JPS649595B2 - - Google Patents

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JPS649595B2
JPS649595B2 JP20879284A JP20879284A JPS649595B2 JP S649595 B2 JPS649595 B2 JP S649595B2 JP 20879284 A JP20879284 A JP 20879284A JP 20879284 A JP20879284 A JP 20879284A JP S649595 B2 JPS649595 B2 JP S649595B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイオード、トランジスタ等の素子の
特性を測定する装置に関する。
〔従来技術〕
素子特性測定装置、特にカーブ・トレーサは、
トランジスタやダイオード等の基本的な素子の特
性を測定するのに有効な装置である。従来のカー
ブ・トレーサは第4図に示す如き構成となつてい
る。即ち、コレクタ電圧供給回路10は、外部商
用電源からの交流電圧を可変変圧器により昇圧又
は降圧して所望振幅の正弦波電圧を発生し、この
正弦波電圧を変圧器12の1次巻線に供給する。
この変圧器12の2次巻線は複数のタツプを有
し、選択整流回路14が測定レンジに応じてこれ
らタツプの1つを選択し、選択されたタツプから
の正弦波電圧を整流する。選択整流回路14から
の整流された電圧は、リミツタ用抵抗器16を介
して被測定素子としてのトランジスタ18のコレ
クタに供給する。なお、抵抗器16の値は測定レ
ンジに応じて切替える。変圧器12の2次巻線の
下端は、電流検出用抵抗器20を介して被測定ト
ランジスタ18のエミツタに接続すると共に接地
する。また、トランジスタ18のベースには、ス
テツプ状に変化するバイアス信号をバイアス供給
回路22から供給する。なお、第4図では被測定
トランジスタ18がエミツタ接地形式でカーブ・
トレーサに接地されているが、ベース接地形式又
はコレクタ接地形式でもよい。高入力インピーダ
ンスの電圧検出回路24は被測定トランジスタ1
8のコレクタ及びエミツタ間の電圧VCEを検出
し、適当に分圧した後、増幅器26を介して表示
器である陰極線管(CRT)28の水平偏向板に
供給する。高入力インピーダンスの電圧検出回路
30は抵抗器20の両端の電圧差、即ち被測定ト
ランジスタ18のコレクタ電流ICを検出し、増幅
器32を介してCRT28の垂直偏向板に供給す
る。よつて、CRT28にトランジスタ18のVCE
−IC特性を表示することができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、第4図に示した従来の素子測定装置
(カーブ・トレーサ)には次のような種々の問題
点がある。まず、コレクタ電圧供給回路10は外
部商用電源を直接利用しているが、外部商用電源
の波形は完全な正弦波ではなく、即ち、対称な繰
返し波形ではなく、種々の歪を含んでいる。よつ
て、カーブ・トレーサにおいて、被測定素子に供
給される繰返し電圧波形も完全な正弦波でないた
め、即ち、完全に対称でないため、CRT28に
表示される特性曲線の行き(整流された正弦波電
圧の上昇期間)のトレースと戻り(整流された正
弦波電圧の下降期間)のトレースとが異なり、正
確に被測定トランジスタの特性が測定できない。
この現象を便宜的に表示歪と呼ぶ。また、商用電
源電圧の振幅は正確ではなく、ある一定の幅で変
化するため、被測定トランジスタに供給される繰
返し波形電圧の振幅も商用電源に応じて変化し、
正確な特性測定が困難になる。更に、第4図のカ
ーブ・トレーサにデジタル・ストレージ回路を適
用した場合、即ち、電圧検出回路24及び増幅器
26の間、並びに電圧検出回路30及び増幅器3
2の間に、A/D変換器、デジタル記憶回路及び
D/A変換器の組合せを接続した場合、A/D変
換器のクロツク周波数が商用電源周波数と独立な
ので、A/D変換器の出力に電源のリツプルの影
響が現われ、測定精度が低下する。仮え、、A/
D変換器のクロツク周波数を商用電源周波数に同
期させるとしても、新たに専用の位相制御回路が
必要となり、カーブ・トレーサが高価となる。
〔問題を解決するための手段〕
本発明の素子測定装置は、外部電源周波数に同
期し、かつこの外部電源周波数よりも高い周波数
のパルスを発生するパルス発生手段48〜50
と、このパルス発生手段からの出力パルスを分周
する分周器52と、この分周器の出力パルスに応
じて外部電源と同相の繰返し波形電圧を発生する
繰返し波形発生器54と、この繰返し波形発生器
からの繰返し波形電圧を被測定素子に供給する電
圧供給手段12〜14と、被測定素子に供給され
る電圧及び被測定素子に流れる電流を、パルス発
生手段又は分周器の出力パルスに応じてデジタル
信号に変換するアナログ・デジタル変換手段58
〜64と、このアナログ・デジタル変換手段のデ
ジタル出力信号を記憶する記憶回路66とを具え
ている。
〔作用〕
本発明によれば、繰返し波形発生器により新た
に繰返し波形電圧、例えば正弦波電圧を発生して
いるので、この電圧波形は外部電源波形のように
歪を含んでおらず対称であるため、上述の表示歪
の問題を解決できる。また、新たに発生した繰返
し波形電圧は外部電源電圧と独立しているので、
この外部電源電圧の変動にも影響されず、正確な
測定ができる。更に、パルス発生手段及び分周器
により、繰返し波形発生器からの繰返し波形電圧
は外部電源と同相になるので、この繰返し波形電
圧を受ける各回路は外部電源によるリツプル、位
相変動等の影響を受けない。また、アナログ・デ
ジタル変換手段は外部電源に同期して被測定素子
の電圧及び電流をサンプルするので、外部電源の
変動による影響を受けない。更にまた、パルス発
生手段及び分周器の出力信号は繰返し波形発生器
及びアナログ・デジタル変換手段に共用できるの
で、構成を簡略化できる。
〔実施例〕
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施例
を説明する。
第1及び第2図は本発明の好適な実施例のブロ
ツク図であり、第1図の信号が第2図に供給さ
れ、全体として1つの素子測定装置を構成する。
外部の商用電源からの交流電圧は電源スイツチ3
4を介して電源回路36内の変圧器40の1次巻
線に供給する。変圧器40の複数の2次巻線を電
源回路36内の直流電圧安定化回路(図示せず)
に接続して、各回路用の直流電圧を発生させる。
変圧器40の最下端の2次巻線における接地に対
する交流電圧を抵抗器42及び44により分圧す
る。電圧比較器46はこの分圧された交流電圧と
接地電圧とを比較し、電源電圧が接地電圧と交差
する毎にそのレベルが反転するパルス信号fLを発
生する。このパルス信号fLは外部電源電圧と周波
数及び位相が等しいことに注意されたい。
可変周波数信号発生器(VCO)50の発振周
波数はパルス信号fLの2n倍(n:正の整数)であ
り、例えば4096倍であり、その出力信号
(4096fL)を分周器52であるカウンタのクロツ
ク端子に供給する。分周器52はVCO50の出
力信号を分周し、周波数がパルス信号fLの2048倍
の信号2048、1024倍の信号1024、16倍の信号
16f、8倍の信号8、4倍の信号4、2倍の信号
2f及び等しい信号fを発生する。なお、2048、
1024f、16、8、4及び2の横線は入力信号に対
し、位相反転されたものであることを示す。位相
比較器48はパルス信号fLと分周器52からの出
力パルス信号fとの位相を比較し、パルス信号L
とfとの位相が等しくなるように、VCO50の
発振周波数を制御する。よつて、位相比較器4
8、VCO50及び分周器52は位相ロツク・ル
ープを形成し、分周器52の各出力パルスは外部
電源に同期する。また、位相比較器48及び
VCO50はパルス発生手段となる。
分周器52の出力パルス16、8、4、2及び
fを繰返し波形発生器54に供給して、外部電源
周波数と同相で所定振幅の繰返し波形電圧、例え
ば正弦波電圧(以下、正弦波電圧として説明す
る)を発生する。この繰返し波形発生器54につ
いては、第3図を参照して詳細に後述する。繰返
し波形発生器54からの正弦波電圧は、可変増幅
器56又は他の適当なアナログ掛算器を介して変
圧器12の1次巻線に供給する。変圧器12の2
次側は、第4図の従来例と同様であり、選択整流
回路14が測定レンジに応じて2次巻線のタツプ
の1つを選択し、選択されたタツプからの正弦波
電圧を整流する。選択整流回路14からの整流さ
れた電圧は、リミツタ用抵抗器16を介して被測
定半導体素子であるトランジスタ18のコレクタ
に供給する。これらの変圧器12及び選択整流回
路14等は電圧供給手段となる。変圧器12の2
次巻線の下端は、電流検出用抵抗器20を介して
被測定素子であるトランジスタ18のエミツタに
接続すると共に接地する。また、トランジスタ1
8のベースには、分周器52の出力パルスfに同
期してステツプ状に変化するバイアス信号をバイ
アス供給回路22から供給する。なお、図では被
測定トランジスタ18がエミツタ接地形式でカー
ブ・トレーサに接続されているが、ベース接地形
式又はコレクタ接地形式でもよい。高入力インピ
ーダンスの電圧検出回路24は被測定トランジス
タ18のコレクタ及びエミツタ間の電圧VCEを検
出し、適当に分圧する。また、高入力インピーダ
ンスの電圧検出回路30は抵抗器20の両端の電
圧差、即ち被測定トランジスタ18のコレクタ電
流ICを検出する。
本発明では、電圧検出器24及び30の検出し
た電圧(検出器30の場合は、電圧に変換された
電流)をデジタル信号に変換するため、アナロ
グ・デジタル(A/D)変換手段を設けている。
このA/D変換手段はサンプル・ホールド(S/
H)回路、A/D変換器等で構成されている。
S/H回路58及び60は分周器52の出力パル
ス1024に応じて電圧検出器24及び30の出力
電圧をサンプルし、ホールドする。正弦波発生器
54の1周期はf分の1なので、この1周期内に
1024の点がサンプルされることになる。電子スイ
ツチ62は分周器52の出力パルス1024の半周
期毎にS/H回路58及び60を交互に選択し
て、その出力信号をA/D変換器64に供給す
る。このA/D変換器64は、スイツチ62が
S/H回路58及び60を交互に選択するため、
クロツク信号として分周器52の出力パルス
2048f(1024の2倍の周波数)を受け、S/H回
路58及び60からのアナログ電圧を交互にデジ
タル信号に変換する。なお、パルス1024及び
2048fは共に外部電源に同期している点に注意さ
れたい。
A/D変換器64のデジタル出力信号は第2図
の制御回路68のアドレス信号に応じてデジタル
記憶回路66に記憶される。制御回路68は記憶
回路66に書込みモード及び読出しモードを制御
すると共に、書込みモードでは分周器52の出力
パルス2048を計数して書込みアドレス信号を発
生し、また読出しモードでは読出しクロツク信号
発生器70のクロツク信号を計数して読出しアド
レス信号を発生する。よつて、書込みモードにお
いて、例えばS/H回路58の出力信号(VCE
は記憶回路66の奇数アドレスに記憶され、S/
H回路60の出力信号(IC)は記憶回路66の偶
数アドレスに記憶される。このように、被測定半
導体素子18に供給される電圧は、外部電源と同
相であるが、その振幅や波形が外部電源に影響さ
れず、またS/H回路58及び60、電子スイツ
チ62、A/D変換器64が外部電源に同期して
動作するので、外部電源の電圧や位相変動、波形
歪に関係なく、被測定半導体素子の特性を表わす
デジタル値を記憶回路に記憶できる。
読出しモードにおいて、ラツチ回路72はアド
レス信号のLSB(最下位ビツト)により記憶回路
66の偶数アドレスの記憶内容を順次ラツチし、
ラツチ回路74はインバータ76で位相反転され
たアドレス信号のLSBにより記憶回路66の奇
数アドレスの記憶内容を順次ラツチする。ラツチ
回路78はラツチ回路74のラツチ動作と同時に
ラツチ回路72の内容をラツチするので、デジタ
ル・アナログ(D/A)変換器80及び82に
は、夫夫ラツチ回路78のICのデジタル値及びラ
ツチ回路74のVCEのデジタル値が同時に供給さ
れ、アナログ信号に変換される。これらアナログ
信号は増幅器26及び32を介してCRT28の
垂直偏向板及び水平偏向板に供給されて、IC
VCE特性を表示する。なお、記憶回路66の読出
しデジタル信号をコンピユータ等に供給して、
種々の処理を行なつてもよい。
次に第3図を参照して繰返し波形発生器54の
一例を説明する。なお、この例では正弦波電圧を
発生する。分周器52の出力パルス16、8、4、
2f及びfを符号化回路に供給する。この符号化回
路は4個の排他的オア・ゲート(XOR)84〜
90を含んでおり、XOR84はパルス16及び2
を受け、XOR86はパルス8及び2を受け、
XOR88はパルス4及び2を受け、XOR90は
パルス2及びfを受ける。よつて、XOR90の
出力パルスSはパルスf即ちfLよりも位相が90度
遅れ、XOR84〜88の出力パルス信号A〜C
はパルスSの90度(4分の1周期)毎に「000」
〜「111」にまた「111」〜「000」に変化する3
ビツトのデジタル信号となる。
第1選択手段であるアナログ・マルチプレクサ
92はXOR84〜88からのデジタル信号A〜
Cにより、入力端子Iを出力端子0〜7の1つに
選択的に接続する。即ち、選択端子A〜Cの信号
が「000」のとき出力端子0を選択し、「001」の
とき出力端子1を選択し、「010」のとき出力端子
2を選択し、以下同様に「011」、「100」、「101」、
「110」及び「111」のとき夫々出力端子3,4,
5,6及び7を選択する。マルチプレクサ92の
出力端子0〜7を夫々抵抗器94〜108の一端
に接続し、これら抵抗器の他端を積分器の入力端
に接続する。この積分器は、非反転入力端が接地
された演算増幅器110、並びにこの演算増幅器
の反転入力端及び出力端間に接続されたコンデン
サ112により構成する。よつて、選択された抵
抗器94〜108の1つが入力抵抗器であるミラ
ー積分器となる。なお、これら抵抗器94〜10
8の値は例えば、夫々15.0KΩ、16.9KΩ、
19.1KΩ、23.7KΩ、31.6KΩ、51.1KΩ及び154KΩ
であり、コンデンサ112の値は例えば0.1μFで
ある。
積分器の出力信号Qをピーク値検出器を介して
電圧比較器114に供給する。このピーク検出器
はダイオード116、コンデンサ118、抵抗器
120及び122により構成する。電圧比較器1
14は、積分器の出力信号Qのピーク値と基準電
圧VREFとを比較し、それらの差である出力電圧は
抵抗器124及び126により、分圧されて、反
転増幅器128及び非反転増幅器130に供給さ
れる。なお、反転増幅器128の入力抵抗器13
2及び帰還抵抗器134の値は等しい。増幅器1
28及び130の出力電圧は第2選択手段である
電子スイツチ136を介してマルチプレクサ92
の入力端子Iに供給する。また、電子スイツチ1
36をパルス信号Sにより制御する。
よつて、最初4分の1周期は、スイツチ136
により非反転増幅器130の出力信号がマルチプ
レクサ92の入力端子Iに供給される。また、パ
ルス信号A〜Cにより、この4分の1周期を8等
分して抵抗器94〜108を順次選択するので、
積分器の出力信号Qは正弦波の4分の1周期とな
る。次の4分の1周期は、反転増幅器128の出
力電圧がマルチプレクサ92の入力端子Iに供給
され、またこの期間を8等分して抵抗器108〜
94を順次選択する。以下、同様な動作により積
分器の出力信号Qは電源周波数と同相な繰返し正
弦波電圧になる。なお、ピーク検出器116〜1
22と電圧比較器114とにより、積分器の入力
電圧を制御してこの正弦波電圧Qの振幅を一定に
保持しているので、外部商用電源の周波数及び振
幅の変動に正弦波電圧Qの振幅は影響されない。
本発明の好適な実施例について説明したが、本
発明の要旨を逸脱することなく種々の変形及び変
更が可能である。例えば、S/H回路58及び6
0の後段に夫々専用のA/D変換器及び記憶回路
を接続してもよい。また、A/D変換器の動作が
高速ならば、S/H回路は不要である。更に、第
3図において、抵抗器94〜108の数及び値を
変更することにより、3角波等の繰返し波形電圧
を発生することもできる。また、アナログ・デジ
タル変換手段に供給するパルスは、バイアス供給
回路22からのステツプ状バイアスのステツプ数
に応じて、2048及び1024以外の種々の周波数の
パルスが利用できる。この場合、スイツチにより
分周器の複数の出力パルスを選択すればよい。
〔発明の効果〕
上述の如く本発明によれば、新たに正弦波電圧
等の繰返し波形電圧を発生しているので、この電
圧波形は外部電源波形のように歪を含んでおらず
対称であるため、表示歪の問題を解決できる。ま
た、新たに発生した繰返し波形電圧は外部電源電
圧と独立しているので、この外部電源電圧の変動
にも影響されず、正確な測定ができる。更に、繰
返し波形電圧は外部電源と同相なので、この繰返
し波形電圧を受ける各回路は外部電源によるリツ
プル、位相変動等の影響を受けない。また、アナ
ログ・デジタル変換手段は外部電源に同期して被
測定半導体素子の電圧及び電流をサンプルするの
で、外部電源の変動による影響を受けない。更に
また、パルス発生手段及び分周器の出力信号は正
弦波発生器及びアナログ・デジタル変換手段に共
用できるので、構成を簡略化できる。
【図面の簡単な説明】
第1及び第2図は本発明の好適な一実施例のブ
ロツク図、第3図は第1図内の繰返し波形発生器
の一例の回路図、第4図は従来の素子測定装置の
ブロツク図である。 図において、12〜14は電圧供給手段、48
〜50はパルス発生手段、52は分周器、54は
繰返し波形発生器、58〜64はアナログ・デジ
タル変換手段、66は記憶回路である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 外部電源周波数に同期し、かつ該外部電源周
    波数よりも高い周波数のパルスを発生するパルス
    発生手段と、該パルス発生手段からの出力パルス
    を分周する分周器と、該分周器の出力パルスに応
    じて上記外部電源と同相の繰返し波形電圧を発生
    する繰返し波形発生器と、該繰返し波形発生器か
    らの繰返し波形電圧を被測定素子に供給する電圧
    供給手段と、上記被測定素子に供給される電圧及
    び上記被測定素子に流れる電流を、上記パルス発
    生手段又は上記分周器の出力パルスに応じてデジ
    タル信号に変換するアナログ・デジタル変換手段
    と、該アナログ・デジタル変換手段のデジタル出
    力信号を記憶する記憶回路とを具えた素子測定装
    置。
JP20879284A 1984-10-04 1984-10-04 素子測定装置 Granted JPS6186664A (ja)

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