に追随してスクライブ線SBを境に被割断基板Kを割断可能とする大きさの曲げモーメントを被割断基板Kに付与する曲げモーメント付与手段60,90とを備えることを特徴とする。【選択図】 図1The present invention provides a substrate cleaving apparatus and a substrate cleaving method that can improve production efficiency and can reduce the load on a cleaved substrate. A substrate cleaving apparatus according to the present invention includes a scribe line forming means for forming a scribe line SB on a planned cutting line J on a substrate to be cut K, and a scribe line formed by the scribe line forming means 40, 50. Bending moment applying means 60 and 90 for applying a bending moment to the cut substrate K so that the cut substrate K can be cut with the scribe line SB as a boundary following the formation of the SB. . [Selection] Figure 1
Description
本発明は、ガラス板、セラミックスまたはウエハーなどの脆性材料(被割断基板)を切断加工する基板割断装置、基板割断方法、及びこの装置または方法を用いて割断した割断基板に関する。 The present invention relates to a substrate cleaving apparatus for cutting a brittle material (a substrate to be cleaved) such as a glass plate, ceramics or a wafer, a substrate cleaving method, and a cleaving substrate cleaved using this apparatus or method.
ガラス板、セラミックスまたはウエハーなどの脆性材料を切断加工するにあたり、種々の手法がある。 There are various methods for cutting brittle materials such as glass plates, ceramics, and wafers.
一般的な手法では、例えば特許文献1のように、まず超硬工具等のメカニカル刃を用いて被割断基板の割断予定線に沿ったスクライブ線を形成し、次いでそのスクライブ線の回りに別置きのブレーク装置により曲げモーメントを付与する。なお、スクライブ線の形成は、メカニカル刃に代えて例えば特許文献2のように、レーザ光を用いることでも可能である。
In a general method, for example, as in
一方、特許文献3に記載のように、スクライブ線形成のためのカッターローラと、割断のためのブレークローラとをタンデムに配設し、往動時にカッターローラを降下させ且つブレークローラを退避させておくことでスクライブ線を形成し、復動時はカッターローラを退避させ且つブレークローラを降下させておくことで割断を行うものもある。ブレークローラはスクライブ線の両側部分に被割断基板の幅方向の引張力を作用させるようにして割断する。
特許文献1、特許文献2、特許文献3の各手法では、スクライブ線形成とブレークとをそれぞれ別の工程(時間帯)で行うため、生産効率が良くないという問題があった。
In each method of
また、特許文献1、特許文献2、特許文献3の各手法では、1本の長いスクライブ線を形成し終えてから、そのスクライブ線を境に割断するための作用を被割断基板に付与していた。この場合は、スクライブ線が長いため、割断時にスクライブ線の下方(すなわち被割断基板の厚み方向)に向かうべき応力集中がスクライブ線の長手方向に分散してしまい、スクライブ線の亀裂先端(厚み方向の底部)に加わる応力値が低くなる。このため、始めに形成しておくスクライブ線を深いものとするか、または割断時に作用させる力を大きなものとする必要があり、被割断基板への負荷が大きいという問題があった。
Further, in each method of
特に、特許文献3の手法では、被割断基板の幅方向の引張力で割断しており、この場合は、十分に深いスクライブ線を形成しておく必要がある。このような深いスクライブ線を形成するためには、比較的大きな押圧力を付与可能な特殊のカッター刃が必要であると共に切り粉が多く発生する。また、スクライブ線が深いため、途中で被割断基板の反転等の動作を伴う場合には、基板を破断する畏れもある。 In particular, in the method of Patent Document 3, the substrate is cleaved by the tensile force in the width direction of the substrate to be cleaved. In this case, it is necessary to form a sufficiently deep scribe line. In order to form such a deep scribe line, a special cutter blade capable of applying a relatively large pressing force is required and a large amount of chips are generated. Further, since the scribe line is deep, the substrate may be broken when an operation such as reversal of the substrate to be cut is accompanied in the middle.
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、生産効率の向上を図ることができると共に、被割断基板への負荷が小さくて済む基板割断装置及び基板割断方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and can provide a substrate cleaving apparatus and a substrate cleaving method that can improve production efficiency and can reduce the load on the cleaved substrate. Objective.
上記目的を達成するため、本発明に係る基板割断装置10は、被割断基板Kにおける割断予定線J上にスクライブ線SBを形成するスクライブ線形成手段40,50と、スクライブ線形成手段40,50によるスクライブ線SBの形成に追随してスクライブ線SBを境に被割断基板Kを割断可能とする大きさの曲げモーメントを被割断基板Kに付与する曲げモーメント付与手段60,90とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the
また、本発明に係る基板割断方法は、被割断基板Kにおける割断予定線J上のスクライブ線SBの形成に追随してスクライブ線SBを境に被割断基板Kを割断可能とする大きさの曲げモーメントを被割断基板Kに付与することを特徴とする。 Further, the substrate cutting method according to the present invention is a bending of a size that enables the cutting substrate K to be cut with the scribe line SB as a boundary following the formation of the scribe line SB on the cutting planned line J in the cutting substrate K. A moment is applied to the substrate K to be cut.
本発明によると、曲げモーメント付与手段60,90は、スクライブ線形成手段40,50によるスクライブ線SBの形成に追随して、このスクライブ線SBを境に被割断基板Kを割断可能な曲げモーメントを被割断基板Kに付与することで割断を行う。このように1パス、すなわち1回の片道走行動作でフルカットするため、生産効率の向上を図ることができる。また、曲げモーメント付与手段60,90は、スクライブ線SBの形成動作直後にスクライブ線SBのまわりの両側部分Tを押圧して、曲げモーメントを付与し、被割断基板Kを割断する。つまり、機械的に応力を加えることで割断を行い、レーザ光等の加熱手段を用いないので、有機EL基板等の耐熱温度がそれほど高くない基板の割断にも適用することができる。 According to the present invention, the bending moment applying means 60, 90 follows the formation of the scribe line SB by the scribe line forming means 40, 50, and generates a bending moment capable of cleaving the cut substrate K with the scribe line SB as a boundary. Cleaving is performed by applying to the substrate to be cut K. As described above, since the full cut is performed by one pass, that is, one one-way traveling operation, the production efficiency can be improved. Further, the bending moment applying means 60 and 90 press both side portions T around the scribe line SB immediately after the forming operation of the scribe line SB, thereby applying a bending moment and cutting the substrate to be cut K. That is, since the cleaving is performed by applying mechanical stress and no heating means such as a laser beam is used, the present invention can be applied to the cleaving of a substrate such as an organic EL substrate whose heat-resistant temperature is not so high.
また、従来は、1本の長いスクライブ線SBを形成し終えてから、そのスクライブ線SBを境に割断するための作用を被割断基板Kに付与していた。この場合は、スクライブ線SBが長いため、割断時にスクライブ線SBの下方(すなわち被割断基板Kの厚み方向)に向かうべき応力集中がスクライブ線の長手方向に分散してしまい、スクライブ線SBの亀裂先端に加わる応力値が低くなる。このため、始めに形成しておくスクライブ線SBを深いものとするか、または割断時に作用させる力を大きなものとする必要があった。これに対して本発明では、スクライブ線SBの形成直後に、このスクライブ線SBのまわりに、割断するための作用である曲げモーメントを付与する。スクライブ線SBの生起点SSからフルカットになっている部分SEまでの距離Dが一定で短く(図6(B)参照)、この短い距離Dのスクライブ線SBに対して、割断するための作用を付与するので、応力集中の分散が非常に少なく、スクライブ線SBの亀裂先端に加わる応力値は高いものとなる。このため、始めに形成しておくスクライブ線SBは比較的浅いもので済むと同時に、割断時に作用させる力も小さなもので済む。従って、スクライブ線形成手段として、特殊なカッター刃等が必要でなく、レーザ光のように比較的浅いスクライブ線しか形成できないものでもよい。このため被割断基板Kに余分な負荷がかからず、デリケートな基板、例えば液晶滴下注入(ODF)基板等の割断に好適である。 Further, conventionally, after the formation of one long scribe line SB, an action for cleaving with the scribe line SB as a boundary is given to the substrate to be cut K. In this case, since the scribe line SB is long, the stress concentration to be directed below the scribe line SB (that is, the thickness direction of the substrate to be cut K) at the time of cleaving is dispersed in the longitudinal direction of the scribe line, and the scribe line SB is cracked. The stress value applied to the tip is lowered. For this reason, it is necessary to make the scribe line SB formed first deep, or to increase the force applied when cleaving. On the other hand, in the present invention, immediately after the scribe line SB is formed, a bending moment, which is an action for cleaving, is applied around the scribe line SB. The distance D from the starting point SS of the scribe line SB to the full-cut portion SE is constant and short (see FIG. 6B), and the action for cleaving the scribe line SB of this short distance D Therefore, the dispersion of stress concentration is very small, and the stress value applied to the crack tip of the scribe line SB is high. For this reason, the scribe line SB to be formed first can be relatively shallow, and at the same time, a small force can be applied when cleaving. Therefore, a special cutter blade or the like is not necessary as the scribe line forming means, and only a relatively shallow scribe line such as a laser beam may be formed. Therefore, an excessive load is not applied to the substrate to be cut K, which is suitable for cleaving a delicate substrate such as a liquid crystal dropping injection (ODF) substrate.
なお、圧縮エアーA1を用いて曲げモーメントを付与することで、被割断基板Kへの負荷を更に減らすことができる。また、スクライブ線SBの両側部分Tの中央部分Uを、被割断基板Kにおけるスクライブ線SBの非形成面の側から支持することで、割断に必要な曲げモーメントを確実に付与することができる。 In addition, the load to the to-be-cut substrate K can further be reduced by giving a bending moment using compressed air A1. Further, by supporting the central portion U of the both side portions T of the scribe line SB from the side of the non-formation surface of the scribe line SB in the substrate to be cut K, a bending moment necessary for cleaving can be reliably applied.
本発明に係る基板割断装置及び基板割断方法によると、生産効率の向上を図ることができると共に、被割断基板への負荷が小さくて済む。 According to the substrate cleaving apparatus and the substrate cleaving method according to the present invention, it is possible to improve the production efficiency and reduce the load on the substrate to be cleaved.
〔第1実施形態〕
本発明を実施するための第1実施形態を、添付図面を参照しながら説明する。図1は本発明に係る第1実施形態のレーザ割断装置の正面概略図、図2は可動テーブルの平面図、図3は割断動作中の割断ユニットの正面図、図4は割断動作中の割断ユニットの側面図である。各図において直交座標系の3軸をX、Y、Zとし、XY平面を水平面、Z方向を鉛直方向とする。[First Embodiment]
A first embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic front view of a laser cleaving apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a movable table, FIG. 3 is a front view of a cleaving unit during cleaving operation, and FIG. 4 is cleaving during cleaving operation. It is a side view of a unit. In each figure, the three axes of the orthogonal coordinate system are X, Y, and Z, the XY plane is the horizontal plane, and the Z direction is the vertical direction.
図1に示すように、第1実施形態のレーザ割断装置10は、可動テーブル20、初期亀裂形成機構30、レーザ光照射ユニット40、冷却ユニット50及び割断ユニット60を備える。初期亀裂形成機構30、レーザ光照射ユニット40、冷却ユニット50及び割断ユニット60は、可動テーブル20よりも高い位置において一体的にこの順にタンデムな配置で基台70に固設される。
As shown in FIG. 1, the
可動テーブル20は、図2、図4に示すように、載置されたガラス板Kを真空吸着により保持可能なテーブル面22を備える。テーブル面22は、Y方向に平行となるように形成された長溝23を備える。長溝23の深さは、テーブル面22から1mm〜3mm程度が好ましい。長溝23におけるX方向中央部には、Y方向に平行となるように線状凸部24(24a,24b)を備える。上記長溝23は、本例では2本形成される。可動テーブル20は、テーブル駆動装置21によりXYZ各方向に駆動可能とされ、割断動作時はY1方向に駆動される。
As shown in FIGS. 2 and 4, the movable table 20 includes a
初期亀裂形成機構30は、先端に回転刃31を有し上下駆動可能とされた回転刃ユニット32を備え、可動テーブル20に載置保持されたガラス板Kにおける割断予定線Jの始端JS(図6(A)参照)に極微少な初期亀裂を形成可能に構成される。
The initial
レーザ光照射ユニット40は、レーザ発振器から出力されたレーザ光Lを、反射ミラーやエキスパンドレンズなどからなる光学系を経由して、レーザ照射窓41からガラス板Kの表面に向けて照射可能に構成される。レーザ照射窓41から照射されるレーザ光Lは、ガラス板Kにスクライブ線SB(図6(B)参照)を形成するのに十分な出力を有するものとされる。レーザ照射窓41は、スクライブ線形成時における可動テーブル20に対するレーザ光Lの相対移動方向Y2を基準に回転刃31の後方部に設けられる。
The laser
冷却ユニット50は、霧状の冷却ミストMを噴射可能な噴射ノズル51を備える。噴射ノズル51は、ガラス板K上に照射されるレーザ光Lに追随するように、スクライブ線形成時における可動テーブル20に対するレーザ光Lの相対移動方向Y2を基準にレーザ照射窓41の後方部に設けられる。
The
割断ユニット60は、押圧ローラ61、ローラ支持ユニット62及びエアスライダテーブル63を備える。押圧ローラ61は、図3,4に示すように、X軸に平行なシャフト611、互いに対向するようにシャフト611に嵌設された2枚の回転円盤612、及びシャフト611における2枚の回転円盤612間に貫挿された複数枚のワッシャ613を備える。回転円盤612の直径は20mm〜30mm程度であり、その材質は例えばアルミニウムやステンレス鋼等の金属、またはMC(モノマーキャスト)ナイロン等の合成樹脂が好ましい。2枚の回転円盤612間の間隔は4mm〜12mm程度とすることが好ましい。ワッシャ613の枚数を変えることにより、2枚の回転円盤612間の間隔を調整することができる。また、押圧ローラ61と噴射ノズル51とのY方向距離は調整可能とされることが好ましい。
The
ローラ支持ユニット62は、第1ブロック621、第2ブロック622及び第3ブロック623を備える。第1ブロック621は、押圧ローラ61をX軸に平行な軸まわりに回転自在となるように軸支する。軸支部分にはベアリング61aを用いている。第2ブロック622は、ボルト626により第1ブロック621を固設している。第3ブロック623は、第2ブロック622をシャフト624によりY軸に平行な軸まわりに回動自在に軸支する。また第3ブロック623は、ボルト625によりエアスライダテーブル63の可動部に固定される。
The
エアスライダテーブル63は、エアコンプレッサにより供給される圧縮空気により、ローラ支持ユニット62をZ方向に上下方向に駆動して退避位置と割断位置とに選択的に配置可能とする。退避位置とは、押圧ローラ61における回転円盤612の最下端がガラス板Kの表面よりも十分に高くなる位置である。割断位置とは、回転円盤612の最下端がガラス板Kの表面よりも若干低くなる位置である。割断位置は予め設定されており、ローラ支持ユニット62がこの位置にあるとき、スクライブ線形成手段(レーザ光照射ユニット40及び冷却ユニット50)により形成されたスクライブ線SBのまわりに、ガラス板Kを割断可能とする大きさの曲げモーメントを付与できる。
The air slider table 63 can be selectively arranged at the retracted position and the cleaved position by driving the
次に、図5、図6、図7も参照して、レーザ割断装置10の割断動作について説明する。図5は割断対象となるガラス板の平面図、図6は本発明に係る第1実施形態のレーザ割断装置による割断動作を平面視的に示す図、図7は本発明に係る第1実施形態のレーザ割断装置による割断動作のフローチャートである。
Next, the cleaving operation of the
図5に示すように、ガラス板Kには、互いに平行な2本の割断予定線J1,J2があるものとして説明する。これら2本の割断予定線J1,J2間の間隔は、可動テーブル20における2本の線状凸部24a,24b間の間隔と同じであるものとする。
As shown in FIG. 5, the glass plate K will be described on the assumption that there are two cutting lines J1 and J2 parallel to each other. It is assumed that the interval between the two scheduled cutting lines J1 and J2 is the same as the interval between the two
まず作業者は、割断対象となるガラス板Kをテーブル面22上に置く(ステップ100)。このときガラス板Kの割断予定線J1,J2と、可動テーブル20における線状凸部24a,24bとがそれぞれ重なるようにする。なお、ガラス板Kをテーブル面22上に置く操作をロボットに行わせるようにしてもよい。次いで作業者は、このガラス板Kに対する割断動作の開始命令を、図示しない制御装置の入力部から入力する(ステップ110)。これによりテーブル面22の吸着穴に真空圧が作用し、ガラス板Kをテーブル面22上に吸着保持する(ステップ120)。
First, the operator places the glass plate K to be cleaved on the table surface 22 (step 100). At this time, the cutting lines J1 and J2 of the glass plate K and the
次いでテーブル駆動装置21は、図6(A)のように、ガラス板Kを載置保持した可動テーブル20を、回転刃31とガラス板Kにおける割断予定線J1の始端JSとを結ぶ直線t1がY方向に平行となるように駆動配置する(ステップ130)。次いで初期亀裂形成機構30は、回転刃31を降下させ、その刃先がガラス板Kの表面よりも低くなる位置に配置する(ステップ140)。また、エアスライダテーブル63は、ローラ支持ユニット62を割断位置に降下させる(ステップ150)。
Next, as shown in FIG. 6A, the
次いでテーブル駆動装置21は、図6(B)のように、可動テーブル20をY1方向に駆動する(ステップ160)。可動テーブル20の移動により、回転刃31がガラス板Kの角、すなわち割断予定線J1の始端JSに衝突する。その直後に初期亀裂形成機構30は回転刃31を上昇させる。これにより、割断予定線J1の始端JSに所定深さ及び長さの極微少な初期亀裂が形成される(ステップ170)。
Next, the
初期亀裂が形成されると、レーザ光照射ユニット40は、移動中のガラス板Kに向けてレーザ照射窓41からレーザ光Lを照射する(ステップ180)。また、冷却ユニット50は、レーザ光Lに追随するように噴射ノズル51から冷却ミストMを噴射する(ステップ190)。ガラス板Kに対するレーザ光L及び冷却ミストMの相対的な移動により、始端JSを起点として、レーザ光Lは割断予定線J1を急激に加熱し局所的に熱膨張させて圧縮応力を生じさせ、冷却剤Mはその直後に加熱部分を急激に冷却することで局所的に収縮させて引張応力を生じさせる。これにより、初期亀裂を亀裂進展の開始点として、ガラス板Kの表面に、割断予定線J1に沿う微小亀裂を連続成長させてスクライブ線SBを形成していく。
When the initial crack is formed, the laser
スクライブ線SBの形成動作直後に押圧ローラ61は、図4のようにスクライブ線SBを跨ぐようにしてその両側部分Tを押圧しながらシャフト611を軸として回転していく。このとき回転円盤612による下方向への押圧力によりスクライブ線SBのまわりに曲げモーメントが生じ、スクライブ線SBのうち始端JSから回転円盤612が当接しているY方向位置までの部分が割断される。スクライブ線SBが終端JEに至るまでこの動作を続けることで(ステップ200でイエス)、ガラス板Kは割断予定線J1を境にして完全に割断される。
Immediately after the forming operation of the scribe line SB, the pressing
このようにレーザ割断装置10によると、割断ユニット60は、レーザ光照射ユニット40及び冷却ユニット50によるスクライブ線SBの形成に追随して、このスクライブ線SBを境にガラス板Kを割断可能な曲げモーメントをガラス板Kに付与することで割断を行う。このように1パス、すなわち1回の片道走行動作でフルカットするため、生産効率の向上を図ることができる。また、割断ユニット60は、スクライブ線SBの形成動作直後にスクライブ線SBのまわりの両側部分Tを押圧して、曲げモーメントを付与し、ガラス板Kを割断する。つまり、機械的に応力を加えることで割断を行い、レーザ光等の加熱手段を用いないので、有機EL基板等の耐熱温度がそれほど高くない基板の割断にも適用することができる。
Thus, according to the
また、従来は、1本の長いスクライブ線SBを形成し終えてから、そのスクライブ線SBを境に割断するための作用をガラス板Kに付与していた。この場合は、スクライブ線SBが長いため、割断時にスクライブ線SBの下方(すなわちガラス板Kの厚み方向)に向かうべき応力集中がスクライブ線の長手方向に分散してしまい、スクライブ線SBの亀裂先端に加わる応力値が低くなる。このため、始めに形成しておくスクライブ線SBを深いものとするか、または割断時に作用させる力を大きなものとする必要があった。これに対してレーザ割断装置10は、スクライブ線SBの形成直後に、このスクライブ線SBのまわりに、割断するための作用である曲げモーメントを付与する。スクライブ線SBの生起点SSからフルカットになっている部分SEまでの距離Dが一定で短く(図6(B)参照)、この短い距離Dのスクライブ線SBに対して、割断するための作用を付与するので、応力集中の分散が非常に少なく、スクライブ線SBの亀裂先端に加わる応力値は高いものとなる。このため、始めに形成しておくスクライブ線SBは比較的浅いもので済むと同時に、割断時に作用させる力も小さなもので済む。従って、スクライブ線形成手段として、特殊なカッター刃等が必要でなく、レーザ光のように比較的浅いスクライブ線しか形成できないものでもよい。このためガラス板Kに余分な負荷がかからない。また、対向する2枚の回転円盤612がスクライブ線SBを跨いで割断する形態であり、2枚の回転円盤612間の間隔は4mm〜12mm程度と比較的広いため、割断条件出しが容易である。
Further, conventionally, after the formation of one long scribe line SB, an action for cleaving with the scribe line SB as a boundary has been imparted to the glass plate K. In this case, since the scribe line SB is long, the stress concentration that should be directed to the lower side of the scribe line SB (that is, in the thickness direction of the glass plate K) at the time of cleaving is dispersed in the longitudinal direction of the scribe line SB. The stress value applied to is reduced. For this reason, it is necessary to make the scribe line SB formed first deep, or to increase the force applied when cleaving. On the other hand, the
レーザ割断装置10において、例えば可動テーブル20のテーブル面22が水平面からX方向に微妙に傾いていた場合、押圧ローラ61は次のように機能動作する。すなわち、高くなっているガラス板Kの側に一方の回転円盤612が当接したとき、その当接点を支点としシャフト624を回動軸として、低くなっているガラス板Kの側に他方の回転円盤612が当接する方向に回動しその部分に当接したところで停止する。このため、ガラス板Kが水平面から多少傾いた場合でも、スクライブ線SBの両脇を2枚の回転円盤612が均等の押圧力で押圧することができ、安定した割断を行うことができる。
In the
割断予定線J1についての割断が終わると、レーザ光Lの照射及び冷却ミストMの噴射が停止し、ローラ支持ユニット62は退避位置まで上昇する(ステップ210)。そしてテーブル駆動部21は、可動テーブル20をY2方向に駆動し元の位置に戻す(ステップ220)。
When the cleaving for the planned cutting line J1 is completed, the irradiation of the laser beam L and the injection of the cooling mist M are stopped, and the
次いでテーブル駆動部21は、可動テーブル20をX1方向に駆動することで(ステップ240)、割断予定線J2の割断開始位置に移動させ、その後、割断予定線J1についての割断と同様な要領で割断予定線J2についての割断を行う(ステップ130〜ステップ210)。
〔第2実施形態〕
本発明を実施するための第2実施形態を、図8から図10を参照しながら説明する。図8は本発明に係る第2実施形態のレーザ割断装置11の正面概略図である。なお、第2実施形態のレーザ割断装置11において、第1実施形態のレーザ割断装置10と同一の構成要素については同一の符号を付してある。また、以下の記述では説明をわかりやすくするため、第2実施形態のレーザ割断装置11の各構成要素には、第1実施形態のレーザ割断装置10の構成要素の符号の末尾に「’」の記号を付けたが、この符号の中には、紙面の都合上、添付図面の中で特に明記していないものもある。Next, the
[Second Embodiment]
A second embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic front view of the
図8に示すように、第2実施形態のレーザ割断装置11は、第1実施形態のレーザ割断装置10に初期亀裂形成機構30’、冷却ユニット50’及び割断ユニット60’を加えた構成とされる。初期亀裂形成機構30’、冷却ユニット50’及び割断ユニット60’は、それぞれ初期亀裂形成機構30、冷却ユニット50及び割断ユニット60と同様な構造であり、レーザ光照射ユニット40を基準にY方向に前後対象となるように取り付けられる。
As shown in FIG. 8, the
次に、図9、図10を参照して、レーザ割断装置11の割断動作について説明する。図9、図10はレーザ割断装置11による割断動作のフローチャートである。第1実施形態のときと同じように、割断対象となるガラス板Kには、互いに平行な2本の割断予定線J1,J2(図5参照)があるものとして説明する。
Next, the cleaving operation of the
まず作業者は、割断対象となるガラス板Kをテーブル面22上に置く(ステップ300)。このときガラス板の割断予定線J1,J2と、可動テーブル20における線状凸部24a,24bとが重なるようにする。なお、ガラス板Kをテーブル面22上に置く操作をロボットに行わせるようにしてもよい。次いで作業者は、このガラス板Kに対する割断動作の開始命令を、図示しない制御装置の入力部から入力する(ステップ310)。これによりテーブル面22の吸着穴に真空圧が作用し、ガラス板Kをテーブル面22上に吸着保持する(ステップ320)。
First, the operator places the glass plate K to be cleaved on the table surface 22 (step 300). At this time, the planned cutting lines J1 and J2 of the glass plate and the
次いでテーブル駆動装置21は、ガラス板Kを載置保持した可動テーブル20を、回転刃31とガラス板Kにおける割断予定線J1の始端JSとを結ぶ直線がY方向に平行となるように駆動配置する(ステップ330)。次いで初期亀裂形成機構30は、回転刃31を降下させ、その刃先がガラス板Kの表面よりも低くなる位置に配置する(ステップ340)。また、エアスライダテーブル63は、ローラ支持ユニット62を割断位置に降下させる(ステップ350)。
Next, the
次いでテーブル駆動装置21は、可動テーブル20をY1方向に駆動する(ステップ360)。可動テーブル20の移動により、回転刃31がガラス板Kにおける割断予定線J1の始端JSに衝突する。その直後に初期亀裂形成機構30は回転刃31を上昇させる。これにより、割断予定線J1の始端JSに所定深さ及び長さの極微少な初期亀裂が形成される(ステップ370)。
Next, the
初期亀裂が形成されると、レーザ光照射ユニット40は、移動中のガラス板Kに向けてレーザ照射窓41からレーザ光Lを照射する(ステップ380)。また、冷却ユニット50は、レーザ光Lに追随するように噴射ノズル51から冷却ミストMを噴射する(ステップ390)。ガラス板Kに対するレーザ光L及び冷却剤Mの相対的な移動により、始端JSを起点として、レーザ光Lは割断予定線J1を急激に加熱し局所的に熱膨張させて圧縮応力を生じさせ、冷却剤Mはその直後に加熱部分を急激に冷却することで局所的に収縮させて引張応力を生じさせる。これにより、初期亀裂を亀裂進展の開始点として、ガラス板Kの表面に、割断予定線J1に沿う微小亀裂を連続成長させてスクライブ線SBを形成していく。
When the initial crack is formed, the laser
スクライブ線SBの形成動作直後に押圧ローラ61は、図4のようにスクライブ線SBを跨ぐようにしてその両側部分Tを押圧しながらシャフト611を軸として回転していく。このとき回転円盤612による下方向への押圧力によりスクライブ線SBのまわりに曲げモーメントが生じ、スクライブ線SBのうち始端JSから回転円盤612が当接しているY方向位置までの部分が割断される。スクライブ線SBが終端JEに至るまでこの動作を続けることで(ステップ400でイエス)、ガラス板Kは割断予定線J1を境にして完全に割断される。
Immediately after the forming operation of the scribe line SB, the pressing
割断予定線J1についての割断が終わると、レーザ光Lの照射及び冷却ミストMの噴射が停止し、ローラ支持ユニット62’は退避位置まで上昇する(ステップ410)。その後、テーブル駆動部21は、第1実施形態の場合と異なり、可動テーブル20をY2方向に駆動して元の位置に戻すことなく、次のようにして割断予定線J2についての割断を行う。
When the cleaving for the cleaving planned line J1 is completed, the irradiation of the laser light L and the injection of the cooling mist M are stopped, and the roller support unit 62 'is raised to the retracted position (step 410). Thereafter, unlike the case of the first embodiment, the
まずテーブル駆動装置21は、ガラス板Kを載置保持した可動テーブル20をX方向に駆動して、回転刃31’とガラス板Kにおける割断予定線J2の始端(割断予定線J1の終端JEと同じ側)とを結ぶ直線がY方向に平行となるように駆動配置する(ステップ425、ステップ530)。次いで初期亀裂形成機構30’は、回転刃31’を降下させ、その刃先がガラス板Kの表面よりも低くなる位置に配置する(ステップ540)。また、エアスライダテーブル63’は、ローラ支持ユニット62’を割断位置に降下させる(ステップ550)。
First, the
次いでテーブル駆動装置21は、可動テーブル20をY2方向に駆動する(ステップ560)。可動テーブル20の移動により、回転刃31’がガラス板Kにおける割断予定線J2の始端に衝突する。その直後に初期亀裂形成機構30’は回転刃31’を上昇させる。これにより、割断予定線J2の始端に所定深さ及び長さの極微少な初期亀裂が形成される(ステップ570)。
Next, the
初期亀裂が形成されると、レーザ光照射ユニット40は、移動中のガラス板Kに向けてレーザ照射窓41からレーザ光Lを照射する(ステップ580)。また、冷却ユニット50’は、レーザ光Lに追随するように噴射ノズル51’から冷却ミストを噴射する(ステップ590)。ガラス板Kに対するレーザ光L’及び冷却ミストM’の相対的な移動により、割断予定線J2の始端を起点として、レーザ光Lは割断予定線J2を急激に加熱し局所的に熱膨張させて圧縮応力を生じさせ、冷却剤はその直後に加熱部分を急激に冷却することで局所的に収縮させて引張応力を生じさせる。これにより、初期亀裂を亀裂進展の開始点として、ガラス板Kの表面に、割断予定線J2に沿う微小亀裂を連続成長させてスクライブ線を形成していく。
When the initial crack is formed, the laser
スクライブ線の形成動作直後に押圧ローラ61’は、スクライブ線を跨ぐようにしてその両側部分Tを押圧しながらシャフト611’を軸として回転していく。このとき回転円盤612’による下方向への押圧力によりスクライブ線のまわりに曲げモーメントが生じ、スクライブ線のうち始端から回転円盤612’が当接しているY方向位置までの部分が割断される。スクライブ線が終端に至るまでこの動作を続けることで(ステップ600でイエス)、ガラス板Kは割断予定線J2を境にして完全に割断される。
Immediately after the scribe line forming operation, the pressing
割断予定線J2についての割断が終わると、レーザ光Lの照射及び冷却ミストの噴射が停止し、割断ユニット60’の押圧ローラ61’は退避位置まで上昇する(ステップ610)。 When the cleaving line J2 is cleaved, the irradiation of the laser beam L and the cooling mist are stopped, and the pressing roller 61 'of the cleaving unit 60' moves up to the retracted position (step 610).
第2実施形態のレーザ割断装置11の割断動作は、第1実施形態のレーザ割断装置10の割断動作に対して次の点で異なる。すなわち、テーブル駆動部21は、ガラス板Kにおける割断予定線J2を割断するにあたり、可動テーブル20をY2方向に駆動して一旦元の位置に戻してから再びY1方向に駆動するのではなく、割断予定線J1についての割断を終えた帰りに割断予定線J2についての割断を行う。割断予定線Jの本数が3本以上の場合も同様である。このため、短いタクト時間で、複数本の割断予定線Jについての割断ができる。
〔第3実施形態〕
本発明を実施するための第3実施形態を、図11、図12を参照しながら説明する。図11は本発明に係る第3実施形態のレーザ割断装置の要部を示す正面概略図、図12はその側面概略図である。なお、第3実施形態のレーザ割断装置12において、第1実施形態のレーザ割断装置10と同一の構成要素については同一の符号を付してある。The cleaving operation of the
[Third Embodiment]
A third embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a schematic front view showing a main part of a laser cleaving apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a schematic side view thereof. In addition, in the
図11、図12に示すように、第3実施形態のレーザ割断装置12は、第1実施形態のレーザ割断装置10の可動テーブル20に代えて可動テーブル20Aを備えると共に、支持ローラ81を備える。可動テーブル20Aは、厚さ方向に貫通すると共にY方向に沿うように形成された長穴20Hを備える。支持ローラ81は、長穴20Hの中で押圧ローラ61における2枚の回転円盤612間の位置と対向するように配設され、X軸に平行なシャフト811と、互いに対向するようにシャフト811に嵌設された回転円盤812とを備える。回転円盤812の直径は20mm〜30mm程度であり、回転円盤612と同様に、その材質は例えばアルミニウムやステンレス鋼等の金属、またはMC(モノマーキャスト)ナイロン等の合成樹脂が好ましい。
As shown in FIGS. 11 and 12, the
第3実施形態のレーザ割断装置12では、支持ローラ81における回転円盤812が、第1実施形態のレーザ割断装置10における線状凸部24の機能を果たす。すなわち、割断対象となるガラス板Kをテーブル面22上に置くに際し、ガラス板Kの割断予定線Jと回転円盤812の先端部とが重なるようにする。それ以降の動作は、第1実施形態で記述したものと実質上同様であるので省略する。第1実施形態のレーザ割断装置10では、可動テーブル20における線状凸部24を、Y方向への平行度及び先端角度を十分な精度で加工する必要が生じるが、第3実施形態のレーザ割断装置12ではそのような必要が生じない。
〔第4実施形態〕
本発明を実施するための第4実施形態を、図13、図14を参照しながら説明する。図13は本発明に係る第4実施形態のレーザ割断装置の要部を示す正面概略図、図14はその側面概略図である。なお、第4実施形態のレーザ割断装置13において、第1実施形態のレーザ割断装置10または第3実施形態のレーザ割断装置12と同一の構成要素については同一の符号を付してある。In the
[Fourth Embodiment]
A fourth embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIG. 13 is a schematic front view showing a main part of a laser cleaving apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a schematic side view thereof. In addition, in the
図13、図14に示すように、第4実施形態のレーザ割断装置13は、第1実施形態のレーザ割断装置10の可動テーブル20に代えて可動テーブル20Aを備え、割断ユニット60に代えて割断ユニット90を備え、更に支持エアー噴射装置100を備える。可動テーブル20Aは、第3実施形態で述べたものと同じものである。
As shown in FIGS. 13 and 14, the
割断ユニット90は、X方向に互いに所定間隔をあけて配設された2つの押圧エアー噴出ノズル91を備える。押圧エアー噴出ノズル91は、スクライブ線SBを境にして略等間隔あけたガラス板Kの表面における両側部分Tに向けて圧縮エアーA1を噴出可能に構成される。圧縮エアーA1は、ガラス板Kを割断するのに十分な曲げモーメントをスクライブ線SBまわりに付与可能な強さとされる。支持エアー噴射装置100は、長穴20Hの中で2つの押圧エアー噴出ノズル91間の位置と対向するように配設され、支持エアー噴射ノズル101を備える。支持エアー噴射ノズル101は、押圧エアー噴出ノズル91から噴出された圧縮エアーA1に抗してガラス板Kを支持可能な程度の強さの圧縮エアーA2を、ガラス板Kの裏面に向けて噴出可能に構成される。
The cleaving
第4実施形態のレーザ割断装置13では、割断ユニット90の2つの押圧エアー噴出ノズル91から噴出する圧縮エアーA1が、第1実施形態のレーザ割断装置10における回転円盤612の機能を果たす。また、支持エアー噴出ノズル101から噴出する圧縮エアーA2が線状凸部24の機能を果たす。従って、割断対象となるガラス板Kをテーブル面22上に置くに際し、ガラス板Kの割断予定線Jと支持エアー噴出ノズル101の噴出位置とが重なるようにする。割断動作の開始命令を入力することにより、押圧エアー噴出ノズル91及び支持エアー噴出ノズル101からそれぞれ圧縮エアーA1,A2が噴出する。そして可動テーブル20Aの移動、初期亀裂の形成、スクライブ線SBの形成が順次行われ、このスクライブ線SBの形成に追随して、両エアー噴出ノズル91,101からの圧縮エアーA1,A2の噴出により、ガラス板Kを割断するのに十分な曲げモーメントがスクライブ線SBまわりに付与されガラス板Kは割断される。第4実施形態のレーザ割断装置13では、割断ユニット90は、ガラス板Kを押圧及び支持するための力に圧縮エアーを用いており、ガラス板Kに非接触で割断することができるため、例えばODF基板等のデリケートなガラス板Kに対して好適である。
In the
以上、本発明の第1実施形態から第4実施形態について説明を行ったが、上に開示した実施形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこの実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、更に特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。例えば、上記第1実施形態及び2実施形態では、スクライブ線形成手段は、レーザ光照射ユニット及び冷却ユニットとしたが、これに代えて超硬工具等のメカニカル刃としてもよい。 The first to fourth embodiments of the present invention have been described above. However, the embodiment disclosed above is merely an example, and the scope of the present invention is not limited to this embodiment. Absent. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims. For example, in the first embodiment and the second embodiment, the scribe line forming means is a laser beam irradiation unit and a cooling unit, but may be a mechanical blade such as a cemented carbide tool instead.
10 レーザ割断装置(基板割断装置)
20 可動テーブル(保持手段)
20A 可動テーブル(保持手段)
24 線状凸部(支持手段)
40 レーザ光照射ユニット(スクライブ線形成手段)
50 冷却ユニット(スクライブ線形成手段)
60 割断ユニット(曲げモーメント付与手段)
61 押圧ローラ
81 支持ローラ(支持手段)
90 割断ユニット(曲げモーメント付与手段)
91 押圧エアー噴射ノズル
101 支持エアー噴射装置(支持手段)
101 支持エアー噴射ノズル
612 回転円盤
A1 圧縮エアー
A2 圧縮エアー
J 割断予定線
K ガラス板(被割断基板)
SB スクライブ線
T 両側部分
U 中央部分
X 方向
Y2 方向(相対移動方向)10 Laser cleaving device (substrate cleaving device)
20 Movable table (holding means)
20A movable table (holding means)
24 Linear convex part (support means)
40 Laser light irradiation unit (scribe line forming means)
50 Cooling unit (scribe line forming means)
60 Cleaving unit (means for applying bending moment)
61
90 Cleaving unit (means for applying bending moment)
91 Pressing
101 Support
SB scribe line T both sides U center part X direction Y2 direction (relative movement direction)
Claims (17)
スクライブ線形成手段(40,50)によるスクライブ線(SB)の形成に追随してスクライブ線(SB)を境に被割断基板(K)を割断可能とする大きさの曲げモーメントを被割断基板(K)に付与する曲げモーメント付与手段(60,90)とを備えることを特徴とする基板割断装置。A scribe line forming means (40, 50) for forming a scribe line (SB) on the planned cutting line (J) in the substrate to be cut (K);
Following the formation of the scribe line (SB) by the scribe line forming means (40, 50), the substrate to be cut (a bending moment of a size capable of cleaving the cut substrate (K) with the scribe line (SB) as a boundary) And a bending moment applying means (60, 90) to be applied to K).
基板保持手段(20)に対して相対移動可能に設けられ当該相対移動により被割断基板(K)における割断予定線(J)上にスクライブ線(SB)を形成するスクライブ線形成手段(40,50)と、
スクライブ線形成時における被割断基板(K)に対するスクライブ線形成手段(40,50)の相対移動方向(Y2)を基準にしてスクライブ線形成手段(40,50)の後方にこれと一体的に設けられ、スクライブ線形成手段(40,50)によるスクライブ線(SB)の形成に追随してそのスクライブ線(SB)の両側部分(T)に被割断基板(K)の厚み方向の力を作用させることにより被割断基板(K)をスクライブ線(SB)を境に割断可能とする大きさの曲げモーメントを付与する曲げモーメント付与手段(60,90)と
を備えることを特徴とする基板割断装置。Substrate holding means (20) for holding the substrate to be cut (K);
The scribe line forming means (40, 50) is provided so as to be relatively movable with respect to the substrate holding means (20), and forms a scribe line (SB) on the planned cutting line (J) of the substrate to be cut (K) by the relative movement. )When,
Provided integrally with the scribe line forming means (40, 50) behind the scribe line forming means (40, 50) with reference to the relative movement direction (Y2) of the scribe line forming means (40, 50) with respect to the substrate to be cut (K) during scribe line formation. Then, following the formation of the scribe line (SB) by the scribe line forming means (40, 50), a force in the thickness direction of the substrate to be cut (K) is applied to both side portions (T) of the scribe line (SB). And a bending moment applying means (60, 90) for applying a bending moment of a magnitude that enables the substrate to be cut (K) to be cut with the scribe line (SB) as a boundary.
A cleaved substrate cleaved using the substrate cleaving method according to claim 9.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006160300 | 2006-06-08 | ||
JP2006160300 | 2006-06-08 | ||
PCT/JP2007/061453 WO2007142264A1 (en) | 2006-06-08 | 2007-06-06 | Substrate splitting apparatus, substrate splitting method, and split substrate split by using the apparatus or method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007142264A1 true JPWO2007142264A1 (en) | 2009-10-29 |
Family
ID=38801511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008520602A Pending JPWO2007142264A1 (en) | 2006-06-08 | 2007-06-06 | Substrate cleaving device, substrate cleaving method, and cleaving substrate cleaved using this device or method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2007142264A1 (en) |
TW (1) | TW200817294A (en) |
WO (1) | WO2007142264A1 (en) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009242184A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Cutting method and cutting device for brittle platy object |
JP2010253752A (en) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Lemi Ltd | Device and method of cutting brittle material |
JP5464952B2 (en) * | 2009-09-28 | 2014-04-09 | 株式会社ナガセインテグレックス | Laser processing method |
JP5249979B2 (en) * | 2010-03-18 | 2013-07-31 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method of processing brittle material substrate and laser processing apparatus used therefor |
JP5210407B2 (en) | 2011-04-06 | 2013-06-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Break device and break method |
JP5210408B2 (en) * | 2011-04-06 | 2013-06-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Fragment material substrate cutting device |
JP2014091134A (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Ihi Corp | Laser processing device |
CN105189022B (en) | 2013-01-30 | 2017-09-01 | 康宁股份有限公司 | The apparatus and method cut for flexible glass continuous laser |
CN105722797A (en) * | 2013-11-15 | 2016-06-29 | 旭硝子株式会社 | Method for producing glass plate and device for producing glass plate |
KR101513471B1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-04-20 | 주식회사 로보스타 | Apparatus for bending a multi-layer ceramic capacitors array plate |
US9260337B2 (en) | 2014-01-09 | 2016-02-16 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for free-shape cutting of flexible thin glass |
JP6349970B2 (en) * | 2014-05-30 | 2018-07-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Substrate cutting method and substrate cutting apparatus |
KR20160023075A (en) * | 2014-08-21 | 2016-03-03 | 한국미쯔보시다이아몬드공업(주) | Breaking apparatus for substrate |
JP6420648B2 (en) * | 2014-12-05 | 2018-11-07 | 川崎重工業株式会社 | Glass plate cleaving device |
CN106773159B (en) * | 2016-12-12 | 2018-04-10 | 惠科股份有限公司 | A kind of offal timber removal device |
KR102174050B1 (en) * | 2017-01-31 | 2020-11-04 | 한국미쯔보시다이아몬드공업(주) | Breaking apparatus for substrate |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3199074B2 (en) * | 1991-09-12 | 2001-08-13 | 坂東機工株式会社 | Glass sheet processing method and apparatus |
JP2856609B2 (en) * | 1992-09-22 | 1999-02-10 | 鹿児島日本電気株式会社 | Scribe device |
JPH07164400A (en) * | 1993-12-15 | 1995-06-27 | Nec Corp | Cutting device for glass board |
JPH07276174A (en) * | 1994-04-05 | 1995-10-24 | Mitsuboshi Daiyamondo Kogyo Kk | Method and device for machining work |
JP3810127B2 (en) * | 1996-04-25 | 2006-08-16 | 京セラ株式会社 | Glass substrate cutting method |
JPH10338534A (en) * | 1997-06-03 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | Scriber, breaker, glass cutter and scribing method |
JPH11171573A (en) * | 1997-08-25 | 1999-06-29 | Bando Kiko Kk | Cracking device for glass plate and press cracking head means used for the same |
JP2003261345A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-16 | Nakamura Tome Precision Ind Co Ltd | Method for cracking rigid brittle plate |
TW200408061A (en) * | 2002-07-02 | 2004-05-16 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Substrate slicing system for sealed substrates and the substrate slicing method |
JP4619024B2 (en) * | 2004-03-19 | 2011-01-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Brittle material cleaving system and method |
-
2007
- 2007-06-06 WO PCT/JP2007/061453 patent/WO2007142264A1/en active Application Filing
- 2007-06-06 JP JP2008520602A patent/JPWO2007142264A1/en active Pending
- 2007-06-08 TW TW96120835A patent/TW200817294A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200817294A (en) | 2008-04-16 |
WO2007142264A1 (en) | 2007-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2007142264A1 (en) | Substrate cleaving device, substrate cleaving method, and cleaving substrate cleaved using this device or method | |
JP5249979B2 (en) | Method of processing brittle material substrate and laser processing apparatus used therefor | |
KR101140164B1 (en) | Method?of?forming?scribe?line?on?substrate?of?brittle?material?and?scribe?line?forming?apparatus | |
JP5325209B2 (en) | Processing method of brittle material substrate | |
TW200415128A (en) | ||
JP5194076B2 (en) | Laser cleaving device | |
JP2007090860A (en) | System and method for cutting and working fragile material | |
JP2006131490A (en) | System and method for thermal stress cutting of brittle material | |
JP4619024B2 (en) | Brittle material cleaving system and method | |
JP2005212364A (en) | Fracturing system of brittle material and method thereof | |
WO2007020835A1 (en) | System for brittle material cutting process and method employed therein | |
JP2011230940A (en) | Cutting method for brittle material substrate | |
KR20160038821A (en) | Breaking method and breaking apparatus | |
JP2012061681A (en) | Laser cleaving apparatus | |
KR20150123694A (en) | Method and apparatus for breaking | |
JP5202595B2 (en) | Laser cleaving device | |
JP5076662B2 (en) | Method and apparatus for cleaving brittle materials | |
WO2009128315A1 (en) | Method for processing fragile material substrate | |
JP5171186B2 (en) | Brittle material substrate cleaving apparatus and cleaving method | |
JP5590642B2 (en) | Scribing apparatus and scribing method | |
JP2004042423A (en) | Scribing apparatus | |
JP2007246298A (en) | Method and apparatus for cutting brittle material | |
JP2006175847A (en) | System for cutting brittle material and its method | |
JP5444158B2 (en) | Cleaving method of brittle material substrate | |
JP2017019704A (en) | Method and apparatus for cutting hard fragile plate |