JPS645247B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS645247B2 JPS645247B2 JP20066582A JP20066582A JPS645247B2 JP S645247 B2 JPS645247 B2 JP S645247B2 JP 20066582 A JP20066582 A JP 20066582A JP 20066582 A JP20066582 A JP 20066582A JP S645247 B2 JPS645247 B2 JP S645247B2
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- JP
- Japan
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- infrared
- hole
- pyroelectric
- aperture
- pyroelectric element
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/18—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength
- G08B13/189—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems
- G08B13/19—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems
- G08B13/191—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems using pyroelectric sensor means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焦電材料を使用した焦電型の赤外線検
出素子に関する。
出素子に関する。
従来例の構成とその問題点
焦電型赤外線検出器は温度変化を検出するセン
サーであるため、チヨツパーを用いるか、センサ
ーをパニング動作させるか、被測定物体が動くか
した時に出力を生じる。そこで防犯センサーに用
いる時には第１図に示すように被測定物体７であ
る人間が移動した時に空間的にチヨツピングする
ようなセグメント状球面ミラー２を用いる。この
ミラー２により被測定物体７からの赤外線６を焦
電型赤外線検出器１に集める。被測定物体７が移
動すると、隣りのセグメントミラーに入射赤外光
６が移動することになり、空間的にチヨツピング
がかかる。
サーであるため、チヨツパーを用いるか、センサ
ーをパニング動作させるか、被測定物体が動くか
した時に出力を生じる。そこで防犯センサーに用
いる時には第１図に示すように被測定物体７であ
る人間が移動した時に空間的にチヨツピングする
ようなセグメント状球面ミラー２を用いる。この
ミラー２により被測定物体７からの赤外線６を焦
電型赤外線検出器１に集める。被測定物体７が移
動すると、隣りのセグメントミラーに入射赤外光
６が移動することになり、空間的にチヨツピング
がかかる。
この場合検出器１とミラー２の組合せを作るた
めには両者の位置合せが必要となり、また防犯セ
ンサーとしても大形なものとなる。それに加えて
より微細な移動物体の検出には適していない。
めには両者の位置合せが必要となり、また防犯セ
ンサーとしても大形なものとなる。それに加えて
より微細な移動物体の検出には適していない。
発明の目的
本発明は構造が簡単でしかも小型であり、しか
も小さな移動物体の検出も容易な赤外線検出素子
を提供することを目的とするものである。
も小さな移動物体の検出も容易な赤外線検出素子
を提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は傾斜を有する貫通孔をあけた支持体の
貫通孔の広開口側に、この広開口の幅より狭く、
かつ広開口長より長い第１の焦電素子をブリツジ
状に設け、支持体の狭開口側にこの狭開口をほぼ
覆うように第２の焦電素子を設けて、第１の焦電
素子側より赤外光を入射させるようにしたもので
ある。
貫通孔の広開口側に、この広開口の幅より狭く、
かつ広開口長より長い第１の焦電素子をブリツジ
状に設け、支持体の狭開口側にこの狭開口をほぼ
覆うように第２の焦電素子を設けて、第１の焦電
素子側より赤外光を入射させるようにしたもので
ある。
実施例の説明
以下本発明の一実施例を詳細に説明する。第２
図は本発明による赤外線検出素子の実施例を示す
断面図、第３図はその平面図である。
図は本発明による赤外線検出素子の実施例を示す
断面図、第３図はその平面図である。
傾斜のついた貫通孔８をあけた支持台５の口の
せばまつた側に焦電素子４を受光面を支持体５側
にして取り付ける。また支持体５の広口側には両
面に受光電極を形成した焦電素子３をブリツジの
如く素子３の両端を支持台５に接着してとりつけ
る。焦電素子３は、その幅は穴８の広口側の開口
の幅より狭く、かつ長さは開口長より長く形成さ
れる。リード線（図示せず）は各焦電素子３，４
から直接あるいは支持台５を通してとり出すこと
ができる。支持台５の傾斜のついた内面には赤外
反射材料９をコーテイングする。入射赤外線６が
平行であるならば、領域Ａ、Ｅより入射した赤外
線は焦電素子３の裏面に入射し、領域Ｃより入射
した赤外線は焦電素子３の表面に入射する。また
領域Ｂ、Ｄより入射した赤外線は焦電素子４に入
射する。この様に領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅと入射
赤外光６を移動することにより焦電素子３（裏）、
４，３（表）、４，３（裏）と受光素子が変化す
ることになり、素子側から見ると空間的にチヨツ
ピングしていることになる。この様に本発明の構
成により一対の焦電素子を用いて空間ゾーン分割
可能な赤外線検出素子を作製できる。次に具体的
実施例を示す。
せばまつた側に焦電素子４を受光面を支持体５側
にして取り付ける。また支持体５の広口側には両
面に受光電極を形成した焦電素子３をブリツジの
如く素子３の両端を支持台５に接着してとりつけ
る。焦電素子３は、その幅は穴８の広口側の開口
の幅より狭く、かつ長さは開口長より長く形成さ
れる。リード線（図示せず）は各焦電素子３，４
から直接あるいは支持台５を通してとり出すこと
ができる。支持台５の傾斜のついた内面には赤外
反射材料９をコーテイングする。入射赤外線６が
平行であるならば、領域Ａ、Ｅより入射した赤外
線は焦電素子３の裏面に入射し、領域Ｃより入射
した赤外線は焦電素子３の表面に入射する。また
領域Ｂ、Ｄより入射した赤外線は焦電素子４に入
射する。この様に領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅと入射
赤外光６を移動することにより焦電素子３（裏）、
４，３（表）、４，３（裏）と受光素子が変化す
ることになり、素子側から見ると空間的にチヨツ
ピングしていることになる。この様に本発明の構
成により一対の焦電素子を用いて空間ゾーン分割
可能な赤外線検出素子を作製できる。次に具体的
実施例を示す。
シリコンウエハー上に熱酸化、又はCVDによ
り酸化膜を作製し、フオトエツチングにより酸化
膜の中央部を除去してパターニングする。この酸
化膜をマスクにしてエチレンジアミン−プロカテ
コール系のエツチング液を用いた異方性エツチン
グを行なうと、中央部に傾斜を有する貫通孔が形
成される。穴あけエツチング終了後必要寸法に外
側を切断し、支持台５とする。焦電素子３，４に
は電極としてNiCr等の赤外吸収材料を蒸着する。
この焦電素子３，４を規定寸法に切断し、支持台
５に接着剤で固定する。この時の各々の寸法は最
適設計があるが、概略で述べるとSi支持台の厚さ
が約400μであり、開口部が約１mm×1.5mm、口の
せばまつた所が約0.45mm×095mm、焦電素子３が
約0.25mm×2.0mm、焦電素子４が約１mm×1.5mmと
すれば、各ゾーンＡ〜Ｅの分割幅は0.2〜0.25mm
位となる。従つてかなり細かい分割が可能であ
り、フアインラインの熱パターンを検査すること
も可能となる。またレンズ系等を用いればもつと
大きな視野での使用も可能となる。
り酸化膜を作製し、フオトエツチングにより酸化
膜の中央部を除去してパターニングする。この酸
化膜をマスクにしてエチレンジアミン−プロカテ
コール系のエツチング液を用いた異方性エツチン
グを行なうと、中央部に傾斜を有する貫通孔が形
成される。穴あけエツチング終了後必要寸法に外
側を切断し、支持台５とする。焦電素子３，４に
は電極としてNiCr等の赤外吸収材料を蒸着する。
この焦電素子３，４を規定寸法に切断し、支持台
５に接着剤で固定する。この時の各々の寸法は最
適設計があるが、概略で述べるとSi支持台の厚さ
が約400μであり、開口部が約１mm×1.5mm、口の
せばまつた所が約0.45mm×095mm、焦電素子３が
約0.25mm×2.0mm、焦電素子４が約１mm×1.5mmと
すれば、各ゾーンＡ〜Ｅの分割幅は0.2〜0.25mm
位となる。従つてかなり細かい分割が可能であ
り、フアインラインの熱パターンを検査すること
も可能となる。またレンズ系等を用いればもつと
大きな視野での使用も可能となる。
発明の効果
以上のように、本発明は傾斜を有する貫通孔を
あけた支持体の貫通孔の広開口側に、この広開口
幅より狭く広開口長より長い第１の焦電素子をブ
リツジ状に設け、一方狭開口側に、この狭開口を
ほぼ覆うように第２の焦電素子を設けて第１の焦
電素子から赤外光を入射させるようにしたもので
あり、検出素子自身が視野のゾーン分割機能を有
しており、構成が小型でかつ簡単であり、しかも
より微細な空間分割が可能となり、小さな移動物
体の検出が可能となる。この場合支持台の厚さを
厚くすれば、最適分割幅は大きくなるので、必要
に応じて最適設計はなされ得る。
あけた支持体の貫通孔の広開口側に、この広開口
幅より狭く広開口長より長い第１の焦電素子をブ
リツジ状に設け、一方狭開口側に、この狭開口を
ほぼ覆うように第２の焦電素子を設けて第１の焦
電素子から赤外光を入射させるようにしたもので
あり、検出素子自身が視野のゾーン分割機能を有
しており、構成が小型でかつ簡単であり、しかも
より微細な空間分割が可能となり、小さな移動物
体の検出が可能となる。この場合支持台の厚さを
厚くすれば、最適分割幅は大きくなるので、必要
に応じて最適設計はなされ得る。
第１図は空間ゾーン分割を利用した従来の赤外
線検出器の原理構成図、第２図は本発明による赤
外線検出素子の実施例を示す断面図、第３図は同
平面図である。 １……焦電型赤外線検出器、２……セグメント
状球面ミラー、３，４……焦電素子、５……支持
台、６……入射赤外光、７……被測定物体、８…
…貫通孔、９……赤外反射材料。
線検出器の原理構成図、第２図は本発明による赤
外線検出素子の実施例を示す断面図、第３図は同
平面図である。 １……焦電型赤外線検出器、２……セグメント
状球面ミラー、３，４……焦電素子、５……支持
台、６……入射赤外光、７……被測定物体、８…
…貫通孔、９……赤外反射材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 傾斜を有する貫通孔をあけた支持台の前記貫
通孔内面に赤外反射面を形成し、前記貫通孔の広
開口側の支持台表面に前記広開口の開口幅より狭
くかつ広開口の開口長より長い両面感光の第１の
焦電素子を前記広開口の長さ方向にまたがつてブ
リツジ状に設け、前記貫通孔の狭開口側に前記狭
開口をほぼ覆うように第２の焦電素子を設けたこ
とを特徴とする赤外線検出素子。 ２ 支持体がシリコンウエハで構成され、貫通孔
が異方性エツチングで形成されたものである特許
請求の範囲第１項記載の赤外線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20066582A JPS5990024A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20066582A JPS5990024A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 赤外線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990024A JPS5990024A (ja) | 1984-05-24 |
| JPS645247B2 true JPS645247B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=16428186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20066582A Granted JPS5990024A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990024A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3112680B2 (ja) * | 1990-04-26 | 2000-11-27 | オーストラリア連邦 | 半導体膜ボロメータ熱性赤外検出器 |
| US9360373B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-06-07 | Ricoh Company, Ltd. | Infrared sensor of rear surface irradiation type |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP20066582A patent/JPS5990024A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5990024A (ja) | 1984-05-24 |
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