JPWO2006132315A1 - バッファ回路 - Google Patents

バッファ回路 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2006132315A1
JPWO2006132315A1 JP2007520157A JP2007520157A JPWO2006132315A1 JP WO2006132315 A1 JPWO2006132315 A1 JP WO2006132315A1 JP 2007520157 A JP2007520157 A JP 2007520157A JP 2007520157 A JP2007520157 A JP 2007520157A JP WO2006132315 A1 JPWO2006132315 A1 JP WO2006132315A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
buffer circuit
stage
switch
inverting amplification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007520157A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5079504B2 (ja
Inventor
木 史 朗 松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TPO Hong Kong Holding Ltd
Original Assignee
TPO Hong Kong Holding Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TPO Hong Kong Holding Ltd filed Critical TPO Hong Kong Holding Ltd
Priority to JP2007520157A priority Critical patent/JP5079504B2/ja
Publication of JPWO2006132315A1 publication Critical patent/JPWO2006132315A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5079504B2 publication Critical patent/JP5079504B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H03F3/3022CMOS common source output SEPP amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
    • H03F1/342Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback in field-effect transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/54Two or more capacitor coupled amplifier stages in cascade
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7231Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into cascade or not, by choosing between amplifiers by one or more switch(es)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本発明は、特にプロセスに起因するトランジスタのオン抵抗のばらつきによる消費電力のばらつきを抑制すると共に消費電力を削減でき、かつ大きな駆動力を得ることのできるバッファ回路を提供する。容量結合された奇数段の反転増幅段と、前記反転増幅段の最終段出力端から初段入力端へ負帰還を行う負帰還路と、基準電流供給源と、各反転増幅段間に設けられた第1のスイッチと、少なくとも最終段の負荷トランジスタに対して前記基準電流供給源とカレントミラー回路を選択的に構成させるように接続する第2のスイッチとを備える。

Description

本発明は、バッファ回路に係り、特にDA変換器のアナログ出力バッファに関するものである。本発明は、特に液晶表示装置に使用される出力バッファ回路、特に低温ポリシリコン(LTPS)技術により液晶表示装置のガラス基板上に同時に作りこんだ出力バッファ回路に好適なものである。
従来用いられている、DA変換器出力に接続されるアナログバッファ回路としては、図7の回路図に示すように、3段のインバータアンプ(反転増幅器)を容量接続および負帰還接続することにより構成されたものが知られている。
以下の各図面においては、ゲート端子に小さな丸を付けることによりPチャネルMOSトランジスタを表すものとする。
このアナログバッファ回路は、電源VDDと接地VSS間に直列接続されたPチャネルMOSトランジスタPT1とNチャネルMOSトランジスタNT1とからなる第1のインバータ、同様にトランジスタPT2とNT2の直列接続からなる第2のインバータ、トランジスタPT3とNT3の直列接続からなる第3のインバータを備えている。トランジスタPT1とトランジスタNT1のゲート共通接続点はキャパシタC1を介して入力端子に接続され、トランジスタPT1とNT1の接続ノードN1とゲート共通接続点との間には第1のスイッチSW1が設けられている。
同様に、接続ノードN1と、トランジスタPT2とトランジスタNT2とのゲート共通接続点との間にはキャパシタC3が接続されている。このトランジスタPT2とトランジスタNT2とのゲート共通接続点とトランジスタPT2とトランジスタNT2の接続ノードN2との間には第2のスイッチSW2が設けられている。
さらに、接続ノードN2と、トランジスタPT3とトランジスタNT3とのゲート共通接続点との間にはキャパシタC4が接続されている。このトランジスタPT3とトランジスタNT3とのゲート共通接続点とトランジスタPT3とトランジスタNT3の接続ノードN3との間には第3のスイッチSW3が設けられている。ノードN3は出力ノードVOUTになっている。
キャパシタC1の入力端子と反対側はキャパシタC2および第4のスイッチSW4を介してノードN3に接続されることにより負帰還経路を形成しており、キャパシタC2とスイッチSW4の接続点にはスイッチSW5を介して参照電圧Vrefが供給される。
このように、このアナログバッファ回路では、3段のインバータを容量接続し、負帰還により回路を構成している。
次にこの回路の動作を説明する。
まず、初期化および待機時の動作を行うスタンバイモード(セットアップモードとも言う)においては、スイッチSW1、SW2、SW3、SW5をオンとし、スイッチSW4をオフとする。これにより、参照電圧Vrefが供給されることにより、キャパシタC2、C3、C4が充電される。
次に、バッファとしての動作を行うアクティブモード時には、スイッチSW1、SW2、SW3、SW5をオフとし、スイッチSW4をオンとする。これにより、入力電圧に応じてトランジスタが駆動され、インバータ段ごとに反転された信号が次段に伝達され、出力点VOUTには反転出力が現れることになる。
図8は従来のアナログバッファ回路の他の例を示す回路図である。この回路は後述する非特許文献1に開示されているものである。
このバッファ回路は大別して3つの部分から成る。
まず、第1の部分は、電流源回路であって、電源VDDと接地VSSとの間に直列接続された4つのトランジスタPT11、PT12、NT11、NT12により構成される。すなわち、ソースが電源VDDに接続されたトランジスタPT11のゲートとドレインが接続され、このドレインにトランジスタPT12のソースが接続され、そのゲートは接地VSSに接続され、トランジスタPT12のドレインにはトランジスタNT12のドレインが接続され、そのゲートは電源VDDに接続されている。トランジスタNT12のソースにはトランジスタNT11のドレインが接続され、このドレインはソースと接続され、ソースは接地されている。
この電流源回路は電流I1を発生する。
次に第2の部分は演算増幅器(オペアンプ)である。この演算増幅器は2つの増幅器からなっており、第1の増幅器においては、電流源回路のトランジスタPT11とゲートが共通接続され、ソースが電源VDDに接続されたバイアストランジスタPT21のドレインには2つのトランジスタPT22およびPT23のソースが接続され、これらのドレインにはゲートが共通接続された2つのNチャネルトランジスタNT21およびNT22のドレインが接続され、これらのソースはいずれも接地されており、負荷トランジスタとして機能する。
以上の構成とは対称な形でもう一つの第2の増幅器が構成される。
この増幅器においては、バイアストランジスタNT33のドレインには2つの差動トランジスタNT31およびNT32のソースが接続され、これらのドレインにはゲートが共通接続され、各ソースが電源VDDに接続された2つの負荷トランジスタPT31およびPT32のドレインが接続されている。
トランジスタPT23およびNT31のゲートには入力VINが供給される。また、差動対の他方側のトランジスタPT22およびNT32のゲートは出力点であるノードN10と接続されている。
このノードN10にドレインが接続され、ソースが電源VDDに接続されたPチャネルトランジスタPT41および、ノードN10にドレインが接続され、ソースが接地VSSに接続されたNチャネルトランジスタNT41が設けられており、これらは反転回路を構成する。トランジスタPT41のゲートには右側の増幅器出力が接続され、トランジスタNT41のゲートには左側の増幅器出力が接続されている。
この回路では、電流源で安定駆動される演算増幅器を有しているため、1段の反転回路でも安定したバッファ出力を得ている。
「2-inchqVGA SOG-LCD employing TS-SLS」,Kook Chul Moon, et al., Digest of Technical Papers, AM-LCD04, 2004年アクティブマトリクス液晶表示装置ワークショップ、2004年8月25-27日
しかしながら、従来の構成ではプロセスに依存して消費電力が大きい場合があるという問題がある。特に、スタンバイモードの際にもアクティブモード時と同様に電流が流れるため、全体として消費電力が大きいという問題がある。
また、低温ポリシリコン(LTPS)により回路素子が形成される場合には、プロセスに起因してトランジスタ特性(オン抵抗)にばらつきが生じ、その結果、消費電力のばらつきが大きくなるという問題がある。このような消費電力のばらつきは、図8に見られる4つのトランジスタの直列回路などにおいて顕著である。しかも、この消費電力のばらつきは、外部基準電流源の安定性や供給能力などとは無関係に、トランジスタ特性そのものが原因となっているため、制御あるいは調整が困難である。以上のような事情は図7により説明した従来例においても同様である。
そこで、本発明は、プロセスに起因するトランジスタのオン抵抗のばらつきによる消費電力のばらつきを抑制し、かつ大きな駆動力を得ることのできるアナログバッファ回路を提供することを目的とする。
本発明に係るバッファ回路は、
容量結合された奇数段の反転増幅段と、
前記反転増幅段の最終段出力端から初段入力端へ負帰還を行う負帰還路と、
基準電流供給源と、
各反転増幅段間に設けられた第1のスイッチと、
少なくとも最終段の負荷トランジスタに対して前記基準電流供給源とカレントミラー回路を選択的に構成させるように接続する第2のスイッチとを備える。
スタンバイモードとアクティブモードを切り換える第1及び第2のスイッチを設け、スタンバイモード時に基準定電流源に結合されるカレントミラートランジスタにより定電流を流すようにしているので、プロセスばらつきが大きくとも、基準電流源が安定したものであれば、アナログバッファ回路の消費電力を減少させることができる。
本発明にかかるアナログバッファ回路の一実施の形態を示す回路図である。 図1で説明したアナログバッファ回路の変形例を示す回路図である。 図8により説明した従来のアナログバッファ回路に本発明を適用した実施の形態を示す回路図である。 本発明にかかるアナログバッファの他の実施の形態を示す回路図である。 従来のバッファ回路を模式的に表した概略回路図である。 図5における問題をなくした構成を示す概略回路図である。 従来用いられている典型的なアナログバッファ回路を示す回路図である。 従来のアナログバッファ回路の他の例を示す回路図である。
符号の説明
PT PチャネルMOSトランジスタ
NT NチャネルMOSトランジスタ
C キャパシタ
SW スイッチ
以下、図面を参照して本発明の実施の形態のいくつかを説明する。
図1は本発明にかかるアナログバッファ回路の一実施の形態を示す回路図であって、図7の構成に改良を加えたものである。したがって、図と同じ構成要素については同じ参照番号を付し、その詳細な説明を省略する。
この実施の形態においてはPチャネルトランジスタPT4でなる定電流Irefの基準電流回路をさらに設け、各インバータにおけるPチャネルトランジスタPT1、PT2の各ゲートを基準電流源のトランジスタPT4のゲートと接続してカレントミラーを構成している。この結果、トランジスタNT1、NT2、NT3は従来の相補型インバータではなく、ソース接地型の反転増幅器となる。また、トランジスタPT3については、スイッチSW6を介して基準電流源のトランジスタPT4のゲートと接続されるが、このスイッチSW6がオンとなったときにはトランジスタPT3は同様にカレントミラーを構成する。また、トランジスタPT3のゲートは従来のようにキャパシタC4とスイッチSW3の接続点に接続されるのではなく、キャパシタC5を介してトランジスタPT2のドレイン(ノードN2)に接続されている。
この回路の動作を説明する。
スタンバイモードのときにはスイッチSW1、SW2、SW3、SW5、SW6をオンとし、スイッチSW4をオフとする。
これにより、各インバータの上側の各トランジスタPT1、PT2、PT3はカレントミラー回路として動作するため、少ない電流が流れ、一方基準電圧源VrefによりキャパシタC2が充電される。次に、スイッチSW1、SW2、SW3、SW5、SW6をオフとし、スイッチSW4をオンとすることによりアクティブモードとなり、入力信号VINは各インバータとC1、C2の帰還ループによりで反転され、出力信号VOUTとして取りだされる。
この際、最終段のカレントミラーであるトランジスタPT3は増幅器としても機能するため、駆動力を増強させることができる。
図2は、図1で説明したアナログバッファ回路の変形例であり、図1に示した構成に加えて、ノードN1と接地VSSとの間にゲートとドレインが接続されたNチャネルトランジスタNT4を設けたものである。
このトランジスタNT4は動作保証用のトランジスタであって、ドレイン側の電位が少しでも上昇した場合にオンとなり、第1段の反転増幅器が確実に動作することを補助するものである。
図3は図8により説明した従来のアナログバッファ回路に本発明を適用した実施の形態を示す回路図である。この図においても、図1と対応する構成要素については、同じ参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
図8とは異なる部分は、PチャネルトランジスタPT51でなる定電流Irefの基準電流回路を設けて、電流源回路の代わりにカレントミラーを構成するトランジスタPT11とソース接地型増幅器NT11に変更し、さらに従来の反転増幅器(PT41およびNT41)の下流側にさらにもう一つのカレントミラーを構成するトランジスタPT42を設け、そのドレインとノードN11との間にスイッチSW2、トランジスタNT32のゲートとトランジスタPT41との接続点N10とノードN11との間にスイッチSW3、N10と接地VSSとの間にソース接地されたトランジスタNT41とスイッチSW1とを直列接続し、ノードN11と出力端子VOUT間にスイッチSW4を設けるようにした点である。なお、ソース接地された新たなトランジスタNT41のゲートはカレントミラーNT11のゲートに接続されている。
このような構成における動作を説明すると、スタンバイモードの際にはスイッチSW1とSW2をオン、スイッチSW3とSW4をオフとする。これによりカレントミラーを構成するトランジスタPT22、PT22、PT42には微小な基準電流のみが流れ、回路内の各ノードが初期状態とされる。
次に、スイッチSW1とSW2をオフ、スイッチSW3とSW4をオンとすればアクティブモードとなり、入力信号VINに応じて3段の反転増幅段NT11、NT41、NT42で反転増幅が行われる。以上の構成によれば、カレントミラーにより電流が供給され、大電流の流れる電流供給回路も有していないため、全体の消費電力は削減される。
また、従来のような4つのトランジスタの直列回路による電流供給回路を有しないため、LTPSプロセスで回路が作られる場合でも、プロセスに起因するトランジスタのオン抵抗のばらつきによる消費電力のばらつきを生じない。
図4は本発明にかかるアナログバッファの他の実施の形態を示す回路図であり、図1に示した実施の形態をさらに発展させたものである。
この回路は図1に示した実施の形態と同様に、3段のソース接地増幅器NT101、NT102、NT103を有しており、これらはそれぞれキャパシタC103およびC105を介して結合されている。また、2つの基準電流源を有しており、1つはソースがVSS線に接続され、ゲートとドレインが接続されたトランジスタNT101でなり、第1の基準電流Iref1を供給する。他の一つは電源VDDにソースが接続され、ゲートとドレインが接続されたトランジスタPT104でなり、第2の基準電流Iref2を供給する。
トランジスタNT104のゲートは第1段の増幅器をなすトランジスタNT101のゲートとスイッチSW101を介して接続され、スイッチSW1が閉じられるとこの2つのトランジスタはカレントミラーとしても機能する。トランジスタNT101のドレインにドレインが接続された負荷トランジスタPT101のソース側には、ソースがVDDに接続され、ゲートがドレインと接続されてさらにトランジスタPT101のドレインに接続されたトランジスタPT105が接続されている。このトランジスタPT105とゲートが共通接続され、ソースが電源VDDに接続されたトランジスタPT106は、トランジスタPT105とともにカレントミラーを構成しており、そのドレインは、ゲートがトランジスタPT101のゲートと共通接続されたトランジスタPT102のソースと接続され、このトランジスタPT102のドレインは第2の増幅器をなすトランジスタNT102のドレインと接続されている。第2のスイッチSW102はトランジスタNT102のゲートとドレインとの間に接続されている。
トランジスタNT02のドレインには二つのキャパシタC104、C105が接続され、キャパシタC104の他端はスイッチSW103を介して出力端VOUTに接続されるとともにトランジスタNT103のゲートに接続されている。また、キャパシタC105の他端は、トランジスタPT103のゲートとスイッチSW104を介してトランジスタPT104のゲートに接続されている。トランジスタPT103のソースは電源VDDに接続されている。
入力VINはキャパシタC101を介してトランジスタNT101のゲートに接続されると共に、キャパシタC102を介し、さらにスイッチSW106を介して基準電圧Vrefに接続されると共に、スイッチSW105を介して出力端VOUTに接続される。
次にこの回路の動作を説明する。
スタンバイモード時にはスイッチSW101、SW102、SW103、SW104、SW106をオンとし、スイッチSW105をオフとする。これにより、各カレントミラーをなすトランジスタPT103およびNT101には基準電流Iref2および基準電流Iref1が流れるのみであるので、消費電力を抑えることができる。
アクティブモード時には、スイッチSW101、SW102、SW103、SW104、SW106をオフとし、スイッチSW105をオンとする。これにより、3つの反転増幅器及びC101、C102による負帰還により入力信号が反転され、出力が取り出される。この際、最終段のトランジスタPT103はスイッチSw104が開放されることにより増幅作用も行うため、駆動力を増大させることができる。
次にバッファ回路における安定性について考察する。
図5は従来のバッファ回路を模式的に表した図であって、3段の反転増幅段A1、A2、A3を有し、各増幅段の前にはキャパシタC1、C2、C3が配置され、キャパシタ結合となっている。
通常バッファ回路では動作の安定性のため、負帰還(ネガティブフィードバック:NFB)がかけられ、図5に示すように出力側から入力側にキャパシタC5による帰還路が設けられる。また、中間段の増幅段A2においてはその両端間に位相補償用のいわゆるミラーキャパシタとしてキャパシタC5が設けられることが多い。
しかし、この回路構成では位相マージンが十分ではない場合がある。例えば位相マージンが22°にまで低下することがある。
一般的に十分な動作安定性を得るには位相マージンが45°以上必要と言われており、これが少ないと出力にリンギングや発振が起こることがある。位相マージン22°は非常に低い値であり、動作安定性が低く、発振しやすく、過渡特性波形にリンギングが起こりやすい。
このため、図6に示すように、従来の位相補償用のキャパシタC4を除くとともに、それぞれゲートとドレインを接続したPMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN1を1段目の反転増幅段の出力に接続するようにした。
これにより、1段目の反転増幅段の出力点におけるインピーダンスを低下させることができ、位相マージンは60°以上にすることができ、安定性の面で大幅な改善が見られた。
このような安定性向上のためのPMOSトランジスタとNMOSトランジスタを第1段の増幅器出力点に接続することは、上述した各実施の形態においても同様に有効である。
以上説明した各実施の形態では信号を反転させる部分を3つ有していたが、3以上の奇数段に本発明を適用することがことが好ましい。すなわち、負帰還を前提とするため奇数段であることが必要な他、反転部1段だけではゲインが不足することがあり、バッファの出力電圧の精度やドライブ能力が不足するため好ましくないためである。一方、反転部の段数が多くても、ゲインが高すぎたり、各反転部での位相遅れなどの影響が大きく等の悪影響があるため、反転部3段がゲイン、安定性の面で最もバランスが取れていると考えられるが、これに限定されるものではなく、奇数段の反転増幅器を持つものに適用が可能である。 また、最終段の増幅器の一部はスイッチ選択によりスタンバイモード時には必ずカレントミラー動作を行うが、アクティブモード時に反転増幅器の一部として機能させることは任意である。
また、上述した各実施の形態においては、基準電流源の電流値は一定であったが、アクティブモード時の駆動力よりもスタンバイ時の消費電力減少を主にするように小電流設定にするか、スタンバイ時の消費電力減少はほどほどにしてアクティブモード時の駆動力を増加させる大電流設定にするかは設計者の選択で決定することができる。さらに、このような設定をプログラムできるようにしても良い。

Claims (6)

  1. 容量結合された奇数段の反転増幅段と、
    前記反転増幅段の最終段出力端から初段入力端へ負帰還を行う負帰還路と、
    基準電流供給源と、
    各反転増幅段間に設けられ、動作モードに応じて切り換えられる第1のスイッチと、
    動作モードに応じて、少なくとも最終段のトランジスタに対して前記基準電流供給源とカレントミラー回路を選択的に構成させるように接続する第2のスイッチと、
    を備えたバッファ回路。
  2. 前記反転増幅段は、ソース接地増幅器であることを特徴とする請求項1に記載のバッファ回路。
  3. 前記反転増幅段の前に演算増幅器を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載のバッファ回路。
  4. 前記反転増幅段は、増幅部分と能動負荷部分とを有し、この能動負荷部分は前記スイッチの操作によりスタンバイモード時には前記基準電流供給源とカレントミラー回路を形成し、アクティブモード時には増幅部分に対する増幅器となるように構成されたことを特徴とする請求項1に記載のバッファ回路。
  5. 前記反転増幅段の中間段の入力ノードに、それぞれゲートとドレインを接続し、かつソースを基準電位に接続したPチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタを接続したことを特徴とする請求項1に記載のバッファ回路。
  6. 前記基準電流供給源は、PチャネルMOSトランジスタ用とNチャネルMOSトランジスタ用の2種類備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のバッファ回路。
JP2007520157A 2005-06-10 2006-06-08 バッファ回路 Expired - Fee Related JP5079504B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007520157A JP5079504B2 (ja) 2005-06-10 2006-06-08 バッファ回路

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005171554 2005-06-10
JP2005171554 2005-06-10
PCT/JP2006/311511 WO2006132315A1 (ja) 2005-06-10 2006-06-08 バッファ回路
JP2007520157A JP5079504B2 (ja) 2005-06-10 2006-06-08 バッファ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2006132315A1 true JPWO2006132315A1 (ja) 2009-01-08
JP5079504B2 JP5079504B2 (ja) 2012-11-21

Family

ID=37498511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007520157A Expired - Fee Related JP5079504B2 (ja) 2005-06-10 2006-06-08 バッファ回路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7626428B2 (ja)
JP (1) JP5079504B2 (ja)
CN (1) CN101204008B (ja)
TW (1) TW200713803A (ja)
WO (1) WO2006132315A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010288266A (ja) * 2009-05-15 2010-12-24 Canon Inc 全差動増幅回路

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101512B1 (ko) * 2010-07-29 2012-01-03 삼성전기주식회사 씨모스 파워 증폭기
EP2437134B1 (en) * 2010-10-01 2013-07-31 STMicroelectronics (Rousset) SAS Low electromagnetic emission driver
US8570095B1 (en) * 2012-05-11 2013-10-29 Semiconductor Components Industries, Llc Offset-compensated active load and method
JP2020005019A (ja) * 2018-06-25 2020-01-09 ヤマハ株式会社 電力増幅装置
JP7396041B2 (ja) * 2019-12-27 2023-12-12 ニデックパワートレインシステムズ株式会社 モータ駆動用制御基板、及び電動オイルポンプ
CN112468101B (zh) * 2021-01-28 2021-04-30 上海灵动微电子股份有限公司 超低静态功耗的缓冲器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0169157B1 (ko) * 1993-11-29 1999-02-01 기다오까 다까시 반도체 회로 및 mos-dram
JP4067582B2 (ja) 1993-11-29 2008-03-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体回路
JP3564347B2 (ja) * 1999-02-19 2004-09-08 株式会社東芝 表示装置の駆動回路及び液晶表示装置
KR100370233B1 (ko) * 1999-05-19 2003-01-29 삼성전자 주식회사 입력버퍼 회로
JP3958491B2 (ja) * 2000-02-25 2007-08-15 新日本無線株式会社 駆動回路
JP4629279B2 (ja) * 2001-08-17 2011-02-09 富士通セミコンダクター株式会社 オフセットキャンセル機能を有するオペアンプ
JP4408715B2 (ja) * 2003-09-26 2010-02-03 Necエレクトロニクス株式会社 駆動回路および処理回路
JP4421365B2 (ja) * 2004-04-21 2010-02-24 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 レベル変換回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010288266A (ja) * 2009-05-15 2010-12-24 Canon Inc 全差動増幅回路

Also Published As

Publication number Publication date
JP5079504B2 (ja) 2012-11-21
US7626428B2 (en) 2009-12-01
TWI372516B (ja) 2012-09-11
US20090115463A1 (en) 2009-05-07
CN101204008A (zh) 2008-06-18
TW200713803A (en) 2007-04-01
WO2006132315A1 (ja) 2006-12-14
CN101204008B (zh) 2010-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0792013B1 (en) Operational amplification circuit
JP5079504B2 (ja) バッファ回路
JP4564285B2 (ja) 半導体集積回路
US7764121B2 (en) Differential amplifier, method for amplifying signals of differential amplifier, and display driving device having differential amplifier
US7605656B2 (en) Operational amplifier with rail-to-rail common-mode input and output range
US7358812B2 (en) Class AB operational buffer
JP2009152944A (ja) 出力ドライバ回路
JP2011050040A (ja) 演算増幅器及びそれを用いた半導体装置
US20110007058A1 (en) Differential class ab amplifier circuit, driver circuit and display device
EP1980017B1 (en) Amplifier circuit
JP4408715B2 (ja) 駆動回路および処理回路
KR100712500B1 (ko) 소비 전류를 감소시킬 수 있는 차동 증폭 회로
JP2003347858A (ja) 静止電流の制御が可能なab級バッファ増幅器
US20080111626A1 (en) Rail-to-rail class-AB operational amplifier
US8193862B2 (en) Operational amplifier
US6411166B2 (en) Fully differential, switched capacitor, operational amplifier circuit with common-mode controlled output
US20070024367A1 (en) Operational amplifier and constant-current generation circuit using the same
KR20060004260A (ko) 자체 바이어스 차동 증폭기
US7403072B2 (en) Integrated circuit devices having a control circuit for biasing an amplifier output stage and methods of operating the same
KR100450171B1 (ko) 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고 슬루율 연산증폭기
JPH0438003A (ja) Mos演算増幅回路
US20050030681A1 (en) Source follower with rail-to-rail voltage swing
JP2000278058A (ja) 増幅回路
KR100243336B1 (ko) 차동 증폭기
JP3077664B2 (ja) 入力回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111108

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120803

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120829

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees