JPWO2007086316A1 - 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 - Google Patents
重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2007086316A1 JPWO2007086316A1 JP2007555908A JP2007555908A JPWO2007086316A1 JP WO2007086316 A1 JPWO2007086316 A1 JP WO2007086316A1 JP 2007555908 A JP2007555908 A JP 2007555908A JP 2007555908 A JP2007555908 A JP 2007555908A JP WO2007086316 A1 JPWO2007086316 A1 JP WO2007086316A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- overlay
- pattern
- management method
- measurement
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 225
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 156
- 238000007726 management method Methods 0.000 title claims description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 72
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims abstract description 48
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 171
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 147
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 78
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 29
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 93
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 203
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70533—Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
露光装置100は、デバイスパターンを、フォトレジストが塗布されたウエハに転写する装置である。露光装置100は、露光用照明光を射出する照明系、その照明光により照明されるデバイスパターン等が形成されたレチクルを保持するステージ、照明光により照明されたデバイスパターン等を投影する投影光学系、露光対象となるウエハを保持するステージ及びこれらの制御系等を備えている。露光装置100は、露光用照明光に対し、上記各ステージを駆動して、レチクルとウエハとの同期走査と、ウエハのステッピングとを交互に繰り返すことにより、レチクル上のデバイスパターンをウエハ上の複数の異なる領域に転写する。すなわち、露光装置100は、走査露光(ステップ・アンド・スキャン)方式の露光装置である。
露光装置100では、上記アライメント系によるEGA方式のウエハアライメントに関連する動作を規定するファクタが幾つかパラメータ化されている。露光装置100では、それらのパラメータ(アライメント関連パラメータと呼ぶ)に設定値を設定した状態で、その設定値の下でウエハアライメントが行われている。アライメント関連パラメータは、EGA計測又はEGA演算の処理条件として用いられるアライメント処理パラメータと、EGA補正量、又はウエハW上のショット領域SAPの配列の非線形成分に対応した重ね合わせ転写位置の補正量などの重ね合わせ露光補正条件パラメータとに大別される。
トラック200内には、露光装置100でのウエハの露光前後(すなわち、事前、事後)において、そのウエハに対する様々な測定検査を行うことが可能な複合的な測定検査器120と、ウエハに対してレジスト(感光剤)を塗布するとともに、露光後のウエハを現像するコータ・デベロッパ(以下、C/Dと略述する)110とが設けられている。
[測定検査器]
測定検査器120は、露光装置100及びC/D110とは、独立して動作可能である。また、測定検査器120は、その測定検査結果を、システム内の通信ネットワークを介して外部にデータ出力することができる。測定検査器120は、露光前の測定検査である事前測定検査と、露光後の測定検査である事後測定検査とを行う。
解析装置500は、露光装置100と、C/D110と、測定検査器120とは独立して動作する装置である。解析装置500は、各種装置から各種データ(例えばその装置の処理内容)を収集し、ウエハWに対する一連のプロセスに関するデータの解析を行う。このような解析装置500を実現するハードウエアとしては、例えばパーソナルコンピュータ(以下、適宜「PC」と略述する)を採用することができる。この場合、解析処理は、解析装置500のCPU(不図示)で実行される解析プログラムの実行により実現される。この解析プログラムは、CD−ROMなどのメディア(情報記録媒体)に記録され、該メディアからPCにインストールされた状態で実行される。
デバイス製造処理装置群900としては、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置910と、エッチング装置920と、化学的機械的研磨を行いウエハを平坦化する処理を行うCMP(Chemical Mechanical Polishing)装置930と、酸化・イオン注入装置940とが設けられている。CVD装置910は、ウエハ上に薄膜を生成する装置であり、CMP装置920は、化学機械研磨によってウエハの表面を平坦化する研磨装置である。また、エッチング装置920は、現像されたウエハに対しエッチングを行う装置であり、酸化・イオン注入装置940は、ウエハの表面に酸化膜を形成し、又はウエハ上の所定位置に不純物を注入するための装置である。CVD装置910、エッチング装置920、CMP装置930及び酸化・イオン注入装置940にも、2つの処理部(処理部1、2)が設けられており、スループットの向上が図られている。また、CVD装置910、エッチング装置920、CMP装置930及び酸化・イオン注入装置940にも、露光装置100などと同様に、相互間でウエハを搬送可能とするための搬送経路が設けられている。デバイス製造処理装置群900には、不図示ではあるが、この他にも、ダイシング処理、パッケージング処理、ボンディング処理などを行う装置も含まれている。
ステップ211において解析装置500は、以下に示す2つの解析処理を実行可能である。
(A)ショット領域全体の重ね合わせ誤差のみ考慮した重ね合わせの解析処理(以下、解析処理A)
(B)ショット領域内の重ね合わせ誤差の分布をも考慮した重ね合わせの解析処理(以下、解析処理B)
測定検査器120の事前測定処理において、複数の異なるアライメント関連パラメータの下でそのウエハWに対して行われたそれぞれのアライメント結果を使用する方法である。露光装置100における実際のアライメント関連パラメータの下でのそのウエハWに対するアライメント結果と、測定検査器120で測定された重ね合わせ誤差の実測値との相関関係に基づいて、その重ね合わせ誤差を低減することができるアライメント関連パラメータの設定状態を、この複数取得された測定検査器120でのアライメント結果の中から選択したり、最適なアライメント関連パラメータを推定する方法である。
露光装置100又は測定検査器120から取得したアライメント関連パラメータ及びアライメント結果に基づいて、測定検査器120で測定された重ね合わせ誤差が低減されるようなアライメント関連パラメータを推定する方法である。露光装置100において、変更後のアライメント関連パラメータによるアライメント結果を推定し、そのウエハWに対するウエハアライメントの際に用いられたアライメント関連パラメータによるアライメント結果と推定されたアライメント結果との差分(変化分)が、測定された重ね合わせ誤差を打ち消すような、アライメント関連パラメータの最適値が推定される。
次に、解析処理Bについて詳細に説明する。図6には、解析装置500における解析処理のフローチャートが示されている。図6に示されるように、まず、ステップ401において、図5のステップ301と同様に、初期設定として、予め、最適化対象となるアライメント関連パラメータのON/OFFの指定、重ね合わせ誤差の計測結果に対するずれ異常検出のための閾値設定、ウエハW間の重ね合わせ誤差のばらつきを算出する際のウエハ枚数の指定などを行う。上記最適化対象のパラメータは、解析処理Aと同様に制限が可能である。
Claims (46)
- 物体上の第1パターンと転写する第2パターンとの位置合わせ処理を行った後に、前記第1パターンに対して前記第2パターンを重ね合わせて転写する転写工程を含む一連の工程を複数の物体各々に対して順次行う間に、
任意のタイミングで、前記物体上における前記第1パターンと前記第2パターンとの重ね合わせ誤差を測定器を用いて実測し、その実測結果に基づいてそれらの重ね合わせ精度が悪化したと判断した場合に、前記位置合わせ処理の処理条件を解析装置を用いて最適化する最適化工程を含む重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記最適化工程は、
前記第1パターンと前記第2パターンとの重ね合わせ誤差の実測値に基づいて、前記重ね合わせ精度の異常を検出する第1副工程と;
異常が検出された場合に、前記重ね合わせ誤差の実測値と、前記位置合わせ処理の処理条件との相関関係に基づいて、その処理条件を最適化する第2副工程と;を含む重ね合わせ管理方法。 - 請求項2に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記第2副工程では、
前記位置合わせ処理の処理条件を最適化する複数の異なる最適化処理を実行可能であり、
前記第1パターンに対する前記第2パターンの重ね合わせ誤差の実測値に基づいて、実際に実行する最適化処理を選択する重ね合わせ管理方法。 - 請求項3に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記第2副工程では、
前記第1パターンに対する前記第2パターンの重ね合わせ誤差の実測値の物体間のばらつき度合が所定レベル以上であれば、物体間で個別に前記位置合わせ処理の処理条件を最適化する第1の最適化処理を行い、
前記第1パターンに対する前記第2パターンの重ね合わせ誤差の実測値の物体間のばらつき度合が所定レベルより小さければ、物体間で共通の前記位置合わせ処理の処理条件を最適化する第2の最適化処理を行う重ね合わせ管理方法。 - 請求項4に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記位置合わせ処理は、
前記物体上の複数の領域各々に形成された第1パターンの配列モデルに従って前記第2パターンを位置合わせする処理であり、
前記第1の最適化処理では、
前記配列モデルにおける前記各領域の位置と、その実測位置との残差成分が、前記複数の物体に渡って最小となるように、前記位置合わせ処理の処理条件を最適化する重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記位置合わせ処理における処理条件は、
前記物体上に形成された第1パターンに付設された複数のマークのうちの位置計測対象となるマークの数、配置、形状、そのマークの位置を計測する計測装置における計測条件と、その計測結果に基づいて実行される演算処理の演算条件とを含む処理パラメータ群と、
前記計測装置による前記マークの位置計測結果に基づいて算出される、前記物体上の第2パターンの転写位置を補正するための重ね合わせ露光補正条件パラメータ群とを含む重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
重ね合わせの異常が検出されたパターンの検出頻度に応じて、前記最適化工程を行う間隔を増減させる重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記重ね合わせの実測値に関する統計値に基づいて、重ね合わせの異常を検出する重ね合わせ管理方法。 - 請求項8に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記統計値は、前記重ね合わせ誤差の実測値の平均値、ばらつき、平均値とばらつきとの和の少なくとも1つである重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
重ね合わせの異常が検出されたパターンを、その後の処理対象から除外するパターンとして指定する重ね合わせ管理方法。 - 請求項10に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記物体は、半導体基板であり、
重ね合わせが異常であると判断されたパターンを含むチップを、チップ単位で、処理対象から除外する重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記パターンの重ね合わせの異常の判定レベルを複数段階で設け、
そのパターンの重ね合わせの各判定レベルに応じて、その後の処理状態を変更する重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
重ね合わせが異常であると判断されたパターンの検出頻度に応じて、前記パターンの重ね合わせに関する情報を測定する間隔と、前記パターンの欠陥に関する情報を検査する間隔との少なくとも一方を変更させる重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記パターンの重ね合わせの異常が検出されたことを、前記一連の工程の少なくとも一部を行った装置に通知する重ね合わせ管理方法。 - 請求項1に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記任意のタイミングは、物体毎、所定数の物体が処理される度及び所定時間間隔のいずれかである重ね合わせ管理方法。 - 物体上の複数の領域各々に形成された第1パターンと転写する第2パターンとの位置合わせ処理を行った後に、前記第1パターンに対して前記第2パターンを重ね合わせて転写する転写工程を含む一連の工程を、複数の物体各々に対して順次行う間に、
任意のタイミングで、前記物体上における前記第1パターンのパターン要素と前記第2パターンのパターン要素との重ね合わせ誤差を測定器を用いて実測し、その実測結果に基づいてそれらの重ね合わせ精度が悪化したと判断した場合に、前記一連の工程における処理条件を解析装置を用いて最適化する最適化工程を含む重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記最適化工程は、
前記第1パターンのパターン要素と第2パターンのパターン要素との重ね合わせ誤差の実測値に基づいて、前記重ね合わせの異常を検出する第1副工程と;
その異常が検出された場合に、前記重ね合わせ誤差の実測値と、前記一連の工程における処理条件との相関関係に基づいて、その処理条件を最適化する第2副工程と;を含む重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記第2副工程では、
前記位置合わせ処理の処理条件を最適化する複数の異なる最適化処理を実行可能であり、
前記第1パターンのパターン要素に対する前記第2パターンのパターン要素の重ね合わせ誤差の実測値に基づいて、実際に実行する最適化処理を選択する重ね合わせ管理方法。 - 請求項18に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記第2副工程では、
前記第1パターンのパターン要素と前記第2パターンのパターン要素との重ね合わせ誤差の分布のばらつきが領域間で所定レベル以上の場合には、前記位置合わせ処理の処理条件を最適化する第1の最適化処理を実行し、
前記第1パターンのパターン要素と前記第2パターンのパターン要素との重ね合わせ誤差の分布のばらつきが領域間で所定レベルより小さい場合には、領域間で共通の処理条件を最適化する第2の最適化処理を実行する重ね合わせ管理方法。 - 請求項19に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記第2の最適化処理では、
前記最適化する処理条件に、前記物体上に対する前記第2パターンの像の形成状態に関する処理条件が含まれる重ね合わせ管理方法。 - 請求項20に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記転写工程は、
前記第1パターンに対して前記第2パターンを投影光学系を介して重ね合わせて転写する工程を含み、
前記物体上に対する前記第2パターンの像の形成状態に関する処理条件には、前記投影光学系の結像特性を調整するための処理条件が含まれる重ね合わせ管理方法。 - 請求項19に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記第1の最適化処理では、
前記最適化する処理条件に、前記物体上の各パターン要素の配列に対する非線形な成分を補正可能なパラメータが含まれる重ね合わせ管理方法。 - 請求項22に記載の重ね合わせ管理方法において、
非線形な成分を補正可能なパラメータには、
位置合わせ処理の高次計算式モデル、高次の位置補正パラメータのいずれかが含まれる重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記位置合わせ処理における処理条件は、
前記物体上に形成された第1パターンに付設された複数のマークのうちの位置計測対象となるマークの数、配置、形状、そのマークの位置を計測する計測装置における計測条件と、その計測結果に基づいて実行される演算処理の演算条件とを含む処理パラメータ群と、
前記計測装置による前記マークの位置計測結果に基づいて算出される、前記物体上の第2パターンの転写位置を補正するための重ね合わせ露光補正条件パラメータ群とを含む重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
重ね合わせの異常が検出されたパターンの検出頻度に応じて、前記最適化工程を行う間隔を増減させる重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記重ね合わせの実測値に関する統計値に基づいて、重ね合わせの異常を検出する重ね合わせ管理方法。 - 請求項26に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記統計値は、前記重ね合わせ誤差の実測値の平均値、ばらつき、平均値とばらつきとの和の少なくとも1つである重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
重ね合わせの異常が検出されたパターンを、その後の処理対象から除外するパターンとして指定する重ね合わせ管理方法。 - 請求項28に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記物体は、半導体基板であり、
重ね合わせが異常であると判断されたパターンを含むチップを、チップ単位で、処理対象から除外する重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記パターンの重ね合わせの異常の判定レベルを複数段階で設け、
そのパターンの重ね合わせの各判定レベルに応じて、その後の処理状態を変更する重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
重ね合わせが異常であると判断されたパターンの検出頻度に応じて、前記パターンの重ね合わせに関する情報を測定する間隔と、前記パターンの欠陥に関する情報を検査する間隔との少なくとも一方を変更させる重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記パターンの重ね合わせの異常が検出されたことを、前記一連の工程の少なくとも一部を行った装置に通知する重ね合わせ管理方法。 - 請求項16に記載の重ね合わせ管理方法において、
前記任意のタイミングは、物体毎、所定数の物体が処理される度、
物体上のパターン要素毎、所定数の物体上のパターン要素が処理される度、
及び所定時間間隔のいずれかである重ね合わせ管理方法。 - 複数の物体各々に対する重ね合わせ露光を管理する重ね合わせ管理装置において、
請求項1〜33のいずれか一項に記載の重ね合わせ管理方法を用いて、前記複数の物体におけるパターンの重ね合わせを管理する重ね合わせ管理装置。 - 物体上にパターンを形成する一連のプロセスの少なくとも一部を実行する処理装置において、
請求項34に記載の重ね合わせ管理装置を備える処理装置。 - 物体上に形成されたパターンの重ね合わせ誤差に関する情報を測定する測定装置において、
請求項34に記載の重ね合わせ管理装置を備える測定装置。 - 物体上にパターンを転写する露光装置において、
請求項34に記載の重ね合わせ管理装置を備える露光装置。 - 物体上の複数の異なる領域各々にパターンを重ね合わせて転写する露光装置と;
前記パターンの転写後に、前記パターンの重ね合わせ誤差に関する情報を測定する事後測定器と;
前記露光装置に関する情報と、前記事後測定器の測定結果とに基づいて、前記物体上のパターンの重ね合わせを管理する請求項34に記載の重ね合わせ管理装置と;を備えるデバイス製造システム。 - 請求項38に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記露光装置への搬入前に、前記物体の位置合わせに関する情報を測定する事前測定器をさらに備え、
前記重ね合わせ管理装置は、
前記物体上のパターンの重ね合わせを管理する際に、前記事前測定器の測定結果を考慮するデバイス製造システム。 - 請求項39に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記重ね合わせ管理装置は、
前記露光装置における処理条件と、前記事前測定器における処理条件との少なくとも一方を最適化するデバイス製造システム。 - 物体上の複数の異なる領域各々にパターンを転写する露光工程と;
前記露光工程が実行された後に、前記パターンの重ね合わせ誤差に関する情報を測定する事後測定工程と;
請求項1〜33のいずれか一項に記載の重ね合わせ管理方法を用いて、前記露光工程に関する情報と、事後測定工程の測定結果に関する情報とに基づいて、前記物体上のパターンの重ね合わせを管理する重ね合わせ管理工程とを;含むデバイス製造方法。 - 請求項41に記載のデバイス製造方法において、
前記露光工程に先立って、
前記物体の位置合わせに関する情報を測定する事前測定工程をさらに含み、
前記重ね合わせ管理工程では、
前記物体上のパターンの重ね合わせを管理する際に、前記事前測定工程の測定結果を考慮するデバイス製造方法。 - 請求項42に記載のデバイス製造方法において、
前記重ね合わせ管理工程では、
前記露光工程における処理条件と、前記事前測定工程における処理条件との少なくとも一方を最適化するデバイス製造方法。 - 請求項42に記載のデバイス製造方法において、
前記事前測定工程を行う測定器と、前記事後測定工程を行う測定器とを同一とするデバイス製造方法。 - 請求項1〜33のいずれか一項に記載の重ね合わせ管理方法を用いて、物体上の複数の異なる領域各々にパターンを重ね合わせて形成する際の前記物体と前記パターンとの位置合わせにおける位置合わせ処理の処理条件の解析処理をコンピュータに実行させるプログラム。
- 請求項45に記載のプログラムが記録されたコンピュータにより読み取りが可能な情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007555908A JP5194800B2 (ja) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006017029 | 2006-01-26 | ||
JP2006017029 | 2006-01-26 | ||
JP2007555908A JP5194800B2 (ja) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
PCT/JP2007/050761 WO2007086316A1 (ja) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007086316A1 true JPWO2007086316A1 (ja) | 2009-06-18 |
JP5194800B2 JP5194800B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=38309111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007555908A Active JP5194800B2 (ja) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7718327B2 (ja) |
JP (1) | JP5194800B2 (ja) |
KR (1) | KR101440630B1 (ja) |
TW (1) | TWI455176B (ja) |
WO (1) | WO2007086316A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1036096A1 (nl) * | 2007-11-06 | 2009-05-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method. |
JP5252893B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2013-07-31 | キヤノン株式会社 | 検査装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
EP2392970A3 (en) * | 2010-02-19 | 2017-08-23 | ASML Netherlands BV | Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus |
IL210832A (en) * | 2010-02-19 | 2016-11-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic facility and method of manufacturing facility |
NL2009345A (en) | 2011-09-28 | 2013-04-02 | Asml Netherlands Bv | Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods. |
US9990708B2 (en) | 2013-02-20 | 2018-06-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern-measuring apparatus and semiconductor-measuring system |
US8900885B1 (en) | 2013-05-28 | 2014-12-02 | International Business Machines Corporation | Wafer bonding misalignment reduction |
US9366524B2 (en) * | 2013-10-08 | 2016-06-14 | Kla-Tencor Corporation | Alignment sensor and height sensor |
TWI768342B (zh) | 2015-02-23 | 2022-06-21 | 日商尼康股份有限公司 | 測量裝置、微影系統及曝光裝置、測量方法及曝光方法 |
EP3264180B1 (en) * | 2015-02-23 | 2020-01-08 | Nikon Corporation | Substrate processing system and substrate processing method, and device manufacturing method |
WO2017067765A1 (en) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to correct for patterning process error |
KR102136796B1 (ko) * | 2015-10-19 | 2020-07-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 비선형 거동의 영향을 저감시키는 방법 및 장치 |
US10691863B2 (en) | 2015-10-19 | 2020-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to correct for patterning process error |
WO2017067757A1 (en) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to correct for patterning process error |
US9865706B2 (en) * | 2015-11-09 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Integrated process and structure to form III-V channel for sub-7nm CMOS devices |
US9625831B1 (en) | 2015-11-25 | 2017-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of semiconductor device |
CN113608418B (zh) | 2016-09-30 | 2023-12-15 | 株式会社尼康 | 测量系统及基板处理系统、及元件制造方法 |
US11448973B2 (en) * | 2017-12-19 | 2022-09-20 | Asml Netherlands B.V. | Computational metrology based correction and control |
CN113376969A (zh) * | 2020-03-10 | 2021-09-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09115817A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JPH09246151A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000133568A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Sony Corp | 測定値検定方法および装置 |
JP2003247807A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 合わせ精度計測装置及びその方法並びに半導体装置の製造方法及びそのシステム |
WO2004092865A2 (ja) * | 2003-04-17 | 2004-10-28 | Nippon Kogaku Kk | 選出方法、露光方法、選出装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004356553A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査方法及び重ね合わせ検査装置 |
JP2005033208A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Asml Netherlands Bv | 結像プロセス中のパターンの像の修正 |
JP2005513771A (ja) * | 2001-12-17 | 2005-05-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | フィードフォワードオーバーレイ情報を導入したフォトリソグラフィー・オーバーレイ整合を制御するための方法および装置 |
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW511146B (en) * | 2000-05-31 | 2002-11-21 | Nikon Corp | Evaluation method, position detection method, exposure method and device manufacturing method, and exposure apparatus |
JP2004265957A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-24 | Nikon Corp | 最適位置検出式の検出方法、位置合わせ方法、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス |
-
2007
- 2007-01-19 WO PCT/JP2007/050761 patent/WO2007086316A1/ja active Application Filing
- 2007-01-19 JP JP2007555908A patent/JP5194800B2/ja active Active
- 2007-01-19 KR KR1020087018355A patent/KR101440630B1/ko active IP Right Grant
- 2007-01-25 TW TW096102762A patent/TWI455176B/zh active
-
2008
- 2008-07-21 US US12/176,902 patent/US7718327B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09115817A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JPH09246151A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000133568A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Sony Corp | 測定値検定方法および装置 |
JP2005513771A (ja) * | 2001-12-17 | 2005-05-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | フィードフォワードオーバーレイ情報を導入したフォトリソグラフィー・オーバーレイ整合を制御するための方法および装置 |
JP2003247807A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 合わせ精度計測装置及びその方法並びに半導体装置の製造方法及びそのシステム |
WO2004092865A2 (ja) * | 2003-04-17 | 2004-10-28 | Nippon Kogaku Kk | 選出方法、露光方法、選出装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004356553A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査方法及び重ね合わせ検査装置 |
JP2005033208A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Asml Netherlands Bv | 結像プロセス中のパターンの像の修正 |
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5194800B2 (ja) | 2013-05-08 |
TW200746253A (en) | 2007-12-16 |
US7718327B2 (en) | 2010-05-18 |
KR101440630B1 (ko) | 2014-09-15 |
US20080286667A1 (en) | 2008-11-20 |
TWI455176B (zh) | 2014-10-01 |
WO2007086316A1 (ja) | 2007-08-02 |
KR20080096520A (ko) | 2008-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5194800B2 (ja) | 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 | |
US8566756B2 (en) | Processing condition determining method and apparatus, display method and apparatus, processing apparatus, measurement apparatus and exposure apparatus, substrate processing system, and program and information recording medium | |
JP5077770B2 (ja) | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 | |
US8804137B2 (en) | Unique mark and method to determine critical dimension uniformity and registration of reticles combined with wafer overlay capability | |
JP4710827B2 (ja) | アライメント条件決定方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
CN108713166B (zh) | 计算用于控制制造工艺的校正的方法、计量设备、器件制造方法和建模方法 | |
JP2004265957A (ja) | 最適位置検出式の検出方法、位置合わせ方法、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス | |
JP4947483B2 (ja) | デバイス製造処理方法、デバイス製造処理システム、プログラム及び記憶媒体 | |
JP2011119457A (ja) | 位置合わせ条件最適化方法及びシステム、パターン形成方法及びシステム、露光装置、デバイス製造方法、並びに重ね合わせ精度評価方法及びシステム | |
JP4873230B2 (ja) | 露光方法、露光装置、計測方法及び計測装置 | |
JP5128065B2 (ja) | 情報処理装置、デバイス製造処理システム、デバイス製造処理方法、プログラム | |
JP5152612B2 (ja) | 情報管理方法、情報管理システム、プログラム、記録媒体、パターン検査装置及び基板検査装置 | |
JP5838594B2 (ja) | ダブルパターニング最適化方法及びシステム、パターン形成方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP4947269B2 (ja) | 測定検査方法、測定検査装置、露光装置及びデバイス製造処理装置 | |
JP5252249B2 (ja) | デバイス製造処理方法 | |
JP2008205393A (ja) | アライメントマークの位置検出の条件を決定する方法、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2013254849A (ja) | パターン形成最適化方法及びシステム、露光方法及び装置、検出装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2012079735A (ja) | マスク伸縮補正最適化方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びにデバイス製造システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5194800 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |