JPS6411620B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は隣接置換ケトン類の製造法に関する。
更に詳細には、本発明はα,β−不飽和カルボニ
ル化合物にトリ炭化水素ホスフインの存在下、有
機銅化合物を反応させて該α,β−不飽和カルボ
ニル化合物のβ位に有機基を導入し、引き続い
て、該反応において生じるエレノートをルイス酸
の存在下にアセタール誘導体で捕捉することによ
り、α,β−不飽和カルボニル化合物のα位に、
更に種々の有機基を導入して医薬品、農薬、香料
として、あるいはこれらの中間体として有用な隣
接置換ケトン類を高収率で有利に製造する方法に
関する。 従来、α,β−不飽和カルボニル化合物に有機
銅化合物を反応させてα,β−不飽和カルボニル
化合物のα位に有機基を導入する方法として以下
の如き方法が知られている。 すなわち、 (1) R2CuLi(Rは1価の有機基)で表わされる如
きホモcuprateを用いる方法(ジエー・エフ・
ノーマンら、シンセシス、63(1972))。 (2) (CH3)2CuLiなどのR2CuLiで表わされるホ
モcuprateとトリ有機ホスフインの錯体を用い
る方法(エツチ・オー・ハウスら、ジヤーナ
ル・オブ・オルガニツク・ケミストリー、33、
949(1968))。 (3) n−C3HC≡CCun−C4H9LiなどのRR′CuLi
(R、R″は異なる1価の有機基)で表わされる
混合cuprateを用いる方法(イー・ジエー・コ
ーリーら、ジヤーナル・オブ・アメリカン・ケ
ミカル・ソサエテイー、94、7210(1972))。 (4) PhSCuRLi、PhOCuRLi、tBuOCuRLiの如
きcuprateを用いる方法(ジエー・エツチ・ポ
ズナーな、ジヤーナル・オブ・アメリカン・ケ
ミカル・ソサエテイー、95、7788(1973))等が
知られている。 しかしながら、これらの方法において、(1)の方
法では好適な収率を得るためには過剰のcuprate
を用いなければならない点、(2)の方法では1当量
のアルキルリチウムの損失がある点、(3)、(4)の方
法では反応の再現性が乏しく、収率が低い点等の
欠点があり、これらの方法のいずれも工業的に満
足すべきものではない。 また、α,β−不飽和カルボニル化合物に有機
銅化合物を反応させ、次いで該反応によつて生じ
るエノレートを種々の反応剤で捕捉することによ
つて、α,β−不飽和カルボニル化合物のα位、
β位に置換基を有するケトン類を得る方法として
は以下の如き方法が知られている。 すなわち、 (5) R2CuLiで表わされる如きホモcuprateを反応
させ、次いで生じるエノレートを1度シリル化
剤で捕捉し、これを再びリチウムアミド等の塩
基でエノレートとし、次いでハロゲン化アルキ
ルを反応させてエノレートを捕捉して得る方法
(ジエー・エツチ・フリードら、ジヤーナル・
オブ・オルガニツク・ケミストリー、39、2506
(1974))。 (6) R2CuLiあるいはRR′CuLiで表わされる如き
ホモcuprateあるいは混合cuprateと反応させ、
次いで生じるエノレートをハロゲン化アルキル
で直接捕捉する方法(ジエー・エツチ・ポズナ
ーら、ジヤーナル・オブ・アメリカン・ケミカ
ル・ソサエテイー97、107(1975))。 (7) R2CuLiで表わされる如きホモcuprateとトリ
有機ホスフインの錯体を反応させ、次いで生じ
るエノレートをホルムアルデヒドで直接捕捉す
る方法(ジエー・ストークら、ジヤーナル・オ
ブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテイー、
97、6260(1975))。 (8) R2CuLiで表わされる如きホモcuprateとトリ
有機ホスフインとの錯体を反応させ、次いて生
じるエノレートを酸クロライドで捕捉する方法
(エス・クログミら、テトラヘドロンレターズ、
1535(1975))等が知られている。 しかしながらこれらの方法はいずれも収率が低
く、またエノレートの系が非常に複雑で続く捕捉
反応に大きな制限があるなどの欠点を有してお
り、工業的に満足すべき方法とは言えない。 本発明者らは、上記諸方法の欠点を克服し、
α,β−不飽和カルボニル化合物に、高収率でし
かも有利に有機銅化合物を共役付加させ、更に該
反応によつて生じるエノレートを効率良く捕捉し
て、高収率で医薬、農薬、香料あるいはこれらの
中間体として有用な隣接置換ケトン類を得る方法
を見い出すべく鋭意研究した結果、第1銅塩と有
機リチウムが等モル量反応して得られるRACu
(RAは保護された水酸基を有していてもよい炭素
数1〜20のアルキル又はアルケニル)で表わされ
る有機銅化合物を、3価のリン化合物の存在下
に、α,β−不飽和カルボニル化合物に共役付加
せしめれば、α,β−不飽和カルボニル化合物の
β位に高収率で有機基を導入し得、更に該反応に
よつて生じるエノレートを、ルイス酸の存在下、
アセタノール誘導体を反応せしめることによつ
て、α,β−不飽和カルボニル化合物のα位、β
位の種々の有機基を有する隣接置換ケトン類を高
収率で、しかも有利に製造し得ることを見出し本
発明に到達したものである。 すなわち本発明は、 下記式[] 〔式中、Qは水素原子又は保護された水酸基、
R′2、R′4は同一もしくは異なり、水素原子又は低
級アルキル基を表わす。〕 で表わされるα,β−不飽和カルボニル化合物
に、トリ炭化水素ホスフインの存在下、下記式
[] RACu …[] 〔式中、RAは保護された水酸基を有していても
よい炭素数1〜20のアルキル又はアルケニルを表
わす。〕 で表わされる有機銅化合物を反応せしめ、次いで
ルイス酸の存在下に、更に下記式[] 〔式中、R5はメチル基又はエチル基を表わし、
RDは水素原子又は炭素数1〜20の保護されてい
る水酸基又はカルボキシル基を有していてもよい
炭化水素基、AはOR5またはN(R6)2を表わし、
R6はメチル基又はエチル基を示す。〕 で表わされるアセタノール誘導体を反応せしめる
ことを特徴とする下記式[] 〔但し、式中A、RD、RA、R′4及びQは上記定義
に同じであり、X及びYはXがR′2でYがOR5で
あるか、或いはXとYは結合手を表わし、それら
は互いに結合しているものである。尚、R′2及び
R5は上記定義の通りである。〕 で表わされる隣接置換ケトン類の製造法である。 本発明において原料として用いられるα,β−
不飽和カルボニル化合物は前記式[]で表わさ
れる2−シクロペンテノン類であるが、前記式
[]中Qは水素原子又は保護された水酸基、
R′2、R′4は同一もしくは異なり、水素原子又は低
級アルキル基を表わす。Qで表わされる保護され
た水酸基の保護基の例としてはトリ(C1〜C7)
炭化水素シリル基または1−アルコキシ置換
(C1〜C5)アルキル基があげられる。 トリ(C1〜C7)炭化水素シリル基としては、
例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、ト
リイソプロピルシリル、t−ブチルジメチルシリ
ル基のようなトリ(C1〜C4)アルキルシリル、
ジフエニルメチルシリル、t−ブチルジフエニル
シリル基のようなジフエニル(C1〜C4)アルキ
ルシリル、フエニルジメチルシリルのようなフエ
ニルジ(C1〜C4)アルキルシリルまたはトリベ
ンジルシリル基などを好ましいものとして挙げる
ことができる。これらのうち、t−ブチルジメチ
ルシリル基が特に好ましい。 1−アルコキシ置換(C1〜C5)アルキル基と
しては、例えば、メトキシメチル、1−エトキシ
エチル、1−メトキシ−1−メチルエチル、1−
エトキシ−1−メチルエチル、(2−メトキシエ
トキシ)メチル、ベンジルオキシメチル、2−テ
トラヒドロピラニル、または2−テトラヒドロフ
ラニル基を挙げることができる。これらのうち、
2−テトラヒドロピラニル、2−テトラヒドロフ
ラニル、1−エトキシエチル、1−メトキシ−1
−メチルエチル、または(2−メトキシエトキ
シ)メチルが特に好ましい。 R′2、R′4で表わされる低級アルキル基としては
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、sec−ブチルまたはt−ブチル
基が挙げられる。 かかる化合物の典型的な例としては、例えば下
記の化合物があげられる。 シクロペント−2−エン−1−オン、3,4−
ジメチルシクロペント−2−エン−1−オン、
3,4,4−トリメチルシクロペント−2−エン
−1−オン、2−メチルシクロペント−2−エン
−1−オン、3−メチルシクロペント−2−エン
−1−オン、4−メチルシクロペント−2−エン
−1−オン、3−イソプロピルシクロペント−2
−エン−1−オン、2,3,4−トリメチルシク
ロペント−2−エン−1−オン、4−イソプロピ
ル−2,3−ジメチルシクロペント−2−エン−
1−オン、3−エチル−2−メチルシクロペント
−2−エン−1−オン、2,3−ジメチルシクロ
ペント−2−エン−1−オン、3−メチル−2−
アルミシクロペント−2−エン−1−オン、1(8)
−ヒドロインデン−2−オン、8(9)−ヒドロイン
デン−1−オン、2−ヒドロインデン−1−オ
ン、4−t−ブチルジメルシロキシ−シクロペン
ト−2−エン−1−オンなどの化合物である。 本発明においては、上述したα,β−不飽和カ
ルボニル化合物に、非プロトン性不活性有機媒体
中でトリ炭化水素ホスフインの存在下、下記式
[] RACu …[] 〔式中、RAは保護された水酸基を有していても
よい炭素数1〜20のアルキル又はアルケニルを表
わす。〕 で表わされる有機銅化合物を反応せしめる。 本発明で用いられる有機銅化合物を示す上記式
[]におけるRAは保護された水酸基を有してい
てもよい炭素数1〜20のアルキル又はアルケニル
であり、RAの炭素数1〜20のアルキル又はアル
ケニルとしては、メチル、エチル、プロピル、ヘ
キシル、オクチル、デシル基の如きアルキルもし
くはビニル、1−プロペニル、1−ブテニル、1
−ヘキセニル、1−オクテニル、1−デセニル基
の如きアルケニルが挙げられ、これらのアルキル
又はアルケニルには保護された水酸基や炭素数1
〜4の低級アルキル基を置換基して有していても
よい。かかる保護された水酸基してはQに対して
例示した基と同様の基が好ましく挙げられる。 このような有機銅化合物は、対応する有機リチ
ウム化合物と第1銅塩とを等モル量用いて、有機
リチウム化合物あるいは第1銅塩に対して2倍モ
ル量の3価のリン化合物の存在下に、該有機リチ
ウム化合物と該第1銅塩とを非プロトン性不活性
有機媒体中で反応せしめることによつて容易に製
造される。 従つて、本発明の如く前述したα,β−不飽和
カルボニル化合物に、非プロトン性不活性有機媒
体中でトリ炭化水素ホスフインの存在下、前記式
[]で表わされる有機銅化合物を反応せしめる
には、上記した如く、対応する有機リチウム化合
物と第1銅塩とを、トリ炭化水素ホスフインの存
在下に反応させて有機銅化合物を製造し、この反
応系内に出発原料であるα,β−不飽和カルボニ
ル化合物を添加せしめればよい。 ここで用いられる有機リチウム化合物としては
以下の如き化合物をあげることができる。 すなわち、例えばメチルリチウム、エチルリチ
ウム、n−プロピルリチウム、iso−プロピルリ
チウム、n−ブチルリチウム、t−ブチルリチウ
ム、n−ペンチルリチウム、n−ヘキシルリチウ
ム、シクロヘキシルリチウム、n−ヘプチルリチ
ウム、n−オクチルリチウム、n−ノニルリチウ
ムの如きアルキルリチウム類、ビニルリチウム、
1−リチオ−プロプ−シス−1−エン、1−リチ
オ−プロプ−トランス−1−エン、1−リチオ−
オクト−シス−5−エン、1−リチオ−オクト−
トランス−5−エン、1−リチオ−オクト−シス
−1−エン、1−リチオ−オクト−トランス−1
−エンの如きアルケニルリチウム類、1−リチオ
−3−テトラヒドロピラニロキシ−オクタン、1
−リチオ−ビス(3,7−テトラヒドロプラニロ
キシ)−オクタンの如きアルコキシアルキルリチ
ウム類、1−リチオ−3−テトラヒドロピラニロ
キシ−オクト−トランス−1−エン、1−リチオ
−ビス(3,7−テトラヒドロピラニロキシ)−
オクト−トランス−1−エン、1−リチオ−3−
テトラヒドロピラニロキシ−オクト−トランス−
1−シス−5−ジエンの如きアルコキシアルケニ
ルリチウム類、1−リチオ−3−t−ブチルジメ
チルシロキシ−オクト−トランス−1−エンの如
きシロキシアルケニルリチウム類などがある。 また第1銅塩としては、塩化第1銅、臭化第1
銅、ヨウ化第1銅、シアン化第1銅などが好まし
く用いられ、特にヨウ化第1銅が好ましく用いら
れる。 かかる第1銅塩を実際に使用する際の使用割合
は上記有機リチウム化合物に対して、0.6〜1.5当
量、好ましくは0.9〜1.2当量である。 またトリ炭化水素ホスフインとしては、トリエ
チルホスフイン、トリn−ブチルホスフイン等の
トリアルキルホスフイン、トリフエニルホスフイ
ン等のトリアリールホスフインなどが挙げられ、
特にトリn−ブチルホスフインが好ましく用いら
れる。 かかるトリ炭化水素ホスフインの実際の使用量
は上記有機リチウム化合物に対して1〜3当量、
好ましくは1.9〜2.0当量である。 非プロトン性不活性有機媒体としては例えば、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン
の如き飽和炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キ
シレンの如き芳香族炭化水素類、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキ
シエタン、ジエチレングリコール、ジメチルエー
テルの如きエーテル系溶媒、その他、ヘキサメチ
ルホスホリツクトリアミド、N,Nジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメ
チルスルホキシド、スルホラン、N−メチルピロ
リドンの如きいわゆる非プロトン性極性溶媒等で
ある。また、これらの混合溶媒であつてもよい。
このような有機リチウム化合物と第1銅塩及びト
リ炭化水素ホスフインから有機銅化合物を製造す
るには例えば次のようにして行なう。 非プロトン性不活性有機媒体中で、有機リチウ
ム化合物と第1銅塩とを、窒素又はアルゴン雰囲
気下で、トリ炭化水素ホスフインの存在下に室温
〜−100℃、好ましくは−40℃〜−78%で数時間
反応せしめることにより行なわれる。 かくして前記式[]で表わされる有機銅化合
物が生成し、この有機銅化合物はトリ炭化水素ホ
スフインと錯体を形成している。この反応系内に
α,β−不飽和カルボニル化合物を添加すること
によつて、本発明の隣接置換ケトン類の製造が開
始される。 有機銅化合物の錯体とα,β−不飽和カルボニ
ル化合物とは化学量論的には等モル反応を行なう
が、通常有機銅化合物に対して0.5〜2当量、好
ましくは0.8〜1.2当量の割合いでα,β−不飽和
カルボニル化合物を用いる。反応は窒素、アルゴ
ン雰囲気下で、室温〜−100℃好ましくは5℃〜
−78℃で数時間行なうことにより進行する。 かくしてあるのβ位に置換基が導入される。上
記反応後に系内にはエノレートが生成している
が、このエノレートをルイス酸の存在下、直接ア
セタール誘導体で捕捉することによつてα,β−
不飽和カルボニル化合物のα位、β位に置換基が
導入された隣接置換ケトン類が製造される。 すなわち、本発明の製造方法は次の実施態様に
より完結される。前記式[]で表わされるα,
β−不飽和カルボニル化合物に、非プロトン性不
活性有機媒体中で、トリ炭化水素ホスフインの存
在下、前記式[]で表わされる有機銅化合物を
反応せしめ、次いでルイス酸の存在下に、更に下
記式[] 〔式中、R5はメチル基又はエチル基、RDは水素
原子又は保護されている水酸基又はカルボキシル
基を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素
基、Aは水素原子、OR5、またはN(R6)2を表わ
し、R6はメチル基又はエチル基を示す。〕 で表わされるアセタノール誘導体を反応せしめる
ことにより下記式[] 〔但し、式中A、RD、RA、R′4及びQは上記定義
に同じであり、X及びYはXがR′2でYがOR5で
あるか、或いはXとYは結合手を表わし、それら
は互いに結合しているものである。尚、R′2及び
R5は上記定義の通りである。〕 で表わされる隣接置換ケトン類が製造される。 本発明の製造法での捕捉反応においは前述した
ように生成エノレートをさらに活性化し次の反応
に供するために助剤としてルイス酸、例えば、3
フツ化ホウ素またはそのエーテル錯体を使用する
ことが必要である。 なお、かかるルイス酸の添加時期は、前述した
如き有機銅化合物を製造した直後に添加してもよ
く、また有機銅化合物を製造し、次いでα,β−
不飽和カルボニル化合物を加えた後に添加しても
よい。かかる助剤の使用割合は、有機銅化合物
()に対して0.7〜1.3当量、好ましくは0.9〜1.1
当量が良い。 上記式[]で表わされるアセタノール誘導体
において、式中のR5はメチル、エチル基である。
RDは水素原子又は保護されている水酸基又はカ
ルボシル基を有していてもよい炭素数1〜20の炭
化水素基であり、かかる炭化水素基としてはメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オク
チル基などのアルキル基、ビニル、1−プロペニ
ル、1−ペンテニル、1−ヘキセニル基などのア
ルケニル基などが挙げられ、これらの基に炭素数
1〜4の低級アルキル基やフエニル基が置換して
いてもよい。保護されている水酸基としてはQで
例示した基と同様の基が好ましく挙げられ、保護
されているカルボキシル基としては炭素数1〜4
の低級アルキル基が結合したエステル誘導体が好
ましいものとして挙げられる。 Aは水素原子、OR5またはN(R6)2でありR6は
メチル、エチルを表わす。 かかるアセタール誘導体としては例えば、トリ
エチルオルソアセテート、トリメチルオルソアセ
テート、1,1,1−トリエトキシプロパン、
1,1,1−トリメトキシプロパン、1,1,1
−トリエトキシシブタン、1,1,1−トリメト
キシシブタン、1,1,1−トリエトキシペンタ
ン、1,1,1−トリメトキシペンタン、1,
1,1−トリエトキシヘキサン、1,1,1−ト
リメトキシヘキサン、1,1,1−トリエトキシ
オンタン、1,1,1−トリメトキシオンタン、
1,1,1−トリエトキシオクト−2−エン、
1,1,1−トリメトキシオクト−2−エン、
1,1,1−トリエトキシオクト−2−イン、
1,1,1−トリメトキシオクト−2−イン、
1,1,1,7,7,7−ヘキサエトキシオクタ
ン、1,1,1,7,7,7−ヘキサメトキシオ
クタン、1,1,1,7,7,7−ヘキサエトキ
シオクト−2−エン、1,1,1,7,7,7−
ヘキサエトキシオクト−2−イン、6−カルボエ
トキシ−1,1,1−トリエトキシヘキサン、6
−カルボエトキシ−1,1,1−トリエトキシヘ
キサ−2−エン、N,N−ジメチルホルムアミド
ジメチルアセタール、1−ジメチルアミノ−1,
1−ジメトキシエタン、1−ジエチルアミノ−
1,1−ジメトキシエタン、1−ジメチルアミノ
−1,1−ジメトキシプロパン、1−ジメチルア
ミノ−1,1−ジメトキシブタン、1−ジメチル
アミノ−1,1−ジメトキシペンタン、1−ジエ
チルアミノ−1,1−ジメトキシヘキサン、1−
ジメチルアミノ−1,1−ジメトキシオンタン、
1−ジメチルアミノ−1,1−ジメトキシオクト
−2−エン、1−ジメチルアミノ−1,1−ジメ
トキシオクト−2−イン、6−カルボメトキシ−
1−ジメチルアミノ−1,1−ジメトキシヘキサ
ン、6−カルボメトキシ−1−ジメチルアミノ−
1,1−ジメトキシヘキサ−2−エン、6−カル
ボメトキシ−1−ジメチルアミノ−1,1−ジメ
トキシヘキサ−2−イン、などが挙げられる。 以上のように、上記式[]で表わされるアセ
タノール誘導体のルイス酸存在下のエノレートと
の反応は、反応温度50℃〜−100℃好ましくは室
温〜−78℃で数時間行なうことによつて進行す
る。この捕捉反応は通常は化学量論的に進行する
が、使用するアセタール誘導体()の割合は、
エノレートに対して0.6〜2当量、好ましくは0.9
〜1.2当量が良い。反応の進行状態は薄層クロマ
トグラフイー等により反応を追跡することにより
反応の終点を判定することが出来る。かくして生
成した上記式[]で表わされる隣接置換ケトン
類は、反応後に水または塩化アンモニウム水溶液
の如き強電解質水溶液で、0.1〜1時間程度処理
し、次いで通常の方法により抽出、洗滌、濃縮し
粗生成物を得、これをさらに蒸留、クロマトグラ
フイー等の手段により精製することによつて、目
的とする前記式[]で表わされる隣接置換ケト
ン類が有利に高収率で製造される。 上記式[]においてXとYが結合手を表わす
場合の化合物はR′2が水素原子の場合に限り、反
応条件下、または、後処理工程において、ケトン
のβ位に担当する位置にあるOR5基が脱離するこ
とにより、得られる生成物として理解される。 このように本発明方法によつて得られる隣接置
換ケトン類は具体例に示されている様にそれ自体
医薬としての生理活性が期待されるプロスタクラ
ンジン類であり、またその他の化合物は医薬、農
薬、香料の合成中間体として幅広い用途が考えら
れる有用な化合物である。 さらに生成物のあるものは、例えば、α−置換
基をさらに化学修飾することにより近年医薬とし
て注目されているプロスタサイクリン類を合成す
る中間体として利用することも出来る有用な化合
物である。以下、実施例を挙げて本発明を更に詳
細に説明する。 実施例 1 3−n−ブチル−2−(ジメトキシメチル)シ
クロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅32mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル20mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム
(1.86Mヘキサン溶液)0.91ml(1.7mmol)をゆ
つくり滴下した。−78℃で30分間撹拌したのち三
フツ化ホウ素エーテル錯体194mg(1.7mmol)を
加え10分間撹拌した。ついで2−シクロペンテノ
ン123mg(1.5mmol)の無水エーテル5ml溶液を
ゆつくり滴下した。−78℃で10分間、−55℃で20分
間ついで−40℃で10分間撹拌した。つぎにこれに
無水THF5mlを加えたのち、オルトギ酸メチル
212mg(2mmol)の無水THF10ml溶液を加え
た。徐々に室温まで昇温したのち、飽和塩化アン
モニウム水溶液で加水分解し、エーテルで抽出し
た。有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥した
後、エバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物を
シリカゲルクロマトグラフイー(アンモニア処
理、10g、溶出溶媒ベンゼン:酢酸エチル=20:
1)に供し、3−n−ブチル−2−(ジメトキシ
メチル)シクロペンタノン277mg(86%)を得た。 スペクトルデータ(立体異性体の混合物) 3−n−ブチル−2−(ジメトキシメチル)シ
クロペンタン シリカゲルTLC;Rf0.46(展開溶媒ベンゼン:
酢酸エチル=8:1)。 IR(液膜);1740cm-1(C=O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.4(m、12H、CH2とCH)、3.38(s、
6H、OCH3)、4.48(d、J=3Hz、1H、CH
(OCH3)2)。 実施例 2 2−(ジメトキシメチル)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オ
クテニル]シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル10mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、1−ヨード−3−(テト
ラヒドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−
オクテンから調製したビニルリチウム体を加え
た。−78℃で30分間撹拌したのち、2−シクロペ
ンテノン123mg(1.5mmol)の無水エーテル5ml
溶液をゆつくり滴下した。−78℃で10分間撹拌し
たのを三フツ化ホウ素エーテル錯体194mg(1.7m
mol)を加え、−78℃で10分間、−55℃で20分間つ
いで−40℃で10分間撹拌した。つぎにこれに無水
THF5mlを加えたのち、オルトギ酸メチル212mg
(2mmol)の無水THF10ml溶液を加えた。徐々
に室温まで昇温したのち、飽和塩化アンモニウム
水溶液で加水分解し、エーテルで抽出した。有機
層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥したのち、エバ
ポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフイー(アンモニ
ア処理、15g、溶出溶媒ベンゼン:酢酸エチル=
10:1)に供し、2−(ジメトキシメチル)−3−
[3−テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)−1
−trans−オクテニル]シクロペンタノン169mg
(30%)を得た。 スペクトルデータ(立体異性体の混合物) 2−(ジメトキシメチル)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オ
クテニル]シクロペンタノン シリカゲルTLC;Rf0.23(展開溶媒ベンゼン:
酢酸エチル=5:1)。 IR(液膜);1740cm-1(C=O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.4(m、2OH、CH2とCH)、3.1〜4.2(m、
3H、OCH2CH2とCHOTHP)3.34と3.37(s、
6H、OCH3)、4.4〜4.8(m、2H、OH(OCH3)2
とCHOTHP)、5.2〜5.8(m、2H、CH=CH)。 実施例 3 2−(ジメトキシメチル)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オ
クテニル]−4−(テトラヒドロピラン−2−イ
ルオキシ)シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル10mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、実施例2で用いたビニル
リチウム体を加えた。−78℃で30分間撹拌したの
ち4−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
シクロペンテノン273mg(1.5mmol)の無水エー
テル5ml溶液をゆつくり滴下した。−78℃で10分
間撹拌したのち、三フツ化ホウ素エーテル錯体
194mg(1.7mmol)を加え、−78℃で10分間、−55
℃で20分間ついで−40℃で10分間撹拌した。つぎ
にこれに無水THF5mlを加えたのち、オルトギ酸
メチル212mg(2mmol)の無水THF10ml溶液を
加えた。徐々に室温まで昇温したのち、飽和塩化
アンモニウム水溶液で加水分解し、エーテルで抽
出した。有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し
たのち、エバポレーターで減圧濃縮した。得られ
た粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー(アンモニア処理、15g、溶出溶媒ベンゼン:
酢酸エチル=6:1)に供し、2−(ジメトキシ
メチル)−3−[3−(テトラヒドロピラン−2−
イルオキシ)−1−trans−オクテニル]4−(テ
トラヒドロピラン−2−イルオキシ)シクロペン
テノ165mg(24%)を得た。 スペクトルデータ(立体異性体の混合物) 2−(ジメトキシメチル)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オ
クテニル]−4−(テトラヒドロピラン−2−イ
ルオキシ)シクロペンタノンシリカゲル
TLC;Rf0.51(展開溶媒ベンゼン:酢酸エチ
ル=2:1)。 IR(液膜);1740cm-1(C=O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.2〜2.8(m、24H、CH2とCH)、3.30〜3.38
(s、6H、OCH3)、3.3〜4.2(m、6H、
OCH2CH2とCHOTHP)、4.5〜4.8(m、3H、
OH(OCH3)2とOCHO)、5.2〜5.7(m、2H、
CH=CH)。 実施例 4 3−n−ブチル−2−(1−エトキシエチリデ
ン)シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル20mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム
(1.86Mヘキサン溶液)0.91ml(1.7mmol)をゆ
つくり滴下した。−78℃で30分間撹拌したのち三
フツ化ホウ素エーテル錯体194mg(1.7mmol)を
加え5分間撹拌した。ついで2−シクロペンテノ
ン123mg(1.5mmol)の無水エーテル5ml溶液を
ゆつくり滴下した。−78℃で10分間−55℃で20分
間ついで−40℃で10分間撹拌した。つぎにこれに
無水THF5mlを加えたのち、トリエチルオルソア
セテート324mg(2mmol)の無水THF10ml溶液
を加えた。徐々に室温まで昇温したのち、飽和塩
化アンモニウム水溶液で加水分解し、エーテルで
抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥
した後、エバポレーターで減圧濃縮した。粗生成
物をシリカゲルクロマトグラフイー(アンモニア
処理、10g、溶出溶媒ベンゼン:酢酸エチル=
10:1)に供し粗分けした。ついで分取シリカゲ
ルTLC(アンモニア処理、展開溶媒ベンゼン:酢
酸エチル=20:1)に供し、3−n−ブチル−2
−(1−エトキシエチリデン)シクロペンタノン
190mg(60%)を得た。 スペクトルデータ。 3−n−ブチル−2−(1−エトキシエチリデ
ン)シクロペンタノン シリカゲルTLC;Rf0.27(展開溶媒ベンゼン:
酢酸エチル=20:1)。 IR(液膜);1690cm-1(C=O)、1600cm-1(C=
O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.3(m、10H、CH2とCH)、1.32(t=J
=8Hz、3H、OCH2CH3)、2.40(s、3H、C
=CCH3)、2.8〜3.1(m、1H、アリル位の
CH)、4.03(q、J=8Hz、2H、OCH2CH3)。 実施例 5 3−n−ブチル−2−(N,N−ジメチルアミ
ノメチレン)シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル20mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム
(1.86Mヘキサン溶液)0.91ml(1.7mmol)をゆ
つくり滴下した。−78℃で30分間撹拌したのち三
フツ化ホウ素エーテル錯体194mg(1.7mmol)を
加え5分間撹拌した。ついで2−シクロペンテノ
ン123mg(1.5mmol)の無水エーテル5ml溶液を
ゆつくり滴下した。−78℃で10分間、−55℃で20分
間ついで−40℃で10分間撹拌した。つぎにこれに
無水THF5mlを加えたのち、N,N−ジメチルホ
ルムアミドジメチルアセタノール338mg(2m
mol)の無水THF10ml溶液を加えた。徐々に室
温まで昇温したのち、飽和塩化アンモニウム水溶
液で加水分解し、エーテルで抽出した。有機層を
無水硫酸ナトリウム上で乾燥したのち、エバポレ
ーターで減圧濃縮した。粗生成物をアルミナカラ
ムシリカゲルクロマトグラフイー(neutral
activity 、10g、溶出溶媒酢酸エチル)に供
し、3−n−ブチル−2−(N,N−ジメチルア
ミノメチレン)シクロペンタノン168mg(58%)
を得た。 スペクトルデータ。 3−n−ブチル−2−(N,N−ジメチルアミ
ノメチレン)シクロペンタノン アルミナTLC;Rf0.34(展開溶媒エチル)。 IR(液膜);1680cm-1(C=O)、1590cm-1(C=
O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.3(m、10H、CH2とCH)、2.9〜3.2(m、
1H、アリル位のCH)、3.05(s、6H、N
(CH3)2)、6.90(br.s、1H、C=CH−N)。 実施例 6 2−(N,N−ジメチルアミノメチレン)−3−
[3−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−1−trans−オクテニル]シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル10mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、実施例2で用いたビニル
リチウム体を加えた。−78℃で30分間撹拌したの
ち、2−シクロペンテノン123mg(1.5mmol)の
無水エーテル5ml溶液をゆつくり滴下した。−78
℃で10分間撹拌したのち三フツ化ホウ素エーテル
錯体194mg(1.7mmol)を加え−78℃で10分間、
−55℃で20分間ついで−40℃で10分間撹拌した。
つぎにこれに無水THF5mlを加えたのち、N,N
−ジメチルホルムアミドジメチルアセタノール
338mg(2mmol)の無水THF10ml溶液を加え
た。徐々に室温まで昇温したのち、飽和塩化アン
モニウム水溶液で加水分解し、エーテルで抽出し
た。有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥したの
ち、エバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗
生成物をアルミナカラムクロマトグラフイー
(neutral activity 、15g、溶出溶媒ベンゼ
ン:酢酸エチル1:1)に供し、2−(N,N−
ジメチルアミノメチレン)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オク
テニル]シクロペンタノン157mg(31%)を得た。 スペクトルデータ。(立体異性体の混合物) 2−(N,N−ジメチルアミノメチレン)−3−
[3−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−1−trans−オクテニル]シクロペンタノン アルミナTLC;Rf0.30(展開溶媒ベンゼン:酢
酸エチル=1:1)。 IR(液膜);1680cm-1(C=O)、1580cm-1(C=C
−N)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.2〜2.7(m、19H、CH2とCH)、3.04(s、
6H、NCH3)3.2〜4.2((m、3H、OCH2CH2と
CHOTHP)、4.4〜4.7(m、1H、OCHO)、5.1
〜5.9(m、2H、CH=CH)、7.08(br.s、1H、
C=CH−N)。 実施例 7 2−(N,N−ジメチルアミノメチレン.−3−
[3−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−1−trans−オクテニル]−4−(テトラヒド
ロピラン−2−イルオキシ)シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル10mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、実施例2で用いたビニル
リチウム体を加えた。−78℃で30分間撹拌したの
ち、4−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−2−シクロペンテノン273mg(1.5mmol)の無
水エーテル5ml溶液をゆつくり滴下した。−78℃
で10分間撹拌したのち、三フツ化ホウ素エーテル
錯体194mg(1.7mmol)を加え−78℃で10分間、
−55℃で20分間ついで−40℃で10分間撹拌した。
つぎにこれに無水THF5mlを加えたのち、N,N
−ジメチルホルムアミドメチルアセタール338mg
(2mmol)の無水THF10ml溶液を加えた。徐々
に室温まで昇温したのち、飽和塩化アンモニウム
水溶液で加水分解し、エーテルで抽出した。有機
層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥したのち、エバ
ポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物を
アルミナカラムクロマトグラフイー(neutral
activity 、15g、溶出溶媒ベンゼン:酢酸エ
チル1:1)に供し、2−(N,N−ジメチルア
ミノメチレン)−3−[3−テトラヒドロピラン−
2−イルオキシ)−1−trans−オクテニル]−4
−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)シク
ロペンタノン235mg(37%)を得た。 スペクトルデータ。(立体異性体の混合物) 2−(N,N−ジメチルアミノメチレン)−3−
[3−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−1−trans−オクテニル]−4−(テトラヒド
ロピラン−2−イルオキシ)シクロペンタノン アルミナTLC;Rf0.30(展開溶媒ベンゼン:酢
酸エチル=1:1)。 IR(液膜);1680cm-1(C=O)、1580cm-1(C=
O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.5(m、23H、CH2とCH)、3.05(s、
6H、N(CH3)2)、3.1〜4.1(m、6H、
CHOTHPとOCH2CH2)、4.4〜4.8(m、2H、
OCHO)、5.1〜5.9(m、2H、CH=CH)、7.16
(br.s、1H、C=CH−N)。 実施例 8 1−モード−3−t−ブチルジメチルシロキシ
−1−シス−オクテン−1.774mg(2.1mmol)を
乾燥エーテル15mlに溶かし、乾燥しアルゴン置換
した反応管へ移した。−95℃に冷却後、よく撹拌
しながらt−ブチルリチウム(1.22Mペンタン溶
液・Aldrich)3.44ml(4.2mmol)を素早く加え
た。−95℃から−78℃まで徐々に昇温しながら2.5
時間撹拌後、下記の銅錯体溶液を加えた。 ヨウ化第一銅400mg(2.1mmol)を50mlナスフ
ラスコにり減圧下加熱乾燥し、アルゴン置換した
後、乾燥エーテル15mlを加え、n−ブチルホスフ
イン1.15ml(4.62mmol)を加え、室温で15分間
撹拌し、−78℃に冷却後、上記の反応管へステン
レスチユーブを用いて加えた。 −78℃で40分間撹拌後、2−シクロペンテノン
164mg(2.0mmol)のdry Et2O10ml溶液を10分間
かけて滴下した。1時間撹拌後、オルトギ酸メチ
ル0.24ml(2.0mmol)続いてBF3・OEt20.26ml
(2.1mmol)を滴下し、−78℃で5時間撹拌した。
飽和塩化アンモニウム水10ml(加水分解した後、
水層を2度Et2O5mlで抽出し、有機層を合わせ無
水MgSO4で乾燥した。瀘過濃縮後、シリカゲル
カラムクロマトグラフイー(アンモニア処理30g
ヘキサン/Et2O=30/1)に供し生成物3−(3
−t−ブチルジメチルシロキ−1−シスオクテニ
ル)−2−ジメトキシメチル−シクロペンタノン
550mg(収率69%)を得た。 スペクトルデータ 薄層クロマトグラフイー(ヘキサン;エーテル
=1:1)0.60 NMR(CCl4、)δ;0.7〜1.0(3H、m、−CH3 )、
0.87(9H、s、−C(CH3 )3)、1.05〜1.8(10H、
m)、1.9〜2.4(4H、m)、3.29(3H、s、−C
H3)、3.38(3H、s、−OH3 )、4.3〜4.6(1H、
m、−CHOS1−(Me2)−t−Bu)、4.51(1H、
d、J=3.0Hz、−CH(OMe)、5.0〜5.45(2H、
m、【式】)
更に詳細には、本発明はα,β−不飽和カルボニ
ル化合物にトリ炭化水素ホスフインの存在下、有
機銅化合物を反応させて該α,β−不飽和カルボ
ニル化合物のβ位に有機基を導入し、引き続い
て、該反応において生じるエレノートをルイス酸
の存在下にアセタール誘導体で捕捉することによ
り、α,β−不飽和カルボニル化合物のα位に、
更に種々の有機基を導入して医薬品、農薬、香料
として、あるいはこれらの中間体として有用な隣
接置換ケトン類を高収率で有利に製造する方法に
関する。 従来、α,β−不飽和カルボニル化合物に有機
銅化合物を反応させてα,β−不飽和カルボニル
化合物のα位に有機基を導入する方法として以下
の如き方法が知られている。 すなわち、 (1) R2CuLi(Rは1価の有機基)で表わされる如
きホモcuprateを用いる方法(ジエー・エフ・
ノーマンら、シンセシス、63(1972))。 (2) (CH3)2CuLiなどのR2CuLiで表わされるホ
モcuprateとトリ有機ホスフインの錯体を用い
る方法(エツチ・オー・ハウスら、ジヤーナ
ル・オブ・オルガニツク・ケミストリー、33、
949(1968))。 (3) n−C3HC≡CCun−C4H9LiなどのRR′CuLi
(R、R″は異なる1価の有機基)で表わされる
混合cuprateを用いる方法(イー・ジエー・コ
ーリーら、ジヤーナル・オブ・アメリカン・ケ
ミカル・ソサエテイー、94、7210(1972))。 (4) PhSCuRLi、PhOCuRLi、tBuOCuRLiの如
きcuprateを用いる方法(ジエー・エツチ・ポ
ズナーな、ジヤーナル・オブ・アメリカン・ケ
ミカル・ソサエテイー、95、7788(1973))等が
知られている。 しかしながら、これらの方法において、(1)の方
法では好適な収率を得るためには過剰のcuprate
を用いなければならない点、(2)の方法では1当量
のアルキルリチウムの損失がある点、(3)、(4)の方
法では反応の再現性が乏しく、収率が低い点等の
欠点があり、これらの方法のいずれも工業的に満
足すべきものではない。 また、α,β−不飽和カルボニル化合物に有機
銅化合物を反応させ、次いで該反応によつて生じ
るエノレートを種々の反応剤で捕捉することによ
つて、α,β−不飽和カルボニル化合物のα位、
β位に置換基を有するケトン類を得る方法として
は以下の如き方法が知られている。 すなわち、 (5) R2CuLiで表わされる如きホモcuprateを反応
させ、次いで生じるエノレートを1度シリル化
剤で捕捉し、これを再びリチウムアミド等の塩
基でエノレートとし、次いでハロゲン化アルキ
ルを反応させてエノレートを捕捉して得る方法
(ジエー・エツチ・フリードら、ジヤーナル・
オブ・オルガニツク・ケミストリー、39、2506
(1974))。 (6) R2CuLiあるいはRR′CuLiで表わされる如き
ホモcuprateあるいは混合cuprateと反応させ、
次いで生じるエノレートをハロゲン化アルキル
で直接捕捉する方法(ジエー・エツチ・ポズナ
ーら、ジヤーナル・オブ・アメリカン・ケミカ
ル・ソサエテイー97、107(1975))。 (7) R2CuLiで表わされる如きホモcuprateとトリ
有機ホスフインの錯体を反応させ、次いで生じ
るエノレートをホルムアルデヒドで直接捕捉す
る方法(ジエー・ストークら、ジヤーナル・オ
ブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテイー、
97、6260(1975))。 (8) R2CuLiで表わされる如きホモcuprateとトリ
有機ホスフインとの錯体を反応させ、次いて生
じるエノレートを酸クロライドで捕捉する方法
(エス・クログミら、テトラヘドロンレターズ、
1535(1975))等が知られている。 しかしながらこれらの方法はいずれも収率が低
く、またエノレートの系が非常に複雑で続く捕捉
反応に大きな制限があるなどの欠点を有してお
り、工業的に満足すべき方法とは言えない。 本発明者らは、上記諸方法の欠点を克服し、
α,β−不飽和カルボニル化合物に、高収率でし
かも有利に有機銅化合物を共役付加させ、更に該
反応によつて生じるエノレートを効率良く捕捉し
て、高収率で医薬、農薬、香料あるいはこれらの
中間体として有用な隣接置換ケトン類を得る方法
を見い出すべく鋭意研究した結果、第1銅塩と有
機リチウムが等モル量反応して得られるRACu
(RAは保護された水酸基を有していてもよい炭素
数1〜20のアルキル又はアルケニル)で表わされ
る有機銅化合物を、3価のリン化合物の存在下
に、α,β−不飽和カルボニル化合物に共役付加
せしめれば、α,β−不飽和カルボニル化合物の
β位に高収率で有機基を導入し得、更に該反応に
よつて生じるエノレートを、ルイス酸の存在下、
アセタノール誘導体を反応せしめることによつ
て、α,β−不飽和カルボニル化合物のα位、β
位の種々の有機基を有する隣接置換ケトン類を高
収率で、しかも有利に製造し得ることを見出し本
発明に到達したものである。 すなわち本発明は、 下記式[] 〔式中、Qは水素原子又は保護された水酸基、
R′2、R′4は同一もしくは異なり、水素原子又は低
級アルキル基を表わす。〕 で表わされるα,β−不飽和カルボニル化合物
に、トリ炭化水素ホスフインの存在下、下記式
[] RACu …[] 〔式中、RAは保護された水酸基を有していても
よい炭素数1〜20のアルキル又はアルケニルを表
わす。〕 で表わされる有機銅化合物を反応せしめ、次いで
ルイス酸の存在下に、更に下記式[] 〔式中、R5はメチル基又はエチル基を表わし、
RDは水素原子又は炭素数1〜20の保護されてい
る水酸基又はカルボキシル基を有していてもよい
炭化水素基、AはOR5またはN(R6)2を表わし、
R6はメチル基又はエチル基を示す。〕 で表わされるアセタノール誘導体を反応せしめる
ことを特徴とする下記式[] 〔但し、式中A、RD、RA、R′4及びQは上記定義
に同じであり、X及びYはXがR′2でYがOR5で
あるか、或いはXとYは結合手を表わし、それら
は互いに結合しているものである。尚、R′2及び
R5は上記定義の通りである。〕 で表わされる隣接置換ケトン類の製造法である。 本発明において原料として用いられるα,β−
不飽和カルボニル化合物は前記式[]で表わさ
れる2−シクロペンテノン類であるが、前記式
[]中Qは水素原子又は保護された水酸基、
R′2、R′4は同一もしくは異なり、水素原子又は低
級アルキル基を表わす。Qで表わされる保護され
た水酸基の保護基の例としてはトリ(C1〜C7)
炭化水素シリル基または1−アルコキシ置換
(C1〜C5)アルキル基があげられる。 トリ(C1〜C7)炭化水素シリル基としては、
例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、ト
リイソプロピルシリル、t−ブチルジメチルシリ
ル基のようなトリ(C1〜C4)アルキルシリル、
ジフエニルメチルシリル、t−ブチルジフエニル
シリル基のようなジフエニル(C1〜C4)アルキ
ルシリル、フエニルジメチルシリルのようなフエ
ニルジ(C1〜C4)アルキルシリルまたはトリベ
ンジルシリル基などを好ましいものとして挙げる
ことができる。これらのうち、t−ブチルジメチ
ルシリル基が特に好ましい。 1−アルコキシ置換(C1〜C5)アルキル基と
しては、例えば、メトキシメチル、1−エトキシ
エチル、1−メトキシ−1−メチルエチル、1−
エトキシ−1−メチルエチル、(2−メトキシエ
トキシ)メチル、ベンジルオキシメチル、2−テ
トラヒドロピラニル、または2−テトラヒドロフ
ラニル基を挙げることができる。これらのうち、
2−テトラヒドロピラニル、2−テトラヒドロフ
ラニル、1−エトキシエチル、1−メトキシ−1
−メチルエチル、または(2−メトキシエトキ
シ)メチルが特に好ましい。 R′2、R′4で表わされる低級アルキル基としては
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、sec−ブチルまたはt−ブチル
基が挙げられる。 かかる化合物の典型的な例としては、例えば下
記の化合物があげられる。 シクロペント−2−エン−1−オン、3,4−
ジメチルシクロペント−2−エン−1−オン、
3,4,4−トリメチルシクロペント−2−エン
−1−オン、2−メチルシクロペント−2−エン
−1−オン、3−メチルシクロペント−2−エン
−1−オン、4−メチルシクロペント−2−エン
−1−オン、3−イソプロピルシクロペント−2
−エン−1−オン、2,3,4−トリメチルシク
ロペント−2−エン−1−オン、4−イソプロピ
ル−2,3−ジメチルシクロペント−2−エン−
1−オン、3−エチル−2−メチルシクロペント
−2−エン−1−オン、2,3−ジメチルシクロ
ペント−2−エン−1−オン、3−メチル−2−
アルミシクロペント−2−エン−1−オン、1(8)
−ヒドロインデン−2−オン、8(9)−ヒドロイン
デン−1−オン、2−ヒドロインデン−1−オ
ン、4−t−ブチルジメルシロキシ−シクロペン
ト−2−エン−1−オンなどの化合物である。 本発明においては、上述したα,β−不飽和カ
ルボニル化合物に、非プロトン性不活性有機媒体
中でトリ炭化水素ホスフインの存在下、下記式
[] RACu …[] 〔式中、RAは保護された水酸基を有していても
よい炭素数1〜20のアルキル又はアルケニルを表
わす。〕 で表わされる有機銅化合物を反応せしめる。 本発明で用いられる有機銅化合物を示す上記式
[]におけるRAは保護された水酸基を有してい
てもよい炭素数1〜20のアルキル又はアルケニル
であり、RAの炭素数1〜20のアルキル又はアル
ケニルとしては、メチル、エチル、プロピル、ヘ
キシル、オクチル、デシル基の如きアルキルもし
くはビニル、1−プロペニル、1−ブテニル、1
−ヘキセニル、1−オクテニル、1−デセニル基
の如きアルケニルが挙げられ、これらのアルキル
又はアルケニルには保護された水酸基や炭素数1
〜4の低級アルキル基を置換基して有していても
よい。かかる保護された水酸基してはQに対して
例示した基と同様の基が好ましく挙げられる。 このような有機銅化合物は、対応する有機リチ
ウム化合物と第1銅塩とを等モル量用いて、有機
リチウム化合物あるいは第1銅塩に対して2倍モ
ル量の3価のリン化合物の存在下に、該有機リチ
ウム化合物と該第1銅塩とを非プロトン性不活性
有機媒体中で反応せしめることによつて容易に製
造される。 従つて、本発明の如く前述したα,β−不飽和
カルボニル化合物に、非プロトン性不活性有機媒
体中でトリ炭化水素ホスフインの存在下、前記式
[]で表わされる有機銅化合物を反応せしめる
には、上記した如く、対応する有機リチウム化合
物と第1銅塩とを、トリ炭化水素ホスフインの存
在下に反応させて有機銅化合物を製造し、この反
応系内に出発原料であるα,β−不飽和カルボニ
ル化合物を添加せしめればよい。 ここで用いられる有機リチウム化合物としては
以下の如き化合物をあげることができる。 すなわち、例えばメチルリチウム、エチルリチ
ウム、n−プロピルリチウム、iso−プロピルリ
チウム、n−ブチルリチウム、t−ブチルリチウ
ム、n−ペンチルリチウム、n−ヘキシルリチウ
ム、シクロヘキシルリチウム、n−ヘプチルリチ
ウム、n−オクチルリチウム、n−ノニルリチウ
ムの如きアルキルリチウム類、ビニルリチウム、
1−リチオ−プロプ−シス−1−エン、1−リチ
オ−プロプ−トランス−1−エン、1−リチオ−
オクト−シス−5−エン、1−リチオ−オクト−
トランス−5−エン、1−リチオ−オクト−シス
−1−エン、1−リチオ−オクト−トランス−1
−エンの如きアルケニルリチウム類、1−リチオ
−3−テトラヒドロピラニロキシ−オクタン、1
−リチオ−ビス(3,7−テトラヒドロプラニロ
キシ)−オクタンの如きアルコキシアルキルリチ
ウム類、1−リチオ−3−テトラヒドロピラニロ
キシ−オクト−トランス−1−エン、1−リチオ
−ビス(3,7−テトラヒドロピラニロキシ)−
オクト−トランス−1−エン、1−リチオ−3−
テトラヒドロピラニロキシ−オクト−トランス−
1−シス−5−ジエンの如きアルコキシアルケニ
ルリチウム類、1−リチオ−3−t−ブチルジメ
チルシロキシ−オクト−トランス−1−エンの如
きシロキシアルケニルリチウム類などがある。 また第1銅塩としては、塩化第1銅、臭化第1
銅、ヨウ化第1銅、シアン化第1銅などが好まし
く用いられ、特にヨウ化第1銅が好ましく用いら
れる。 かかる第1銅塩を実際に使用する際の使用割合
は上記有機リチウム化合物に対して、0.6〜1.5当
量、好ましくは0.9〜1.2当量である。 またトリ炭化水素ホスフインとしては、トリエ
チルホスフイン、トリn−ブチルホスフイン等の
トリアルキルホスフイン、トリフエニルホスフイ
ン等のトリアリールホスフインなどが挙げられ、
特にトリn−ブチルホスフインが好ましく用いら
れる。 かかるトリ炭化水素ホスフインの実際の使用量
は上記有機リチウム化合物に対して1〜3当量、
好ましくは1.9〜2.0当量である。 非プロトン性不活性有機媒体としては例えば、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン
の如き飽和炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キ
シレンの如き芳香族炭化水素類、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキ
シエタン、ジエチレングリコール、ジメチルエー
テルの如きエーテル系溶媒、その他、ヘキサメチ
ルホスホリツクトリアミド、N,Nジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメ
チルスルホキシド、スルホラン、N−メチルピロ
リドンの如きいわゆる非プロトン性極性溶媒等で
ある。また、これらの混合溶媒であつてもよい。
このような有機リチウム化合物と第1銅塩及びト
リ炭化水素ホスフインから有機銅化合物を製造す
るには例えば次のようにして行なう。 非プロトン性不活性有機媒体中で、有機リチウ
ム化合物と第1銅塩とを、窒素又はアルゴン雰囲
気下で、トリ炭化水素ホスフインの存在下に室温
〜−100℃、好ましくは−40℃〜−78%で数時間
反応せしめることにより行なわれる。 かくして前記式[]で表わされる有機銅化合
物が生成し、この有機銅化合物はトリ炭化水素ホ
スフインと錯体を形成している。この反応系内に
α,β−不飽和カルボニル化合物を添加すること
によつて、本発明の隣接置換ケトン類の製造が開
始される。 有機銅化合物の錯体とα,β−不飽和カルボニ
ル化合物とは化学量論的には等モル反応を行なう
が、通常有機銅化合物に対して0.5〜2当量、好
ましくは0.8〜1.2当量の割合いでα,β−不飽和
カルボニル化合物を用いる。反応は窒素、アルゴ
ン雰囲気下で、室温〜−100℃好ましくは5℃〜
−78℃で数時間行なうことにより進行する。 かくしてあるのβ位に置換基が導入される。上
記反応後に系内にはエノレートが生成している
が、このエノレートをルイス酸の存在下、直接ア
セタール誘導体で捕捉することによつてα,β−
不飽和カルボニル化合物のα位、β位に置換基が
導入された隣接置換ケトン類が製造される。 すなわち、本発明の製造方法は次の実施態様に
より完結される。前記式[]で表わされるα,
β−不飽和カルボニル化合物に、非プロトン性不
活性有機媒体中で、トリ炭化水素ホスフインの存
在下、前記式[]で表わされる有機銅化合物を
反応せしめ、次いでルイス酸の存在下に、更に下
記式[] 〔式中、R5はメチル基又はエチル基、RDは水素
原子又は保護されている水酸基又はカルボキシル
基を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素
基、Aは水素原子、OR5、またはN(R6)2を表わ
し、R6はメチル基又はエチル基を示す。〕 で表わされるアセタノール誘導体を反応せしめる
ことにより下記式[] 〔但し、式中A、RD、RA、R′4及びQは上記定義
に同じであり、X及びYはXがR′2でYがOR5で
あるか、或いはXとYは結合手を表わし、それら
は互いに結合しているものである。尚、R′2及び
R5は上記定義の通りである。〕 で表わされる隣接置換ケトン類が製造される。 本発明の製造法での捕捉反応においは前述した
ように生成エノレートをさらに活性化し次の反応
に供するために助剤としてルイス酸、例えば、3
フツ化ホウ素またはそのエーテル錯体を使用する
ことが必要である。 なお、かかるルイス酸の添加時期は、前述した
如き有機銅化合物を製造した直後に添加してもよ
く、また有機銅化合物を製造し、次いでα,β−
不飽和カルボニル化合物を加えた後に添加しても
よい。かかる助剤の使用割合は、有機銅化合物
()に対して0.7〜1.3当量、好ましくは0.9〜1.1
当量が良い。 上記式[]で表わされるアセタノール誘導体
において、式中のR5はメチル、エチル基である。
RDは水素原子又は保護されている水酸基又はカ
ルボシル基を有していてもよい炭素数1〜20の炭
化水素基であり、かかる炭化水素基としてはメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オク
チル基などのアルキル基、ビニル、1−プロペニ
ル、1−ペンテニル、1−ヘキセニル基などのア
ルケニル基などが挙げられ、これらの基に炭素数
1〜4の低級アルキル基やフエニル基が置換して
いてもよい。保護されている水酸基としてはQで
例示した基と同様の基が好ましく挙げられ、保護
されているカルボキシル基としては炭素数1〜4
の低級アルキル基が結合したエステル誘導体が好
ましいものとして挙げられる。 Aは水素原子、OR5またはN(R6)2でありR6は
メチル、エチルを表わす。 かかるアセタール誘導体としては例えば、トリ
エチルオルソアセテート、トリメチルオルソアセ
テート、1,1,1−トリエトキシプロパン、
1,1,1−トリメトキシプロパン、1,1,1
−トリエトキシシブタン、1,1,1−トリメト
キシシブタン、1,1,1−トリエトキシペンタ
ン、1,1,1−トリメトキシペンタン、1,
1,1−トリエトキシヘキサン、1,1,1−ト
リメトキシヘキサン、1,1,1−トリエトキシ
オンタン、1,1,1−トリメトキシオンタン、
1,1,1−トリエトキシオクト−2−エン、
1,1,1−トリメトキシオクト−2−エン、
1,1,1−トリエトキシオクト−2−イン、
1,1,1−トリメトキシオクト−2−イン、
1,1,1,7,7,7−ヘキサエトキシオクタ
ン、1,1,1,7,7,7−ヘキサメトキシオ
クタン、1,1,1,7,7,7−ヘキサエトキ
シオクト−2−エン、1,1,1,7,7,7−
ヘキサエトキシオクト−2−イン、6−カルボエ
トキシ−1,1,1−トリエトキシヘキサン、6
−カルボエトキシ−1,1,1−トリエトキシヘ
キサ−2−エン、N,N−ジメチルホルムアミド
ジメチルアセタール、1−ジメチルアミノ−1,
1−ジメトキシエタン、1−ジエチルアミノ−
1,1−ジメトキシエタン、1−ジメチルアミノ
−1,1−ジメトキシプロパン、1−ジメチルア
ミノ−1,1−ジメトキシブタン、1−ジメチル
アミノ−1,1−ジメトキシペンタン、1−ジエ
チルアミノ−1,1−ジメトキシヘキサン、1−
ジメチルアミノ−1,1−ジメトキシオンタン、
1−ジメチルアミノ−1,1−ジメトキシオクト
−2−エン、1−ジメチルアミノ−1,1−ジメ
トキシオクト−2−イン、6−カルボメトキシ−
1−ジメチルアミノ−1,1−ジメトキシヘキサ
ン、6−カルボメトキシ−1−ジメチルアミノ−
1,1−ジメトキシヘキサ−2−エン、6−カル
ボメトキシ−1−ジメチルアミノ−1,1−ジメ
トキシヘキサ−2−イン、などが挙げられる。 以上のように、上記式[]で表わされるアセ
タノール誘導体のルイス酸存在下のエノレートと
の反応は、反応温度50℃〜−100℃好ましくは室
温〜−78℃で数時間行なうことによつて進行す
る。この捕捉反応は通常は化学量論的に進行する
が、使用するアセタール誘導体()の割合は、
エノレートに対して0.6〜2当量、好ましくは0.9
〜1.2当量が良い。反応の進行状態は薄層クロマ
トグラフイー等により反応を追跡することにより
反応の終点を判定することが出来る。かくして生
成した上記式[]で表わされる隣接置換ケトン
類は、反応後に水または塩化アンモニウム水溶液
の如き強電解質水溶液で、0.1〜1時間程度処理
し、次いで通常の方法により抽出、洗滌、濃縮し
粗生成物を得、これをさらに蒸留、クロマトグラ
フイー等の手段により精製することによつて、目
的とする前記式[]で表わされる隣接置換ケト
ン類が有利に高収率で製造される。 上記式[]においてXとYが結合手を表わす
場合の化合物はR′2が水素原子の場合に限り、反
応条件下、または、後処理工程において、ケトン
のβ位に担当する位置にあるOR5基が脱離するこ
とにより、得られる生成物として理解される。 このように本発明方法によつて得られる隣接置
換ケトン類は具体例に示されている様にそれ自体
医薬としての生理活性が期待されるプロスタクラ
ンジン類であり、またその他の化合物は医薬、農
薬、香料の合成中間体として幅広い用途が考えら
れる有用な化合物である。 さらに生成物のあるものは、例えば、α−置換
基をさらに化学修飾することにより近年医薬とし
て注目されているプロスタサイクリン類を合成す
る中間体として利用することも出来る有用な化合
物である。以下、実施例を挙げて本発明を更に詳
細に説明する。 実施例 1 3−n−ブチル−2−(ジメトキシメチル)シ
クロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅32mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル20mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム
(1.86Mヘキサン溶液)0.91ml(1.7mmol)をゆ
つくり滴下した。−78℃で30分間撹拌したのち三
フツ化ホウ素エーテル錯体194mg(1.7mmol)を
加え10分間撹拌した。ついで2−シクロペンテノ
ン123mg(1.5mmol)の無水エーテル5ml溶液を
ゆつくり滴下した。−78℃で10分間、−55℃で20分
間ついで−40℃で10分間撹拌した。つぎにこれに
無水THF5mlを加えたのち、オルトギ酸メチル
212mg(2mmol)の無水THF10ml溶液を加え
た。徐々に室温まで昇温したのち、飽和塩化アン
モニウム水溶液で加水分解し、エーテルで抽出し
た。有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥した
後、エバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物を
シリカゲルクロマトグラフイー(アンモニア処
理、10g、溶出溶媒ベンゼン:酢酸エチル=20:
1)に供し、3−n−ブチル−2−(ジメトキシ
メチル)シクロペンタノン277mg(86%)を得た。 スペクトルデータ(立体異性体の混合物) 3−n−ブチル−2−(ジメトキシメチル)シ
クロペンタン シリカゲルTLC;Rf0.46(展開溶媒ベンゼン:
酢酸エチル=8:1)。 IR(液膜);1740cm-1(C=O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.4(m、12H、CH2とCH)、3.38(s、
6H、OCH3)、4.48(d、J=3Hz、1H、CH
(OCH3)2)。 実施例 2 2−(ジメトキシメチル)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オ
クテニル]シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル10mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、1−ヨード−3−(テト
ラヒドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−
オクテンから調製したビニルリチウム体を加え
た。−78℃で30分間撹拌したのち、2−シクロペ
ンテノン123mg(1.5mmol)の無水エーテル5ml
溶液をゆつくり滴下した。−78℃で10分間撹拌し
たのを三フツ化ホウ素エーテル錯体194mg(1.7m
mol)を加え、−78℃で10分間、−55℃で20分間つ
いで−40℃で10分間撹拌した。つぎにこれに無水
THF5mlを加えたのち、オルトギ酸メチル212mg
(2mmol)の無水THF10ml溶液を加えた。徐々
に室温まで昇温したのち、飽和塩化アンモニウム
水溶液で加水分解し、エーテルで抽出した。有機
層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥したのち、エバ
ポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフイー(アンモニ
ア処理、15g、溶出溶媒ベンゼン:酢酸エチル=
10:1)に供し、2−(ジメトキシメチル)−3−
[3−テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)−1
−trans−オクテニル]シクロペンタノン169mg
(30%)を得た。 スペクトルデータ(立体異性体の混合物) 2−(ジメトキシメチル)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オ
クテニル]シクロペンタノン シリカゲルTLC;Rf0.23(展開溶媒ベンゼン:
酢酸エチル=5:1)。 IR(液膜);1740cm-1(C=O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.4(m、2OH、CH2とCH)、3.1〜4.2(m、
3H、OCH2CH2とCHOTHP)3.34と3.37(s、
6H、OCH3)、4.4〜4.8(m、2H、OH(OCH3)2
とCHOTHP)、5.2〜5.8(m、2H、CH=CH)。 実施例 3 2−(ジメトキシメチル)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オ
クテニル]−4−(テトラヒドロピラン−2−イ
ルオキシ)シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル10mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、実施例2で用いたビニル
リチウム体を加えた。−78℃で30分間撹拌したの
ち4−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
シクロペンテノン273mg(1.5mmol)の無水エー
テル5ml溶液をゆつくり滴下した。−78℃で10分
間撹拌したのち、三フツ化ホウ素エーテル錯体
194mg(1.7mmol)を加え、−78℃で10分間、−55
℃で20分間ついで−40℃で10分間撹拌した。つぎ
にこれに無水THF5mlを加えたのち、オルトギ酸
メチル212mg(2mmol)の無水THF10ml溶液を
加えた。徐々に室温まで昇温したのち、飽和塩化
アンモニウム水溶液で加水分解し、エーテルで抽
出した。有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し
たのち、エバポレーターで減圧濃縮した。得られ
た粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー(アンモニア処理、15g、溶出溶媒ベンゼン:
酢酸エチル=6:1)に供し、2−(ジメトキシ
メチル)−3−[3−(テトラヒドロピラン−2−
イルオキシ)−1−trans−オクテニル]4−(テ
トラヒドロピラン−2−イルオキシ)シクロペン
テノ165mg(24%)を得た。 スペクトルデータ(立体異性体の混合物) 2−(ジメトキシメチル)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オ
クテニル]−4−(テトラヒドロピラン−2−イ
ルオキシ)シクロペンタノンシリカゲル
TLC;Rf0.51(展開溶媒ベンゼン:酢酸エチ
ル=2:1)。 IR(液膜);1740cm-1(C=O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.2〜2.8(m、24H、CH2とCH)、3.30〜3.38
(s、6H、OCH3)、3.3〜4.2(m、6H、
OCH2CH2とCHOTHP)、4.5〜4.8(m、3H、
OH(OCH3)2とOCHO)、5.2〜5.7(m、2H、
CH=CH)。 実施例 4 3−n−ブチル−2−(1−エトキシエチリデ
ン)シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル20mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム
(1.86Mヘキサン溶液)0.91ml(1.7mmol)をゆ
つくり滴下した。−78℃で30分間撹拌したのち三
フツ化ホウ素エーテル錯体194mg(1.7mmol)を
加え5分間撹拌した。ついで2−シクロペンテノ
ン123mg(1.5mmol)の無水エーテル5ml溶液を
ゆつくり滴下した。−78℃で10分間−55℃で20分
間ついで−40℃で10分間撹拌した。つぎにこれに
無水THF5mlを加えたのち、トリエチルオルソア
セテート324mg(2mmol)の無水THF10ml溶液
を加えた。徐々に室温まで昇温したのち、飽和塩
化アンモニウム水溶液で加水分解し、エーテルで
抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥
した後、エバポレーターで減圧濃縮した。粗生成
物をシリカゲルクロマトグラフイー(アンモニア
処理、10g、溶出溶媒ベンゼン:酢酸エチル=
10:1)に供し粗分けした。ついで分取シリカゲ
ルTLC(アンモニア処理、展開溶媒ベンゼン:酢
酸エチル=20:1)に供し、3−n−ブチル−2
−(1−エトキシエチリデン)シクロペンタノン
190mg(60%)を得た。 スペクトルデータ。 3−n−ブチル−2−(1−エトキシエチリデ
ン)シクロペンタノン シリカゲルTLC;Rf0.27(展開溶媒ベンゼン:
酢酸エチル=20:1)。 IR(液膜);1690cm-1(C=O)、1600cm-1(C=
O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.3(m、10H、CH2とCH)、1.32(t=J
=8Hz、3H、OCH2CH3)、2.40(s、3H、C
=CCH3)、2.8〜3.1(m、1H、アリル位の
CH)、4.03(q、J=8Hz、2H、OCH2CH3)。 実施例 5 3−n−ブチル−2−(N,N−ジメチルアミ
ノメチレン)シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル20mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム
(1.86Mヘキサン溶液)0.91ml(1.7mmol)をゆ
つくり滴下した。−78℃で30分間撹拌したのち三
フツ化ホウ素エーテル錯体194mg(1.7mmol)を
加え5分間撹拌した。ついで2−シクロペンテノ
ン123mg(1.5mmol)の無水エーテル5ml溶液を
ゆつくり滴下した。−78℃で10分間、−55℃で20分
間ついで−40℃で10分間撹拌した。つぎにこれに
無水THF5mlを加えたのち、N,N−ジメチルホ
ルムアミドジメチルアセタノール338mg(2m
mol)の無水THF10ml溶液を加えた。徐々に室
温まで昇温したのち、飽和塩化アンモニウム水溶
液で加水分解し、エーテルで抽出した。有機層を
無水硫酸ナトリウム上で乾燥したのち、エバポレ
ーターで減圧濃縮した。粗生成物をアルミナカラ
ムシリカゲルクロマトグラフイー(neutral
activity 、10g、溶出溶媒酢酸エチル)に供
し、3−n−ブチル−2−(N,N−ジメチルア
ミノメチレン)シクロペンタノン168mg(58%)
を得た。 スペクトルデータ。 3−n−ブチル−2−(N,N−ジメチルアミ
ノメチレン)シクロペンタノン アルミナTLC;Rf0.34(展開溶媒エチル)。 IR(液膜);1680cm-1(C=O)、1590cm-1(C=
O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.3(m、10H、CH2とCH)、2.9〜3.2(m、
1H、アリル位のCH)、3.05(s、6H、N
(CH3)2)、6.90(br.s、1H、C=CH−N)。 実施例 6 2−(N,N−ジメチルアミノメチレン)−3−
[3−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−1−trans−オクテニル]シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル10mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、実施例2で用いたビニル
リチウム体を加えた。−78℃で30分間撹拌したの
ち、2−シクロペンテノン123mg(1.5mmol)の
無水エーテル5ml溶液をゆつくり滴下した。−78
℃で10分間撹拌したのち三フツ化ホウ素エーテル
錯体194mg(1.7mmol)を加え−78℃で10分間、
−55℃で20分間ついで−40℃で10分間撹拌した。
つぎにこれに無水THF5mlを加えたのち、N,N
−ジメチルホルムアミドジメチルアセタノール
338mg(2mmol)の無水THF10ml溶液を加え
た。徐々に室温まで昇温したのち、飽和塩化アン
モニウム水溶液で加水分解し、エーテルで抽出し
た。有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥したの
ち、エバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗
生成物をアルミナカラムクロマトグラフイー
(neutral activity 、15g、溶出溶媒ベンゼ
ン:酢酸エチル1:1)に供し、2−(N,N−
ジメチルアミノメチレン)−3−[3−(テトラヒ
ドロピラン−2−イルオキシ)−1−trans−オク
テニル]シクロペンタノン157mg(31%)を得た。 スペクトルデータ。(立体異性体の混合物) 2−(N,N−ジメチルアミノメチレン)−3−
[3−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−1−trans−オクテニル]シクロペンタノン アルミナTLC;Rf0.30(展開溶媒ベンゼン:酢
酸エチル=1:1)。 IR(液膜);1680cm-1(C=O)、1580cm-1(C=C
−N)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.2〜2.7(m、19H、CH2とCH)、3.04(s、
6H、NCH3)3.2〜4.2((m、3H、OCH2CH2と
CHOTHP)、4.4〜4.7(m、1H、OCHO)、5.1
〜5.9(m、2H、CH=CH)、7.08(br.s、1H、
C=CH−N)。 実施例 7 2−(N,N−ジメチルアミノメチレン.−3−
[3−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−1−trans−オクテニル]−4−(テトラヒド
ロピラン−2−イルオキシ)シクロペンタノン 50mlのフラスコにヨウ化第一銅325mg(1.7m
mol)をはかりとり、フラスコの内部をアルゴン
で置換した。これに無水エーテル10mlを加えたの
ちトリn−ブチルホスフイン687mg(3.4mmol、
0.85ml)を室温で加え、10分間撹拌した。つぎに
これを−78℃に冷却し、実施例2で用いたビニル
リチウム体を加えた。−78℃で30分間撹拌したの
ち、4−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−2−シクロペンテノン273mg(1.5mmol)の無
水エーテル5ml溶液をゆつくり滴下した。−78℃
で10分間撹拌したのち、三フツ化ホウ素エーテル
錯体194mg(1.7mmol)を加え−78℃で10分間、
−55℃で20分間ついで−40℃で10分間撹拌した。
つぎにこれに無水THF5mlを加えたのち、N,N
−ジメチルホルムアミドメチルアセタール338mg
(2mmol)の無水THF10ml溶液を加えた。徐々
に室温まで昇温したのち、飽和塩化アンモニウム
水溶液で加水分解し、エーテルで抽出した。有機
層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥したのち、エバ
ポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物を
アルミナカラムクロマトグラフイー(neutral
activity 、15g、溶出溶媒ベンゼン:酢酸エ
チル1:1)に供し、2−(N,N−ジメチルア
ミノメチレン)−3−[3−テトラヒドロピラン−
2−イルオキシ)−1−trans−オクテニル]−4
−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)シク
ロペンタノン235mg(37%)を得た。 スペクトルデータ。(立体異性体の混合物) 2−(N,N−ジメチルアミノメチレン)−3−
[3−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)
−1−trans−オクテニル]−4−(テトラヒド
ロピラン−2−イルオキシ)シクロペンタノン アルミナTLC;Rf0.30(展開溶媒ベンゼン:酢
酸エチル=1:1)。 IR(液膜);1680cm-1(C=O)、1580cm-1(C=
O)。 NMR(CCl4、);δ 0.8〜1.1(m、3H、CH3)、
1.1〜2.5(m、23H、CH2とCH)、3.05(s、
6H、N(CH3)2)、3.1〜4.1(m、6H、
CHOTHPとOCH2CH2)、4.4〜4.8(m、2H、
OCHO)、5.1〜5.9(m、2H、CH=CH)、7.16
(br.s、1H、C=CH−N)。 実施例 8 1−モード−3−t−ブチルジメチルシロキシ
−1−シス−オクテン−1.774mg(2.1mmol)を
乾燥エーテル15mlに溶かし、乾燥しアルゴン置換
した反応管へ移した。−95℃に冷却後、よく撹拌
しながらt−ブチルリチウム(1.22Mペンタン溶
液・Aldrich)3.44ml(4.2mmol)を素早く加え
た。−95℃から−78℃まで徐々に昇温しながら2.5
時間撹拌後、下記の銅錯体溶液を加えた。 ヨウ化第一銅400mg(2.1mmol)を50mlナスフ
ラスコにり減圧下加熱乾燥し、アルゴン置換した
後、乾燥エーテル15mlを加え、n−ブチルホスフ
イン1.15ml(4.62mmol)を加え、室温で15分間
撹拌し、−78℃に冷却後、上記の反応管へステン
レスチユーブを用いて加えた。 −78℃で40分間撹拌後、2−シクロペンテノン
164mg(2.0mmol)のdry Et2O10ml溶液を10分間
かけて滴下した。1時間撹拌後、オルトギ酸メチ
ル0.24ml(2.0mmol)続いてBF3・OEt20.26ml
(2.1mmol)を滴下し、−78℃で5時間撹拌した。
飽和塩化アンモニウム水10ml(加水分解した後、
水層を2度Et2O5mlで抽出し、有機層を合わせ無
水MgSO4で乾燥した。瀘過濃縮後、シリカゲル
カラムクロマトグラフイー(アンモニア処理30g
ヘキサン/Et2O=30/1)に供し生成物3−(3
−t−ブチルジメチルシロキ−1−シスオクテニ
ル)−2−ジメトキシメチル−シクロペンタノン
550mg(収率69%)を得た。 スペクトルデータ 薄層クロマトグラフイー(ヘキサン;エーテル
=1:1)0.60 NMR(CCl4、)δ;0.7〜1.0(3H、m、−CH3 )、
0.87(9H、s、−C(CH3 )3)、1.05〜1.8(10H、
m)、1.9〜2.4(4H、m)、3.29(3H、s、−C
H3)、3.38(3H、s、−OH3 )、4.3〜4.6(1H、
m、−CHOS1−(Me2)−t−Bu)、4.51(1H、
d、J=3.0Hz、−CH(OMe)、5.0〜5.45(2H、
m、【式】)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記式[] 〔式中、Qは水素原子又は保護された水酸基を表
わし、R′2及びR′4は同一若しくは異なり、水素原
子又は低級アルキル基を表わす。〕 で表わされるα,β−不飽和カルボニル化合物
に、トリ炭化水素ホスフインの存在下、下記式
[] RACu …[] 〔式中、RAは保護された水酸基を有していても
よい炭素数1〜20のアルキル又はアルケニルを表
わす。〕 で表わされる有機銅化合物を反応せしめ、次いで
ルイス酸の存在下に、更に下記式[] 〔式中、R5はメチル基又はエチル基を表わし、
RDは水素原子又は炭素数1〜20の保護されてい
る水酸基又はカルボキシル基を有していてもよい
炭化水素基、AはOR5またはN(R6)2を表わし、
R6はメチル基又はエチル基を示す。〕 で表わされるアセタール誘導体を反応せしめるこ
とを特徴とする下記式[] 〔但し、式中A、RD、RA、R′4及びQは上記定義
に同じであり、X及びYはXがR′2でYがOR5で
あるか、或いはXとYは結合手を表わし、それら
は互いに結合しているものである。尚、R′2及び
R5は上記定義の通りである。〕 で表わされる隣接置換ケトン類の製造法。 2 トリ炭化水素ホスフインがトリアルキルホス
フインまたはトリアリールホスフインである特許
請求の範囲第1項記載の隣接置換ケトン類の製造
法。 3 ルイス酸が三フツ化ホウ素またはそのエーテ
ル錯体である特許請求の範囲第1項又は第2項記
載の隣接置換ケトン類の製造法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6029379A JPS55153725A (en) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Production of ketone bearing substituent in adjacent position |
US06/149,584 US4315032A (en) | 1979-05-18 | 1980-05-14 | Process for preparation of adjacently disubstituted ketones |
EP80301617A EP0019475A3 (en) | 1979-05-18 | 1980-05-16 | Process for preparing adjacently disubstituted ketones, novel prostaglandins e1 and anti-thrombotic compositions containing them |
DE8181200597T DE3069091D1 (en) | 1979-05-18 | 1980-05-16 | Novel prostaglandins e1 and anti-thrombotic compositions containing them |
EP81200597A EP0038613B1 (en) | 1979-05-18 | 1980-05-16 | Novel prostaglandins e1 and anti-thrombotic compositions containing them |
Applications Claiming Priority (1)
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JP6029379A JPS55153725A (en) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Production of ketone bearing substituent in adjacent position |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55153725A JPS55153725A (en) | 1980-11-29 |
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Family Applications (1)
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EP (1) | EP0019475A3 (ja) |
JP (1) | JPS55153725A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020137675A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | ニッポン高度紙工業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用セパレータ及びアルミニウム電解コンデンサ |
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EP0079733B1 (en) * | 1981-11-13 | 1987-03-04 | Teijin Limited | Process for prostaglandin e1, production and novel delta 7-prostaglandines e and 7-hydroxyprostaglandins e |
GB8625326D0 (en) * | 1986-10-22 | 1986-11-26 | Glaxo Group Ltd | Medicaments |
Family Cites Families (3)
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NO744186L (ja) * | 1973-11-22 | 1975-06-16 | Teijin Ltd | |
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-
1980
- 1980-05-14 US US06/149,584 patent/US4315032A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-05-16 EP EP80301617A patent/EP0019475A3/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2020137675A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | ニッポン高度紙工業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用セパレータ及びアルミニウム電解コンデンサ |
KR20210105910A (ko) | 2018-12-27 | 2021-08-27 | 닛폰 고도시 코포레이션 | 알루미늄 전해 콘덴서용 세퍼레이터 및 알루미늄 전해 콘덴서 |
Also Published As
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JPS55153725A (en) | 1980-11-29 |
US4315032A (en) | 1982-02-09 |
EP0019475A3 (en) | 1981-02-11 |
EP0019475A2 (en) | 1980-11-26 |
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