JPWO2002095093A1 - MgB2単結晶体とその製造方法並びにMgB2単結晶体を含む超電導材料 - Google Patents
MgB2単結晶体とその製造方法並びにMgB2単結晶体を含む超電導材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2002095093A1 JPWO2002095093A1 JP2002591552A JP2002591552A JPWO2002095093A1 JP WO2002095093 A1 JPWO2002095093 A1 JP WO2002095093A1 JP 2002591552 A JP2002591552 A JP 2002591552A JP 2002591552 A JP2002591552 A JP 2002591552A JP WO2002095093 A1 JPWO2002095093 A1 JP WO2002095093A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mgb
- magnetic field
- single crystal
- temperature
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B35/00—Boron; Compounds thereof
- C01B35/02—Boron; Borides
- C01B35/04—Metal borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0856—Manufacture or treatment of devices comprising metal borides, e.g. MgB2
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
- B01J2203/0645—Boronitrides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
- B01J2203/068—Crystal growth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49014—Superconductor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Description
本発明は、異方性のある超電導特性を有するMgB2単結晶体及びMgB2単結晶体を含む超電導材料、並びにMgB2単結晶体の製造方法に関するものであって、比較的高い温度での動作が可能な超電導線や超電導薄膜の提供を可能とするものである。
背景技術
最近、マグネシウムのホウ化物であるMgB2が臨界温度の比較的高い(Tc=39K程度)超電導物質であることが発見されて以来、その詳細な特性を解明するために様々な観点からの研究がなされるようになった。しかし、これまでに知られているMgB2材料の形態は“微粉末”や“多結晶体バルク”のみであり、単結晶の製造に関する報告例がなかったこともあって、未だ十分な研究成果を挙げるまでには至っていない。
MgB2単結晶の育成が困難であった理由は、単結晶育成のためにまずMgB2融液を得ようとしてMgB2を加熱すると、MgB2が融解する温度よりも低い温度でMgB2がMgB4やMgB6に分解してしまう現象が起きることにある。
ただ、「六方晶窒化ホウ素(hBN)から立方晶窒化ホウ素(cBN)を高圧下で合成する際の副生成物として微小結晶らしきMgB2が僅かに検出された」との報告はあったが〔N.E.Flonenko et al.Dokl Akad.Nauk SSSR 175(1967),P.833〜836〕、その詳細は不明であり、MgB2の詳細な特性解明に資するものではなかった。
このようなことから、本発明が目的としたのは、MgB2単結晶体の製造手段を確立し、優れた超電導材料として期待されるMgB2の利用分野を大幅に拡大する道を開くことである。
発明の開示
本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、次に示すような知見を得ることができた。
a)前述したように、MgB2は、そのままの状態で高温に加熱すると融解する前にMgB4やMgB6に分解してしまうため、安定なMgB2融液を得ることはできなかった。ところが、MgとBの混合原料、あるいはMgとBとの混合原料を反応させて得たMgB2粉体を六方晶窒化ホウ素(hBN)と接触させた状態で高圧下において加熱すると、Mg,B,Nの共晶組成であるMg3BN3等が生成してMg−B2成分系におけるMgB2の分解温度未満の温度で融液となる領域が生じ、この状態を保持していると、生成したMg3BN3等を含む融液からMgB2の結晶が晶出してMgB4等に分解することなく結晶成長が起きる。
b)この場合、前記融液中に未融解の状態でMgB2粉が存在していると、これが MgB2結晶晶出の核となって結晶成長が起きるので、比較的大きな結晶をより短い時間で育成することが可能になる。
c)また、MgB2結晶の原料であるMgやBの混合粉とは空間的に分離した状態で反応系内に還元剤(酸化し易いMg等)を共存させておくと、この還元剤が反応系内への混入を防ぎ切れなかった酸素を吸収して反応系内の酸素分圧を低下させるのでMgB2結晶が成長しやすくなり、MgB2単結晶の育成が一層安定化する。
d)更に、高圧下での加熱によって生成するMg3BN3融液内に温度勾配を生じさせると、MgB2の結晶成長がより一層促進される。
e)上述の方法等によって得られるMgB2単結晶は、2次元的なホウ素原子層とマグネシウム原子層とが層と垂直方向に交互に積層された形態の六方晶構造をなしていて、超電導特性において顕著な異方性を示す(例えば磁場をホウ素面に平行にかけた場合と垂直にかけた場合とで第二臨界磁界Hc2に大きな差がある)ので、複数の単結晶が結晶方向の揃った状態で接合している形態を作り出すことにより、MgB2が有している超電導特性を最良の状態で発揮させ得る材料の製作を可能ならしめる。
f)上記MgB2単結晶の超電導特性における異方性は、低温になるほど、また純度や結晶性が高いほど顕著となるが、前記手法によれば「温度25Kでの異方性比が2.3以上」という高純度のMgB2単結晶を得ることが可能である上、このMgB2単結晶では磁場がホウ素面に平行の時に不可逆磁界Hirrが第二臨界磁界Hc2に極めて近いという特徴をも有しており、この特徴を利用して、高い磁場をかけてもそれがホウ素面に平行であれば大きな超電導電流を流せる超電導材料等を製作することもできるなど、MgB2の利用分野を大幅に拡大することが可能である。
なお、上記「異方性比」は、下記式で定義されるものである。
g)また、先に説明したMgB2単結晶に基づく超電導特性は必ずしもMgB2単結晶体のみから成る材料に限って得られるわけではなく、MgB2単結晶体が含まれておれば他の物質(例えば未反応のMg,BやMgB2粉体)等が混入していても相応の良好な超電導特性が発揮される。
本発明は、上記知見事項等に基づいてなされたものであり、次の▲1▼乃至▲8▼項に示すMgB2単結晶超電導体とその製造方法を提供するものである。
▲1▼ 温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上で、かつホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界が第二臨界磁界の95%以上である異方性超電導特性を有することを特徴とする、MgB2単結晶体。
▲2▼ MgとBとの混合原料を、窒化ホウ素(BN)と接触させた状態で、1300〜1700℃,3〜6GPaの高温高圧下にて加熱溶融して保持することにより異方性超電導特性を有するMgB2単結晶体を育成することを特徴とする、MgB2単結晶体の製造方法。
▲3▼ MgとBとの混合原料を反応させてMgB2微結晶を含む前駆体を生成させ、次いで該前駆体を六方晶窒化ホウ素(hBN)と接触させた状態で、1300〜1700℃,3〜6GPaの高温高圧下にて加熱溶融して保持することにより、異方性超電導特性を有するMgB2単結晶体を育成することを特徴とする、MgB2単結晶体の製造方法。
▲4▼ 加熱溶融させる原料を高温高圧下にて加熱溶融して保持する際に還元剤を共存させる、前記▲2▼項又は▲3▼項に記載のMgB2単結晶体の製造方法。
▲5▼ 加熱溶融させる原料を高温高圧下にて加熱溶融して保持する際に加熱溶融で生じる融液内に150〜300℃の温度勾配を設ける、前記▲2▼項乃至▲4▼項の何れかに記載のMgB2単結晶体の製造方法。
▲6▼ MgB2単結晶体の異方性超電導特性が、温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上で、かつホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界が第二臨界磁界の95%以上の超電導特性である、前記▲2▼項乃至▲5▼項の何れかに記載のMgB2単結晶体の製造方法。
▲7▼ 温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上で、かつホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界が第二臨界磁界の95%以上である異方性超電導特性を有したMgB2単結晶体を含むことを特徴とする、超電導材料。
▲8▼ 温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上で、かつホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界が第二臨界磁界の95%以上である異方性超電導特性を有したMgB2単結晶体を含むことを特徴とする、超電導線材。
上述のように、本発明は、MgB2の液体状態が実現される条件等を特定することによってMgB2単結晶を安定して育成できるようにし、また広い利用分野を期待できるMgB2単結晶あるいはMgB2単結晶体を含む超電導材料の提供を可能とするものである。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態をその作用と共に詳述する。
本発明に係るMgB2単結晶体は、臨界磁界等の超電導特性において異方性を有するものであるが、このように超電導特性において異方性を有する単結晶体は、複数の単結晶を結晶方向が揃った状態に接合したり、あるいは種結晶等を用いて結晶方向が揃うように制御しながら複数の単結晶を隣接成長させたりすることにより、“MgB2が有する異方性超電導特性を最良の状態で発揮し得る超電導体”を構成することができる。
本発明の手法によると、「温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上」という比較的高い温度でも大きな異方性を示すMgB2単結晶を得ることができ、従って単結晶同士の適正接合により超電導特性の極めて優れたMgB2超電導体を得ることが可能である。
しかも、本発明の手法によれば、上記特性に加えて、ホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界Hirrが第二臨界磁界Hc2の95%以上という、磁場がホウ素面に平行の時に不可逆磁界が第二臨界磁界に極めて近い値を示すMgB2単結晶が得られるので、磁場をホウ素面に平行にかけることが条件となるものの、電流を流せる領域が非常に広い超電導体の提供も可能になる。
ところで、先に述べたように、MgB2はそのままの状態で高温に加熱すると融解する前にMgB4やMgB6に分解してしまうので、MgB2単結晶を育成するために必要であると考えられたMgB2融液を得ることができなかったが、“MgとBの混合原料”あるいは“MgとBとの混合原料を反応させて得たMgB2微結晶を含む前駆体”を六方晶窒化ホウ素(hBN)と接触させた状態で高圧下において加熱した場合には、Mg,B,Nの共晶組成であるMg3BN3が生成し、MgB2の分解温度未満の温度で融液となる領域が生じる。そして、この領域に原料を保持していると、生成したMg3BN3融液からMgB2の結晶が晶出し、このMgB2結晶が比較的長時間にわたってMgB4等に分解することなく結晶成長を続ける。
従って、これまでは具体的な報告例のなかったMgB2単結晶を入手することが可能となる。
なお、第1図は、MgB2単結晶が得られる好適条件(温度,圧力)を示したグラフであって、Mgの溶融温度,MgB2の分解温度,Mg3BN3の融解温度,hBN(六方晶BN)とcBN(立方晶BN)との相変態温度がそれぞれ圧力との関係で線図化されている。
第1図において、MgとBの混合原料を六方晶窒化ホウ素(hBN)と接触させた状態で加圧・加熱して行くと、比較的低温・低圧の領域ではMgとBの反応によってMgB2(粉末)が生成するが、このMgB2は低圧の領域で加熱温度を上げるとMgB4やMgB6に分解してしまう。しかし、圧力が3GPa以上,温度が1300℃以上になるとBNの存在下で共晶組成のMg3BN3が生成して溶融相ができるが、この溶融相をMgB2の分解温度未満で保持すると、Mg3BN3融液からMgB2の結晶が晶出し、この結晶がMgB4やMgB6に分解することなく結晶成長する。
ただ、cBNの領域では、MgB2結晶と同時に立方晶のcBN結晶が成長し、Mg3BN3からcBNに変化する途中の生成物としてMgB2が存在し得る状態となる。従って、6GPaを超える高圧域では、第1図から分かるように、Mg3BN3からcBNへの反応が殆ど間を置かずに進むこととなるのでMgB2結晶を取り出せる処理時間範囲が極めて短く、実際作業としての現実味がなくなる。
このため、MgB2単結晶の製造には、MgとBの混合原料粉をBN製の高圧カプセルに封入し、3〜6GPa(望ましくは3.5〜6GPa)の高圧をかけて1300〜1700℃に加熱して条件を採用するのが良い。
この場合、Mg3BN3融液中に未融解の状態でMgB2微結晶が存在していると、これが核となってMgB2結晶の晶出と成長を促進するので、MgとBの混合原料を予め中程度の温度・圧力下(例えば900℃,2〜4GPa程度)で反応させることによってMgB2微結晶を含む前駆体を作製しておき、これを六方晶窒化ホウ素(hBN)と接触させた状態で温度1300〜1700℃,圧力3〜6GPaの高温高圧下で保持する手法も推奨できる。
また、酸素は酸素自体が反応してB−N−Mg系の平衡分圧を変化させるので、結晶成長においては酸素分圧を一定とすべきであると考えられるが、原料の混合・封入作業等を通じて酸素が混入するのを防止することは極めて困難である。そのため、単結晶製造原料の加熱雰囲気中に、MgとBの混合粉とは空間的に分離させてMg等の還元剤を共存させておくのが良い。共存させた還元剤は、加熱雰囲気中に僅かに混入した酸素と反応してしまい、MgB2の結晶成長を助ける作用をなす。
還元剤としては、酸化性が強くて構成元素の一つであるので不純物として析出することのないMg等の金属材料が好適である。
更に、MgB2単結晶製造原料を六方晶窒化ホウ素(hBN)と接触させた状態で加熱保持する際、加熱保持によって生じる融液(Mg3BN3)内に150〜300℃の温度勾配を生じさせることも推奨される。これによって結晶成長が促進されるが、温度勾配が150℃よりも小さいと結晶成長に時間がかかり、300℃を超えると大きくて純度の高い単結晶の育成が不安定化する懸念が生じる。
なお、結晶成長融液への温度勾配の付与には、反応容器の中央部と端部等とで作為なく生じがちな温度勾配をそのまま利用して良いことは言うまでもない。
ところで、上述したMgB2単結晶体の特性を利用した実用の超電導材料(例えば超電導線材)を作成する際には、未反応のMg,BやMgB2粉体等といった他の物質が混入しがちであるが、これらの物質が混入したとしてもMgB2単結晶体に基づく相応の超電導特性を得られることは言うまでもない。
また、MgB2単結晶体材料の例えば線材化に際して、線材化が容易なようにAgやCu等の金属をバインダーとした場合にも相応の超電導特性が得られることも勿論である。
続いて、本発明を実施例により更に具体的に説明する。
〔実施例〕
まず、粒度が100メッシュのMg粉末とB粉末(アモルファスで粒径が0.91μmの粉末)とを原子比で「Mg:B=1:2」となるように混合し、これを圧縮成型して直径が5mmで厚さが4mmの圧粉体を作製した。
また、これとは別に、同様寸法の“BNペレット”と“Mg粉の圧粉体(還元剤)”を準備した。
次に、これらを、大気中にて筒状の六方晶BN製容器(内径が5mmで長さが10mmの高圧容器)に第2図で示したように封入した(両端のBNペレットは蓋の役割も担っている)。
そして、第1段階として、MgとBとの混合粉を反応させてMgB2微結晶を含む前駆体を生成させるため、前記BN製容器内を5GPaに加圧すると共に900℃に15分間加熱した。
引き続き、5GPaの加圧状態を維持したBN製容器内を更に1500℃にまで昇温し、この状態に25分間保持してMgB2単結晶の育成を図った。
なお、この時、BN製容器内に生成したMg3BN3融液には、容器の中央部と単部とで210℃の温度勾配(第2図の矢印部分の温度勾配)が生じていた。
上記の処理を終えたBN製容器内の材料を電子顕微鏡で観察したところ、第3図に示すような0.5mm程度の大きさの結晶が得られており、X線回折による精密構造解析によって当該結晶が第4図に示したような六方晶構造のMgB2単結晶であることを確認した。
また、上記のMgB2単結晶について調査した「温度と電気抵抗の関係」並びに「温度と帯磁率の関係」をそれぞれ第5図及び第6図に示すが、何れからも絶対温度38K付近での超電導転移を確認することができる。
更に、前記MgB2単結晶につき、電気抵抗測定から求めた第二臨界磁界Hc2と不可逆臨界磁界Hirrの温度依存性を整理して第7図に示した。
第7図に示されるように、第二臨界磁界Hc2と不可逆臨界磁界Hirrの温度依存性は、磁場をホウ素面に平行にかけた場合(B//b)と垂直にかけた場合(B//c)とで大きく異なっており、絶対温度25Kでは第二臨界磁界Hc2の異方性比が約2.3かあるいはそれ以上となる。
ところで、このMgB2単結晶には、磁場がホウ素面に平行(H//ab)の時に不可逆磁界Hirrが第二臨界磁場Hc2に極めて近い(Hirr≒Hc2)という特徴が認められる(前記第7図を参照されたい)。因みに、磁場がホウ素面に垂直(H//c)の場合は、HirrがHc2の半分程度でしかない。
一般に超電導体は第二臨界磁界Hc2以下で超電導状態を保っているが、不可逆磁界Hirr以上の磁場では超電導体内の磁束が動いてしまって抵抗を発生するので超電導電流を流せなくなってしまう。つまり、不可逆磁界Hirrが第二臨界磁場Hc2に極めて近い(Hirr≒Hc2)ということは、電流を流せる領域が非常に広いことを意味する。
そのため、前記MgB2単結晶は高い磁場がかかってもそれがホウ素面に平行であれば大きな超電導電流を流せる工業的に極めて有利な超電導材である。
産業上の利用可能性
この発明によれば、特異な超電導特性の異方性を有したMgB2単結晶体を安定供給することができ、MgB2単結晶体を含む超電導特性に優れた超電導材料の製造が可能となるほか、MgB2超電導線材や薄膜の製造プロセス選択に有用な情報を提供することにも貢献できる。従って、利用度の高い超電導材として期待されるMgB2の用途拡大に大きく寄与できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、MgB2単結晶を得るための好適条件を示したグラフである。
第2図は、実施例においてMgB2単結晶を得るための原料をhBN製容器に封入する様子を示した模式図である。
第3図は、実施例で得られたMgB2単結晶の走査型電子顕微鏡写真図である。
第4図は、実施例で得られた材料の、4軸X線回折による精密構造解析により確認された結晶構造の模式図である。
第5図は、実施例で得られたMgB2単結晶の、温度と電気抵抗との関係を示したグラフである。
第6図は、実施例で得られたMgB2単結晶の、温度と帯磁率との関係を示したグラフである。
第7図は、実施例で得られたMgB2単結晶に関しての、電気抵抗測定から求めた臨界磁界Hc2,不可逆臨界磁界Hirrの温度依存性を示すグラフである。
Claims (8)
- 温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上で、かつホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界が第二臨界磁界の95%以上である異方性超電導特性を有することを特徴とする、MgB2単結晶体。
- MgとBとの混合原料を、六方晶窒化ホウ素(hBN)と接触させた状態で、1300〜1700℃,3〜6GPaの高温高圧下にて加熱溶融して保持することにより異方性超電導特性を有するMgB2単結晶体を育成することを特徴とする、MgB2単結晶体の製造方法。
- MgとBとの混合原料を反応させてMgB2微結晶を含む前駆体を生成させ、次いで該前駆体を六方晶窒化ホウ素(hBN)と接触させた状態で、1300〜1700℃,3〜6GPaの高温高圧下にて加熱溶融して保持することにより、異方性超電導特性を有するMgB2単結晶体を育成することを特徴とする、MgB2単結晶体の製造方法。
- 加熱溶融させる原料を高温高圧下にて加熱溶融して保持する際に還元剤を共存させる、請求項2又は3に記載のMgB2単結晶体の製造方法。
- 加熱溶融させる原料を高温高圧下にて加熱溶融して保持する際に加熱溶融で生じる融液内に150〜300℃の温度勾配を設ける、請求項2乃至4の何れかに記載のMgB2単結晶体の製造方法。
- MgB2単結晶体の異方性超電導特性が、温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上で、かつホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界が第二臨界磁界の95%以上の超電導特性である、請求項2乃至5の何れかに記載のMgB2単結晶体の製造方法。
- 温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上で、かつホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界が第二臨界磁界の95%以上である異方性超電導特性を有したMgB2単結晶体を含むことを特徴とする、超電導材料。
- 温度25Kでの臨界磁界異方性比が2.3以上で、かつホウ素面に平行に磁場をかけた場合の不可逆磁界が第二臨界磁界の95%以上である異方性超電導特性を有したMgB2単結晶体を含むことを特徴とする、超電導線材。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001154581 | 2001-05-23 | ||
JP2001154581 | 2001-05-23 | ||
PCT/JP2002/004880 WO2002095093A1 (fr) | 2001-05-23 | 2002-05-21 | Cristal simple mgb2, procede de production associe et materiau supraconducteur contenant ledit cristal simple mgb¿2? |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2002095093A1 true JPWO2002095093A1 (ja) | 2004-09-09 |
JP4091847B2 JP4091847B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=18998897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002591552A Expired - Fee Related JP4091847B2 (ja) | 2001-05-23 | 2002-05-21 | MgB2単結晶体とその製造方法並びにMgB2単結晶体を含む超電導材料 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6787504B2 (ja) |
EP (1) | EP1310584B1 (ja) |
JP (1) | JP4091847B2 (ja) |
KR (1) | KR100863619B1 (ja) |
CN (1) | CN1318655C (ja) |
WO (1) | WO2002095093A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7226894B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-06-05 | General Electric Company | Superconducting wire, method of manufacture thereof and the articles derived therefrom |
US7439208B2 (en) * | 2003-12-01 | 2008-10-21 | Superconductor Technologies, Inc. | Growth of in-situ thin films by reactive evaporation |
JP5041734B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2012-10-03 | 株式会社日立製作所 | 二ホウ化マグネシウム超電導薄膜の作製方法および二ホウ化マグネシウム超電導薄膜 |
WO2009134567A2 (en) * | 2008-03-30 | 2009-11-05 | Hills,Inc. | Superconducting wires and cables and methods for producing superconducting wires and cables |
GB2498565B (en) * | 2012-01-20 | 2014-09-17 | Siemens Plc | Methods for forming joints between magnesium diboride conductors |
KR101726732B1 (ko) | 2016-06-20 | 2017-04-13 | 충남대학교산학협력단 | 건식 밀링을 이용한 초전도성 이붕화마그네슘의 제조방법 |
CN111686637B (zh) * | 2019-03-14 | 2022-10-11 | 河南天钻晶体材料有限公司 | 一种超硬材料的合成方法 |
CN114197052B (zh) * | 2021-12-15 | 2022-09-23 | 上海科技大学 | 一种正交晶系晶体材料及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4917965A (en) | 1987-08-25 | 1990-04-17 | National Research Institute For Metals | Multifilament Nb3 Al superconducting linear composite articles |
US6586370B1 (en) * | 1997-02-26 | 2003-07-01 | Nove' Technologies, Inc. | Metal boride based superconducting composite |
US6514557B2 (en) * | 2001-02-15 | 2003-02-04 | Iowa State University Research Foundation | Synthesis of superconducting magnesium diboride objects |
US6687975B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-02-10 | Hyper Tech Research Inc. | Method for manufacturing MgB2 intermetallic superconductor wires |
WO2002103370A2 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-27 | Northwestern University | Superconducting mg-mgb2 and related metal composites and methods of preparation |
KR100388497B1 (ko) * | 2001-06-01 | 2003-06-25 | 한국전자통신연구원 | 초전도 에피택셜 박막 및 그 제조 방법 |
CN1150634C (zh) * | 2001-07-16 | 2004-05-19 | 西北有色金属研究院 | 一种MgB2超导材料及其制备方法 |
US6511943B1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-01-28 | The Regents Of The University Of California | Synthesis of magnesium diboride by magnesium vapor infiltration process (MVIP) |
-
2002
- 2002-05-21 CN CNB028018206A patent/CN1318655C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-21 JP JP2002591552A patent/JP4091847B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-21 WO PCT/JP2002/004880 patent/WO2002095093A1/ja active Application Filing
- 2002-05-21 EP EP02728094A patent/EP1310584B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-21 KR KR1020037000725A patent/KR100863619B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-05-21 US US10/333,827 patent/US6787504B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6787504B2 (en) | 2004-09-07 |
EP1310584A4 (en) | 2009-02-11 |
CN1318655C (zh) | 2007-05-30 |
WO2002095093A1 (fr) | 2002-11-28 |
EP1310584B1 (en) | 2011-11-16 |
JP4091847B2 (ja) | 2008-05-28 |
KR20030036614A (ko) | 2003-05-09 |
EP1310584A1 (en) | 2003-05-14 |
KR100863619B1 (ko) | 2008-10-15 |
US20030146417A1 (en) | 2003-08-07 |
CN1463306A (zh) | 2003-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2723099B2 (ja) | クラスレート化合物およびその製造方法 | |
Fukuoka et al. | High-pressure synthesis and structure of a new silicon clathrate Ba24Si100 | |
JP4091847B2 (ja) | MgB2単結晶体とその製造方法並びにMgB2単結晶体を含む超電導材料 | |
Morito et al. | Single crystal growth of type I Na–Si clathrate by using Na–Sn flux | |
Lin et al. | Revealing the promising near-room-temperature thermoelectric performance in Ag2Se single crystals | |
Giannini et al. | Reversible melting and equilibrium phase formation of (Bi, Pb) 2Sr2Ca2Cu3O10+ δ | |
CN111118605B (zh) | 一种理想狄拉克半金属Cu2HgSnSe4晶体及其生长方法与应用 | |
Singhal et al. | Synthesis of cubic boron nitride from amorphous boron nitride containing oxide impurity using Mg–Al alloy catalyst solvent | |
JP3898127B2 (ja) | 第iii族又は第iv族の金属元素を含む窒化物単結晶及びその製造方法 | |
JP4009713B2 (ja) | 硼化マグネシウムの製造方法 | |
Xiang et al. | Congruent melting of tungsten phosphide at 5 GPa and 3200° C for growing its large single crystals | |
Du et al. | Single crystal growth of MgB2 by using Mg-self-flux method at ambient pressure | |
Yamasaki et al. | Crystal Growth and properties of manganese-silicon system compounds by high-temperature tin solution method | |
JP2001220130A (ja) | 炭素および窒素を含む希土類多ホウ化物とその製造方法 | |
JP5916009B2 (ja) | 鉄系超電導体のウィスカー結晶とその製造方法 | |
Dickman et al. | Yb~ 51In13H27: A complex metal hydride grown from Yb/Li flux | |
Mumbaraddi et al. | A review on the synthesis, crystal growth, structure and physical properties of rare earth based quaternary intermetallic compounds | |
Okada et al. | Crystal growth of REMn2Si2 (RE= Y, Er) by a Pb flux method | |
Yamane | Synthesis of nitrides and silicon carbide using sodium | |
JPS582289A (ja) | 単結晶体の製造方法 | |
Zhigadlo | Exploring 2D materials by high pressure synthesis: hBN, Mg-hBN, bP, b-AsP, and GeAs | |
Stefanoski | Synthesis and Physical Properties of Group 14 Intermetallic Clathrates | |
Joshi et al. | Crystal growth and anisotropic magnetic properties of RAg2Ge2 (R= Pr, Nd and Sm) single crystals | |
Haglund et al. | Vapor Transport Growth of van der Waals Magnets | |
Wng Kim et al. | Preparation of Fe-Oxipnictides Superconductors: Solid-State Sintering, High Pressure Synthesis and Flux Method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080229 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |