JPS6440155U - - Google Patents
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- JPS6440155U JPS6440155U JP13559987U JP13559987U JPS6440155U JP S6440155 U JPS6440155 U JP S6440155U JP 13559987 U JP13559987 U JP 13559987U JP 13559987 U JP13559987 U JP 13559987U JP S6440155 U JPS6440155 U JP S6440155U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- holder
- ion beam
- holds
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
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Description
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図
は本発明の他の実施例の縦断面図である。 １……基板、２……クランプ、３ａ，３ｂ……
基板ホルダ、５……イオンビーム、４，６，９…
…膜、７……冷却媒体。
は本発明の他の実施例の縦断面図である。 １……基板、２……クランプ、３ａ，３ｂ……
基板ホルダ、５……イオンビーム、４，６，９…
…膜、７……冷却媒体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 真空あるいは減圧下の高速の粒子の運動エネル
ギー、あるいは、化学反応を利用し薄膜の加工を
行う基板と、前記基板を保持する基板ホルダにお
いて、 前記基板ホルダに対向する前記基板の表面に前
記基板と異なる材質の膜を前記基板と一体となる
ように設けたことを特徴とするイオンビーム利用
薄膜加工用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13559987U JPS6440155U (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13559987U JPS6440155U (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6440155U true JPS6440155U (ja) | 1989-03-09 |
Family
ID=31395369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13559987U Pending JPS6440155U (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6440155U (ja) |
-
1987
- 1987-09-07 JP JP13559987U patent/JPS6440155U/ja active Pending
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