JPWO2006114858A1 - 液晶表示装置及び配向処理方法 - Google Patents

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Abstract

共通電極３及び配向膜１１のみが形成されたガラス基板２と、画素電極４０、ＴＦＴ４１、信号線４２、走査線４３、スペーサ９及び配向膜１２などが形成されているガラス基板４との間に直流電圧を印加して配向処理を行い、液晶層１３内の単安定型の強誘電性液晶の配向状態を制御している。この際、ガラス基板４を陰極、ガラス基板２を陽極として直流電圧を印加する。配向処理時に凹凸構造からの配向欠陥の発生が抑制され、表示画質は良好である。

Description

本発明は、電圧印加により液晶の透過率を制御して画像表示を行う液晶表示装置、及び液晶表示装置での配向処理方法に関し、特に、配向欠陥の表示領域への侵入を抑制する液晶表示装置及び配向処理方法に関する。
近年のいわゆる情報化社会の進展に伴って、パーソナルコンピュータ，ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）等に代表される電子機器が広く使用されるようになっている。このような電子機器の普及によって、オフィスでも屋外でも使用可能な携帯型の需要が発生しており、それらの小型・軽量化が要望されている。そのような目的を達成するための手段の一つとして液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置は、単に小型・軽量化のみならず、バッテリ駆動される携帯型の電子機器の低消費電力化のためには必要不可欠な技術である。
液晶表示装置は大別すると反射型と透過型とに分類される。反射型は液晶パネルの前面から入射した光線を液晶パネルの背面で反射させてその反射光で画像を視認させる構成であり、透過型は液晶パネルの背面に備えられた光源（バックライト）からの透過光で画像を視認させる構成である。反射型は環境条件によって反射光量が一定しなくて視認性に劣るため、特に、マルチカラーまたはフルカラー表示を行うパーソナルコンピュータ等の表示装置としては一般的に、カラーフィルタを用いた透過型のカラー液晶表示装置が使用されている。
カラー液晶表示装置は、現在、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などのスイッチング素子を用いたアクティブ駆動型のものが広く使用されている。このＴＦＴ駆動の液晶表示装置は、表示品質は高いものの、液晶パネルの光透過率が現状では数％程度しかないので、高い画面輝度を得るためには高輝度のバックライトが必要になる。このため、バックライトによる消費電力が大きくなってしまう。また、カラーフィルタを用いたカラー表示であるため、１画素を３個の副画素で構成しなければならず、高精細化が困難であり、その表示色純度も十分ではない。
このような問題を解決するために、フィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置が開発されている。フィールド・シーケンシャル方式の表示では、バックライトのＲ，Ｇ，Ｂをそれぞれ点灯して、その点灯タイミングに応じて画素をオン／オフすることで画像を表示する。このフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置は、カラーフィルタ方式の液晶表示装置と比べて、副画素を必要としないため、より精細度が高い表示が容易に実現可能であり、また、カラーフィルタを使わずに光源の発光色をそのまま表示に利用できるため、表示色純度にも優れる。更に光利用効率も高いので、消費電力が少なくて済むという利点も有している。しかしながら、フィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置を実現するためには、液晶の高速応答性（２ｍｓ以下）が必須である。
そこで、上述したような優れた利点を有するフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置の高速応答化を図るべく、従来に比べて１００〜１０００倍の高速応答を期待できる自発分極を有する強誘電性液晶等の液晶のＴＦＴ等のスイッチング素子による駆動が研究開発されている（例えば、特許文献１参照）。強誘電性液晶は、電圧印加によってその液晶分子の長軸方向がチルトする。強誘電性液晶を挟持した液晶パネルを偏光軸が直交した２枚の偏光板で挾み、液晶分子の長軸方向の変化による複屈折を利用して、透過率を変化させる。
特開平１１−１１９１８９号公報
強誘電性液晶の表示に用いられる相は、カイラルスメクティック相（ＳｍＡ＊またはＳｍＣ＊）であるが、ネマティック液晶と比較して流動性が乏しいため、他部材との物性値の差または構造に起因するストレスが局在し、配向欠陥が発生する。配向欠陥は、対向する基板間距離を維持するためのスペーサ、画素に電圧を供給するための配線、ＴＦＴなどの凹凸構造をなす部分で発生して表示領域に侵入することがあり、表示品質上大きな問題となっている。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、配向処理時に発生する配向欠陥を大幅に抑制できる液晶表示装置及び配向処理方法を提供することを目的とする。
本発明者は、配向膜が形成された２枚の基板を対向させ、その隙間に単安定型の強誘電性液晶を封入し、直流電圧を印加して強誘電性液晶の配向状態を制御する際に、スイッチング素子、画素電極、配線などが形成されている凹凸構造をなす一方の基板を陽極とし、平坦な共通電極が形成されている他方の基板を陰極として、直流電圧を印加した場合には、一方の基板側から表示領域内に多数の配向欠陥が発生し、その陰極，陽極を逆にして直流電圧を印加した場合には、発生する配向欠陥が著しく減少することを知見した。また、共通電極が形成されている他方の基板にブラックマトリクスなどの凹凸構造を有する場合には、その凹凸構造から配向欠陥が発生することを知見した。
本発明に係る液晶表示装置は、ラビングされた配向膜を有する第１基板及び第２基板を対向させ、該第１基板及び第２基板間に液晶を封入してある液晶表示装置において、前記第１基板に共通電極を形成しており、前記液晶に印加される電圧を供給するためのスイッチング素子、画素電極及び複数の配線を前記第２基板に形成しており、前記第１基板を陽極、前記第２基板を陰極とした直流電圧の印加により前記液晶の配向状態を制御してあることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置にあっては、共通電極が形成されていて平坦である第１基板を陽極、スイッチング素子、画素電極及び複数の配線などが形成されていて凹凸構造をなす第２基板を陰極とし、直流電圧を印加して液晶の配向状態を制御してある。よって、配向処理時に発生する配向欠陥が抑制され、表示品質が劣化しない。
本発明に係る液晶表示装置は、前記第１基板及び第２基板間の対向距離を維持するためのスペーサを前記第２基板に形成してあることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置にあっては、凹凸構造をなして配向処理時に陰極とする第２基板にスペーサを形成している。よって、スペーサの形成に伴う配向欠陥の発生が抑制される。
本発明に係る液晶表示装置は、ラビングされた配向膜を有する第１基板及び第２基板を対向させ、該第１基板及び第２基板間に液晶を封入してある液晶表示装置において、前記第１基板に共通電極を形成しており、前記強誘電性液晶に印加される電圧を供給するためのスイッチング素子、画素電極及び複数の配線を前記第２基板に形成しており、前記第１基板及び第２基板間の対向距離を維持するためのスペーサを前記第２基板に形成してあることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置にあっては、凹凸構造をなす第２基板にスペーサを形成している。よって、スペーサの形成に伴う配向欠陥の発生が抑制される。
本発明に係る液晶表示装置は、前記複数の配線の中のラビング方向下流側の配線よりラビング方向上流側に前記スペーサを形成してあることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置にあっては、ラビング方向下流側の配線よりラビング方向上流側にスペーサを形成してある。よって、スペーサから発生した配向欠陥は、このラビング方向下流側の配線で止められるため、表示領域内に入ることなく遮光領域内に局在するので、表示品質は劣化しない。
本発明に係る液晶表示装置は、前記第２基板が平坦化膜で覆われていることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置にあっては、スイッチング素子、画素電極及び複数の配線などが形成されていて凹凸構造をなす第２基板が平坦化膜で平坦化されている。よって、第２基板からの配向欠陥の発生がさらに抑制される。
本発明に係る液晶表示装置は、フィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行うことを特徴とする。
本発明の液晶表示装置にあっては、複数色の光を経時的に切り換えるフィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行う。よって、高精細、高色純度、高速応答性を有するカラー表示が可能である。
本発明に係る液晶表示装置は、前記第１基板及び第２基板間に封入してある液晶が単安定型の強誘電性液晶であることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置にあっては、液晶として単安定型の強誘電性液晶を用いる。
本発明に係る配向処理方法は、共通電極及び配向膜を有する第１基板と、スイッチング素子、画素電極、複数の配線及び配向膜を有する第２基板とを対向させ、対向させた前記第１基板及び第２基板間に液晶を封入し、前記第１基板及び第２基板間に直流電圧を印加して前記液晶の配向状態を制御する配向処理方法において、前記第１基板を陽極、前記第２基板を陰極として前記直流電圧を印加することを特徴とする。
本発明の配向処理方法にあっては、共通電極が形成されていて平坦である第１基板を陽極、スイッチング素子、画素電極及び複数の配線などが形成されていて凹凸構造をなす第２基板を陰極とし、直流電圧を印加して液晶の配向状態を制御する。よって、配向処理時に発生する配向欠陥が抑制される。
本発明では、共通電極が形成されていて平坦である第１基板を陽極、スイッチング素子、画素電極及び複数の配線などが形成されていて凹凸構造をなす第２基板を陰極とし、直流電圧を印加して液晶の配向状態を制御するようにしたので、配向処理時に発生する配向欠陥を抑制することができ、配向欠陥に起因する表示品質の劣化を防止することができる。
また、本発明では、対向する第１基板及び第２基板間の間隔を維持するためのスペーサを第２基板に形成するようにしているので、スペーサから発生する配向欠陥を抑制することができる。
また、本発明では、スペーサを配線よりラビング方向上流側に形成するようにしているので、スペーサから発生した配向欠陥は、この配線で止められて、表示領域内に入ることなく遮光領域に局在するため、配向欠陥に起因する表示品質の劣化を防止することができる。
また、本発明では、スイッチング素子、画素電極及び複数の配線などが形成されていて凹凸構造をなす第２基板を平坦化膜で覆うようにしているので、第２基板での凹凸面での配向欠陥の発生をさらに低減することができる。
また、本発明では、フィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行うようにしたので、ブラックマトリクス、カラーフィルタが不要となってコストの低減化を図れるとともに、高精細、高色純度、高速応答性を有するカラー表示を行うことができる。
本発明の液晶表示装置の液晶パネルの模式的断面図である。 本発明の液晶表示装置の回路構成を示すブロック図である。 液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図である。 スペーサの形成位置を示す拡大図である。 フィールド・シーケンシャル方式における駆動シーケンスの一例を示す図である。 本発明の液晶表示装置における配向欠陥の発生例を示す図である。 第１比較例の液晶表示装置における配向欠陥の発生例を示す図である。
符号の説明
２ ガラス基板（第１基板）
３ 共通電極
４ ガラス基板（第２基板）
８ 平坦化膜
９ スペーサ
１１ 配向膜
１２ 配向膜
１３ 液晶層
２１ 液晶パネル
２２ バックライト
４０ 画素電極
４１ ＴＦＴ
４２ 信号線
４３ 走査線
Ａ 配向欠陥
本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
図１は本発明の液晶表示装置の液晶パネルの模式的断面図、図２は本発明の液晶表示装置の回路構成を示すブロック図、及び、図３は液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図である。
２１は図１に断面構造が示されている液晶パネルを示している。図３に示されているように、液晶パネル２１は上層（表面）側から下層（背面）側に、偏光フィルム１，第１基板としてのガラス基板２，共通電極３，第２基板としてのガラス基板４，偏光フィルム５をこの順に積層して構成されている。
ガラス基板４には、ＴＦＴ４１、並びに、信号線４２及び走査線４３などの配線が形成されている。これらのＴＦＴ４１及び配線群を覆うように樹脂製の平坦化膜８が、ガラス基板４に形成されている。平坦化膜８上には、マトリクス状に配列された画素電極４０，４０…が形成されている。ガラス基板４上の画素電極４０，４０…の上面には配向膜１２が、共通電極３の下面には配向膜１１が夫々配置され、これらの配向膜１１，１２間に単安定型の強誘電性液晶が充填されて液晶層１３が形成される。
画素電極４０が形成されていない領域、言い換えると上記ＴＦＴ４１及び配線群が形成されている領域に対応して、ガラス基板４側の配向膜１２上に、ガラス基板２，４間に面内均一のギャップを保持するためのスペーサ９が形成されている。図４は、スペーサ９の形成位置を示す拡大図である。ラビング方向下流側の信号線４２よりラビング方向上流側に位置するＴＦＴ４１の上方に、スペーサ９が形成されている。
そして、本発明の液晶表示装置にあっては、共通電極３及び配向膜１１のみが形成されたガラス基板２と、画素電極４０、ＴＦＴ４１、信号線４２、走査線４３、スペーサ９及び配向膜１２などが形成されているガラス基板４との間に直流電圧を印加して配向処理を行い、液晶層１３内の単安定型の強誘電性液晶の配向状態を制御しているが、この際、ガラス基板４を陰極、ガラス基板２を陽極として直流電圧を印加する。この配向処理時の電場方向を図１に矢符で示している。
共通電極３及び画素電極４０，４０…間にはデータドライバ３２及びスキャンドライバ３３等よりなる駆動部５０が接続されている。データドライバ３２は、信号線４２を介してＴＦＴ４１と接続されており、スキャンドライバ３３は、走査線４３を介してＴＦＴ４１と接続されている。ＴＦＴ４１はスキャンドライバ３３によりオン／オフ制御される。また個々の画素電極４０は、ＴＦＴ４１に接続されている。そのため、信号線４２及びＴＦＴ４１を介して与えられるデータドライバ３２からの信号により、個々の画素の透過率が制御される。
バックライト２２は、図３に示すように、液晶パネル２１の下層（背面）側に位置し、発光領域を構成する導光及び光拡散板６の端面に臨ませた状態でＬＥＤアレイ７が備えられている。このＬＥＤアレイ７は、導光及び光拡散板６と対向する面に３原色、即ち赤，緑，青の各色を発光するＬＥＤ素子を１チップとした１または複数個のＬＥＤを有する。そして、赤，緑，青の各サブフレームにおいては赤，緑，青のＬＥＤ素子を夫々点灯させる。導光及び光拡散板６はこのＬＥＤアレイ７の各ＬＥＤからの光を自身の表面全体に導光すると共に上面へ拡散することにより、発光領域として機能する。
この液晶パネル２１と、赤，緑，青の時分割発光が可能であるバックライト２２とを重ね合わせる。このバックライト２２の点灯タイミング及び発光色は、液晶パネル２１に対する表示データに基づくデータ書込み走査に同期して制御される。
図２において、３１は、パーソナルコンピュータから同期信号ＳＹＮが入力され、表示に必要な各種の制御信号ＣＳを生成する制御信号発生回路である。画像メモリ部３０からは画素データＰＤが、データドライバ３２へ出力される。画素データＰＤ、及び、印加電圧の極性を変えるための制御信号ＣＳに基づき、データドライバ３２を介して液晶パネル２１には電圧が印加される。
また制御信号発生回路３１からは制御信号ＣＳが、基準電圧発生回路３４，データドライバ３２，スキャンドライバ３３及びバックライト制御回路３５へ夫々出力される。基準電圧発生回路３４は、基準電圧ＶＲ１及びＶＲ２を生成し、生成した基準電圧ＶＲ１をデータドライバ３２へ、基準電圧ＶＲ２をスキャンドライバ３３へ夫々出力する。データドライバ３２は、画像メモリ部３０からの画素データＰＤと制御信号発生回路３１からの制御信号ＣＳとに基づいて、画素電極４０の信号線４２に対して信号を出力する。この信号の出力に同期して、スキャンドライバ３３は、画素電極４０の走査線４３をライン毎に順次的に走査する。またバックライト制御回路３５は、駆動電圧をバックライト２２に与えて、バックライト２２から赤色光，緑色光，青色光を夫々発光させる。
データドライバ３２からの信号の出力及びスキャンドライバ３３の走査に従ってＴＦＴ４１が駆動し、画素電極４０に電圧が印加され、画素の透過率が制御される。バックライト制御回路３５は、制御信号ＣＳを受けた場合に駆動電圧をバックライト２２に与えてバックライト２２のＬＥＤアレイ７が有している赤，緑，青の各色のＬＥＤ素子を時分割して発光させて、経時的に赤色光，緑色光，青色光を順次発光させる。このように、バックライト２２の各色の点灯制御と液晶パネル２１に対するデータ書込み走査とを同期させてフィールド・シーケンシャル方式によるカラー表示を行っている。
図５は、フィールド・シーケンシャル方式における駆動シーケンスの一例を示しており、図５（ａ）は液晶パネル２１の各ラインの走査タイミング、図５（ｂ）はバックライト２２の赤，緑，青各色の点灯タイミングを表している。
フレーム周波数を６０Ｈｚとして、１つのフレーム（期間：１／６０ｓ）を３つのサブフレーム（期間：１／１８０ｓ）に分割し、図５（ａ）に示すように、例えば１フレーム内の第１番目のサブフレームにおいて赤色の画像データの２回の書込み走査を行い、次の第２番目のサブフレームにおいて緑色の画像データの２回の書込み走査を行い、最後の第３番目のサブフレームにおいて青色の画像データの２回の書込み走査を行う。なお、各サブフレームにあって、１回目（前半）のデータ書込み走査時においては、表示データに応じて明るい表示が得られる極性の電圧を各画素の液晶に印加し、２回目（後半）のデータ書込み走査時においては、１回目のデータ書込み走査と同じ表示データに基づき、１回目のデータ書込み走査とは極性が異なって大きさが等しい電圧を各画素の液晶に印加する。
バックライト２２の赤，緑，青各色の点灯制御は、図５（ｂ）に示すように、第１番目のサブフレームにおいて赤色を発光させ、第２番目のサブフレームにおいて緑色を発光させ、第３番目のサブフレームにおいて青色を発光させる。なお、サブフレーム中ずっとバックライト２２を点灯させておくのではなく、１回目のデータ書込み走査の開始タイミングに同期してバックライト２２を点灯させて２回目のデータ書込み走査の終了タイミングに同期してバックライト２２を消灯させる。
以下、本発明の液晶表示装置の具体例について説明する。ＴＦＴ４１、信号線４２、走査線４３などを形成したガラス基板４に、厚さ２．５μｍの樹脂製の平坦化膜８を形成し、コンタクトホールを形成した後、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をパターン成膜して画素電極４０を形成し、さらにポリイミドを塗布して焼成することにより配向膜１２を形成した。一方、ガラス基板２には、ＩＴＯを成膜して共通電極３を形成し、さらにポリイミドを塗布して焼成することにより配向膜１１を形成した。両ガラス基板２，４に、レーヨンのバフによりラビング処理を施した。
ガラス基板４側に、径１．８μｍのシリカビーズと、線膨張係数が６１×１０−６／℃、圧縮弾性率が２５６ＭＰａ、ガラス転移温度１００℃、平均粒径約４μｍの接着ビーズとを、各約１００個／ｍｍ２散布して、スペーサ９を形成した。一方、ガラス基板２には、シールを形成した。ラビング方向が平行になるように両ガラス基板２，４を重ね合わせて真空パックに封入し、１３５℃、９０分の焼成を行って空パネルを作製した。
この空パネルに、単安定型の強誘電性液晶をカイラルネマティック状態に加温（約１１０℃）して加圧封入して液晶層１３とし、注入完了後、室温に戻してからシールを封止した。このパネルをカイラルネマティック状態まで加温し、Ｎ＊−Ｓｃ＊転移温度前後にわたって、ガラス基板４側を接地（陰極）、ガラス基板２側を１２Ｖ（陽極）として、直流電圧を印加することにより配向処理を行った。相転移後には両ガラス基板２，４を接地して、室温まで徐冷した。
この結果、図６に示すように、スペーサ９から配向欠陥Ａ（図６の太線）は発生したが、後述の第２比較例より配向欠陥が著しく減少している。また、発生したその配向欠陥Ａは、ラビング方向下流側の信号線４２で止められて、表示領域には侵入せず、遮光領域内に局在した。よって、画質劣化が生じることはなかった。ここで、スイッチング素子、画素電極及び複数の配線などが形成されていて凹凸構造をなすガラス基板４を平坦化膜で平坦化することにより、ガラス基板４からの配向欠陥の発生がさらに抑制される。
（第１比較例）
ＴＦＴ４１、信号線４２、走査線４３などを形成したガラス基板４に、厚さ２．５μｍの樹脂製の平坦化膜８を形成し、コンタクトホールを形成した後、ＩＴＯをパターン成膜して画素電極４０を形成し、さらにポリイミドを塗布して焼成することにより配向膜１２を形成した。一方、ガラス基板２には、ＩＴＯを成膜して共通電極３を形成し、さらにポリイミドを塗布して焼成することにより配向膜１１を形成した。両ガラス基板２，４に、レーヨンのバフによりラビング処理を施した。
ガラス基板４側に、径１．８μｍのシリカビーズと、線膨張係数が６１×１０−６／℃、圧縮弾性率が２５６ＭＰａ、ガラス転移温度１００℃、平均粒径約４μｍの接着ビーズとを、各約１００個／ｍｍ２散布して、スペーサ９を形成した。一方、ガラス基板２には、シールを形成した。ラビング方向が平行になるように両ガラス基板２，４を重ね合わせて真空パックに封入し、１３５℃、９０分の焼成を行って空パネルを作製した。
この空パネルに、単安定型の強誘電性液晶をカイラルネマティック状態に加温（約１１０℃）して加圧封入して液晶層１３とし、注入完了後、室温に戻してからシールを封止した。このパネルをカイラルネマティック状態まで加温し、Ｎ＊−Ｓｃ＊転移温度前後にわたって、ガラス基板４側を１２Ｖ（陽極）、ガラス基板２側を接地（陰極）として、直流電圧を印加することにより配向処理を行った。相転移後には両ガラス基板２，４を接地して、室温まで徐冷した。
この結果、図７に示すように、スペーサ９の形成位置を含むガラス基板４の凹凸部分から多数の配向欠陥Ａ（図７太線）が発生し、発生したその配向欠陥Ａは表示領域内にまで侵入した。そして、大きな画質劣化が生じた。
（第２比較例）
ＴＦＴ４１、信号線４２、走査線４３などを形成したガラス基板４に、厚さ２．５μｍの樹脂製の平坦化膜８を形成し、コンタクトホールを形成した後、ＩＴＯをパターン成膜して画素電極４０を形成し、さらにポリイミドを塗布して焼成することにより配向膜１２を形成した。一方、ガラス基板２には、Ｃｒによってブラックマトリクスを形成し、ＩＴＯを成膜して共通電極３を形成し、さらにポリイミドを塗布して焼成することにより配向膜１１を形成した。両ガラス基板２，４に、レーヨンのバフによりラビング処理を施した。
ガラス基板４側に、径１．８μｍのシリカビーズと、線膨張係数が６１×１０−６／℃、圧縮弾性率が２５６ＭＰａ、ガラス転移温度１００℃、平均粒径約４μｍの接着ビーズとを、各約１００個／ｍｍ２散布して、スペーサ９を形成した。一方、ガラス基板２には、シールを形成した。ラビング方向が平行になるように両ガラス基板２，４を重ね合わせて真空パックに封入し、１３５℃、９０分の焼成を行って空パネルを作製した。
この空パネルに、単安定型の強誘電性液晶をカイラルネマティック状態に加温（約１１０℃）して加圧封入して液晶層１３とし、注入完了後、室温に戻してからシールを封止した。このパネルをカイラルネマティック状態まで加温し、Ｎ＊−Ｓｃ＊転移温度前後にわたって、ガラス基板４側を接地（陰極）、ガラス基板２側を１２Ｖ（陽極）として、直流電圧を印加することにより配向処理を行った。相転移後には両ガラス基板２，４を接地して、室温まで徐冷した。
この結果、スイッチング素子、画素電極及び複数の配線などが形成されていて凹凸構造をなすガラス基板４を平坦化膜で略平坦化しているものの、ガラス基板２のブラックマトリクスのエッジから多数の配向欠陥が発生し、発生したその配向欠陥は表示領域内にまで侵入した。そして、大きな画質劣化が生じた。ここで、平坦化膜を形成して略平坦化したガラス基板４側を１２Ｖ（陽極）とし、ガラス基板２側を接地（陰極）として、直流電圧を印加することにより、ガラス基板４の略平坦化された凹凸面のエッジから配向欠陥が生じるが、上述のガラス基板２側を１２Ｖ（陽極）として直流電圧を印加した場合より、平坦化の程度に応じて配向欠陥が減少する。
なお、上述した例では、ＴＦＴ４１の上方にスペーサ９を形成するようにしたが、ラビング方向下流側の配線（信号線４２または走査線４３）よりラビング方向上流側の位置であれば、他の配線（信号線４２または走査線４３）上または配線交差部にスペーサ９を形成するようにしても、同様の効果を奏する。
また、上述した例では、液晶として単安定型の強誘電性液晶を用いるようにしたが、他の種類の液晶であっても、本発明を同様に適用できることは勿論である。
上述の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
ラビングされた配向膜を有する第１基板及び第２基板を対向させ、該第１基板及び第２基板間に液晶を封入してある液晶表示装置において、前記第１基板に共通電極を形成しており、前記液晶に印加される電圧を供給するためのスイッチング素子、画素電極及び複数の配線を前記第２基板に形成しており、前記第１基板を陽極、前記第２基板を陰極とした直流電圧の印加により前記液晶の配向状態を制御してあることを特徴とする液晶表示装置。
（付記２）
前記第１基板及び第２基板間の対向距離を維持するためのスペーサを前記第２基板に形成してあることを特徴とする付記１記載の液晶表示装置。
（付記３）
ラビングされた配向膜を有する第１基板及び第２基板を対向させ、該第１基板及び第２基板間に液晶を封入してある液晶表示装置において、前記第１基板に共通電極を形成しており、前記強誘電性液晶に印加される電圧を供給するためのスイッチング素子、画素電極及び複数の配線を前記第２基板に形成しており、前記第１基板及び第２基板間の対向距離を維持するためのスペーサを前記第２基板に形成してあることを特徴とする液晶表示装置。
（付記４）
前記複数の配線の中のラビング方向下流側の配線よりラビング方向上流側に前記スペーサを形成してあることを特徴とする付記２又は３記載の液晶表示装置。
（付記５）
前記第２基板が平坦化膜で覆われていることを特徴とする付記１乃至４のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
（付記６）
フィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行うことを特徴とする付記１乃至５のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
（付記７）
前記第１基板及び第２基板間に封入してある液晶が単安定型の強誘電性液晶であることを特徴とする付記１乃至６のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
（付記８）
共通電極及び配向膜を有する第１基板と、スイッチング素子、画素電極、複数の配線及び配向膜を有する第２基板とを対向させ、対向させた前記第１基板及び第２基板間に液晶を封入し、前記第１基板及び第２基板間に直流電圧を印加して前記液晶の配向状態を制御する配向処理方法において、前記第１基板を陽極、前記第２基板を陰極として前記直流電圧を印加することを特徴とする配向処理方法。
（付記９）
前記第１基板及び第２基板間に封入してある液晶が単安定型の強誘電性液晶であることを特徴とする付記８記載の配向処理方法。

Claims (8)

  1. ラビングされた配向膜を有する第１基板及び第２基板を対向させ、該第１基板及び第２基板間に液晶を封入してある液晶表示装置において、前記第１基板に共通電極を形成しており、前記液晶に印加される電圧を供給するためのスイッチング素子、画素電極及び複数の配線を前記第２基板に形成しており、前記第１基板を陽極、前記第２基板を陰極とした直流電圧の印加により前記液晶の配向状態を制御してあることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記第１基板及び第２基板間の対向距離を維持するためのスペーサを前記第２基板に形成してあることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
  3. ラビングされた配向膜を有する第１基板及び第２基板を対向させ、該第１基板及び第２基板間に液晶を封入してある液晶表示装置において、前記第１基板に共通電極を形成しており、前記強誘電性液晶に印加される電圧を供給するためのスイッチング素子、画素電極及び複数の配線を前記第２基板に形成しており、前記第１基板及び第２基板間の対向距離を維持するためのスペーサを前記第２基板に形成してあることを特徴とする液晶表示装置。
  4. 前記複数の配線の中のラビング方向下流側の配線よりラビング方向上流側に前記スペーサを形成してあることを特徴とする請求項２又は３記載の液晶表示装置。
  5. 前記第２基板が平坦化膜で覆われていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
  6. フィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
  7. 前記第１基板及び第２基板間に封入してある液晶が単安定型の強誘電性液晶であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
  8. 共通電極及び配向膜を有する第１基板と、スイッチング素子、画素電極、複数の配線及び配向膜を有する第２基板とを対向させ、対向させた前記第１基板及び第２基板間に液晶を封入し、前記第１基板及び第２基板間に直流電圧を印加して前記液晶の配向状態を制御する配向処理方法において、前記第１基板を陽極、前記第２基板を陰極として前記直流電圧を印加することを特徴とする配向処理方法。
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