JPWO2007099925A1 - 感光性有機膜用現像液組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)本発明の組成物は、フォトレジストの露光部に対する溶解速度とフォトレジストの未露光部に対する溶解速度との比が50以上であり、フォトレジストの現像性が良好で、しかもAl腐食性が小さく、安定で取扱が容易である。
(2)本発明の組成物は、フォトレジストに対する溶解速度が大きすぎて現像プロセスを制御出来なくなるということがなく、現像プロセスを容易に制御可能であり、しかも、露光済みフォトレジストに対する溶解速度が小さすぎて現像に長時間を要するということもなく、速やかに処理することができる。
(1)Alエッチングレート
表面に10000オングストロームのAlベタ膜を形成したSiウェハ(すなわち、Al単層膜ブランケットウェハ)をフォトレジスト用現像液組成物に50℃で浸漬した。60秒、120秒、180秒ごとに基板を取り出し、純水で洗浄後、N2ガスを用いたエアーガンで純水を吹き飛ばし乾燥させた。乾燥後ただちに4Point ProbeにてAlの膜厚を測定した。浸漬時間とAl膜厚をグラフにプロットし、グラフの傾きからAlエッチングレートを求めた。その結果を表1に示す。Alエッチングレートが小さい場合、Alの腐食性も小さいことになる。逆に、Alエッチングレートが大きい場合、Alの腐食性も大きいことになる。
SiウェハにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)をスピン塗布後、100℃で2分間ベークした。次にポジ型フォトレジストNPR3510PG(ナガセケムテックス株式会社製)をスピン塗布し、100℃で2分間のプリベークを行った。続いてPLA(キヤノン製)を用いてフォトレジストを全面露光し、完全に感光させた。最後に120℃で2分間のポストベークを行い、平均膜厚が15000オングストロームである、露光済みのフォトレジストベタ基板(すなわち、ブランケットウェハ。以下同様。)を作成した。SiウェハにHMDSをスピン塗布後、100℃で2分間ベークした。次にポジ型フォトレジストNPR3510PG(ナガセケムテックス株式会社製)をスピン塗布し、100℃で2分間のプリベークを行った。最後に120℃で2分間のポストベークを行い、平均膜厚が15000オングストロームである、未露光のフォトレジストベタ基板を作成した。基板作成後、両基板のフォトレジストの初期膜厚を光学式膜厚測定器にて測定した。両基板をそれぞれ、フォトレジスト用現像液組成物に室温で30秒間浸漬した。浸漬後、基板を取り出し、純水で洗浄後、N2ガスを用いたエアーガンで純水を吹き飛ばし、自然乾燥させた。自然乾燥後、膜厚測定器にて残存レジスト膜厚を測定した。初期膜厚と残存膜厚の差を浸漬時間で割り、レジスト溶解速度(Å/s)を計算した。また、露光済みのフォトレジストベタ基板のレジスト溶解速度を、未露光のフォトレジストベタ基板のレジスト溶解速度で割り、露光の有無によるレジスト溶解速度比(以下、溶解速度比)を計算した。その結果を表1に示す。また、溶解速度比に関係なく、未露光のフォトレジストの溶解速度が500Å/s以上であると、フォトレジスト全体の溶解速度が大きすぎ、現像プロセスをコントロールできないため、不適当である。また、溶解速度比に関係なく、露光済みフォトレジストの溶解速度が100Å/s未満であると、現像に長時間を要することとなり、不適当である。なお、比較例のうち、比較例2、3、4、6及び12については、未露光のフォトレジストの溶解速度が1Å/s以下である、又は露光済みフォトレジストの溶解速度が500Å/s以上であり、正確な溶解速度比を算出できない。したがって溶解速度比は算出していない。
A1:水酸化テトラメチルアンモニウム
B1:ソルビトール
B2:キシリトール
C1:ジメチルスルホキシド
C2:N,N−ジメチルアセトアミド
C3:ジエチレングリコール モノエチルエーテル
C4:ジエチレングリコール モノメチルエーテル
D1:純水
E1:グリセリン
E2:プロピレングリコール
表1に示す剥離剤組成物を用いたこと以外は実施例1と同様である。
表1に示す剥離剤組成物を用いたこと以外は実施例1と同様である。
Claims (11)
- A)水酸化テトラアルキルアンモニウムを0.5〜5重量%、B)炭素数が5以上の糖アルコールを10〜40重量%、C)多価アルコールを除く水溶性有機溶剤を3〜19重量%、及び、D)残部の水を含有し、感光性有機膜の露光部に対する溶解速度と感光性有機膜の未露光部に対する溶解速度との比が50以上である感光性有機膜用現像液組成物。
- 前記B)成分の含有量が、前記C)成分の含有量の80%以上である請求項1記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- 前記B)成分の含有量が12〜30重量%、前記C)成分の含有量が11〜17重量%である請求項1又は2記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- 前記A)成分が、水酸化テトラメチルアンモニウム及び水酸化テトラエチルアンモニウムの中から選択された少なくとも1種である請求項1〜3のいずれか記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- 前記B)成分が、ソルビトール及びキシリトールの中から選択された少なくとも1種である請求項1〜4のいずれか記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- 前記C)成分が、スルホキシド類、グリコールエーテル類及びアミド類の中から選択された少なくとも1種である請求項1〜5のいずれか記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- 前記C)成分が、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、N,N−ジメチルアセトアミド及びN−メチル−2−ピロリドンの中から選択された少なくとも1種である請求項1〜5のいずれか記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- 感光性有機膜パターンに対する2回目以降の現像処理に用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれか記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- エッチングマスクに使用後の感光性有機膜パターンに対する2回目以降の現像処理に用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれか記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- Al若しくはAl合金の単層膜、又は、少なくともAl若しくはAl合金を含む多層膜、のエッチングマスクに使用後の感光性有機膜パターンに対する2回目以降の現像処理に用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれか記載の感光性有機膜用現像液組成物。
- 前記感光性有機膜が、フォトレジストであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか記載の感光性有機膜用現像液組成物。
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