JPS6439629U - - Google Patents

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JPS6439629U
JPS6439629U JP13330187U JP13330187U JPS6439629U JP S6439629 U JPS6439629 U JP S6439629U JP 13330187 U JP13330187 U JP 13330187U JP 13330187 U JP13330187 U JP 13330187U JP S6439629 U JPS6439629 U JP S6439629U
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JP
Japan
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heater
semiconductor manufacturing
furnace
core tube
temperature peak
Prior art date
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JP13330187U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例に係る半導体製造用
加熱炉の構成を示す縦断面図、第2図は第1図の
―線矢視断面図、第3図は他の実施例を示す
部分構成図、第4図は一般的な半導体製造装置に
おける温度分布を示す説明図、第5図は従来例を
示す断面図である。 図中、1は炉殻、5は炉心管、6は加熱ヒータ
、7は温度ピーク形成用ヒータである。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 炉殻内に水平に設けられた炉心管内あるい
    は支持台上に育成用ボートを載置してこれを炉心
    管あるいは支持台の外周部に設けられている加熱
    ヒータにより加熱する半導体製造用加熱炉におい
    て、上記炉心管あるいは上記支持台の長手方向中
    間部付近に温度ピーク部を形成するための温度ピ
    ーク形成用ヒータを上記炉心管あるいは支持台の
    外周部に設けたことを特徴とする半導体製造用加
    熱炉。 (2) 上記温度ピーク形成用ヒータが、鉛直上方
    に放熱用の間隙を有するSiC製のリング状ヒー
    タからなることを特徴とする実用新案登録請求の
    範囲第1項記載の半導体製造用加熱炉。 (3) 上記温度ピーク形成用ヒータがその円周方
    向各部分において互いに異なる抵抗値を有するこ
    とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第2項記
    載の半導体製造用加熱炉。
JP13330187U 1987-09-02 1987-09-02 Pending JPS6439629U (ja)

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JP13330187U JPS6439629U (ja) 1987-09-02 1987-09-02

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JPS6439629U true JPS6439629U (ja) 1989-03-09

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