JPS645647B2 - - Google Patents

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JPS645647B2
JPS645647B2 JP2269282A JP2269282A JPS645647B2 JP S645647 B2 JPS645647 B2 JP S645647B2 JP 2269282 A JP2269282 A JP 2269282A JP 2269282 A JP2269282 A JP 2269282A JP S645647 B2 JPS645647 B2 JP S645647B2
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JP
Japan
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circuit
thermopile
cold junction
radiant energy
temperature sensor
Prior art date
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Expired
Application number
JP2269282A
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English (en)
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JPS58140619A (ja
Inventor
Takao Shimizu
Hidetoshi Nagarekawa
Sotaro Nakazawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chino Corp
Original Assignee
Chino Corp
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Publication date
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Publication of JPS58140619A publication Critical patent/JPS58140619A/ja
Publication of JPS645647B2 publication Critical patent/JPS645647B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、非接触で炉の温度等を計測する放射
温度計に用いられるサーモパイルの冷接点補償回
路に関するものである。
サーモパイルによる光―電変換素子はその構造
上、素子内に冷接点が存在するため冷接点を恒温
槽に入れることもできず、その冷接点の温度を検
出してサーモパイルの出力を補償する必要があ
る。
ところで、放射温度計Sは、第1図に示すよう
に測定対象Oに向けて、該測定対象Oからの放射
エネルギーεT(Ts)を受け、その絶対温度の4
乗に比例する放射エネルギー量からの温度を算出
するのであるが、この温度を算出する際には、上
記冷接点補償のみならず、室温補償を行う必要が
あり、それは測定対象Oを取り囲む壁Wが室温に
対応した放射エネルギーL(Ta)を発散させてい
るため、この室温に対応した放射エネルギーL
(T)が測定対象Oで反射し、これが放射温度計
Oに入光されるためである。
従つて、冷接点補償された放射エネルギーL
(T′)は下記の(1)式で表わすことができる。
L(T′)=εL(Ts)+(1−ε)L(Ta) ……(1) この(1)式を変形すれば測定対象Oからの放射エ
ネルギーL(Ts)が得られ、下記の(2)式で表わす
ことができる。
L(Ts)=L(T′)−L(Ta)/ε+L(Ta)……(
2) こうした冷接点補償と室温補償は、従来、第4
図に示す回路により行われており、この従来の回
路は、冷接点補償用感温センサ101と室温補償
用感温センサ102との2個のセンサを有し、サ
ーモパイル6からの出力値が、まず上記冷接点補
償用感温センサ101を有する冷接点補償回路1
03により冷接点補償が行われ、次に、室温補償
用感温センサ102を有する室温補償回路104
により室温補償が行われる構成とされていた。す
なわち、前述の(2)式をそのまま回路に置き換えた
構成とされ、詳述すると、プリアンプ105を介
して得られるサーモパイル106の出力L(T)
は、第1加算回路107により冷接点補償用感温
センサ101からの出力が加えられて冷接点補償
が行われ、上記第1加算回路107からは冷接点
補償された信号L(T′)が出力される。この信号
L(T′)と、プリアンプ108を介して得られる
室温補償用感温センサ102からの信号―L
(Ta)は、第2加算回路109によりL(T′)―
L(Ta)という加算演算が行われ、さらにこの第
2加算回路109の後段に設けられる対射率補正
用可変抵抗110により{L(T′)―L(Ta)}/
εという演算が行われており、また、上記信号―
L(Ta)は反転器111によりプラス・マイナス
が反転されて第3加算回路112に加えられ、こ
の第3加算回路112により{L(T′)―L
(Ta)}/ε+L(Ta)という演算が行われる。
このように従来の回路では前記(2)式をそのまま
回路に置き換えているため、回路構成が複雑とな
り、高価なものとなつているばかりか、各回路に
おけるドリフトも次々と加算されるという問題点
があつた。
本発明は以上のような点に鑑み、サーモパイル
において冷接点補償される前の放射エネルギーL
(T)は、冷接点補償された放射エネルギーL
(T′)から室温反射源からの放射エネルギーL
(Ta)を引いた値と等しいことに着目して成され
たものでであつて、各回路のドリフトの影響が少
ない簡単な回路構成でありながら、冷接点補償と
室温補償との双方を行うことができる冷接点補償
回路を提供することを目的とするものである。
すなわち本発明は、測定対象からの放射エネル
ギーが集光されるサーモパイルと、このサーモパ
イルの周辺温度を検出する感温センサと、上記サ
ーモパイルからの冷接点補償されていない放射エ
ネルギーL(T)に対応する信号のみを対射率補
正する対射率補正回路と、この対射率補正回路か
らの信号L(T)/εと上記感温センサからの室
温反射源からの放射エネルギーL(Ta)に対応す
る信号とを加算し、L(T)/ε+L(Ta)に対
応する信号を出力する加算回路とを具備すること
を特徴とするものである。
次に、本発明に係る回路の第1の実施例を第2
図及び第3図について説明する。第2図は本考案
に係る回路が用いられている放射温度計であつ
て、図中1は放射温度計の本体である筒体であ
り、この筒体1の一方は開放されて測定光導入口
1aとされている。上記筒体1内には凹面鏡によ
る主鏡2がその主鏡2がその鏡面2aを上記測定
光導入口1a側に向けて取り付けられており、鏡
面2aは放物面または双曲面とされ、中央には小
孔2bが穿設されている。さらに、上記主鏡2の
前方における該主鏡2の光軸l上には第2鏡体3
が取り付けられており、この第2鏡体3の主鏡2
側には凸面鏡4が形成され、測定光導入口1a側
には反射鏡5が形成されている。上記凸面鏡4は
双曲面とされており、反射鏡5は平面鏡とされ、
光軸lに対して45度の傾斜角を有している。
すなわち反射鏡5は、光軸lの近辺を通る光を
光軸lと交差する方向に導く光路変換用鏡として
用いられている。また、上記主鏡2の背部側にお
ける光軸l上には、サーモパイルによる光―電変
換素子6が設けられており、その光軸l上の位置
には、主鏡2に反射され、さらに凸面鏡4で反射
された光の焦点を結ぶ位置に設定されている。一
方、前記筒体1の側面の一部には上記反射鏡5に
よる反射光が導入される反射光導入部7が形成さ
れており、この導入部7の外方側には筒体1内と
連通状に小径筒体8が設けられ、該小径筒体8は
前記光路Lと平行に取り付けられている。この小
径筒体8の前端には、上記反射鏡5からの反射光
をさらに小径筒体8内に導くミラー9が取り付け
られており、小径筒体8の後端には接眼レンズ1
0が取り付けられている。さらに上記ミラー9と
接眼レンズ10との間には凸レンズ11が取り付
けられており、この凸レンズ11と該凸レンズ1
1の結像点Pとの間にはハーフミラー12が取り
付けられ、このハーフミラー12により反射され
た光の結像点P′には白熱ランプ等による光源13
が取り付けられている。
前記光―電変換素子6は第3図に示すように、
内部にサーモパイル206と該サーモパイル20
6の周辺温度を検出する1個の感温センサ201
が設けられており、上記サーモパイル206は、
第1プリアンプ202と、可変抵抗VRを有する
対射率補正回路203を介して加算回路204の
一方の入力側に接続され、上記感温センサ204
は、第2プリアンプ205を介して上記加算回路
204の他方の入力側に接続されている。上記第
1プリアンプ202は、サーモパイル206の出
力電圧V1を増幅し、冷接点補償されていない放
射エネルギーL(T)に対応する出力電圧V2を発
生する機能を有し、上記対射率補正回路203
は、その第1プリアンプ202からの放射エネル
ギーL(T)に対応する信号を放射率補正し、L
(T)/εに対応する電圧V3を出力する機能を有
しており、この放射率補正は測定対象Oの材質等
によつて異なる対射量を補正するためのものであ
る。また、上記第2プリアンプ205は、感温セ
ンサ201の出力電圧V4を増幅し、室温反射源
からの放射エネルギーL(Ta)に対応する電圧
V5を出力する機能を有しており、上記加算回路
204は、この第2プリアンプ205からの信号
と上記対射率補正回路203からの信号とを加算
して、L(T)/ε+L(Ta)に対応する信号を
出力する機能を有している。
前記サーモパイル106から得られる冷接点補
償されていない放射エネルギーL(T)と、冷接
点補償された放射エネルギーL(T′)及び室温反
射源からの放射エネルギーL(Ta)との関係は次
式(3)で表わすことができる。
L(T)=L(T′)―L(Ta) ……(3) ∴L(T′)=L(T)+L(Ta) ……(4) 上記(4)式を前記(2)式に代入すると次の(5)式が得
られる。
L(Ts)=L(T)+L(Ta)−L(Ta)/
ε+L(Ta)=L(T)/ε+L(Ta)……(5) 従つて、上述した第3図に示す回路で冷接点補
償と室温補償との双方が行われることが理解でき
る。
尚、上述した実施例では光―電変換素子6のパ
ツケージ内にサーモパイル206と感温センサ2
01が設けられているが、感温センサ201を光
―電変換素子6のパツケージ外における該パツケ
ージの近傍に設置した構成としてもよく、このよ
うにサーモパイル206の同一パツケージ内ある
いはサーモパイル206の近辺に感温センサ20
1を置くようにすれば、冷接点補償の精度が向上
することになる。
以上説明したように本発明によれば、サーモパ
イルからの冷接点補償される前の放射エネルギー
L(T)に着目し、L(T)/ε+L(Ta)の演算
を行う回路構成としたので、簡単な回路構成であ
りながら、冷接点補償と室温補償との双方を行う
ことができる効果がある。さらに、本発明によれ
ば感温センサ1個で済む等、回路を構成する部品
点数が従来に比し、大幅に減少されるため、それ
だけ各回路で生ずるドリフトの影響が少なくな
り、精度及び信頼性が向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は対射温度計と測定対象との関係を示す
説明図、第2図は本発明に係る回路が用いられる
対射温度計の断面図、第3図は本発明に係る回路
の一実施例を示す回路図、第4図は従来技術を示
す回路図である。 201……感温センサ、203……対射率補正
回路、204……加算回路、206……サーモパ
イル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 測定対象からの放射エネルギーが集光される
    サーモパイルと、このサーモパイルの周辺温度を
    検出する感温センサと、上記サーモパイルから
    の、冷接点補償されていない放射エネルギーL
    (T)に対応する信号のみを放射率補正する放射
    率補正回路と、この放射率補正回路からの信号L
    (T)/εと上記感温センサからの室温反射源か
    らの放射エネルギーL(Ta)に対応する信号とを
    加算し、L(T)/ε+L(Ta)に対応する信号
    を出力する加算回路とを具備することを特徴とす
    るサーモパイルの冷接点補償回路。
JP2269282A 1982-02-17 1982-02-17 サ−モパイルの冷接点補償回路 Granted JPS58140619A (ja)

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JP2269282A JPS58140619A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 サ−モパイルの冷接点補償回路

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JPS58140619A JPS58140619A (ja) 1983-08-20
JPS645647B2 true JPS645647B2 (ja) 1989-01-31

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63286729A (ja) * 1987-05-20 1988-11-24 Chino Corp サ−モパイル検出装置
JPS6435327A (en) * 1987-07-31 1989-02-06 Chino Corp Temperature detecting device
DE4331574C2 (de) * 1993-09-16 1997-07-10 Heimann Optoelectronics Gmbh Infrarot-Sensormodul
FR2721380B1 (fr) * 1994-06-17 1997-04-25 Moulinex Sa Four électrique de cuisson.

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